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Objetivo:
Poner en prctica los conocimientos adquiridos durante este primer parcial y
elaborar un circuito en el cual se pueda hace un anlisis amplio acerca del uso
de los diodos, realizando simulaciones, clculos y finalmente un circuito
funcionando.
Introduccin:
Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente
elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un cortocircuito con
muy pequea resistencia elctrica.
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del material n, con
lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la barra de potencial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza
el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez
que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una
pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. No obstante, al igual que la corriente inversa
de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.
Memoria PROM
PROM es el acrnimo en ingls de programmable read-only memory, que
significa memoria de solo lectura programable. Es una memoria digital
donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o anti fusible),
que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser
programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un
dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas
para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando
los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.
Diagrama de Circuito
El decodificador 74LS138 tiene todas sus salidas negadas, para cada entrada
en el decodificador solo habr una salida activada en bajo y las dems estarn
en estado alto, en el ejemplo anterior la salida Y5 del decodificador est en
estado bajo y hay dos diodos conectados en esta salida del decodificador lo
que har que los diodos entren en conduccin y la corriente se dirigir hacia la
terminal Y5 y no haca las terminales S3 y S1, en este caso las terminales
mencionadas anteriormente tendrn un nivel bajo, estos datos sern entradas
en un Octal Bus Trasceiver 74LS245, lo que har este integrado ser pasar las
entradas como salidas, este integrado se activa por el mismo dip switch de
entradas del decodificador, aparte de ser un pasadatos es el integrado que
hace que solo enciendan los leds en nmeros impares ya que si en el dip
switch se tiene como un entrada un nmero par, por la conexin que tiene el
integrado este se desactivar impidiendo mostrar algn dato en los leds.
Simulacin
Tabla de Verdad
Entrada Salida
0000
0000
0001
0001
0010
0000
0011
0011
0100
0000
0101
0101
0110
0000
0111
0111
1000
0000
1001
1001
1010
0000
1011
1011
1100
0000
1101
1101
1110
0000
1111
1111
Lista de Material
Componente
Dip Switch 4
posiciones
Resistencias
4.7k
Resistencias 330
Diodos 1N4148
74LS138
74LS245
LED
Cantida
d
1
4
8
12
1
1
4
Salida: 0001
Entrada: 0010
Salida: 0000
Entrada: 0011
Salida: 0011
Voltaje CD y CA en la carga
V out =V R
V P =V R P+ V D 1 P +V D 2 P V DP 0.7 V P
L
Rectificador Onda
Completa
V inPico
47.37 Vp
Ti
16.66 ms
V OutPico
45.97 Vp
V OutCD
29.26 V CD
V OutCA
32.5 V CA
POutCD
856.1476 mW
POutCA
1.056 VA
T Out
8.33 ms
f Out
120 Hz
V rizopp
174.128 mV r ( pp)
V R P=V PV D 1 P V D 2 P
L
V OutCD=V prom =
I OutCD =
2 V p 2 ( 45.97 ) V P
=
=29.26 V
V CD 29.26
=
=29.26 mA
RL 1000
1
f out
V OutC A =
VR
1
=8.333 ms
120
P
2
2
PCA =
45.97 V P
=32.5 V C A
2
2
V OutCA 32.5 V CA
=
=1.056 VA
RL
1000
V r (pp )=
V p(rect)
45.97 V P
=
=174.128 mV r ( pp)
f R L C ( 120 Hz ) (1000 ) ( 2200 F )
Observaciones
No fue difcil hacer el clculo matemtico del circuito, esa algo que ya
habamos hecho para el anlisis de la prctica 3 y en el saln tambin vimos el
anlisis a detalle.
Conclusiones
Concluyo el buen trabajo que realic para este circuito a base de clculos y
simulaciones, todo lo analizado en el saln sirve de mucho para este tipo de
circuitos donde se nos pide realizar cualquier aplicacin con diodos con base en
la teora.
Realizar esto provoc que repasara la teora no solo para este anlisis sino
tambin para el examen.
V r (pp )=
V p(rect)
V p (rect )
45.97 V P
RL =
=
=662.335
f RL C
f V r ( pp) C ( 120 Hz ) ( 262.901 V r ( pp) ) ( 2200 F )
1
1
f =120 Hz T =
=8.333 ms
f 120
V p(rect )=48.6V P
Voltaje
V Z =5.125 V
sin carga
carga
Corriente
I R =75 mA
s
sin carga
Voltaje
V R =40.32V
s
sin
Voltaje
carga
V R =40.93 V
s
con carga
Voltaje
V Z =4.522V
con
Corriente
I R =76 mA
s
con carga
1
1
f =117.1 Hz T =
=8.539 ms
f 117.1
V r (pp )=292V PP
R Lmn=
Rs V Z
( 560 )( 5 V )
=
=70.281
V i V Z 44.84 V 5V
V R =V i V Z =44.84 V 5 V =39.84 V
S
IR =
S
V R 39.84 V
=
=71.14 mA
RS
560
S
I R =I R I ZM =71.14 mA 32 mA=39.142 mA
Lmn
R Lmx =
Vz
5V
=
=127.73
IR
39.142 mA
Lmn