Microonde

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didattica in re
progetto
didattica in rete
Elettronica delle microonde
Parte I: componenti passivi, parametri S

G. Ghione, M. Pirola
Politecnico di Torino, aprile 2002

Dipartimento di Elettronica
otto editore
ELETTRONICA DELLE MICROONDE

Parte I: componenti passivi, parametri S
G. G HIONE , M. P IROLA
WWW. POLITO. IT
Giovanni Ghione, Marco Pirola

Elettronica delle microonde - Parte I: componenti passivi, parametri S
vietata la riproduzione, anche parziale, con qualsiasi mezzo effettuato, compresa la

fotocopia, anche ad uso interno o didattico, non autorizzata.
INDICE
1. Circuiti planari ibridi e integrati per microonde
1.1.
RF, microonde, onde millimetriche . . . . . . . . . . . .
1.2.
Il circuito integrato a microonde ibrido e monolitico . . .
14
1.3.
Linee di trasmissione TEM e quasi-TEM . . . . . . . . .
19
Richiami di teoria delle linee di trasmissione . . . . .
19
Parametri delle linee quasi-TEM . . . . . . . . . . .
28
Andamento in frequenza delle perdite parallelo:

caratteristiche dei substrati . . . . . . . . . . . . . . .
32
Andamento in frequenza delle perdite serie: effetto

pelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
Strutture guidanti nei circuiti ibridi e monolitici a

microonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
38
Cavo coassiale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
Linee di trasmissione planari: microstriscia . . . . . .
41
Linee coplanari . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
52
Accoppiamento con modi spuri in linee planari . . . .
56
Componenti a parametri concentrati . . . . . . . . . . .
62
Induttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65
Condensatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
74
Resistori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
77
Layout di circuiti planari ibridi . . . . . . . . . . . . . .
79
Connessioni di componenti concentrati . . . . . . . .
80
Stub . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
82
1.4.
1.5.
1.6.
1.7.
1.8.
1.9.
Alimentazione e elementi attivi . . . . . . . . . . . .
82
Discontinuit delle linee di trasmissione . . . . . . .
84
Layout ibrido in microstriscia . . . . . . . . . . . . .
86
Problemi di layout ibrido . . . . . . . . . . . . . . .
88
Il layout integrato a microonde . . . . . . . . . . . . . .
89
Esempi di layout integrato a microonde . . . . . . . .
89
Contenitori per circuiti ibridi e integrati a microonde . .
92
Comportamento elettrico dei contenitori . . . . . . .
95
Contenitori: aspetti termici e meccanici . . . . . . . .
96
Quesiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
99
2. Due-porte lineari caricati: guadagni e stabilit

2.1.
Richiami sui parametri scattering . . . . . . . . . . . . .
105
Onde di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
105
Relazione costitutiva di un n-porte in termini di

onde di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
108
Soluzione di reti in termini di onde di potenza . . . .
111
Circuito equivalente con onde di potenza . . . . . . .
116
Connessione in cascata doppi bipoli non autonomi . .
120
Potenza, reciprocit e reattivit . . . . . . . . . . . .
122
Trasferimento di potenza generatore-carico in un

bipolo caricato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
124
2.3.
Analisi di strutture a due-porte caricate . . . . . . . . . .
127
2.4.
Guadagni delle strutture a due-porte . . . . . . . . . . .
132
Guadagno operativo . . . . . . . . . . . . . . . . . .
133
Guadagno disponibile . . . . . . . . . . . . . . . . .
137
Guadagno di trasduzione . . . . . . . . . . . . . . .
138
Realizzabilit delladattamento di potenza . . . . . .
139
Stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
140
Analisi della condizione di stabilit . . . . . . . . . .
143
Condizioni necessarie e sufficienti per la incondizionata stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
148
Dimostrazione dei criteri di stabilit . . . . . . . . . .
151
2.2.
2.5.
105
2.6.
2.7.
Adattamento di potenza alle due-porte: realizzabilit e guadagno massimo . . . . . . . . . . . . . . . .
156
Stabilit condizionata . . . . . . . . . . . . . . . . .
161
Guadagno e stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . .
162
Dispositivo unilaterale . . . . . . . . . . . . . . . . .
164
Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
166
Stabilit e guadagni a frequenza fissa . . . . . . . . .
166
Stabilit e guadagni al variare della frequenza . . . .
168
Quesiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
171
3. Accoppiatori direzionali e divisori di potenza

3.1.
177
Linee quasi-TEM accoppiate . . . . . . . . . . . . . . .
177
Analisi di linee accoppiate simmetriche . . . . . . . .
177
Linee planari accoppiate . . . . . . . . . . . . . . . .
184
3.2.
Laccoppiatore direzionale . . . . . . . . . . . . . . . .
189
3.3.
Laccoppiatore a due linee accoppiate . . . . . . . . . .
193
Comportamento in frequenza dellaccoppiatore

sincrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200
Effetto del dissincronismo e compensazione . . . . .
203
Accoppiatori multiconduttore . . . . . . . . . . . . . . .
207
Laccoppiatore di Lange . . . . . . . . . . . . . . . .
215
Accoppiatori a interferenza . . . . . . . . . . . . . . . .
219
Accoppiatore branch-line . . . . . . . . . . . . . . .
221
Lanello ibrido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
226
Combinatori e divisori di potenza . . . . . . . . . . . . .
228
Divisori Wilkinson . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
228
3.7.
Conclusioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
231
3.8.
Quesiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
232
3.4.
3.5.
3.6.
A. Richiami di teoria delle linee di trasmissione
237
A.1. Dalle equazioni di Maxwell alle equazioni dei telegrafisti
237
A.2. Soluzione della equazione dei telegrafisti . . . . . . . . .
242
A.3. Il coefficiente di riflessione e la carta di Smith . . . . . .
247
B. Cenni alla simulazione quasi-statica e dinamica di linee di

trasmissione
253
B.1. Ancora sulle linee TEM, quasi-TEM, non TEM . . . . .
253
B.2. Tecniche di analisi quasi-statica di linee quasi-TEM . . .
256
B.3. Cenni alle tecniche dinamiche (full wave) di soluzione .
268
Lelettronica per le alte frequenze (radiofrequenze, RF, e microonde) stata resa (nuovamente) popolare negli ultimi anni dallavvento di applicazioni
quali la telefonia cellulare, con frequenze di impiego oltre il GHz. Inoltre la
realizzazione di circuiti elettronici, per lo pi analogici, per le alte frequenze,
che anni or sono si configurava come una sorta di black magic stato anche
in larga parte smitizzata dallavvento di strumenti di Computer Aided Design (CAD) che hanno reso possibile un avvicinamento pi rapido e indolore al
progetto. Detto questo, va comunque tenuto presente che le tecniche di analisi
e progetto per lelettronica RF e delle microonde restano comunque peculiari, ad esempio per luso di elementi distribuiti, di elementi attivi non sempre
convenzionali, e di tecniche di realizzazione (anche integrate) simili solo fino
ad un certo punto a quelle della microelettronica.
Da questo punto di vista il presente testo si presenta con un impianto piuttosto
conservativo: dedica spazio agli strumenti fondamentali di analisi, spesso con
un alto grado di dettaglio, senza per dilungarsi su alcune tecniche manuali di progetto che possono essere oggi sostituite favorevolmente da strumenti
CAD, partendo, come ovvio, da una conoscenza di base delle strutture circuitali e del dimensionamento approssimato dei componenti. Si tenga sempre
presente che lelettronica delle microonde comunque elettronica, vale a dire
unarte di progetto dove linventiva e la conoscenza dei problemi e delle soluzioni specifiche potenziata, ma niente affatto sostituita dalla disponibilit di
strumenti CAD.
Questa prima parte del testo dedicata ad una panoramica sulle tecniche di
realizzazione (ibride e monolitiche) dei circuiti per applicazioni a radiofrequenza e nel campo delle microonde e onde millimetriche e ai componenti
passivi (concentrati, distribuiti, a linee multiconduttore). Viene inoltre dedicato spazio ad argomenti di teoria dei circuiti (parametri scattering, stabilit)
caratteristici del settore delle alte frequenze, con applicazioni importanti alla
teoria degli amplificatori e dei componenti attivi.
Il testo completato da due appendici sulle linee di trasmissione e sulle tecniche di caratterizzazione elettromagnetica delle linee planari quasi-TEM. Ogni
capitolo completato da un elenco di quesiti a risposta multipla e aperti, che
vogliono essere solo un suggerimento per lautoapprendimento o la verifica
dei relativi argomenti.
Giovanni Ghione
Marco Pirola
Torino, Marzo 2002
1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER

MICROONDE
1.1.
RF,
MICROONDE , ONDE MILLIMETRICHE
Con i termini RF (radiofrequenze), microonde e onde millimetriche si intendono campi di frequenze delimitate, in modo preciso, dalla normativa; nelluso comune si
applicano le definizioni seguenti:
per radiofrequenze (o RF) si intendono frequenze comprese fra qualche centinanio di MHz e circa 1 GHz, con lunghezze donda nel vuoto dellordine del
metro, e applicazioni, almeno in origine, nel campo della trasmissione radiofonica, da cui il nome; si tratta di un campo di frequenze, al confine tra lelettronica tradizionale e lelettronica delle microonde, divenuto oggi di notevole
interesse per la diffusione della telefonia cellulare. Le applicazioni cellulari
utilizzano oggi frequenze comprese fra 500 MHz e 2 GHz circa; applicazioni
di terza o quarta generazione faranno uso di frequenze leggermente pi elevate,
fino a 3-4 GHz;
per microonde si intendono frequenze comprese tra 1 GHz e 30 GHz, a cui
corrispondono lunghezze donda nel vuoto che vanno da 30 cm a 1 cm; il
campo di frequenze utilizzato prevalentemente per sistemi di telecomunicazioni sia terrestri che satellitari, per sistemi radar, di prospezione ambientale,
1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE
e via dicendo; le microonde corrispondono inoltre al campo di frequenze utilizzate nei sistemi di trasmissione digitali in fibra ottica, operanti alla velocit
di 10 o 40 Gbps;
per onde millimetriche si intendono frequenze tra 30 GHz e 100 GHz circa, a
cui corrisponde una lunghezza donda di 3 mm. Nel campo delle onde millimetriche vi sono ancora applicazioni a sistemi di telecomunicazioni, per quanto,
al salire della frequenza, le applicazioni si facciano pi specifiche e dedicate
(ad esempio: sistemi di navigazione di bordo per autoveicoli, posizionati nella
banda oltre i 70 GHz).
Il campo delle onde millimetriche si estende, in realt, anche oltre i 100 GHz, sconfinando per in una regione in cui le applicazioni sono scarse, o prevalentemente nel
campo della prospezione ambientale. Da 1000 GHz in poi troviamo le frequenze dellinfrarosso e ancora oltre le frequenze ottiche, per le quali ancora possibile parlare
di una elettronica (loptoelettronica) ma con tecnolgie diverse e diverse modalit di
progetto rispetto alla elettronica delle microonde, per le quali possibile individuare
temi unitari in termini di applicazioni, tecniche di progetto dei circuiti, tipi di circuiti, dispositivi attivi utilizzati per il campo di frequenze che va dalle RF alle onde
millimetriche.
Come si accennato la normativa impone suddivisioni interne alle bande di frequenza che appartengono alle RF, microonde, onde millimetriche. Lo schema di denominazione (vecchio) delle banda di frequenza riportato nella Figura 1.1 mentre la
Figura 1.2 presenta uno schema maggiormente dettagliato delle bande di frequenza
comprese fra 100 MHz e 100 GHz. Si noti che la denominazione vecchia ancora
molto utilizzata nelle applicazioni.
Vi sono svariate ragioni per utilizzare il campo di frequenze delle microonde o delle
onde millimetriche. Per quanto riguarda le microonde, al crescere della frequenza la
larghezza di banda disponibile, e quindi la densit di informazione trasmessa, crescono. La trasmissione di segnali a microonde possibile sia su supporto guidante (linea
10
L u n g h e z z a d 'o n d a n e l v u o t o
1 0 0 k m
1 0 k m
1 k m
V L F
1 0 0 m
L F
M F
1 0 m
H F
1 m
V H F
1 0 c m
U H F
1 c m
1 m m
S H F
0 .1 m m
E H F
T ra s m is s io n i
ra d io fo n ic h e
R a d a r
R F
F re q u e n z e a u d io
M ic ro o n d e
In fra ro sso
O n d e m illim e tric h e
F re q u e n z e v id e o
3 0 H z
3 0 0 H z
3 k H z
3 0 k H z
3 0 0 k H z
3 M H z
3 0 M H z
3 0 0 M H z
3 G H z
3 0 G H z 3 0 0 G H z
3 T H z
F re q u e n z a
Fig. 1.1 Bande di frequenza.
L u n g h e z z a d 'o n d a n e l v u o t o , c m
6 0
3 0 0
V H F
0 .1
3 0
U H F
0 .3
1 5
L
1 .0
1 0 7 .5 5
S
2 .0
3 .7 5 3
C
4 .0
X
8 .0
1 .5
K u
1 5 .0
0 .7 5
0 .5
K a
3 0 .0 4 0 .0
0 .3
m m
1 0 0 .0
F re q u e n z a , G H z
Fig. 1.2 Bande di frequenza nel campo delle alte frequenze.
In alto: nuova
convenzione militare per le bande; in basso: vecchia convenzione.
11
1 0 2
H
O
A tte n u a z io n e in a ria , d B /k m
1 0 1
1 0 0
H
2
1 0 -1
1 0 -2
1 0 -3
1 0
2 0
3 0
4 0
5 0
6 0
8 0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
Fig. 1.3 Attenuazione in aria di microonde e onde millimetriche.
di trasmissione) che in aria. Campi di frequenze tipiche sono ad esempio quelli fino
a 10 GHz per i ponti radio telefonici, e le frequenze della banda intorno a 20 GHz
per i ponti radio via satellite. Le microonde si prestano inoltre ad altri usi svariati, sia
nel settore del remote sensing, che nel settore dei sistemi radar, che per usi industriali diversi (riscaldamento, essiccazione, ecc.). Non va infine dimenticato che, a causa
dellaffollamento dello spettro elettromagnetico e delle normative internazionali che
ne disciplinano luso (talora oneroso per effetto di licenze di utilizzo), lo sfruttamento di specifiche bande di frequenza spesso il frutto di un compromesso fra esigenze
tecniche e la disponibilit e il costo.
Per le onde millimetriche il discorso analogo, ma con differenze importanti. Innanzi tutto la trasmissione in aria delle onde millimetriche (ad esempio nella banda
intorno ai 70 GHz) non pu avvenire se non su distanze relativamente brevi, a causa
12
del valore elevato della attenuazione in aria (vedi Fig. 1.3); possibile allora costruire sistemi di telecomunicazione che operano in diversit spaziale, ossia consentono la
comunicazione punto-punto a pi coppie di interlocutori nella stessa banda di frequenza, linterferenza essendo evitata attraverso lattenuazione del segnale da una coppia
allaltra.
Un secondo vantaggio importante delle onde millimetriche la minore lunghezza
donda, che consente di costruire antenne estremamente compatte, in grado di essere montate in modo quasi invisibile su autoveicoli ecc. Questa caratteristica rende le
onde millimetriche particolarmente adatte ai sistemi di comunicazione e sorveglianza
automotivi, ossia installati a bordo di autoveicoli, quali i sistemi radar anticollisione, i sistemi di monitoraggio della condizione del suolo, i sistemi di comunicazione
interveicolare.
A causa della riduzione notevole della lunghezza donda, nel campo delle microonde e delle onde millimetriche possibile realizzare, con dimensioni relativamente
compatte, due tipi di circuiti:
Il circuito a parametri concentrati, i cui elementi (concentrati) devono essere

piccoli rispetto alla lunghezza donda. Circuiti di questo tipo sono tipicamente
circuiti integrati, o su substrato di silicio (fino a qualche GHz), o su substrato
di arseniuro di gallio (GaAs) o fosfuro di indio (InP) a frequenze pi elevate.
Circuiti integrati su InP possono arrivare fino alle onde millimetriche.
Il circuito a parametri distribuiti, che fa uso di elementi basati su linee di trasmissione planari (di solito microstrisce); gli elementi distribuiti hanno dimensioni non trascurabili rispetto alla lunghezza donda guidata delle linee di trasmissione di cui sono costituiti (ad esempio, dimensioni dellordine del quarto
di lunghezza donda). Circuiti di questo tipo sono ibridi, ossia presentano elementi attivi in forma discreta mentre gli elementi passivi distribuiti sono realizzati su substrato dielettrico (ad esempio allumina) mediante la tecnica del film
sottile. Grazie alla bassa lunghezza donda, i circuiti ibridi a microonde pre-
13
sentano (almeno per frequenze superiori a qualche GHz) dimensioni compatte,

anche se non paragonabili a quelle dei circuiti integrati monolitici.
Un terzo tipo di circuito, che non sar di solito preso in considerazione qui, il circuito
in guida donda (ad esempio in guida donda rettangolare o circolare, oppure in cavo
coassiale). A causa del peso, ingombro e costo elevato di lavorazione (e delle caratteristiche intrinsecamente a banda stretta) il circuito in guida donda oggi utilizzato
nelle applicazioni nelle quali la guida donda presenta propriet superiori alle linee di
trasmissione impiegate nei circuiti ibridi, ossia: capacit di gestire potenze estremamente elevate senza danneggiarsi e senza problemi di compatibilit (isolamento elevato); bassa attenuazione, e di conseguenza possibilit di costruire circuiti ad alto fattore
di qualit (ad esempio risonatori e filtri molto selettivi in frequenza); interfacciamento
diretto e efficiente ai sistemi di antenna.
1.2.
IL
CIRCUITO INTEGRATO A MICROONDE IBRIDO E MONOLITICO
Nel seguito del discorso lattenzione sar focalizzata sui circuiti a microonde (integrati
o ibridi) realizzati con tecnologia planare, ossia facendo uso di elementi distribuiti
o concentrati realizzati con linee di trasmissione planari. In generale un sistema a
microonde per la trasmissione, la ricezione e lelaborazione di informazioni richiede
tre elementi:1
1. Sorgente di segnali
2. Trasduttore
3. Ricevitore di segnali.
Lelaborazione di informazioni condotta direttamente a microonde in realt modesta, e consiste di solito in semplici operazioni di modulazione e demodulazione, sfasamento, commutazione di canale, e simili; operazioni pi complesse che richiedono circuiti digitali sono realizzate
da moduli operanti a frequenze o velocit pi basse, ossia su un segnale non ancora modulato o
gi demodulato.
14
Nel campo delle radiofrequenze (inferiore al GHz) questi tre blocchi funzionali sono
costituiti da circuiti e dispositivi allo stato solido e a parametri concentrati. Per le
frequenze ottiche la sorgente un laser allo stato solido o un LED (Light Emitting
Diode, diodo emettitore di luce), i trasduttori sono fibre ottiche e i ricevitori sono
fotodiodi.2
Per quanto riguarda le microonde/onde millimetriche i tre blocchi funzionali delineati in precedenza si possono realizzare utilizzando tecniche sia concentrate (basate su resistori, induttori, condensatori concentrati) che distribuite (basate su linee di
trasmissione e componenti realizzati con queste):
Le tecniche a parametri concentrati si possono utilizzare solo in circuiti integrati, a causa delle dimensioni fisiche imposte dalle lunghezze donda, e in
particolare in circuiti integrati monolitici (MMIC, Monolithic Microwave Integrated Circuits); fino a frequenze pari a qualche GHz il circuito monolitico pu
essere realizzato con silicio, oltre qualche GHz e fino a circa 90 GHz si utilizzano circuiti con substrati di arseniuro di gallio (GaAs) e fosfuro di indio (InP).
Gli elementi passivi (resistori e induttori) sono di solito realizzati con tratti di
linea o piste metalliche, mentre i condensatori vengono realizzati, oltre che
con tecniche convenzionali, anche con dispositivi attivi. I dispositivi attivi utilizzati sono i transistori bipolari (BJT) e i MOSFET (Si), oppure, nei circuiti
integrati su GaAs, i MESFET, gli HEMT e i bipolari a eterostruttura (HBT).
Si noti che la banda del cosiddetto lontano infrarosso, corrispondente a lunghezze donda maggiori di circa 10 m, non pu essere utilizzata per costruire sistemi di telecomunicazioni in
quanto non esistono sorgenti coerenti di segnale. Infatti, mentre per le frequenze ottiche possibile utilizzare lemissione da semiconduttori con larghezze di banda proibita dellordine dello
eV (cui corrispondono lunghezze donda dellordine del m), per lunghezze donda superiori
questo meccanismo non pu essere sfruttato per mancanza di semiconduttori adeguati a banda
proibita molto piccola, senza contare il fatto che tali semiconduttori presenterebbero comunque
propriet scadenti a causa della elevata concentrazione intrinseca.
15
Le tecniche a parametri distribuiti vengono utilizzate nei cosiddetti circuiti

ibridi (o integrati ibridi, da cui lacronimo MIC, Microwave Integrated Circuits, che li indica). Gli elementi a parametri distribuiti utilizzano di solito
linee di trasmissione TEM o quasi-TEM planari (definite in seguito) che permettono di realizzare svariati dispositivi passivi: accoppiatori, anelli ibridi,
sezioni di adattamento, trasformatori di impedenza, e via dicendo. I dispositivi attivi possono essere realizzati anche qui con silicio (fino a qualche GHz) e,
a frequenze superiori, con GaAs (MESFET, HEMT, HBT). Si utilizzano anche
altri elementi a semiconduttore, quali i diodi (pn, Schottky, varactor).
I circuiti integrati a microonde, sia ibridi che monolitici, sono circuiti planari, ossia
realizzati su un substrato isolante. Nel circuito ibrido il substrato di materiale dielettrico; dielettrici comunemente utilizzati sono il teflon e i suoi derivati (con costanti
dielettriche relative comprese fra 2 e 4 circa) che danno luogo ai cosiddetti substrati leggeri, e le ceramiche (ad esempio lallumina), meccanicamente rigide e fragili e
caratterizzate da costanti dielettriche relative pi elevate (dellordine di 10); questi ultimi sono detti substrati pesanti. Di solito (ma non sempre) i substrati leggeri sono
poco rigidi, e presentano spessori pi elevati (ad esempio 0.5-2 mm) mentre i substrati pesanti sono pi sottili (ad esempio dellordine di 0.5 mm); in entrambi i casi il
substrato di solito rivestito inferiormente da uno strato metallico che serve da piano
di massa. Per scopi particolari si utilizzano materiali diversi, ad esempio lossido di
berillio nei circuiti di potenza a causa della sua elevata conducibilit termica. Nei circuiti monolitici il substrato semiisolante un semiconduttore, ad esempio GaAs; in
questo caso la costante dielettrica del materiale circa 13. Circuiti integrati su silicio
fanno uso di substrati poco drogati rivestiti di strati dielettrici isolanti (ad esempio ossido di silicio). Nei circuiti integrati il substrato tipicamente sottile, ad esempio di
spessore inferiore a 300 m.
La differenza sostanziale fra i circuiti ibridi e monolitici costituita da tipo di elementi
integrati e dalla loro scelta:
16
Nei circuiti ibridi a microonde si integrano di solito tutti gli elementi distribuiti ( linee di trasmissione e elementi realizzati con queste); gli elementi concentrati, quali i resistori e i condensatori, sono talvolta integrati, ma spesso,
quando opportuno, realizzati in forma discreta; gli elementi attivi sono sempre
realizzati in forma discreta. I circuiti ibridi fanno di solito uso di un progetto basato su elementi distribuiti, ed hanno pertanto dimensioni proporzionali alla lunghezza donda di lavoro (grandi a bassa frequenza, piccoli ad alta
frequenza).
Nei circuiti monolitici a microonde tutti gli elementi sono in linea di principio
integrati, anche se alcuni fra questi sono poi in pratica realizzati esternamente
al circuito in forma discreta; si pensi ad esempio ai condensatori di blocco,
che spesso presentano valore elevato ed costoso e inopportuno realizzare in
forma monolitica. Il progetto basato su elementi concentrati fino a frequenze
dellordine di 20-25 GHz, in quanto tali elementi si presentano pi compatti,
e permettono quindi di ridurre larea e il costo del circuito. Per frequenze
superiori luso degli elementi concentrati diviene sempre pi difficile a causa
dei rilevanti effetti parassiti presenti, e pertanto anche nei circuiti monolitici si
ricorre ad elementi distribuiti.
Un esempio di circuito ibrido planare costituito da tre sottosistemi connessi attraverso

connettori coassiali mostrato nella Figura 1.4; si possono notare i contenitori metallici esterni e gli elementi attivi montati in modo ibrido. Nella Figura 1.5 invece
mostrato un circuito integrato a microonde; si notino gli elementi attivi e soprattutto
gli elementi passivi concentrati (induttori a spirale), di grandi dimensioni rispetto agli
attivi.
La scelta fra una implementazione ibrida e una implementazione monolitica influenzata poi da una serie di considerazioni, che si possono schematizzare (in parte) come
segue:
17
Fig. 1.4 Esempio di circuito ibrido planare (amplificatore bilanciato).
Costi: circuiti ibridi e monolitici corrispondono a costi di realizzazione e processo ben diversi. La realizzazione ibrida ha un costo maggiore per unit prodotta, ma i costi di predisposizione del processo sono bassi; alla realizzazione
monolitica corrisponde un basso costo per unit prodotta, ma elevatissimi costi
di progetto e tempi lunghi. La realizzazione monolitica quindi adatta solo alla produzione su larga scala (ad es. pi di 1000 circuiti) mentre la realizzazione
ibrida si presta alla produzione di basso volume.
Ripetibilit: i circuiti integrati tendono ad avere prestazioni maggiormente
ripetibili, rispetto ai circuiti ibridi, nellambito ovviamente delle incertezze
dovute al processo tecnologico.
Prestazioni: certe prestazioni possono essere ottenute solo attraverso laccordo (tuning) del circuito realizzato, cosa possibile solo se il circuito ibrido.
Vi sono pertanto categorie di circuiti (tipicamente a banda stretta) che meno
critico realizzare in forma ibrida che monolitica.
18
Fig. 1.5 Esempio di circuito monolitico (amplificatore a tre stadi, prod. Alenia).
1.3.
L INEE
DI TRASMISSIONE
TEM
E QUASI -TEM
Nei circuiti a microonde le linee di trasmissione sono impiegate per trasportare informazione (potenza elettrica) da un punto allaltro del circuito e per realizzare gli
elementi passivi distribuiti come filtri, trasformatori di impedenza, accoppiatori.
Richiami di teoria delle linee di trasmissione

Prima di analizzare i principali tipi di linee usate nei circuiti a microonde si richiamano
alcune basi teoriche. Con il termine linee di trasmissione si intendono strutture
composte da N conduttori metallici, con N maggiore o uguale a 2. Uno dei conduttori
metallici funge da piano di massa. Si parla di linee semplici quando vi un conduttore
pi la massa, di linee multiconduttore o linee accoppiate quando vi sono pi conduttori
su piano di massa. Delle linee a pi conduttori, o linee multiconduttore, ci si occuper
pi avanti in dettaglio.
Da un punto di vista elettromagnetico una linea multiconduttore porta N 1 modi
di propagazione Trasverso Elettro Magnetici (TEM) oppure, se la sezione trasversale
della linea non omogenea (ad esempio la linea su substrato dielettrico), quasi-TEM
19
(ossia strettamente TEM solo a frequenza molto bassa; a frequenze elevate appaiono
anche componenti non trasversali del campo elettromagnetico). Si noti che mentre i
modi di propagazione non-TEM (ad esempio i modi di una guida donda rettangolare)
presentano frequenza di taglio (cio non si possono propagare per frequenza inferiore alla frequenza di taglio), il modo TEM o quasi-TEM opera fino dalla continua. Le
linee di trasmissione quasi-TEM presentano inoltre una infinit numerabile di modi
superiori di propagazione con frequenza di taglio non nulla; tali modi si possono considerare, in prima approssimazione, come i modi della struttura dielettrica (di solito
chiusa con un piano di massa metallico) ottenuta asportando (in una linea semplice) il
conduttore che porta il segnale. I modi superiori di propagazione non hanno, in una
linea quasi-TEM, interesse pratico, ed anzi la loro eccitazione deve essere evitata in
quanto disperdono potenza.
Le linee TEM (o quasi TEM) sono caratterizzate da quattro parametri specifici, che
possibile associare ad una sezione di lunghezza infinitesima della linea secondo il
circuito equivalente a parametri pseudo- concentrati mostrato in Figura 1.6:
L, detta induttanza (serie) per unit di lunghezza,
C, capacit (parallelo) per unit di lunghezza,
R, resistenza (serie) per unit di lunghezza,
G, conduttanza (parallelo) per unit di lunghezza.
La teoria delle linee di trasmissione suggerisce che su di una linea quasi-TEM o TEM
possono propagarsi due modi fondamentali, uno progressivo, laltro regressivo, tale
che la tensione (del modo progressivo) legata alla corrente dello stesso modo dalla
impedenza caratteristica Z0 (indicata anche con Z oppure Zc ), mentre il fasore
associato alla tensione del modo progressivo (regressivo) di unonda armonica nel
tempo si propaga lungo z secondo la legge:
V (z) = V0 exp(z) V0 exp(jz z)
ove la costante di propagazione complessa = + j una quantit complessa la
cui parte reale lattenuazione (dovuta a dissipazione nel conduttore, c e nel dielettrico, d ) e la parte immaginaria la costante di propagazione reale = /vf , vf
20
L d z
I(z)
V (z)
d z
C d z
I(z+ d z)
G d z
V (z+ d z)
d z
Fig. 1.6 Circuito equivalente a parametri concentrati di sezione infinitesima di linea.
velocit di fase. La costante di propagazione si misura in rad/m, mentre lattenuazione in Np/m, neper al metro, oppure pi spesso in dB/cm, decibel al centimetro;
le due unit di misura sono legate dalla relazione3 :
|dB/m = 8.6859
|dB/cm = 0.086859
1.1
1.2
ove indicato in unit naturali, ossia in Np/m.

