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y=0;
f=1:1:400
e1=5*sin((pi/180)*f)
e2=5*sin((pi/180)*f-(120*(pi/180)))
e3=5*sin((pi/180)*f-(240*(pi/180)))
e4=e1*-1
e5=e2*-1
e6=e3*-1
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
plot(f,e1,'g')
plot(f,e2,'r')
plot(f,e3,'b')
plot(f,e4,'m')
plot(f,e5,'k')
plot(f,e6,'y'), axis([0 400 -6 6])
else
if(e4(i)>=e5(i))&& (e4(i)>=e6(i))&& (e4(i)>=e1(i))&&
(e4(i)>=e2(i))&& (e4(i)>=e3(i))
y(i)=e4(i)
else
if(e5(i)>=e1(i))&& (e5(i)>=e2(i))&& (e5(i)>=e3(i))&&
(e5(i)>=e4(i))&& (e5(i)>=e6(i))
y(i)=e5(i)
else
if(e6(i)>=e1(i))&& (e6(i)>=e2(i))&& (e6(i)>=e3(i))&&
(e6(i)>=e4(i))&& (e6(i)>=e5(i))
y(i)=e6(i)
end
end
end
end
end
end
end
subplot(2,1,2), plot(f,y,'c'), axis ([0 400 0 6])
ISTEMAS DE RECTIFICACION
CONTROLADA MONOFSICO Y
POLIFSICO
Isaac Ojeda Zamalloa
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA
Ingeniera Elctrica
isaacoz@hotmail.com
I.
INTRODUCCIN
II.
FUNCIONAMIENTO
Figura. 1 Diagrama del sistema de rectificacin monofsica de media onda controlada para la ubicacin de
los diferentes tipos de cargas, simulados en Matlab, para la proyeccin de las formas de ondas de corriente,
voltaje y del diodo.
(a)
(b)
(c)
(a)
Tipo de carga R (300ohm) para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada, para las
simulaciones mencionadas.
(b)
Tipo de carga RC (300ohm) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada,
para las simulaciones mencionadas.
(c)
Tipo de carga R(LC), (300ohm), (0.8H) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda
controlada, para las simulaciones mencionadas.
Figura. 2 Diagrama del sistema de cargas, a usar en el rectificador de media onda controlada, simulados en
Matlab, para la proyeccin de las formas de ondas de corriente, voltaje y del diodo respectivamente.
PARMETRO FUNDAMENTAL
(1)
Y el valor normalizado valdr:
(2)
(3), (4)
Para =0, su valor: (4)
(5)
Tensin inversa de pico soportada por el tiristor: Esta tensin ser la mxima de
entrada para , por lo tanto:
(6)
(7)
Corriente eficaz en la carga:
(8)
Para distinguir las magnitudes cuando se pasa de los montajes con diodos a tiristores
utilizaremos la prima (') para referirnos a los montajes con tiristores. El principio de
funcionamiento consiste en disparar los tiristores con un cierto ngulo respecto del
punto de conmutacin natural o paso por cero de la seal de entrada. Con ello se
consigue aplicar la tensin de la fuente sobre la carga un tiempo variable, que depende
del momento del disparo y por tanto se conseguir variar los valores medios y eficaces
de la tensin en la carga.
Dependiendo del tipo de carga, se deber analizar el tipo de impulso de cebado del
tiristor. Para las cargas con componente inductiva, la corriente en la carga, y por tanto
en el tiristor, no variar bruscamente, con lo que se tardar un cierto tiempo en
alcanzar la corriente de enclavamiento del tiristor. Como se muestra en la simulacin 1
Matlab, donde muestra el comportamiento del diodo que es atravesado por el voltaje
y la corriente que es la forma de onda 1 y 2, y en las formas de ondas 3 y 4 muestra el
voltaje y la corriente, de la carga.
(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm), simulado en Matlab
(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm) y C (8.8uF), simulado en Matlab
(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm) y L (0.8H) en Matlab, simulado en
Matlab
Simulacin 1 muestra las formas de ondas del sistemas de rectificacin monofsica de media onda
controlada con diferentes tipos de cargas, simulados en Matlab, para la proyeccin de corriente, voltaje y del
tiristor.
III.
Con carga R
(a)
Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos con carga R (300ohm), en
Matlab
(b)
Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus armnicos con carga R (300ohm), en
Matlab
(c) Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos con carga R (300ohm), en
Matlab
Figura3. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de
media onda, con carga resistiva
Con carga RC
Simulaciones de las formas de onda de los sistemas de rectificacin polifsica de media
onda con carga Resistiva Capacitiva en serie, en los cuales por medio de su THD se
analiza el comportamiento, simulados en Matlab, para la proyeccin de voltaje, ver
figura 4a, corriente, ver figura 4b y del diodo, ver figura 4c.
(a)
Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uf), en Matlab
(b)
Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab
(c) Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab
Figura4. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de
media onda, con carga resistiva - capacitiva.
(a)
(b)
(c)
(a)
Tipo de carga R (300ohm) para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada, para las
simulaciones mencionadas.
(b)
Tipo de carga RC (300ohm) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada,
para las simulaciones mencionadas.
(c)
Tipo de carga R(LC), (300ohm), (0.8H) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda
controlada, para las simulaciones mencionadas.
Figura. 5. Diagrama del sistema de cargas, a usar en el rectificador de media onda controlada, simulados en
Matlab, para la proyeccin de las formas de ondas de corriente, voltaje y del diodo respectivamente.
PARMETRO FUNDAMENTAL
Si los tiristores son atacados por tres generadores de impulsos, aplicando estos
a su correspondiente tiristor en intervalos en los que su tensin nodo-ctodo sea
positiva, a la frecuencia de red y con desfase progresivo de 120, el ngulo mximo de
disparo ser de 150, ya que por encima de ste la tensin en la carga ser nula por
aplicarse los impulsos a tiristores que estarn en inverso.
(6)
(7)
(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm), simulado en Matlab
(b) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm) y C (8.8uF), simulado en Matlab
(c)
Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm), C (8.8uF) y L (0.8H), simulado en
Matlab
IV.
IV.i
(a)
(b)
(c)
Figura 6. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de
media onda, con carga resistiva.
(a)
Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uf), en Matlab
(b)
Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab
(c)
Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab
Figura4. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de media
onda, con carga resistiva - capacitiva.
V.
DISCUCIN.
En las tablas se muestra los clculos efectuados por las ecuaciones anteriores,
pudiendo as mostrar y comparar, de sta manera los valores de corriente y de voltaje,
con diferentes tipos de cargas al sistema de rectificacin controlada tanto monofsica
como polifsica para meda onda.
Al comparar stas tablas 1 y 2, con los datos obtenidos en las simulaciones tanto
para la rectificacin controlada monofsica de media onda como para el rectificador
controlado trifsico onda completa podemos observar la poca diferencia entre estos.
VI.
CONCLUSIONES
En las simulaciones se puede ver el anlisis de resultados del THD, lo que resulta que
un rectificador media onda con carga R, su grafica obtenida de intensidad es igual a la
grfica de tensin, por ese motivo se realiza un solo anlisis de THD, ya que ambos
valores son equivalentes, tanto para monofsica como polifsica, resulta ser ms
ptimo que rectificadores con cargas reactivas, donde se podra tener una solucin en
colocar un diodo volante.
Solamente con estos rangos de los ngulos, el tiristor funciona ya que si se hace con
ngulos mayores a 180 el voltaje en la carga tiende a distorsionarse, y no se obtendrn
los datos requeridos.