Dal punto di vista fisico, lattenuazione dovuta a dissipazione nel conduttore associata alla resistenza serie per unit di lunghezza R mentre lattenuazione dovuta a
dissipazione nel substrato dielettrico (di solito molto minore) legata alla conduttanza parallelo per unit di lunghezza G. Si noti che i parametri per unit di lunghezza
vengono anche spesso detti parametri specifici della linea di trasmissione.
Si ricorda infatti che, data una tensione progressiva V (z), si ha, in presenza di attenuazione:
|V (z + L)| = |V (z)| exp(L)
ove espresso in Np/m e L in m, ossia in unit naturali. Si ha allora, in dB:
V (z)
V (z + L)
= 20 log10
dB
V (z)
= 20 log10 exp(L) = L 20 log10 e =
V (z + L)
= 8.6859L = |dB/m L,
come si voleva dimostrare.
21
Limpedenza caratteristica, definita come il rapporto tra tensione e corrente progressive in un punto della linea, costante lungo un tratto uniforme di linea. La teoria
delle linee, basata sulla soluzione delle equazioni dei telegrafisti, permette di legare
limpedenza caratteristica ai parametri specifici della linea:

R + jL
,
Z0 =
G + jC
mentre per la costante di propagazione complessa vale lespressione:
= + j =
(R + jL) (G + jC).
Si definisce poi la lunghezza donda guidata o in guida g tale che:

=
2
;
g
la lunghezza donda guidata proporzionale alla lunghezza donda nel vuoto 0

secondo le espressioni:
g = 0 /ne = 0 / e
1.3
ove ne detto indice di rifrazione efficace della linea, e = n2e la permettivit

efficace (relativa) della linea.
Per linee con basse perdite (resistenza serie molto minore della reattanza serie, conduttanza parallelo molto minore della suscettanza parallelo), possibile operare
delle semplificazioni significative. Innanzi tutto, a frequenze elevate, limpedenza
caratteristica quasi puramente reale, e si pu porre:

L
.
Z0
C
La costante di propagazione complessa a sua volta si pu esprimere in modo
semplificato, ad alta frequenza, come segue:
= + j
R
GZ0
+
+ j LC.
2Z0
2
Si noti che dalla espressione precedente le perdite dovute alla resistenza serie e quelle dovute alla conduttanza parallelo si sommano semplicemente; inoltre landamento
in frequenza delle relative attenuazioni c (perdite nel conduttore) e d (perdite nel
dielettrico) corrisponde allandamento in frequenza di R e G, rispettivamente. Per-
22
tanto se queste ultime sono costanti in frequenza, lattenuazione risulta essere, ad alta
frequenza, costante. Questo in realt non accade in pratica perch R presenta una
dipendenza in frequenza dettata dallo effetto pelle mentre G risulter essere, ad alta
frequenza, proporzionale a f.
Tornando alla parte immaginaria di , questa fornisce la velocit di fase di una linea
TEM o quasi-TEM che si potr esprimere, ad alta frequenza, come:
1
vf = .
LC
La condizione di basse perdite, che si utilizzata per ricavare le espressioni semplificate ad alta frequenza, comunque destinata ad infrangersi a bassa frequenza, dove le
componenti dissipative prendono il sopravvento su quelle reattive. Nel limite continuo
( 0) si ha infatti sempre:

Z0
R
G
RG
per cui la linea si comporta come un attenuatore resistivo. In pratica per la conduttanza parallelo per unit di lunghezza molto bassa nelle linee di trasmissione planari
(ossia le perdite serie prevalgono su quelle parallelo alla frequenze di uso comune),
per cui una approssimazione del comportamento a frequenza bassa ma non quasi nulla
(frequenza intermedia) fornito da:

R + jL
1j R

Z0
jC
C
2

1 + j
RC.
(R + jL) (jC)
2
In altri termini a frequenza intermedia la parte reale e immaginaria della impedenza
caratteristica sono uguali, e altrettanto vale per la parte reale e immaginaria della costante di propagazione complessa. Mentre il comportamento a bassa frequenza o RG
interessa poco nelle microonde perch avviene molto al di sotto della banda di frequenza di interesse, la transizione fra il comportamento a frequenza intermedia o RC
e il comportamento ad alta frequenza o LC in cui limpedenza caratteristica praticamente reale dipende in modo critico dai parametri della linea; pi grandi sono le
perdite (per conduzione nel metallo, di solito dominanti), maggiore la frequenza alla
23
quale avviene la transizione fra i due regimi. In particolare, nei circuiti integrati a microonde la transizione pu avvenire anche alla frequenza di alcuni GHz, e pertanto il
progetto deve tener conto del fatto che le linee possono lavorare nel regime di frequenza intermedia. Un esempio quantitativo di comportamento fornito nellEsempio 1.1.
ESEMPIO 1.1
Una linea di trasmissione presenta impedenza caratteristica ad alta frequenza di 50 ,
permettivit efficace pari a 6, attenuazione di 0.5 dB/cm dovuta a perdite nel conduttore, di
0.01 dB/cm dovuta a perdite nel dielettrico alla frequenza f0 = 1 GHz. Supponendo che le
due attenuazioni (dielettrica e nel conduttore) siano costanti in frequenza, valutare i parametri
specifici della linea e di qui il comportamento a frequenza bassa, intermedia e alta, della impedenza caratteristica e costante di propagazione complessa, mettendo in evidenza in quali campi
di frequenza possibile applicare delle semplificazioni.
Supponiamo, per fissare le idee, che alla frequenza f0 = 1 la linea si trovi gi in regime
di alta frequenza; nella approssimazione ad alta frequenza si ha:

L/C
vf = 1/ LC = 3 108 / e
Z0 =
da cui, moltiplicando:

1/C = 50 3 108 / e C = 6/ 150 108 = 1.633 1010 F/m

e quindi:
L = CZ02 = 4.0825 107 H/m
Sempre nella approssimazione di alta frequenza:
R
2Z0
GZ0
d
2
c
24
da cui, essendo c = 0.5 dB/cm = 1/0.086859 = 5.75 Np/m; d = 0.01 dB/cm = 0.115
Np/m, si ottiene:
R = 2Z0 c = 100 5.75 = 575 /m
G = 2d /Z0 = 2 0.115/50 = 0.0046 S/m.
Verifichiamo che a 1 GHz la linea si trovi in condizioni prevalentemente LC. Per questo bisogna
avere:
2f0 L R 6.28 109 4.0825 107 = 2564 575
2f0 C G 6.28 109 1.633 1010 = 1.025 0.0046
condizioni entrambe verificate; si ha quindi in definitiva linsieme dei parametri specifici:
L = 4.0825 107 H/m
C = 1.633 1010 F/m
R = 575 /m
G = 0.0046 S/m.
Landamento in frequenza della costante di propagazione e della attenuazione della linea sono mostrate nella Figura 1.7. Si pu notare come la attenuazione cresca dal valore a bassa
frequenza a quello ad alta frequenza, circa pari a 0.5 dB/cm, mentre la costante di propagazione circa lineare in frequenza. Le regioni di bassa frequenza, frequenza intermedia, alta
frequenza si possono anche identificare per quanto riguarda limpedenza caratteristica, mostrata nella Figura 1.8. Si pu notare come a bassa frequenza limpedenza sia circa reale e RG,
ad alta frequenza di nuovo reale e LC, mentre a frequenza intermedia le parti reali e immaginaria dellimpedenza sono circa uguali, in corrispondenza della regione RC di funzionamento.
Si osservi che landamento tipico mostrato proprio delle linee dotate di conduttanza parallelo
trascurabile (cio di perdite serie prevalenti). Si noti infine che lattenuazione ad alta frequenza
presenta valore costante, in quanto sono comunque costanti la resistenza serie e la conduttanza
parallelo.
25
6 0 0
4 0 0
Im p e d e n z a c a ra tte ris tic a , W
Im [Z 0]
R e [Z 0]
R e [Z 0], fre q u e n z a in te rm e d ia
Z 0(0 ), b a s s a fre q u e n z a
2 0 0
B a ssa
fre q .
(R G )
0
R e [Z 0]
Z 0( ),
a lta fre q u e n z a
Im [Z 0]
-2 0 0
Im [Z 0], fre q . in te rm e d ia
-4 0 0
F re q u e n z a in te rm e d ia
(R C )
-6 0 0
1 0
1 0
A lta fre q u e n z a
(L C )
8
1 0
F re q u e n z a , H z
1 0
1 0
1 0
Fig. 1.7 Andamento in frequenza della costante di propagazione e della attenuazione

della linea di cui allEsempio 1.1.
Alcune formule utili per le linee di trasmissione

A titolo di richiamo si ricordano anche le espressioni della impedenza di ingresso di
una linea di lunghezza l chiusa su una impedenza di carico ZL :

ZL cosh(l) + Z0 sinh(l)
Zi = Z0
;
Z0 cosh(l) + ZL sinh(l)
limpedenza di una linea in corto circuito (ZL = 0):
Zi = Z0 tanh(l)
e in circuito aperto (ZL = ):
Zi = Z0 coth(l);
limpedenza di una linea lunga l = g /4:

ZL sinh(l) + Z0 cosh l
Zi = Z0
Z0 sinh(l) + ZL cosh(l)
26
A tte n u a z io n e , d b /c m ; c o s ta n te d i p ro p a g a z io n e , ra d /m
1 0
1 0
1 0
1 0
B a ssa
fre q .
(R G )
a
b , fre q u e n z a
in te rm e d ia
b
a , fre q u e n z a
in te rm e d ia
b , a lta
fre q u e n z a
0
a , a lta fre q u e n z a
a
1 0
-1
a , b a ssa fre q u e n z a
F re q u e n z a in te rm e d ia
(R C )
1 0
A lta fre q u e n z a
(L C )
-2
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
Fig. 1.8 Andamento in frequenza dellimpedenza caratteristica di cui allEsempio 1.1.
oppure l = g /2:

Zi = Z0

ZL cosh(l) + Z0 sinh(l)
.
Z0 cosh(l) + ZL sinh(l)
Si ricorda anche la definizione del coefficiente di riflessione sul carico:

L =
ZL Z0
ZL + Z0
e di rapporto donda stazionaria:

=
1 + |L |
.
1 |L |
27
e r= 1
e r= 1
e
e
r
Fig. 1.9 Esempi di guida donda non-TEM, quasi-TEM, TEM.
Parametri delle linee quasi-TEM

Nellelettronica delle microonde sono molto comuni le strutture guidanti quasi- TEM,
caratterizzate da una sezione duplicemente connessa dal punto di vista dei conduttori
metallici, ma con dielettrico non omogeneo. Un esempio di strutture guidanti nonTEM (guida rettangolare), quasi-TEM (microstriscia schermata) e TEM (stripline)
mostrato nella Figura 1.9.
Lunica differenza di rilievo pratico fra le linee TEM e le quasi-TEM sta nel fatto che
le quasi-TEM presentano una velocit di fase che debole funzione della frequenza.
Si pu quindi dividere il problema in due parti: analisi quasi-statica, ossia trascurando
la dipendenza della velocit di fase dalla frequenza, e analisi dinamica, nella quale
si valutano gli andamenti della velocit di fase (ed eventualmente dellimpedenza) al
variare della frequenza.
Supponiamo innanzi tutto di trascurare, in prima approssimazione, le perdite, o comunque di ritenere che queste possano essere introdotte in seguito secondo la cosiddetta approssimazione di alta frequenza. In tali condizioni, il modello quasi-statico
della linee quasi-TEM basato sul calcolo della capacit e dellinduttanza per unit
di lunghezza L e C.
Dimostriamo innanzi tutto che, in una linea TEM (trasversalmente omogenea, con
dielettrico di permettivit relativa r ), L indipendente dalla presenza di dielettrici.
Infatti, detta L linduttanza con dielettrici e La linduttanza in aria, si ha che la velocit
di fase della linea con dielettrici :
c0
1
=
vf =
r
LC
ove c0 la velcit della luce nel vuoto, mentre la velocit di fase della linea in aria :
28
c0 =
1
;
L a Ca
1.4
tuttavia anche C = Ca r , da cui immediatamente L = La , ossia che linduttanza non

dipende dal dielettrico. Il risultato precedente si pu estendere, in senso quasi statico,
a linee quasi-TEM, per le quali continua pertanto a valere la propriet L = La .
In una linea quasi-TEM la induttanza per unit di lunghezza si pu esprimere in
funzione della capacit per unit di lunghezza in aria, Ca . Infatti, dalla 1.4 si ottiene:
L = La =
1
.
c20 Ca
1.5
Pertanto limpedenza caratteristica e la velocit di fase della linea quasi- TEM si

possono scrivere secondo le espressioni:

L
1
Z0 =
=
C
c0 CCa

Ca
1
vf =
= c0
LC
C
1.6
1.7
nelle quali compaiono unicamente la capacit in aria e con dielettrici.

Nel caso TEM si ha semplicemente C = r Ca , da cui, detta Z0a limpedenza
caratteristica in aria (o nel vuoto) della linea, si ottiene, come ovvio, da:
1
1
Z0a
=
=
c0 C a r
r
c0 CCa

Ca
c0
vf = c0
= .
C
r
Z0 =
1.8
1.9
In una linea quasi-TEM, possiamo definire la costante dielettrica relativa efficace e

tale che:
C = e Ca
ove Ca al solito la capacit in aria; si definisce anche lindice di rifrazione efficace
ne = e . In una linea quasi-TEM si avr pertanto:
1
Z0a
=
c0 Ca e
e
c0
vf =
e
Z0 =
1.10
1.11
29
d ie le ttric o
a ria
d z
W
W
Fig. 1.10 Linea a facce piane parallele con dielettrico non omogeneo.
ossia, equivalentemente, per la lunghezza donda guidata e la costante di

propagazione:
0
g =
e
= 0 e .
1.12
1.13
Un esempio di calcolo della permettivit efficace in una linea quasi-TEM a facce piane
parallele riportato nellEsempio 1.2.
ESEMPIO 1.2
Si consideri una linea quasi-TEM formata da due conduttori metallici paralleli, fra i quali
posto un dielettrico non omogeneo, vedi Figura 1.10. Calcolare la permettivit efficace e
limpedenza caratteristica della linea trascurando leffetto di bordo.
Ipotizziamo che la sezione infinitesima della linea sia formata da due condensatori in
parallelo, di dimensioni h, W , dz, di cui uno in aria con costante dielettrica 0 , laltro con
costante dielettrica r 0 . Essendo C la capacit totale per unit di lunghezza, le capacit dei due
condensatori sulla lunghezza dz risultano:
W dz
0
h
W dz
0 r
C2 =
h
C1 =
30
per cui la capacit totale per unit di lunghezza :

C=
W
(1 + r )0
h
mentre la capacit in aria sarebbe:

Ca =
W
20 .
h
Definiamo allora la permettivit efficace come rapporto fra la capacit con dielettrico e la
capacit in aria; si ottiene:
e =
C
1 + r
=
Ca
2
cio la permettivit efficace la media delle permettivit dellaria e del dielettrico. Per
limpedenza caratteristica si ha:
Z0 =
c0 Ca e
ove si tenuto presente che
0 0
2W 0
2
= 120
1 + r
2
h
1 + r 2W
0 /0 = 120 limpedenza caratteristica del vuoto.
In generale, in una linea planare su substrato dielettrico, la costante dielettrica efficace

sempre compresa fra 1 (la costante dellaria) e la costante dielettrica del substrato.
Lanalisi quasi-statica condotta fin qui trascura per il fatto che la velocit di fase e la
costante di propagazione variano in funzione della frequenza, in quanto la permettivit
efficace costante solo a bassa frequenza, ma dipende in generale dalla frequenza. In
una linea planare su substrato dielettrico semplice di costante dielettrica r landamento tipico della permettivit efficace quello mostrato in Figura 1.11. La permettivit
efficace parte dal valore quasi-statico e (0) per crescere (lentamente) in funzione
della frequenza. Laumento diviene pi rapido alla frequenza di inflessione fin che
corrisponde anche (approssimativamente) alla frequenza di taglio del primo modo superiore della struttura; per frequenze molto elevate la permettivit efficace tende alla
permettivit dielettrica del substrato r .
Il campo di frequenze utili per la linea limitato da una frequenza massima che deve
essere abbastanza minore della frequenza di inflessione. Landamento mostrato si pu
approssimare secondo diverse espressioni; una approssimazione comune :
1/

r e (0)
(0)
+
e (f)
e
1 + (fin /f)
1.14
31
e ff
(f)
e
M o d o q u a s i-T E M
e
e ff
P rim o m o d o
s u p e rio re (ib rid o )
(0 )
R e g io n e u tile
f in fl
f
Fig. 1.11 Andamento della permettivit efficace in funzione della frequenza.
ove e sono due esponenti empirici; ad esempio si pu porre = = 1 oppure, come mostrato in seguito nella trattazione della microstriscia, = 1/2 e = 3/2. Una
diversa scelta degli esponenti comporta una variazione del comportamento a frequenza
intermedia.
Si noti che la frequenza di inflessione indica con buona approssimazione qual la frequenza massima per la quale la dispersione diventa consistente e si innescano modi
superiori. In una struttura quasi-TEM i modi superiori di propagazione sono in generale modi ibridi, simili in qualche modo ai modi di propagazione della guida dielettrica
costituita dal substrato.
Per quanto riguarda limpedenza caratteristica, questa non ha esattamente landamento
in frequenza corrispondente a quello di e (secondo la definizione), per cui supporremo, in prima approssimazione, che limpedenza resti costante al valore quasi-statico.
Andamento in frequenza delle perdite parallelo: caratteristiche dei substrati

Le perdite parallelo sono associate al parametro specifico G. In una linea su dielettrici
reali, la conduttanza parallelo ha origine dalle perdite dielettriche del materiale, a
32
loro volta associate al fatto che questo presenta una permettivit relativa complessa
rc = r j2 = r (1 j tan ) ove detto angolo di perdita del dielettrico. La
conducibilit del dielettrico risulter pertanto essere:
= 2 0 = r 0 tan().
In una struttura TEM (trasversalmente omogenea) lammettenza specifica parallelo si
scrive direttamente:
Y = jC = jrc Ca = jr Ca + r tan()Ca ;
il secondo termine (reale) chiaramente una conduttanza specifica, che si pu scrivere
nella forma:
G = r tan()Ca = Ca /0 .
1.15
In una linea quasi-TEM la 1.15 si complica in quanto solo alcuni dielettrici (il substrato) presentano perdite, non ad esempio laria; resta per comunque vero che la
conduttanza parallelo non costante in frequenza, ma varia in modo lineare con questa. Pertanto lattenuazione dovuta a perdite nel dielettrico cresce linearmente, ad alta
frequenza, con la frequenza. Si noti che non di solito neanche vero che la conducibilit del dielettrico si annulli in continua, in quanto sempre presente un valore residuo
(molto basso, al limite trascurabile) che corrisponde a perdite per leakage in continua.
Le considerazioni svolte fin qui per le perdite parallelo valgono per la maggior parte
dei substrati dielettrici o semiconduttori, riportati nella Tabella 1.1; per il silicio il discorso si complica in quanto spesso tale materiale viene rivestito di uno strato isolante
(ad esempio di ossido) allo scopo di diminuire le perdite parallelo, che possono essere
relativamente elevate a causa della conducibilit non trascurabile del materiale.
Andamento in frequenza delle perdite serie: effetto pelle

Le perdite serie, legate alla resistenza specifica della linea, sono influenzate dal fatto
che R si mantiene costante solo a frequenza molto bassa (vicina alla continua). Ad
alta frequenza (dove il termine alto legato alla geometria e alle dimensioni) la
resistenza di un conduttore aumenta perch la densit di corrente tende a diventare
disuniforme e ad addensarsi sulla superficie. Il comportamento in frequenza della
33
Materiale
Allumina
Quarzo
Teflon
Ossido di
GaAs
InP
Si
berillio
r
9.8
3.78
12.9
12.4
11.9
tan
103
104
104
103
103
103
102
Tab. 1.1 Caratteristiche di substrati per circuiti ibridi e integrati.
resistenza , in tali condizioni:

R(f) = R0

f/f0
dove R0 la resistenza alla frequenza f0 . Il conduttore presenta inoltre una reattanza

aggiuntiva in serie, detta reattanza interna Xi = Li , proporzionale alla induttanza
interna Li ; si pu mostrare che Xi = R. Linduttanza interna, associata al campo
magnetico interno al conduttore, di solito trascurabile rispetto allinduttanza esterna,
che associata al campo magnetico esterno. Linsieme di tali effetti viene detto effetto
pellicolare o effetto pelle.
Per lanalisi delleffetto pelle, si consideri un conduttore metallico di conducibilit
e spessore t, percorso dalla corrente I per unit di larghezza w alla frequenza f.
Supponendo che non vi siano variazioni nella direzione trasversale (vedi Fig. 1.12), il
calcolo della impedenza dello strato metallico pu essere condotto come segue.
A frequenza nulla (corrente continua) lo strato percorso da una densit di corrente di
conduzione Jz = I/(wt) = Ez uniforme (indipendente da x). Alla frequenza f, il
fasore del campo elettrico Ez soddisfa allequazione donda. Detta la permeabilit
magnetica del conduttore, = /(j) la permettivit dielettrica complessa, dominata dalla parte immaginaria (ossia dalla conducibilit), Ez soddisfa allequazione
donda:
d2 Ez
= jEz .
dx2
La condizione al contorno che il campo alla superficie del conduttore (x = t/2)
noto e pari a E0 . La simmetria del problema suggerisce di scrivere la soluzione come:
34

Ez (x) = A cosh
1+j
x
dove A una costante da determinarsi e la profondit di penetrazione per effetto

pelle, definita come:

=
2
=
1
.
f
1.16
Imponendo il campo elettrico alla superficie si ottiene:

1+j
cosh
x

.
Ez (x) = E0
1+j
cosh
t
2
Dalle equazioni di Maxwell ricaviamo che il campo magnetico diretto secondo y e
vale:
Hy =
1 dEz
1
=
j dx
1+j

1+j
sinh
x
2

E0
1+j
cosh
t
2
pertanto, la circuitazione del campo magnetico lungo il percorso nella Figura 1.12
uguale alla corrente totale che fluisce in una striscia di larghezza w, I:

I=
H dl = wHy (t/2) wHy (t/2) = 2wHy (t/2)
1
= 2w
1+j
2
E0 tanh

1+j
t .
2
La caduta di potenziale alla superficie della striscia lungo una lunghezza L V =

E0 L; ne consegue che limpedenza di un tratto di striscia largo w e lungo L :
Z=
V
L
= (1 + j)
I
2w
coth
2

1+j
t .
2
1.17
Si notino i casi limite: per 0, e

2
1+j
2 1
2 1
coth
t
=
2
1+j t
1 + j t
35
per cui:
lim Z = (1 + j)
L
2w
2 1
2
1+j t
2
L
=
wt
che la resistenza in continua di una striscia di larghezza w, spessore t, lunghezza L.

Per si ha 0 per cui la cotangente iperbolica tende allunit. Limpedenza
della striscia allora:
L
Z() (1 + j)
2w
L 1
= (1 + j)
.
2
2w
Ad alta frequenza (vedi Fig. 1.13) la corrente concentrata sulla faccia superiore e
inferiore della striscia, per uno spessore dellordine di (si noti il decadimento esponenziale). Tale comportamento giustifica il nome di effetto pelle. Quando t si
parla di effetto pelle completamente sviluppato e limpedenza della striscia pari alla
met dellimpedenza di ciascuna faccia (infatti le impedenze delle due facce sono poste in parallelo). Per L = w limpedenza di una faccia si dice impedenza superficiale,
in analogia alla resistenza superficiale di uno strato di materiale conduttore; si ha:
1
1.18
= (1 + j)
.
Zs () = Rs + jXs = (1 + j)
2
La resistenza e la reattanza superficiali sono quindi uguali in modulo ad alta frequenza
e proporzionali a f .
Un esempio dellandamento in frequenza dellimpedenza di un conduttore metallico a striscia mostrato, nella Figura 1.14. La reattanza interna, induttiva, cresce linearmente per basse frequenze; diviene poi, nella regione di effetto pelle, uguale alla
resistenza. La resistenza pari al valore in continua fino a frequenze tali che lo spessore della striscia sia molto inferiore alla profondit di penetrazione per effetto pelle
, definita nella (1.16). Per frequenze superiori la resistenza si calcola associando alla
periferia del conduttore una resistenza superficiale (analoga alla resistenza di strato di
uno strato drogato) che risulta, dalla (1.18), pari a Rs = 1/. La profondit di penetrazione per effetto pelle di un conduttore metallico dellordine del m a frequenze
dellordine del GHz. Landamento in frequenza di Rs e mostrato nella Figura 1.15
per vari valori della conducibilit; il valore massimo = 1 108 S/m leggermente superiore a quello tipico dei materiali migliori conduttori (rame e argento hanno
36
x
z
w
y
L
H
s ,
Fig. 1.12 Calcolo dellimpedenza di uno strato metallico di spessore t, infinitamente

esteso nella direzione y, del quale si considera solo una sezione di larghezza w. Tutti
i campi sono invarianti rispetto a y e z.
6107 S/m).
Nella tecnologia dei circuiti planari a microonde si impiegano strati metallici compositi realizzati mediante evaporazione o sputtering. Un primo strato molto sottile
(0.1-0.2 m) serve a garantire ladesione di un secondo strato doro sputterato, che
porta lo spessore totale a circa mezzo m. La metallizzazione cos ottenuta troppo
sottile per garantire una bassa resistenza, per cui si procede ad accrescere galvanicamente lo strato metallico con oro, fino ad uno spessore che pu andare da qualche m
a 15-20 m. Si noti che per spessori simili la transizione fra il regime di comportamento quasi-continuo (striscia molto pi sottile di e quindi completamente penetrata
dalla corrente) e il regime di effetto pelle avviene appunto nella regione delle microonde. A bassa frequenza (talora, qualche GHz) pertanto lespressione della resistenza
superficiale tende a sottostimare le perdite.
37
f= 1 0 M H z
1 .0
f= 1 0 0 M H z
0 .8
a b s(J )
0 .6
0 .4
f= 1 G H z
0 .2
f= 1 0 G H z
0 .0
- 0 .4
- 0 .2
0
x /d
0 .2
0 .4
Fig. 1.13 Comportamento in frequenza della distribuzione di corrente (modulo di Jz

normalizzato rispetto al valore superficiale) allinterno di uno strato metallico di rame,
= 4107 S/m, di spessore t = 10 m.
1.4.
S TRUTTURE
GUIDANTI NEI CIRCUITI IBRIDI E MONOLITICI A
MICROONDE
In Figura 1.16 sono riportate alcune strutture guidanti TEM, quasi-TEM e non-TEM
impiegate nei circuiti a microonde. Come si detto le strutture guidanti non-TEM
non sono comuni nei circuiti ibridi e integrati, con leccezione della cosiddetta slot line. La linea di trasmissione di gran lunga pi importante la microstriscia, mentre
le linee coplanari presentano alcuni settori preferenziali di applicazione (ad esempio
nel campo delle onde millimetriche). Strutture chiuse (schermate) quali la stripline
presentano vantaggi in alcune applicazioni particolari, ad esempio nella realizzazione
di filtri e accoppiatori. Nel seguito la trattazione sar dedicata in modo preferenziale a microstrisce e linee coplanari, con un accenno al cavo coassiale, che ha un ruolo
38
1 0
Im p e d e n z a , W /
1 0
1 0
1 0
1 0
-1
R s( f ) /2
-2
R
R (D C )
-3
-4
X
-5
~ R e g im e e ffe tto
p e lle
~ R e g im e c o n tin u o
1 0
-6
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
Fig. 1.14 Comportamento in frequenza dellimpedenza di uno strato metallico di rame

con w = L, = 4107 S/m, di spessore t = 10 m.
fondamentale nella strumentazione. Linee chiuse quali la finline hanno particolare importanza ad onde millimetriche, mentre sempre ad onde millimetriche vengono utilizzate, allo scopo di ridurre le perdite per conduzione, linee quali le microstrisce sospese
o invertite, che diminuiscono la permettivit efficace della linea e di conseguenza le
perdite, a parit di impedenza caratteristica.
Cavo coassiale
Il cavo coassiale non ovviamente impegato per le linee di trasmissione di circuiti
ibridi o integrati, ma trova impiego generalizzato nella strumentazione di misura a microonde e nella interconnessione fra sottosistemi realizzati in forma ibrida o integrata
grazie alle sue buone propriet di attenuazione e di immunit ai disturbi elettromagnetici ( una struttura chiusa). Detti a e b i raggi del conduttore interno ed esterno, il
39
1 0
1 0
ro
u a d
ep r q
m
O h
R s,
d , m
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
-1
1 0
-2
1 0
1 0 0
1 0
-1
1 0
-2
1 0
-3
1 0 0
1 0
-3
1 0
-4
1 0 2
1 0
-4
1 0
-5
1 0 4
1 0
-5
1 0
-6
1 0 6
1 0
-6
1 0
-7
1 0
-7
s , S /m
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0 8
1 0
p e r q u a d ro
1 0
R s, O h m
P ro fo n d ita d i p e n e tra z io n e p e r
e ffe tto p e lle d , m
1 2
Fig. 1.15 Comportamento in frequenza della resistenza di strato e della profondit di

penetrazione per effetto pelle per vari valori della conducibilit.
cavo coassiale presenta capacit per unit di lunghezza:

C=
55.556r
pF/m,
log (b/a)
e induttanza per unit di lunghezza:

L = 200 log
b
nH/m.
a
Limpedenza caratteristica pertanto:

60
Z0 = log
r

b
.
a
La costante di propagazione pari a quella in un dielettrico di permettivit relativa r ,

come pure la velocit di fase. Se il dielettrico ha un angolo di perdita con tangente
tan , lattenuazione dielettrica :
tan
dB/lunghezza
d = 27.3 r
0
40
G u i d a d 'o n d a
c irc o la re
(n o n -T E M )
G u i d a d 'o n d a
re tta n g o la re
(n o n -T E M )
C a v o c o a s s ia le
(T E M )
S trip lin e
(T E M )
M ic ro s tris c ia
(q u a si T E M )
L in e a
c o p la n a re
(q u a s i T E M )
M ic ro s tris c ia
in v e rtita
(q u a s i-T E M )
M ic ro s tris c ia
s o s p e s a
(q u a s i-T E M )
S lo t lin e
(n o n -T E M )
F in lin e
(n o n -T E M )
Fig. 1.16 Strutture guidanti per circuiti a microonde.
mentre lattenuazione dovuta alle perdite nel conduttore vale, per un conduttore di
rame alla temperatura ambiente:
9.5105 f (a + b) r
c =
dB/lunghezza.
ab log (b/a)
Il cavo coassiale presenta anche modi superiori di propagazione di tipo TE e TM; la

lunghezza donda di taglio del primo modo superiore :
c = r (a + b) .
Linee di trasmissione planari: microstriscia

La linea a microstriscia (microstriscia, microstrip) dagli anni 50 la linea di trasmissione pi importante nei circuiti ibridi e monolitici a microonde. La microstriscia, la
41
t, s
W
e r, ta n d
h
Fig. 1.17 Sezione di microstriscia.
cui sezione mostrata nella Figura 1.17, una linea di trasmissione trasversalmente
non omogenea; quindi il modo di propagazione quasi-TEM.
Formule di analisi
Non esiste una espressione esatta in forma chiusa dei parametri della microstriscia in
funzione delle dimensioni geometriche; peraltro possibile ricorrere a svariate espressioni approssimate e grafici di progetto. Un insieme di tali espressioni approssimate
riportato qui di seguito.
Impedenza caratteristica:

8h
W
60
log
+
,
e
W
4h
Z0 =

1
120 W
,
+
1.393
+
0.667
log
+
1.444
e h
h
W
h
W
>1
h
dove la larghezza efficace della striscia W tiene conto dello spessore t della
striscia:

1.25t
4W
W
h + h 1 + log t
W
=

h
W
1.25t
2h
+
1 + log
,
h
h
t
W
1
h
2
W
1
>
h
2
Costante dielettrica efficace:

e
ove:
42
1 + r
r 1
=
+
F
2
2
W
h
r 1 t
4.6 h
h
W

1/2
2
W
12h
+
0.04
1
,
1
+

W
h
W
F
=

1/2
12h
1+
W
W
1
h
W
>1
h
Attenuazione dielettrica (si noti che proporzionale alla frequenza):

e 1 tan
r
d = 27.3
dB/lunghezza
e r 1
0
Attenuazione nel conduttore, in dB/lunghezza (espressa dalla unit di misura
di h):
c =
ove:
Rs 32 (W /h)2
,
hZ0 32 + (W /h)2

W
0.667W /h
5 Rs Z0 e
+
,
6.1 10
h
h
W /h + 1.444
1.38

1.25t 1.25
4W
h
1
+
+
log
,
1
+
W
W
t
=

h
1.25t 1.25
2h
1+ 1
+
log
,
W
h
W
1
h
W
1
h
W
1
h
2
W
1
h
2
Il parametro Rs la resistenza superficiale, definita in precedenza, e pari a:

Rs = /2 = ()1 .
ove la profondit di penetrazione per effetto pelle, da non confondersi con
langolo di perdita del dielettrico.
Andamento in frequenza della permettivit dielettrica efficace:
2

r e
+ e
e (f)
1 + 4F 1.5
dove il termine 4F 1.5 definisce implicitamente la frequenza di inflessione.
Si ha infatti:

2
4h r 1
W
F =
0.5 + 1 + 2 log 1 +
0
h
ove la frequenza di lavoro f = c0 /0 ; pertanto F = kf ove:
43

2
W
4h r 1
0.5 + 1 + 2 log 1 +
k=
c0
h
e f = fin quando 4F 1.5 = 1 ossia quando F = 24/3 = kfin ; pertanto
fin = 24/3 /k.
Esempi dellandamento della impedenza caratteristica e dellindice di rifrazione in

funzione della permettivit del substrato (per substrati pesanti come il GaAs, permettivit 13, o lallumina, permettivit 10, o leggeri come il teflon, permettivit 2.5) e
delle dimensioni sono mostrati nelle Figure 1.18 e 1.19. Si noti che i valori estremi del rapporto W/h corrispondono ragionevolmente al valore minimo e massimo
della impedenza caratteristica. Il valore minimo viene raggiunto a causa della impossibilit di avere strisce troppo larghe (con il relativo innesco di risonanze trasversali)
mentre la limitazione nelle impedenze elevate corrisponde alla impossibilit tecnologica di realizzare strisce di spessore inferiore a 5 m in tecnologia integrata e di circa
20 m in tecnologia ibrida. Si noti che linee molto sottili portano a perdite ohmiche
estremamente elevate.
Un esempio dellandamento delle perdite ohmiche nelle metalizzazioni e nel substrato
per una microstriscia su allumina, spessore del substrato 0.5 mm, mostrato nella Figura 1.20. Si pu notare che alla frequenza di 1 GHz le perdite prevalenti sono di gran
lunga le perdite nel metallo. Si noti tuttavia che queste vanno come la radice quadrata
della frequenza (in regime di effetto pelle) mentre le perdite dielettriche sono proporzionali alla frequenza; pertanto a frequenze elevate (ad esempio di qualche decina di
GHz) anche queste ultime divengono prima o poi significative. Si noti che per una
microstriscia le perdite sono una funzione decrescente della impedenza caratteristica,
ossia divengono elevate per linee con impedenza alta (e quindi strette).
Formule di progetto
Scopo delle formula di progetto ricavare, date le caratteristiche del substrato, la
larghezza di striscia W necessaria ad ottenere una ben precisa impedenza caratteristica
Z0 . Un insieme classico di formule approssimate di progetto stato sviluppato da
44
2 5 0
2 0 0
e r= 2 .5
Z , O h m
0
1 5 0
e r= 1 0
1 0 0
e r= 1 3
5 0
0 .0 5
0 .1
0 .2
0 .3
0 .5
1 .0
2 .0
3 .0
5 .0
W /h
Fig. 1.18 Andamento della impedenza caratteristica di microstriscia in funzione di

W/h per diversi valori di permettivit del substrato.
Wheeler; il risultato non coincide esattamente con le formule di analisi riportate in

precedenza, che, alternativamente, possono essere invertite in modo numerico.
Per Z0 44 2r :

1
W
exp(B)
1
=
h
8
4 exp(B)
Z0
B=
60
r + 1 1 r 1
+
2
2 r + 1

0.4516 +
1.19
0.2416
r

1.20
Per Z0 < 44 2r :
45
3 .5
e r= 1 3
2 .5
e r= 1 0
e ff
1 .5
e r= 2 .5
1
0 .5
0 .0 5
0 .1
0 .2
0 .3
0 .5
1 .0
2 .0
3 .0
5 .0
W /h
Fig. 1.19 Andamento dellindice di rifrazione efficace della microstriscia in funzione

di W/h per diversi valori di permettivit del substrato.

0.517
W
2
2
r 1
log(d1) + 0.293
= (d1) log(2d1)+
h
r
r
d=
46
60 2
Z0 r
1.21
1.22
1 0
t = 5 m m ,
s = 4 .1 1 0
f = 1 G H z
A tte n u a z io n e , d B /c m
a
1 0
-1
1 0
-2
1 0
S /m
h = 5 0 0 m m
c
e r = 1 0
ta n d = 1 0
- 3
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
1 0
W /h
Fig. 1.20 Esempio di andamento della attenuazione dielettrica e nel conduttore per
una microstriscia in funzione di W/h.
La permettivit efficace si pu ricavare da un insieme di formule semplificate, sempre

dovute a Wheeler:
per W/h 1:
e
r + 1 r 1
=
+
2
2

1/2
2
W
12h
+ 0.04 1
1+
W
h
per W/h 1:
e =
r + 1 r 1
+
2
2

1+
12h
W
1/2
.
Wheeler propone anche il seguente insieme di formule di correzione per tenere conto dello spessore finito della striscia; come ovvio non possibile includere in modo
diretto questa correzione nella fase di sintesi. Si ha:
47
per W/h 1/2:

W
W
t
=
+
h
h
h
per W/h 1/2:
We
W
t
=
+
h
h
h

1 + log
2h
t

4W
1 + log
.
t
Infine, le formule di sintesi sono linverso (approssimativo) delle formule di analisi

seguenti:
per W /h 1:
60
Z0 =
log
e
8h
W
+
W
4h
per W /h 1:

1
W
120
W
Z0 =
1.393 +
.
+ 0.667 log 1.444 +
e
h
h
48
ESEMPIO 1.3
Dimensionare una microstriscia avente impedenza caratteristica di 50 utilizzando i sub-
strati (a) CER-10- 0250 e (b) TLY-5-0620, i cui dati sono riportati nella Tabella 1.2. Per la
conducibilit delle metalizzazioni si assuma il valore delloro, 4.1107 S/m, e per il loro spessore t = 7 m. Si tracci landamento della permettivit efficace e dellattenuazione dielettrica
e nei conduttori in funzione della frequenza per i due casi considerati.
Per dimensionare la larghezza W della microstriscia si possono utilizzare (ad esempio) le
formule di progetto di Wheeler; nel caso (a) si ha r = 9.5 da cui Z0 = 50 > 44 2 9.5;
pertanto si utilizza lespressione:
Z0
B=
60
r + 1
1 r 1
+
2
2 r + 1
0.2416
0.4516 +
r
= 2.1025
da cui:
W
=
h
1
exp(B)
8
4 exp(B)
1
= 1.0073
da cui ancora W = 1.0073 0.63 = 0.63 mm. Nel caso (b) la costante dielettrica del
substrato r = 2.2 per cui a maggior ragione sar Z0 > 44 2r ; si ottiene B = 1.16 da cui
W = 3.12h = 3.12 1.57 = 4.9 mm. Utilizzando le espressioni per la permettivit efficace
a bassa frequenza si ottiene nel caso (a) e = 6.41, nel caso (b) e = 1.87.
Valutiamo ora nei due casi leffetto di dispersione in frequenza della permettivit efficace. Nel
caso (a) il coefficiente k che compare nella espressione del parametro F = kf vale:

2
W
4h r 1
0.5 + 1 + 2 log 1 +
= 1.517 1010
k=
c0
h
mentre nel caso (b) si ha k = 3.4823 1010 . Le relative frequenze di inflessione
finf = 24/3 /k sono nel caso (a) 24/3 / 1.517 1010

= 16.6 GHz, nel caso (b)
24/3 / 3.4823 1010 = 7.23 GHz. Il suggerimento quindi che il secondo substrato sia
maggiormente dispersivo (in quanto pi spesso). In realt gli andamenti in frequenza relativi
alla espressione:

e (f )
2
r e
+

e
1 + 4(kf )1.5
riportati nella Fig 1.21, per i due casi (a) e (b), confermano che il caso (b) ha una frequenza di
inflessione inferiore, ma che in compenso il caso (a) presenta una maggiore variazione assoluta
in frequenza della permettivit efficace.
49
1 0
9
8
7
P e rm e ttiv ita e ffic a c e
(a )
6
5
4
3
(b )
2
1
1 0
1 0
f in fl
9
1 0
1 0
f in fl
1 0
1 1
Fig. 1.21 Andamento in frequenza della permettivit efficace delle linee di cui
allEsempio 1.3.
Per quanto riguarda le caratteristiche di attenuazione, per il substrato (a) tan = 0.0035 mentre
per il substrato (b) tan = 0.0009; pertanto, alla frequenza di 1 GHz si ha per il caso (a) d =
0.0076 dB/cm, c = 0.0166 dB/cm; per il caso (b) d = 9.57 104 dB/cm, c =0.0027
dB/cm. Le perdite della linea (b) sono quindi molto inferiori a causa del fatto che la linea (b)
pi larga. Substrati leggeri presentano in generale perdite inferiori rispetto a substrati pesanti,
a parit di impedenza caratteristica. Landamento in frequenza delle perdite dielettriche, metalliche e totali per i due substrati mostrato nella Figura 1.22; le perdite nelle metallizzazioni
prevalgono a bassa frequenza ma vengono superate ad alta frequenza dalle perdite dielettriche.
50
r
h, mm
t, m
/Au
tan
Nome
9.5
0.63
35
0.7118
.0035
CER-10-0250
10.0
1.57
35
0.7118
.0035
CER-10-0620
9.8
1.27
35
0.7118
.0035
CER-10-0500
2.20
1.57
35
0.7118
.0009
TLY-5-0620
2.20
0.78
35
0.7118
.0009
TLY-5-0310
2.20
0.51
35
0.7118
.0009
TLY-5-0200
2.33
1.57
35
0.7118
.0009
TLY-3-0620
2.33
0.51
35
0.7118
.0009
TLY-3-0200
2.50
1.52
35
0.7118
.0019
TLX-9-0600
2.50
0.76
35
0.7118
.0019
TLX-9-0300
2.55
1.52
35
0.7118
.0019
TLX-8-0600
2.55
0.76
35
0.7118
.0019
TLX-8-0300
2.55
0.51
35
0.7118
.0019
TLX-8-0200
2.55
1.52
35
0.7118
.0006
TLT-8-0600
2.55
0.76
35
0.7118
.0006
TLT-8-0300
2.95
0.38
35
0.7118
.0028
TLE-95-0150
2.95
0.25
35
0.7118
.0028
TLE-95-0100
3.20
1.57
35
0.7118
.0030
TLC-32-0620
3.20
0.78
35
0.7118
.0030
TLC-32-0310
3.00
1.57
35
0.7118
.0030
TLC-30-0620
3.00
0.78
35
0.7118
.0030
TLC-30-0310
3.00
0.51
35
0.7118
.0030
TLC-30-0200
3.50
1.52
35
0.7118
.0025
RF-35-0600
3.50
0.76
35
0.7118
.0025
RF-35-0300
3.50
0.51
35
0.7118
.0025
RF-35-0200
3.50
0.25
35
0.7118
.0025
RF-35-0100
Tab. 1.2 Esempi di caratteristiche di substrati commerciali (Taconic). h lo spessore

del substrato, t lo spessore del piano di massa inferiore e (se presente) superiore, la
resistitivit delle metallizzazioni, tan langolo di perdita del substrato.
51
1 0
to t
a
1 0
-1
1 0
-2
c
d
(a )
(b )
1 0
-3
1 0
-4
1 0
1 0
f in fl
9
1 0
1 0
f in fl
1 0
1 1
Fig. 1.22 Andamento in frequenza della attenuazione delle linee di cui

allEsempio 1.3.
Linee coplanari
Vengono utilizzate in numerose applicazioni nei MIC ai quali conferiscono flessibilit
nel disegno del circuito. La configurazione di una guida donda coplanare (CPW, Coplanar Waveguide) riportata in Figura 1.23. Le linee coplanari prendono il nome dal
fatto che tutti i conduttori si trovano sullo stesso piano (sulla faccia superiore del substrato di dielettrico); il substrato pu essere chiuso inferiormente da un piano di massa
(linee coplanari con piano di massa inferiore o conductor backed) ma tipicamente le
caratteristiche della linea non dipendono, se non in modo debole, dallo spessore del
substrato. Questa propriet importante in quanto limpedenza di una linea coplanare non richiede un controllo accurato dello spessore di h. Come regola empirica, per
limitare linfluenza di h sullimpedenza della linea dovrebbe essere h > 2b, il che
impone, assegnato il substrato, una limitazione alla dimensione massima della linea.
Bench lintervallo di impedenza realizzabile non subisca limitazioni, in quanto fun-
52
2 b
2 a
m a ssa
t
m a ssa
S
h
e
r
C o p la n a re s e m p lic e
2 b
2 a
m a ssa
t
m a ssa
S
h
e
r
C o p la n a re c o n p ia n o d i m a s s a in fe rio re
2 c
2 b
2 a
m a ssa
S
m a ssa
S
e
h
r
C o p la n a re c o n p ia n i d i m a s s a fin iti
Fig. 1.23 Linea coplanare CPW (Coplanar Waveguide) semplice, con piano di massa
inferiore, con piani di massa laterali di estensione finita.
zione di a/b, substrati sottili richiedono linee strette, aventi alte perdite ohmiche. I due
piani di massa laterali devono essere talvolta connessi con ponticelli per garantirne la
equipotenzialit.
53
Formule di progetto
Nella analisi delle linee coplanari si considerano comunemente i parametri a e b definiti in Figura 1.23, legati alla larghezza della striscia centrale e dello slot come W = 2a,
S = b a. I parametri delle linee di trasmissione coplanari si possono esprimere in
forma chiusa per mezzo della funzione K(k), detto integrale ellittico completo di
prima specie, di argomento k. Si pone poi K (k) = K(k ) ove k = 1 k 2 . Il rapporto K(k)/K(k ), che ricorre spesso nelle formule per limpedenza caratteristica, si
pu approssimare come:

K(k)
1
1+ k
log 2
, 0.5 k 2 < 1
K(k )
1 k

K(k )
1
1 + k
, 0 < k 2 0.5
log 2
K(k)
1 k
1.23
1.24
Lespressione della impedenza caratteristica Z0 e della permettivit efficace e

variano a seconda della struttura considerata; sono importanti i casi seguenti:
Guida coplanare (CPW) su substrato dielettrico infinitamente spesso:
30 K(k )
Z0 =
e K(k)
1.25
r + 1
2
1.26
e =
k = a/b
1.27
Guida coplanare (CPW) con substrato di spessore h finito:

30 K(k )
Z0 =
e K(k)
e = 1 +
r 1 K(k ) K(k1 )
2 K(k) K(k1 )
1.28
1.29
dove:
k = a/b
k1 =
54
sinh(a/2h)
sinh(b/2h)
1.30
1.31
CPW con piano di massa inferiore:

1
60
Z0 =
K(k)
K(k2 )
e
+

K(k ) K(k2 )
e
K(k)
K(k2 )
+ r

K(k )
K(k2 )
=
K(k)
K(k2 )
+
K(k ) K(k2 )
1.32
1.33
dove:
k = a/b
k2 =
tanh(a/2h)
tanh(b/2h)
1.34
1.35
CPW con substrato finito e piani di massa laterali di larghezza finita

(Fig. 1.23):
30 K(k3 )
Z0 =
e K(k3 )
e =1 +
dove:

a
k3 =
b
r 1 K(k3 ) K(k4 )
2 K(k3 ) K(k4 )
1 (b/c)2
1 (a/c)2
sinh(a/2h)
k4 =
sinh(b/2h)
1.36
1.37
1.38
1 (sinh(b/2h)/ sinh(c/2h))2
.
1 (sinh(a/2h)/ sinh(c/2h))2
1.39
Per quanto riguarda gli effetti di dispersione della permettivit efficace, esistono formule di approssimazione analoghe a quelle utilizzate per la microstriscia; ad esempio
per una coplanare con substrato dielettrico di spessore finito si pu porre:
2

r e
e (f)
e +
1 + A(f/fT E )1.8
1.40
55
dove:
fT E

0.54 0.64 log(2a/h) + 0.015[log(2a/h)]2 log(2a/(b a))+

1.41
0.43 0.86 log(2a/h) + 0.540[log(2a/h)]2
= c0 /(4h r 1)
1.42
A = exp
ove fT E la frequenza di taglio del primo modo TE del substrato dielettrico.

Per quanto riguarda le perdite nel conduttore e nel dielettrico (c e d , rispettivamente), una espressione valida per linee senza piano di massa inferiore la seguente (in
dB/m):
8.68Rs(f) e
c =
480K(k)K(k )(1 k 2 )

1
8a(1 k)
1
8b(1 k)
+ log
+
+ log
a
t(1 + k)
b
t(1 + k)
d = 27.83
tan r K(k1 ) K(k )
0 2 e K(k1 ) K(k)
1.43
1.44
Utilizzando come parametro in ascissa il rapporto a/b, possiamo analizzare gli andamenti dellimpedenza caratteristica e delle perdite: le perdite risultano elevate sia
nel caso a 0, che indurrebbe la resistenza serie a valori estremamente elevati, sia
nel caso a b, che porterebbe i piani di massa ad essere estremamente vicini, aumentando notevolmente il valore delle capacit fra la striscia e i piani di massa. Se
consideriamo un substrato di allumina, landamento dellattenuazione dovuta alle perdite in funzione di a/b presenta due massimi per a/b = 0 e a/b = 1, e un minimo per
a/b 0.5; riportando questo valore sul diagramma dellimpedenza caratteristica in
funzione di a/b, risulta Z0 50 , che risulta essere il caso circa ottimale. Landamento dellimpedenza caratteristica e della attenuazione per una linea su substrato di
allumina sono mostrati nella Figura 1.24 e Figura 1.25, rispettivamente.
Accoppiamento con modi spuri in linee planari

Le linee coplanari presentano, come aspetto critico, la possibilit di supportare modi
parassiti sia sotto forma di modi propri della struttura che sotto forma di onde super-
56
1 1 0
1 0 0
Im p e d e n z a c a ra tte ris tic a , O h m
9 0
8 0
7 0
6 0
5 0
4 0
3 0
2 0
0
0 .1
0 .2
0 .3
0 .4
0 .5
0 .6
0 .7
0 .8
0 .9
a /b
Fig. 1.24 Andamento dellimpedenza caratteristica di una linea coplanare su allumina

in funzione del rapporto a/b. Si posto 2b = 600 m e il substrato infinitamente
spesso.
ficiali (ossia di modi di propagazione della guida dielettrica formata dal substrato con
piani di massa). In particolare, per quanto riguarda i modi propri della struttura:
Tutte le linee coplanari possono portare un modo dispari rispetto al conduttore
centrale, tale che il campo elettrico nei due slot ha la stessa direzione (piuttosto
che direzioni opposte, come nel modo proprio della linea coplanare). Tale
modo di propagazione, analogo a quello di due slot-line accoppiate, un modo
quasi-TEM solo se i piani di massa hanno larghezza finita, altrimenti un
modo non-TEM analogo a quello della slot line. Il modo dispari, che pu
essere eccitato in presenza di discontinuit, viene soppresso se i piani di massa
laterali sono connessi a intervalli minori di g /4 mediante ponticelli o ponti in
aria. Si noti che il modo dispari ha tendenzialmente una permettivit efficace
57
0 .7
0 .6
0 .5
0 .4
0 .3
a
c
0 .2
0 .1
a
0
0
0 .1
0 .2
0 .3
0 .4
0 .5
0 .6
0 .7
0 .8
0 .9
a /b
Fig. 1.25 Andamento dellattenuazione di una linea coplanare su allumina in funzione

del rapporto a/b. La metallizzazione in oro con t = 5 m e tan = 0.001; la frequenza
10 GHz. Si posto 2b = 600 m.
simile a quella del modo pari, e pu essere quindi eccitato per accoppiamento
sincrono.
Le linee coplanari con piano di massa inferiore e piani di massa laterali di
estensione finita portano un modo tipo microstriscia in cui tutti i conduttori
hanno lo stesso potenziale. Per sopprimere tale modo sarebbe necessario collegare i piani di massa laterali a quello inferiore, cosa realizzabile ad esempio
attraverso il contenitore metallico. Il modo a microstriscia non peraltro eccitabile attraverso accoppiamento sincrono, dato la sua permettivit efficace
maggiore.
Le linee a microstriscia viceversa non supportano modi propri parassiti della struttura
quasi-TEM. Sia la microstriscia che la linea coplanare presentano invece, in misura
58
diversa, la possibilit di accoppiamenti spuri con onde superficiali supportate dallo

strato di dielettrico con piani di massa. Come mostrato nella Figura 1.26 ad ogni
struttura guidante associata una possibile guida dielettrica parassita, con piano di
massa (inferiore o superiore) o, nel caso della coplanare con piano di massa, con
entrambi. Strutture schermate ammettono infine come guida parassita una guida a
facce piane parallele parzialmente riempita di dielettrico. Laccoppiamento spurio
pu assumere due forme:
accoppiamento sincrono, quando il modo proprio e il modo spurio viaggiano
nella stessa direzione e hanno la medesima velocit di fase;
accoppiamento asincrono, che pu avvenire solamente in presenza di
discontinuit della struttura guidante.
Uno strato di dielettrico metallizzato superiormente o inferiormente porta onde superficiali di tipo TE o TM rispetto alla direzione di propagazione. Nel modo TE il campo
elettrico parallelo al piano di massa, nel modo TM il campo elettrico ortogonale.
Questa seconda topologia di campo maggiormente compatibile con la topologia di
campo di una microstriscia, mentre in una linea coplanare sono presenti componenti di campo elettrico sia orizzontali (tipo TE) che verticali (tipo TM). Vi sono infinite
onde superficiali TEn e TMn , n = 0, 1, 2..., con frequenze di taglio inferiori:
c0 n
= 2n fcTE0
2h r 1
c0 (2n + 1)
=
= (2n + 1) fcTE0
4h r 1
fcTMn =
1.45
fcTEn
1.46
ossia il modo fondamentale TM0 ha frequenza di taglio nulla. Lo stesso tipo di considerazione vale per il modo fondamentale di una strato dielettrico metallizzato inferiormente e coperto, a distanza H, da un secondo piano metallico (Fig. 1.26). La
relazione di dispersione per il modo TM0 per tale struttura si dimostra essere:
1 r e
tanh(2c0 f(H h) e 1)
=
r e 1
tan(2c0 fh r e )
1.47
dove c0 la velocit della luce nel vuoto. Si noti che per H si ottiene la
relazione di dispersione del modo fondamentale dello strato dielettrico di spessore h
con piano metallico inferiore o superiore.
59
M ic ro s tris c ia
G u id a d ie le ttric a g r o u n d e d
H
e
h
r
h
r
C o p la n a re
e
r
C o p la n a re g r o u n d e d
G u id a d ie le ttric a s c h e rm a ta
M ic ro s tris c ia s c h e rm a ta
G u id a d ie le ttric a g r o u n d e d
h
h
G u id a a fa c c e p ia n e p a ra lle le
Fig. 1.26 Strutture guidanti quasi-TEM e strutture associate per la propagazione di

onde superficiali.
Uno strato dielettrico metallizzato da entrambe le parti porta invece un modo fondamentale TEM (che implica per una differenza di potenziale fra i due piani metallici) e modi superiori TE e TM con caratteristiche simili ai modi TE e TM dello strato
dielettrico metallizzato da un lato per quanto riguarda la direzione del campo elettrico.
In Figura 1.27 riportato landamento delle curve di dispersione di varie strutture
guidanti su uno strato di GaAs (costante dielettrica 13) di spessore h = 300 m.
riportata la permettivit efficace di una microstriscia da 50 , di una microstriscia
60
nel limite ad impedenza infinita, e di due coplanari da 50 con diverse dimensioni

trasversali. Per quanto riguarda le onde superficiali, tracciata la curva di dispersione
del modo fondamentale di uno strato dielettrico metallizzato e con copertura posta
ad altezza H = 1.5 mm, che presentano come ovvio differenze minime; inoltre
riportato il modo TM1 di uno strato dielettrico con due piani metallici inferiore e
superiore. Per quanto riguarda laccoppiamento con modi di linee a microstriscia o
coplanari, valgono le considerazioni seguenti:
In una microstriscia laccoppiamento con il modo TM0 sincrono solo in linee
di impedenza molto elevata; viceversa, le linee coplanari, soprattutto se poco
dispersive (ossia di dimensioni trasversali molto piccole rispetto alla lunghezza
donda di lavoro) presentano comunque una permettivit efficace pari a circa
(r + 1)/2 e quindi danno luogo ad accoppiamento sincrono. La frequenza di
sincronismo fs pu essere espressa come:
fs =
c0 tan1 (r )

h 2(r 1)
che, per substrati pesanti, si semplifica in:

106
GHz.
h[mm] r 1
fs
inoltre possibile accoppiamento sincrono con il modo TE0 ;
tale
accoppiamento avviene per a frequenza superiore fs > fs :

fs =
4h
3c0
.
2(r 1)
Infine, linee coplanari con piano di massa inferiore possono presentare accoppiamento sincrono con il modo TM1 della guida dielettrica
con piano di massa inferiore e superiore; tale accoppiamento avviene
alla frequenza di sincronismo:
fss =
c0
h (r 1)
di solito inferiore alla frequenza di sincronismo del modo TM0 della guida metallizzata da un solo lato. La coplanare con piano di massa inferiore presenta
anche la possibilit di accoppiamento sincrono con il modo TEM dello strato
61
1 2
M ic ro s tris c ia ,
5 0 O h m
1 0
C o p la n a re ,
5 0 O h m , b = 3 1 4 m m
C o p la n a re , 5 0 O h m , b = 5 0 m m
M ic ro s tris c ia a d a lta im p e d e n z a
P e rm e ttiv ita ' e ffic a c e x
T M 1, g u id a a
p ia n i p a ra lle li
h = 3 0 0 m m
4
T M 0, g u id a d ie le ttric a
s c h e r m a ta , H = 1 .5 m m
h = 3 0 0 m m
2
0
0
1 0
2 0
3 0
T M
4 0
5 0
6 0
, g u id a d ie le ttric a
h = 3 0 0 m m
7 0
8 0
9 0
1 0 0
Fig. 1.27 Curve di dispersione per modi quasi-TEM e onde superficiali.
dielettrico metallizzato da entrambi i lati, ma attraverso il lancio di un modo

obliquo rispetto alla direzione di propagazione della linea.
Le onde superficiali possono essere soppresse o attenuate con vari accorgimenti, ad
esempio lintroduzione di materiale dissipativo in corrispondenza della periferia o
della superficie del circuito. Fra le linee considerate, la linea coplanare con piano
di massa inferiore presenta aspetti leggermente pi critici della microstriscia e della
coplanare semplice.
1.5.
C OMPONENTI
A PARAMETRI CONCENTRATI
Componenti a parametri concentrati (soprattutto resistori, ma anche condensatori e,

soprattutto nel campo delle RF, induttori) vengono spesso utilizzati nei circuiti ibridi
per implementare diverse funzioni: resistenze di polarizzazione, capacit di disaccoppiamento AC-DC e fra stadi, induttanze di blocco. Per quanto la tecnologia ibrida
62
consenta di integrare condensatori e resistori, luso di componenti esterni, a parametri concentrati, spesso reso necessario dal fatto che i valori di resistenza o capacit
ottenibili attraverso limplementazione ibrida integrata sono modesti.
Viceversa, nei circuiti integrati a microonde gli elementi concentrati prevalgono e sono realizzati in forma integrata, per quanto non sia impossibile anche qui utilizzare
componenti discreti esterni, ad esempio per gli stadi di polarizzazione. In linea di
massima i circuiti a parametri concentrati presentano un fattore di merito (Q) inferiore a quello ottenibile dai circuiti a parametri distribuiti. Resistori e condensatori
integrati tendono ad avere dimensioni compatte, mentre questo non accade per linduttore integrato che senzaltro il componente pi critico, per dimensioni, valori
ottenibili, comportamento in frequenza, fra quello che compaiono nei circuiti integrati
monolitici a microonde.
In linea di principio, elementi concentrati possono essere ricavati da linee di trasmissione molto corte. Limpedenza di ingresso di una linea corta di lunghezza l, chiusa
su una impedenza di carico ZL , pu infatti scriversi:
Zin = Z0
ZL + Z0 l
.
Z0 + ZL l
Tenendo presente che:

Z0 =
R + jL
G + jC
e che:
=
(R + jL)(G + jC)
si ottiene:
Zin =
ZL + (R + jL)l
;
1 + ZL (G + jC)l
pertanto, se la linea caricata con un corto circuito, si ha:

Zin = Rl + jLl = R + jL
63
Valori
Q (10 GHz)
Materiale
Linee ad alta Z0
0.01-0.5 nH
30-60
Oro
Induttori a spirale
0.5-10 nH
20-40
Oro
Tipo
INDUTTORI
CONDENSATORI
Gap in microstriscia
0.001-0.005 pF
Interdigitati
0.01-0.5 pF
50
MIM (sovrapposti)
0.1-100 pF
50
Si3 N4 ,SiO2 , Polimide
25
Ta2 O5
RESISTORI
Film sottile
5 - 1 k
NiCr, TaN
Monolitici
5 - 1 k
GaAs impiantato
Tab. 1.3 Caratteristiche di elementi concentrati.
ossia, a seconda dei parametri, un resistore o un induttore. Se viceversa la linea

caricata con un circuito aperto, si ottiene:
Yin = Gl + jCl = G + jC
che corrisponde di solito ad un condensatore. In realt non possibile, in tal modo,
realizzare induttori o condensatori di valore qualsiasi, perch a tale scopo sarebbe
necessario rendere lunga la linea (e quindi, non pi approssimabile con un elemento
concentrato). Resta comunque il criterio che linee corte e strette (alta impedenza)
hanno comportamento induttivo e/o resistivo, linee corte e larghe (bassa impedenza)
comportamento capacitivo.
Una tabella riassuntiva delle prestazioni di varie classi di componenti concentrati
per circuiti integrati a microonde riportata nella Tabella 1.3. I componenti relativi
saranno discussi in dettaglio nelle prossime sezioni.
64
R
L
l
W
C
C
(a )
W
R
a
C
W '
s'
(b )
D
i
W
R
S
C
D
C
2
(c )
Fig. 1.28 (a) Induttore a striscia, (b) a loop (ferro di cavallo), (c) a spirale rettangolare,
e relativo circuito equivalente.
Induttori
Il progetto degli induttori per microonde sottoposto a tre limitazioni principali:
1. Il fattore di merito di solito modesto a causa delle perdite ohmiche; questo pu influenzare in modo negativo il progetto di componenti selettivi in
frequenza.
65
2. La frequenza di lavoro comunque limitata superiormente dalla capacit

parassita, che risuona con linduttore.
3. I valori massimi ottenibili sono dellordine della decina di nH; inoltre il campo
di frequenze dellinduttore tanto pi ridotto quanto pi elevato il valore
dellinduttanza, a causa del fatto che la capacit parassita cresce al crescere
dellinduttanza (ed in generale delle dimensioni del componente).
Induttori a striscia e a loop (ferro di cavallo)

Piccoli valori di induttanza (fino a 2 nH circa) possono essere ottenuti attraverso tratti
rettilinei di linea di trasmissione, come mostrato nella Figura 1.28(a), oppure attraverso induttori a loop, vedi Figura 1.28(b). Si noti che, a causa dellaccoppiamento fra
i lati del loop, a parit di lunghezza questultimo presenta una induttanza inferiore a
quella della striscia.
Per linduttore a striscia vale il modello approssimato seguente (le lunghezze
sono in mm):

2l
W
Lstrip = 2 101 l log
1+
nH
W
2l

W
Rs l
Rstrip = 1.4 + 0.217 log
5t
2(W + t)
1.48
1.49
ove Rs la resistenza superficiale della metallizzazione, t lo spessore della metallizzazione. La capacit parassita si pu valutare in modo approssimato attraverso il modello della linea a microstriscia; alternativamente, il componente pu essere modellato
come una linea a microstriscia corta, ottenendo cos in modo diretto il comportamento in frequenza. Si noti che linduttore realizzato in configurazione passante, ossia
disposto in serie fra lingresso e luscita del componente.
Linduttore a loop (ferro di cavallo) ha induttanza e resistenza parassita fornite
approssimativamente dalla formula di Grover:

8a
Lloop = 1.257a log
2 nH
W
W
Rloop = 1.4 + 0.217 log
5t
66

Rs
a .
W +t
1.50
1.51
2 .5
In d u tto re a s tris c ia
In d u tto re a lo o p
In d u tta n z a , n H
W = 2
4
6
8
1 .5
W = 2
4
6
8
0 m
0 m
0 m
0 m
0 m
0 m
0 m
0 m
m
m
m
m
m
m
m
m
0 .5
0 .5
1 .5
L u n g h e z z a , m m
Fig. 1.29 Andamento dellinduttanza di un induttore a striscia e a loop in funzione

della lunghezza totale, per diversi valori dellampiezza della striscia W .
Le dimensioni sono date in mm. Anche qui possibile ricavare la capacit parassita
verso massa, in modo approssimato, attraverso un modello a linea di trasmissione
(microstriscia) equivalente.
Landamento approssimato della induttanza di una striscia e di un loop (con l = 2a)
mostrato nella Figura 1.29 per diversi valori di W . Si noti che, a parit di lunghezza, linduttanza di una striscia maggiore di quella di un loop; si noti anche che al
diminuire di W linduttanza cresce ma anche le perdite ohmiche. Come ovvio aumentando l linduttanza cresce, ma anche diminuisce la frequenza di risonanza, riducendo
cos la banda dellinduttore.
67
ESEMPIO 1.4
Si valuti linduttanza di un induttore a striscia di lunghezza l = 0.5 mm, realizzato con
una striscia di larghezza W = 50 m e spessore t = 5 m, su substrato di 300 m e costante

dielettrica relativa pari a 13. Si confronti limpedenza di ingresso dellinduttore con quella di
una linea a microstriscia di uguali dimensioni, al variare della frequenza, trascurando leffetto
delle perdite, e si determini la frequenza di risonanza dellinduttore.
Per quanto riguarda linduttore a striscia si usa il modello seguente (si ricordi che i
parametri sono in millimetri):

L = 2 101 l log
2l
W
1+
W
l
= 0.32 nH
Limpedenza di ingresso quindi Zi = jL.

Per quanto riguarda il modello a microstriscia della stessa struttura, si suppone di utilizzare
lespressione ad alta frequenza dei parametri caratteristici. Dato che h/W = 300/50 = 6 <
2, si usa la correzione:

2h
W
1.25t
W
1 + log
= 0.205
=
+
h
h
h
t
da cui W = 0.205h = 0.0615 mm; si utilizza poi la formula per striscia stretta per la costante
dielettrica efficace:

F = 1+
12h
W
1/2
+ 0.04 1
W
h
= 0.144
per cui:
e
1 + r
r 1
r 1 t
=
+
F
2
2
4.6 h
h
= 7.76.
W
Limpedenza caratteristica :

60
W
8h
log
+ 0.25
Z0 =

e
W
4h
= 78.9 .
Si noti che limpedenza nel vuoto :

Z00 = 60 log
W
8h
+ 0.25

W
4h
= 220
che fornisce una induttanza totale lZ00 /c0 = 0.36 nH, in discreto accordo con il valore ottenuto
con il modello concentrato. La costante di propagazione quindi:
68
|X | , W
1 0
1 0
1 0
L in e a a m ic ro s tris c ia
1 0
1 0
M o d e l l o c o n c e n t r a t o d e l l 'i n d u t t o r e
1 0
1 0 0
Fig. 1.30 Andamento della reattanza di un induttore a striscia secondo il modello

concentrato e distribuito (Esempio 1.4).
2f
ef f = j5.83 108 f
3 108
da cui limpedenza di ingresso della linea in corto circuito:

Zi = jZ0 tan(l)
ove l valutato in metri. Il modulo della reattanza delle due strutture mostrato nella
Figura 1.30. Si pu notare come il modello a microstriscia presenti una frequenza di risonanza
verso i 55 GHz, e mostri gi a frequenze inferiori un forte scostamento dallandamento induttivo (cui corrisponde anche un aumento delle perdite). Il limite l < g /20 condurrebbe ad una
limitazione duso a frequenze inferiori agli 11 GHz circa.
69
Induttori a spirale
Allo scopo di ottenere induttanze di valore elevato indispensabile ricorrere allinduttore a spirale, Figura 1.28(c), che si realizza in vari modi (spirale circolare, rettangolare, esagonale). Unesempio di realizzazione di un induttore a spirale rettangolare
integrato con ponti in aria mostrato nella Figura 1.31. Tipicamente ogni fabbricante
di circuiti integrati (o foundry) fornisce una libreria di componenti, caratterizzati con
il relativo circuito equivalente (resistenza e capacit parassita), in modo tale che il progetto si riduce ad una scelta fra i componenti a disposizione. Per linduttore a spirale
circolare esistono tuttavia anche formule di progetto approssimate:
a2 n 2
Do + Di
Do Di
Lsp = 39.37
Kg nH, a =
, c=
8a + 11c
4
2

1.7
anRs
S
Rsp = 1 + 0.333 1 +
W
W
C3 = 3.5 102 Do + 0.06 pF
1.52
1.53
1.54
ove Do e Di sono espressi in mm. La capacit verso massa pu essere valutata approssimativamente attraverso un modello di microstriscia rettilinea. I parametri utilizzati
sono definiti nella Figura 1.28(c). In particolare Do e Di sono il diametro interno ed
esterno dellinduttore, W la larghezza di pista, S la spaziatura, n il numero di spire
(che pu assumere anche valori non interi). Si noti che , in prima approssimazione:
Do Di
nW + (n 1)S
2
da cui:
1
n
W +S

Do Di
+S .
2
Il fattore Kg corrisponde alleffetto del piano di massa inferiore. Questa influisce sul
valore dellinduttanza, che diviene accoppiata ad una induttanza immagine con mutua
induttanza negativa; linduttanza totale decresce quanto pi il piano di massa vicino.
Questa diminuzione deve essere tenuta in conto attraverso un fattore di correzione Kg ;
linduttanza reale L quindi pari a:
L = Kg L0
ove L0 linduttanza in aria. Detta W lampiezza della striscia con la quale realizzato linduttore, per W/h > 0.05, unespressione in forma chiusa di Kg data dalla
formula:
70
W
Kg 0.57 0.145 log
h

1.55
dove h lo spessore del substrato. In prima approssimazione lespressione, che ricavata per una striscia, pu essere utilizzata per altri tipi di induttori. Per W/h < 0.05
si ritiene trascurabile leffetto del piano di massa (Kg = 1).
Un modello grossolano ma utile per linduttore a spirale rettangolare infine:
Lrsp 0.85 An5/3 Kg nH
1.56
ove A larea totale dellinduttore, n il numero di spire.

Valgono infine le seguenti considerazioni di progetto:
1. Criterio empirico per il massimo Q Do /Di 5; tale valore non fornisce
per la massima induttanza a parit di area.
2. Aumentare W diminuisce, a parit di area, la lunghezza della pista, e quindi linduttanza, ma diminuisce la resistenza serie. Di solito deve essere, per
motivi tecnologici, W, S > 5 m nei processi integrati.
3. necessario mantenere le dimensioni dellinduttore (Do ) inferiori a circa
g /30 per evitare effetti distribuiti.
4. Gli induttori a spirale richiedono un processo che supporti ponti in aria.
ESEMPIO 1.5
Si supponga di voler realizzare una famiglia di induttori a spirale con diametro esterno
Do = 1 mm, W = 50 m, S = W, al variare del numero di spire n, con t = 5 m. Si

valuti linduttanza ottenibile su un substrato di 300 m al variare del numero di spire, mantenendo il diametro esterno Do , il fattore di merito, e la frequenza di risonanza. Si supponga la
metallizzazione realizzata con oro.
Essendo costante il diametro esterno Do , si ha:

Do Di
nW + (n 1)S = (2n 1) W
2
71
P o n ti in a ria
Fig. 1.31 Induttore a spirale rettangolare realizzato con ponte in aria.
da cui:
Di = Do 2 (2n 1) W.
Si noti che il valore massimo assunto da n corrisponde a Di = 0, ossia:
Do
1
+
= 5.5 5
2
4W
n=
Si ha poi:
1
Do + Di
= [Do (2n 1) W ] = 0.525 0.05n mm
4
2
Do Di
= (2n 1) W = 0.1n 0.05 mm.
c=
2
a=
Tenendo conto che il fattore di correzione di substrato :

Kg = 0.57 0.145 log
W
h
= 0.57 0.145 log
50
300
= 0.83
e che la resistenza superficiale delloro (la frequenza in GHz):

Rs =

2f
= 0.098 fGHz
2
si ottengono, per i parametri dellinduttore, con W espresso in mm (W = 0.05):
72
L (nH)
1.70
4.68
7.20
8.57
8.65
f0 (GHz)
12.55
7.55
6.09
5.58
5.56
QL ad 1 GHz
173.6
267.6
311.1
320.4
305.8
Tab. 1.4 Valori di induttanza, fattore di merito, frequenza di risonanza di cui

allEsempio 1.5.
L = 39.37
(0.525 0.05n)2 n2
a2 n2
Kg = 32.7
nH
8a + 11c
3.65 + 0.7n
R = 6. 46 102 (21 2.0n) n
fGHz
C3 = 0.095 pF
Per quanto riguarda il fattore di qualit si ha:
QL =
(10.5 n) n
2f L
= 79.5
fGHz
R
3.65 + 0.7n
e la frequenza di risonanza parallelo dellinduttore :
1
25.5 73.0 + 14n
=
f0 =
GHz.
(21 2n) n
2 LC3
Linduttanza, il fattore di qualit e la frequenza di risonanza ottenibili per n = 1...5 sono
riportati nella Tabella 1.4.
Si noti che nel modello per effetto pelle il fattore di merito cresce con il quadrato della frequenza; il modello vale come ovvio per frequenze abbastanza inferiori alla frequenza di risonanza. Si
tenga infine presente che le frequenze di risonanza stimate sono ottimistiche sia perch si trascurata la capacit verso massa, sia perch il modello della capacit di reazione approssimato
e indipendente dal numero delle spire.
Induttanza di fili di interconnessione

Nei circuiti ibridi le connessioni a filo (bonding wires) collegano componenti attivi
a componenti passivi discreti, mentre nei circuiti integrati a microonde queste vengono talvolta utilizzate per collegare il chip con il circuito esterno. Spesso si fa uso
73
di sottili strisce piuttosto che di fili circolari. Linduttanza dei fili di collegamento
pu essere interpretata come semplice parametro parassita; tuttavia, tale induttanza si
pu anche sfruttare in modo diretto, ad esempio nella realizzazione di blocchi RF per
lalimentazione.
Un filo di diametro d e lunghezza l (espresse in mm) posto nello spazio libero presenta
induttanza e resistenza:

l
L0,lo = 0.20 log
+ 0.386 l nH
d
Rs l
R=
.
d
A causa delleffetto del piano di massa, linduttanza si modifica come segue:

l + l2 + d2 /4
4h
+
Llo = 0.2l log
+ log
d
l + l2 + 4h

4h2
d2
h
d
+ l+ 2 l+ 2 2 +
nH
l
4l
l
2l
1.57
1.58
1.59
dove h la distanza tra filo e piano di massa. Linduttanza dei fili di collegamento
non trascurabile; ad esempio, fili distanti dal piano di massa del diametro di 100 m
presentano uninduttanza di circa 500 pH/mm, mentre linduttanza sale a circa 800
pH/mm se il diametro scende a 25 m.
Condensatori
Un condensatore pu essere ottenuto da una linea molto corta, in circuito aperto.
In pratica vi sono tre tipi di condensatori passivi (ossia non ottenuti da giunzioni)
utilizzati nei circuiti a microonde:
i condensatori in microstriscia,
i condensatori interdigitati,
i condensatori MIM (Metallo-Isolante-Metallo),
i condensatori Schottky.
I condensatori in microstriscia sono semplicemente piazzole (metallizazioni) realizzate con il conduttore superiore della microstriscia; presentano elevata precisione (2 %)
74
C
L
R
W
S
C
l
e
h
C
1
(a )
F ilm d ie le ttric o
R
C
e
G
2
C
2
(b )
Fig. 1.32 Condensatori interdigitati e MIM.
ma bassa capacit (fino a 0.5 pF). I condensatori interdigitati hanno la struttura mostrata nella Figura 1.32 (a); i valori di capacit ottenibili arrivano fino a 0.5 pF circa, la
precisione peggiore. Per il condensatore interdigitato vale il modello (le dimensioni
sono in mm):
C = e
(N 1)l K(k)
pF
18 K(k )
ove N il numero di dita, e la permettivit efficace quella di una linea coplanare:

e = (r + 1)/2. Inoltre:
k = tan2
a
4b
ove a = W/2, b = (W + S)/2, e k =
1 k2 .
Gli altri parame-
tri parassiti del modello del condensatore interdigitato si possono ricavare attraverso modelli pi complessi (ad esempio basati sulle linee coplanari multiconduttore).
A titolo indicativo, un condensatore interdigitato su GaAs con
N = 10 ha una capacit di circa 0.6 pF per millimetro di lunghezza quando W = S
75
(ad esempio con W = S = 50 m N = 10 corrisponde ad una larghezza totale

di circa 1 mm). Pertanto un condensatore interdigitato ha una capacit dellordine
di 0.5 pF/mm2 .
Capacit pi elevate, ma con precisione ancora peggiore e perdite dielettriche superiori
si possono avere con i condensatori MIM (Fig. 1.32 (b)), con cui si possono realizzare
strutture fino a circa 25 pF. La capacit si pu ricavare, in funzione delle dimensioni,
con la consueta espressione valida per un condensatore a facce piane parallele:
C=
Wl
d
ove W l larea del condensatore, la costante dielettrica assoluta del dielettrico interposto, d la distanza fra le armature. La conduttanza parallelo da attribuire alle
perdite nel dielettrico, mentre gli altri parametri parassiti si possono ricavare da modelli basati su linee trasmissione, che non si riportano per brevit. A titolo di esempio,
un condensatore MIM con dielettrico avente spessore di 1 m (limite inferiore di massima) e costante dielettrica 4 (ad esempio, ossido di silicio) ha una capacit specifica
di circa 35 pF/mm2 . Pertanto possibile realizzare con questa tecnica condensatori di
valore elevato.
Due utili figure di merito per i dielettrici impiegati nella realizzazione di condensatori
MIM sono il prodotto capacit-tensione di rottura:
Fcv = Ca Vb = 0 r Eb
1.60
tipicamente nel campo di valori (8 30) 103 pF-V/mm2 , e il prodotto capacit-Q

dielettrico:
Fcq = Ca / tan d
1.61
ove Ca la capacit per unit di superficie, Vb la tensione di rottura, Eb la rigidit

dielettrica, d langolo di perdita. Valori tipici sono 1 2 MV/cm per la rigidit,
4-20 per la costante dielettrica, 101 103 per langolo di perdita. Un quadro
riassuntivo dei dielettrici impiegati riportato in Tabella 1.5. Si noti che la tolleranza
dei condensatori MIM limitata al 5-10 % a causa della difficolt di controllare lo
spessore del dielettrico.
76
Dielettrico
Ca , d = .2m
Fcv
Fcq
Deposizione
SiO
275-325
100-500
Evaporazione
SiO2
175-230
++
50-100
Evaporazione, sputtering
Si3 N4
300-400
++
20-40
Sputtering, CVD
Ta2 O5
1000-1200
10-150
Sputtering e anodizzazione
Al2 O3
350-400
400-600
Sputtering, CVD
Polimide
30-40
400-500
Rotazione
Tab. 1.5 Caratteristiche di dielettrici per condensatori MIM. il coefficiente di

temperatura in ppm/o C. Il dato relativo al polimide si riferisce ad uno spessore di 1 m.
Unultima possibilit costituita dai condensatori basati su elementi attivi, ad esempio

su giunzioni pn o Schottky. Si tratta di elementi disponibili non solo nei circuiti
integrati, ma anche in forma ibrida, per quanto in questultimo caso diodi Schottky
discreti sono utilizzati soprattutto per le loro caratteristiche di capacit non lineare.
Nei circuiti ibridi sono infine molto utilizzati i cosiddetti chip capacitors, realizzati
con parallelepipedi di materiale dielettrico rivestiti da due armature metalliche. Questo tipo di condensatori permette elevata precisione e valori elevati, grazie alluso di
dielettrici ad alta permettivit (ad esempio ossido di tantalio); sono pertanto utilizzati
ad esempio per realizzare filtri di alimentazione.
Resistori
I resistori planari possono essere realizzati o deponendo un film sottile resistivo sul
substrato dielettrico (resistori a film) oppure attraverso deposizione di film semiconduttori (resistori mesa) o infine drogando il substrato semiisolante (resistori impiantati). Uno schema delle tre strutture fornito nella Figura 1.33; un quadro riassuntivo
delle propriet dei materiali conduttori impiegati nella realizzazione dei resistori
mostrato nella Tabella 1.6.
77
F ilm
re s is tiv o
M e ta llo
S u b s tra to
s e m i-is o la n te
M e ta llo
R e s is to re a film
M e ta llo
R e s is to re
im p ia n ta to
S u b s tra to
S u b s tra to
R e s is to re m e s a
Fig. 1.33 Resistori per circuiti integrati a microonde.
Limpedenza di ingresso si pu valutare attraverso limpedenza di ingresso di una linea

RC in corto circuito:

R
1
1
R
Zin =
jCRl R 1 jCR
=
tanh
1
C
jC
3
1 + 13 jCR
+ j
R
3
ove R = Rl, C = Cl la capacit parassita del resistore. La resistenza serie pu
essere valutata in regime di effetto pelle o quasi-continuo a seconda dello spessore
della struttura e della frequenza di lavoro.
Nei circuiti ibridi possibile utilizzare chip resistor discreti realizzati con film sottile,
che presentano resistenza allincirca costante fino a qualche GHz.
78
Materiale
Rs , /2
Accuratezza
Stabilit Deposizione
Cr
10-20
3000
Ta
30-200
100-500
++
Sputtering
Ti
10-100
2500
TaN
250-300
150-300
++
Sputtering
NiCr
40-100
200
++
++
GaAs
100-1200 3000
++
Impiantazione, epitassia
Tab. 1.6 Caratteristiche di materiali resistivi per resistori planari. il coefficiente di

temperatura in ppm/o C.
1.6.
L AYOUT
DI CIRCUITI PLANARI IBRIDI
Per fissare le idee, prendiamo in esame un semplice circuito a microonde, ossia un

amplificatore ad anello aperto costituito da un componente attivo, da una sezione di
ingresso di adattamento, da una sezione di adattamento di uscita. Si tenga presente
che lelemento attivo richiede almeno una, e spesso due, alimentazioni in continua.
Lo schema elettico di massima mostrato nella Figura 1.34.
La realizzazione in forma ibrida prevede i due adattatori in linea pi stub e il circuito di alimentazione; il generatore e il carico sono esterni e saranno collegati attraverso
connettori coassiali e transizioni coassiale-microstriscia. Il connettore a sua volta si
pu descrivere mediante un circuito equivalente costituito da una capacit in parallelo
e una induttanza in serie. Lo schema elettrico di massima della parte ibrida del circuito risulta quindi quello indicato in Figura 1.35. Si noti che i connettori coassiali
presentano un circuito equivalente a filtro passa-basso.
Prima di discutere in generale il layout ibrido (in microstriscia o coplanare) dellamplificatore ad anello aperto, vediamo di affrontare separatamente le problematiche rela-
79
D C
In g re sso
(c o a s s ia le )
Z
D C
T ra n s is to re
B ia s T
E
U s c ita
(c o a s s ia le )
B ia s T
A d.
G e n e ra to re
e s te rn o
A d a tta to re
d 'u s c i t a
A d a tta to re
d i in g re s s o
Z
L
C a ric o
e s te rn o
Fig. 1.34 Schema a blocchi di amplificatore ad anello aperto e realizzazione

(schematico) ibrido di massima.
V
G
a lim e n ta z io n e
V
D
C o n n e tto re
c o a s s ia le
C o n n e tto re
c o a s s ia le
lin e a
T ra n s is to re
lin e a
C a ric o
e s te rn o
G e n e ra to re
e s te rn o
s tu b
s tu b
Fig. 1.35 Circuito di massima di amplificatore ad anello aperto.
tive alla connessione di elementi esterni (ad esempio il transistore), alla realizzazione
di stub, e alla realizzazione della alimentazione.
Connessioni di componenti concentrati

Le due configurazioni possibili sono serie e parallelo, come mostrato in Figura 1.36.
La situazione diversa per le microstrisce e le linee coplanari. Per le microstrisce (Fig.
1.37) linserzione parallelo utilizzata se la microstriscia si trova molto vicino ai bor-
di, perch accessibile il piano di massa inferiore. possibile riportare superiormente

il piano di massa mediante il cosiddetto wrap around, che peraltro introduce una induttanza parassita. Per collegamenti in parallelo distante dai bordi infine possibile
80
Z
Y
C o n n e s s io n e
P a ra lle lo
S e rie
Fig. 1.36 Connessione in serie o parallelo di elementi concentrati.
C o n n e s s io n i P a ra lle lo
C o n n e s s io n e S e rie
D ire tta
a m a ssa
V ia h o le
W ra p
a ro u n d
Fig. 1.37 Inserimento in parallelo e in serie di elementi in microstriscia.
utilizzare il cosiddetto via hole, o foro passante, che per richiede un foro metallizzato nel substrato. Si tratta si una tecnologia alquanto complessa ad alte frequenze e per
substrati rigidi, relativamente comune solo nel campo degli integrati. Substrati teneri,
a frequenze relativamente basse, possono invece essere forati con mezzi meccanici in
modo da realizzare semplici connessioni a massa. Linserzione serie invece ( ovviamente) facile. Nelle coplanari (Fig. 1.38) non presenta problemi sia linserzione serie
che quella parallelo; conviene in molti casi utilizzare inserzioni bilanciate di elementi
in modo da non disturbare la simmetria della linea.
81
P a ra lle lo s im m e tric a
2 Z
S e rie
2 Z
P a ra lle lo a s im m e tric a
Z
Fig. 1.38 Inserimento in parallelo e in serie di elementi in linea coplanare.
Stub
In generale uno stub pu essere in configurazione serie o parallelo, in circuito aperto o corto circuito: utilizzando le microstrisce lo stub in serie non realizzabile, e si
sceglie quindi la configurazione in parallelo; per realizzare il corto circuito tra la microstriscia che costituisce lo stub e il piano di massa si potrebbe realizzare un foro
attraverso il substrato o riportare un piano di massa sul lato dello stesso, ma entrambe le soluzioni risultano sconvenienti. Si utilizza allora uno stub parallelo in circuito
aperto. Si nota inoltre che uno stub in corto circuito potrebbe costituire un passaggio
tra lalimentazione continua e la massa, altro motivo per preferire la configurazione in
circuito aperto. Esempi di stub sono mostrati nella Figura 1.39.
Un ulteriore vantaggio nellutilizzo dello stub parallelo in circuito aperto costituito dal trimming: sul circuito sono possibili aggiustamenti dello stub modificando la
lunghezza della microstriscia di cui costituito; questa pu essere accorciata tagliando un pezzo di microstriscia o allungata aggiungendo piazzole unite tra loro tramite
metallizzazioni (Fig. 1.39).
Alimentazione e elementi attivi

Un circuito a microonde richiede, se elementi attivi sono presenti, una alimentazione in continua, mentre i segnali in ingresso e uscita sono in alta fre-
82
S tu b in c o rto
a ttra v e rs o v ia h o le
T
ju n c tio n
T
ju n c tio n
C o n n e tto re
c o a s s ia le
S te p
T
ju n c tio n
S tu b
O p e n
e n d
B e n d
G a p
C o n n e tto re
c o a s s ia le
S tu b in
c irc u ito a p e rto
a g g iu s ta b ile
B e n d
P a c k a g e
Fig. 1.39 Layout di microstriscia con stub e discontinuit.
In
In
O u t
O u t
Fig. 1.40 Filtro passa-basso di alimentazione in microstriscia.
quenza (RF-in, RF-out): tra alimentazione esterna in continua e transistore dovr essere allora inserito un blocco in microstriscia (filtro passa-basso) in modo da impedire che la radiofrequenza entri nellalimentatore (ossia, in altri termini, che lalimentatore carichi il circuito a radiofrequenza).
Per realizzare il
filtro passa-basso, costituito da induttanze in serie e capacit in parallelo, si

pu utilizzare la configurazione di microstriscia rappresentata in Figura 1.40.
La sezione larga (linea corta a bassa impedenza) costituisce un condensatore verso
massa, mentre la sezione stretta (linea corta ad alta impedenza) un induttore passante.
Per quanto riguarda gli elementi attivi, questi possono essere montati in chip oppure in
package (in contenitore). Mentre nel primo caso la connessione diretta fra le piste del
83
B
E
C
B
E
E
C
Fig. 1.41 Elemento attivo in package a connettori piatti (flatpack).
circuito ibrido e i terminali del dispositivo attivo, privo di package, effettuata attraverso fili di collegamento, nel secondo caso si utilizzano contenitori (package) diversi
dai tipici dual-in-line. Scelte possibili sono package a connettori piatti, che possono
venire saldati facilmente alle linee di accesso in microstriscia. Di solito i due terminali
laterali di massa sono realizzati in forma simmetrica, anche se internamente connessi.
Discontinuit delle linee di trasmissione

Nel progetto automatico di circuiti in microstriscia le strutture vengono ottimizzate
assegnando ai tratti di linea una impedenza caratteristica e una lunghezza elettrica. In
fase di layout questi parametri vengono tradotti in larghezza della striscia e lunghezza
fisica della linea. Tuttavia, non sempre nella realizzazione pratica viene conservato
il carattere ideale delle microstrisce isolate. Si pensi ad esempio a quanto accade
quando, per motivi di layout, una linea deve essere piegata ad angolo (Fig. 1.39):
la linea piegata presenta, in corrispondenza dellangolo, una capacit parassita verso
massa. Analogamente, la connessione di uno stub in circuito aperto alla relativa linea
presenta una piazzola di connessione che provoca una capacit parassita verso massa.
Sempre in uno stub in circuito aperto, la terminazione non propriamente un circuito
aperto ideale, ma piuttosto una capacit di fringing verso massa, di cui bisogna tenere
conto nel progetto dello stub per non sovrastimarne la lunghezza elettrica.
Si dicono discontinuit tutte quelle caratteristiche di layout non ideale proprie delle
linee planari. Limitandoci per semplicit al caso pi importante, le discontinuit in
microstriscia, si pu osservare che ad ogni discontinuit corrisponde un circuito equivalente ed un insieme di modelli. Questo non deve peraltro suggerire che sia possibile
84
introdurre le discontinuit nel progetto del circuito: si tratta comunque di un insieme

di elementi parassiti che opportuno introdurre nella simulazione finale del circuito, una volta che ne sia realizzato il layout, allo scopo di valutarne limportanza e di
procedere eventualmente a piccoli aggiustamenti. Esistono oggi strumenti CAD automatizzati in grado di estrarre dal layout in microstriscia di un circuito ibrido una netlist
modificata che tenga in conto gli effetti delle discontinuit. Gli effetti pi comuni delle
discontinuit sono: lo shift in frequenza nei circuiti a banda stretta, il peggioramento del VSWR in ingresso ed in uscita, ed in generale la possibile eccitazione di onde
superficiali e di radiazione.
Qui di seguito sono forniti i circuiti equivalenti delle principali discontinuit in microstriscia; modelli approssimati per i parametri del circuito possono essere reperiti in letteratura, oltre ad essere implementati nella maggior parte dei programmi di
simulazione circuitale di circuiti a microonde. In generale si pu dire quanto segue:
Il circuito aperto o open end presenta un circuito equivalente formato da una
capacit parassita verso massa oppure da un allungamento equivalente della
linea. Di solito nei circuiti ibridi gli stub in circuito aperto si possono aggiustare attraverso trimming, permettendo cos di compensare eventualmente
effetti della discontinuit.
Il gap un effetto capacitivo fra corti circuiti adiacenti. un tipo di discontinuit spesso utilizzato come elementi di accoppiamento (ad esempio nei filtri
a risonatori accoppiati).
Il notch spesso utilizzato per realizzare una induttanza serie.
Lo step (salto di impedenza) ha luogo quando la linea passa da una impedenza
alta a bassa o viceversa.
Il bend o gomito ad angolo retto comune a causa della necessit di piegare
le linee in fase di layout; possibile compensare leffetto della discontinuti attraverso il cosiddetto chamfering, ossia il taglio di una parte esterna del
gomito, che ha lo scopo di ridurne la capacit verso massa.
La T junction o giunzione a T ha luogo ad esempio in una configurazione linea
pi stub. Anche qui possibile (ma non molto comune) la compensazione.
85
D is c o n tin u ita
C irc u ito e q u iv a le n te
[1 ]
O p e n e n d
[1 ]
[1 ]
G a p
[2 ]
[1 ]
[2 ]
[1 ]
C h a m fe re d
b e n d
[2 ]
[1 ]
[2 ]
[1 ]
S te p
[1 ]
[2 ]
[2 ]
[1 ]
[1 ]
[2 ]
T -ju n c tio n
[3 ]
[2 ]
[3 ]
Fig. 1.42 Discontinuit in microstriscia e circuiti equivalenti.
Layout ibrido in microstriscia

Un esempio di layout in microstriscia del circuito ibrido ottenuto riportato nella Figura 1.43; si noti la presenza del package metallico e dei connettori esterni da
microstriscia a coassiale.
86
D C
D C
F iltro p a s s a b a s s o
p e r a lim e n ta z io n e
R F -in
R F -o u t
C o n d e n s a to ri
d i d is a c c o p p ia m e n to
R id g e m e ta llic o
c o lle g a to a l p a c k a g e e a lla m a s s a
Fig. 1.43 Layout in microstriscia ibrido.
I segnali RF-in e RF-out che rappresentano lingresso e luscita per le radio frequenze
sono trasmessi allesterno tramite i due connettori, che sono realizzati in modo da collegare la microstriscia del circuito con il cavo coassiale esterno, come rappresentato
nella Figura 1.44. Lalimentazione in continua ottenuta attraverso un semplice filtro
passa-basso in cui linduttore serie ottenuto dalla induttanza parassita del bonding
wire. Il dispositivo e due condensatori di disaccoppiamento sono montati su un ridge
metallico collegato al package esterno; si tratta di una soluzione che permette di ottenere, in un circuito ibrido, una massa di buona qualit per gli elementi attivi e anche
un dissipatore termico efficace.
Il package del circuito ibrido pu assumere aspetti differenti. In molti casi si utilizza un package metallico chiuso; per necessario in certi casi per ridurre il Q del
package e smorzare risonanze parassite ricorrere a package dielettrici, eventualmente
metallizzati.
A differenza del layout in microstriscia, nel layout in coplanare le linee e i componenti sono circondati da un piano di massa. Un problema che i piani di massa a
sinistra e destra delle linee devono essere allo stesso potenziale, il che ottenuto tramite ponticelli distanziati al massimo di una lunghezza pari a g /8, come riportato
87
C o a s s ia le
C o a s s ia le
C o p la n a re
M ic ro s tris c ia
Fig. 1.44 Schema di connettore coassiale-microstriscia e coplanare-coassiale.

D C
D C
F iltro p a s s a b a s s o
p e r a lim e n ta z io n e
R F -in
P o n tic e lli d i m a s s a
R F -o u t
C o n d e n s a to ri
d i d is a c c o p p ia m e n to
S tu b o p e n
S tu b in c o rto
Fig. 1.45 Esempio di layout ibrido in coplanare.
in Figura 1.45. Si noti peraltro che i circuiti ibridi in coplanare sono abbastanza rari,
essendo la soluzione coplanare maggiormente indicata per i circuiti integrati. Nella
Figura 1.44 anche mostrato lo schema di un connettore coplanare-coassiale.
Problemi di layout ibrido

La realizzazione di circuiti ibridi a microonde solo in parte automatizzata. Esistono oggi strumenti CAD adatti alla ottimizzazione del circuito, e anche in grado di
88
presentare un layout automatico di massima. Tuttavia, la realizzazione automatica di

layout analogici presenta difficolt molto maggiori rispetto al caso digitale, perch i
vincoli geometrici fra elementi vicini sono influenzati da regole di progetto complesse
e in parte empiriche.
Un primo tipo di considerazioni riguarda la vicinanza fra elementi distribuiti: il circuito non pu essere compattato oltre una certa misura perch necessario evitare
accoppiamenti capacitivi fra elementi vicini. Ad esempio, due microstrisce devono
distare fra di loro almento circa due volte lo spessore del substrato per evitare un forte
accoppiamento capacitivo. Altri effetti che influenzano il layout sono la presenza di
possibili fonti di irradiazione elettromagnetica (ad esempio discontinuit) e di eccitazione di onde superficiali. Si tratta di effetti non sempre presenti, talvolta invocati per
spiegare il malfunzionamento di circuiti progettati in modo apparentemente corretto.
1.7.
I L LAYOUT
INTEGRATO A MICROONDE
I circuiti integrati a microonde presentano aspetti molto diversi a seconda del campo
di frequenza utilizzato. Per applicazioni fino a 10-15 GHz gli elementi distribuiti,
tipici dei circuiti ibridi, sono di solito sostituiti da componenti concentrati, molto pi
compatti in termini di area occupata; inoltre frequente impiegare elementi attivi per
realizzare ad esempio capacit. Al crescere della frequenza gli elementi concentrati
divengono a poco a poco meno convenienti, e gli elementi distribuiti si riducono di
dimensioni. Si pu pertanto dire che per circuiti integrati oltre i 30 GHz la struttura
prevalentemente distribuita, ed totalmente distribuita quando si passa al campo delle
onde millimetriche.
Esempi di layout integrato a microonde

La realizzazione di circuiti integrati a microonde presenta problemi notevoli, oggi in
parte risolti dalluso di strumenti CAD di progetto. In generale i circuiti integrati a
microonde sono circuiti di bassa o media complessit, di solito analogici; gli elementi
89
s e c o n d o liv e llo
m e ta lliz z a z io n e
c o n d e n s a to re
M IM
a ir b rid g e
lin e a d a 5 0 O h m
p rim o liv e llo

m e ta lliz z a z io n e
in d u tto re
re s is to re
a film s o ttile
a ir b rid g e
v ia h o le
n +
R e s is to re
im p ia n ta to
M E S F E T
S u b s tra to d i G a A s
p ia n o d i m a s s a
Fig. 1.46 Esempio di elementi di layout di un circuito integrato a microonde, sezionato

in corrispondenza di un via hole.
utilizzati sono di solito concentrati, mentre gli elementi attivi sono integrati nel substrato, che pu essere, a seconda del campo di frequenza, silicio, GaAs oppure InP
(per onde millimetriche). Luso di elementi distribuiti comune solo ad onde millimetriche, dato che per frequenze inferiori questi tendono ad essere troppo grandi
e a sprecare grandi quantit di superficie del semiconduttore. In generale, fra gli elementi concentrati, i resistori e condensatori (di solito realizzati con piste drogate o con
giunzioni Schottky) presentano le dimensioni geometriche minori, mentre gli induttori
presentano dimensioni notevoli. poi pi difficile o costoso realizzare certe strutture,
ad esempio i ponti in aria, che vanno costruiti mediante due livelli di metallizzazione
e sostituiscono i ponticelli di filo, vedi Figura 1.46.
Una panoramica di elementi attivi e passivi di un circuito integrato a microonde presentata nella Figura 1.46. In generale anche per i circuiti integrati si parte da un progetto con elementi ideali (ad esempio induttori, condensatori, resistori ideali), giungendo
cos ad una certa topologia circuitale (Fig. 1.47). Ultimata la fase di layout, si procede ad assegnare ad ogni elemento un circuito equivalente pi complesso, in modo
90
Fig. 1.47 Esempio di amplificatore integrato a pi stadi: progetto con elementi ideali.
Fig. 1.48 Esempio di amplificatore integrato a pi stadi: progetto con elementi reali.
da verificare la presenza e la importanza dei parametri parassiti; si ottiene cos il circuito con netlist modificata di Figura 1.48. Una volta ultimato il progetto si passa al
layout vero e proprio, vedi Figura 1.49; si noti la presenza di grossi induttori a spirale
necessari nelle sezioni di matching e nella alimentazione.
Per quanto i circuiti integrati a microonde coprano oggi prevalentemente il campo di
frequenze fino a circa 40 GHz, sono anche stati dimostrati circuiti integrati a frequenze
pi elevate, nel campo delle onde millimetriche (fino a 90 GHz). Molti circuiti per
onde millimetriche fanno uso di componenti coplanari, come mostrato nellesempio
di Figura 1.50.
91
Fig. 1.49 Esempio di amplificatore integrato a pi stadi: realizzazione finale del layout
integrato.
M E S F E T
R F in
R F o u t
Fig. 1.50 Realizzazione di circuito integrato a microonde in coplanare.
1.8.
C ONTENITORI
PER CIRCUITI IBRIDI E INTEGRATI A MICROONDE
Il contenitore (package o housing) una parte importante del circuito a microonde,

ibrido ed integrato. Al crescere della frequenza, il contenitore diventa sempre pi
parte integrante del circuito, e sempre meno trasparente in termini di trasmissione di
92
onde elettromagnetiche e di isolamento fra porte, a causa della accresciuta incidenza dei parametri parassiti e della natura distribuita delle interconnessioni fra linterno
e lesterno del contenitore. Il progetto elettrico del contenitore deve tenere conto del
possibile innesco di risonanze interne, per cui in molte applicazioni si preferisce ricorrere a contenitori a basso Q, ossia dielettrici. Infine il contenitore deve soddisfare
ad importanti requisiti di tipo non elettrico, il cui raggiungimento rende il progetto di
tali componenti difficile perch interdisciplinare.
I contenitori devono soddisfare a molteplici requisiti:
1. proteggere il circuito da agenti meccanici, chimici, elettrostatici;

2. assicurare la dissipazione di calore del circuito;
3. assicurare, come ovvio, la connessione elettrica del circuito al resto del
sistema;
4. non presentare, nella banda di frequenza di interesse, risonanze parassite in
grado di influenzare negativamente il funzionamento del circuito.
Si tenga presente che in un sistema anche mediamente complesso esistono pi livelli di contenitore: il contenitore del dispositivo, del circuito, del blocco funzionale, ed eventualmente del sistema. Contenitori di differenti livelli presentano problemi meccanici diversi. Ad esempio contenitori di sistemi devono poter essere facilmente rimossi ed aperti per manutenzione e riparazione, mentre i contenitori di
MMIC devono consentire il testing del circuito finale, ma possono essere poi sigillati in modo permanente. infine possibile che circuiti integrati a microonde
vengano montati on chip in circuiti ibridi (cfr. Fig. 1.51). Il package mostrato
di tipo metallico, con connettori esterni coassiali; un esempio di contenitore dielettrico a basso Q (ceramico multistrato con uscita in linea planare) mostrato in
Figura 1.52.
93
M M IC
S u b s tra to
ib rid o
C o n n e tto re
a lim e n ta z io n e
P a c k a g e
C o n n e tto re R F
c o a s s ia le
Fig. 1.51 Montaggio di circuiti integrati in circuiti ibridi.
C o p e rc h io
d e l p a c k a g e
P a c k a g e c e ra m ic o
C irc u ito ib rid o

o in te g ra to
B a se
m e ta llic a
C o n n e tto ri
R F
C o n n e tto ri
p e r l 'a l i m e n t a z i o n e
S u b s tra to d ie le ttric o
Fig. 1.52 Esempio di package ceramico per circuito integrato o ibrido.
94
A causa della complessit dellargomento e della grande variet dei tipi di contenitori
utilizzati, ci si limiter a dare alcune idee di base sui tre aspetti fondamentali del
progetto: quello elettrico, quello termico, e quello meccanico.
Comportamento elettrico dei contenitori

Dal punto di vista elettrico, un contenitore ad N -conduttori pu concepirsi come una
struttura a 2N porte, ciascuna porta essendo formata da una coppia conduttore-massa.
Si noti che ogni transizione (feedthrough) costituisce una coppia di porte. Il contenitore ideale dovrebbe essere trasparente, ossia essere adattato a ciascuna porta, garantire
trasmissione con sfasamento nullo fra le due porte di ogni transizione, e isolamento
infinito fra transizioni diverse. In pratica, si ha invece disadattamento crescente con
la frequenza, con conseguenti riflessioni, ed infine crosstalk fra le diverse transizioni.
La struttura della transizione dipende dal livello di contenitore considerato. Contenitori per dispositivi attivi o MMIC utilizzano transizioni basate su linee a microstriscia
o coplanari, compatibili cio con linserimento diretto in circuiti ibridi, e contenitori di tipo ceramico chiusi da coperchi ceramici o metallici (Fig. 1.53). Contenitori
di moduli o sistemi solitamente fanno uso di transizioni di tipo coassiale (Fig. 1.54,
Fig. 1.55) e contenitori metallici.
Dal punto di vista del comportamento elettrico, transizioni tipiche di contenitori ceramici per MMIC presentano parametri parassiti di minor entit di quelli delle transizioni coassiale-microstriscia o coassiale-coplanare; hanno inoltre una riproducibilit maggiore. Il circuito equivalente di una transizione coassiale-microstriscia o
coassiale-coplanare di tipo passa-basso (cfr. Fig. 1.56).
Il comportamento elettromagnetico del contenitore nel suo complesso peraltro notevolmente influenzato dal fatto che questo si comporta come una cavit risonante.
Contentitori per circuiti ibridi, di solito realizzati con materiali metallici, sono da questo punto di vista pi critici perch le maggiori dimensioni ed il maggior Q impongono
accorgimenti per evitare risonanze spurie. Contenitori per MMIC o dispositivi sono
spesso realizzati con materiali ceramici, che conducono ad un Q complessivo minore. Laccoppiamento con i modi del contenitore deve per essere tenuto in conto alle
frequenze pi elevate allo scopo di evitare risonanze spurie del circuito. Inoltre, le
95
C o p e rc h io c e ra m ic o
P a c k a g e c e ra m ic o
c o n tra n s iz io n e c o m p e n s a ta
M ic ro s tris c ia
s u a llu m in a
Fig. 1.53 Tipi di transizione in microstriscia in contenitori ceramici per MMIC.
pareti dei contentitori ceramici, essendo penetrabili, danno luogo alla formazione di
un risonatore dielettrico parassita, che pu essere eliminato metallizzando opportunamente le pareti del contenitore e le superfici di separazione fra il contenitore, la base
e il coperchio.
Contenitori: aspetti termici e meccanici

Come ovvio, problemi termici sono importanti soprattutto in quei circuiti che devono
trattare livelli elevati di potenza, o per quei dispositivi che, allinterno di un circuito
ibrido, lavorano ad alti livelli di potenza. A prescindere dalle consuete considerazioni sulla resistenza termica introdotta dal package in condizioni regolari, da tenere
presente come un problema pratico sia dato dalla eventuale presenza di cavit nella
lega impiegata per saldare la metallizzazione inferiore del circuito al contenitore. La
presenza di cavit causata da intrappolamento di gas, o dal fatto che le superfici di
attacco non sono state pulite in modo opportuno. Esistono tecniche diagnostiche ai
raggi X o acustiche che permettono di rivelare la presenza di cavit; in certi casi critici
pu essere necessario sottoporre a test tutti i circuiti prodotti.
Un altro problema di tipo termico-meccanico dato dal requisito che il coefficiente di
96
P a rtic o la re
c o n d u tto re in te rn o
c o a s s ia le
S u b s tra to
S tris c ia
S e z io n e d e l
p a c k a g e
C o n n e tto re c o n c o n ta tto a p re s s io n e
C o n n e tto re s a ld a to
C o n n e tto re a b a n d e lla
C o n n e tto re a filo (b o n d in g w ire )
Fig. 1.54 Transizioni coassiale-microstriscia: connessioni fra il conduttore interno ed

esterno.
espansione termica del contenitore sia tale da adattarsi al coefficiente di espansione

termica del circuito. Una soluzione al problema luso di materiali sinterizzati realizzati con polveri metalliche di tungsteno e rame. Variando la percentuale di rame fra il
10 ed il 25% possibile realizzare un adattamento quasi perfetto con i coefficienti di
espansione del GaAs o di altri substrati. Leghe di questo tipo (Thermkon xx) con coef-
97
T ra n s iz io n e in a ria
T ra n s iz io n e a ta p e r
T ra n s iz io n e a g ra d in o
T ra n s iz io n e a g ra d in o e rm e tic a
T ra n s iz io n e a g ra d in i m u ltip li
T ra n s iz io n e c o a s s ia le e c c e n tric a
Fig. 1.55 Transizioni fra coassiale 3/7 o connettore SMA e microstriscia su substrato
ceramico.
C o a s s ia le
T
1
T
2
T ra n s iz io n e
M ic ro s tris c ia
Fig. 1.56 Transizione coassiale-microstriscia e circuito equivalente.
ficienti di espansione graduati sono disponibili commercialmente.4 Dal punto di vista

meccanico i parametri significativi di un contenitore sono: il materiale (metallo, materiale ceramico, composito); le dimensioni; il numero di porte (polarizzazione, RF,
circuiti di controllo); il mezzo trasmissivo impiegato nelle interconnessioni (coassia-
I coefficienti di espansione di allumina e GaAs sono dellordine di 6-710 6/Co a temperatura

ambiente, quello del rame tre volte maggiore, quello del tungsteno minore (510 6/Co ).
Leghe di rame e tungsteno possono uguagliare il coefficiente di espansione dei substrati.
98
le, microstriscia, stripline, coplanare); il peso (relativamente al campo di applicazioni:

spaziale, aeronautico, o terrestre); il tipo di saldatura del coperchio e di montaggio
del circuito allinterno; il tipo di montaggio esterno (saldatura, collante epossidico,
montaggio con viti, montaggio superficiale). Nel complesso non esiste attualmente
standardizzazione generale dei contenitori, che fanno capo a due tipi diversi di tecnologie: quella metallica, proveniente dallambito dei circuiti ibridi, e quella ceramica,
originatasi nellambito dei circuiti integrati. Contenitori ceramici sono probabilmente
destinati a presentare un minore costo quando prodotti su vasta scala.
1.9.
Q UESITI
1. Un sistema radiomobile funziona a 1.8 GHz. In che banda di frequenza opera?

i. In banda D (nuova denominazione) o L (vecchia denominazione)
ii. In banda C sia nella nuova che nella vecchia denominazione
iii. In banda X (nuova denominazione) o Ka (vecchia).
2. Una linea di trasmissione presenta a 1 GHz una attenuazione di 0.5 dB/cm.
Quanto vale lattenuazione in Np/m?
3. Una linea di trasmissione con perdite trascurabili presenta una capacit per
unit di lunghezza di 1.2 pF/m e una induttanza per unit di lunghezza di
1.5 nH/m. Quanto vale limpedenza caratteristica?
i. Circa 50
ii. Circa 35
iii. Circa 2.5
4. Per il substrato di un circuito ibrido a microonde si pu utilizzare:
i. Allumina
ii. Arseniuro di gallio
iii. Vetro.
99
5. Lattenuazione di una microstriscia a frequenze tipiche delle microonde :

i. Proporzionale alla frequenza
ii. Circa costante in frequenza
iii. Circa proporzionale alla radice quadrata della frequenza.
6. In un circuito a microonde:
i. Lalimentazione deve essere separata dalla radiofrequenza
mediante opportuni filtri, detti T di alimentazione
ii. Non necessario separare lalimentazione, visto che questa
naturalmente separata da elementi parassiti
iii. Se il circuito di piccolo segnale,
non necessaria
lalimentazione.
7. Due linee di trasmissione planari sono caratterizzate dai parametri:impedenze
caratteristiche Z1 = 50 , Z2 = 100 ; resistenza per unit di lunghezza
R1 = 20 /m; R2 = 40 /m. Le attenuazioni 1 e 2 sono:
i. Uguali
ii. 1 maggiore
iii. 2 maggiore.
8. Due microstrisce hanno la stessa larghezza, la prima ha substrato di teflon,
la seconda di allumina. Lo spessore del substrato uguale. Limpedenza
caratteristica della linea su teflon , rispetto a quella su allumina:
i. Uguale
ii. Maggiore
iii. Minore.
9. Due microstrisce hanno la stessa larghezza e lo stesso materiale di substrato; il
substrato della prima spesso il doppio di quello della seconda. Limpedenza
caratteristica della prima linea , rispetto a quella della seconda:
100
i. Uguale
ii. Maggiore
iii. Minore.
10. Gli elementi passivi distribuiti:
i. Si utilizzano prevalentemente nei circuiti ibridi, a causa delle
dimensioni non trascurabili rispetto alla lunghezza donda
ii. Si utilizzano prevalentamente nei circuiti integrati, a causa delle
piccole dimensioni
iii. Si utilizzano solo nel campo delle onde millimetriche.
11. Il campo delle onde millimetriche:
i. Comprende frequenze superiori a 30 GHz circa
ii. Comprende frequenza inferiori a 30 GHz circa
iii. Comprende frequenze superiori a 100 GHz.
12. A parit di altre dimensioni geometriche, la frequenza massima di impiego di
una microstriscia :
i. Maggiore per substrati sottili
ii. Minore per substrati sottili
iii. Indipendente dallo spessore del substrato.
13. La realizzazione di stub in corto in microstriscia , rispetto a quelli in circuito
aperto:
i. Meno conveniente perch richiede un foro nel substrato
ii. Meno conveniente, perch gli stub in corto irradiano
iii. Pi conveniente, perch gli stub in aperto irradiano e non sono
trimmabili.
14. Una linea in microstriscia consente:
101
i. Facile inserzione di elementi in serie

ii. Facile inserzione di elementi in parallelo
iii. Facile inserzione di elementi in serie e parallelo.
15. Una linea coplanare consente:
i. Facile inserzione di elementi in serie
ii. Facile inserzione di elementi in parallelo
iii. Facile inserzione di elementi in serie e parallelo.
16. Discutere alcuni esempi di discontinuit in microstriscia.
17. Una microstriscia ha una capacit per unit di lunghezza di 1.2 pF/m con
dielettrici e di 0.5 pF/m in aria. Lindice di rifrazione efficace vale:
i. Circa 1. 55
ii. Circa 0.55
iii. Circa 2.4
18. Spiegare per quale motivo gli induttori per circuiti integrati a microonde non
fanno uso di nuclei magnetici.
19. Una linea coplanare richiede:

i. Collegamenti periodici fra i piani di massa laterali in modo da
mantenerli equipotenziali
ii. Piani di massa laterali collegati ad una massa inferiore mediante
fori passanti (via holes)
iii. I piani di massa laterali sono equipotenziali in virt del tipo di
modo che si propaga.
20. Illustrare vantaggi e svantaggi delle linee coplanari rispetto alle microstrisce.
21. Una linea in microstriscia:
i. Porta un modo quasi-TEM
102
ii. Porta un modo TE

iii. Porta un modo TEM.
22. La differenza fondamentale fra un modo TEM e un modo quasi-TEM sta nel
fatto che:
i. Il modo quasi-TEM presenta una permettivit efficace dipendente
dalla frequenza anche in assenza di perdite
ii. Il modo quasi-TEM presenta perdite
iii. Il modo quasi-TEM si propaga anche in presenza di dielettrici.
23. Alla frequenza di 1 GHz, un modo quasi-TEM con permettivit efficace pari a
4 ha una lunghezza donda di:
i. 75 mm
ii. 300 mm
iii. 150 mm.
24. Una microstriscia su substrato con r = 10 ha una permettivit efficace:
i. Un p maggiore di 5.5
ii. Di poco superiore a 1
iii. Circa uguale a 10.
25. Un induttore a ferro di cavallo ha, relativamente ad un induttore a striscia di
pari lunghezza:
i. Induttanza maggiore
ii. Induttanza minore
iii. Induttanza uguale.
103
2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E

STABILIT
2.1.
R ICHIAMI
SUI PARAMETRI SCATTERING
Onde di potenza
Si consideri un n-porte (cio un componente dotato di n coppie di morsetti) lineare (vedi Fig. 2.1). Si noti che nella definizione di tensioni e correnti si impiegata
la convenzione degli utilizzatori. In regime sinusoidale lo stato elettrico del sistema
definito dai fasori della tensione e della corrente di ciascuna porta k, Vk e Ik . Nel
campo delle microonde utile associare ad ogni porta una impedenza di normalizzazione Z0k (arbitraria purch con parte reale positiva), e introdurre le grandezze ak e
bk , dette onde di potenza, combinazione lineare di Vk e Ik :
Vk + Z0k Ik

ak =
2 (Z0k )
bk
Ik
Vk Z0k

.
2 (Z0k )
2.1
Invertendo il sistema ( 2.1) si ha:
(Z0k
ak + Z0k bk )
Vk =
(Z0k )
Ik
1
(ak bk ) .
(Z0k )
2.2
La definizione di ak e bk come onde di potenza deriva dalla teoria delle linee di trasmissione. In una linea con impedenza caratteristica Z si propagano infatti due
105
2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT
onde, progressiva e regressiva, con tensioni e correnti (V + , V ) e (I + , I ), rispettivamente. Le tensioni e correnti progressiva o regressiva sono legate dalle relazioni
dimpedenza:
V+
V
Z I +
= Z I .
2.3
mentre la tensione e la corrente totale si ottengono sovrapponendo le onde progressive

e regressive:
V
I
= V+ +V
= I+ + I .
2.4
La potenza transitante sulla linea infine data da:

P = (V I ) = |V + |2 /Z |V |2 /Z
Confrontando le 2.4 con le 2.2 immediato associare (nellipotesi che Z0k Z sia
reale), le onde di potenza alle tensioni progressiva e regressiva, normalizzate:

ak = Vk+ / Z0k , bk = Vk / Z0k ;
si ha anche per la potenza (attiva o media) totale entrante nella porta k (transitante
nella linea):
Pk = (Vk Ik ) = |Vk+ |2 /Z |Vk |2 /Z = |ak |2 |bk |2 ;
2.5
si ha quindi che ak legato alla potenza incidente, bk alla potenza riflessa, da cui il
nome onde di potenza. Si noti che in una linea di trasmissione le onde progressive e
regressive esistono fisicamente (in quanto vi un fenomeno di propagazione) e possono essere associate alle onde di potenza; in un n-porte lassociazione solo formale,
e pertanto limpedenza di normalizzazione Z0k arbitraria e pu cambiare da porta a
porta. Le 2.1 sono state definite in modo che la 2.5 valga anche se Z0k complessa.
In pratica Z0k si assume di solito reale positiva; dora innanzi si far riferimento a questa scelta e si parler di resistenze di normalizzazione R0k . In questo caso le 2.1 e 2.2
divengono:
106
k + 1
I
n
p o rta 1
1
p o rta (k + 1 )
V
k + 1
n -p o rte
I
k
V
k
p o rta n
p o rta k
V
n
Fig. 2.1 n-porte lineare.
e:
ak
bk
Vk
Ik
Vk + R0k Ik
2 R0k
Vk R0k Ik
2 R0k

= (ak + bk ) R0k
ak b k
=
.
R0k
2.6
2.7
Per quanto riguarda la potenza entrante nella porta k vale sempre la 2.5.
Si osservi dalla 2.6 che se Vk = R0k Ik , allora ak = 0. Questo accade se la porta
k chiusa su una resistenza pari a quella di normalizzazione; si parla in tal caso di
adattamento di conformit o pi in breve di adattamento (che non implica necessariamente adattamento energetico, ossia massimo trasferimento di potenza). In queste
condizioni, risulta anche:

bk = Vk / R0k ,
2.8
per cui bk dipende unicamente dalla tensione alla porta k, non dalla corrente.
107
Relazione costitutiva di un n-porte in termini di onde di potenza

Si consideri per generalit un n-porte autonomo, in cui cio il vettore delle tensioni
a vuoto V 0 o quello delle correnti di cortocircuito I0 diverso da zero; il caso non
autonomo si ottiene annullando i due vettori. Lo stato elettrico dello n-porte dato
dai vettori dei fasori delle tensioni e correnti alle porte:
V1
I1
V
I
2
2
,
I
=
V =
.
.
.
Vn
In
Se lo n-porte lineare e non autonomo, i vettori delle tensioni e correnti sono legati
dalla relazione lineare:
V = ZI + V 0
2.9
detta rappresentazione serie dello n-porte, in cui Z la matrice impedenza e V 0 il

vettore delle tensioni a vuoto; analogamente possibile scrivere la rappresentazione
parallelo:
I = YV + I 0
2.10
in cui Y la matrice ammettenza e I 0 il vettore delle correnti di cortocircuito (positive

entranti nella porta). Non sempre entrambe le rappresentazioni sono definite, in quanto
le matrici impedenza o ammettenza possono essere singolari.
Introduciamo ora i vettori delle onde di potenza a e b e la matrice diagonale delle
resistenze di normalizzazione R0 in cui lelemento di posto (k, k) la resistenza di
normalizzazione R0k alla porta k:
a1
b1
R01
a
b
0
2
2
.
.
.
a=
, b =
, R0 =
ak
bk
.
.
.
.
an
bn
0
108
R02
R0k
0 R0n
Le onde di potenza a e b sono legate da una relazione lineare che pu essere trovata
come segue. Le 2.7 possono essere scritte in forma matriciale come:
V = R1/2 (a + b)
0
I = R1/2 (a b) .
2.11
1/2
Essendo R0 diagonale, anche R0

2.9,
1/2
e R0
saranno diagonali. Sostituendo nella
si ottiene:
1/2
1/2
R0
(a + b) = ZR0
(a b) + V 0
2.12
da cui:
b
1/2
(R0
1/2
ZR0
1/2
+(R0
1/2
+ I )1 (R0
1/2
ZR0
1/2
ZR0
1/2
+ I )1 R0
I )a
V0 .
e si trova quindi la relazione costitutiva del n-polo in termini di onde di potenza:

b = Sa + b0 .
2.13
in cui si definita la matrice scattering S come:

1/2
(R0
(R0
R0
R0
1/2
1/2
1/2
+ I )1 (R0
1/2
I )(R0
ZR0
ZR0
1/2
1/2
1/2
ZR0
1/2
ZR0
1/2
(Z + R0 )1 (Z R0 )R0
1/2
(Z R0 )(Z + R0 )1 R0
1/2
I) =
+ I )1 =
=
.
2.14
La prima e la seconda della 2.14, e quindi anche la terza e la quarta, sono equivalenti
poich i fattori che compaiono commutano in quanto funzioni della stessa matrice. Si
ottiene poi il vettore dei generatori di onda progressiva b0 come:
1/2
b0 (R0
1/2
ZR0
1/2
+ I )1 R0
1/2
V 0 = R0
(Z + R0 )1 V 0 .
2.15
Nel caso in cui lo n-porte si riduca ad un bipolo (n = 1) le due equazioni precedenti

divengono:
S=
Z R0
Z + R0
2.16
e:
109
1 b
1 a
I
V
k a
V
I
k a
n -p o rte
(a )
ib
V
V
ja
I
V
n a
ja
1 a
(j+ l)a
k b
m b
ib
m -p o rte
(b )
(i+ l)b
(j+ l)a
1 b
(i+ l)b
k b
n a
m b
Fig. 2.2 Connessione di due n-porte.
b0 =
R0
V0
Z + R0
2.17
ossia S il coefficiente di riflessione di Z rispetto alla resistenza di normalizzazione.

La matrice delle resistenze di normalizzazione R0 arbitraria purch non singolare;
fra le scelte possibili vi sono:
1. matrice diagonale reale in cui gli elementi sulla diagonale non sono
necessariamente uguali;
2. R0 = R0 I ; tutte le porte hanno la stessa resistenza di normalizzazione R0 ;
3. R0 = R0 I , con R0 = 50 : la scelta pi usuale.
Nel caso, molto comune in pratica, in cui la resistenza di normalizzazione R0 = 1/G0
uguale a tutte le porte la relazione fra matrice impedenza e matrice scattering si
semplifica e diviene analoga al caso scalare; si ha cio:
S = (Z R0 I)(Z R0 I)1 = (G0 I Y)(G0 I + Y)1 .
2.18
Nelle tabelle 2.1 e 2.2 sono riportate le formule dirette di conversione fra i parametri
impedenza, ammettenza e ibridi per un due porte avente resistenza di normalizzazione
110
1 a
b
b
1 a
b
a
k a
k a
n -p o rte
(a )
(j+ 1 )a
(j+ 1 )a
1 b
ib
m -p o rte
(b )
b
ib
ja
a
n a
ja
1 b
k b
k b
(i+ 1 )b
(i+ 1 )b
m b
n a
m b
Fig. 2.3 Connessione di due n-porte in termini di parametri scattering.
R0 a entrambe le porte. Si noti che per uniformit si sono indicati con H i parametri
ibridi non normalizzati, con h quelli normalizzati.
Soluzione di reti in termini di onde di potenza

Si consideri una rete contenente l lati e n nodi. Da un punto di vista topologico i
bipoli (ossia gli elementi aventi una porta) costituiscono un lato, gli n-poli forniscono
n 1 lati che connettono ciascuno dei poli con il polo di riferimento, le strutture a
n-porte equivalgono a n lati. Tenendo presente che un n-polo caratterizzato da n 1
correnti entranti in tutti i poli salvo il polo di riferimento, e da n 1 tensioni dei poli
rispetto al riferimento, mentre un n-porta caratterizzato dalle n tensioni alle porte e
dalle n correnti entranti nelle porte, il numero di relazioni costitutive tensione-corrente
introdotte da n-poli e n-porte sempre pari al numero dei lati equivalenti.
La soluzione di una rete con l lati e n nodi in termini delle tensioni e correnti di lato
richiede di valutare, note le relazioni costitutive degli elementi e la topologia, l tensioni
di lato Vi e l correnti di lato Ii , in tutto 2l incognite. Le equazioni a disposizione sono,
come noto dalla teoria dei circuiti, n relazioni costitutive (di bipoli, m-poli o m-porte),
n 1 bilanci di correnti (equazioni di Kirchhoff delle correnti) e l n + 1 bilanci
di tensione (equazioni di Kirchhoff delle tensioni). In tutto le equazioni di Kirchhoff,
dette topologiche in quanto dipendono solo dalla struttura della rete, non dal valore dei
111
S11 =
(z11 1) (z22 + 1) z12 z21

(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21
S12 =
2z12
(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21
S21 =
2z21
(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21
S22 =
(z11 + 1) (z22 1) z12 z21

(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21
S11 =
(1 y11 ) (1 + y22 ) + y12 y21

(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21
S12 =
2y12
(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21
S21 =
2y21
(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21
S22 =
(1 + y11 ) (1 y22 ) + y12 y21

(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21
S11 =
(h11 1) (h22 + 1) h12 h21

(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21
S12 =
2h12
(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21
S21 =
2h21
(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21
S22 =
(1 + h11 ) (1 h22 ) + h12 h21

(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21
Tab. 2.1 Conversione fra parametri Z, Y e H e parametri scattering per un due-porte

con resistenza di normalizzazione R0 alle due porte. Si ha zij = Zij /R0 , yij = Yij R0 ,
h11 = H11 /R0 , h22 = H22 R0 , h12 = H12, h21 = H21 .
singoli elementi, forniscono quindi n equazioni. Linsieme delle relazioni costitutive

e topologiche fornisce quindi complessivamente 2n equazioni, e il problema quindi
in generale ben posto.
Passiamo ora a considerare una rete formata dalla interconnessione di bipoli e
m-porte. Si suppone che gli n-poli eventualmente presenti siano trasformati in mporte con m = n 1 introducendo un insieme di porte equivalenti formate da ciascuno dei poli e dal polo di riferimento.1 Supponiamo che il numero totale di porte di
tutti gli elementi che compongono la rete (numero totale dei lati equivalenti) sia pari
Il passaggio ad una struttura formata dalla interconnessione di m-porte utile in vista della
introduzione delle onde di potenza, associate al concetto di porta.
112
z11 =
(1 + S11 ) (1 S22 ) + S12 S21

(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21
z12 =
2S12
(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21
z21 =
2S21
(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21
z22 =
(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21

(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21
y11 =
(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21

(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21
y12 =
2S12
(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21
y21 =
2S21
(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21
y22 =
(1 + S11 ) (1 S22 ) + S12 S21

(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21
h11 =
(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21

(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21
h12 =
2S12
(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21
h21 =
2S21
(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21
h22 =
(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21

(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21
Tab. 2.2 Conversione fra parametri scattering e parametri Z, Y e H per un due-porte

con resistenza di normalizzazione R0 alle due porte. Si ha zij = Zij /R0 , yij = Yij R0 ,
h11 = H11 /R0 , h22 = H22 R0 , h12 = H12, h21 = H21 .
a l, e che gli m-porte siano collegati (per semplicit) mediante linterconnessione di

porte a due a due (Fig. 2.2), come accade ad esempio nel caso di reti formate da connessione in cascata di due-porte. La connessione di due porte comporta, dalle leggi di
Kirchhoff su tensioni e correnti, il vincolo:
V
ja =
Ija =
Vib
Iib .
2.19
In altri termini, la corrente uscente da una porta pari alla corrente entrante nella
porta connessa, la tensione alle porte connesse uguale. Per ogni coppia di porte
connesse vi sono quindi due equazioni topologiche, e pertanto in totale vi saranno
2 l/2 = l equazioni topologiche, che rendono, insieme alle relazioni costitutive,
il problema ben posto.
113
Lo stesso problema pu essere trattato introducendo come incognita le onde di potenza. In una rete formata dalla interconnessione di un totale di l porte vi sono 2l
incognite, le onde di potenza entranti e uscenti in ciascuna porta. Le relazioni costituive di tipo 2.13 forniscono in tutto l relazioni lineari; l relazioni topologiche possono
essere ottenute esprimendo le 2.19 in termini di onde di potenza. Dalla definizione di
onde di potenza alle porte i e j, connesse insieme, si deduce immediatamente che:

R0ja(aja + bja) =
R0ib(aib + bib )

(aja bja)/ R0ja
da cui, risolvendo:
aja
bja
R0ja + R0ib

a
2 R0jaR0ib
ib
R0ja R0ib
bib

2 R0jaR0ib
R0ja R0ib

2 R0jaR0ib

=

R0ja + R0ib

2 R0jaR0ib
2.20
(aib bib )/ R0ib
2.21
Nel caso particolare in cui le resistenze di normalizzazione sono uguali per la porta i
e j, la 2.21 si riduce a:
a
ja
bja
bib
aib
2.22
ossia le onde di potenza sono continue attraverso la porta di interconnessione. In

generale, pertanto, ogni coppia di porte connesse fornisce due relazioni topologiche
relative alla (dis)continuit delle onde di potenza; in tutto vi sono quindi 2 l/2 = l
relazioni topologiche, che rendono ben posto il problema. In conclusione, pertanto, il
numero di equazioni necessario a risolvere una rete composta dalla interconnessione
di n-porte pari al numero delle incognite, ossia pari al doppio del numero totale di
porte interconnesse.
Trasformatore di impedenza
Il problema della interconnessione di due strutture a n-porte pu essere riformulato
in modo circuitalmente pi semplice, nel caso in cui le impedenze di normalizzazione
delle porte connesse non siano uguali, attraverso lintroduzione di un elemento ideale
detto trasformatore di impedenza, che coincide con un trasformatore ideale di rappor114
1 a
1 a
k a
b
a
n a
ja
(j+ 1 )a
1 b
ib
(i+ 1 )b
k b
1 :1
n a
k b
(i+ 1 )b
(j+ 1 )a
1 b
ib
m -p o rte
(b )
n -p o rte
(a )
k a
ja
a
a
1 :1
b
m b
m b
Fig. 2.4 Connessione di due n-porte aumentata con trasformatori di impedenza.
to di trasformazione unitario. Consideriamo ad esempio uno n-porte e uno m-porte e

supponiamo di voler valutare la matrice scattering della struttura ottenuta connettendo insieme l porte delle due strutture, in modo da ottenere uno (n + m 2l)-porte
(Fig. 2.3). Piuttosto che connettere direttamente le porte i e j aventi impedenze di normalizzazione diverse, possibile interporre fra di esse, senza modificare il circuito, un
trasformatore ideale di rapporto di trasformazione unitario la cui matrice scattering
pu essere definita utilizzando come resistenza di normalizzazione di ciascuna porta la stessa resistenza di normalizzazione della porta cui questa connessa. Nel caso
ad esempio delle porte connesse i e j di Figura 2.2, questo equivale a scegliere per il
trasformatore ideale la resistenza R0ja per la porta che si connette alla porta j dello
n-porte a e a R0ib per quella che va collegata alla porta i dello m-porte b. In questo modo si ottiene un rete aumentata (Fig. 2.4) in cui per le porte connesse sono
caratterizzate tutte dalla stessa resistenza di normalizzazione.
La matrice scattering del trasformatore si ricava immediatamente dalle 2.21; tenendo presente che le onde entranti nelle porte connesse sono in realt uscenti dal
trasformatore, e viceversa, la matrice scattering del trasformatore si scrive:

2 R0jaR0ib
R0ib R0ja
R +R
aja
b
ja
R
+
R
0ib
0ja
0ja
0ib
=
.
2 R0jaR0ib R0ja R0ib

a
b
ib
2.23
ib
R0ja + R0ib
R0ja + R0ib
Il risultato si pu anche ottenere in modo diretto, come discusso nellEsempio 2.1.
115
ESEMPIO 2.1
Un trasformatore ideale di rapporto di trasformazione t ha equazioni:

V1 = tV2
2.24
1
I1 = I2 .
t
2.25
Ricavare in modo diretto la matrice scattering.
Dalla definizione delle onde di potenza si ha:

V1 = (a1 + b1 )
R01
2.26
1
R01
2.27
R02
2.28
1
R02
2.29
I1 = (a1 b1 )
V2 = (a2 + b2 )
I2 = (a2 b2 )
e, sostituendo nelle equazioni costitutive del trasformatore:

(a1 + b1 )
R01 = t (a2 + b2 )
R02
1 a2 b2
a1 b1
=
t
R01
R02
da cui, risolvendo rispetto a b1 e b2 , si ottiene finalmente:
t2 R02 R01
2t R01 R02
a1 + 2
a2
b1 = 2
t R02 + R01
t R02 + R01
2t R01 R02
R01 t2 R02
b2 = 2
a1 + 2
a2
t R02 + R01
t R02 + R01
2.30
2.31
2.32
2.33
che coincide, per t = 1, con il risultato trovato in precedenza.
Circuito equivalente con onde di potenza

Cos come possibile dalle 2.9 e 2.10 derivare un circuito equivalente (Fig. 2.5), allo stesso modo si pu definire una rappresentazione circuitale equivalente alla 2.13, in
cui le grandezze che compaiono sono le onde di potenza a e b. Per fare questo occorre introdurre un componente chiamato generatore di onda progressiva (o regressiva)
mostrato insieme alle sue relazioni costitutive in Figura 2.6.
116
V
+
0 1
0 k + 1
V
1
+
k
0 k
Z
V
0 n
I
V
I
1
0 1
V
I
0 k
k + 1
0 k + 1
k + 1
k + 1
k + 1
0 n
V
k
Fig. 2.5 Circuiti equivalenti serie e parallelo di un n-porte.
a
a
b
0
a
1
45 b
6
= a
= a
a
2
2
b
1
45 b
6b
1
a
1
+ a
= a
= a
+ b
Fig. 2.6 Generatori di onda progressiva (a sinistra) e regressiva (a destra).
Risulta immediato derivare il circuito equivalente di un n-porte in termini di onde di

potenza e matrice scattering (vedi Fig. 2.7).
Le relazioni 2.14 e 2.15 permettono di calcolare, fissata R0 , la matrice scattering S
e il vettore dei generatori di onda progressiva b0 dalla matrice impedenza Z e dal
vettore delle tensioni a vuoto V 0 . Relazioni analoghe esistono a partire dalla matrice
ammettenza e dal vettore delle correnti di cortocircuito.
tuttavia possibile determinare S e b0 direttamente, a partire dalla loro definizione.
Dalla 2.13 si ottiene che b = b0 quando a = 0. Questultimo risultato si ottiene quando
tutte le porte sono chiuse sulla loro impedenza di normalizzazione. Gli elementi del
vettore b0 si determinano dalle tensioni totali alle porte cos caricate; dalla 2.8 risulta
quindi:
Vi
b0i =
.
R0i
2.34
117
b
a
0 1
0 k + 1
a
1
b
1
b
a
b
k + 1
0 k
S
b
k + 1
0 n
a
k
Fig. 2.7 Circuito equivalente con onde di potenza.
Supponiamo ora di annullare b0 spegnendo tutti i generatori indipendenti interni allo

n-porte in modo da ottenere uno n-porte non autonomo. In questo caso dalla 2.13 si
ottiene b = Sa. Per i singoli elementi di S si ha:

bi
Sij =
aj ak =0k=j
2.35
La condizione ak = 0 k = j si ottiene chiudendo tutte le porte, salvo la j-esima,

sulla corrispondente resistenza di normalizzazione, e alimentando con un generatore
reale (di resistenza interna che conveniente scegliere pari alla relativa resistenza di
normalizzazione) la porta j-esima (cfr. Fig. 2.8). Lelemento diagonale Sii si ricava
immediatamente dalla 2.35 come il coefficiente di riflessione alla porta i quando tutte
le altre porte sono chiuse sulla loro resistenza di normalizzazione. Si ha cio:
Sii i =
bi
Zi R0i
G0i Yi
=
=
ai
Zi + R0i
G0i + Yi
2.36
in cui G0i = 1/R0i la conduttanza di normalizzazione della porta i e Yi lammettenza del bipolo individuato chiudendo tutte le porte a eccezione della i-esima sulle
corrispondenti resistenze di normalizzazione.
118
a i= 0
0 1
a 1= 0
0 j
0 j
=
+
a
0 i
0 n
S
a n= 0
b
j
Fig. 2.8 Circuito per il calcolo degli elementi (fuori diagonale) della matrice scattering.
Per quanto riguarda gli elementi fuori diagonale della matrice scattering, questi sono
legati alla trasmissione del segnale da una porta allaltra. Per identificarli, si consideri
il circuito in Figura 2.8. Londa di potenza bG uscente dal generatore connesso alla
porta j si ricava dalla 2.17 ponendo Z = R0 :

bG = V0j /2 R0j ;
ma tale onda coincide con londa entrante nella porta j, per cui:

aj = bG = V0j /2 R0j .
2.37
Si ha anche, dalla 2.8:

Vi
bi |ak =0k=j =
R0i
2.38
in definitiva quindi:
Sij |i=j

R0j
bi
Vi
=
=2
.

aj ak =0k=j
V0j R0i
2.39
Per valutare gli elementi fuori diagonale di S quindi necessario valutare rapporti di
tensione con i classici metodi dellelettrotecnica.
119
a '1
b '1
S '
a '2
b "
b '2
a "
=
1
a "
S "
b "
2
2
Fig. 2.9 Due n-porte in cascata.
Connessione in cascata doppi bipoli non autonomi

La connessione in cascata di due-porte (Fig. 2.9) risulta assai frequente nei sistemi a
microonde, soprattutto quelli realizzati in tecnologia ibrida. Luso della matrice scattering per valutare le propriet di due-porte connessi in cascata non per conveniente,
ed preferibile ricorrere ad una rappresentazione alternativa detta matrice di trasmissione T (si noti che questa differisce dalla matrice di trasmissione definita in termini
di tensioni e correnti, essendo definita in termini di onde di potenza). T collega le
onde di potenza alla porta di uscita a quelle alla porta di ingresso:
b2
a1
=T
.
b1
a2
2.40
Nel caso in cui la resistenza di normalizzazione sia la stessa per tutte le porte dei
due-porte collegati, si ha a1 = b2 e anche a2 = b1 , ma valgono anche le relazioni:

a1
b
= T 2 ,

b1
a2
e analogamente:
a1
b1
Se ne conclude che:
b2
a1
= T
b1
a2
120
= T
= T
b2
a2
a1
b1
= T T
b2
a2
da cui risulta che la matrice di trasmissione della cascata di due due-porte T data
dal prodotto di quelle dei singoli due-porte. Il procedimento si pu iterare in modo da
calcolare la matrice di trasmissione della cascata di un numero qualsiasi di due-porte.
immediato ricavare i parametri della matrice di trasmissione da quelli della matrice
scattering; si ottiene:
T =
1
S21
S11
S22
S
2.41
ove si indicato con S il determinante della matrice scattering. Analogamente di

ottiene:
1 T21
S=
T11
1
T
T12
2.42
in cui T il determinante di T .
Si noti che possibile definire, in modo equivalente, una matrice trasmissione da
sinistra a destra piuttosto che, come si fatto, da destra a sinistra. Le due matrici
possono essere indicate simbolicamente come T e T T , rispettivamente, e sono

luna linversa dellaltra.
ESEMPIO 2.2
Nota la matrice di trasmissione T di un due-porte, calcolare la matrice di trasmissione del
due-porte ottenuto scambiando la porta di uscita con quella di ingresso.
Dalla definizione:
a1

=
b1
T11
T12
T21
T22

b

2
a2
ma scambiare la porte significa costruire un nuovo due-porte con matrice di trasmissione T e

onde di potenza a1 = a2 , a2 = a1 , b1 = b2 , b2 = b1 . Invertendo lequazione precedente e
sostituendo le onde di potenza si ottiene:
121
b1
(T22 /T )a2 (T12 /T )b2
a1
(T21 /T )a2 + (T11 /T )b2
ove T il determinante di T . Riordinando le due equazioni si ottiene infine:
a1
b1

=
T11 /T
T21 /T
T12 /T
T22 /T

b
.

2
a2

Si ha quindi in definitiva: T11
= T11 /T , T12
= T21 /T , T21
= T12 /T , T22
=
T22 /T . immediato notare come la matrice cos ottenuta non sia altro che linversa di T ,
con gli elementi scambiati di posto secondo la legge seguente:

= (T 1 )ji
Tij
i, j = 1, 2.
Potenza, reciprocit e reattivit

Si dimostrato nella 2.5 che la potenza entrante nella porta k si pu esprimere in
funzione delle onde di potenza; la potenza totale Ptot entrante in uno n-porte sar
quindi:
Ptot =
n

k=1
Pk =
n

(|ak |2 |bk |2 ) = aT a bT b ,
2.43
k=1
in cui il simbolo T indica loperazione di trasposizione. Se il circuito non autonomo

b = Sa; sostituendo nella 2.43 si ottiene:
Ptot = aT (I ST S)a .
2.44
La potenza dissipata da uno n-porte reattivo nulla e quindi Ptot = 0 qualunque siano
le eccitazioni. Dalla 2.44 si deduce quindi che per uno n-porte non autonomo e reattivo
ST S I = 0, e perci:
S1 = ST
2.45
cio la matrice scattering di un n-porte reattivo hermitiana.

La condizione di reciprocit in termini di matrice impedenza implica:
Z = ZT
122
2.46
ma utilizzando la 2.14 si trova:

Z = R1/2 (I S)1 (I + S)R1/2
2.47
e quindi, tenendo conto che R1/2 diagonale e quindi R1/2 = (R1/2 )T , si ha:
ZT = R1/2 (I + ST )(I ST )1 R1/2 .
2.48
Sostituendo le 2.47 e 2.48 nella 2.46 si ottiene:

(I S)1 (I + S) = (I + ST )(I ST )1
cio
(I + ST )1 (I S)1 (I + S)(I ST ) = I
ossia:
(I + S)(I ST ) = (I S)(I + ST )
e infine:
S = ST .
2.49
La condizione di reciprocit dello n-porte basata sulla matrice scattering la stessa di

quella relativa alle matrici Z e Y, ossia S deve essere simmetrica. Nel caso infine di
due-porte reciproco e reattivo verificata la 2.45 e quindi:
S1 = S .
2.50
ESEMPIO 2.3
Esplicitare le relazioni fra i parametri scattering di un due-porte reattivo e reciproco.
Dalla 2.50 si ottiene:

SS = I
ossia, sviluppando il prodotto:
123
I
G
+
V
0
Z
L
Fig. 2.10 Calcolo della potenza sul carico.
|S11 |2 + |S12 |2 = 1
+ S12 S22
=0
S11 S12
S12 S11
+ S22 S12
=0
|S22 |2 + |S12 |2 = 1
da cui S11 e S22 hanno modulo uguale (si noti che la seconda e terza equazione sono
equivalenti). Questo consente di scrivere un vincolo sulle fasi:
11 12 = 22 + 12 + n,
con n dispari, ossia:
11 + 22 = 212 + n.
2.2.
T RASFERIMENTO
DI POTENZA GENERATORE - CARICO IN UN BIPOLO
CARICATO
Si consideri un circuito formato da generatore reale e carico come riportato in

Figura 2.10; la potenza assorbita dal carico PL si scrive, tenendo presente che ZL =
RL + jXL :
PL = (VL IL ) = |V0 |2
124
RL
.
|ZG + ZL |2
2.51
Il massimo della potenza erogata al carico si ha in condizioni di adattamento

energetico, ossia quando:
.
ZL = ZG
2.52
(cfr. Es. 2.4); tale massimo vale:

Pdisp =
|V0 |2
4RG
2.53
detta potenza disponibile del generatore.
ESEMPIO 2.4
Dimostrare le 2.52 e 2.53.
Per trovare il massimo di PL al variare di ZL occorre annullarne il gradiente rispetto alla
parte reale e immaginaria dellimpedenza di carico:

PL
RL
|V0 |2
|ZG + ZL |2 2RL (RL + RG )

=0
|ZG + ZL |4
PL
XL
|V0 |2
2RL (XL + XG )
=0
|ZG + ZL |4
dalla seconda equazione XL = XG ; sostituendo nella prima si trova RL = RG e quindi la

condizione di massimo trasferimento di potenza :
.
ZL = ZG
2.54
Sostituendo nella 2.51 si trova la massima potenza erogabile dal generatore:

Pdisp =
|V0 |2
.
4RG
2.55
Allo stesso risultato si perviene utilizzando come grandezze descrittive le onde di potenza. Il circuito in Figura 2.10 la connessione di due 1-porta, il generatore reale
125
a
G
b
L
b
G
a
L
G
L
Fig. 2.11 Calcolo della potenza sul carico mediante circuito a onde di potenza.
e limpedenza di carico ZL . Per semplicit, supponiamo che la resistenza di normalizzazione sia la stessa per entrambi gli 1-porta; si pu allora rappresentare il circuito
come in Figura 2.11. La matrice scattering del generatore e del carico coincide con
i relativi coefficienti di riflessione ed indicato con G e L , rispettivamente. Le
grandezze in Figura 2.11 sono date da:
G =
L =
b0 =
ZG R0
ZG + R0
ZL R0
ZL + R0
2.56
R0
V0
.
ZG + R0
Le prime due relazioni derivano dalla 2.36, mentre quella che definisce b0 si pu ricavare dalla 2.15. La potenza PL sul carico si ottiene tenendo presente che il circuito
di Figura 2.11 ammette due relazioni topologiche (continuit delle onde di potenza)
insieme alle relazioni costituive del generatore e del carico:
aL = b G
aG = b L
bG
bL
126
b 0 + G aG
L aL
e quindi, risolvendo, le onde di potenza sul carico sono:
b0
aL = 1
G L
bL
.
=
b 0 L
1 G L
Ne consegue dalla 2.5:

PL = |aL|2 |bL|2 = |aL|2 (1 |L|2 ) = |b0 |2
1 |L|2
.
|1 G L|2
2.57
PL ha un massimo per G = L (ossia per ZL = ZG

); la potenza massima (detta
potenza disponibile del generatore) :

Pdisp = |b0 |2
1
R0
1
= |V0 |2
.
1 |G|2
|ZG + R0 |2 1 |G |2
2.58
Si noti che la 2.58 equivalente alla 2.53. Dalle 2.57 e 2.58 si pu esprimere la potenza
sul carico in funzione della potenza disponibile:
PL = Pdisp
(1 |G |2 )(1 |L|2 )
.
|1 G L |2
2.59
Si noti che per L = 0 non si ha massimo trasferimento di potenza dal generatore al

carico; in tal caso, dalla 2.59:
PL = Pdisp(1 |G|2 ) Pdisp
e PL = Pdisp solo se anche G = 0, ossia quando le due impedenze di carico e di
sorgente sono pari alla resistenza di normalizzazione.
2.3.
A NALISI
DI STRUTTURE A DUE - PORTE CARICATE
Si consideri il circuito di Figura 2.12: si vuole calcolare la potenza PL fornita al

carico in funzione dei parametri scattering del due-porte e delle riflettenze di carico
L e sorgente G . Per semplicit si utilizzerr la stessa resistenza di normalizzazione
per tutte le porte. Le relazioni topologiche e costitutive che devono essere soddisfatte
sono:
127
b
a
G
a
G
b
G
b
L
a
L
b
2
in
G
L
Fig. 2.12 Trasferimento di potenza generatore-carico attraverso un 2-porte.
relazioni topologiche :
a1
b1
b2
a2
relazioni costitutive :
bG
b1
b2
bL
bG
aG
aL
bL
b 0 + G aG
S11 a1 + S12 a2
S21 a1 + S22 a2
L aL .
Eliminando aG , bG, aL e bL sfruttando le relazioni topologiche si trova il sistema

ridotto:
S11
S21
S12
S22
a1
b1
a2
b2
0
= b0
2.60
con soluzione:
a1 = b G = b 0
128
1 S22 L
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L
2.61a
S12 S21 L + S11 (1 S22 L )

=
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L
S11 S L
= b0
(1 S11 G )(1 S22 L) S12 S21 G L
b 1 = aG = b 0
2.61b
a2 = b L = b 0
L S21
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L
2.61c
b 2 = aL = b 0
S21
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L
2.61d
dove S il determinante della matrice scattering. Dalle 2.61 possibile ricavare le

informazioni seguenti:
Coefficiente di riflessione allingresso del due-porte caricato:

in =
b1
S12 S21 L
S11 S L
= S11 +
=
.
a1
1 S22 L
1 S22 L
2.62
Potenza di ingresso del due-porte. Si pu esprimere in modo diretto:

Pin = |a1 |2 |b1 |2 = |b0 |2
|1 S22 L |2 |S11 S L |2
,
|(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L |2
2.63
oppure utilizzando lespressione del coefficiente di riflessione allingresso; in

questo caso lanalisi si riduce a quella di un bipolo (il generatore) caricato da
in e pertanto:
a1 = b 0
1
1 G in
da cui:
Pin = |a1 |2 (1 |in |2 ) = |b0 |2
1 |in |2
.
|1 G in |2
2.64
Le due espressioni 2.63 e 2.64 sono equivalenti, ma verranno utilizzate

entrambe nel seguito.
Circuito equivalente alluscita del due-porte. Il due-porte caricato allingresso con un generatore, e pertanto alluscita presenta la caratteristica di un
129
bipolo autonomo (ossia con tensione a vuoto diversa da zero). Il suo circuito equivalente con onde di potenza corrisponde pertanto ad una relazione
costitutiva del tipo:
b2 = b0 + out a2 .
Si ottiene che b2 = b0 quando la porta 2 chiusa sulla sua resistenza di
normalizzazione, ossia quando L = 0. Si ha allora:
b0 = b0
S21
.
1 S11 G
2.65
Per quanto riguarda il coefficiente di riflessione di uscita, questo pu ricavarsi in modo semplice per simmetria, ossia scambiando la porta 1 con la 2 e
il coefficiente di riflessione del carico L con quello del generatore G . Si
ottiene:
out = S22 +
S12 S21 G
S22 S G
=
.
1 S11 G
1 S11 G
2.66
Potenza sul carico. Anche qui essa si pu esprimere in pi modi equivalenti,

il primo diretto:
PL = |aL|2 |bL|2 = |b0 |2
|S21 |2 (1 |L|2 )
|(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L |2
2.67
il secondo attraverso il circuito equivalente alla porta 2 (cfr. Fig. 2.13):

PL = |b0 |2
1 |L |2
|S21 |2 (1 |L |2 )
= |b0 |2
.
2
|1 out L |
|1 Lout |2 |1 S11 G |2
2.68
e il terzo con riferimento al coefficiente di riflessione di ingresso

(Esempio 2.5):
PL = |b0 |2
130
|S21 |2 (1 |L|2 )
.
|1 G in |2 |1 S22 L |2
2.69
ESEMPIO 2.5
Dimostrare la 2.69.
Si ha direttamente, dallespressione di aL :
aL = b0
S21
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L
ossia, raccogliendo (1 S22 L ) e tenendo presente lespressione di in 2.62:

aL = b0
S21
(1 S22 L )(1 G in )
da cui finalmente:
PL = |aL |2 (1 |L |2) = |b0 |2
|S21 |2 (1 |L |2 )
|1 G in |2 |1 S22 L |2
che corrisponde alla 2.69.
ESEMPIO 2.6
Ricavare le inverse delle 2.62 e 2.66.
Dalla 2.62 si ottiene

(in S11 )(1 S22 L ) = S12 S21 L ,
ossia, sviluppando:
in in S22 L S11 + S11 S22 L = S12 S21 L ,
da cui, raccogliendo L :
(S11 S22 S12 S21 in S22 )L = (S in S22 )L = S11 in .
Si ha quindi, ricavando L :
L =
S11 in
S S22 in
2.70
131
b
0
b
G
a
G
a
G
G
P
b
G
1
in
in
b
G
G
G
o u t
b
L
a
L
2
2
G
L
Fig. 2.13 Due-porte caricato: circuito equivalente alla porta 1 (in alto), circuito
equivalente alla porta 2 (in basso).
e, scambiando la porta 1 con la porta 2, il generatore con il carico:

G =
2.4.
G UADAGNI
S22 out
.
S S11 out
2.71
DELLE STRUTTURE A DUE - PORTE
Leffetto che linserimento del 2-porte fra generatore e carico produce sul relativo
flusso di potenza tra generatore e carico si pu quantificare attraverso un insieme di
parametri, detti guadagni di potenza ed espressi dal rapporto di opportune potenze
riferite al carico e al generatore. Si definiscono tradizionalmente tre guadagni in modo
da poter disaccoppiare o meno gli effetti delle terminazioni di sorgente e di carico:
132
1. Guadagno operativo: il rapporto tra la potenza sul carico PL e la potenza

che entra nella porta di ingresso Pin . Si noti che il rapporto fra le due potenze
dipende da L , ma non da G ; infatti al variare di G varia la potenza di
ingresso, ma anche proporzionalmente quella di uscita; viceversa variare L
cambia le caratteristiche di adattamento del carico, e quindi la potenza di uscita
sul carico stesso.
2. Guadagno disponibile (o di potenza disponibile): il rapporto tra la potenza
disponibile sul carico e quella disponibile allingresso, dipende da G , ma non
da L ; infatti nel valutare la potenza disponibile in uscita (sul carico) si suppone di adattare energeticamente luscita, e pertanto L fissato in funzione
di G e dei parametri scattering.
3. Guadagno di trasduzione: il rapporto tra la potenza che va sul carico e la
potenza disponibile allingresso, e dipende sia da G sia da L .
Guadagno operativo
Il guadagno operativo si ricava dalle 2.63 e 2.67:
Gop =
1 |L|2
PL
= |S21 |2
Pin
|1 S22 L |2 |S11 S L |2
2.72a
ossia, sviluppando:
Gop = |S21 |2
1 |L|2
S )) .
1 |S11 |2 + |L|2 (|S22 |2 |S |2 ) + 2(L (S11
S
22
2.72b
Si noti dalla 2.72 che il guadagno operativo , per un dato due-porte, una funzione reale
della variabile complessa L ; come mostrato nellEsempio 2.7 le curve a guadagno
costante sono circonferenze del piano L . Si noti inoltre che il guadagno operativo si
annulla sul cerchio unitario della carta di Smith L , ossia per |L| = 1; in tal caso
infatti il carico reattivo e non pu assorbire potenza attiva.
133
ESEMPIO 2.7
Dimostrare che le curve a guadagno operativo costante sono circonferenze nel piano L e
determinarne il centro e il raggio.
Rielaborando la 2.72 si ottiene:
|L |2 (Gop (|S22 |2 |S |2) + |S21 |2 ) + Gop 2(L (S11

S S22 )) =
2.73
|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )
2.74
da cui:
|L |2 2 L
Gop (S22 S11

S )
2
Gop (|S22 | |S |2 ) + |S21 |2
|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )

.
Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2
2.75
Se nellultima relazione si somma a entrambi i membri:
Gop (S22 S11

S )
2 | |2 ) + |S |2
(|S
|
op
22
S
21
2.76
la 2.75 pu essere riscritta come:

|L C|2 =
ove:

C=
|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )

+
Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2
Gop (S22 S11

S )
2
Gop (|S22 | |S |2 ) + |S21 |2
Gop (S22
S11 S )
.
2
Gop (|S22 | |S |2 ) + |S21 |2
2.77
2.78
Se si confronta ora lespressione appena scritta con quella di una circonferenza nel piano Z con
centro in ZC e raggio R,
|Z ZC |2 = R2 .
si deduce che se:
R2 =
|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )

+ 0
Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2
2.79
allora le curve di livello cercate sono circonferenze di centro C e raggio R. Sviluppando e

tenendo presente la relazione:
S | 2
|S22 S11
134
|S22 |2 + |S11 |2 |S |2 2(S22 S11 S )
|S22 |2 + |S11 |2 |S |2 |S11 |2 |S22 |2 |S |2 + |S21 |2 |S12 |2
(|S22 |2 |S |2 )(1 |S11 |2 ) + |S21 |2 |S12 |2
1 0
2 0
2 0
L o p t
2 0
1 0
1 0
1 0
Fig. 2.14 Cerchi a guadagno operativo costante nel piano L .
si ottiene per il raggio lespressione:

R = |S21 |
|S
21 |
2K|S21 ||S12 |Gop + |S12 |2 G2op

|Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2 |
2
2.80
in cui si introdotto il parametro reale K:

K=
1 |S11 |2 |S22 |2 + |S |2
2|S21 ||S12 |
2.81
detto coefficiente di Linville. Dalla 2.78 si deduce inoltre che al variare di Gop il luogo dei
centri giace su una retta con coefficiente angolare dato da:
S11 S ) =
arg(S22
(S22
S S11 )
.
(S22 S S11 )
2.82
In conclusione, se verificata la 2.79 le curve a guadagno costante nel piano L sono cerchi
non concentrici, ma i cui centri giacciono su una retta.
La condizione di esistenza di cerchi a guadagno costante si pu stabilire considerando

lespressione del raggio 2.80, il cui denominatore definito positivo. Il radicando al
numeratore deve essere anchesso positivo se il raggio reale; tenendo presente che
135
il radicando un polinomio di secondo grado in Gop con coefficiente positivo del

termine di secondo grado, si ottiene che esso positivo per valori di Gop esterni alle
due radici, ossia per:
Gop
Gop

S21
(K + K 2 1)

>
S12

S21
(K K 2 1)

<
S12
2.83
2.84
da cui, dovendo essere il guadagno operativo reale, si ottiene |K| 1. Si noti che
se fosse K 1 la regione di esistenza del raggio corrisponderebbe ad un guadagno
negativo, che si vedr inaccettabile per problemi legati alla stabilit; vale quindi la
condizione:
K 1.
usuale rappresentare i cerchi a guadagno costante (operativo) sulla carta di Smith, definita per L , come mostrato nella Figura 2.14. Come si vedr in seguito, in
condizioni di stabilit incondizionata (cfr. Sez. 2.5.) del due-porte Gop presenta un
massimo allinterno della carta di Smith L, individuato dalla 2.84, mentre il minimo individuato dalla 2.83 cade fuori dalla carta di Smith e non ha quindi interesse. Il
valore massimo ottenuto annullando il raggio R (guadagno massimo) dato da:

S21
(K K 2 1) .
GopM AX =
2.85

S12
Sostituendo nella 2.78 si pu ricavare il valore di Lopt corrispondente al massimo
guadagno (centro della circonferenza a guadagno costante con raggio nullo):

B2 B22 4|C2|2
Lopt =
2C2
2.86
in cui si sono introdotti B2 e C2 cos definiti:

B2
= 1 + |S22 |2 |S11 |2 |S |2
2.87
C2
= S22 S S11
.
2.88
Si pu dimostrare che in condizioni di stabilit incondizionata il valore di L cos

trovato cade allinterno della carta di Smith e assicura adattamento di potenza alla
porta di uscita.
136
Si noti da ultimo che per K = 1 il guadagno massimo diviene |S21 /S12 |; per motivi
che saranno chiariti in seguito tale valore detto massimo guadagno stabile (MSG,
Maximum Stable Gain).
Guadagno disponibile
Il guadagno disponibile il rapporto tra la potenza disponibile in uscita (Pdisp,L ) e
quella disponibile in ingresso (Pdisp,in). La potenza disponibile allingresso data
da 2.58:
Pdisp,in = |b0 |2
1
1 |G |2
2.89
mentre la potenza disponibile alluscita pari alla potenza di uscita quando

L = out , ossia quando si ha alluscita adattamento energetico. In tali condizioni
la 2.68 diviene:
Pdisp,L = |b0 |2 |S21 |2
1
(1 |out
|2 )|1
S11 G |2
2.90
da cui, sostituendo la 2.66, si ottiene:

Gdisp =
1 |G |2
Pdisp,L
= |S21 |2
Pdisp,in
|1 S11 G |2 |S22 S G |2
2.91a
ossia:
Gdisp = |S21 |2
1 |G|2
.
S ))
1 |S22 |2 + |G |2 (|S11 |2 |S |2 ) + 2(G (S22
S
11
2.91b
Si noti che Gdisp dipende da G , ma non da L . Si osserva immediatamente che

Gdisp/|S21 |2 ha una forma analoga a Gop /|S21 |2 , ossia si pu ottenere da questultima sostituendo il generatore con il carico e scambiando le porte del due-porte. Restano pertanto valide le considerazioni fatte sulle curve di livello del guadagno operativo,
questa volta applicate al piano G. Si pu cio dimostrare che se il coefficiente di Linville K definito nella 2.81 maggiore di 1, allora le curve a Gdisp costante al variare
di G sono delle circonferenze il cui raggio e centro si possono desumere dalle 2.78
e 2.80 dopo avere scambiato i ruoli delle porte 1 e 2. In particolare, anche il guadagno disponibile presenta, nel caso di stabilit incondizionata, un massimo GdispM AX
espresso dalla 2.85. Dato infatti che lespressione di Gop /|S21 |2 corrisponde a quel137
la di Gdisp/|S21 |2 in cui si sono scambiate la porta 1 con la porta 2 e che il massimo

della prima pari a GopM AX /|S21 |2 , che invariante scambiando la porta 1 con la 2,
esso sar anche il massimo di GdispM AX /|S21 |2 . Si ha quindi:

S21
(K K 2 1) GopM AX .

GdispM AX =
S12
Il valore di G che garantisce il massimo guadagno disponibile :

B1 B12 4|C1 |2
Gopt =
2C1
2.92
2.93
dove:
B1
= 1 + |S11 |2 |S22 |2 |S |2
2.94
C1
= S11 S S22
.
2.95
Si noti che B1 , C1 e Gopt si deducono da quelle analoghe di B2 , C2 e Lopt scambiando il ruolo delle due-porte. La condizione di massimo guadagno disponibile
corrisponde alla condizione di adattamento energetico alla porta 1 ma anche (per la
definizione di potenza disponibile alla porta 2) alladattamento energetico alla porta 2.
Guadagno di trasduzione
Il guadagno di trasduzione Gt definito come il rapporto tra la potenza attiva sul
carico e quella disponibile allingresso. Dalle 2.89 e 2.67 si ottiene direttamente:
Gt =
PL
Pdisp,in
= |S21 |2
(1 |L|2 )(1 |G |2 )
.
|(1 LS22 )(1 G S11 ) S12 S21 G L |2
2.96
Come gi osservato, il guadagno di trasduzione dipende sia da G sia da L .

Nel caso in cui sia S12 = 0 la 2.96 definisce il guadagno di trasduzione unilaterale Gu :
Gu = Gt |S12 =0 = |S21 |2
(1 |L |2 )(1 |G|2 )
.
|1 LS22 |2 |1 G S11 |2
2.97
In questo caso immediato riconoscere che Gu massimo se si ha adattamento

coniugato per entrambe le porte:
138

G
L
S11
S22
2.98
con massimo (guadagno unilaterale massimo o MUG, Maximum Unilateral Gain):

Gumax =
|S21 |2
.
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )
2.99
Se il due-porte non unilaterale necessario realizzare ladattamento coniugato (di

potenza) ad entrambe le porte (ingresso e uscita) per rendere massimo il guadagno di
trasduzione; si deve cio realizzare la condizione:
G = in (L )
L = (G )
2.100
out
Essendo le due equazioni accoppiate, il problema non banale.
Realizzabilit delladattamento di potenza

Come discusso nella stabilita il problema delladattamento simultaneo (coniugato)
legato al problema della stabilit. In generale si pu dire quanto segue:
Se il due-porte incondizionatamente stabile, la condizione di adattamento
pu essere realizzata contemporaneamente alle due-porte. Poich in tali condizioni la potenza di ingresso la potenza disponibile del generatore, la potenza di uscita la potenza disponibile del due-porte, il massimo guadagno
di trasduzione, operativo e disponibile coincidono e il loro valore dato dalla
2.85.
Se il due-porte non incondizionatamente stabile, non possibile realizzare

la condizione di adattamento coniugato, anzi esiste un insieme di generatori e
carichi per cui il guadagno operativo tende a infinito (manifestando cos una
condizione di instabilit). In questo caso il progetto del due-porte mira ad
ottenere un guadagno sufficientemente elevato, che preservi peraltro la stabilit
anche in presenza di variazioni tecnologiche ad es. dei dispositivi attivi.
Un sommario delle definizioni di guadagno di un due-porte caricato riportato nella
Tabella 2.3.
139
Gop =
PL
=
Pin
= |S21 |2
Gdisp =
1 |S11 +
|L|2 (|S22 |2
1 |L|2
S ))
|S |2 ) + 2(L(S11
S
22
Pdisp,L
=
Pdisp,in
= |S21 |2
Gt =
|2
PL
Pdisp,in
1 |G|2
S ))
1 |S22 |2 + |G |2 (|S11 |2 |S |2 ) + 2(G (S22
S
11
= |S21 |2
(1 |L|2 )(1 |G |2 )
|(1 L S22 )(1 GS11 ) S12 S21 G L |2

S21

MSG =
S12
MUG =
|S21 |2
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )
Tab. 2.3 Riassunto delle definizioni dei guadagni di un due-porte caricato.
2.5.
S TABILIT
Il problema della stabilit importante nel progetto di amplificatori e oscillatori. Nel

primo caso si vuole ottenere un circuito stabile, ossia che non presenti innesco di
oscillazioni. Nel secondo caso si desidera ottenere un circuito instabile, ossia in grado
di innescare oscillazioni. Nellapprossimazione lineare, un circuito instabile presenta,
a regime, tensioni e correnti di ampiezza infinita. Questo non accade in pratica perch
la nonlinearit intrinseca a tutti i dispositivi attivi limita lampiezza delle oscillazioni.
Un due-porte caricato allingresso e alluscita con impedenze fisicamente realizzabili
(passive, ossia con parte reale positiva) si dice incondizionatamente stabile quando
limpedenza dingresso alla porta 1 ha parte reale positiva, qualsiasi sia il carico alla
porta 2. La stessa condizione si pu esprimere dicendo che per qualsiasi L, purch di
modulo inferiore ad 1, il coefficiente di riflessione allingresso in ha modulo minore
di 1. Affermazioni equivalenti si possono fare per la porta 2, in quanto il concetto di
140
stabilit di un circuito globale. Si noti che i parametri di un due-porte dipendono

in generale dalla frequenza; il concetto di stabilit incondizionata quindi legato alla
frequenza di lavoro.
Un due-porte si dice condizionatamente stabile o anche potenzialmente instabile se
esistono impedenze di carico passive (alla porta 1 e/o 2) tali che il coefficiente di riflessione allingresso e/o alluscita del due-porte presenta modulo maggiore di uno.
Per quanto il circuito possa essere reso globalmente stabile con una scelta opportuna delle impedenze di carico, ad esempio scegliendo, se |in | > 1, G tale che
|inG | < 1, questa scelta non conduce ad un circuito che opera come un amplificatore convenzionale (vedi Es. 2.8). Pertanto sempre opportuno chiudere il due-porte
con un generatore e un carico che garantiscano, separatamente, la stabilit (ossia che
diano impedenza di uscita e di ingresso a parte reale positiva).
Lottimizzazione del guadagno del due-porte caricato presenta aspetti diversi a seconda che il due-porte sia o no incondizionatamente stabile. Nel caso di stabilit incondizionata, il circuito stabile indipendentemente da L e G , purch passivi. Esiste
allora una condizione di ottimo per il guadagno, che corrisponde alladattamento di
potenza simultaneo ad entrambe le porte.
Nel caso in cui il due-porte sia potenzialmente instabile in un certo intervallo di frequenze, il guadagno in linearit teoricamente illimitato. Instabilit significa infatti
che un segnale finito allingresso del due-porte genera, alluscita e nel resto del circuito, segnali di ampiezza infinita. Non esiste dunque un massimo per il guadagno del
due-porte al variare delle impedenze di carico, in quanto il guadagno massimo infinito. Se si desidera ottenere un amplificatore, bisogna perci scegliere L e G in
modo da ottenere un circuito stabile. La condizione di potenziale instabilit pu essere in parte sfruttata per aumentare il guadagno dellamplificatore, fancendolo lavorare
vicino (ma non troppo) alla condizione di guadagno infinito.
La stabilit incondizionata legata, in modo necessario e sufficiente, ad un insieme di
condizioni relativamente semplici sui parametri scattering della struttura. Nel caso in
cui il due-porte sia potenzialmente instabile, possibile sviluppare degli indicatori del
141
grado di instabilit del circuito (detti cerchi di stabilit) che consentono di progettare
limpedenza di carico e/o generatore in modo da garantire il sufficiente margine di
stabilit.
ESEMPIO 2.8
Si supponga di avere un due-porte caricato alla porta 2 con un L tale che in in modulo
maggiore di 1 (alternativamente, Zin con parte reale negativa, Yin con parte reale negativa).
possibile stabilizzare il circuito con una scelta opportuna di G ? In tal caso il circuito lavora
come un amplificatore dal generatore al carico?
Si consideri un generatore sinusoidale di tensione a vuoto EG e impedenza interna ZG
(passiva), caricato con una impedenza Zin . La condizione limite di instabilit corrisponde ad
una corrente infinita nel carico ad una certa pulsazione 0 :
IL =
EG
ZL + Zin
ossia a RL (0 ) + Rin (0 ) = 0, XL(0 ) + Xin (0 ) = 0. Pertanto generatore e carico presentano, per la parte reattiva, adattamento energetico, mentre la somma delle resistenze nulla,
ossia la resistenza di ingresso negativa e pari in modulo alla resistenza di generatore. Attraverso una analisi dinamica del sistema (che si pu eseguire ad esempio postulando per la parte
reattiva una struttura a risonatore LC con pulsazione di risonanza 0 ) facile dimostrare che il
sistema stabile se RL (0 ) + Rin (0 ) > 0, instabile se RL (0 ) + Rin (0 ) < 0. immediato dimostrare che la condizione di stabilit implica anche, passando ad una rappresentazione
parallelo, GL (0 ) + Gin (0 ) > 0, o da ultimo, nella rappresentazione con onde di potenza:
|L (0 )in (0 )| < 1
mentre, come evidente dalla discussione che conduce alla 2.57, la condizione limite di instabilit
corrisponde a:
L (0 )in (0 ) = 1.
quindi possibile rendere il circuito globalmente stabile, basta che il generatore sia tale da
imporre la condizione |L in | < 1.
142
Tuttavia, anche nel caso in cui si ha stabilit globale, se |in | > 1 non si ha funzionamento
come amplificatore. Utilizzando infatti la 2.57 si ottiene:
Pin = |b0G |2
1 |in |2
<0
|1 G in |2
dove con b0G si indicata londa associata al generatore di onda progressiva equivalente a
EG , ZG . Questo significa che la potenza non entra nel due-porte, ma viene erogata dalla
porta di ingresso del due-porte e dissipata nella resistenza interna del generatore. Non si ha
quindi un amplificatore convenzionale, ma piuttosto un amplificatore a resistenza negativa in
cui limpedenza interna del generatore serve da carico. Non pertanto possibile utilizzare
questa condizione per progettare un amplificatore convenzionale.
Analisi della condizione di stabilit

Riprendiamo la 2.60; affinch possano esistere onde di potenza alle due-porte anche in
assenza di eccitazioni esterne, cio quando b0 = 0, deve essere nullo il determinante
della matrice del sistema 2.60, cio:

1

S
11

S21

0
S12
S22

= (1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L = 0 .

Ricordando le 2.62 e 2.66 la condizione pu scriversi nei due modi seguenti:

(1 S11 G )(1 L out )
2.101a
(1 S22 L )(1 G in )
0.
2.101b
Pertanto, almeno una delle condizioni seguenti deve essere verificata:

S11 G
2.102a
S22 L
2.102b
L out
2.102c
G in
1.
2.102d
143
Si osservi subito che due-porte per cui |S11 | 1 oppure |S22 | 1, in cui cio le riflettenze di ingresso o uscita non sono passive quando le porte sono caricate con le
resistenze di normalizzazione, non hanno interesse pratico (in particolare, non sarebbero nemmeno misurabili in modo diretto). Si assumer dora innanzi che |S11 | < 1
e |S22 | < 1; pertanto, se si tiene presente che L e G sono assunti passivi, ossia con
modulo inferiore a 1, le prime due delle 2.102 non sono mai soddisfatte.
Ci si riduce quindi allanalisi del comportamento di G in oppure di L out al variare di L e G . Si noti che il prodotto G in rappresenta lamplificazione totale di
unonda che subisca una doppia riflessione alla porta 1 (da parte della porta 1 e del
generatore); discorso analogo vale per L out alla porta 2. Vi sono allora tre casi
possibili:
1. Se il prodotto dei due coefficienti di riflessione ha modulo unitario, questo significa (intuitivamente) che lampiezza di unonda invariata dopo la
doppia riflessione, ossia che una oscillazione di ampiezza data si mantiene
indefinitamente. Si quindi al limite della stabilit.
2. Se il prodotto dei due coefficienti di riflessione in modulo minore di uno,
lampiezza dellonda diminuisce dopo la doppia riflessione. Si quindi in una
condizione di stabilit.
3. Se il prodotto dei due coefficienti di riflessione in modulo maggiore di uno,
lampiezza dellonda aumenta dopo la doppia riflessione. Si quindi in una
condizione di instabilit.
La condizione di stabilit quindi |inG | < 1 oppure |out L | < 1. Si detto tuttavia che G e L sono passivi; pertanto il due-porte incondizionatamente stabile se:
per ogni L passivo, |in | < 1; oppure
per ogni G passivo, |out | < 1.
Utilizzando la carta di Smith e tenendo presente che la trasformazione fra L (G ) e
in (out ) una trasformazione bilineare fratta che trasforma cerchi in cerchi, si ha
la seguente interpretazione:
144
1. Il cerchio |L | < 1 (|G| < 1) si trasforma in una regione immagine del piano
in (out ) costituita da una circonferenza e dal suo interno o esterno (vedi
Fig. 2.15); se limmagine cade allinterno della carta di Smith, si ha stabilit
incondizionata (Fig. 2.15, alto); se cade parzialmente allesterno, potenziale
instabilit (Fig. 2.15, basso).
2. Alternativamente, il cerchio |in | < 1 (|out | < 1) ha come controimmagine una circonferenza del piano L (G) e il suo interno o esterno. Se la
controimmagine comprende tutta la carta di Smith L (G), si ha stabilit
incondizionata perch sicuramente tutti i L (G ) interni al cerchio unitario
daranno luogo a in (out ) interni al cerchio unitario (vedi Fig. 2.17). Se la
controimmagine viceversa non comprende tutta la carta di Smith L (G ), si
ha potenziale instabilit (vedi Fig. 2.16).
La controimmagine di |out | = 1 nel piano G prende il nome di cerchio di stabilit
di ingresso, mentre si dice cerchio di stabilit di uscita la controimmagine di |in | = 1
nel piano L .2
Come mostrato nellEsempio 2.9, il centro e il raggio del cerchio di stabilit in uscita
(piano L ) e in ingresso (piano G) sono dati da:
LC =
S11 S S22
2
|S | |S22 |
|S12 S21 |

RLC =

2
2
|S | |S22 |
2.103a
2.103b
e da:
GC =
S22 S S11
2
|S | |S11 |
2.104a
Si noti che la denominazione di cerchio di stabilit (stability circle) leggermente fuorviante,

per quanto comune nella pratica. Si dovrebbe, a rigore, parlare di circonferenze di stabilit, dato che limmagine della regione stabile non necessariamente un cerchio, interno alla
circonferenza di stabilit, ma pu esserne la regione esterna.
145
in
,G
in
,G
G L,G
o u t
G L,G
o u t
Fig. 2.15 Esempio di stabilit incondizionata (sopra) e condizionata (sotto) nel piano
del coefficiente di riflessione di ingresso (uscita).
|S12 S21 |
.
RGC =
2
2
|S | |S11 |
2.104b
Supponendo che |S11 | < 1 e |S22 | < 1, immediato stabilire se la regione stabile
individuata dal cerchio di stabilit (detta in breve cerchio di stabilit) corrisponde
al suo interno o esterno. Infatti, lorigine del piano G (L ) corrisponde nel piano
in (out ) al punto S11 (S22 ), per ipotesi interno al cerchio unitario. Il cerchio di
stabilit di uscita (ingresso) quindi la regione del piano L (G ) delimitata dalle
circonferenze descritte nelle 2.103 e 2.104 che comprende lorigine. A seconda che il
cerchio di stabilit sia esterno o interno alla carta di Smith e includa o meno il centro
della carta di Smith si possono avere i sei casi mostrati nella Figura 2.18.
146
in
Fig. 2.16 Cerchio di stabilit in uscita: esempio di stabilit incondizionata.
o u t
Fig. 2.17 Esempio di cerchio di stabilit in ingresso: stabilit condizionata.
ESEMPIO 2.9
Dimostrare le 2.103, 2.104.
La relazione 2.62 che fornisce in in funzione di L una trasformazione bilineare fratta
fra variabili complesse, del tipo:

w=
az + b
cz + d
2.105
147
che trasforma circonferenze nel piano z in circonferenze nel piano w. La circonferenza unitaria
nel piano w sar quindi tale per cui:
az + b
cz + d
(az + b)(a z + b )
=1
(cz + d)(cz + d )
2.106
e di conseguenza:
|z|2 + z
(ab cd )
|d|2 |b|2
(a b cd)
+ z
=
.
2
2
2
2
|a| |c|
|a| |c|
|a|2 |c|2
2.107
La 2.107 rappresenta lequazione di una circonferenza nel piano z, come risulta evidente
sommando e sottraendo il fattore:
|cd a b|2
,
(|a|2 |c|2)2
al membro di sinistra della 2.107, che diventa:
c d a b
|a| |c|
= |a|2 |c|2 +
|cd a b|2
.
(|a|2 |c|2)2
2.108
Dalla 2.108 si deduce immediatamente che centro C e raggio R della circonferenza in questione
sono dati da:

c d a b
|a|2 |c|2
ad cb
|a| |c|
2.109
Dalla 2.62, per confronto con la 2.105 risulta:

a
S11
S22
che sostituite nelle 2.109 consentono di trovare le prime due 2.103. Si noti che scambiando L
con G e in con out si dimostrano anche le 2.104.
Condizioni necessarie e sufficienti per la incondizionata stabilit

possibile dimostrare che un insieme di condizioni necessarie e sufficienti per la
stabilit incondizionata di un due-porte (per il quale sia |S11 | < 1 e |S22 | < 1)
costituito dalla condizione (necessaria, ma non sufficiente):
148
In s ta b ile
In s ta b ile
S ta b ile
S ta b ile
(b )
(a )
In s ta b ile
S ta b ile
S ta b ile
(c )
In s ta b ile
(d )
S ta b ile
In s ta b ile
S ta b ile
(e )
In s ta b ile
(f)
Fig. 2.18 Possibili casi di stabilit: (a) e (b): stabilit incondizionata; (c) (d) (e) (f):
stabilit condizionata. La carta di Smith definita nel piano del coefficiente di riflessione di sorgente (cerchi di stabilit di uscita) o del coefficiente di riflessione di carico
(cerchi di stabilit di ingresso).
149
K=
1 |S22 |2 |S11 |2 + |S |2
>1
2 |S21 S12 |
2.110
ove K detto coefficiente di stabilit o di Linville, unita ad una qualsiasi delle

condizioni:
|S12 S21 | <
1 |S11 |
|S12 S21 | <
1 |S22 |
|S | <
2.111
2.112
2.113
Per comodit si utilizzer di preferenza linsieme K > 1, |S | < 1. Si noti

che la maggior parte dei programmi di simulazione riportano come parametro landamento in frequenza di K. Nelle regioni in cui K < 1 il due-porte di certo potenzialmente instabile, ma pu esserlo anche nelle regioni in cui K > 1,
purch il determinante della matrice scattering sia maggiore (in modulo) di uno
(vedi Es. 2.10).
ESEMPIO 2.10
Mostrare un esempio in cui un due-porte con K > 1 potenzialmente instabile.
Si consideri un due-porte con matrice scattering:

S=
0.5292 j0.6643
0.1375 j0.1346
5.3756 + j2.9848
0.5918 j0.5800

.
Il coefficiente di Linville K = 1.2787 > 1. Tuttavia, il due-porte non incondizionatamente

stabile. Si chiuda ad esempio la porta 2 sul carico passivo L = 0.3762 + j0.5264; si ottiene
in = 1.0464 j0.4481 con modulo maggiore di uno. Dunque il due-porte potenzialmente
instabile, come rivela il fatto che |S | = 1.8528 > 1, contrariamente a quanto richiesto
dalla 2.113.
La dimostrazione dei criteri di stabilit alquanto laboriosa, ed svolta nella Sezione

successiva.
150
Dimostrazione dei criteri di stabilit

Criterio di stabilit in uscita
Il cerchio di stabilit di uscita la regione del piano L delimitata dalla circonferenza
che ha centro LC e raggio RLC , vedi le 2.103, comprendente lorigine. Vi sono due
casi possibili:
1. L = 0 esterno alla circonferenza, e quindi la regione stabile lesterno
della circonferenza (Fig. 2.19). Si avr quindi stabilit incondizionata se la
circonferenza definita nelle 2.103 completamente esterna alla carta di Smith,
2
ossia quando |LC | > 1 + RLC , che implica a maggior ragione |LC | >
2
|RLC | . Sostituendo le relative espressioni 2.103 la diseguaglianza precedente

diventa:

2
2
2
2
2
2
|S11 S S22
|S22 | |S | > |S12 S21 |
| = |S12 S21 | + 1 |S11 |
2.114
che implica a sua volta:

1 |S11 |2 |S22 |2 |S |2 > 0
soddisfatta solo se |S22 | > |S |. Questo risultato permette di scegliere correttamente il segno nel denominatore di RLC , eliminandovi il modulo (vedi le
2.103).
Ripartiamo ora da |LC | > 1 + RLC , prendendo il quadrato di ambo i
membri e sostituendo il valore di RLC ; si ottiene:

2
2
2
2
|S11 S S22
| > |S22 | |S | + |S12 S21 |
e, utilizzando la 2.114:

2
2
2
2
|S22 | |S | >
|S12 S21 | + 1 |S 11 |

2
|S22 |2 |S |2 + |S12 S21 |
.
2.115
Questa relazione si pu riscrivere utilizzando il coefficiente di Linville K gi

definito 2.81:
2
K=
1 |S22 | |S11 | + |S |
>1.
2 |S21 S12 |
2.116
Si cos dimostrato che la stabilit incondizionata in uscita implica K > 1,

che quindi condizione necessaria.
151
R e g io n e
s ta b ile
R
L C
L C
R e g io n e
in s ta b ile
Fig. 2.19 Caso (1): la regione stabile del piano del coefficiente di riflessione di carico
esterna al cerchio di stabilit di uscita.
2. L = 0 interno alla circonferenza, e quindi la regione stabile linterno

della circonferenza (Fig. 2.20). Si avr quindi stabilit incondizionata se la
circonferenza definita nelle 2.104 completamente interna alla carta di Smith,
2
ossia se |LC | < RLC 1. Questo implica a maggior ragione |LC | < R2LC .
Con ragionamenti analoghi a quelli svolti per il caso (1), si deduce che questa
volta deve essere verificata la condizione:
|S22 | < |S |
per cui la condizione |LC | < RLC 1 equivalente alla coppia di condizioni:

2
|LC | < (RLC 1)2
2.117
.
RLC
> 1
Sviluppando la prima delle 2.117 si ha:

2

2
2
|S | |S22 | |S12 S21 | >

2
2
2
2
|S22 | |S |
|S12 S21 | + 1 |S11 |
da cui si riottiene la condizione K > 1. Per imporrre la seconda delle 2.117 si
parte dallespressione di RLC , poich |S | > |S22 |, si ha:
152
R e g io n e
s ta b ile
R
L C
L C
R e g io n e
in s ta b ile
Fig. 2.20 Caso (2): la regione stabile del piano del coefficiente di riflessione di carico
interna al cerchio di stabilit di ingresso.
|S12 S21 | > |S | |S22 | .

Sostituendo tale espressione in quella che impone K > 1 dopo avere
esplicitato K si ottiene:

1 |S11 |2 |S22 |2 |S |2 > 2 |S12 S21 |
ovvero:

2
2
2
1 |S11 | > 2 |S12 S21 | |S | |S22 | > |S12 S21 |
e in definitiva:
2
1 |S11 | > |S12 S21 | .
2.118
Pertanto la 2.118 deve essere verificata assieme alla condizione K > 1.

facile mostrare che nel caso (1) la condizione implicitamente soddisfatta se
K > 1.
2
immediato dimostrare che le condizioni K > 1 e 1 |S11 | > |S12 S21 | non sono
solo necessarie, ma anche sufficienti (basta ripercorrere allinverso le dimostrazioni date).
153
Criterio di stabilit in ingresso

Si ottiene scambiando i ruoli della porta 1 e della porta 2, e dei coefficienti di
riflessione di ingresso e uscita. Si perviene cos alle condizioni:

K > 1
1 |S22 |2
>
|S12 S21 | .
Stabilit in ingresso e uscita

Essendo la stabilit un fatto globale, evidente che le condizioni di stabilit allingresso e alluscita devono essere equivalenti. Riunendo infatti le condizioni ottenute
nei paragrafi precedenti, un insieme necessario e sufficiente di condizioni per la stabilit incondizionata di un due-porte (per il quale sia |S11 | < 1 e |S22 | < 1) risulta
essere:
K
>
2.119
|S12 S21 | <
1 |S11 |2
|S12 S21 | <
1 |S22 | .
2.120
2.121
Se K > 1, tuttavia, possibile dimostrare che 2.120 implica 2.121 e viceversa

(Es. 2.11).
ESEMPIO 2.11
Dimostrare che linsieme 2.119, 2.120 implica linsieme 2.119, 2.121 e viceversa.
Supponiamo ad esempio che la 2.120 sia vera e che K > 1. In questo caso si ha incon-
dizionata stabilit alluscita, ossia per ogni L a modulo minore di 1 in ha modulo minore
di 1. Dato che |S11 | < 1, il punto L = 0 cui corrisponde in = S11 cade certamente allinterno del cerchio unitario. Questo implica che la circonferenza immagine di |L | = 1 nel
piano in deve avere raggio minore di 1 (infatti, se cos non fosse, esisterebbero carichi che rendono potenzialmente instabile allingresso il due-porte). Procedendo secondo quanto discusso
nellEs. 2.7, con applicazione alla 2.70, si ottiene che il cerchio immagine in (|L | = 1) ha
154
raggio:
Rin =
|S12 S21 |
.
|1 |S22 |2 |
2.122
Affinch tale raggio sia inferiore a uno necessario che sia:

|S12 S21 | < |1 |S22 |2 |
ma anche |S22 | < 1, per cui risulta:
|S12 S21 | < 1 |S22 |2
ovvero che vale la 2.121. Analogamente si dimostra che se vale la 2.119, 2.121 implica 2.120.
Una ulteriore condizione, alternativa alla 2.121 oppure alla 2.120 si ottiene sommando
queste due ultime relazioni:
|S12 S21 | < 1
1
1
2
2
|S11 | |S22 | .
2
2
Ricordando che:
S = |S11 S22 S21 S12 | < |S11 S22 | + |S21 S12 |
e utilizzando lespressione precedente si trova:
|S | <
=
1
1
2
2
|S11 S22 | + 1 |S11 | |S22 | =
2
2
1
2
1 (|S11 | |S22 |) < 1 .
2
Se valgono quindi le 2.120 e 2.121 allora |S | < 1; ne consegue che se un doppio

bipolo incondizionatamente stabile allora si ha anche:

K
> 1
|S | <
2.123
1.
Inversamente, se |S | < 1 e K > 1, allora deve essere:

2
2
2 |S21 S12 | < 1 |S22 | + 1 |S11 |
dalla quale si deduce che almeno una fra le due espressioni deve essere vera:
|S21 S12 | < 1 |S11 |2
2
|S21 S12 | < 1 |S22 |
155
ma, poich se K > 1 una implica laltra, entrambe devono esserlo. Linsieme 2.123
pu essere quindi usato per testare lincondizionata stabilit del due-porte.
Adattamento di potenza alle due-porte: realizzabilit e guadagno massimo

Per rendere massimo il trasferimento di potenza dalla porta 1 alla 2 si deve imporre la
condizione di adattamento simultaneo alle due-porte:
=
in
L
.
out =
2.124
Sostituendo lespressione di in (2.62) e quella di out (2.66) si ottiene il seguente

sistema non lineare:
S11 S L
G = in = 1 S22 L
L = out = 22 S S
1 S11 G
Sostituendo la seconda equazione nella prima si ricava una equazione di secondo grado nel G ottimo; in modo analogo si pu ottenere una equazione di secondo grado
nel L ottimo. Risolvendo si ottiene:
Gopt
Lopt

1
2
2
B1 B1 4|C1|
2C1

1
2
2
B2 B2 4|C2|
2C2
2.125
ove i coefficienti B1 C1 B2 e C2 gi definiti in 2.94, 2.95, 2.87 e 2.88 sono qui riportati:
2
B1
1 |S22 | + |S11 | |S |
B2
1 + |S22 | |S11 | |S |
2.127
C1
S11 S S22
2.128
C2
S22 S S11
.
2.129
2.126
La scelta tra i segni + e va fatta in modo da garantire che i coefficienti di riflessione ottimi abbiano modulo inferiore ad uno. Come dimostrato nellEsempio 2.12,
questo possibile se e solo se il due-porte incondizionatamente stabile. In tal caso i
coefficienti di riflessione ottimi sono espressi da:
156
Gopt
Lopt

1
2
2
B1 B1 4|C1|
2C1

1
2
2
B2 B2 4|C2| .
2C2
2.130
2.131
e il guadagno massimo (Esempio 2.13) dato dalla espressione, gi introdotta:

GM AX =

|S21 |
(K K 2 1) .
|S12 |
2.132
Tale massimo corrisponde al massimo di guadagno di trasduzione, disponibile, operativo, in quanto come si detto in condizione di adattamento simultaneo le tre
definizioni di guadagno coincidono.
ESEMPIO 2.12
Si dimostri che ladattamento simultaneo alle due-porte possibile solo in presenza di
stabilit incondizionata.
In un due-porte incondizionatamente stabile K > 1, che implica:
1 |S
2
22 |
|S11 |2 + |S |2
> 4 |S21 S12 |2
da cui, sommando e sottraendo il termine:
4 1 |S22 |2
|S
2
11 |
|S |2
si ottiene:
1 |S
2
22 |
+ |S11 |2 |S |2
> 4 |S21 S12 |2 + 4 1 |S22 |2
|S
11 |
|S |2 .
2.133
Tenendo presente lespressione 2.114 riscritta scambiando il ruolo delle due-porte:
| = |S12 S21 |2 + 1 |S22 |2

|S22 S S11
2
|S
2
11 |
|S |2
risulta che la 2.133 equivalente alla:
1 |S
22 |
+ |S11 |2 |S |2
> 4 |S22 S S11

| .
2
157
Estraendo la radice quadrata di entrambi i membri, che sono definiti positivi (infatti quello di
destra un modulo, quello di sinistra ne maggiore) si ottiene:
1 |S22 |2 + |S11 |2 |S |2
|B1 |
=
>1.
2 |C1 |
2|S22 S S11
|
2.134
Procedendo come al solito scambiando le porte si arriva a dimostrare che se K > 1 allora:
|B2 |
>1.
2 |C2 |
2.135
Si dimostrer ora che, se il dispositivo incondizionatamente stabile allora B1 > 0. Per fare ci
si osservi che se il dispositivo incondizionatamente stabile, il cerchio di stabilit completamente esterno alla carta di Smith, oppure la ricopre completamente (vedi i casi (a) e (b) di Figura
2.18). Nel primo caso sicuramente |S11| > |S | e quindi 2 |S11 |2 |S |2 > 0; sommando
tale relazione con la 2.110 si ottiene subito B1 > 0. Nel secondo caso |S11 | < |S | e il cerchio
di stabilit, dovendo ricoprire tutta la carta di Smith, ha raggio maggiore di uno per cui, dalla
seconda delle 2.104, risulta |S |2 |S11 |2 < |S12 S21 |, e poich per ipotesi di incondizionata
stabilit deve valere la 2.112, 1 |S22 |2 > |S12 S21 |, si ottiene:
|S |2 |S11 |2 < 1 |S22 |2
e quindi:
B1 = 1 |S22 |2 |S |2 + |S11 |2 > 0 .
Di nuovo, con ragionamenti analoghi, si pu dimostrare che la incondizionata stabilit implica

anche che B2 > 0. Tenendo conto dei risultati cos ottenuti si pu scrivere:
Gopt
Lopt
B1
2 |C1 |
B2
2 |C2 |
4|C1 |2
1
B12
4|C2 |2
1
B22

Da queste formule, ricordando le 2.134 e 2.135, evidente che, affinch le due riflettenze abbiano modulo inferiore a uno (terminazioni passive), necessario scegliere le soluzioni con il segno
negativo nelle formule; anche la scelta di segno nella 2.125 quindi forzata e le espressioni delle
due riflettenze passive che massimizzano il guadagno sono le seguenti:
Gopt
1
B1
2C1
Lopt
1
B2
2C2
B12 4|C1 |2
B22 4|C2 |2
2.136
2.137
Pertanto, se il due-porte incondizionatamente stabile le terminazioni ottime che assicurano

ladattamento simultaneo alle due-porte esistono e sono uniche.
158
Si noti che, come sottoprodotto dellesempio precedente, possibile individuare un

ultimo insieme di condizioni necessarie e sufficienti per la stabilit incondizionata
come K > 1 e una fra le due condizioni B1 > 0, B2 > 0. Questultimo insieme di
condizioni viene effettivamente impiegato da alcuni programmi di CAD per il progetto
di circuiti a microonde.
ESEMPIO 2.13
Derivare in modo diretto lespressione del guadagno massimo in condizione di
adattamento simultaneo alle due-porte.
Si comincia con lo scrivere lespressione di Gt , in cui L = Lopt e G = Gopt ai
quali corrisponde il guadagno di trasduzione massimo GtM AX :

GtM AX = |S21 |2
1 |Lopt |2
(1 |Gopt |2 )|1 S22 Lopt |2
2.138
ricavata a partire dalla 2.69 e dalla 2.89 dopo aver imposto le 2.124. Utilizzando la 2.62 si ha:
Gopt =
S
S Lopt
1 S22 Lopt
11
e di conseguenza:
1 |Gopt |2 =
|1 S22 Lopt |2 |S11 S Lopt |2

.
|1 S22 Lopt |2
Utilizzando questultima espressione la 2.138 diventa:

GtM AX
|S21 |2
1 |Lopt |2
=
|1 S22 Lopt |2 |S11 S Lopt |2
|S21 |2
1 |Lopt |2
N
= |S21 |2
1 |S11 |2 + |Lopt |2 (|S22 |2 |S |2 ) 2(Lopt C2 )
D
2.139
in cui C2 stata gi definito nella 2.88. Si esprimeranno ora i vari termini nella 2.139 in funzione
di K. Dalle 2.114 e 2.88 si ha:
|C2 |2 = |S12 S21 |2 + 1 |S11 |2
|S
2
22 |
|S |2
2.140
159
mentre dalla prima delle 2.87 e dalla 2.81 si ricava facilmente la seguente coppia di relazioni:
1 |S11 |2
2K|S21 S12 | + |S22 |2 |S |2
1 |S11 |2
B2 (|S22 |2 |S |2 ) .
Sommando e sottraendo si ottiene:

1 |S11 |2
K|S21 S12 | +
B2
2
2.141
|S22 |2 |S |2
B2
K|S21 S12 |
2
2.142
che sostituite nella 2.140 danno:

|C2 |2
|S12 S21 |2 + K|S21 S12 | +
B22
|S12 S21 |2 (K 2 1) .
4
B
B2
2
K|S21 S12 |

2.143
Dalla 2.131 dopo aver notato che dalla 2.143 risulta:

B22
|C2 |2 = |S12 S21 |2 (K 2 1)
4
si ottiene:
Lopt
B2 2|S12 S21 | K 2 1
=
2C2
2.144
dalla quale, essendo il numeratore del membro di destra reale, si ha che anche Lopt C2 reale
e in particolare:
2(Lopt C2 ) = 2Lopt C2 = B2 2|S12 S21 |
Utilizzando le 2.143 e 2.144 si ha inoltre:
1 |Lopt |
|C2 |2
=
B22
+ B2 |S12 S21 |
4
K2 1 .
2.145
K 2 1 |S12 S21 |2 (K 2 1)
=
|C2 |2
B2
|S12 S21 | K 2 1
2
2|S12 S21 | K 1 22
B2
|S12 S21 |2 (K 2 1)
4
2|S12 S21 | K 2 1
.
B2
+ |S12 S21 | K 2 1
2
2.146
Utilizzando le 2.141, 2.142, 2.145 e 2.146 il denominatore D della 2.139 si pu riscrivere cos:
160
B2
B2
+ |Lopt |2 (
K|S12 S21 |)+
2
2
B2 + 2|S12 S21 | K 2 1 =
K|S12 S21 | +
(1 |Lopt |2 )(K|S12S21 |
B2
) + 2|S12 S21 |
2
(1 |Lopt |2 )(K|S12S21 |
B2
B2
+
+ |S12 S21 |
2
2
|S12 S21 |(1 |Lopt |2 )(K +
K2 1 =
K 2 1) =
K 2 1) .
Dopo aver sostituito questa espressione nella 2.139 si perviene finalmente allespressione
cercata del guadagno di trasduzione massimo, identica alle 2.85 e 2.92:
GtM AX =
|S21 |
|S21 |
1
(K
=
|S12 | K + K 2 1
|S12 |
K 2 1) .
2.147
Stabilit condizionata
Nel caso in cui il dispositivo non sia incondizionatamente stabile occorre individuare
le regioni del piano G e L che garantiscono valori di out e in interni alla carta di
Smith e quindi la stabilit del doppio bipolo. immediato riconoscere che i valori cercati di G , L sono quelli rispettivamente immagine dei punti |out | < 1, |in | < 1,
a loro volta interni alla carta di Smith. Le regioni cercate sono in altri termini date
dallintersezione dei cerchi di stabilit con la carta di Smith. I passi da intraprendere
sono quindi, riferendoci ad esempio a G :
identificare la circonferenza che delimita il cerchio di stabilit in ingresso;
determinare se il cerchio di stabilit la zona esterna oppure interna a tale
circonferenza; si ricorda che, poich per ipotesi |S11 | < 1 tale zona quella
che contiene lorigine del piano G ;
determinare lintersezione del cerchio cos identificato con la carta di Smith.
Al solito con ragionamento analogo, scambiando il ruolo delle porte, si arriva a
determinare la regione di L che non d problemi di instabilit.
161
Nel caso di stabilit condizionata non ha senso parlare n di adattamento coniugato n

di massimo guadagno, dato che questo tende a infinito sul bordo dei cerchi di stabilit;
si pu anzi dimostrare che, in certe condizioni, il guadagno presenta un minimo allinterno della regione stabile. Il Massimo Guadagno Stabile (MSG, Maximum Stable
Gain) che corrisponde al guadagno massimo per K = 1:

S21
.

GM SG =
S12
2.148
Lo MSG non corrisponde ovviamente al guadagno operativo di un certo dispositivo,

salvo nel caso improbabile che questo presenti esattamente K = 1; si pu interpretare come il guadagno massimo che un certo dispositivo, potenzialmente instabile,
presenterebbe qualora venisse modificato da opportune reti di stabilizzazione in grado di portarne il coefficiente di stabilit ad 1. Lo MSG viene spesso introdotto come
fattore di merito di un dispositivo potenzialmente instabile, in quanto, al variare della frequenza di funzionamento, alla transizione fra una regione stabile e una regione
potenzialmente instabile si ha esattamente K = 1 e pertanto il massimo guadagno
corrisponde allo MSG.
Guadagno e stabilit
Esiste uno stretto legame fra i cerchi di stabilit e le curve di livello dei guadagni di
un due-porte caricato. In particolare:
le curve di livello del guadagno operativo nel piano L sono collegate ai cerchi
di stabilit in uscita (cerchi |in| = 1 nel piano L );
le curve di livello del guadagno disponibile nel piano G sono collegate ai
cerchi di stabilit in ingresso (cerchi |out | = 1 nel piano G ).
Per fissare le idee, facciamo riferimento ad esempio alle curve di livello del guadagno
disponibile nel piano G . Nel caso di stabilit incondizionata (Fig. 2.21) il guadagno presenta un massimo interno alla carta di Smith, e tende a pi o meno infinito
allesterno di questa (ossia per una terminazione di generatore attiva), sul margine del
cerchio di stabilit, che completamente esterno al cerchio unitario.
162
C e rc h i a
g u a d a g n o
c o s ta n te
Z o n a in s ta b ile
C o n d iz io n e d i
g u a d a g n o
d is p o n ib ile
m a s s im o
G
G
Z o n a
s ta b ile
Fig. 2.21 Curve a guadagno costante e cerchio di stabilit di ingresso per un doppio
bipolo incondizionatamente stabile.
La condizione precedente corrisponde a K > 1 tale da verificare la condizione di stabilit.
Se K = 1 si in una condizione limite, il cerchio di stabi-
lit diviene tangente al cerchio unitario della carta di Smith e le curve di livello a guadagno costante sono a loro volta tangenti al medesimo punto di tangenza
(Fig. 2.22).
In questa situazione il guadagno massimo ha luogo per termina-
zioni corrispondenti al punto di tangenza, e corrisponde al massimo guadagno

stabile (MSG).
Infine, se la condizione di stabilit violata il doppio bipolo potenzialmente instabile per insiemi di valori dei coefficienti di riflessione di carico e generatore. Non
possibile realizzare ladattamento coniugato, e il luogo dei punti di massimo guadagno coincide con la parte del contorno del cerchio di stabilit che cade nella carta di
Smith (Fig. 2.23). In queste condizioni il massimo guadagno infinito. Non per possibile sfruttare un guadagno arbitrariamente grande del dispositivo, perch la
163
C e rc h i a
g u a d a g n o
c o s ta n te
G
G
Z o n a
s ta b ile
bipolo al limite della stabilit.
condizione di lavoro corrispondente sempre pi prossima alla instabilit. Bisogna

quindi scegliere riflettenze di carico e generatore che garantiscano un certo margine
di stabilit; vi sono infinite scelte possibili a guadagno costante. Altre specifiche (ad
esempio sul rumore) possono suggerire di scegliere in un modo piuttosto che in un
altro le terminazioni.
Dispositivo unilaterale
Si dice unilaterale un due-porte in cui nulla la reazione interna dalla porta 2 alla porta
1, ossia S12 = 0. In molti dispositivi a semiconduttore (transistori) tale condizione
vicina alla realt, per cui in prima approssimazione possibile considerare molti
dispositivi come unilaterali. Si introduce talvolta lindice di unilateralit U definito
come:
164
C e rc h i a
g u a d a g n o
c o s ta n te
Z o n a
s ta b ile
bipolo condizionatamente stabile.
U =
|S11 S12 S21 S22 |

.
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )
Per un dispositivo esattamente unilaterale U = 0. Si pu dimostrare che il rapporto fra il guadagno massimo di trasduzione (MAG) e il guadagno unilaterale (MUG,
vedi 2.149) soddisfa alla diseguaglianza:
(1 + U )2 < MAG/MUG < (1 U )2
ossia, per U piccolo, lerrore relativo commesso supponendo il dispositivo unilaterale
dellordine di 4U .
165
tuttavia importante tenere presente che nel caso unilaterale si opera una semplificazione forte sugli aspetti riguardanti la stabilit. Leliminazione della reazione interna rende infatti il dispositivo unilaterale incondizionatamente stabile (ovviamente, se
S11 e S22 hanno modulo inferiore a 1), come si evince immediatamente dal fatto che
K . Lapprossimazione unilaterale ha pertanto senso solamente se il dispositivo
incondizionatamente stabile.
In condizioni unilaterali il problema delladattamento simultaneo alle due-porte si
semplifica.
Si ha infatti semplicemente in = S11 , out = S22 ; pertanto
ladattamento alle due-porte si disaccoppia ed sufficiente porre separatamente:
G = S11
allingresso, e:
L = S22
alluscita. Analoghe semplificazioni hanno luogo nellespressione del guadagno; come si visto in condizioni di adattamento il guadagno massimo (di trasduzione, ma
anche operativo e di potenza disponibile) dato da:
Gumax =
|S21 |2
.
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )
2.149
detto guadagno unilaterale massimo o MUG (Maximum Unilateral Gain). Per il massimo guadagno si utilizza invece spesso la sigla MAG (Maximum Available Gain).
Di nuovo, il MUG spesso utilizzato come fattore di merito per dispositivi non
necessariamente unilaterali.
2.6.
E SEMPI
Stabilit e guadagni a frequenza fissa

In questa sezione si analizzano alcuni due-porte dei quali sono noti i parametri scattering (vedi Tab. 2.4). Dei nove casi considerati, gli ultimi tre sono dispositivi unidirezionali. Gli esempi includono volutamente casi non comuni in pratica o
anomali.
166
|S11 |
ph(S11 ),
|S12 |
gradi
ph(S12 ),
|S21 |
gradi
ph(S21 ),
|S22 |
gradi
ph(S22 ),
gradi
0.2
20
0.05
120
30
0.5
-50
0.75
-60
0.3
70
90
0.5
60
1.05
20
0.05
120
40
0.5
-50
0.5
0.025
180
0.1
0.95
-22
0.04
80
3.5
165
0.61
-13
0.69
-123
0.11
48
1.29
78
0.52
-77
0.1
0.3
1.2
0.3
0.1
1.3
Tab. 2.4 Parametri scattering dei doppi bipoli analizzati.
Consideriamo innanzi tutto i primi sei esempi relativi a due-porte non unidirezionali.
La tabella 2.5 riporta i valori del centro (in modulo e fase) e del raggio dei cerchi
di stabilit di ingresso e uscita. Si noti che nel caso 4, |S | = |S22 | e quindi il
raggio del cerchio di stabilit di uscita infinito. La tabella 2.6 riporta i valori di K
e |S |; per i casi in cui vi incondizionata stabilit (indicati con ST, i restanti INST)
anche riportato il valore ottimo delle terminazioni di sorgente e di carico e il valore
del massimo guadagno. Valgono i seguenti commenti:
Nel caso 1 K > 1 e |S | < 1, il dispositivo quindi incondizionatamente
stabile.
Nei casi 2 e 3 si ha instabilit potenziale perch violata almeno una delle
condizioni di stabilit. Nel caso 3 in particolare si ha anche S11 maggiore di 1
in modulo. I parametri del guadagno massimo e delladattamento simultaneo
non sono pertanto definiti.
Nel caso 4 si ha stabilit incondizionata, essendo K > 1 e |S | < 1.
167
|GC |
ph(GC ),
RSC
|LC |
gradi
ph(LC ),
RLC
gradi
3.33
160
6.70
2.40
50
0.80
0.10
107
0.44
0.26
-36
0.41
1.10
-19
0.23
1.02
42
0.74
2.04
0.21
indef.
indef.
inf
1.07
30
0.24
3.45
71
3.12
1.37
127
0.34
1.74
86
0.69
Tab. 2.5 Valori del centro e raggio dei cerchi di stabilit per i doppi bipoli non
unidirezionali di Tabella 2.4.
Nel caso 5 si ha instabilit potenziale perch K < 1, i parametri di guadagno

e adattamento non sono definiti.
Infine nel caso 6, K
>
1 e |S |
<
1, per cui il due-porte
incondizionatamente stabile.
Gli esempi 79 essi si riferiscono a due-porte unidirezionali, sempre incondizionatamente stabili se |S22 | < 1 e |S11 | < 1. Pertanto lesempio 7 incondizionatamente
stabile, gli esempi 8 e 9 potenzialmente instabili. Si noti che in questi ultimi due casi
comunque K < 1, mentre ovviamente sempre S = S11 S22 minore di 1 in modulo
se lo sono sia S11 che S22 . Si noti che nellesempio 7 il dispositivo non ha guadagno,
ossia il suo MAG , in dB, pari a e a 0 in unit naturali (riportate in tabella).
Stabilit e guadagni al variare della frequenza

La tabella 2.8 riporta landamento in frequenza di un dispositivo reale (MESFET
NEC) misurato a intervalli di 1 GHz. Per quanto il dispositivo sia apparentemente
quasi unilaterale (cio S12 piccolo), tuttavia una valutazione dei parametri di stabilit (K e |S |) al variare della frequenza (Fig. 2.24) mostra chiaramente che il
dispositivo potenzialmente per frequenze inferiori ai 5 GHz. Tale instabilit poten-
168
|S |
Tipo
|Gopt |
ph(Gopt ),
|Lopt |
gradi
ph(Lopt ),
GM AX ,
gradi
dB
2.57
0.249
ST
0.10
-20
0.48
50
10.8
1.34
2.156
INST
indef.
indef.
indef.
indef.
indef.
0.34
0.673
INST
indef.
indef.
indef.
indef.
indef.
7.50
0.1
ST
0.50
0.07
7.3
0.19
0.572
INST
indef.
indef.
indef.
indef.
indef.
1.12
0.254
ST
0.88
127
0.82
86
8.6
Tab. 2.6 Coefficienti per il calcolo della stabilit per i due-porte bidirezionali; gli
esempi 1, 4, 6 sono incondizionatamente stabili; gli esempi 2, 3, 5 condizionatamente
stabili.
|S |
Tipo
|Gopt |
ph(Gopt ),
|Lopt |
gradi
ph(Lopt ),
GM AX
gradi
0.03
ST
0.1
0.3
0.36
INST
indef.
indef.
indef.
indef.
indef.
0.13
INST
indef.
indef.
indef.
indef.
indef.
Tab. 2.7 Coefficienti per il calcolo della stabilit per i doppi bipoli unidirezionali di
Tabella 2.4.
ziale a bassa frequenza tipica dei dispositivi operanti nel campo delle microonde, ed
legata alla diminuzione di |S21 | con la frequenza.
Nella Figura 2.25 sono mostrati gli andamenti, in scala semilogaritmica, dei guadagni
massimo, unilaterale, massimo stabile, e del modulo quadrato di S21 , che rappresenta
il guadagno operativo quando il dispositivo chiuso sulle sue impedenze di riferimento. Si pu notare come il MAG coincide con il MSG alla frequenza limite di stabilit
incondizionata, sotto la quale il MAG non pi definito. Si noti anche che, nel campo di frequenze in cui il dispositivo stabile, lo MSG maggiore del MAG, cosa non
169
f, GHz
|S11 |
11
|S21 |
21
|S12 |
12
|S22 |
22
1.000
0.949
-29.8
4.825
151.1
0.038
72.1
0.781
-14.4
2.000
0.821
-59.8
4.531
123.8
0.070
56.0
0.696
-28.9
3.000
0.648
-94.2
4.092
97.6
0.092
41.4
0.600
-42.4
4.000
0.512
-133.0
3.516
73.9
0.102
30.5
0.518
-51.8
5.000
0.472
-165.2
3.025
54.7
0.108
25.3
0.444
-57.8
6.000
0.464
176.0
2.714
38.4
0.118
23.7
0.367
-65.4
7.000
0.441
158.2
2.505
22.1
0.134
20.2
0.302
-80.8
8.000
0.411
127.5
2.321
4.0
0.151
15.0
0.281
-105.9
9.000
0.454
91.4
2.093
-15.1
0.168
7.0
0.300
-134.2
10.000
0.551
66.6
1.836
-34.5
0.181
-2.8
0.328
-169.8
Tab. 2.8 Parametri scattering misurati da 1 a 10 GHz di un dispositivo attivo a

microonde; largomento in gradi.
strana visto che lo MSG si riferisce ad un dispositivo portato al margine della instabilit. Il guadagno unilaterale MUG sempre alquanto diverso dal MAG, a dimostrazione
del fatto che il dispositivo non in realt unilaterale. Infine il guadagno sulle impedenze di riferimento, che non corrispondono nella regione stabile allottimo, comunque
minore del MAG. Nella regione instabile il guadagno massimo ovviamente infinito, per cui lo MSG va inteso come indicatore di merito del dispositivo, non come il
massimo guadagno effettivamente raggiungibile.
Si supponga ora di modificare il dispositivo in modo da renderlo maggiormente unilaterale, ad esempio dividendo per un fattore 10 lo S12 . Il nuovo dispositivo cos
ottenuto, pur conservando tutti gli altri parametri invariati, presenta caratteristiche diverse. La regione di instabilit si sposta a pi bassa frequenza (vedi Fig. 2.26), mentre
il guadagno unilaterale si avvicina moltissimo al MAG, Figura 2.27. Anche se in questo caso il dispositivo , ad alta frequenza, praticamente unilaterale, non corretto
trascurare la potenziale instabilit a bassa frequenza, che pu dar luogo ad innesco di
oscillazioni spurie a frequenze molto inferiori alla banda tipica di lavoro del disposi-
170
1 .4
K
|D S |
1 .2
0 .8
0 .6
0 .4
0 .2
0
0
6
1 0
1 2
Fig. 2.24 Andamento in frequenza di K e |S | per il dispositivo di tavola 2.8. La

regione instabile indicata in grigio.
tivo. Pertanto non quasi mai conveniente supporre unilaterale un dispositivo attivo;
daltra parte, spesso necessario stabilizzare a bassa frequenza i dispositivi, come
discusso nel capitolo dedicato agli amplificatori lineari.
2.7.
Q UESITI
1. Una struttura a due porte pu essere adattata contemporaneamente a carico e

generatore:
i. Sempre
ii. Solo se incondizionatamente stabile
iii. Solo se potenzialmente instabile.
171
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
M A G
M S G
M U G
|S 2 1 |2
6
1 0
1 2
Fig. 2.25 Andamento in frequenza dei guadagni per il dispositivo di tavola 2.8. La
regione instabile indicata in grigio. Si noti che in tale regione il MAG non definito.
2. Un transistore, chiuso su un generatore da 50 e con impedenza di carico

di 50 presenta, in condizioni di piccolo segnale, un guadagno operativo di
5 dB.
i. Il massimo guadagno operativo 5 dB, perch il transistore
adattato
ii. Il transistore presenta un guadagno operativo massimo sempre
maggiore di 5 dB
iii. Il transistore presenta S21 = 5 dB (rispetto a 50 ).
3. Illustrare il significato del massimo guadagno stabile di un due porte.
172
1 2
K
|D S |
1 0
2
1
0
0
6
1 0
1 2
Fig. 2.26 Andamento in frequenza di K e |S | per il dispositivo di tavola 2.8, ma con

S12 reso 10 volte pi piccolo. La regione instabile indicata in grigio.
4. Che cosa il fattore di stabilit di un due porte? Quali sono le condizioni di

stabilit incondizionata per un due porte?
5. Una linea di trasmissione presenta un coefficiente di riflessione (in tensione)
allingresso pari a 0.1 in modulo. Della potenza incidente:
i. Il 90 % passa sulla linea
ii. Il 99 % passa sulla linea
iii. Il 10 % passa sulla linea.
6. Un due-porte formato da resistori. Il suo guadagno operativo:
i. certamente minore di 1
173
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
M A G
M S G
M U G
|S 2 1 |2
6
1 0
1 2
Fig. 2.27 Andamento in frequenza dei guadagni per il dispositivo di tavola 2.8, con
S12 modificato. La regione instabile indicata in grigio. Si noti che in tale regione il
MAG non definito.
ii. Pu essere reso maggiore di 1 mediante adattamento

iii. Non si pu definire questo parametro per una struttura passiva.
7. Un due-porte formato da condensatori e induttori e ha |S11 | = 1/ 2.

i. |S21 | = |S11 |
ii. |S21 | = 1
iii. |S21 | = 0.
8. La matrice scattering di un due-porte reattivo:
i. simmetrica
174
ii. Ha determinante unitario

iii. Linversa uguale alla trasposta complessa coniugata.
9. La matrice scattering di un due-porte reciproco:
i. simmetrica
ii. Ha determinante unitario
iii. Linversa uguale alla trasposta complessa coniugata.
10. Il massimo guadagno stabile di un due-porte assegnato:
i. uguale a S21
ii. uguale a |S21 /S12 |
iii. il guadagno massimo se il due-porte stabile.
11. Un dispositivo attivo a microonde:
i. di solito stabile quando chiuso su 50 allingresso e uscita
ii. di solito instabile quando chiuso su 50 allingresso e uscita
iii. stabile per definizione quando chiuso su 50 allingresso e
uscita.
12. Il coefficiente di riflessione allingresso di un dispositivo unilaterale:
i. Dipende dal L
ii. sempre uguale a S11
iii. uguale a S11 solo se luscita chiusa su Z0 .
13. Un due-porte ha K = 1.2. Il dispositivo :
i. Incondizionatamente stabile
ii. Potenzialmente instabile
iii. Potrebbe essere incondizionatamente stabile, ma linformazione
data insufficiente per stabilirlo.
175
14. Un MESFET ha K = 1.2 e S = 0.1 + j0.3 alla frequenza di 10 GHz.

i. Il due-porte non richiede alcuna rete di stabilizzazione
ii. Il due-porte richiede una rete di stabilizzazione a 10 GHz
iii. Il due-porte potrebbe richiedere una rete di stabilizzazione a bassa
frequenza.
15. Il parametri S di un MESFET sono S11 = 0.95 exp(j/4), S22 =
0.7 exp(j/6), S21 = 2 exp(j4/3), S12 0 alla frequenza di 3 GHz. Il
dispositivo :
i. Incondizionatamente stabile
ii. Potenzialmente instabile
iii. Incondizionatamente stabile, se si assume che S12 sia realmente
trascurabile.
16. Discutere il significato del guadagno massimo di un due porte (MAG).
17. Discutere il significato del massimo guadagno unilaterale di un due porte
(MUG).
18. Discutere la differenza fra guadagno operativo, di trasduzione, di potenza
disponibile.
19. I parametri scattering si utilizzano a microonde:
i. Perch difficile realizzare sperimentalmente corti circuiti e
circuiti aperti a larga banda
ii. Per convenienza numerica
iii. Perch sono maggiormente rappresentativi di fenomeni di
propagazione ondosa.
176
3.
3.1.
ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI

POTENZA
L INEE
QUASI -TEM ACCOPPIATE
Si definiscono linee accoppiate le linee multiconduttore formate da N conduttori pi

piano di massa. Le linee multiconduttore trovano diverse applicazioni nei circuiti a
microonde o ad alta velocit:
come bus multiconduttore adatti al trasporto parallelo di N segnali digitali (nei

circuiti digitali veloci); in questo caso ovviamente laccoppiamento fra linee
indesiderato (ossia si traduce in crosstalk fra le linee stesse);
come strutture accoppiate utilizzate in molti componenti analogici distribuiti:
accoppiatori direzionali, filtri a linee accoppiate, e via dicendo.
Nei componenti di circuiti analogici le linee accoppiate sono di solito a due o quattro conduttori; comuni sono ad esempio le microstrisce accoppiate a due o quattro
conduttori (vedi Fig. 3.1) e le linee coplanari accoppiate (vedi Fig. 3.2).
Analisi di linee accoppiate simmetriche

In generale una linea multiconduttore a N conduttori porta N modi di propagazione
TEM o quasi-TEM. Lanalisi sar peraltro qui limitata alle linee a due conduttori, ope-
177
3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA
W
h
e
h
Fig. 3.1 Microstrisce accoppiate a due o quattro conduttori.
e
H
Fig. 3.2 Linee coplanari accoppiate.
ranti in regime sinusoidale. Pertanto tensioni e correnti saranno indicate dai rispettivi
fasori associati.
Due linee accoppiate presentano tensioni V1 (z) e V2 (z) e correnti I1 (z) e I2 (z), come
mostrato nella Figura 3.3. Tensioni e correnti possono essere riunite in un vettore di
tensioni V e di correnti I tali che:
V =
V1
V2
I=
I1
I2
La linea definita, per unit di lunghezza, da parametri specifici che descrivono non
solo i fenomeni induttivi e capacitivi propri di ciascuna singola linea (induttanza per
unit di lunghezza, capacit per unit di lunghezza) ma anche laccoppiamento capacitivo (capacit mutua) o induttivo (induttanza mutua) fra le due linee vicine. Dora in
poi supporremo per semplicit (e perch questo il caso pi significativo) che le due
linee siano geometricamente (e quindi elettricamente) simmetriche, e che le perdite
siano trascurabili.
Partendo dal circuito equivalente per unit di lunghezza si pu associare alla parte
capacitiva (descritta da un circuito a di condensatori, vedi Fig. 3.3) una matrice
178
I1(z )
I1(z )
V 1(z )
C 0-C
V 1(z )
I1(z + d z )
0
V 1(z + d z )
m
C
m
I2(z )
I2(z )
V 2(z )
V 2(z )
I2(z + d z )
0
C 0-C
m
V 2(z + d z )
d z
Fig. 3.3 Schema di linee accoppiate e circuito equivalente elementare.
capacit per unit di lunghezza:
C=
C0
Cm
Cm
C0
3.1
e analogamente si associa alla parte induttiva una matrice induttanza per unit di
lunghezza:
L=
L0
Lm
Lm
L0
3.2
Si ricorda che la matrice capacit per unit di lunghezza (p.u.l.) lega il vettore delle
cariche indotte p.u.l. sulle due linee q a vettore delle tensioni delle due linee V come:
q = CV
mentre la matrice induttanza lega il vettore dei flussi concatenati alle due linee per
unit di lunghezza al vettore delle correnti I come:
= LI.
Tensioni e correnti soddisfano alle equazioni dei telegrafisti generalizzate:
179
dV (z)
= jLI
dz
dI(z)
= jCV
dz
3.3
3.4
da cui, eliminando ad esempio la corrente dalla seconda alla prima equazione, si

ottiene:
d2 V (z)
= 2 LCV .
dz 2
Cerchiamo soluzioni della forma:
V (z) = V 0 exp(jz)
ove V 0 = (V01 , V02 )T un vettore costante. Sostituendo si ottiene il sistema lineare
omogeneo:

2
I 2 LC V 0 = 0.
La soluzione non banale si ottiene annullando il determinante; questo permette
di ricavare i valori della costante di propagazione . Poniamo per alleggerire la
notazione:
LC =
L0
Lm
Lm
L0
C0
Cm
Cm
C0
L 0 C0 L m Cm
L0 Cm + Lm C0
L0 Cm + Lm C0
L 0 C0 L m Cm
Sostituendo e annullando il determinante si ottiene:

2 = 2 (A B)
quindi assume quattro valori, due con segno positivo e due con segno negativo (indicanti onde progressive e regressive, rispettivamente): il valore assoluto delle costanti
di propagazione peraltro differente, e indica la presenza di due modi di propagazione con diversa velocit di fase. Sviluppando lequazione precedente e sostituendo si
ottengono i due valori:
180
12 = 2 (L0 + Lm )(C0 Cm )
3.5
22 = 2 (L0 Lm )(C0 + Cm ).
3.6
Prima di passare ad una interpretazione fisica dei due modi di propagazione della linea,
eliminiamo le induttanze per unit di lunghezza introducendo, come gi fatto per la
linea singola, le capacit della linea in aria. Infatti, per una linea in aria tutti i modi di
propagazione si propagano con velocit di fase pari alla velocit della luce nel vuoto,
c0 . Pertanto, per una linea in aria, si ha:
2
1a
=
2
= 2 (L0 + Lm )(C0a Cma )
c20
3.7
2
2a
=
2
= 2 (L0 Lm )(C0a + Cma ).
c20
3.8
Come per una linea singola, le induttanze in aria e in presenza di dielettrico sono
uguali. Ricavando le induttanze per unit di lunghezza in funzione delle capacit in
aria si ottiene finalmente per le costanti di propagazione della linea accoppiata 1 e
2 (il doppio segno si riferisce al modo progressivo e regressivo) ove:

C0 Cm
1 =
c0 C0a Cma
2 =
c0
C0 + Cm
C0a + Cma
3.9
3.10
possibile infine esprimere la costanti di propagazione in termini di una opportuna

permettivit efficace come segue:
1 =
e1
c0
3.11
2 =
e2 .
c0
3.12
Per ottenere una interpretazione fisica dei due modi aventi diversa costante di propagazione (in valore assoluto) necessario procedere oltre nella soluzione del sistena omogeneo ottenuto dalla equazione dei telegrafisti. Le due equazioni del sistema
sono linearmente dipendenti, essendo nullo il determinante; sostituendo nella prima
equazione del sistema il primo valore di 2 si ottiene per lautovettore V 0 la relazione:
V01 = V02
mentre al secondo valore di 2 corrisponde la relazione:
181
H
E
(a )
(b )
Fig. 3.4 Topologia di campo per modo pari e dispari in microstrisce accoppiate.
V01 = V02 .
Il primo modo di propagazione quindi un modo in cui entrambe le linee hanno
uguale potenziale. Tale modo detto modo pari, e la topologia di campo mostrata,
per due microstrisce accoppiate, nella Figura 3.4. Il secondo modo di propagazione
ha potenziali uguali e opposti per le due linee, e viene detto pertanto modo dispari,
vedi ancora Figura 3.4. Per il modo pari possiamo quindi porre V01 = V02 = V0 , per
il modo dispari V01 = V0 , V02 = V0 .
Allo scopo di semplificare la notazione, introduciamo il concetto di capacit di modo
pari e capacit di modo dispari come la capacit di una linea verso massa, quando
le due linee sono allo stesso potenziale o a potenziale opposto. Con riferimento alla
Figura 3.5, si ottiene che la capacit verso massa di una singola linea , per i due modi:
182
Cp = C0 Cm
3.13
Cd = C0 + Cm .
3.14
c o rto c irc u ita ta

+
2 C
m
V
0
C 0-C
m
C 0-C
V
0
2 C
m
-V
0
C 0-C
m
M o d o p a ri
C 0-C
M o d o d is p a ri
Fig. 3.5 Definizione delle capacit di modo dispari e di modo pari.
Si noti che vale sempre la diseguaglianza:

Cd Cp
3.15
essendo Cm 0; la condizione di uguaglianza si ha solo per strisce non accoppiate,

ossia infinitamente distanti (Cm 0).
Le costanti di propagazione dei due modi possono quindi essere identificate in termini
delle capacit di modo pari o dispari. Si ottiene quindi:

Cp
1 = p =
c0 Cpa

Cd
2 = d =
c0 Cda
3.16
3.17
da cui le permettivit efficaci dei modi pari e dispari:

Cp
Cpa
Cd
=
.
Cda
ep =
3.18
ed
3.19
Si noti che in una linea accoppiata TEM le permettivit efficaci dei due modi sono
uguali e pari alla permettivit del mezzo. Questo non accade, salvo casi particolari, in
una linea quasi-TEM.
Sostituendo le soluzioni trovate per la tensione di modo pari e la tensione di modo
dispari nella equazione dei telegrafisti si trova che per entrambi i modi la corrente progressiva proporzionale al valore assoluto della tensione progressiva V0 . La costante
183
di proporzionalit prende il significato di ammettenza caratteristica del modo pari o

dispari, e il suo inverso limpedenza caratteristica del modo pari Z0p e del modo
dispari Z0d . Si trova, per le due impedenze caratteristiche:
1
Z0pa

=
ep
c0 Cp Cpa
1
Z0da
=
=
ed
c0 Cd Cda
Z0p =
3.20
Z0d
3.21
dove si sono indicate con il pedice a le impedenze in aria. Si ottiene quindi che, indicata con Z0 limpedenza caratteristica di una singola linea (disaccoppiata), le impedenze
di modo pari e dispari stanno nella relazione:
Z0p Z0 Z0d
3.22
dove il segno di uguale vale solamente per linee infinitamente distanti.1 Non esiste
invece una relazione generale sulle permettivit efficaci. Si noti che, in funzione della
spaziatura fra le due linee, limpedenza di modo pari parte da un valore finito per linee
con spaziatura nulla per avvicinarsi dallalto alla impedenza caratteristica della linea
isolata, mentre il modo dispari parte da un valore nullo per avvicinarsi alla impedenza
della linea isolata dal basso (vedi Fig. 3.6).
Linee planari accoppiate

Alcuni esempi di linee planari accoppiate sono mostrate nella Figura 3.7. Come si vedr nella discussione sugli accoppiatori direzionali, importante in queste strutture
avere forti differenze fra limpedenza di modo pari e dispari (che si traducono in alto
accoppiamento) e permettivit efficaci dei modi pari e dispari il pi possibile uguali
(requisito dellaccoppiatore direzionale ideale). In pratica strutture come la microstriscia accoppiata non garantiscono nessuna delle due condizioni, e quindi portano ad
accoppiatori a basso accoppiamento. La coplanare accoppiata ha velocit di fase di
modo pari e dispari quasi uguali, ma basso accoppiamento. Valori elevati di accoppiamento possono essere ottenuti con le stripline accoppiate, in particolare nella versione
Si ha infatti Cd C0 Cp ma anche Cad Ca0 Cap da cui segue Cd Cad C0 Ca0 Cp Cap ,
da cui, dalla definizione delle impedenze, segue immediatamente la 3.22.
184
Z
Z
0 p
0 d
S /h
Fig. 3.6 Comportamento delle impedenze di modo pari e dispari in funzione della
spaziatura fra due linee accoppiate.
M ic ro s tris c ia a c c o p p ia ta
C o p la n a re a c c o p p ia ta
S trip lin e a c c o p p ia ta (e d g e c o u p le d )
M ic ro s tris c ia a c c o p p ia ta a ttra v e rs o fo ro
S trip lin e a c c o p p ia ta (b ro a d s id e c o u p le d )
S trip lin e a c c o p p ia ta (b ro a d s id e c o u p le d )
Fig. 3.7 Alcuni esempi di linee planari accoppiate: microstrisce, coplanari e stripline.
broadside coupled; si tratta inoltre di strutture TEM che soddisfano alla condizione di
idealit delle velocit di fase di modo pari e dispari.
185
La microstriscia accoppiata
Le microstrisce accoppiate simmetriche sono il pi comune esempio di linea planare
accoppiata, per quanto luso pratico della struttura sia in realt limitato al caso di
basso accoppiamento, per ragioni tecnologiche; non infatti possibile ottenere valori
di accoppiamento elevato con la spaziatura realizzabile fra le strisce (che deve essere
di solito superiore a 50-10 m).
Detto h lo spessore del substrato di costante dielettrica r , W la larghezza delle strisce,
S la loro spaziatura, definiamo la larghezza normalizzata e la spaziatura normalizzata:
u = W/h
3.23
g = S/h
3.24
La permettivit efficace dei modi pari e dispari allora data dalle formule
semiempiriche:
effp =
r + 1 r 1
2
2

effd =
ap (v)bp (r )
10
1+
v
3.25

r + 1
+ ad (u, r ) eff exp(cd gdd ) + eff
2
3.26
mentre per limpedenza si ha:

Z0p = Z0

Z0d = Z0
eff
effp
Z0 eff Q4
1
377
eff
effd
.
Z0 eff Q10
1
377
3.27
3.28
Le formule precedenti utilizzano i seguenti parametri della linea isolata di larghezza

W:
eff
r + 1 r 1
=
+
2
2
eff
r + 1 r 1
=
+
2
2
e ancora:
186
12
1+
u
1/2
1/2
12
1+
u
+ 0.04 (1 u)
u1
u1
3.29
3.30
60
Z0 =
log
eff
8 u
+
u 4

u1
1
120
Z0 =
eff 1.393 + u + 0.667 log (1.444 + u)
3.31
u 1.
3.32
Si utilizzano infine i parametri seguenti:

20 + g2
+ g exp(g)
10 + g2

v 2

v 3
v4 + 52
1
1
ap (v) = 1 +
log 4
+
log 1 +
49
v + 0.432
18.7
18.1
v=u
0.053
r 0.9
r + 3

r + 1
ad (u, r ) = 0.7287 eff
[1 exp (0.179u)]
2
bp (r ) = 0.564
bd (r ) =
0.747r
0.15 + r
cd = bd (r ) [bd (r ) 0.207] exp(0.414u)

dd = 0.539 + 0.694 exp(0.562u)
e linsieme delle funzioni di fitting:
Q1 = 0.8695u0.194
Q2 = 1 + 0.7519g + 0.189g 2.31

Q3 = 0.1975 + 16.6 +
8.4
g
6 0.387

1
g10
+
log
241
1 + (g/3.4)10
1
2Q1
Q
3
Q2 exp(g)u + [2 exp(g)] uQ3

0.638
Q5 = 1.794 + 1.14 log 1 +
g + 0.517g2.43

1
1
g10
Q6 = 0.2305 +
+
log
log 1 + 0.598g1.154
10
281.3
5.1
1 + (g/5.8)
Q4 =
Q7 =
10 + 190g2
1 + 82.3g3
187
g 5
Q8 = exp 6.5 0.95 log g
0.15

1
Q9 = log Q7 Q8 +
16.5

Q2 Q4 Q5 exp Q6 uQ9 log u
Q10 =
Q2

Un esempio di comportamento delle impedenze di modo pari e dispari e delle relative

permettivit riportato nelle Figura 3.8 e Figura 3.9. Si nota che le impedenze di
modo pari e dispari tendono, per valori elevati del rapporto S/h, allo stesso valore
che tipico della microstriscia isolata. Sul comportamento globale delle impedenze
di modo pari e dispari, si pu dire in generale che:
al crescere di W/h entrambe le impedenze diminuiscono perch aumenta la
capacit verso massa sia per il modo pari che per il modo dispari;
al crescere di S/h la capacit di modo dispari decresce e pertanto la impedenza
di modo dispari cresce. A causa della diminuzione della capacit mutua, cresce
invece la capacit di modo pari e la relativa impedenza diminuisce.
Il comportamento della permettivit efficace meno semplice. La permettivit di modo pari pi elevata perch le linee di campo di modo pari passano prevalentemente
nel substrato; viceversa la permettivit di modo dispari circa pari a (r + 1)/2 perch le linee di campo di modo dispari sono circa simmetriche rispetto alla interfaccia
substrato-aria. Si ha poi:
al crescere di W/h il campo sempre pi confinato nel substrato, per cui
entrambe le permettivit crescono;
al diminuire di S/h il campo di modo dispari sempre pi concentrato
nello slot fra le strisce, per cui la permettivit di modo dispari decresce
avvicinandosi a (r + 1)/2; quella di modo pari poco influenzata da S/h.
188
1 2 0
S =
1 1 0
5 0 m m
5 0
S = 1 5 0
S = 3 0 0
S = 4 5 0
m m
0 .8
0 .9
S =
1 0 0
9 0
Z
0 p
, O h m
0 d
, O h m
m m
m m
m m
8 0
7 0
6 0
5 0
4 0
S =
3 0
2 0
5 0 m m
Z
0 .1
0 .2
0 .3
0 .4
0 .5
W /h
0 .6
0 .7
Fig. 3.8 Comportamento delle impedenze di modo pari e dispari in funzione del
rapporto W/h per due microstrisce accoppiate su substrato di GaAs, h = 300 m.
3.2.
L ACCOPPIATORE
DIREZIONALE
Laccoppiatore direzionale una rete a quattro porte, che ha in generale lo scopo di

ripartire la potenza entrante ad una data porta (ad esempio la porta 1) fra due altre
porte (ad esempio la 2 e la 3) mantenendo isolata la porta 4. La porta in cui entra la
potenza viene detta porta incidente, le due porte alle quali giunge la potenza di ingresso, opportunamente suddivisa, sono denominate porte accoppiate (o pi precisamente
accoppiata e in trasmissione); laltra porta viene detta porta isolata, in quanto non vi
arriva potenza (Fig. 3.10). Da questo punto di vista laccoppiatore direzionale sembrerebbe analogo al cosiddetto divisore di potenza, rete a n porte una delle quali riceve
la potenza di ingresso, che viene poi suddivisa sulle altre porte in parti uguali o diseguali. Per quanto un accoppiatore possa essere usato effettivamente come divisore,
189
9 .5
e
e ffp
S =
5 0
S = 1 5 0
S = 3 0 0
S = 4 5 0
8 .5
S =
5 0 m m
m m
m m
m m
m m
8
e
S = 4 5 0 m m
e ffd
7 .5
S =
7
0 .1
0 .2
0 .3
0 .4
0 .5
W /h
0 .6
0 .7
0 .8
5 0 m m
0 .9
Fig. 3.9 Comportamento delle permettivit efficaci di modo pari e dispari in funzione
del rapporto W/h per due microstrisce accoppiate su substrato di GaAs, h = 300 m.
accanto a componenti pi specifici, nellaccoppiatore direzionale sono anche importanti le relazioni di fase fra la potenza incidente e quella uscente dalle porte accoppiate
e in trasmissione, relazione di fase che pu essere a centrobanda di 90 gradi o di 180
gradi.
Laccoppiatore direzionale ha diverse applicazioni nellambito dei circuiti a microonde; viene infatti utilizzato (nei circuiti passivi) nella realizzazione di linee di ritardo,
filtri e reti di adattamento; nei circuiti attivi trova impiego negli amplificatori bilanciati, mixer, attenuatori, modulatori e sfasatori. Va tenuto presente che gli accoppiatori hanno un comportamento che dipende dalla frequenza, ossia presentano comportamento ideale a centrobanda, con un progressivo deterioramento delle prestazioni
man mano che ci si allontana dalla frequenza di progetto. Di solito gli accoppiatori
190
K P
1
T ra s m is s io n e
1
R P 1= 0
A c c o p p ia m e n to
T P
IP 1= 0
Fig. 3.10 Schema di accoppiatore direzionale.
direzionali sono a banda relativamente stretta, ad esempio del 20%.

Laccoppiatore caratterizzato da alcuni parametri. Consideriamo la porta 1 come
porta incidente, la porta 2 come quella accoppiata, la porta 3 in trasmissione e la porta
4 isolata. Si definisce allora il coefficiente di accoppiamento (in potenza):

P2
K|dB = 10 log10
,
P1
mentre si definisce coefficiente di isolamento della porta 4 (idealmente nullo, o infinito
in dB):
I|dB = 10 log10
P4
P1
Il coefficiente di trasmissione alla porta 3 dato da:

P3
T |dB = 10 log10
.
P1
infine possibile definire il coefficiente di riflessione in potenza R alla porta 1
(idealmente nullo, o meno infinito in dB):
R|dB = 20 log10 (1 )
dove 1 il coefficiente di riflessione (in tensione) alla porta 1 dellaccoppiatore.
191
Solitamente gli accoppiatori direzionali sono elementi reattivi, hanno cio una bassa
componente resistiva e dissipano poca potenza; quindi P1 P2 + P3 , il che significa
che la potenza in ingresso si ripartisce tra le porte 2 e 3. Come parametro di merito per
giudicare la bont di un accoppiatore direzionale, viene spesso indicata la direttivit,
idealmente infinita:
D|dB = 10 log10
P2
P4

= I|dB K|dB .
Nella Figura 3.11 vengono illustrati alcuni esempi di accoppiatori direzionali. Gli
accoppiatori si possono suddividere in varie categorie:
Accoppiatori a linee accoppiate semplici; possono essere uniformi o non uniformi. Accoppiatori non uniformi consentono

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Elettronica delle microonde

Parte I: componenti passivi, parametri S

Politecnico di Torino, aprile 2002

ELETTRONICA DELLE MICROONDE

Giovanni Ghione, Marco Pirola

vietata la riproduzione, anche parziale, con qualsiasi mezzo effettuato, compresa la

1. Circuiti planari ibridi e integrati per microonde

RF, microonde, onde millimetriche . . . . . . . . . . . .

Il circuito integrato a microonde ibrido e monolitico . . .

Linee di trasmissione TEM e quasi-TEM . . . . . . . . .

Richiami di teoria delle linee di trasmissione . . . . .

Parametri delle linee quasi-TEM . . . . . . . . . . .

Andamento in frequenza delle perdite parallelo:

Andamento in frequenza delle perdite serie: effetto

Strutture guidanti nei circuiti ibridi e monolitici a

Linee di trasmissione planari: microstriscia . . . . . .

Accoppiamento con modi spuri in linee planari . . . .

Componenti a parametri concentrati . . . . . . . . . . .

Layout di circuiti planari ibridi . . . . . . . . . . . . . .

Connessioni di componenti concentrati . . . . . . . .

Alimentazione e elementi attivi . . . . . . . . . . . .

Discontinuit delle linee di trasmissione . . . . . . .

Layout ibrido in microstriscia . . . . . . . . . . . . .

Problemi di layout ibrido . . . . . . . . . . . . . . .

Il layout integrato a microonde . . . . . . . . . . . . . .

Esempi di layout integrato a microonde . . . . . . . .

Contenitori per circuiti ibridi e integrati a microonde . .

Comportamento elettrico dei contenitori . . . . . . .

Contenitori: aspetti termici e meccanici . . . . . . . .

2. Due-porte lineari caricati: guadagni e stabilit

Richiami sui parametri scattering . . . . . . . . . . . . .

Relazione costitutiva di un n-porte in termini di

Soluzione di reti in termini di onde di potenza . . . .

Circuito equivalente con onde di potenza . . . . . . .

Connessione in cascata doppi bipoli non autonomi . .

Potenza, reciprocit e reattivit . . . . . . . . . . . .

Trasferimento di potenza generatore-carico in un

Analisi di strutture a due-porte caricate . . . . . . . . . .

Guadagni delle strutture a due-porte . . . . . . . . . . .

Realizzabilit delladattamento di potenza . . . . . .

Analisi della condizione di stabilit . . . . . . . . . .

Condizioni necessarie e sufficienti per la incondizionata stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Dimostrazione dei criteri di stabilit . . . . . . . . . .

Adattamento di potenza alle due-porte: realizzabilit e guadagno massimo . . . . . . . . . . . . . . . .

Stabilit e guadagni a frequenza fissa . . . . . . . . .

Stabilit e guadagni al variare della frequenza . . . .

3. Accoppiatori direzionali e divisori di potenza

Linee quasi-TEM accoppiate . . . . . . . . . . . . . . .

Analisi di linee accoppiate simmetriche . . . . . . . .

Linee planari accoppiate . . . . . . . . . . . . . . . .

Laccoppiatore a due linee accoppiate . . . . . . . . . .

Comportamento in frequenza dellaccoppiatore

Effetto del dissincronismo e compensazione . . . . .

Combinatori e divisori di potenza . . . . . . . . . . . . .

A. Richiami di teoria delle linee di trasmissione

A.1. Dalle equazioni di Maxwell alle equazioni dei telegrafisti

A.2. Soluzione della equazione dei telegrafisti . . . . . . . . .

A.3. Il coefficiente di riflessione e la carta di Smith . . . . . .

B. Cenni alla simulazione quasi-statica e dinamica di linee di

B.1. Ancora sulle linee TEM, quasi-TEM, non TEM . . . . .

B.2. Tecniche di analisi quasi-statica di linee quasi-TEM . . .

ove ne detto indice di rifrazione efficace della linea, e = n2e la permettivit

tuttavia anche C = Ca r , da cui immediatamente L = La , ossia che linduttanza non

In una linea quasi-TEM, possiamo definire la costante dielettrica relativa efficace e

ne = e . In una linea quasi-TEM si avr pertanto: