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Elettronica delle microonde

Parte I: componenti passivi, parametri S


G. Ghione, M. Pirola

Politecnico di Torino, aprile 2002


Dipartimento di Elettronica

otto editore

ELETTRONICA DELLE MICROONDE


Parte I: componenti passivi, parametri S

G. G HIONE , M. P IROLA

WWW. POLITO. IT

Giovanni Ghione, Marco Pirola


Elettronica delle microonde - Parte I: componenti passivi, parametri S

vietata la riproduzione, anche parziale, con qualsiasi mezzo effettuato, compresa la


fotocopia, anche ad uso interno o didattico, non autorizzata.

INDICE

1. Circuiti planari ibridi e integrati per microonde

1.1.

RF, microonde, onde millimetriche . . . . . . . . . . . .

1.2.

Il circuito integrato a microonde ibrido e monolitico . . .

14

1.3.

Linee di trasmissione TEM e quasi-TEM . . . . . . . . .

19

Richiami di teoria delle linee di trasmissione . . . . .

19

Parametri delle linee quasi-TEM . . . . . . . . . . .

28

Andamento in frequenza delle perdite parallelo:


caratteristiche dei substrati . . . . . . . . . . . . . . .

32

Andamento in frequenza delle perdite serie: effetto


pelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

33

Strutture guidanti nei circuiti ibridi e monolitici a


microonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

38

Cavo coassiale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

39

Linee di trasmissione planari: microstriscia . . . . . .

41

Linee coplanari . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

52

Accoppiamento con modi spuri in linee planari . . . .

56

Componenti a parametri concentrati . . . . . . . . . . .

62

Induttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

65

Condensatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

74

Resistori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

77

Layout di circuiti planari ibridi . . . . . . . . . . . . . .

79

Connessioni di componenti concentrati . . . . . . . .

80

Stub . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

82

1.4.

1.5.

1.6.

1.7.
1.8.

1.9.

Alimentazione e elementi attivi . . . . . . . . . . . .

82

Discontinuit delle linee di trasmissione . . . . . . .

84

Layout ibrido in microstriscia . . . . . . . . . . . . .

86

Problemi di layout ibrido . . . . . . . . . . . . . . .

88

Il layout integrato a microonde . . . . . . . . . . . . . .

89

Esempi di layout integrato a microonde . . . . . . . .

89

Contenitori per circuiti ibridi e integrati a microonde . .

92

Comportamento elettrico dei contenitori . . . . . . .

95

Contenitori: aspetti termici e meccanici . . . . . . . .

96

Quesiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

99

2. Due-porte lineari caricati: guadagni e stabilit


2.1.

Richiami sui parametri scattering . . . . . . . . . . . . .

105

Onde di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

105

Relazione costitutiva di un n-porte in termini di


onde di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

108

Soluzione di reti in termini di onde di potenza . . . .

111

Circuito equivalente con onde di potenza . . . . . . .

116

Connessione in cascata doppi bipoli non autonomi . .

120

Potenza, reciprocit e reattivit . . . . . . . . . . . .

122

Trasferimento di potenza generatore-carico in un


bipolo caricato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

124

2.3.

Analisi di strutture a due-porte caricate . . . . . . . . . .

127

2.4.

Guadagni delle strutture a due-porte . . . . . . . . . . .

132

Guadagno operativo . . . . . . . . . . . . . . . . . .

133

Guadagno disponibile . . . . . . . . . . . . . . . . .

137

Guadagno di trasduzione . . . . . . . . . . . . . . .

138

Realizzabilit delladattamento di potenza . . . . . .

139

Stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

140

Analisi della condizione di stabilit . . . . . . . . . .

143

Condizioni necessarie e sufficienti per la incondizionata stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

148

Dimostrazione dei criteri di stabilit . . . . . . . . . .

151

2.2.

2.5.

105

2.6.

2.7.

Adattamento di potenza alle due-porte: realizzabilit e guadagno massimo . . . . . . . . . . . . . . . .

156

Stabilit condizionata . . . . . . . . . . . . . . . . .

161

Guadagno e stabilit . . . . . . . . . . . . . . . . . .

162

Dispositivo unilaterale . . . . . . . . . . . . . . . . .

164

Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

166

Stabilit e guadagni a frequenza fissa . . . . . . . . .

166

Stabilit e guadagni al variare della frequenza . . . .

168

Quesiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

171

3. Accoppiatori direzionali e divisori di potenza


3.1.

177

Linee quasi-TEM accoppiate . . . . . . . . . . . . . . .

177

Analisi di linee accoppiate simmetriche . . . . . . . .

177

Linee planari accoppiate . . . . . . . . . . . . . . . .

184

3.2.

Laccoppiatore direzionale . . . . . . . . . . . . . . . .

189

3.3.

Laccoppiatore a due linee accoppiate . . . . . . . . . .

193

Comportamento in frequenza dellaccoppiatore


sincrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

200

Effetto del dissincronismo e compensazione . . . . .

203

Accoppiatori multiconduttore . . . . . . . . . . . . . . .

207

Laccoppiatore di Lange . . . . . . . . . . . . . . . .

215

Accoppiatori a interferenza . . . . . . . . . . . . . . . .

219

Accoppiatore branch-line . . . . . . . . . . . . . . .

221

Lanello ibrido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

226

Combinatori e divisori di potenza . . . . . . . . . . . . .

228

Divisori Wilkinson . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

228

3.7.

Conclusioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

231

3.8.

Quesiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

232

3.4.
3.5.

3.6.

A. Richiami di teoria delle linee di trasmissione

237

A.1. Dalle equazioni di Maxwell alle equazioni dei telegrafisti

237

A.2. Soluzione della equazione dei telegrafisti . . . . . . . . .

242

A.3. Il coefficiente di riflessione e la carta di Smith . . . . . .

247

B. Cenni alla simulazione quasi-statica e dinamica di linee di


trasmissione

253

B.1. Ancora sulle linee TEM, quasi-TEM, non TEM . . . . .

253

B.2. Tecniche di analisi quasi-statica di linee quasi-TEM . . .

256

B.3. Cenni alle tecniche dinamiche (full wave) di soluzione .

268

Lelettronica per le alte frequenze (radiofrequenze, RF, e microonde) stata resa (nuovamente) popolare negli ultimi anni dallavvento di applicazioni
quali la telefonia cellulare, con frequenze di impiego oltre il GHz. Inoltre la
realizzazione di circuiti elettronici, per lo pi analogici, per le alte frequenze,
che anni or sono si configurava come una sorta di black magic stato anche
in larga parte smitizzata dallavvento di strumenti di Computer Aided Design (CAD) che hanno reso possibile un avvicinamento pi rapido e indolore al
progetto. Detto questo, va comunque tenuto presente che le tecniche di analisi
e progetto per lelettronica RF e delle microonde restano comunque peculiari, ad esempio per luso di elementi distribuiti, di elementi attivi non sempre
convenzionali, e di tecniche di realizzazione (anche integrate) simili solo fino
ad un certo punto a quelle della microelettronica.
Da questo punto di vista il presente testo si presenta con un impianto piuttosto
conservativo: dedica spazio agli strumenti fondamentali di analisi, spesso con
un alto grado di dettaglio, senza per dilungarsi su alcune tecniche manuali di progetto che possono essere oggi sostituite favorevolmente da strumenti
CAD, partendo, come ovvio, da una conoscenza di base delle strutture circuitali e del dimensionamento approssimato dei componenti. Si tenga sempre
presente che lelettronica delle microonde comunque elettronica, vale a dire
unarte di progetto dove linventiva e la conoscenza dei problemi e delle soluzioni specifiche potenziata, ma niente affatto sostituita dalla disponibilit di
strumenti CAD.
Questa prima parte del testo dedicata ad una panoramica sulle tecniche di
realizzazione (ibride e monolitiche) dei circuiti per applicazioni a radiofrequenza e nel campo delle microonde e onde millimetriche e ai componenti
passivi (concentrati, distribuiti, a linee multiconduttore). Viene inoltre dedicato spazio ad argomenti di teoria dei circuiti (parametri scattering, stabilit)
caratteristici del settore delle alte frequenze, con applicazioni importanti alla
teoria degli amplificatori e dei componenti attivi.
Il testo completato da due appendici sulle linee di trasmissione e sulle tecniche di caratterizzazione elettromagnetica delle linee planari quasi-TEM. Ogni
capitolo completato da un elenco di quesiti a risposta multipla e aperti, che
vogliono essere solo un suggerimento per lautoapprendimento o la verifica
dei relativi argomenti.

Giovanni Ghione
Marco Pirola
Torino, Marzo 2002

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER


MICROONDE

1.1.

RF,

MICROONDE , ONDE MILLIMETRICHE

Con i termini RF (radiofrequenze), microonde e onde millimetriche si intendono campi di frequenze delimitate, in modo preciso, dalla normativa; nelluso comune si
applicano le definizioni seguenti:

per radiofrequenze (o RF) si intendono frequenze comprese fra qualche centinanio di MHz e circa 1 GHz, con lunghezze donda nel vuoto dellordine del
metro, e applicazioni, almeno in origine, nel campo della trasmissione radiofonica, da cui il nome; si tratta di un campo di frequenze, al confine tra lelettronica tradizionale e lelettronica delle microonde, divenuto oggi di notevole
interesse per la diffusione della telefonia cellulare. Le applicazioni cellulari
utilizzano oggi frequenze comprese fra 500 MHz e 2 GHz circa; applicazioni
di terza o quarta generazione faranno uso di frequenze leggermente pi elevate,
fino a 3-4 GHz;
per microonde si intendono frequenze comprese tra 1 GHz e 30 GHz, a cui
corrispondono lunghezze donda nel vuoto che vanno da 30 cm a 1 cm; il
campo di frequenze utilizzato prevalentemente per sistemi di telecomunicazioni sia terrestri che satellitari, per sistemi radar, di prospezione ambientale,

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

e via dicendo; le microonde corrispondono inoltre al campo di frequenze utilizzate nei sistemi di trasmissione digitali in fibra ottica, operanti alla velocit
di 10 o 40 Gbps;
per onde millimetriche si intendono frequenze tra 30 GHz e 100 GHz circa, a
cui corrisponde una lunghezza donda di 3 mm. Nel campo delle onde millimetriche vi sono ancora applicazioni a sistemi di telecomunicazioni, per quanto,
al salire della frequenza, le applicazioni si facciano pi specifiche e dedicate
(ad esempio: sistemi di navigazione di bordo per autoveicoli, posizionati nella
banda oltre i 70 GHz).

Il campo delle onde millimetriche si estende, in realt, anche oltre i 100 GHz, sconfinando per in una regione in cui le applicazioni sono scarse, o prevalentemente nel
campo della prospezione ambientale. Da 1000 GHz in poi troviamo le frequenze dellinfrarosso e ancora oltre le frequenze ottiche, per le quali ancora possibile parlare
di una elettronica (loptoelettronica) ma con tecnolgie diverse e diverse modalit di
progetto rispetto alla elettronica delle microonde, per le quali possibile individuare
temi unitari in termini di applicazioni, tecniche di progetto dei circuiti, tipi di circuiti, dispositivi attivi utilizzati per il campo di frequenze che va dalle RF alle onde
millimetriche.
Come si accennato la normativa impone suddivisioni interne alle bande di frequenza che appartengono alle RF, microonde, onde millimetriche. Lo schema di denominazione (vecchio) delle banda di frequenza riportato nella Figura 1.1 mentre la
Figura 1.2 presenta uno schema maggiormente dettagliato delle bande di frequenza
comprese fra 100 MHz e 100 GHz. Si noti che la denominazione vecchia ancora
molto utilizzata nelle applicazioni.
Vi sono svariate ragioni per utilizzare il campo di frequenze delle microonde o delle
onde millimetriche. Per quanto riguarda le microonde, al crescere della frequenza la
larghezza di banda disponibile, e quindi la densit di informazione trasmessa, crescono. La trasmissione di segnali a microonde possibile sia su supporto guidante (linea

10

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

L u n g h e z z a d 'o n d a n e l v u o t o
1 0 0 k m

1 0 k m

1 k m

V L F

1 0 0 m

L F

M F

1 0 m

H F

1 m

V H F

1 0 c m

U H F

1 c m

1 m m

S H F

0 .1 m m

E H F

T ra s m is s io n i
ra d io fo n ic h e
R a d a r

R F
F re q u e n z e a u d io

M ic ro o n d e

In fra ro sso

O n d e m illim e tric h e
F re q u e n z e v id e o
3 0 H z

3 0 0 H z

3 k H z

3 0 k H z

3 0 0 k H z

3 M H z

3 0 M H z

3 0 0 M H z

3 G H z

3 0 G H z 3 0 0 G H z

3 T H z

F re q u e n z a
Fig. 1.1 Bande di frequenza.

L u n g h e z z a d 'o n d a n e l v u o t o , c m
6 0

3 0 0

V H F
0 .1

3 0

U H F
0 .3

1 5

L
1 .0

1 0 7 .5 5

S
2 .0

3 .7 5 3

C
4 .0

X
8 .0

1 .5

K u
1 5 .0

0 .7 5

0 .5

K a
3 0 .0 4 0 .0

0 .3

m m
1 0 0 .0

F re q u e n z a , G H z
Fig. 1.2 Bande di frequenza nel campo delle alte frequenze.

In alto: nuova

convenzione militare per le bande; in basso: vecchia convenzione.

11

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 0 2
H
O

A tte n u a z io n e in a ria , d B /k m

1 0 1

1 0 0
H
2

1 0 -1

1 0 -2

1 0 -3

1 0

2 0

3 0

4 0

5 0

6 0

8 0

1 0 0

2 0 0

3 0 0

F re q u e n z a , G H z

Fig. 1.3 Attenuazione in aria di microonde e onde millimetriche.

di trasmissione) che in aria. Campi di frequenze tipiche sono ad esempio quelli fino
a 10 GHz per i ponti radio telefonici, e le frequenze della banda intorno a 20 GHz
per i ponti radio via satellite. Le microonde si prestano inoltre ad altri usi svariati, sia
nel settore del remote sensing, che nel settore dei sistemi radar, che per usi industriali diversi (riscaldamento, essiccazione, ecc.). Non va infine dimenticato che, a causa
dellaffollamento dello spettro elettromagnetico e delle normative internazionali che
ne disciplinano luso (talora oneroso per effetto di licenze di utilizzo), lo sfruttamento di specifiche bande di frequenza spesso il frutto di un compromesso fra esigenze
tecniche e la disponibilit e il costo.
Per le onde millimetriche il discorso analogo, ma con differenze importanti. Innanzi tutto la trasmissione in aria delle onde millimetriche (ad esempio nella banda
intorno ai 70 GHz) non pu avvenire se non su distanze relativamente brevi, a causa

12

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

del valore elevato della attenuazione in aria (vedi Fig. 1.3); possibile allora costruire sistemi di telecomunicazione che operano in diversit spaziale, ossia consentono la
comunicazione punto-punto a pi coppie di interlocutori nella stessa banda di frequenza, linterferenza essendo evitata attraverso lattenuazione del segnale da una coppia
allaltra.
Un secondo vantaggio importante delle onde millimetriche la minore lunghezza
donda, che consente di costruire antenne estremamente compatte, in grado di essere montate in modo quasi invisibile su autoveicoli ecc. Questa caratteristica rende le
onde millimetriche particolarmente adatte ai sistemi di comunicazione e sorveglianza
automotivi, ossia installati a bordo di autoveicoli, quali i sistemi radar anticollisione, i sistemi di monitoraggio della condizione del suolo, i sistemi di comunicazione
interveicolare.
A causa della riduzione notevole della lunghezza donda, nel campo delle microonde e delle onde millimetriche possibile realizzare, con dimensioni relativamente
compatte, due tipi di circuiti:

Il circuito a parametri concentrati, i cui elementi (concentrati) devono essere


piccoli rispetto alla lunghezza donda. Circuiti di questo tipo sono tipicamente
circuiti integrati, o su substrato di silicio (fino a qualche GHz), o su substrato
di arseniuro di gallio (GaAs) o fosfuro di indio (InP) a frequenze pi elevate.
Circuiti integrati su InP possono arrivare fino alle onde millimetriche.
Il circuito a parametri distribuiti, che fa uso di elementi basati su linee di trasmissione planari (di solito microstrisce); gli elementi distribuiti hanno dimensioni non trascurabili rispetto alla lunghezza donda guidata delle linee di trasmissione di cui sono costituiti (ad esempio, dimensioni dellordine del quarto
di lunghezza donda). Circuiti di questo tipo sono ibridi, ossia presentano elementi attivi in forma discreta mentre gli elementi passivi distribuiti sono realizzati su substrato dielettrico (ad esempio allumina) mediante la tecnica del film
sottile. Grazie alla bassa lunghezza donda, i circuiti ibridi a microonde pre-

13

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

sentano (almeno per frequenze superiori a qualche GHz) dimensioni compatte,


anche se non paragonabili a quelle dei circuiti integrati monolitici.
Un terzo tipo di circuito, che non sar di solito preso in considerazione qui, il circuito
in guida donda (ad esempio in guida donda rettangolare o circolare, oppure in cavo
coassiale). A causa del peso, ingombro e costo elevato di lavorazione (e delle caratteristiche intrinsecamente a banda stretta) il circuito in guida donda oggi utilizzato
nelle applicazioni nelle quali la guida donda presenta propriet superiori alle linee di
trasmissione impiegate nei circuiti ibridi, ossia: capacit di gestire potenze estremamente elevate senza danneggiarsi e senza problemi di compatibilit (isolamento elevato); bassa attenuazione, e di conseguenza possibilit di costruire circuiti ad alto fattore
di qualit (ad esempio risonatori e filtri molto selettivi in frequenza); interfacciamento
diretto e efficiente ai sistemi di antenna.

1.2.

IL

CIRCUITO INTEGRATO A MICROONDE IBRIDO E MONOLITICO

Nel seguito del discorso lattenzione sar focalizzata sui circuiti a microonde (integrati
o ibridi) realizzati con tecnologia planare, ossia facendo uso di elementi distribuiti
o concentrati realizzati con linee di trasmissione planari. In generale un sistema a
microonde per la trasmissione, la ricezione e lelaborazione di informazioni richiede
tre elementi:1
1. Sorgente di segnali
2. Trasduttore
3. Ricevitore di segnali.

Lelaborazione di informazioni condotta direttamente a microonde in realt modesta, e consiste di solito in semplici operazioni di modulazione e demodulazione, sfasamento, commutazione di canale, e simili; operazioni pi complesse che richiedono circuiti digitali sono realizzate
da moduli operanti a frequenze o velocit pi basse, ossia su un segnale non ancora modulato o
gi demodulato.

14

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Nel campo delle radiofrequenze (inferiore al GHz) questi tre blocchi funzionali sono
costituiti da circuiti e dispositivi allo stato solido e a parametri concentrati. Per le
frequenze ottiche la sorgente un laser allo stato solido o un LED (Light Emitting
Diode, diodo emettitore di luce), i trasduttori sono fibre ottiche e i ricevitori sono
fotodiodi.2
Per quanto riguarda le microonde/onde millimetriche i tre blocchi funzionali delineati in precedenza si possono realizzare utilizzando tecniche sia concentrate (basate su resistori, induttori, condensatori concentrati) che distribuite (basate su linee di
trasmissione e componenti realizzati con queste):

Le tecniche a parametri concentrati si possono utilizzare solo in circuiti integrati, a causa delle dimensioni fisiche imposte dalle lunghezze donda, e in
particolare in circuiti integrati monolitici (MMIC, Monolithic Microwave Integrated Circuits); fino a frequenze pari a qualche GHz il circuito monolitico pu
essere realizzato con silicio, oltre qualche GHz e fino a circa 90 GHz si utilizzano circuiti con substrati di arseniuro di gallio (GaAs) e fosfuro di indio (InP).
Gli elementi passivi (resistori e induttori) sono di solito realizzati con tratti di
linea o piste metalliche, mentre i condensatori vengono realizzati, oltre che
con tecniche convenzionali, anche con dispositivi attivi. I dispositivi attivi utilizzati sono i transistori bipolari (BJT) e i MOSFET (Si), oppure, nei circuiti
integrati su GaAs, i MESFET, gli HEMT e i bipolari a eterostruttura (HBT).

Si noti che la banda del cosiddetto lontano infrarosso, corrispondente a lunghezze donda maggiori di circa 10 m, non pu essere utilizzata per costruire sistemi di telecomunicazioni in
quanto non esistono sorgenti coerenti di segnale. Infatti, mentre per le frequenze ottiche possibile utilizzare lemissione da semiconduttori con larghezze di banda proibita dellordine dello
eV (cui corrispondono lunghezze donda dellordine del m), per lunghezze donda superiori
questo meccanismo non pu essere sfruttato per mancanza di semiconduttori adeguati a banda
proibita molto piccola, senza contare il fatto che tali semiconduttori presenterebbero comunque
propriet scadenti a causa della elevata concentrazione intrinseca.

15

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Le tecniche a parametri distribuiti vengono utilizzate nei cosiddetti circuiti


ibridi (o integrati ibridi, da cui lacronimo MIC, Microwave Integrated Circuits, che li indica). Gli elementi a parametri distribuiti utilizzano di solito
linee di trasmissione TEM o quasi-TEM planari (definite in seguito) che permettono di realizzare svariati dispositivi passivi: accoppiatori, anelli ibridi,
sezioni di adattamento, trasformatori di impedenza, e via dicendo. I dispositivi attivi possono essere realizzati anche qui con silicio (fino a qualche GHz) e,
a frequenze superiori, con GaAs (MESFET, HEMT, HBT). Si utilizzano anche
altri elementi a semiconduttore, quali i diodi (pn, Schottky, varactor).

I circuiti integrati a microonde, sia ibridi che monolitici, sono circuiti planari, ossia
realizzati su un substrato isolante. Nel circuito ibrido il substrato di materiale dielettrico; dielettrici comunemente utilizzati sono il teflon e i suoi derivati (con costanti
dielettriche relative comprese fra 2 e 4 circa) che danno luogo ai cosiddetti substrati leggeri, e le ceramiche (ad esempio lallumina), meccanicamente rigide e fragili e
caratterizzate da costanti dielettriche relative pi elevate (dellordine di 10); questi ultimi sono detti substrati pesanti. Di solito (ma non sempre) i substrati leggeri sono
poco rigidi, e presentano spessori pi elevati (ad esempio 0.5-2 mm) mentre i substrati pesanti sono pi sottili (ad esempio dellordine di 0.5 mm); in entrambi i casi il
substrato di solito rivestito inferiormente da uno strato metallico che serve da piano
di massa. Per scopi particolari si utilizzano materiali diversi, ad esempio lossido di
berillio nei circuiti di potenza a causa della sua elevata conducibilit termica. Nei circuiti monolitici il substrato semi- isolante un semiconduttore, ad esempio GaAs; in
questo caso la costante dielettrica del materiale circa 13. Circuiti integrati su silicio
fanno uso di substrati poco drogati rivestiti di strati dielettrici isolanti (ad esempio ossido di silicio). Nei circuiti integrati il substrato tipicamente sottile, ad esempio di
spessore inferiore a 300 m.
La differenza sostanziale fra i circuiti ibridi e monolitici costituita da tipo di elementi
integrati e dalla loro scelta:

16

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Nei circuiti ibridi a microonde si integrano di solito tutti gli elementi distribuiti ( linee di trasmissione e elementi realizzati con queste); gli elementi concentrati, quali i resistori e i condensatori, sono talvolta integrati, ma spesso,
quando opportuno, realizzati in forma discreta; gli elementi attivi sono sempre
realizzati in forma discreta. I circuiti ibridi fanno di solito uso di un progetto basato su elementi distribuiti, ed hanno pertanto dimensioni proporzionali alla lunghezza donda di lavoro (grandi a bassa frequenza, piccoli ad alta
frequenza).
Nei circuiti monolitici a microonde tutti gli elementi sono in linea di principio
integrati, anche se alcuni fra questi sono poi in pratica realizzati esternamente
al circuito in forma discreta; si pensi ad esempio ai condensatori di blocco,
che spesso presentano valore elevato ed costoso e inopportuno realizzare in
forma monolitica. Il progetto basato su elementi concentrati fino a frequenze
dellordine di 20-25 GHz, in quanto tali elementi si presentano pi compatti,
e permettono quindi di ridurre larea e il costo del circuito. Per frequenze
superiori luso degli elementi concentrati diviene sempre pi difficile a causa
dei rilevanti effetti parassiti presenti, e pertanto anche nei circuiti monolitici si
ricorre ad elementi distribuiti.

Un esempio di circuito ibrido planare costituito da tre sottosistemi connessi attraverso


connettori coassiali mostrato nella Figura 1.4; si possono notare i contenitori metallici esterni e gli elementi attivi montati in modo ibrido. Nella Figura 1.5 invece
mostrato un circuito integrato a microonde; si notino gli elementi attivi e soprattutto
gli elementi passivi concentrati (induttori a spirale), di grandi dimensioni rispetto agli
attivi.
La scelta fra una implementazione ibrida e una implementazione monolitica influenzata poi da una serie di considerazioni, che si possono schematizzare (in parte) come
segue:

17

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Fig. 1.4 Esempio di circuito ibrido planare (amplificatore bilanciato).

Costi: circuiti ibridi e monolitici corrispondono a costi di realizzazione e processo ben diversi. La realizzazione ibrida ha un costo maggiore per unit prodotta, ma i costi di predisposizione del processo sono bassi; alla realizzazione
monolitica corrisponde un basso costo per unit prodotta, ma elevatissimi costi
di progetto e tempi lunghi. La realizzazione monolitica quindi adatta solo alla produzione su larga scala (ad es. pi di 1000 circuiti) mentre la realizzazione
ibrida si presta alla produzione di basso volume.
Ripetibilit: i circuiti integrati tendono ad avere prestazioni maggiormente
ripetibili, rispetto ai circuiti ibridi, nellambito ovviamente delle incertezze
dovute al processo tecnologico.
Prestazioni: certe prestazioni possono essere ottenute solo attraverso laccordo (tuning) del circuito realizzato, cosa possibile solo se il circuito ibrido.
Vi sono pertanto categorie di circuiti (tipicamente a banda stretta) che meno
critico realizzare in forma ibrida che monolitica.

18

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Fig. 1.5 Esempio di circuito monolitico (amplificatore a tre stadi, prod. Alenia).

1.3.

L INEE

DI TRASMISSIONE

TEM

E QUASI -TEM

Nei circuiti a microonde le linee di trasmissione sono impiegate per trasportare informazione (potenza elettrica) da un punto allaltro del circuito e per realizzare gli
elementi passivi distribuiti come filtri, trasformatori di impedenza, accoppiatori.

Richiami di teoria delle linee di trasmissione


Prima di analizzare i principali tipi di linee usate nei circuiti a microonde si richiamano
alcune basi teoriche. Con il termine linee di trasmissione si intendono strutture
composte da N conduttori metallici, con N maggiore o uguale a 2. Uno dei conduttori
metallici funge da piano di massa. Si parla di linee semplici quando vi un conduttore
pi la massa, di linee multiconduttore o linee accoppiate quando vi sono pi conduttori
su piano di massa. Delle linee a pi conduttori, o linee multiconduttore, ci si occuper
pi avanti in dettaglio.
Da un punto di vista elettromagnetico una linea multiconduttore porta N 1 modi
di propagazione Trasverso Elettro Magnetici (TEM) oppure, se la sezione trasversale
della linea non omogenea (ad esempio la linea su substrato dielettrico), quasi-TEM

19

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

(ossia strettamente TEM solo a frequenza molto bassa; a frequenze elevate appaiono
anche componenti non trasversali del campo elettromagnetico). Si noti che mentre i
modi di propagazione non-TEM (ad esempio i modi di una guida donda rettangolare)
presentano frequenza di taglio (cio non si possono propagare per frequenza inferiore alla frequenza di taglio), il modo TEM o quasi-TEM opera fino dalla continua. Le
linee di trasmissione quasi-TEM presentano inoltre una infinit numerabile di modi
superiori di propagazione con frequenza di taglio non nulla; tali modi si possono considerare, in prima approssimazione, come i modi della struttura dielettrica (di solito
chiusa con un piano di massa metallico) ottenuta asportando (in una linea semplice) il
conduttore che porta il segnale. I modi superiori di propagazione non hanno, in una
linea quasi-TEM, interesse pratico, ed anzi la loro eccitazione deve essere evitata in
quanto disperdono potenza.
Le linee TEM (o quasi TEM) sono caratterizzate da quattro parametri specifici, che
possibile associare ad una sezione di lunghezza infinitesima della linea secondo il
circuito equivalente a parametri pseudo- concentrati mostrato in Figura 1.6:
L, detta induttanza (serie) per unit di lunghezza,
C, capacit (parallelo) per unit di lunghezza,
R, resistenza (serie) per unit di lunghezza,
G, conduttanza (parallelo) per unit di lunghezza.
La teoria delle linee di trasmissione suggerisce che su di una linea quasi-TEM o TEM
possono propagarsi due modi fondamentali, uno progressivo, laltro regressivo, tale
che la tensione (del modo progressivo) legata alla corrente dello stesso modo dalla
impedenza caratteristica Z0 (indicata anche con Z oppure Zc ), mentre il fasore
associato alla tensione del modo progressivo (regressivo) di unonda armonica nel
tempo si propaga lungo z secondo la legge:
V (z) = V0 exp(z) V0 exp(jz z)
ove la costante di propagazione complessa = + j una quantit complessa la
cui parte reale lattenuazione (dovuta a dissipazione nel conduttore, c e nel dielettrico, d ) e la parte immaginaria la costante di propagazione reale = /vf , vf
20

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

L d z

I(z)

V (z)

d z

C d z

I(z+ d z)

G d z

V (z+ d z)

d z
Fig. 1.6 Circuito equivalente a parametri concentrati di sezione infinitesima di linea.

velocit di fase. La costante di propagazione si misura in rad/m, mentre lattenuazione in Np/m, neper al metro, oppure pi spesso in dB/cm, decibel al centimetro;
le due unit di misura sono legate dalla relazione3 :
|dB/m = 8.6859
|dB/cm = 0.086859

1.1
1.2

ove indicato in unit naturali, ossia in Np/m.


Dal punto di vista fisico, lattenuazione dovuta a dissipazione nel conduttore associata alla resistenza serie per unit di lunghezza R mentre lattenuazione dovuta a
dissipazione nel substrato dielettrico (di solito molto minore) legata alla conduttanza parallelo per unit di lunghezza G. Si noti che i parametri per unit di lunghezza
vengono anche spesso detti parametri specifici della linea di trasmissione.

Si ricorda infatti che, data una tensione progressiva V (z), si ha, in presenza di attenuazione:
|V (z + L)| = |V (z)| exp(L)
ove espresso in Np/m e L in m, ossia in unit naturali. Si ha allora, in dB:
V (z)
V (z + L)

= 20 log10
dB

V (z)
= 20 log10 exp(L) = L 20 log10 e =
V (z + L)

= 8.6859L = |dB/m L,
come si voleva dimostrare.

21

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Limpedenza caratteristica, definita come il rapporto tra tensione e corrente progressive in un punto della linea, costante lungo un tratto uniforme di linea. La teoria
delle linee, basata sulla soluzione delle equazioni dei telegrafisti, permette di legare
limpedenza caratteristica ai parametri specifici della linea:

R + jL
,
Z0 =
G + jC
mentre per la costante di propagazione complessa vale lespressione:
= + j =

(R + jL) (G + jC).

Si definisce poi la lunghezza donda guidata o in guida g tale che:


=

2
;
g

la lunghezza donda guidata proporzionale alla lunghezza donda nel vuoto 0


secondo le espressioni:

g = 0 /ne = 0 / e

1.3

ove ne detto indice di rifrazione efficace della linea, e = n2e la permettivit


efficace (relativa) della linea.
Per linee con basse perdite (resistenza serie molto minore della reattanza serie, conduttanza parallelo molto minore della suscettanza parallelo), possibile operare
delle semplificazioni significative. Innanzi tutto, a frequenze elevate, limpedenza
caratteristica quasi puramente reale, e si pu porre:

L
.
Z0
C
La costante di propagazione complessa a sua volta si pu esprimere in modo
semplificato, ad alta frequenza, come segue:
= + j

R
GZ0
+
+ j LC.
2Z0
2

Si noti che dalla espressione precedente le perdite dovute alla resistenza serie e quelle dovute alla conduttanza parallelo si sommano semplicemente; inoltre landamento
in frequenza delle relative attenuazioni c (perdite nel conduttore) e d (perdite nel
dielettrico) corrisponde allandamento in frequenza di R e G, rispettivamente. Per-

22

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

tanto se queste ultime sono costanti in frequenza, lattenuazione risulta essere, ad alta
frequenza, costante. Questo in realt non accade in pratica perch R presenta una
dipendenza in frequenza dettata dallo effetto pelle mentre G risulter essere, ad alta
frequenza, proporzionale a f.
Tornando alla parte immaginaria di , questa fornisce la velocit di fase di una linea
TEM o quasi-TEM che si potr esprimere, ad alta frequenza, come:
1
vf = .
LC
La condizione di basse perdite, che si utilizzata per ricavare le espressioni semplificate ad alta frequenza, comunque destinata ad infrangersi a bassa frequenza, dove le
componenti dissipative prendono il sopravvento su quelle reattive. Nel limite continuo
( 0) si ha infatti sempre:


Z0

R
G

RG

per cui la linea si comporta come un attenuatore resistivo. In pratica per la conduttanza parallelo per unit di lunghezza molto bassa nelle linee di trasmissione planari
(ossia le perdite serie prevalgono su quelle parallelo alla frequenze di uso comune),
per cui una approssimazione del comportamento a frequenza bassa ma non quasi nulla
(frequenza intermedia) fornito da:


R + jL
1j R

Z0
jC
C
2

1 + j
RC.
(R + jL) (jC)
2
In altri termini a frequenza intermedia la parte reale e immaginaria della impedenza
caratteristica sono uguali, e altrettanto vale per la parte reale e immaginaria della costante di propagazione complessa. Mentre il comportamento a bassa frequenza o RG
interessa poco nelle microonde perch avviene molto al di sotto della banda di frequenza di interesse, la transizione fra il comportamento a frequenza intermedia o RC
e il comportamento ad alta frequenza o LC in cui limpedenza caratteristica praticamente reale dipende in modo critico dai parametri della linea; pi grandi sono le
perdite (per conduzione nel metallo, di solito dominanti), maggiore la frequenza alla

23

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

quale avviene la transizione fra i due regimi. In particolare, nei circuiti integrati a microonde la transizione pu avvenire anche alla frequenza di alcuni GHz, e pertanto il
progetto deve tener conto del fatto che le linee possono lavorare nel regime di frequenza intermedia. Un esempio quantitativo di comportamento fornito nellEsempio 1.1.

ESEMPIO 1.1

Una linea di trasmissione presenta impedenza caratteristica ad alta frequenza di 50 ,

permettivit efficace pari a 6, attenuazione di 0.5 dB/cm dovuta a perdite nel conduttore, di
0.01 dB/cm dovuta a perdite nel dielettrico alla frequenza f0 = 1 GHz. Supponendo che le
due attenuazioni (dielettrica e nel conduttore) siano costanti in frequenza, valutare i parametri
specifici della linea e di qui il comportamento a frequenza bassa, intermedia e alta, della impedenza caratteristica e costante di propagazione complessa, mettendo in evidenza in quali campi
di frequenza possibile applicare delle semplificazioni.

Supponiamo, per fissare le idee, che alla frequenza f0 = 1 la linea si trovi gi in regime

di alta frequenza; nella approssimazione ad alta frequenza si ha:




L/C

vf = 1/ LC = 3 108 / e

Z0 =

da cui, moltiplicando:



1/C = 50 3 108 / e C = 6/ 150 108 = 1.633 1010 F/m


e quindi:
L = CZ02 = 4.0825 107 H/m
Sempre nella approssimazione di alta frequenza:
R
2Z0
GZ0
d
2
c

24

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

da cui, essendo c = 0.5 dB/cm = 1/0.086859 = 5.75 Np/m; d = 0.01 dB/cm = 0.115
Np/m, si ottiene:
R = 2Z0 c = 100 5.75 = 575 /m
G = 2d /Z0 = 2 0.115/50 = 0.0046 S/m.
Verifichiamo che a 1 GHz la linea si trovi in condizioni prevalentemente LC. Per questo bisogna
avere:
2f0 L  R 6.28 109 4.0825 107 = 2564  575
2f0 C  G 6.28 109 1.633 1010 = 1.025  0.0046
condizioni entrambe verificate; si ha quindi in definitiva linsieme dei parametri specifici:
L = 4.0825 107 H/m
C = 1.633 1010 F/m
R = 575 /m
G = 0.0046 S/m.
Landamento in frequenza della costante di propagazione e della attenuazione della linea sono mostrate nella Figura 1.7. Si pu notare come la attenuazione cresca dal valore a bassa
frequenza a quello ad alta frequenza, circa pari a 0.5 dB/cm, mentre la costante di propagazione circa lineare in frequenza. Le regioni di bassa frequenza, frequenza intermedia, alta
frequenza si possono anche identificare per quanto riguarda limpedenza caratteristica, mostrata nella Figura 1.8. Si pu notare come a bassa frequenza limpedenza sia circa reale e RG,
ad alta frequenza di nuovo reale e LC, mentre a frequenza intermedia le parti reali e immaginaria dellimpedenza sono circa uguali, in corrispondenza della regione RC di funzionamento.
Si osservi che landamento tipico mostrato proprio delle linee dotate di conduttanza parallelo
trascurabile (cio di perdite serie prevalenti). Si noti infine che lattenuazione ad alta frequenza
presenta valore costante, in quanto sono comunque costanti la resistenza serie e la conduttanza
parallelo.

25

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

6 0 0

4 0 0

Im p e d e n z a c a ra tte ris tic a , W

Im [Z 0]
R e [Z 0]

R e [Z 0], fre q u e n z a in te rm e d ia
Z 0(0 ), b a s s a fre q u e n z a

2 0 0

B a ssa
fre q .
(R G )
0

R e [Z 0]
Z 0( ),
a lta fre q u e n z a

Im [Z 0]
-2 0 0

Im [Z 0], fre q . in te rm e d ia

-4 0 0
F re q u e n z a in te rm e d ia
(R C )
-6 0 0

1 0

1 0

A lta fre q u e n z a
(L C )
8

1 0
F re q u e n z a , H z

1 0

1 0

1 0

Fig. 1.7 Andamento in frequenza della costante di propagazione e della attenuazione


della linea di cui allEsempio 1.1.

Alcune formule utili per le linee di trasmissione


A titolo di richiamo si ricordano anche le espressioni della impedenza di ingresso di
una linea di lunghezza l chiusa su una impedenza di carico ZL :


ZL cosh(l) + Z0 sinh(l)
Zi = Z0
;
Z0 cosh(l) + ZL sinh(l)
limpedenza di una linea in corto circuito (ZL = 0):
Zi = Z0 tanh(l)
e in circuito aperto (ZL = ):
Zi = Z0 coth(l);
limpedenza di una linea lunga l = g /4:


ZL sinh(l) + Z0 cosh l
Zi = Z0
Z0 sinh(l) + ZL cosh(l)

26

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

A tte n u a z io n e , d b /c m ; c o s ta n te d i p ro p a g a z io n e , ra d /m

1 0

1 0

1 0

1 0

B a ssa
fre q .
(R G )
a

b , fre q u e n z a
in te rm e d ia
b
a , fre q u e n z a
in te rm e d ia

b , a lta
fre q u e n z a
0

a , a lta fre q u e n z a
a

1 0

-1

a , b a ssa fre q u e n z a
F re q u e n z a in te rm e d ia
(R C )

1 0

A lta fre q u e n z a
(L C )

-2

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

F re q u e n z a , H z

Fig. 1.8 Andamento in frequenza dellimpedenza caratteristica di cui allEsempio 1.1.

oppure l = g /2:


Zi = Z0


ZL cosh(l) + Z0 sinh(l)
.
Z0 cosh(l) + ZL sinh(l)

Si ricorda anche la definizione del coefficiente di riflessione sul carico:


L =

ZL Z0
ZL + Z0

e di rapporto donda stazionaria:


=

1 + |L |
.
1 |L |

27

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

e r= 1

e r= 1
e

e
r

Fig. 1.9 Esempi di guida donda non-TEM, quasi-TEM, TEM.

Parametri delle linee quasi-TEM


Nellelettronica delle microonde sono molto comuni le strutture guidanti quasi- TEM,
caratterizzate da una sezione duplicemente connessa dal punto di vista dei conduttori
metallici, ma con dielettrico non omogeneo. Un esempio di strutture guidanti nonTEM (guida rettangolare), quasi-TEM (microstriscia schermata) e TEM (stripline)
mostrato nella Figura 1.9.
Lunica differenza di rilievo pratico fra le linee TEM e le quasi-TEM sta nel fatto che
le quasi-TEM presentano una velocit di fase che debole funzione della frequenza.
Si pu quindi dividere il problema in due parti: analisi quasi-statica, ossia trascurando
la dipendenza della velocit di fase dalla frequenza, e analisi dinamica, nella quale
si valutano gli andamenti della velocit di fase (ed eventualmente dellimpedenza) al
variare della frequenza.
Supponiamo innanzi tutto di trascurare, in prima approssimazione, le perdite, o comunque di ritenere che queste possano essere introdotte in seguito secondo la cosiddetta approssimazione di alta frequenza. In tali condizioni, il modello quasi-statico
della linee quasi-TEM basato sul calcolo della capacit e dellinduttanza per unit
di lunghezza L e C.
Dimostriamo innanzi tutto che, in una linea TEM (trasversalmente omogenea, con
dielettrico di permettivit relativa r ), L indipendente dalla presenza di dielettrici.
Infatti, detta L linduttanza con dielettrici e La linduttanza in aria, si ha che la velocit
di fase della linea con dielettrici :
c0
1
=
vf =
r
LC
ove c0 la velcit della luce nel vuoto, mentre la velocit di fase della linea in aria :

28

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

c0 =

1
;
L a Ca

1.4

tuttavia anche C = Ca r , da cui immediatamente L = La , ossia che linduttanza non


dipende dal dielettrico. Il risultato precedente si pu estendere, in senso quasi statico,
a linee quasi-TEM, per le quali continua pertanto a valere la propriet L = La .
In una linea quasi-TEM la induttanza per unit di lunghezza si pu esprimere in
funzione della capacit per unit di lunghezza in aria, Ca . Infatti, dalla 1.4 si ottiene:
L = La =

1
.
c20 Ca

1.5

Pertanto limpedenza caratteristica e la velocit di fase della linea quasi- TEM si


possono scrivere secondo le espressioni:

L
1
Z0 =
=
C
c0 CCa

Ca
1
vf =
= c0
LC
C

1.6

1.7

nelle quali compaiono unicamente la capacit in aria e con dielettrici.


Nel caso TEM si ha semplicemente C = r Ca , da cui, detta Z0a limpedenza
caratteristica in aria (o nel vuoto) della linea, si ottiene, come ovvio, da:
1
1
Z0a

=
=
c0 C a  r
r
c0 CCa

Ca
c0
vf = c0
= .
C
r

Z0 =

1.8

1.9

In una linea quasi-TEM, possiamo definire la costante dielettrica relativa efficace e


tale che:
C = e Ca
ove Ca al solito la capacit in aria; si definisce anche lindice di rifrazione efficace

ne = e . In una linea quasi-TEM si avr pertanto:

1
Z0a
=

c0 Ca e
e
c0
vf =
e

Z0 =

1.10
1.11

29

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

d ie le ttric o

a ria

d z
W
W

Fig. 1.10 Linea a facce piane parallele con dielettrico non omogeneo.

ossia, equivalentemente, per la lunghezza donda guidata e la costante di


propagazione:
0
g =
e

= 0 e .

1.12
1.13

Un esempio di calcolo della permettivit efficace in una linea quasi-TEM a facce piane
parallele riportato nellEsempio 1.2.

ESEMPIO 1.2

Si consideri una linea quasi-TEM formata da due conduttori metallici paralleli, fra i quali

posto un dielettrico non omogeneo, vedi Figura 1.10. Calcolare la permettivit efficace e
limpedenza caratteristica della linea trascurando leffetto di bordo.

Ipotizziamo che la sezione infinitesima della linea sia formata da due condensatori in

parallelo, di dimensioni h, W , dz, di cui uno in aria con costante dielettrica 0 , laltro con
costante dielettrica r 0 . Essendo C la capacit totale per unit di lunghezza, le capacit dei due
condensatori sulla lunghezza dz risultano:
W dz
0
h
W dz
0 r
C2 =
h
C1 =

30

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

per cui la capacit totale per unit di lunghezza :


C=

W
(1 + r )0
h

mentre la capacit in aria sarebbe:


Ca =

W
20 .
h

Definiamo allora la permettivit efficace come rapporto fra la capacit con dielettrico e la
capacit in aria; si ottiene:
e =

C
1 + r
=
Ca
2

cio la permettivit efficace la media delle permettivit dellaria e del dielettrico. Per
limpedenza caratteristica si ha:
Z0 =

c0 Ca e

ove si tenuto presente che

0 0

2W 0

2
= 120
1 + r

2
h
1 + r 2W

0 /0 = 120 limpedenza caratteristica del vuoto.

In generale, in una linea planare su substrato dielettrico, la costante dielettrica efficace


sempre compresa fra 1 (la costante dellaria) e la costante dielettrica del substrato.
Lanalisi quasi-statica condotta fin qui trascura per il fatto che la velocit di fase e la
costante di propagazione variano in funzione della frequenza, in quanto la permettivit
efficace costante solo a bassa frequenza, ma dipende in generale dalla frequenza. In
una linea planare su substrato dielettrico semplice di costante dielettrica r landamento tipico della permettivit efficace quello mostrato in Figura 1.11. La permettivit
efficace parte dal valore quasi-statico e (0) per crescere (lentamente) in funzione
della frequenza. Laumento diviene pi rapido alla frequenza di inflessione fin che
corrisponde anche (approssimativamente) alla frequenza di taglio del primo modo superiore della struttura; per frequenze molto elevate la permettivit efficace tende alla
permettivit dielettrica del substrato r .
Il campo di frequenze utili per la linea limitato da una frequenza massima che deve
essere abbastanza minore della frequenza di inflessione. Landamento mostrato si pu
approssimare secondo diverse espressioni; una approssimazione comune :
1/



r e (0)
(0)
+
e (f) 
e
1 + (fin /f)

1.14

31

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

e ff

(f)

e
M o d o q u a s i-T E M
e

e ff

P rim o m o d o
s u p e rio re (ib rid o )

(0 )

R e g io n e u tile

f in fl
f

Fig. 1.11 Andamento della permettivit efficace in funzione della frequenza.

ove e sono due esponenti empirici; ad esempio si pu porre = = 1 oppure, come mostrato in seguito nella trattazione della microstriscia, = 1/2 e = 3/2. Una
diversa scelta degli esponenti comporta una variazione del comportamento a frequenza
intermedia.
Si noti che la frequenza di inflessione indica con buona approssimazione qual la frequenza massima per la quale la dispersione diventa consistente e si innescano modi
superiori. In una struttura quasi-TEM i modi superiori di propagazione sono in generale modi ibridi, simili in qualche modo ai modi di propagazione della guida dielettrica
costituita dal substrato.
Per quanto riguarda limpedenza caratteristica, questa non ha esattamente landamento
in frequenza corrispondente a quello di e (secondo la definizione), per cui supporremo, in prima approssimazione, che limpedenza resti costante al valore quasi-statico.

Andamento in frequenza delle perdite parallelo: caratteristiche dei substrati


Le perdite parallelo sono associate al parametro specifico G. In una linea su dielettrici
reali, la conduttanza parallelo ha origine dalle perdite dielettriche del materiale, a
32

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

loro volta associate al fatto che questo presenta una permettivit relativa complessa
rc = r j2 = r (1 j tan ) ove detto angolo di perdita del dielettrico. La
conducibilit del dielettrico risulter pertanto essere:
= 2 0 = r 0 tan().
In una struttura TEM (trasversalmente omogenea) lammettenza specifica parallelo si
scrive direttamente:
Y = jC = jrc Ca = jr Ca + r tan()Ca ;
il secondo termine (reale) chiaramente una conduttanza specifica, che si pu scrivere
nella forma:
G = r tan()Ca = Ca /0 .

1.15

In una linea quasi-TEM la 1.15 si complica in quanto solo alcuni dielettrici (il substrato) presentano perdite, non ad esempio laria; resta per comunque vero che la
conduttanza parallelo non costante in frequenza, ma varia in modo lineare con questa. Pertanto lattenuazione dovuta a perdite nel dielettrico cresce linearmente, ad alta
frequenza, con la frequenza. Si noti che non di solito neanche vero che la conducibilit del dielettrico si annulli in continua, in quanto sempre presente un valore residuo
(molto basso, al limite trascurabile) che corrisponde a perdite per leakage in continua.
Le considerazioni svolte fin qui per le perdite parallelo valgono per la maggior parte
dei substrati dielettrici o semiconduttori, riportati nella Tabella 1.1; per il silicio il discorso si complica in quanto spesso tale materiale viene rivestito di uno strato isolante
(ad esempio di ossido) allo scopo di diminuire le perdite parallelo, che possono essere
relativamente elevate a causa della conducibilit non trascurabile del materiale.

Andamento in frequenza delle perdite serie: effetto pelle


Le perdite serie, legate alla resistenza specifica della linea, sono influenzate dal fatto
che R si mantiene costante solo a frequenza molto bassa (vicina alla continua). Ad
alta frequenza (dove il termine alto legato alla geometria e alle dimensioni) la
resistenza di un conduttore aumenta perch la densit di corrente tende a diventare
disuniforme e ad addensarsi sulla superficie. Il comportamento in frequenza della

33

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Materiale

Allumina

Quarzo

Teflon

Ossido di

GaAs

InP

Si

berillio
r

9.8

3.78

12.9

12.4

11.9

tan

103

104

104

103

103

103

102

Tab. 1.1 Caratteristiche di substrati per circuiti ibridi e integrati.

resistenza , in tali condizioni:


R(f) = R0


f/f0

dove R0 la resistenza alla frequenza f0 . Il conduttore presenta inoltre una reattanza


aggiuntiva in serie, detta reattanza interna Xi = Li , proporzionale alla induttanza
interna Li ; si pu mostrare che Xi = R. Linduttanza interna, associata al campo
magnetico interno al conduttore, di solito trascurabile rispetto allinduttanza esterna,
che associata al campo magnetico esterno. Linsieme di tali effetti viene detto effetto
pellicolare o effetto pelle.
Per lanalisi delleffetto pelle, si consideri un conduttore metallico di conducibilit
e spessore t, percorso dalla corrente I per unit di larghezza w alla frequenza f.
Supponendo che non vi siano variazioni nella direzione trasversale (vedi Fig. 1.12), il
calcolo della impedenza dello strato metallico pu essere condotto come segue.
A frequenza nulla (corrente continua) lo strato percorso da una densit di corrente di
conduzione Jz = I/(wt) = Ez uniforme (indipendente da x). Alla frequenza f, il
fasore del campo elettrico Ez soddisfa allequazione donda. Detta la permeabilit
magnetica del conduttore,  = /(j) la permettivit dielettrica complessa, dominata dalla parte immaginaria (ossia dalla conducibilit), Ez soddisfa allequazione
donda:
d2 Ez
= jEz .
dx2
La condizione al contorno che il campo alla superficie del conduttore (x = t/2)
noto e pari a E0 . La simmetria del problema suggerisce di scrivere la soluzione come:

34

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE


Ez (x) = A cosh

1+j
x

dove A una costante da determinarsi e la profondit di penetrazione per effetto


pelle, definita come:


=

2
=

1
.
f

1.16

Imponendo il campo elettrico alla superficie si ottiene:




1+j
cosh
x


.
Ez (x) = E0
1+j
cosh
t
2
Dalle equazioni di Maxwell ricaviamo che il campo magnetico diretto secondo y e
vale:

Hy =

1 dEz
1
=
j dx
1+j


1+j
sinh
x
2



E0
1+j

cosh
t
2

pertanto, la circuitazione del campo magnetico lungo il percorso nella Figura 1.12
uguale alla corrente totale che fluisce in una striscia di larghezza w, I:

I=
H dl = wHy (t/2) wHy (t/2) = 2wHy (t/2)

1
= 2w
1+j

2
E0 tanh


1+j
t .
2

La caduta di potenziale alla superficie della striscia lungo una lunghezza L V =


E0 L; ne consegue che limpedenza di un tratto di striscia largo w e lungo L :

Z=

V
L
= (1 + j)
I
2w

coth
2


1+j
t .
2

1.17

Si notino i casi limite: per 0, e





2
1+j
2 1
2 1
coth
t
=
2
1+j t
1 + j t

35

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

per cui:
lim Z = (1 + j)

L
2w

2 1

2
1+j t

2
L
=

wt

che la resistenza in continua di una striscia di larghezza w, spessore t, lunghezza L.


Per si ha 0 per cui la cotangente iperbolica tende allunit. Limpedenza
della striscia allora:
L
Z() (1 + j)
2w

L 1
= (1 + j)
.
2
2w

Ad alta frequenza (vedi Fig. 1.13) la corrente concentrata sulla faccia superiore e
inferiore della striscia, per uno spessore dellordine di (si noti il decadimento esponenziale). Tale comportamento giustifica il nome di effetto pelle. Quando t  si
parla di effetto pelle completamente sviluppato e limpedenza della striscia pari alla
met dellimpedenza di ciascuna faccia (infatti le impedenze delle due facce sono poste in parallelo). Per L = w limpedenza di una faccia si dice impedenza superficiale,
in analogia alla resistenza superficiale di uno strato di materiale conduttore; si ha:


1
1.18
= (1 + j)
.
Zs () = Rs + jXs = (1 + j)

2
La resistenza e la reattanza superficiali sono quindi uguali in modulo ad alta frequenza

e proporzionali a f .
Un esempio dellandamento in frequenza dellimpedenza di un conduttore metallico a striscia mostrato, nella Figura 1.14. La reattanza interna, induttiva, cresce linearmente per basse frequenze; diviene poi, nella regione di effetto pelle, uguale alla
resistenza. La resistenza pari al valore in continua fino a frequenze tali che lo spessore della striscia sia molto inferiore alla profondit di penetrazione per effetto pelle
, definita nella (1.16). Per frequenze superiori la resistenza si calcola associando alla
periferia del conduttore una resistenza superficiale (analoga alla resistenza di strato di
uno strato drogato) che risulta, dalla (1.18), pari a Rs = 1/. La profondit di penetrazione per effetto pelle di un conduttore metallico dellordine del m a frequenze
dellordine del GHz. Landamento in frequenza di Rs e mostrato nella Figura 1.15
per vari valori della conducibilit; il valore massimo = 1 108 S/m leggermente superiore a quello tipico dei materiali migliori conduttori (rame e argento hanno

36

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

x
z

w
y
L
H

s ,

Fig. 1.12 Calcolo dellimpedenza di uno strato metallico di spessore t, infinitamente


esteso nella direzione y, del quale si considera solo una sezione di larghezza w. Tutti
i campi sono invarianti rispetto a y e z.

6107 S/m).
Nella tecnologia dei circuiti planari a microonde si impiegano strati metallici compositi realizzati mediante evaporazione o sputtering. Un primo strato molto sottile
(0.1-0.2 m) serve a garantire ladesione di un secondo strato doro sputterato, che
porta lo spessore totale a circa mezzo m. La metallizzazione cos ottenuta troppo
sottile per garantire una bassa resistenza, per cui si procede ad accrescere galvanicamente lo strato metallico con oro, fino ad uno spessore che pu andare da qualche m
a 15-20 m. Si noti che per spessori simili la transizione fra il regime di comportamento quasi-continuo (striscia molto pi sottile di e quindi completamente penetrata
dalla corrente) e il regime di effetto pelle avviene appunto nella regione delle microonde. A bassa frequenza (talora, qualche GHz) pertanto lespressione della resistenza
superficiale tende a sottostimare le perdite.

37

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

f= 1 0 M H z
1 .0
f= 1 0 0 M H z
0 .8

a b s(J )

0 .6

0 .4

f= 1 G H z

0 .2
f= 1 0 G H z
0 .0

- 0 .4

- 0 .2

0
x /d

0 .2

0 .4

Fig. 1.13 Comportamento in frequenza della distribuzione di corrente (modulo di Jz


normalizzato rispetto al valore superficiale) allinterno di uno strato metallico di rame,
= 4107 S/m, di spessore t = 10 m.

1.4.

S TRUTTURE

GUIDANTI NEI CIRCUITI IBRIDI E MONOLITICI A

MICROONDE

In Figura 1.16 sono riportate alcune strutture guidanti TEM, quasi-TEM e non-TEM
impiegate nei circuiti a microonde. Come si detto le strutture guidanti non-TEM
non sono comuni nei circuiti ibridi e integrati, con leccezione della cosiddetta slot line. La linea di trasmissione di gran lunga pi importante la microstriscia, mentre
le linee coplanari presentano alcuni settori preferenziali di applicazione (ad esempio
nel campo delle onde millimetriche). Strutture chiuse (schermate) quali la stripline
presentano vantaggi in alcune applicazioni particolari, ad esempio nella realizzazione
di filtri e accoppiatori. Nel seguito la trattazione sar dedicata in modo preferenziale a microstrisce e linee coplanari, con un accenno al cavo coassiale, che ha un ruolo
38

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 0

Im p e d e n z a , W /

1 0
1 0
1 0
1 0

-1

R s( f ) /2

-2

R
R (D C )

-3

-4

X
-5

~ R e g im e e ffe tto
p e lle

~ R e g im e c o n tin u o

1 0

-6

1 0

1 0

1 0
F re q u e n z a , H z

1 0

1 0

1 0

Fig. 1.14 Comportamento in frequenza dellimpedenza di uno strato metallico di rame


con w = L, = 4107 S/m, di spessore t = 10 m.

fondamentale nella strumentazione. Linee chiuse quali la finline hanno particolare importanza ad onde millimetriche, mentre sempre ad onde millimetriche vengono utilizzate, allo scopo di ridurre le perdite per conduzione, linee quali le microstrisce sospese
o invertite, che diminuiscono la permettivit efficace della linea e di conseguenza le
perdite, a parit di impedenza caratteristica.

Cavo coassiale
Il cavo coassiale non ovviamente impegato per le linee di trasmissione di circuiti
ibridi o integrati, ma trova impiego generalizzato nella strumentazione di misura a microonde e nella interconnessione fra sottosistemi realizzati in forma ibrida o integrata
grazie alle sue buone propriet di attenuazione e di immunit ai disturbi elettromagnetici ( una struttura chiusa). Detti a e b i raggi del conduttore interno ed esterno, il

39

1 0

1 0

ro
u a d
ep r q
m
O h
R s,

d , m

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

-1

1 0

-2

1 0

1 0 0
1 0

-1

1 0

-2

1 0

-3

1 0 0

1 0

-3

1 0

-4

1 0 2

1 0

-4

1 0

-5

1 0 4

1 0

-5

1 0

-6

1 0 6

1 0

-6

1 0

-7

1 0

-7

s , S /m

1 0

1 0

1 0

1 0
F re q u e n z a , H z

1 0

1 0

1 0

1 0 8
1 0

p e r q u a d ro

1 0

R s, O h m

P ro fo n d ita d i p e n e tra z io n e p e r
e ffe tto p e lle d , m

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 2

Fig. 1.15 Comportamento in frequenza della resistenza di strato e della profondit di


penetrazione per effetto pelle per vari valori della conducibilit.

cavo coassiale presenta capacit per unit di lunghezza:


C=

55.556r
pF/m,
log (b/a)

e induttanza per unit di lunghezza:


L = 200 log

b
nH/m.
a

Limpedenza caratteristica pertanto:


60
Z0 = log
r

 
b
.
a

La costante di propagazione pari a quella in un dielettrico di permettivit relativa r ,


come pure la velocit di fase. Se il dielettrico ha un angolo di perdita con tangente
tan , lattenuazione dielettrica :
tan
dB/lunghezza
d = 27.3 r
0

40

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

G u i d a d 'o n d a
c irc o la re
(n o n -T E M )

G u i d a d 'o n d a
re tta n g o la re
(n o n -T E M )

C a v o c o a s s ia le
(T E M )

S trip lin e
(T E M )

M ic ro s tris c ia
(q u a si T E M )

L in e a
c o p la n a re
(q u a s i T E M )

M ic ro s tris c ia
in v e rtita
(q u a s i-T E M )

M ic ro s tris c ia
s o s p e s a
(q u a s i-T E M )

S lo t lin e
(n o n -T E M )

F in lin e
(n o n -T E M )

Fig. 1.16 Strutture guidanti per circuiti a microonde.

mentre lattenuazione dovuta alle perdite nel conduttore vale, per un conduttore di
rame alla temperatura ambiente:

9.5105 f (a + b) r
c =
dB/lunghezza.
ab log (b/a)

Il cavo coassiale presenta anche modi superiori di propagazione di tipo TE e TM; la


lunghezza donda di taglio del primo modo superiore :

c = r (a + b) .

Linee di trasmissione planari: microstriscia


La linea a microstriscia (microstriscia, microstrip) dagli anni 50 la linea di trasmissione pi importante nei circuiti ibridi e monolitici a microonde. La microstriscia, la

41

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

t, s
W

e r, ta n d
h

Fig. 1.17 Sezione di microstriscia.

cui sezione mostrata nella Figura 1.17, una linea di trasmissione trasversalmente
non omogenea; quindi il modo di propagazione quasi-TEM.

Formule di analisi
Non esiste una espressione esatta in forma chiusa dei parametri della microstriscia in
funzione delle dimensioni geometriche; peraltro possibile ricorrere a svariate espressioni approssimate e grafici di progetto. Un insieme di tali espressioni approssimate
riportato qui di seguito.
Impedenza caratteristica:



8h
W
60

log
+
,

e
W
4h
Z0 =
 
1
120  W 

,
+
1.393
+
0.667
log
+
1.444

e h
h

W

h
W
>1
h

dove la larghezza efficace della striscia W  tiene conto dello spessore t della
striscia:




1.25t
4W
W

h + h 1 + log t
W
=



h
W
1.25t
2h

+
1 + log
,
h
h
t

W
1

h
2
W
1
>
h
2

Costante dielettrica efficace:


e
ove:

42

1 + r
r 1
=
+
F
2
2

W
h

r 1 t

4.6 h

h
W

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE



1/2
2

W
12h

+
0.04
1

,
1
+
 

W
h
W
F
=

1/2

12h

1+
W

W
1
h
W
>1
h

Attenuazione dielettrica (si noti che proporzionale alla frequenza):




e 1 tan
r
d = 27.3
dB/lunghezza
e r 1
0
Attenuazione nel conduttore, in dB/lunghezza (espressa dalla unit di misura
di h):

c =

ove:

Rs 32 (W  /h)2
,
hZ0 32 + (W  /h)2
 

W
0.667W /h
5 Rs Z0 e
+ 
,
6.1 10
h
h
W /h + 1.444
1.38




1.25t 1.25
4W
h

1
+
+
log
,
1
+

W
W

t
=



h
1.25t 1.25

2h

1+  1
+
log
,
W
h

W
1
h
W
1
h

W
1

h
2
W
1

h
2

Il parametro Rs la resistenza superficiale, definita in precedenza, e pari a:



Rs = /2 = ()1 .
ove la profondit di penetrazione per effetto pelle, da non confondersi con
langolo di perdita del dielettrico.
Andamento in frequenza della permettivit dielettrica efficace:
2


r e
+ e
e (f)
1 + 4F 1.5
dove il termine 4F 1.5 definisce implicitamente la frequenza di inflessione.
Si ha infatti:



2 
4h r 1
W
F =
0.5 + 1 + 2 log 1 +
0
h

ove la frequenza di lavoro f = c0 /0 ; pertanto F = kf ove:

43

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE



2 
W
4h r 1
0.5 + 1 + 2 log 1 +
k=
c0
h
e f = fin quando 4F 1.5 = 1 ossia quando F = 24/3 = kfin ; pertanto
fin = 24/3 /k.

Esempi dellandamento della impedenza caratteristica e dellindice di rifrazione in


funzione della permettivit del substrato (per substrati pesanti come il GaAs, permettivit 13, o lallumina, permettivit 10, o leggeri come il teflon, permettivit 2.5) e
delle dimensioni sono mostrati nelle Figure 1.18 e 1.19. Si noti che i valori estremi del rapporto W/h corrispondono ragionevolmente al valore minimo e massimo
della impedenza caratteristica. Il valore minimo viene raggiunto a causa della impossibilit di avere strisce troppo larghe (con il relativo innesco di risonanze trasversali)
mentre la limitazione nelle impedenze elevate corrisponde alla impossibilit tecnologica di realizzare strisce di spessore inferiore a 5 m in tecnologia integrata e di circa
20 m in tecnologia ibrida. Si noti che linee molto sottili portano a perdite ohmiche
estremamente elevate.
Un esempio dellandamento delle perdite ohmiche nelle metalizzazioni e nel substrato
per una microstriscia su allumina, spessore del substrato 0.5 mm, mostrato nella Figura 1.20. Si pu notare che alla frequenza di 1 GHz le perdite prevalenti sono di gran
lunga le perdite nel metallo. Si noti tuttavia che queste vanno come la radice quadrata
della frequenza (in regime di effetto pelle) mentre le perdite dielettriche sono proporzionali alla frequenza; pertanto a frequenze elevate (ad esempio di qualche decina di
GHz) anche queste ultime divengono prima o poi significative. Si noti che per una
microstriscia le perdite sono una funzione decrescente della impedenza caratteristica,
ossia divengono elevate per linee con impedenza alta (e quindi strette).

Formule di progetto
Scopo delle formula di progetto ricavare, date le caratteristiche del substrato, la
larghezza di striscia W necessaria ad ottenere una ben precisa impedenza caratteristica
Z0 . Un insieme classico di formule approssimate di progetto stato sviluppato da

44

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

2 5 0

2 0 0
e r= 2 .5

Z , O h m
0

1 5 0

e r= 1 0
1 0 0
e r= 1 3
5 0

0 .0 5

0 .1

0 .2

0 .3

0 .5

1 .0

2 .0

3 .0

5 .0

W /h

Fig. 1.18 Andamento della impedenza caratteristica di microstriscia in funzione di


W/h per diversi valori di permettivit del substrato.

Wheeler; il risultato non coincide esattamente con le formule di analisi riportate in


precedenza, che, alternativamente, possono essere invertite in modo numerico.
Per Z0 44 2r :

1
W
exp(B)
1
=

h
8
4 exp(B)
Z0
B=
60

r + 1 1 r 1
+
2
2 r + 1


0.4516 +

1.19

0.2416
r


1.20

Per Z0 < 44 2r :

45

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

3 .5

e r= 1 3

2 .5

e r= 1 0

e ff

1 .5
e r= 2 .5
1

0 .5

0 .0 5

0 .1

0 .2

0 .3

0 .5

1 .0

2 .0

3 .0

5 .0

W /h

Fig. 1.19 Andamento dellindice di rifrazione efficace della microstriscia in funzione


di W/h per diversi valori di permettivit del substrato.



0.517
W
2
2
r 1
log(d1) + 0.293
= (d1) log(2d1)+
h

r
r
d=

46

60 2

Z0 r

1.21

1.22

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 0

t = 5 m m ,
s = 4 .1 1 0

f = 1 G H z

A tte n u a z io n e , d B /c m

a
1 0

-1

1 0

-2

1 0

S /m

h = 5 0 0 m m
c

e r = 1 0
ta n d = 1 0

- 3

-3

1 0

-2

1 0

-1

1 0

1 0

W /h

Fig. 1.20 Esempio di andamento della attenuazione dielettrica e nel conduttore per
una microstriscia in funzione di W/h.

La permettivit efficace si pu ricavare da un insieme di formule semplificate, sempre


dovute a Wheeler:
per W/h 1:
e

r + 1 r 1
=
+
2
2



1/2
2 
W
12h
+ 0.04 1
1+
W
h

per W/h 1:
e =

r + 1 r 1
+
2
2


1+

12h
W

1/2
.

Wheeler propone anche il seguente insieme di formule di correzione per tenere conto dello spessore finito della striscia; come ovvio non possibile includere in modo
diretto questa correzione nella fase di sintesi. Si ha:

47

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

per W/h 1/2:


W
W
t
=
+
h
h
h
per W/h 1/2:
We
W
t
=
+
h
h
h


1 + log

2h
t



4W
1 + log
.
t

Infine, le formule di sintesi sono linverso (approssimativo) delle formule di analisi


seguenti:
per W  /h 1:
60
Z0 =
log
e

8h
W
+
W
4h

per W  /h 1:


1
W
120
W
Z0 =
1.393 +
.
+ 0.667 log 1.444 +
e
h
h

48

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

ESEMPIO 1.3

Dimensionare una microstriscia avente impedenza caratteristica di 50 utilizzando i sub-

strati (a) CER-10- 0250 e (b) TLY-5-0620, i cui dati sono riportati nella Tabella 1.2. Per la
conducibilit delle metalizzazioni si assuma il valore delloro, 4.1107 S/m, e per il loro spessore t = 7 m. Si tracci landamento della permettivit efficace e dellattenuazione dielettrica
e nei conduttori in funzione della frequenza per i due casi considerati.

Per dimensionare la larghezza W della microstriscia si possono utilizzare (ad esempio) le

formule di progetto di Wheeler; nel caso (a) si ha r = 9.5 da cui Z0 = 50 > 44 2 9.5;
pertanto si utilizza lespressione:
Z0
B=
60

r + 1
1 r 1
+
2
2 r + 1

0.2416
0.4516 +
r

= 2.1025

da cui:
W
=
h

1
exp(B)

8
4 exp(B)

1

= 1.0073

da cui ancora W = 1.0073 0.63 = 0.63 mm. Nel caso (b) la costante dielettrica del
substrato r = 2.2 per cui a maggior ragione sar Z0 > 44 2r ; si ottiene B = 1.16 da cui
W = 3.12h = 3.12 1.57 = 4.9 mm. Utilizzando le espressioni per la permettivit efficace
a bassa frequenza si ottiene nel caso (a) e = 6.41, nel caso (b) e = 1.87.
Valutiamo ora nei due casi leffetto di dispersione in frequenza della permettivit efficace. Nel
caso (a) il coefficiente k che compare nella espressione del parametro F = kf vale:




 2

W
4h r 1
0.5 + 1 + 2 log 1 +
= 1.517 1010
k=
c0
h
mentre nel caso (b) si ha k = 3.4823 1010 . Le relative frequenze di inflessione


finf = 24/3 /k sono nel caso (a) 24/3 / 1.517 1010




= 16.6 GHz, nel caso (b)

24/3 / 3.4823 1010 = 7.23 GHz. Il suggerimento quindi che il secondo substrato sia
maggiormente dispersivo (in quanto pi spesso). In realt gli andamenti in frequenza relativi
alla espressione:


e (f )

2

r e

+

e
1 + 4(kf )1.5

riportati nella Fig 1.21, per i due casi (a) e (b), confermano che il caso (b) ha una frequenza di
inflessione inferiore, ma che in compenso il caso (a) presenta una maggiore variazione assoluta
in frequenza della permettivit efficace.

49

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 0
9
8
7
P e rm e ttiv ita e ffic a c e

(a )
6
5
4
3
(b )
2
1
1 0

1 0

f in fl
9

F re q u e n z a , H z

1 0

1 0

f in fl

1 0

1 1

Fig. 1.21 Andamento in frequenza della permettivit efficace delle linee di cui
allEsempio 1.3.

Per quanto riguarda le caratteristiche di attenuazione, per il substrato (a) tan = 0.0035 mentre
per il substrato (b) tan = 0.0009; pertanto, alla frequenza di 1 GHz si ha per il caso (a) d =
0.0076 dB/cm, c = 0.0166 dB/cm; per il caso (b) d = 9.57 104 dB/cm, c =0.0027
dB/cm. Le perdite della linea (b) sono quindi molto inferiori a causa del fatto che la linea (b)
pi larga. Substrati leggeri presentano in generale perdite inferiori rispetto a substrati pesanti,
a parit di impedenza caratteristica. Landamento in frequenza delle perdite dielettriche, metalliche e totali per i due substrati mostrato nella Figura 1.22; le perdite nelle metallizzazioni
prevalgono a bassa frequenza ma vengono superate ad alta frequenza dalle perdite dielettriche.

50

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

r

h, mm

t, m

/Au

tan

Nome

9.5

0.63

35

0.7118

.0035

CER-10-0250

10.0

1.57

35

0.7118

.0035

CER-10-0620

9.8

1.27

35

0.7118

.0035

CER-10-0500

2.20

1.57

35

0.7118

.0009

TLY-5-0620

2.20

0.78

35

0.7118

.0009

TLY-5-0310

2.20

0.51

35

0.7118

.0009

TLY-5-0200

2.33

1.57

35

0.7118

.0009

TLY-3-0620

2.33

0.51

35

0.7118

.0009

TLY-3-0200

2.50

1.52

35

0.7118

.0019

TLX-9-0600

2.50

0.76

35

0.7118

.0019

TLX-9-0300

2.55

1.52

35

0.7118

.0019

TLX-8-0600

2.55

0.76

35

0.7118

.0019

TLX-8-0300

2.55

0.51

35

0.7118

.0019

TLX-8-0200

2.55

1.52

35

0.7118

.0006

TLT-8-0600

2.55

0.76

35

0.7118

.0006

TLT-8-0300

2.95

0.38

35

0.7118

.0028

TLE-95-0150

2.95

0.25

35

0.7118

.0028

TLE-95-0100

3.20

1.57

35

0.7118

.0030

TLC-32-0620

3.20

0.78

35

0.7118

.0030

TLC-32-0310

3.00

1.57

35

0.7118

.0030

TLC-30-0620

3.00

0.78

35

0.7118

.0030

TLC-30-0310

3.00

0.51

35

0.7118

.0030

TLC-30-0200

3.50

1.52

35

0.7118

.0025

RF-35-0600

3.50

0.76

35

0.7118

.0025

RF-35-0300

3.50

0.51

35

0.7118

.0025

RF-35-0200

3.50

0.25

35

0.7118

.0025

RF-35-0100

Tab. 1.2 Esempi di caratteristiche di substrati commerciali (Taconic). h lo spessore


del substrato, t lo spessore del piano di massa inferiore e (se presente) superiore, la
resistitivit delle metallizzazioni, tan langolo di perdita del substrato.

51

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 0

to t

A tte n u a z io n e , d B /c m

a
1 0

-1

1 0

-2

c
d

(a )

(b )
1 0

-3

1 0

-4

1 0

1 0

f in fl
9

F re q u e n z a , H z

1 0

1 0

f in fl

1 0

1 1

Fig. 1.22 Andamento in frequenza della attenuazione delle linee di cui


allEsempio 1.3.

Linee coplanari
Vengono utilizzate in numerose applicazioni nei MIC ai quali conferiscono flessibilit
nel disegno del circuito. La configurazione di una guida donda coplanare (CPW, Coplanar Waveguide) riportata in Figura 1.23. Le linee coplanari prendono il nome dal
fatto che tutti i conduttori si trovano sullo stesso piano (sulla faccia superiore del substrato di dielettrico); il substrato pu essere chiuso inferiormente da un piano di massa
(linee coplanari con piano di massa inferiore o conductor backed) ma tipicamente le
caratteristiche della linea non dipendono, se non in modo debole, dallo spessore del
substrato. Questa propriet importante in quanto limpedenza di una linea coplanare non richiede un controllo accurato dello spessore di h. Come regola empirica, per
limitare linfluenza di h sullimpedenza della linea dovrebbe essere h > 2b, il che
impone, assegnato il substrato, una limitazione alla dimensione massima della linea.
Bench lintervallo di impedenza realizzabile non subisca limitazioni, in quanto fun-

52

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

2 b
2 a

m a ssa
t

m a ssa
S
h
e
r

C o p la n a re s e m p lic e
2 b
2 a

m a ssa
t

m a ssa
S
h
e
r

C o p la n a re c o n p ia n o d i m a s s a in fe rio re
2 c

2 b
2 a

m a ssa
S

m a ssa
S
e

h
r

C o p la n a re c o n p ia n i d i m a s s a fin iti
Fig. 1.23 Linea coplanare CPW (Coplanar Waveguide) semplice, con piano di massa
inferiore, con piani di massa laterali di estensione finita.

zione di a/b, substrati sottili richiedono linee strette, aventi alte perdite ohmiche. I due
piani di massa laterali devono essere talvolta connessi con ponticelli per garantirne la
equipotenzialit.

53

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Formule di progetto
Nella analisi delle linee coplanari si considerano comunemente i parametri a e b definiti in Figura 1.23, legati alla larghezza della striscia centrale e dello slot come W = 2a,
S = b a. I parametri delle linee di trasmissione coplanari si possono esprimere in
forma chiusa per mezzo della funzione K(k), detto integrale ellittico completo di

prima specie, di argomento k. Si pone poi K  (k) = K(k  ) ove k  = 1 k 2 . Il rapporto K(k)/K(k  ), che ricorre spesso nelle formule per limpedenza caratteristica, si
pu approssimare come:



K(k)
1
1+ k

log 2
, 0.5 k 2 < 1
K(k  )

1 k


K(k  )
1
1 + k

, 0 < k 2 0.5
log 2
K(k)

1 k

1.23

1.24

Lespressione della impedenza caratteristica Z0 e della permettivit efficace e


variano a seconda della struttura considerata; sono importanti i casi seguenti:
Guida coplanare (CPW) su substrato dielettrico infinitamente spesso:
30 K(k  )
Z0 =
e K(k)

1.25

r + 1
2

1.26

e =

k = a/b

1.27

Guida coplanare (CPW) con substrato di spessore h finito:


30 K(k  )
Z0 =
e K(k)
e = 1 +

r 1 K(k  ) K(k1 )
2 K(k) K(k1 )

1.28

1.29

dove:
k = a/b
k1 =

54

sinh(a/2h)
sinh(b/2h)

1.30
1.31

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

CPW con piano di massa inferiore:


1
60
Z0 =
K(k)
K(k2 )
e
+

K(k ) K(k2 )

e

K(k)
K(k2 )
+ r

K(k )
K(k2 )
=
K(k)
K(k2 )
+
K(k  ) K(k2 )

1.32

1.33

dove:
k = a/b
k2 =

tanh(a/2h)
tanh(b/2h)

1.34
1.35

CPW con substrato finito e piani di massa laterali di larghezza finita


(Fig. 1.23):
30 K(k3 )
Z0 =
e K(k3 )
e =1 +
dove:


a
k3 =
b

r 1 K(k3 ) K(k4 )
2 K(k3 ) K(k4 )

1 (b/c)2
1 (a/c)2


sinh(a/2h)
k4 =
sinh(b/2h)

1.36

1.37

1.38

1 (sinh(b/2h)/ sinh(c/2h))2
.
1 (sinh(a/2h)/ sinh(c/2h))2

1.39

Per quanto riguarda gli effetti di dispersione della permettivit efficace, esistono formule di approssimazione analoghe a quelle utilizzate per la microstriscia; ad esempio
per una coplanare con substrato dielettrico di spessore finito si pu porre:
2


r e

e (f)
e +
1 + A(f/fT E )1.8

1.40

55

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

dove:

fT E




0.54 0.64 log(2a/h) + 0.015[log(2a/h)]2 log(2a/(b a))+

1.41
0.43 0.86 log(2a/h) + 0.540[log(2a/h)]2

= c0 /(4h r 1)
1.42

A = exp

ove fT E la frequenza di taglio del primo modo TE del substrato dielettrico.


Per quanto riguarda le perdite nel conduttore e nel dielettrico (c e d , rispettivamente), una espressione valida per linee senza piano di massa inferiore la seguente (in
dB/m):

8.68Rs(f) e
c =

480K(k)K(k  )(1 k 2 )
 





1
8a(1 k)
1
8b(1 k)
+ log
+
+ log
a
t(1 + k)
b
t(1 + k)

d = 27.83

tan r K(k1 ) K(k  )

0 2 e K(k1 ) K(k)

1.43

1.44

Utilizzando come parametro in ascissa il rapporto a/b, possiamo analizzare gli andamenti dellimpedenza caratteristica e delle perdite: le perdite risultano elevate sia
nel caso a 0, che indurrebbe la resistenza serie a valori estremamente elevati, sia
nel caso a b, che porterebbe i piani di massa ad essere estremamente vicini, aumentando notevolmente il valore delle capacit fra la striscia e i piani di massa. Se
consideriamo un substrato di allumina, landamento dellattenuazione dovuta alle perdite in funzione di a/b presenta due massimi per a/b = 0 e a/b = 1, e un minimo per
a/b 0.5; riportando questo valore sul diagramma dellimpedenza caratteristica in
funzione di a/b, risulta Z0 50 , che risulta essere il caso circa ottimale. Landamento dellimpedenza caratteristica e della attenuazione per una linea su substrato di
allumina sono mostrati nella Figura 1.24 e Figura 1.25, rispettivamente.

Accoppiamento con modi spuri in linee planari


Le linee coplanari presentano, come aspetto critico, la possibilit di supportare modi
parassiti sia sotto forma di modi propri della struttura che sotto forma di onde super-

56

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 1 0
1 0 0

Im p e d e n z a c a ra tte ris tic a , O h m

9 0
8 0
7 0
6 0
5 0
4 0
3 0
2 0
0

0 .1

0 .2

0 .3

0 .4

0 .5

0 .6

0 .7

0 .8

0 .9

a /b

Fig. 1.24 Andamento dellimpedenza caratteristica di una linea coplanare su allumina


in funzione del rapporto a/b. Si posto 2b = 600 m e il substrato infinitamente
spesso.

ficiali (ossia di modi di propagazione della guida dielettrica formata dal substrato con
piani di massa). In particolare, per quanto riguarda i modi propri della struttura:
Tutte le linee coplanari possono portare un modo dispari rispetto al conduttore
centrale, tale che il campo elettrico nei due slot ha la stessa direzione (piuttosto
che direzioni opposte, come nel modo proprio della linea coplanare). Tale
modo di propagazione, analogo a quello di due slot-line accoppiate, un modo
quasi-TEM solo se i piani di massa hanno larghezza finita, altrimenti un
modo non-TEM analogo a quello della slot line. Il modo dispari, che pu
essere eccitato in presenza di discontinuit, viene soppresso se i piani di massa
laterali sono connessi a intervalli minori di g /4 mediante ponticelli o ponti in
aria. Si noti che il modo dispari ha tendenzialmente una permettivit efficace
57

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

0 .7

0 .6

A tte n u a z io n e , d B /c m

0 .5

0 .4

0 .3

a
c

0 .2

0 .1

a
0
0

0 .1

0 .2

0 .3

0 .4

0 .5

0 .6

0 .7

0 .8

0 .9

a /b

Fig. 1.25 Andamento dellattenuazione di una linea coplanare su allumina in funzione


del rapporto a/b. La metallizzazione in oro con t = 5 m e tan = 0.001; la frequenza
10 GHz. Si posto 2b = 600 m.

simile a quella del modo pari, e pu essere quindi eccitato per accoppiamento
sincrono.
Le linee coplanari con piano di massa inferiore e piani di massa laterali di
estensione finita portano un modo tipo microstriscia in cui tutti i conduttori
hanno lo stesso potenziale. Per sopprimere tale modo sarebbe necessario collegare i piani di massa laterali a quello inferiore, cosa realizzabile ad esempio
attraverso il contenitore metallico. Il modo a microstriscia non peraltro eccitabile attraverso accoppiamento sincrono, dato la sua permettivit efficace
maggiore.
Le linee a microstriscia viceversa non supportano modi propri parassiti della struttura
quasi-TEM. Sia la microstriscia che la linea coplanare presentano invece, in misura
58

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

diversa, la possibilit di accoppiamenti spuri con onde superficiali supportate dallo


strato di dielettrico con piani di massa. Come mostrato nella Figura 1.26 ad ogni
struttura guidante associata una possibile guida dielettrica parassita, con piano di
massa (inferiore o superiore) o, nel caso della coplanare con piano di massa, con
entrambi. Strutture schermate ammettono infine come guida parassita una guida a
facce piane parallele parzialmente riempita di dielettrico. Laccoppiamento spurio
pu assumere due forme:
accoppiamento sincrono, quando il modo proprio e il modo spurio viaggiano
nella stessa direzione e hanno la medesima velocit di fase;
accoppiamento asincrono, che pu avvenire solamente in presenza di
discontinuit della struttura guidante.
Uno strato di dielettrico metallizzato superiormente o inferiormente porta onde superficiali di tipo TE o TM rispetto alla direzione di propagazione. Nel modo TE il campo
elettrico parallelo al piano di massa, nel modo TM il campo elettrico ortogonale.
Questa seconda topologia di campo maggiormente compatibile con la topologia di
campo di una microstriscia, mentre in una linea coplanare sono presenti componenti di campo elettrico sia orizzontali (tipo TE) che verticali (tipo TM). Vi sono infinite
onde superficiali TEn e TMn , n = 0, 1, 2..., con frequenze di taglio inferiori:
c0 n

= 2n fcTE0
2h r 1
c0 (2n + 1)
=
= (2n + 1) fcTE0
4h r 1

fcTMn =

1.45

fcTEn

1.46

ossia il modo fondamentale TM0 ha frequenza di taglio nulla. Lo stesso tipo di considerazione vale per il modo fondamentale di una strato dielettrico metallizzato inferiormente e coperto, a distanza H, da un secondo piano metallico (Fig. 1.26). La
relazione di dispersione per il modo TM0 per tale struttura si dimostra essere:


1 r e
tanh(2c0 f(H h) e 1)

=
r e 1
tan(2c0 fh r e )

1.47

dove c0 la velocit della luce nel vuoto. Si noti che per H si ottiene la
relazione di dispersione del modo fondamentale dello strato dielettrico di spessore h
con piano metallico inferiore o superiore.

59

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

M ic ro s tris c ia

G u id a d ie le ttric a g r o u n d e d

H
e

h
r

h
r

C o p la n a re

e
r

C o p la n a re g r o u n d e d

G u id a d ie le ttric a s c h e rm a ta

M ic ro s tris c ia s c h e rm a ta

G u id a d ie le ttric a g r o u n d e d

h
h
G u id a a fa c c e p ia n e p a ra lle le

Fig. 1.26 Strutture guidanti quasi-TEM e strutture associate per la propagazione di


onde superficiali.

Uno strato dielettrico metallizzato da entrambe le parti porta invece un modo fondamentale TEM (che implica per una differenza di potenziale fra i due piani metallici) e modi superiori TE e TM con caratteristiche simili ai modi TE e TM dello strato
dielettrico metallizzato da un lato per quanto riguarda la direzione del campo elettrico.
In Figura 1.27 riportato landamento delle curve di dispersione di varie strutture
guidanti su uno strato di GaAs (costante dielettrica 13) di spessore h = 300 m.
riportata la permettivit efficace di una microstriscia da 50 , di una microstriscia

60

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

nel limite ad impedenza infinita, e di due coplanari da 50 con diverse dimensioni


trasversali. Per quanto riguarda le onde superficiali, tracciata la curva di dispersione
del modo fondamentale di uno strato dielettrico metallizzato e con copertura posta
ad altezza H = 1.5 mm, che presentano come ovvio differenze minime; inoltre
riportato il modo TM1 di uno strato dielettrico con due piani metallici inferiore e
superiore. Per quanto riguarda laccoppiamento con modi di linee a microstriscia o
coplanari, valgono le considerazioni seguenti:
In una microstriscia laccoppiamento con il modo TM0 sincrono solo in linee
di impedenza molto elevata; viceversa, le linee coplanari, soprattutto se poco
dispersive (ossia di dimensioni trasversali molto piccole rispetto alla lunghezza
donda di lavoro) presentano comunque una permettivit efficace pari a circa
(r + 1)/2 e quindi danno luogo ad accoppiamento sincrono. La frequenza di
sincronismo fs pu essere espressa come:
fs =

c0 tan1 (r )

h 2(r 1)

che, per substrati pesanti, si semplifica in:


106

GHz.
h[mm] r 1

fs

inoltre possibile accoppiamento sincrono con il modo TE0 ;

tale

accoppiamento avviene per a frequenza superiore fs > fs :


fs =

4h

3c0
.
2(r 1)

Infine, linee coplanari con piano di massa inferiore possono presentare accoppiamento sincrono con il modo TM1 della guida dielettrica
con piano di massa inferiore e superiore; tale accoppiamento avviene
alla frequenza di sincronismo:
fss =

c0
h (r 1)

di solito inferiore alla frequenza di sincronismo del modo TM0 della guida metallizzata da un solo lato. La coplanare con piano di massa inferiore presenta
anche la possibilit di accoppiamento sincrono con il modo TEM dello strato

61

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 2
M ic ro s tris c ia ,
5 0 O h m

1 0

C o p la n a re ,
5 0 O h m , b = 3 1 4 m m
C o p la n a re , 5 0 O h m , b = 5 0 m m
M ic ro s tris c ia a d a lta im p e d e n z a

P e rm e ttiv ita ' e ffic a c e x

T M 1, g u id a a
p ia n i p a ra lle li
h = 3 0 0 m m
4
T M 0, g u id a d ie le ttric a
s c h e r m a ta , H = 1 .5 m m
h = 3 0 0 m m
2

0
0

1 0

2 0

3 0

T M

4 0

5 0
6 0
F re q u e n z a , G H z

, g u id a d ie le ttric a
h = 3 0 0 m m

7 0

8 0

9 0

1 0 0

Fig. 1.27 Curve di dispersione per modi quasi-TEM e onde superficiali.

dielettrico metallizzato da entrambi i lati, ma attraverso il lancio di un modo


obliquo rispetto alla direzione di propagazione della linea.
Le onde superficiali possono essere soppresse o attenuate con vari accorgimenti, ad
esempio lintroduzione di materiale dissipativo in corrispondenza della periferia o
della superficie del circuito. Fra le linee considerate, la linea coplanare con piano
di massa inferiore presenta aspetti leggermente pi critici della microstriscia e della
coplanare semplice.

1.5.

C OMPONENTI

A PARAMETRI CONCENTRATI

Componenti a parametri concentrati (soprattutto resistori, ma anche condensatori e,


soprattutto nel campo delle RF, induttori) vengono spesso utilizzati nei circuiti ibridi
per implementare diverse funzioni: resistenze di polarizzazione, capacit di disaccoppiamento AC-DC e fra stadi, induttanze di blocco. Per quanto la tecnologia ibrida

62

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

consenta di integrare condensatori e resistori, luso di componenti esterni, a parametri concentrati, spesso reso necessario dal fatto che i valori di resistenza o capacit
ottenibili attraverso limplementazione ibrida integrata sono modesti.
Viceversa, nei circuiti integrati a microonde gli elementi concentrati prevalgono e sono realizzati in forma integrata, per quanto non sia impossibile anche qui utilizzare
componenti discreti esterni, ad esempio per gli stadi di polarizzazione. In linea di
massima i circuiti a parametri concentrati presentano un fattore di merito (Q) inferiore a quello ottenibile dai circuiti a parametri distribuiti. Resistori e condensatori
integrati tendono ad avere dimensioni compatte, mentre questo non accade per linduttore integrato che senzaltro il componente pi critico, per dimensioni, valori
ottenibili, comportamento in frequenza, fra quello che compaiono nei circuiti integrati
monolitici a microonde.
In linea di principio, elementi concentrati possono essere ricavati da linee di trasmissione molto corte. Limpedenza di ingresso di una linea corta di lunghezza l, chiusa
su una impedenza di carico ZL , pu infatti scriversi:
Zin = Z0

ZL + Z0 l
.
Z0 + ZL l

Tenendo presente che:



Z0 =

R + jL
G + jC

e che:
=

(R + jL)(G + jC)

si ottiene:
Zin =

ZL + (R + jL)l
;
1 + ZL (G + jC)l

pertanto, se la linea caricata con un corto circuito, si ha:


Zin = Rl + jLl = R + jL

63

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Valori

Q (10 GHz)

Materiale

Linee ad alta Z0

0.01-0.5 nH

30-60

Oro

Induttori a spirale

0.5-10 nH

20-40

Oro

Tipo
INDUTTORI

CONDENSATORI
Gap in microstriscia

0.001-0.005 pF

Interdigitati

0.01-0.5 pF

50

MIM (sovrapposti)

0.1-100 pF

50

Si3 N4 ,SiO2 , Polimide

25

Ta2 O5

RESISTORI
Film sottile

5 - 1 k

NiCr, TaN

Monolitici

5 - 1 k

GaAs impiantato

Tab. 1.3 Caratteristiche di elementi concentrati.

ossia, a seconda dei parametri, un resistore o un induttore. Se viceversa la linea


caricata con un circuito aperto, si ottiene:
Yin = Gl + jCl = G + jC
che corrisponde di solito ad un condensatore. In realt non possibile, in tal modo,
realizzare induttori o condensatori di valore qualsiasi, perch a tale scopo sarebbe
necessario rendere lunga la linea (e quindi, non pi approssimabile con un elemento
concentrato). Resta comunque il criterio che linee corte e strette (alta impedenza)
hanno comportamento induttivo e/o resistivo, linee corte e larghe (bassa impedenza)
comportamento capacitivo.
Una tabella riassuntiva delle prestazioni di varie classi di componenti concentrati
per circuiti integrati a microonde riportata nella Tabella 1.3. I componenti relativi
saranno discussi in dettaglio nelle prossime sezioni.

64

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

R
L

l
W
C
C

(a )

W
R

a
C
W '

s'
(b )
D
i

W
R

S
C
D

C
2

(c )

Fig. 1.28 (a) Induttore a striscia, (b) a loop (ferro di cavallo), (c) a spirale rettangolare,
e relativo circuito equivalente.

Induttori
Il progetto degli induttori per microonde sottoposto a tre limitazioni principali:
1. Il fattore di merito di solito modesto a causa delle perdite ohmiche; questo pu influenzare in modo negativo il progetto di componenti selettivi in
frequenza.

65

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

2. La frequenza di lavoro comunque limitata superiormente dalla capacit


parassita, che risuona con linduttore.
3. I valori massimi ottenibili sono dellordine della decina di nH; inoltre il campo
di frequenze dellinduttore tanto pi ridotto quanto pi elevato il valore
dellinduttanza, a causa del fatto che la capacit parassita cresce al crescere
dellinduttanza (ed in generale delle dimensioni del componente).

Induttori a striscia e a loop (ferro di cavallo)


Piccoli valori di induttanza (fino a 2 nH circa) possono essere ottenuti attraverso tratti
rettilinei di linea di trasmissione, come mostrato nella Figura 1.28(a), oppure attraverso induttori a loop, vedi Figura 1.28(b). Si noti che, a causa dellaccoppiamento fra
i lati del loop, a parit di lunghezza questultimo presenta una induttanza inferiore a
quella della striscia.
Per linduttore a striscia vale il modello approssimato seguente (le lunghezze
sono in mm):

 


2l
W
Lstrip = 2 101 l log
1+
nH
W
2l

 
W
Rs l
Rstrip = 1.4 + 0.217 log

5t
2(W + t)

1.48

1.49

ove Rs la resistenza superficiale della metallizzazione, t lo spessore della metallizzazione. La capacit parassita si pu valutare in modo approssimato attraverso il modello della linea a microstriscia; alternativamente, il componente pu essere modellato
come una linea a microstriscia corta, ottenendo cos in modo diretto il comportamento in frequenza. Si noti che linduttore realizzato in configurazione passante, ossia
disposto in serie fra lingresso e luscita del componente.
Linduttore a loop (ferro di cavallo) ha induttanza e resistenza parassita fornite
approssimativamente dalla formula di Grover:
 


8a
Lloop = 1.257a log
2 nH
W


W
Rloop = 1.4 + 0.217 log
5t

66



Rs
a .
W +t

1.50

1.51

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

2 .5
In d u tto re a s tris c ia
In d u tto re a lo o p

In d u tta n z a , n H

W = 2
4
6
8

1 .5

W = 2
4
6
8

0 m
0 m
0 m
0 m

0 m
0 m
0 m
0 m

m
m
m
m

m
m
m
m

0 .5

0 .5

1 .5

L u n g h e z z a , m m

Fig. 1.29 Andamento dellinduttanza di un induttore a striscia e a loop in funzione


della lunghezza totale, per diversi valori dellampiezza della striscia W .

Le dimensioni sono date in mm. Anche qui possibile ricavare la capacit parassita
verso massa, in modo approssimato, attraverso un modello a linea di trasmissione
(microstriscia) equivalente.
Landamento approssimato della induttanza di una striscia e di un loop (con l = 2a)
mostrato nella Figura 1.29 per diversi valori di W . Si noti che, a parit di lunghezza, linduttanza di una striscia maggiore di quella di un loop; si noti anche che al
diminuire di W linduttanza cresce ma anche le perdite ohmiche. Come ovvio aumentando l linduttanza cresce, ma anche diminuisce la frequenza di risonanza, riducendo
cos la banda dellinduttore.

67

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

ESEMPIO 1.4

Si valuti linduttanza di un induttore a striscia di lunghezza l = 0.5 mm, realizzato con

una striscia di larghezza W = 50 m e spessore t = 5 m, su substrato di 300 m e costante


dielettrica relativa pari a 13. Si confronti limpedenza di ingresso dellinduttore con quella di
una linea a microstriscia di uguali dimensioni, al variare della frequenza, trascurando leffetto
delle perdite, e si determini la frequenza di risonanza dellinduttore.

Per quanto riguarda linduttore a striscia si usa il modello seguente (si ricordi che i

parametri sono in millimetri):




L = 2 101 l log

2l
W

1+

W
l

= 0.32 nH

Limpedenza di ingresso quindi Zi = jL.


Per quanto riguarda il modello a microstriscia della stessa struttura, si suppone di utilizzare
lespressione ad alta frequenza dei parametri caratteristici. Dato che h/W = 300/50 = 6 <
2, si usa la correzione:


2h
W
1.25t
W
1 + log
= 0.205
=
+
h
h
h
t
da cui W  = 0.205h = 0.0615 mm; si utilizza poi la formula per striscia stretta per la costante
dielettrica efficace:


F = 1+

12h
W

1/2

+ 0.04 1

W
h

= 0.144

per cui:
e

1 + r
r 1
r 1 t
=
+
F
2
2
4.6 h

h
= 7.76.
W

Limpedenza caratteristica :


60
W
8h
log
+ 0.25
Z0 =

e
W
4h

= 78.9 .

Si noti che limpedenza nel vuoto :




Z00 = 60 log

W
8h
+ 0.25

W
4h

= 220

che fornisce una induttanza totale lZ00 /c0 = 0.36 nH, in discreto accordo con il valore ottenuto
con il modello concentrato. La costante di propagazione quindi:

68

|X | , W

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

1 0

1 0

1 0

L in e a a m ic ro s tris c ia

1 0

1 0

M o d e l l o c o n c e n t r a t o d e l l 'i n d u t t o r e

1 0
F re q u e n z a , G H z

1 0 0

Fig. 1.30 Andamento della reattanza di un induttore a striscia secondo il modello


concentrato e distribuito (Esempio 1.4).

2f
ef f = j5.83 108 f
3 108

da cui limpedenza di ingresso della linea in corto circuito:


Zi = jZ0 tan(l)
ove l valutato in metri. Il modulo della reattanza delle due strutture mostrato nella
Figura 1.30. Si pu notare come il modello a microstriscia presenti una frequenza di risonanza
verso i 55 GHz, e mostri gi a frequenze inferiori un forte scostamento dallandamento induttivo (cui corrisponde anche un aumento delle perdite). Il limite l < g /20 condurrebbe ad una
limitazione duso a frequenze inferiori agli 11 GHz circa.

69

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Induttori a spirale
Allo scopo di ottenere induttanze di valore elevato indispensabile ricorrere allinduttore a spirale, Figura 1.28(c), che si realizza in vari modi (spirale circolare, rettangolare, esagonale). Unesempio di realizzazione di un induttore a spirale rettangolare
integrato con ponti in aria mostrato nella Figura 1.31. Tipicamente ogni fabbricante
di circuiti integrati (o foundry) fornisce una libreria di componenti, caratterizzati con
il relativo circuito equivalente (resistenza e capacit parassita), in modo tale che il progetto si riduce ad una scelta fra i componenti a disposizione. Per linduttore a spirale
circolare esistono tuttavia anche formule di progetto approssimate:
a2 n 2
Do + Di
Do Di
Lsp = 39.37
Kg nH, a =
, c=
8a + 11c
4
2


1.7
anRs
S
Rsp = 1 + 0.333 1 +

W
W
C3 = 3.5 102 Do + 0.06 pF

1.52

1.53
1.54

ove Do e Di sono espressi in mm. La capacit verso massa pu essere valutata approssimativamente attraverso un modello di microstriscia rettilinea. I parametri utilizzati
sono definiti nella Figura 1.28(c). In particolare Do e Di sono il diametro interno ed
esterno dellinduttore, W la larghezza di pista, S la spaziatura, n il numero di spire
(che pu assumere anche valori non interi). Si noti che , in prima approssimazione:
Do Di
nW + (n 1)S
2
da cui:
1
n
W +S


Do Di
+S .
2

Il fattore Kg corrisponde alleffetto del piano di massa inferiore. Questa influisce sul
valore dellinduttanza, che diviene accoppiata ad una induttanza immagine con mutua
induttanza negativa; linduttanza totale decresce quanto pi il piano di massa vicino.
Questa diminuzione deve essere tenuta in conto attraverso un fattore di correzione Kg ;
linduttanza reale L quindi pari a:
L = Kg L0
ove L0 linduttanza in aria. Detta W lampiezza della striscia con la quale realizzato linduttore, per W/h > 0.05, unespressione in forma chiusa di Kg data dalla
formula:

70

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

W
Kg 0.57 0.145 log
h


1.55

dove h lo spessore del substrato. In prima approssimazione lespressione, che ricavata per una striscia, pu essere utilizzata per altri tipi di induttori. Per W/h < 0.05
si ritiene trascurabile leffetto del piano di massa (Kg = 1).
Un modello grossolano ma utile per linduttore a spirale rettangolare infine:

Lrsp 0.85 An5/3 Kg nH

1.56

ove A larea totale dellinduttore, n il numero di spire.


Valgono infine le seguenti considerazioni di progetto:
1. Criterio empirico per il massimo Q Do /Di 5; tale valore non fornisce
per la massima induttanza a parit di area.
2. Aumentare W diminuisce, a parit di area, la lunghezza della pista, e quindi linduttanza, ma diminuisce la resistenza serie. Di solito deve essere, per
motivi tecnologici, W, S > 5 m nei processi integrati.
3. necessario mantenere le dimensioni dellinduttore (Do ) inferiori a circa
g /30 per evitare effetti distribuiti.
4. Gli induttori a spirale richiedono un processo che supporti ponti in aria.

ESEMPIO 1.5

Si supponga di voler realizzare una famiglia di induttori a spirale con diametro esterno

Do = 1 mm, W = 50 m, S = W, al variare del numero di spire n, con t = 5 m. Si


valuti linduttanza ottenibile su un substrato di 300 m al variare del numero di spire, mantenendo il diametro esterno Do , il fattore di merito, e la frequenza di risonanza. Si supponga la
metallizzazione realizzata con oro.

Essendo costante il diametro esterno Do , si ha:


Do Di
nW + (n 1)S = (2n 1) W
2

71

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

P o n ti in a ria

Fig. 1.31 Induttore a spirale rettangolare realizzato con ponte in aria.

da cui:
Di = Do 2 (2n 1) W.
Si noti che il valore massimo assunto da n corrisponde a Di = 0, ossia:
Do
1
+
= 5.5 5
2
4W

n=
Si ha poi:

1
Do + Di
= [Do (2n 1) W ] = 0.525 0.05n mm
4
2
Do Di
= (2n 1) W = 0.1n 0.05 mm.
c=
2

a=

Tenendo conto che il fattore di correzione di substrato :




Kg = 0.57 0.145 log

W
h

= 0.57 0.145 log

50
300

= 0.83

e che la resistenza superficiale delloro (la frequenza in GHz):




Rs =


2f
= 0.098 fGHz
2

si ottengono, per i parametri dellinduttore, con W espresso in mm (W = 0.05):

72

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

L (nH)

1.70

4.68

7.20

8.57

8.65

f0 (GHz)

12.55

7.55

6.09

5.58

5.56

QL ad 1 GHz

173.6

267.6

311.1

320.4

305.8

Tab. 1.4 Valori di induttanza, fattore di merito, frequenza di risonanza di cui


allEsempio 1.5.

L = 39.37

(0.525 0.05n)2 n2
a2 n2
Kg = 32.7
nH
8a + 11c
3.65 + 0.7n


R = 6. 46 102 (21 2.0n) n

fGHz

C3 = 0.095 pF
Per quanto riguarda il fattore di qualit si ha:
QL =

(10.5 n) n 
2f L
= 79.5
fGHz
R
3.65 + 0.7n

e la frequenza di risonanza parallelo dellinduttore :

1
25.5 73.0 + 14n
=
f0 =

GHz.
(21 2n) n
2 LC3
Linduttanza, il fattore di qualit e la frequenza di risonanza ottenibili per n = 1...5 sono
riportati nella Tabella 1.4.
Si noti che nel modello per effetto pelle il fattore di merito cresce con il quadrato della frequenza; il modello vale come ovvio per frequenze abbastanza inferiori alla frequenza di risonanza. Si
tenga infine presente che le frequenze di risonanza stimate sono ottimistiche sia perch si trascurata la capacit verso massa, sia perch il modello della capacit di reazione approssimato
e indipendente dal numero delle spire.

Induttanza di fili di interconnessione


Nei circuiti ibridi le connessioni a filo (bonding wires) collegano componenti attivi
a componenti passivi discreti, mentre nei circuiti integrati a microonde queste vengono talvolta utilizzate per collegare il chip con il circuito esterno. Spesso si fa uso
73

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

di sottili strisce piuttosto che di fili circolari. Linduttanza dei fili di collegamento
pu essere interpretata come semplice parametro parassita; tuttavia, tale induttanza si
pu anche sfruttare in modo diretto, ad esempio nella realizzazione di blocchi RF per
lalimentazione.
Un filo di diametro d e lunghezza l (espresse in mm) posto nello spazio libero presenta
induttanza e resistenza:

  

l
L0,lo = 0.20 log
+ 0.386 l nH
d
Rs l
R=
.
d

A causa delleffetto del piano di massa, linduttanza si modifica come segue:





  
l + l2 + d2 /4
4h

+
Llo = 0.2l log
+ log
d
l + l2 + 4h



4h2
d2
h
d
+ l+ 2 l+ 2 2 +
nH
l
4l
l
2l

1.57

1.58

1.59

dove h la distanza tra filo e piano di massa. Linduttanza dei fili di collegamento
non trascurabile; ad esempio, fili distanti dal piano di massa del diametro di 100 m
presentano uninduttanza di circa 500 pH/mm, mentre linduttanza sale a circa 800
pH/mm se il diametro scende a 25 m.

Condensatori
Un condensatore pu essere ottenuto da una linea molto corta, in circuito aperto.
In pratica vi sono tre tipi di condensatori passivi (ossia non ottenuti da giunzioni)
utilizzati nei circuiti a microonde:
i condensatori in microstriscia,
i condensatori interdigitati,
i condensatori MIM (Metallo-Isolante-Metallo),
i condensatori Schottky.
I condensatori in microstriscia sono semplicemente piazzole (metallizazioni) realizzate con il conduttore superiore della microstriscia; presentano elevata precisione (2 %)

74

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

C
L

R
W

S
C
l
e
h

C
1

(a )

F ilm d ie le ttric o
R

C
e

G
2

C
2

(b )

Fig. 1.32 Condensatori interdigitati e MIM.

ma bassa capacit (fino a 0.5 pF). I condensatori interdigitati hanno la struttura mostrata nella Figura 1.32 (a); i valori di capacit ottenibili arrivano fino a 0.5 pF circa, la
precisione peggiore. Per il condensatore interdigitato vale il modello (le dimensioni
sono in mm):
C = e

(N 1)l K(k)
pF
18 K(k  )

ove N il numero di dita, e la permettivit efficace quella di una linea coplanare:


e = (r + 1)/2. Inoltre:
k = tan2

 a 
4b

ove a = W/2, b = (W + S)/2, e k  =

1 k2 .

Gli altri parame-

tri parassiti del modello del condensatore interdigitato si possono ricavare attraverso modelli pi complessi (ad esempio basati sulle linee coplanari multiconduttore).

A titolo indicativo, un condensatore interdigitato su GaAs con

N = 10 ha una capacit di circa 0.6 pF per millimetro di lunghezza quando W = S

75

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

(ad esempio con W = S = 50 m N = 10 corrisponde ad una larghezza totale


di circa 1 mm). Pertanto un condensatore interdigitato ha una capacit dellordine
di 0.5 pF/mm2 .
Capacit pi elevate, ma con precisione ancora peggiore e perdite dielettriche superiori
si possono avere con i condensatori MIM (Fig. 1.32 (b)), con cui si possono realizzare
strutture fino a circa 25 pF. La capacit si pu ricavare, in funzione delle dimensioni,
con la consueta espressione valida per un condensatore a facce piane parallele:
C=

Wl
d

ove W l larea del condensatore,  la costante dielettrica assoluta del dielettrico interposto, d la distanza fra le armature. La conduttanza parallelo da attribuire alle
perdite nel dielettrico, mentre gli altri parametri parassiti si possono ricavare da modelli basati su linee trasmissione, che non si riportano per brevit. A titolo di esempio,
un condensatore MIM con dielettrico avente spessore di 1 m (limite inferiore di massima) e costante dielettrica 4 (ad esempio, ossido di silicio) ha una capacit specifica
di circa 35 pF/mm2 . Pertanto possibile realizzare con questa tecnica condensatori di
valore elevato.
Due utili figure di merito per i dielettrici impiegati nella realizzazione di condensatori
MIM sono il prodotto capacit-tensione di rottura:
Fcv = Ca Vb = 0 r Eb

1.60

tipicamente nel campo di valori (8 30) 103 pF-V/mm2 , e il prodotto capacit-Q


dielettrico:
Fcq = Ca / tan d

1.61

ove Ca la capacit per unit di superficie, Vb la tensione di rottura, Eb la rigidit


dielettrica, d langolo di perdita. Valori tipici sono 1 2 MV/cm per la rigidit,
4-20 per la costante dielettrica, 101 103 per langolo di perdita. Un quadro
riassuntivo dei dielettrici impiegati riportato in Tabella 1.5. Si noti che la tolleranza
dei condensatori MIM limitata al 5-10 % a causa della difficolt di controllare lo
spessore del dielettrico.

76

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Dielettrico

Ca , d = .2m

Fcv

Fcq

Deposizione

SiO

275-325

100-500

Evaporazione

SiO2

175-230

++

50-100

Evaporazione, sputtering

Si3 N4

300-400

++

20-40

Sputtering, CVD

Ta2 O5

1000-1200

10-150

Sputtering e anodizzazione

Al2 O3

350-400

400-600

Sputtering, CVD

Polimide

30-40

400-500

Rotazione

Tab. 1.5 Caratteristiche di dielettrici per condensatori MIM. il coefficiente di


temperatura in ppm/o C. Il dato relativo al polimide si riferisce ad uno spessore di 1 m.

Unultima possibilit costituita dai condensatori basati su elementi attivi, ad esempio


su giunzioni pn o Schottky. Si tratta di elementi disponibili non solo nei circuiti
integrati, ma anche in forma ibrida, per quanto in questultimo caso diodi Schottky
discreti sono utilizzati soprattutto per le loro caratteristiche di capacit non lineare.
Nei circuiti ibridi sono infine molto utilizzati i cosiddetti chip capacitors, realizzati
con parallelepipedi di materiale dielettrico rivestiti da due armature metalliche. Questo tipo di condensatori permette elevata precisione e valori elevati, grazie alluso di
dielettrici ad alta permettivit (ad esempio ossido di tantalio); sono pertanto utilizzati
ad esempio per realizzare filtri di alimentazione.

Resistori
I resistori planari possono essere realizzati o deponendo un film sottile resistivo sul
substrato dielettrico (resistori a film) oppure attraverso deposizione di film semiconduttori (resistori mesa) o infine drogando il substrato semiisolante (resistori impiantati). Uno schema delle tre strutture fornito nella Figura 1.33; un quadro riassuntivo
delle propriet dei materiali conduttori impiegati nella realizzazione dei resistori
mostrato nella Tabella 1.6.

77

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

F ilm

re s is tiv o

M e ta llo
S u b s tra to
s e m i-is o la n te

M e ta llo

R e s is to re a film

M e ta llo

R e s is to re
im p ia n ta to

S u b s tra to
s e m i-is o la n te

S u b s tra to
s e m i-is o la n te

R e s is to re m e s a

Fig. 1.33 Resistori per circuiti integrati a microonde.

Limpedenza di ingresso si pu valutare attraverso limpedenza di ingresso di una linea


RC in corto circuito:





R
1
1
R
Zin =
jCRl R 1 jCR
=
tanh
1
C
jC
3
1 + 13 jCR
+ j
R
3
ove R = Rl, C = Cl la capacit parassita del resistore. La resistenza serie pu
essere valutata in regime di effetto pelle o quasi-continuo a seconda dello spessore
della struttura e della frequenza di lavoro.
Nei circuiti ibridi possibile utilizzare chip resistor discreti realizzati con film sottile,
che presentano resistenza allincirca costante fino a qualche GHz.

78

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Materiale

Rs , /2

Accuratezza

Stabilit Deposizione

Cr

10-20

3000

Evaporazione, sputtering

Ta

30-200

100-500

++

Sputtering

Ti

10-100

2500

Evaporazione, sputtering

TaN

250-300

150-300

++

Sputtering

NiCr

40-100

200

++

++

Evaporazione, sputtering

GaAs

100-1200 3000

++

Impiantazione, epitassia

Tab. 1.6 Caratteristiche di materiali resistivi per resistori planari. il coefficiente di


temperatura in ppm/o C.

1.6.

L AYOUT

DI CIRCUITI PLANARI IBRIDI

Per fissare le idee, prendiamo in esame un semplice circuito a microonde, ossia un


amplificatore ad anello aperto costituito da un componente attivo, da una sezione di
ingresso di adattamento, da una sezione di adattamento di uscita. Si tenga presente
che lelemento attivo richiede almeno una, e spesso due, alimentazioni in continua.
Lo schema elettico di massima mostrato nella Figura 1.34.
La realizzazione in forma ibrida prevede i due adattatori in linea pi stub e il circuito di alimentazione; il generatore e il carico sono esterni e saranno collegati attraverso
connettori coassiali e transizioni coassiale-microstriscia. Il connettore a sua volta si
pu descrivere mediante un circuito equivalente costituito da una capacit in parallelo
e una induttanza in serie. Lo schema elettrico di massima della parte ibrida del circuito risulta quindi quello indicato in Figura 1.35. Si noti che i connettori coassiali
presentano un circuito equivalente a filtro passa-basso.
Prima di discutere in generale il layout ibrido (in microstriscia o coplanare) dellamplificatore ad anello aperto, vediamo di affrontare separatamente le problematiche rela-

79

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

D C

In g re sso
(c o a s s ia le )
Z

D C
T ra n s is to re

B ia s T
E

U s c ita
(c o a s s ia le )

B ia s T
A d.

G e n e ra to re
e s te rn o

A d a tta to re
d 'u s c i t a

A d a tta to re
d i in g re s s o

Z
L

C a ric o
e s te rn o

Fig. 1.34 Schema a blocchi di amplificatore ad anello aperto e realizzazione


(schematico) ibrido di massima.
V
G

a lim e n ta z io n e

V
D

C o n n e tto re
c o a s s ia le

C o n n e tto re
c o a s s ia le
lin e a

T ra n s is to re

lin e a
C a ric o
e s te rn o

G e n e ra to re
e s te rn o

s tu b

s tu b

Fig. 1.35 Circuito di massima di amplificatore ad anello aperto.

tive alla connessione di elementi esterni (ad esempio il transistore), alla realizzazione
di stub, e alla realizzazione della alimentazione.

Connessioni di componenti concentrati


Le due configurazioni possibili sono serie e parallelo, come mostrato in Figura 1.36.
La situazione diversa per le microstrisce e le linee coplanari. Per le microstrisce (Fig.
1.37) linserzione parallelo utilizzata se la microstriscia si trova molto vicino ai bor-

di, perch accessibile il piano di massa inferiore. possibile riportare superiormente


il piano di massa mediante il cosiddetto wrap around, che peraltro introduce una induttanza parassita. Per collegamenti in parallelo distante dai bordi infine possibile

80

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Z
Y

C o n n e s s io n e
P a ra lle lo

C o n n e s s io n e
S e rie

Fig. 1.36 Connessione in serie o parallelo di elementi concentrati.

C o n n e s s io n i P a ra lle lo

C o n n e s s io n e S e rie

D ire tta
a m a ssa

V ia h o le
W ra p
a ro u n d

Fig. 1.37 Inserimento in parallelo e in serie di elementi in microstriscia.

utilizzare il cosiddetto via hole, o foro passante, che per richiede un foro metallizzato nel substrato. Si tratta si una tecnologia alquanto complessa ad alte frequenze e per
substrati rigidi, relativamente comune solo nel campo degli integrati. Substrati teneri,
a frequenze relativamente basse, possono invece essere forati con mezzi meccanici in
modo da realizzare semplici connessioni a massa. Linserzione serie invece ( ovviamente) facile. Nelle coplanari (Fig. 1.38) non presenta problemi sia linserzione serie
che quella parallelo; conviene in molti casi utilizzare inserzioni bilanciate di elementi
in modo da non disturbare la simmetria della linea.

81

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

C o n n e s s io n e
P a ra lle lo s im m e tric a

2 Z
C o n n e s s io n e
S e rie

2 Z

C o n n e s s io n e
P a ra lle lo a s im m e tric a
Z

Fig. 1.38 Inserimento in parallelo e in serie di elementi in linea coplanare.

Stub
In generale uno stub pu essere in configurazione serie o parallelo, in circuito aperto o corto circuito: utilizzando le microstrisce lo stub in serie non realizzabile, e si
sceglie quindi la configurazione in parallelo; per realizzare il corto circuito tra la microstriscia che costituisce lo stub e il piano di massa si potrebbe realizzare un foro
attraverso il substrato o riportare un piano di massa sul lato dello stesso, ma entrambe le soluzioni risultano sconvenienti. Si utilizza allora uno stub parallelo in circuito
aperto. Si nota inoltre che uno stub in corto circuito potrebbe costituire un passaggio
tra lalimentazione continua e la massa, altro motivo per preferire la configurazione in
circuito aperto. Esempi di stub sono mostrati nella Figura 1.39.
Un ulteriore vantaggio nellutilizzo dello stub parallelo in circuito aperto costituito dal trimming: sul circuito sono possibili aggiustamenti dello stub modificando la
lunghezza della microstriscia di cui costituito; questa pu essere accorciata tagliando un pezzo di microstriscia o allungata aggiungendo piazzole unite tra loro tramite
metallizzazioni (Fig. 1.39).

Alimentazione e elementi attivi


Un circuito a microonde richiede, se elementi attivi sono presenti, una alimentazione in continua, mentre i segnali in ingresso e uscita sono in alta fre-

82

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

S tu b in c o rto
a ttra v e rs o v ia h o le
T
ju n c tio n

T
ju n c tio n

C o n n e tto re
c o a s s ia le

S te p

T
ju n c tio n

S tu b
O p e n
e n d

B e n d

G a p

C o n n e tto re
c o a s s ia le

S tu b in
c irc u ito a p e rto
a g g iu s ta b ile

B e n d

P a c k a g e

Fig. 1.39 Layout di microstriscia con stub e discontinuit.

In

In

O u t

O u t

Fig. 1.40 Filtro passa-basso di alimentazione in microstriscia.

quenza (RF-in, RF-out): tra alimentazione esterna in continua e transistore dovr essere allora inserito un blocco in microstriscia (filtro passa-basso) in modo da impedire che la radiofrequenza entri nellalimentatore (ossia, in altri termini, che lalimentatore carichi il circuito a radiofrequenza).

Per realizzare il

filtro passa-basso, costituito da induttanze in serie e capacit in parallelo, si


pu utilizzare la configurazione di microstriscia rappresentata in Figura 1.40.
La sezione larga (linea corta a bassa impedenza) costituisce un condensatore verso
massa, mentre la sezione stretta (linea corta ad alta impedenza) un induttore passante.
Per quanto riguarda gli elementi attivi, questi possono essere montati in chip oppure in
package (in contenitore). Mentre nel primo caso la connessione diretta fra le piste del

83

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

B
E

C
B
E

E
C

Fig. 1.41 Elemento attivo in package a connettori piatti (flatpack).

circuito ibrido e i terminali del dispositivo attivo, privo di package, effettuata attraverso fili di collegamento, nel secondo caso si utilizzano contenitori (package) diversi
dai tipici dual-in-line. Scelte possibili sono package a connettori piatti, che possono
venire saldati facilmente alle linee di accesso in microstriscia. Di solito i due terminali
laterali di massa sono realizzati in forma simmetrica, anche se internamente connessi.

Discontinuit delle linee di trasmissione


Nel progetto automatico di circuiti in microstriscia le strutture vengono ottimizzate
assegnando ai tratti di linea una impedenza caratteristica e una lunghezza elettrica. In
fase di layout questi parametri vengono tradotti in larghezza della striscia e lunghezza
fisica della linea. Tuttavia, non sempre nella realizzazione pratica viene conservato
il carattere ideale delle microstrisce isolate. Si pensi ad esempio a quanto accade
quando, per motivi di layout, una linea deve essere piegata ad angolo (Fig. 1.39):
la linea piegata presenta, in corrispondenza dellangolo, una capacit parassita verso
massa. Analogamente, la connessione di uno stub in circuito aperto alla relativa linea
presenta una piazzola di connessione che provoca una capacit parassita verso massa.
Sempre in uno stub in circuito aperto, la terminazione non propriamente un circuito
aperto ideale, ma piuttosto una capacit di fringing verso massa, di cui bisogna tenere
conto nel progetto dello stub per non sovrastimarne la lunghezza elettrica.
Si dicono discontinuit tutte quelle caratteristiche di layout non ideale proprie delle
linee planari. Limitandoci per semplicit al caso pi importante, le discontinuit in
microstriscia, si pu osservare che ad ogni discontinuit corrisponde un circuito equivalente ed un insieme di modelli. Questo non deve peraltro suggerire che sia possibile

84

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

introdurre le discontinuit nel progetto del circuito: si tratta comunque di un insieme


di elementi parassiti che opportuno introdurre nella simulazione finale del circuito, una volta che ne sia realizzato il layout, allo scopo di valutarne limportanza e di
procedere eventualmente a piccoli aggiustamenti. Esistono oggi strumenti CAD automatizzati in grado di estrarre dal layout in microstriscia di un circuito ibrido una netlist
modificata che tenga in conto gli effetti delle discontinuit. Gli effetti pi comuni delle
discontinuit sono: lo shift in frequenza nei circuiti a banda stretta, il peggioramento del VSWR in ingresso ed in uscita, ed in generale la possibile eccitazione di onde
superficiali e di radiazione.
Qui di seguito sono forniti i circuiti equivalenti delle principali discontinuit in microstriscia; modelli approssimati per i parametri del circuito possono essere reperiti in letteratura, oltre ad essere implementati nella maggior parte dei programmi di
simulazione circuitale di circuiti a microonde. In generale si pu dire quanto segue:
Il circuito aperto o open end presenta un circuito equivalente formato da una
capacit parassita verso massa oppure da un allungamento equivalente della
linea. Di solito nei circuiti ibridi gli stub in circuito aperto si possono aggiustare attraverso trimming, permettendo cos di compensare eventualmente
effetti della discontinuit.
Il gap un effetto capacitivo fra corti circuiti adiacenti. un tipo di discontinuit spesso utilizzato come elementi di accoppiamento (ad esempio nei filtri
a risonatori accoppiati).
Il notch spesso utilizzato per realizzare una induttanza serie.
Lo step (salto di impedenza) ha luogo quando la linea passa da una impedenza
alta a bassa o viceversa.
Il bend o gomito ad angolo retto comune a causa della necessit di piegare
le linee in fase di layout; possibile compensare leffetto della discontinuti attraverso il cosiddetto chamfering, ossia il taglio di una parte esterna del
gomito, che ha lo scopo di ridurne la capacit verso massa.
La T junction o giunzione a T ha luogo ad esempio in una configurazione linea
pi stub. Anche qui possibile (ma non molto comune) la compensazione.

85

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

D is c o n tin u ita

C irc u ito e q u iv a le n te

[1 ]
O p e n e n d

[1 ]

[1 ]
G a p
[2 ]

[1 ]

[2 ]

[1 ]
C h a m fe re d
b e n d

[2 ]

[1 ]

[2 ]
[1 ]

S te p

[1 ]

[2 ]

[2 ]

[1 ]

[1 ]

[2 ]

T -ju n c tio n
[3 ]

[2 ]
[3 ]

Fig. 1.42 Discontinuit in microstriscia e circuiti equivalenti.

Layout ibrido in microstriscia


Un esempio di layout in microstriscia del circuito ibrido ottenuto riportato nella Figura 1.43; si noti la presenza del package metallico e dei connettori esterni da
microstriscia a coassiale.

86

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

D C

D C

F iltro p a s s a b a s s o
p e r a lim e n ta z io n e

R F -in

R F -o u t

C o n d e n s a to ri
d i d is a c c o p p ia m e n to
R id g e m e ta llic o
c o lle g a to a l p a c k a g e e a lla m a s s a

Fig. 1.43 Layout in microstriscia ibrido.

I segnali RF-in e RF-out che rappresentano lingresso e luscita per le radio frequenze
sono trasmessi allesterno tramite i due connettori, che sono realizzati in modo da collegare la microstriscia del circuito con il cavo coassiale esterno, come rappresentato
nella Figura 1.44. Lalimentazione in continua ottenuta attraverso un semplice filtro
passa-basso in cui linduttore serie ottenuto dalla induttanza parassita del bonding
wire. Il dispositivo e due condensatori di disaccoppiamento sono montati su un ridge
metallico collegato al package esterno; si tratta di una soluzione che permette di ottenere, in un circuito ibrido, una massa di buona qualit per gli elementi attivi e anche
un dissipatore termico efficace.
Il package del circuito ibrido pu assumere aspetti differenti. In molti casi si utilizza un package metallico chiuso; per necessario in certi casi per ridurre il Q del
package e smorzare risonanze parassite ricorrere a package dielettrici, eventualmente
metallizzati.
A differenza del layout in microstriscia, nel layout in coplanare le linee e i componenti sono circondati da un piano di massa. Un problema che i piani di massa a
sinistra e destra delle linee devono essere allo stesso potenziale, il che ottenuto tramite ponticelli distanziati al massimo di una lunghezza pari a g /8, come riportato

87

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

C o a s s ia le

C o a s s ia le
C o p la n a re

M ic ro s tris c ia

Fig. 1.44 Schema di connettore coassiale-microstriscia e coplanare-coassiale.


D C

D C

F iltro p a s s a b a s s o
p e r a lim e n ta z io n e

R F -in

P o n tic e lli d i m a s s a

R F -o u t

C o n d e n s a to ri
d i d is a c c o p p ia m e n to
S tu b o p e n

S tu b in c o rto

Fig. 1.45 Esempio di layout ibrido in coplanare.

in Figura 1.45. Si noti peraltro che i circuiti ibridi in coplanare sono abbastanza rari,
essendo la soluzione coplanare maggiormente indicata per i circuiti integrati. Nella
Figura 1.44 anche mostrato lo schema di un connettore coplanare-coassiale.

Problemi di layout ibrido


La realizzazione di circuiti ibridi a microonde solo in parte automatizzata. Esistono oggi strumenti CAD adatti alla ottimizzazione del circuito, e anche in grado di

88

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

presentare un layout automatico di massima. Tuttavia, la realizzazione automatica di


layout analogici presenta difficolt molto maggiori rispetto al caso digitale, perch i
vincoli geometrici fra elementi vicini sono influenzati da regole di progetto complesse
e in parte empiriche.
Un primo tipo di considerazioni riguarda la vicinanza fra elementi distribuiti: il circuito non pu essere compattato oltre una certa misura perch necessario evitare
accoppiamenti capacitivi fra elementi vicini. Ad esempio, due microstrisce devono
distare fra di loro almento circa due volte lo spessore del substrato per evitare un forte
accoppiamento capacitivo. Altri effetti che influenzano il layout sono la presenza di
possibili fonti di irradiazione elettromagnetica (ad esempio discontinuit) e di eccitazione di onde superficiali. Si tratta di effetti non sempre presenti, talvolta invocati per
spiegare il malfunzionamento di circuiti progettati in modo apparentemente corretto.

1.7.

I L LAYOUT

INTEGRATO A MICROONDE

I circuiti integrati a microonde presentano aspetti molto diversi a seconda del campo
di frequenza utilizzato. Per applicazioni fino a 10-15 GHz gli elementi distribuiti,
tipici dei circuiti ibridi, sono di solito sostituiti da componenti concentrati, molto pi
compatti in termini di area occupata; inoltre frequente impiegare elementi attivi per
realizzare ad esempio capacit. Al crescere della frequenza gli elementi concentrati
divengono a poco a poco meno convenienti, e gli elementi distribuiti si riducono di
dimensioni. Si pu pertanto dire che per circuiti integrati oltre i 30 GHz la struttura
prevalentemente distribuita, ed totalmente distribuita quando si passa al campo delle
onde millimetriche.

Esempi di layout integrato a microonde


La realizzazione di circuiti integrati a microonde presenta problemi notevoli, oggi in
parte risolti dalluso di strumenti CAD di progetto. In generale i circuiti integrati a
microonde sono circuiti di bassa o media complessit, di solito analogici; gli elementi

89

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

s e c o n d o liv e llo
m e ta lliz z a z io n e

c o n d e n s a to re
M IM

a ir b rid g e

lin e a d a 5 0 O h m

p rim o liv e llo


m e ta lliz z a z io n e

in d u tto re
re s is to re
a film s o ttile
a ir b rid g e

v ia h o le

n +
R e s is to re
im p ia n ta to

M E S F E T

S u b s tra to d i G a A s
s e m i-is o la n te
p ia n o d i m a s s a

Fig. 1.46 Esempio di elementi di layout di un circuito integrato a microonde, sezionato


in corrispondenza di un via hole.

utilizzati sono di solito concentrati, mentre gli elementi attivi sono integrati nel substrato, che pu essere, a seconda del campo di frequenza, silicio, GaAs oppure InP
(per onde millimetriche). Luso di elementi distribuiti comune solo ad onde millimetriche, dato che per frequenze inferiori questi tendono ad essere troppo grandi
e a sprecare grandi quantit di superficie del semiconduttore. In generale, fra gli elementi concentrati, i resistori e condensatori (di solito realizzati con piste drogate o con
giunzioni Schottky) presentano le dimensioni geometriche minori, mentre gli induttori
presentano dimensioni notevoli. poi pi difficile o costoso realizzare certe strutture,
ad esempio i ponti in aria, che vanno costruiti mediante due livelli di metallizzazione
e sostituiscono i ponticelli di filo, vedi Figura 1.46.
Una panoramica di elementi attivi e passivi di un circuito integrato a microonde presentata nella Figura 1.46. In generale anche per i circuiti integrati si parte da un progetto con elementi ideali (ad esempio induttori, condensatori, resistori ideali), giungendo
cos ad una certa topologia circuitale (Fig. 1.47). Ultimata la fase di layout, si procede ad assegnare ad ogni elemento un circuito equivalente pi complesso, in modo

90

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Fig. 1.47 Esempio di amplificatore integrato a pi stadi: progetto con elementi ideali.

Fig. 1.48 Esempio di amplificatore integrato a pi stadi: progetto con elementi reali.

da verificare la presenza e la importanza dei parametri parassiti; si ottiene cos il circuito con netlist modificata di Figura 1.48. Una volta ultimato il progetto si passa al
layout vero e proprio, vedi Figura 1.49; si noti la presenza di grossi induttori a spirale
necessari nelle sezioni di matching e nella alimentazione.
Per quanto i circuiti integrati a microonde coprano oggi prevalentemente il campo di
frequenze fino a circa 40 GHz, sono anche stati dimostrati circuiti integrati a frequenze
pi elevate, nel campo delle onde millimetriche (fino a 90 GHz). Molti circuiti per
onde millimetriche fanno uso di componenti coplanari, come mostrato nellesempio
di Figura 1.50.

91

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

Fig. 1.49 Esempio di amplificatore integrato a pi stadi: realizzazione finale del layout
integrato.

M E S F E T

R F in

R F o u t

Fig. 1.50 Realizzazione di circuito integrato a microonde in coplanare.

1.8.

C ONTENITORI

PER CIRCUITI IBRIDI E INTEGRATI A MICROONDE

Il contenitore (package o housing) una parte importante del circuito a microonde,


ibrido ed integrato. Al crescere della frequenza, il contenitore diventa sempre pi
parte integrante del circuito, e sempre meno trasparente in termini di trasmissione di

92

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

onde elettromagnetiche e di isolamento fra porte, a causa della accresciuta incidenza dei parametri parassiti e della natura distribuita delle interconnessioni fra linterno
e lesterno del contenitore. Il progetto elettrico del contenitore deve tenere conto del
possibile innesco di risonanze interne, per cui in molte applicazioni si preferisce ricorrere a contenitori a basso Q, ossia dielettrici. Infine il contenitore deve soddisfare
ad importanti requisiti di tipo non elettrico, il cui raggiungimento rende il progetto di
tali componenti difficile perch interdisciplinare.
I contenitori devono soddisfare a molteplici requisiti:

1. proteggere il circuito da agenti meccanici, chimici, elettrostatici;


2. assicurare la dissipazione di calore del circuito;
3. assicurare, come ovvio, la connessione elettrica del circuito al resto del
sistema;
4. non presentare, nella banda di frequenza di interesse, risonanze parassite in
grado di influenzare negativamente il funzionamento del circuito.

Si tenga presente che in un sistema anche mediamente complesso esistono pi livelli di contenitore: il contenitore del dispositivo, del circuito, del blocco funzionale, ed eventualmente del sistema. Contenitori di differenti livelli presentano problemi meccanici diversi. Ad esempio contenitori di sistemi devono poter essere facilmente rimossi ed aperti per manutenzione e riparazione, mentre i contenitori di
MMIC devono consentire il testing del circuito finale, ma possono essere poi sigillati in modo permanente. infine possibile che circuiti integrati a microonde
vengano montati on chip in circuiti ibridi (cfr. Fig. 1.51). Il package mostrato
di tipo metallico, con connettori esterni coassiali; un esempio di contenitore dielettrico a basso Q (ceramico multistrato con uscita in linea planare) mostrato in
Figura 1.52.

93

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

M M IC
S u b s tra to
ib rid o

C o n n e tto re
a lim e n ta z io n e
P a c k a g e
C o n n e tto re R F
c o a s s ia le
Fig. 1.51 Montaggio di circuiti integrati in circuiti ibridi.

C o p e rc h io
d e l p a c k a g e

P a c k a g e c e ra m ic o

C irc u ito ib rid o


o in te g ra to

B a se
m e ta llic a

C o n n e tto ri
R F

C o n n e tto ri
p e r l 'a l i m e n t a z i o n e

S u b s tra to d ie le ttric o

Fig. 1.52 Esempio di package ceramico per circuito integrato o ibrido.

94

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

A causa della complessit dellargomento e della grande variet dei tipi di contenitori
utilizzati, ci si limiter a dare alcune idee di base sui tre aspetti fondamentali del
progetto: quello elettrico, quello termico, e quello meccanico.

Comportamento elettrico dei contenitori


Dal punto di vista elettrico, un contenitore ad N -conduttori pu concepirsi come una
struttura a 2N porte, ciascuna porta essendo formata da una coppia conduttore-massa.
Si noti che ogni transizione (feedthrough) costituisce una coppia di porte. Il contenitore ideale dovrebbe essere trasparente, ossia essere adattato a ciascuna porta, garantire
trasmissione con sfasamento nullo fra le due porte di ogni transizione, e isolamento
infinito fra transizioni diverse. In pratica, si ha invece disadattamento crescente con
la frequenza, con conseguenti riflessioni, ed infine crosstalk fra le diverse transizioni.
La struttura della transizione dipende dal livello di contenitore considerato. Contenitori per dispositivi attivi o MMIC utilizzano transizioni basate su linee a microstriscia
o coplanari, compatibili cio con linserimento diretto in circuiti ibridi, e contenitori di tipo ceramico chiusi da coperchi ceramici o metallici (Fig. 1.53). Contenitori
di moduli o sistemi solitamente fanno uso di transizioni di tipo coassiale (Fig. 1.54,
Fig. 1.55) e contenitori metallici.
Dal punto di vista del comportamento elettrico, transizioni tipiche di contenitori ceramici per MMIC presentano parametri parassiti di minor entit di quelli delle transizioni coassiale-microstriscia o coassiale-coplanare; hanno inoltre una riproducibilit maggiore. Il circuito equivalente di una transizione coassiale-microstriscia o
coassiale-coplanare di tipo passa-basso (cfr. Fig. 1.56).
Il comportamento elettromagnetico del contenitore nel suo complesso peraltro notevolmente influenzato dal fatto che questo si comporta come una cavit risonante.
Contentitori per circuiti ibridi, di solito realizzati con materiali metallici, sono da questo punto di vista pi critici perch le maggiori dimensioni ed il maggior Q impongono
accorgimenti per evitare risonanze spurie. Contenitori per MMIC o dispositivi sono
spesso realizzati con materiali ceramici, che conducono ad un Q complessivo minore. Laccoppiamento con i modi del contenitore deve per essere tenuto in conto alle
frequenze pi elevate allo scopo di evitare risonanze spurie del circuito. Inoltre, le

95

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

C o p e rc h io c e ra m ic o

P a c k a g e c e ra m ic o
c o n tra n s iz io n e c o m p e n s a ta

M ic ro s tris c ia
s u a llu m in a

Fig. 1.53 Tipi di transizione in microstriscia in contenitori ceramici per MMIC.

pareti dei contentitori ceramici, essendo penetrabili, danno luogo alla formazione di
un risonatore dielettrico parassita, che pu essere eliminato metallizzando opportunamente le pareti del contenitore e le superfici di separazione fra il contenitore, la base
e il coperchio.

Contenitori: aspetti termici e meccanici


Come ovvio, problemi termici sono importanti soprattutto in quei circuiti che devono
trattare livelli elevati di potenza, o per quei dispositivi che, allinterno di un circuito
ibrido, lavorano ad alti livelli di potenza. A prescindere dalle consuete considerazioni sulla resistenza termica introdotta dal package in condizioni regolari, da tenere
presente come un problema pratico sia dato dalla eventuale presenza di cavit nella
lega impiegata per saldare la metallizzazione inferiore del circuito al contenitore. La
presenza di cavit causata da intrappolamento di gas, o dal fatto che le superfici di
attacco non sono state pulite in modo opportuno. Esistono tecniche diagnostiche ai
raggi X o acustiche che permettono di rivelare la presenza di cavit; in certi casi critici
pu essere necessario sottoporre a test tutti i circuiti prodotti.
Un altro problema di tipo termico-meccanico dato dal requisito che il coefficiente di

96

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

P a rtic o la re
c o n d u tto re in te rn o
c o a s s ia le

S u b s tra to

S tris c ia
S e z io n e d e l
p a c k a g e
C o n n e tto re c o n c o n ta tto a p re s s io n e

C o n n e tto re s a ld a to

C o n n e tto re a b a n d e lla

C o n n e tto re a filo (b o n d in g w ire )

Fig. 1.54 Transizioni coassiale-microstriscia: connessioni fra il conduttore interno ed


esterno.

espansione termica del contenitore sia tale da adattarsi al coefficiente di espansione


termica del circuito. Una soluzione al problema luso di materiali sinterizzati realizzati con polveri metalliche di tungsteno e rame. Variando la percentuale di rame fra il
10 ed il 25% possibile realizzare un adattamento quasi perfetto con i coefficienti di
espansione del GaAs o di altri substrati. Leghe di questo tipo (Thermkon xx) con coef-

97

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

T ra n s iz io n e in a ria

T ra n s iz io n e a ta p e r

T ra n s iz io n e a g ra d in o

T ra n s iz io n e a g ra d in o e rm e tic a

T ra n s iz io n e a g ra d in i m u ltip li

T ra n s iz io n e c o a s s ia le e c c e n tric a

Fig. 1.55 Transizioni fra coassiale 3/7 o connettore SMA e microstriscia su substrato
ceramico.

C o a s s ia le

T
1

T
2

T ra n s iz io n e

M ic ro s tris c ia

Fig. 1.56 Transizione coassiale-microstriscia e circuito equivalente.

ficienti di espansione graduati sono disponibili commercialmente.4 Dal punto di vista


meccanico i parametri significativi di un contenitore sono: il materiale (metallo, materiale ceramico, composito); le dimensioni; il numero di porte (polarizzazione, RF,
circuiti di controllo); il mezzo trasmissivo impiegato nelle interconnessioni (coassia-

I coefficienti di espansione di allumina e GaAs sono dellordine di 6-710 6/Co a temperatura


ambiente, quello del rame tre volte maggiore, quello del tungsteno minore (510 6/Co ).
Leghe di rame e tungsteno possono uguagliare il coefficiente di espansione dei substrati.

98

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

le, microstriscia, stripline, coplanare); il peso (relativamente al campo di applicazioni:


spaziale, aeronautico, o terrestre); il tipo di saldatura del coperchio e di montaggio
del circuito allinterno; il tipo di montaggio esterno (saldatura, collante epossidico,
montaggio con viti, montaggio superficiale). Nel complesso non esiste attualmente
standardizzazione generale dei contenitori, che fanno capo a due tipi diversi di tecnologie: quella metallica, proveniente dallambito dei circuiti ibridi, e quella ceramica,
originatasi nellambito dei circuiti integrati. Contenitori ceramici sono probabilmente
destinati a presentare un minore costo quando prodotti su vasta scala.

1.9.

Q UESITI

1. Un sistema radiomobile funziona a 1.8 GHz. In che banda di frequenza opera?


i. In banda D (nuova denominazione) o L (vecchia denominazione)
ii. In banda C sia nella nuova che nella vecchia denominazione
iii. In banda X (nuova denominazione) o Ka (vecchia).
2. Una linea di trasmissione presenta a 1 GHz una attenuazione di 0.5 dB/cm.
Quanto vale lattenuazione in Np/m?
3. Una linea di trasmissione con perdite trascurabili presenta una capacit per
unit di lunghezza di 1.2 pF/m e una induttanza per unit di lunghezza di
1.5 nH/m. Quanto vale limpedenza caratteristica?
i. Circa 50
ii. Circa 35
iii. Circa 2.5
4. Per il substrato di un circuito ibrido a microonde si pu utilizzare:
i. Allumina
ii. Arseniuro di gallio
iii. Vetro.

99

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

5. Lattenuazione di una microstriscia a frequenze tipiche delle microonde :


i. Proporzionale alla frequenza
ii. Circa costante in frequenza
iii. Circa proporzionale alla radice quadrata della frequenza.
6. In un circuito a microonde:
i. Lalimentazione deve essere separata dalla radiofrequenza
mediante opportuni filtri, detti T di alimentazione
ii. Non necessario separare lalimentazione, visto che questa
naturalmente separata da elementi parassiti
iii. Se il circuito di piccolo segnale,

non necessaria

lalimentazione.
7. Due linee di trasmissione planari sono caratterizzate dai parametri:impedenze
caratteristiche Z1 = 50 , Z2 = 100 ; resistenza per unit di lunghezza
R1 = 20 /m; R2 = 40 /m. Le attenuazioni 1 e 2 sono:
i. Uguali
ii. 1 maggiore
iii. 2 maggiore.
8. Due microstrisce hanno la stessa larghezza, la prima ha substrato di teflon,
la seconda di allumina. Lo spessore del substrato uguale. Limpedenza
caratteristica della linea su teflon , rispetto a quella su allumina:
i. Uguale
ii. Maggiore
iii. Minore.
9. Due microstrisce hanno la stessa larghezza e lo stesso materiale di substrato; il
substrato della prima spesso il doppio di quello della seconda. Limpedenza
caratteristica della prima linea , rispetto a quella della seconda:

100

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

i. Uguale
ii. Maggiore
iii. Minore.
10. Gli elementi passivi distribuiti:
i. Si utilizzano prevalentemente nei circuiti ibridi, a causa delle
dimensioni non trascurabili rispetto alla lunghezza donda
ii. Si utilizzano prevalentamente nei circuiti integrati, a causa delle
piccole dimensioni
iii. Si utilizzano solo nel campo delle onde millimetriche.
11. Il campo delle onde millimetriche:
i. Comprende frequenze superiori a 30 GHz circa
ii. Comprende frequenza inferiori a 30 GHz circa
iii. Comprende frequenze superiori a 100 GHz.
12. A parit di altre dimensioni geometriche, la frequenza massima di impiego di
una microstriscia :
i. Maggiore per substrati sottili
ii. Minore per substrati sottili
iii. Indipendente dallo spessore del substrato.
13. La realizzazione di stub in corto in microstriscia , rispetto a quelli in circuito
aperto:
i. Meno conveniente perch richiede un foro nel substrato
ii. Meno conveniente, perch gli stub in corto irradiano
iii. Pi conveniente, perch gli stub in aperto irradiano e non sono
trimmabili.
14. Una linea in microstriscia consente:

101

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

i. Facile inserzione di elementi in serie


ii. Facile inserzione di elementi in parallelo
iii. Facile inserzione di elementi in serie e parallelo.
15. Una linea coplanare consente:
i. Facile inserzione di elementi in serie
ii. Facile inserzione di elementi in parallelo
iii. Facile inserzione di elementi in serie e parallelo.
16. Discutere alcuni esempi di discontinuit in microstriscia.
17. Una microstriscia ha una capacit per unit di lunghezza di 1.2 pF/m con
dielettrici e di 0.5 pF/m in aria. Lindice di rifrazione efficace vale:
i. Circa 1. 55
ii. Circa 0.55
iii. Circa 2.4
18. Spiegare per quale motivo gli induttori per circuiti integrati a microonde non
fanno uso di nuclei magnetici.

19. Una linea coplanare richiede:


i. Collegamenti periodici fra i piani di massa laterali in modo da
mantenerli equipotenziali
ii. Piani di massa laterali collegati ad una massa inferiore mediante
fori passanti (via holes)
iii. I piani di massa laterali sono equipotenziali in virt del tipo di
modo che si propaga.
20. Illustrare vantaggi e svantaggi delle linee coplanari rispetto alle microstrisce.
21. Una linea in microstriscia:
i. Porta un modo quasi-TEM

102

1. CIRCUITI PLANARI IBRIDI E INTEGRATI PER MICROONDE

ii. Porta un modo TE


iii. Porta un modo TEM.
22. La differenza fondamentale fra un modo TEM e un modo quasi-TEM sta nel
fatto che:
i. Il modo quasi-TEM presenta una permettivit efficace dipendente
dalla frequenza anche in assenza di perdite
ii. Il modo quasi-TEM presenta perdite
iii. Il modo quasi-TEM si propaga anche in presenza di dielettrici.
23. Alla frequenza di 1 GHz, un modo quasi-TEM con permettivit efficace pari a
4 ha una lunghezza donda di:
i. 75 mm
ii. 300 mm
iii. 150 mm.
24. Una microstriscia su substrato con r = 10 ha una permettivit efficace:
i. Un p maggiore di 5.5
ii. Di poco superiore a 1
iii. Circa uguale a 10.
25. Un induttore a ferro di cavallo ha, relativamente ad un induttore a striscia di
pari lunghezza:
i. Induttanza maggiore
ii. Induttanza minore
iii. Induttanza uguale.

103

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E


STABILIT

2.1.

R ICHIAMI

SUI PARAMETRI SCATTERING

Onde di potenza
Si consideri un n-porte (cio un componente dotato di n coppie di morsetti) lineare (vedi Fig. 2.1). Si noti che nella definizione di tensioni e correnti si impiegata
la convenzione degli utilizzatori. In regime sinusoidale lo stato elettrico del sistema
definito dai fasori della tensione e della corrente di ciascuna porta k, Vk e Ik . Nel
campo delle microonde utile associare ad ogni porta una impedenza di normalizzazione Z0k (arbitraria purch con parte reale positiva), e introdurre le grandezze ak e
bk , dette onde di potenza, combinazione lineare di Vk e Ik :

Vk + Z0k Ik


ak =

2 (Z0k )

bk

Ik
Vk Z0k

.
2 (Z0k )

2.1

Invertendo il sistema ( 2.1) si ha:

(Z0k
ak + Z0k bk )
Vk = 

(Z0k )

Ik

1
(ak bk ) .
(Z0k )

2.2

La definizione di ak e bk come onde di potenza deriva dalla teoria delle linee di trasmissione. In una linea con impedenza caratteristica Z si propagano infatti due
105

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

onde, progressiva e regressiva, con tensioni e correnti (V + , V ) e (I + , I ), rispettivamente. Le tensioni e correnti progressiva o regressiva sono legate dalle relazioni
dimpedenza:

V+
V

Z I +

= Z I .

2.3

mentre la tensione e la corrente totale si ottengono sovrapponendo le onde progressive


e regressive:

V
I

= V+ +V
= I+ + I .

2.4

La potenza transitante sulla linea infine data da:


P = (V I ) = |V + |2 /Z |V |2 /Z
Confrontando le 2.4 con le 2.2 immediato associare (nellipotesi che Z0k Z sia
reale), le onde di potenza alle tensioni progressiva e regressiva, normalizzate:


ak = Vk+ / Z0k , bk = Vk / Z0k ;
si ha anche per la potenza (attiva o media) totale entrante nella porta k (transitante
nella linea):
Pk = (Vk Ik ) = |Vk+ |2 /Z |Vk |2 /Z = |ak |2 |bk |2 ;

2.5

si ha quindi che ak legato alla potenza incidente, bk alla potenza riflessa, da cui il
nome onde di potenza. Si noti che in una linea di trasmissione le onde progressive e
regressive esistono fisicamente (in quanto vi un fenomeno di propagazione) e possono essere associate alle onde di potenza; in un n-porte lassociazione solo formale,
e pertanto limpedenza di normalizzazione Z0k arbitraria e pu cambiare da porta a
porta. Le 2.1 sono state definite in modo che la 2.5 valga anche se Z0k complessa.
In pratica Z0k si assume di solito reale positiva; dora innanzi si far riferimento a questa scelta e si parler di resistenze di normalizzazione R0k . In questo caso le 2.1 e 2.2
divengono:

106

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

k + 1

I
n

p o rta 1
1

p o rta (k + 1 )
V

k + 1

n -p o rte
I
k

V
k

p o rta n

p o rta k

V
n

Fig. 2.1 n-porte lineare.

e:

ak

bk

Vk

Ik

Vk + R0k Ik

2 R0k
Vk R0k Ik

2 R0k


= (ak + bk ) R0k
ak b k
=
.
R0k

2.6

2.7

Per quanto riguarda la potenza entrante nella porta k vale sempre la 2.5.
Si osservi dalla 2.6 che se Vk = R0k Ik , allora ak = 0. Questo accade se la porta
k chiusa su una resistenza pari a quella di normalizzazione; si parla in tal caso di
adattamento di conformit o pi in breve di adattamento (che non implica necessariamente adattamento energetico, ossia massimo trasferimento di potenza). In queste
condizioni, risulta anche:

bk = Vk / R0k ,

2.8

per cui bk dipende unicamente dalla tensione alla porta k, non dalla corrente.

107

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Relazione costitutiva di un n-porte in termini di onde di potenza


Si consideri per generalit un n-porte autonomo, in cui cio il vettore delle tensioni
a vuoto V 0 o quello delle correnti di cortocircuito I0 diverso da zero; il caso non
autonomo si ottiene annullando i due vettori. Lo stato elettrico dello n-porte dato
dai vettori dei fasori delle tensioni e correnti alle porte:

V1
I1

V
I
2
2

,
I
=
V =
.

.
.

Vn
In

Se lo n-porte lineare e non autonomo, i vettori delle tensioni e correnti sono legati
dalla relazione lineare:
V = ZI + V 0

2.9

detta rappresentazione serie dello n-porte, in cui Z la matrice impedenza e V 0 il


vettore delle tensioni a vuoto; analogamente possibile scrivere la rappresentazione
parallelo:
I = YV + I 0

2.10

in cui Y la matrice ammettenza e I 0 il vettore delle correnti di cortocircuito (positive


entranti nella porta). Non sempre entrambe le rappresentazioni sono definite, in quanto
le matrici impedenza o ammettenza possono essere singolari.
Introduciamo ora i vettori delle onde di potenza a e b e la matrice diagonale delle
resistenze di normalizzazione R0 in cui lelemento di posto (k, k) la resistenza di
normalizzazione R0k alla porta k:

a1
b1
R01

a
b
0
2
2

.
.
.

a=
, b =
, R0 =
ak
bk
.

.
.
.

an
bn
0

108

R02

R0k

0 R0n

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Le onde di potenza a e b sono legate da una relazione lineare che pu essere trovata
come segue. Le 2.7 possono essere scritte in forma matriciale come:

V = R1/2 (a + b)
0
I = R1/2 (a b) .

2.11

1/2

Essendo R0 diagonale, anche R0


2.9,

1/2

e R0

saranno diagonali. Sostituendo nella

si ottiene:
1/2

1/2

R0

(a + b) = ZR0

(a b) + V 0

2.12

da cui:
b

1/2

(R0

1/2

ZR0

1/2

+(R0

1/2

+ I )1 (R0

1/2

ZR0

1/2

ZR0

1/2

+ I )1 R0

I )a

V0 .

e si trova quindi la relazione costitutiva del n-polo in termini di onde di potenza:


b = Sa + b0 .

2.13

in cui si definita la matrice scattering S come:


1/2

(R0

(R0

R0

R0

1/2

1/2

1/2

+ I )1 (R0

1/2

I )(R0

ZR0
ZR0

1/2

1/2

1/2

ZR0

1/2

ZR0

1/2

(Z + R0 )1 (Z R0 )R0

1/2

(Z R0 )(Z + R0 )1 R0

1/2

I) =

+ I )1 =

=
.

2.14

La prima e la seconda della 2.14, e quindi anche la terza e la quarta, sono equivalenti
poich i fattori che compaiono commutano in quanto funzioni della stessa matrice. Si
ottiene poi il vettore dei generatori di onda progressiva b0 come:
1/2

b0 (R0

1/2

ZR0

1/2

+ I )1 R0

1/2

V 0 = R0

(Z + R0 )1 V 0 .

2.15

Nel caso in cui lo n-porte si riduca ad un bipolo (n = 1) le due equazioni precedenti


divengono:
S=

Z R0
Z + R0

2.16

e:

109

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 b

1 a

I
V

k a

V
I

k a

n -p o rte
(a )

ib

V
V

ja

I
V

n a

ja

1 a

(j+ l)a

k b

m b

ib

m -p o rte
(b )

(i+ l)b

(j+ l)a

1 b

(i+ l)b

k b

n a

m b

Fig. 2.2 Connessione di due n-porte.

b0 =

R0
V0
Z + R0

2.17

ossia S il coefficiente di riflessione di Z rispetto alla resistenza di normalizzazione.


La matrice delle resistenze di normalizzazione R0 arbitraria purch non singolare;
fra le scelte possibili vi sono:
1. matrice diagonale reale in cui gli elementi sulla diagonale non sono
necessariamente uguali;
2. R0 = R0 I ; tutte le porte hanno la stessa resistenza di normalizzazione R0 ;
3. R0 = R0 I , con R0 = 50 : la scelta pi usuale.
Nel caso, molto comune in pratica, in cui la resistenza di normalizzazione R0 = 1/G0
uguale a tutte le porte la relazione fra matrice impedenza e matrice scattering si
semplifica e diviene analoga al caso scalare; si ha cio:
S = (Z R0 I)(Z R0 I)1 = (G0 I Y)(G0 I + Y)1 .

2.18

Nelle tabelle 2.1 e 2.2 sono riportate le formule dirette di conversione fra i parametri
impedenza, ammettenza e ibridi per un due porte avente resistenza di normalizzazione

110

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 a

b
b

1 a

b
a

k a

k a

n -p o rte
(a )

(j+ 1 )a
(j+ 1 )a

1 b

ib

m -p o rte
(b )
b

ib

ja

a
n a

ja

1 b

k b

k b

(i+ 1 )b

(i+ 1 )b

m b

n a

m b

Fig. 2.3 Connessione di due n-porte in termini di parametri scattering.

R0 a entrambe le porte. Si noti che per uniformit si sono indicati con H i parametri
ibridi non normalizzati, con h quelli normalizzati.

Soluzione di reti in termini di onde di potenza


Si consideri una rete contenente l lati e n nodi. Da un punto di vista topologico i
bipoli (ossia gli elementi aventi una porta) costituiscono un lato, gli n-poli forniscono
n 1 lati che connettono ciascuno dei poli con il polo di riferimento, le strutture a
n-porte equivalgono a n lati. Tenendo presente che un n-polo caratterizzato da n 1
correnti entranti in tutti i poli salvo il polo di riferimento, e da n 1 tensioni dei poli
rispetto al riferimento, mentre un n-porta caratterizzato dalle n tensioni alle porte e
dalle n correnti entranti nelle porte, il numero di relazioni costitutive tensione-corrente
introdotte da n-poli e n-porte sempre pari al numero dei lati equivalenti.
La soluzione di una rete con l lati e n nodi in termini delle tensioni e correnti di lato
richiede di valutare, note le relazioni costitutive degli elementi e la topologia, l tensioni
di lato Vi e l correnti di lato Ii , in tutto 2l incognite. Le equazioni a disposizione sono,
come noto dalla teoria dei circuiti, n relazioni costitutive (di bipoli, m-poli o m-porte),
n 1 bilanci di correnti (equazioni di Kirchhoff delle correnti) e l n + 1 bilanci
di tensione (equazioni di Kirchhoff delle tensioni). In tutto le equazioni di Kirchhoff,
dette topologiche in quanto dipendono solo dalla struttura della rete, non dal valore dei

111

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

S11 =

(z11 1) (z22 + 1) z12 z21


(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21

S12 =

2z12
(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21

S21 =

2z21
(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21

S22 =

(z11 + 1) (z22 1) z12 z21


(z11 + 1) (z22 + 1) z12 z21

S11 =

(1 y11 ) (1 + y22 ) + y12 y21


(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21

S12 =

2y12
(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21

S21 =

2y21
(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21

S22 =

(1 + y11 ) (1 y22 ) + y12 y21


(1 + y11 ) (1 + y22 ) y12 y21

S11 =

(h11 1) (h22 + 1) h12 h21


(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21

S12 =

2h12
(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21

S21 =

2h21
(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21

S22 =

(1 + h11 ) (1 h22 ) + h12 h21


(h11 + 1) (h22 + 1) h12 h21

Tab. 2.1 Conversione fra parametri Z, Y e H e parametri scattering per un due-porte


con resistenza di normalizzazione R0 alle due porte. Si ha zij = Zij /R0 , yij = Yij R0 ,
h11 = H11 /R0 , h22 = H22 R0 , h12 = H12, h21 = H21 .

singoli elementi, forniscono quindi n equazioni. Linsieme delle relazioni costitutive


e topologiche fornisce quindi complessivamente 2n equazioni, e il problema quindi
in generale ben posto.
Passiamo ora a considerare una rete formata dalla interconnessione di bipoli e
m-porte. Si suppone che gli n-poli eventualmente presenti siano trasformati in mporte con m = n 1 introducendo un insieme di porte equivalenti formate da ciascuno dei poli e dal polo di riferimento.1 Supponiamo che il numero totale di porte di
tutti gli elementi che compongono la rete (numero totale dei lati equivalenti) sia pari

Il passaggio ad una struttura formata dalla interconnessione di m-porte utile in vista della
introduzione delle onde di potenza, associate al concetto di porta.

112

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

z11 =

(1 + S11 ) (1 S22 ) + S12 S21


(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21

z12 =

2S12
(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21

z21 =

2S21
(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21

z22 =

(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21


(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21

y11 =

(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21


(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21

y12 =

2S12
(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21

y21 =

2S21
(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21

y22 =

(1 + S11 ) (1 S22 ) + S12 S21


(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21

h11 =

(1 + S11 ) (1 + S22 ) S12 S21


(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21

h12 =

2S12
(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21

h21 =

2S21
(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21

h22 =

(1 S11 ) (1 S22 ) S12 S21


(1 S11 ) (1 + S22 ) + S12 S21

Tab. 2.2 Conversione fra parametri scattering e parametri Z, Y e H per un due-porte


con resistenza di normalizzazione R0 alle due porte. Si ha zij = Zij /R0 , yij = Yij R0 ,
h11 = H11 /R0 , h22 = H22 R0 , h12 = H12, h21 = H21 .

a l, e che gli m-porte siano collegati (per semplicit) mediante linterconnessione di


porte a due a due (Fig. 2.2), come accade ad esempio nel caso di reti formate da connessione in cascata di due-porte. La connessione di due porte comporta, dalle leggi di
Kirchhoff su tensioni e correnti, il vincolo:

V
ja =
Ija =

Vib
Iib .

2.19

In altri termini, la corrente uscente da una porta pari alla corrente entrante nella
porta connessa, la tensione alle porte connesse uguale. Per ogni coppia di porte
connesse vi sono quindi due equazioni topologiche, e pertanto in totale vi saranno
2 l/2 = l equazioni topologiche, che rendono, insieme alle relazioni costitutive,
il problema ben posto.

113

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Lo stesso problema pu essere trattato introducendo come incognita le onde di potenza. In una rete formata dalla interconnessione di un totale di l porte vi sono 2l
incognite, le onde di potenza entranti e uscenti in ciascuna porta. Le relazioni costituive di tipo 2.13 forniscono in tutto l relazioni lineari; l relazioni topologiche possono
essere ottenute esprimendo le 2.19 in termini di onde di potenza. Dalla definizione di
onde di potenza alle porte i e j, connesse insieme, si deduce immediatamente che:


R0ja(aja + bja) =
R0ib(aib + bib )


(aja bja)/ R0ja

da cui, risolvendo:

aja

bja

R0ja + R0ib


a
2 R0jaR0ib
ib

R0ja R0ib
bib

2 R0jaR0ib

R0ja R0ib

2 R0jaR0ib


=

R0ja + R0ib

2 R0jaR0ib

2.20

(aib bib )/ R0ib

2.21

Nel caso particolare in cui le resistenze di normalizzazione sono uguali per la porta i
e j, la 2.21 si riduce a:

a
ja
bja

bib

aib

2.22

ossia le onde di potenza sono continue attraverso la porta di interconnessione. In


generale, pertanto, ogni coppia di porte connesse fornisce due relazioni topologiche
relative alla (dis)continuit delle onde di potenza; in tutto vi sono quindi 2 l/2 = l
relazioni topologiche, che rendono ben posto il problema. In conclusione, pertanto, il
numero di equazioni necessario a risolvere una rete composta dalla interconnessione
di n-porte pari al numero delle incognite, ossia pari al doppio del numero totale di
porte interconnesse.

Trasformatore di impedenza
Il problema della interconnessione di due strutture a n-porte pu essere riformulato
in modo circuitalmente pi semplice, nel caso in cui le impedenze di normalizzazione
delle porte connesse non siano uguali, attraverso lintroduzione di un elemento ideale
detto trasformatore di impedenza, che coincide con un trasformatore ideale di rappor114

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 a

1 a

k a

b
a

n a

ja

(j+ 1 )a

1 b

ib

(i+ 1 )b

k b

1 :1

n a

k b

(i+ 1 )b

(j+ 1 )a

1 b

ib

m -p o rte
(b )

n -p o rte
(a )

k a

ja

a
a

1 :1
b

m b

m b

Fig. 2.4 Connessione di due n-porte aumentata con trasformatori di impedenza.

to di trasformazione unitario. Consideriamo ad esempio uno n-porte e uno m-porte e


supponiamo di voler valutare la matrice scattering della struttura ottenuta connettendo insieme l porte delle due strutture, in modo da ottenere uno (n + m 2l)-porte
(Fig. 2.3). Piuttosto che connettere direttamente le porte i e j aventi impedenze di normalizzazione diverse, possibile interporre fra di esse, senza modificare il circuito, un
trasformatore ideale di rapporto di trasformazione unitario la cui matrice scattering
pu essere definita utilizzando come resistenza di normalizzazione di ciascuna porta la stessa resistenza di normalizzazione della porta cui questa connessa. Nel caso
ad esempio delle porte connesse i e j di Figura 2.2, questo equivale a scegliere per il
trasformatore ideale la resistenza R0ja per la porta che si connette alla porta j dello
n-porte a e a R0ib per quella che va collegata alla porta i dello m-porte b. In questo modo si ottiene un rete aumentata (Fig. 2.4) in cui per le porte connesse sono
caratterizzate tutte dalla stessa resistenza di normalizzazione.
La matrice scattering del trasformatore si ricava immediatamente dalle 2.21; tenendo presente che le onde entranti nelle porte connesse sono in realt uscenti dal
trasformatore, e viceversa, la matrice scattering del trasformatore si scrive:


2 R0jaR0ib
R0ib R0ja

R +R
aja
b
ja
R
+
R
0ib
0ja
0ja
0ib

=
.

2 R0jaR0ib R0ja R0ib


a
b
ib

2.23

ib

R0ja + R0ib

R0ja + R0ib

Il risultato si pu anche ottenere in modo diretto, come discusso nellEsempio 2.1.

115

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

ESEMPIO 2.1

Un trasformatore ideale di rapporto di trasformazione t ha equazioni:


V1 = tV2

2.24

1
I1 = I2 .
t

2.25

Ricavare in modo diretto la matrice scattering.

Dalla definizione delle onde di potenza si ha:


V1 = (a1 + b1 )

R01

2.26

1
R01

2.27

R02

2.28

1
R02

2.29

I1 = (a1 b1 )
V2 = (a2 + b2 )

I2 = (a2 b2 )

e, sostituendo nelle equazioni costitutive del trasformatore:


(a1 + b1 )

R01 = t (a2 + b2 )

R02

1 a2 b2
a1 b1

=
t
R01
R02
da cui, risolvendo rispetto a b1 e b2 , si ottiene finalmente:

t2 R02 R01
2t R01 R02
a1 + 2
a2
b1 = 2
t R02 + R01
t R02 + R01

2t R01 R02
R01 t2 R02
b2 = 2
a1 + 2
a2
t R02 + R01
t R02 + R01

2.30
2.31

2.32

2.33

che coincide, per t = 1, con il risultato trovato in precedenza.

Circuito equivalente con onde di potenza


Cos come possibile dalle 2.9 e 2.10 derivare un circuito equivalente (Fig. 2.5), allo stesso modo si pu definire una rappresentazione circuitale equivalente alla 2.13, in
cui le grandezze che compaiono sono le onde di potenza a e b. Per fare questo occorre introdurre un componente chiamato generatore di onda progressiva (o regressiva)
mostrato insieme alle sue relazioni costitutive in Figura 2.6.
116

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

V
+

0 1

0 k + 1

V
1

+
k

0 k

Z
V

0 n

I
V

I
1

0 1

V
I

0 k

k + 1

0 k + 1

k + 1

k + 1

k + 1

0 n

V
k

Fig. 2.5 Circuiti equivalenti serie e parallelo di un n-porte.

a
a

b
0

a
1

45 b
6

= a
= a

a
2
2

b
1

45 b
6b
1

a
1

+ a

= a
= a

+ b

Fig. 2.6 Generatori di onda progressiva (a sinistra) e regressiva (a destra).

Risulta immediato derivare il circuito equivalente di un n-porte in termini di onde di


potenza e matrice scattering (vedi Fig. 2.7).
Le relazioni 2.14 e 2.15 permettono di calcolare, fissata R0 , la matrice scattering S
e il vettore dei generatori di onda progressiva b0 dalla matrice impedenza Z e dal
vettore delle tensioni a vuoto V 0 . Relazioni analoghe esistono a partire dalla matrice
ammettenza e dal vettore delle correnti di cortocircuito.
tuttavia possibile determinare S e b0 direttamente, a partire dalla loro definizione.
Dalla 2.13 si ottiene che b = b0 quando a = 0. Questultimo risultato si ottiene quando
tutte le porte sono chiuse sulla loro impedenza di normalizzazione. Gli elementi del
vettore b0 si determinano dalle tensioni totali alle porte cos caricate; dalla 2.8 risulta
quindi:
Vi
b0i =
.
R0i

2.34

117

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

b
a

0 1

0 k + 1

a
1

b
1

b
a
b

k + 1

0 k

S
b

k + 1

0 n

a
k

Fig. 2.7 Circuito equivalente con onde di potenza.

Supponiamo ora di annullare b0 spegnendo tutti i generatori indipendenti interni allo


n-porte in modo da ottenere uno n-porte non autonomo. In questo caso dalla 2.13 si
ottiene b = Sa. Per i singoli elementi di S si ha:

bi
Sij =
aj ak =0k=j

2.35

La condizione ak = 0 k = j si ottiene chiudendo tutte le porte, salvo la j-esima,


sulla corrispondente resistenza di normalizzazione, e alimentando con un generatore
reale (di resistenza interna che conveniente scegliere pari alla relativa resistenza di
normalizzazione) la porta j-esima (cfr. Fig. 2.8). Lelemento diagonale Sii si ricava
immediatamente dalla 2.35 come il coefficiente di riflessione alla porta i quando tutte
le altre porte sono chiuse sulla loro resistenza di normalizzazione. Si ha cio:
Sii i =

bi
Zi R0i
G0i Yi
=
=
ai
Zi + R0i
G0i + Yi

2.36

in cui G0i = 1/R0i la conduttanza di normalizzazione della porta i e Yi lammettenza del bipolo individuato chiudendo tutte le porte a eccezione della i-esima sulle
corrispondenti resistenze di normalizzazione.

118

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

a i= 0

0 1

a 1= 0

0 j

0 j

=
+
a

0 i

0 n

S
a n= 0

b
j

Fig. 2.8 Circuito per il calcolo degli elementi (fuori diagonale) della matrice scattering.

Per quanto riguarda gli elementi fuori diagonale della matrice scattering, questi sono
legati alla trasmissione del segnale da una porta allaltra. Per identificarli, si consideri
il circuito in Figura 2.8. Londa di potenza bG uscente dal generatore connesso alla
porta j si ricava dalla 2.17 ponendo Z = R0 :

bG = V0j /2 R0j ;
ma tale onda coincide con londa entrante nella porta j, per cui:

aj = bG = V0j /2 R0j .

2.37

Si ha anche, dalla 2.8:


Vi
bi |ak =0k=j =
R0i

2.38

in definitiva quindi:
Sij |i=j



R0j
bi
Vi
=
=2
.

aj ak =0k=j
V0j R0i

2.39

Per valutare gli elementi fuori diagonale di S quindi necessario valutare rapporti di
tensione con i classici metodi dellelettrotecnica.

119

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

a '1
b '1

S '

a '2

b "

b '2

a "

=
1

a "

S "

b "

2
2

Fig. 2.9 Due n-porte in cascata.

Connessione in cascata doppi bipoli non autonomi


La connessione in cascata di due-porte (Fig. 2.9) risulta assai frequente nei sistemi a
microonde, soprattutto quelli realizzati in tecnologia ibrida. Luso della matrice scattering per valutare le propriet di due-porte connessi in cascata non per conveniente,
ed preferibile ricorrere ad una rappresentazione alternativa detta matrice di trasmissione T (si noti che questa differisce dalla matrice di trasmissione definita in termini
di tensioni e correnti, essendo definita in termini di onde di potenza). T collega le
onde di potenza alla porta di uscita a quelle alla porta di ingresso:

b2
a1
=T
.

b1
a2

2.40

Nel caso in cui la resistenza di normalizzazione sia la stessa per tutte le porte dei
due-porte collegati, si ha a1 = b2 e anche a2 = b1 , ma valgono anche le relazioni:


a1
b

= T 2 ,

b1
a2
e analogamente:

a1
b1

Se ne conclude che:

b2
a1

= T

b1
a2

120

= T 

= T

b2
a2

a1
b1

= T  T 

b2
a2

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

da cui risulta che la matrice di trasmissione della cascata di due due-porte T data
dal prodotto di quelle dei singoli due-porte. Il procedimento si pu iterare in modo da
calcolare la matrice di trasmissione della cascata di un numero qualsiasi di due-porte.
immediato ricavare i parametri della matrice di trasmissione da quelli della matrice
scattering; si ottiene:

T =

1
S21
S11

S22
S

2.41

ove si indicato con S il determinante della matrice scattering. Analogamente di


ottiene:

1 T21
S=
T11
1

T
T12

2.42

in cui T il determinante di T .
Si noti che possibile definire, in modo equivalente, una matrice trasmissione da
sinistra a destra piuttosto che, come si fatto, da destra a sinistra. Le due matrici

possono essere indicate simbolicamente come T e T T , rispettivamente, e sono


luna linversa dellaltra.

ESEMPIO 2.2

Nota la matrice di trasmissione T di un due-porte, calcolare la matrice di trasmissione del

due-porte ottenuto scambiando la porta di uscita con quella di ingresso.

Dalla definizione:

a1


=

b1

T11

T12

T21

T22



b
 
2

a2

ma scambiare la porte significa costruire un nuovo due-porte con matrice di trasmissione T  e


onde di potenza a1 = a2 , a2 = a1 , b1 = b2 , b2 = b1 . Invertendo lequazione precedente e
sostituendo le onde di potenza si ottiene:

121

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

b1

(T22 /T )a2 (T12 /T )b2

a1

(T21 /T )a2 + (T11 /T )b2

ove T il determinante di T . Riordinando le due equazioni si ottiene infine:

a1
b1


=

T11 /T

T21 /T

T12 /T

T22 /T



b
  .

2

a2





Si ha quindi in definitiva: T11
= T11 /T , T12
= T21 /T , T21
= T12 /T , T22
=

T22 /T . immediato notare come la matrice cos ottenuta non sia altro che linversa di T ,
con gli elementi scambiati di posto secondo la legge seguente:

= (T 1 )ji
Tij

i, j = 1, 2.

Potenza, reciprocit e reattivit


Si dimostrato nella 2.5 che la potenza entrante nella porta k si pu esprimere in
funzione delle onde di potenza; la potenza totale Ptot entrante in uno n-porte sar
quindi:
Ptot =

n

k=1

Pk =

n


(|ak |2 |bk |2 ) = aT a bT b ,

2.43

k=1

in cui il simbolo T indica loperazione di trasposizione. Se il circuito non autonomo


b = Sa; sostituendo nella 2.43 si ottiene:
Ptot = aT (I ST S)a .

2.44

La potenza dissipata da uno n-porte reattivo nulla e quindi Ptot = 0 qualunque siano
le eccitazioni. Dalla 2.44 si deduce quindi che per uno n-porte non autonomo e reattivo
ST S I = 0, e perci:
S1 = ST

2.45

cio la matrice scattering di un n-porte reattivo hermitiana.


La condizione di reciprocit in termini di matrice impedenza implica:
Z = ZT

122

2.46

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

ma utilizzando la 2.14 si trova:


Z = R1/2 (I S)1 (I + S)R1/2

2.47

e quindi, tenendo conto che R1/2 diagonale e quindi R1/2 = (R1/2 )T , si ha:
ZT = R1/2 (I + ST )(I ST )1 R1/2 .

2.48

Sostituendo le 2.47 e 2.48 nella 2.46 si ottiene:


(I S)1 (I + S) = (I + ST )(I ST )1
cio
(I + ST )1 (I S)1 (I + S)(I ST ) = I
ossia:
(I + S)(I ST ) = (I S)(I + ST )
e infine:
S = ST .

2.49

La condizione di reciprocit dello n-porte basata sulla matrice scattering la stessa di


quella relativa alle matrici Z e Y, ossia S deve essere simmetrica. Nel caso infine di
due-porte reciproco e reattivo verificata la 2.45 e quindi:
S1 = S .

2.50

ESEMPIO 2.3

Esplicitare le relazioni fra i parametri scattering di un due-porte reattivo e reciproco.

Dalla 2.50 si ottiene:


SS = I

ossia, sviluppando il prodotto:

123

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

I
G

+
V
0

Z
L

Fig. 2.10 Calcolo della potenza sul carico.

|S11 |2 + |S12 |2 = 1

+ S12 S22
=0
S11 S12

S12 S11
+ S22 S12
=0

|S22 |2 + |S12 |2 = 1
da cui S11 e S22 hanno modulo uguale (si noti che la seconda e terza equazione sono
equivalenti). Questo consente di scrivere un vincolo sulle fasi:
11 12 = 22 + 12 + n,
con n dispari, ossia:
11 + 22 = 212 + n.

2.2.

T RASFERIMENTO

DI POTENZA GENERATORE - CARICO IN UN BIPOLO

CARICATO

Si consideri un circuito formato da generatore reale e carico come riportato in


Figura 2.10; la potenza assorbita dal carico PL si scrive, tenendo presente che ZL =
RL + jXL :
PL = (VL IL ) = |V0 |2

124

RL
.
|ZG + ZL |2

2.51

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Il massimo della potenza erogata al carico si ha in condizioni di adattamento


energetico, ossia quando:

.
ZL = ZG

2.52

(cfr. Es. 2.4); tale massimo vale:


Pdisp =

|V0 |2
4RG

2.53

detta potenza disponibile del generatore.

ESEMPIO 2.4

Dimostrare le 2.52 e 2.53.

Per trovare il massimo di PL al variare di ZL occorre annullarne il gradiente rispetto alla

parte reale e immaginaria dellimpedenza di carico:






PL
RL

|V0 |2

|ZG + ZL |2 2RL (RL + RG )


=0
|ZG + ZL |4

PL
XL

|V0 |2

2RL (XL + XG )
=0
|ZG + ZL |4

dalla seconda equazione XL = XG ; sostituendo nella prima si trova RL = RG e quindi la


condizione di massimo trasferimento di potenza :

.
ZL = ZG

2.54

Sostituendo nella 2.51 si trova la massima potenza erogabile dal generatore:


Pdisp =

|V0 |2
.
4RG

2.55

Allo stesso risultato si perviene utilizzando come grandezze descrittive le onde di potenza. Il circuito in Figura 2.10 la connessione di due 1-porta, il generatore reale

125

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

a
G

b
L

b
G

a
L

G
L

Fig. 2.11 Calcolo della potenza sul carico mediante circuito a onde di potenza.

e limpedenza di carico ZL . Per semplicit, supponiamo che la resistenza di normalizzazione sia la stessa per entrambi gli 1-porta; si pu allora rappresentare il circuito
come in Figura 2.11. La matrice scattering del generatore e del carico coincide con
i relativi coefficienti di riflessione ed indicato con G e L , rispettivamente. Le
grandezze in Figura 2.11 sono date da:

G =

L =

b0 =

ZG R0
ZG + R0
ZL R0
ZL + R0

2.56

R0
V0
.
ZG + R0

Le prime due relazioni derivano dalla 2.36, mentre quella che definisce b0 si pu ricavare dalla 2.15. La potenza PL sul carico si ottiene tenendo presente che il circuito
di Figura 2.11 ammette due relazioni topologiche (continuit delle onde di potenza)
insieme alle relazioni costituive del generatore e del carico:

aL = b G

aG = b L

bG

bL

126

b 0 + G aG

L aL

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

e quindi, risolvendo, le onde di potenza sul carico sono:

b0

aL = 1

G L

bL

.
=

b 0 L
1 G L

Ne consegue dalla 2.5:


PL = |aL|2 |bL|2 = |aL|2 (1 |L|2 ) = |b0 |2

1 |L|2
.
|1 G L|2

2.57

PL ha un massimo per G = L (ossia per ZL = ZG


); la potenza massima (detta

potenza disponibile del generatore) :


Pdisp = |b0 |2

1
R0
1
= |V0 |2
.
1 |G|2
|ZG + R0 |2 1 |G |2

2.58

Si noti che la 2.58 equivalente alla 2.53. Dalle 2.57 e 2.58 si pu esprimere la potenza
sul carico in funzione della potenza disponibile:
PL = Pdisp

(1 |G |2 )(1 |L|2 )
.
|1 G L |2

2.59

Si noti che per L = 0 non si ha massimo trasferimento di potenza dal generatore al


carico; in tal caso, dalla 2.59:
PL = Pdisp(1 |G|2 ) Pdisp
e PL = Pdisp solo se anche G = 0, ossia quando le due impedenze di carico e di
sorgente sono pari alla resistenza di normalizzazione.

2.3.

A NALISI

DI STRUTTURE A DUE - PORTE CARICATE

Si consideri il circuito di Figura 2.12: si vuole calcolare la potenza PL fornita al


carico in funzione dei parametri scattering del due-porte e delle riflettenze di carico
L e sorgente G . Per semplicit si utilizzerr la stessa resistenza di normalizzazione
per tutte le porte. Le relazioni topologiche e costitutive che devono essere soddisfatte
sono:

127

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

b
a
G

a
G

b
G

b
L

a
L

b
2

in

G
L

Fig. 2.12 Trasferimento di potenza generatore-carico attraverso un 2-porte.

relazioni topologiche :

a1

b1

b2

a2

relazioni costitutive :

bG

b1

b2

bL

bG

aG

aL

bL

b 0 + G aG

S11 a1 + S12 a2

S21 a1 + S22 a2

L aL .

Eliminando aG , bG, aL e bL sfruttando le relazioni topologiche si trova il sistema


ridotto:

S11

S21

S12

S22

a1

b1

a2

b2

0
= b0

2.60

con soluzione:
a1 = b G = b 0

128

1 S22 L
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L

2.61a

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

S12 S21 L + S11 (1 S22 L )


=
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L
S11 S L
= b0
(1 S11 G )(1 S22 L) S12 S21 G L

b 1 = aG = b 0

2.61b

a2 = b L = b 0

L S21
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L

2.61c

b 2 = aL = b 0

S21
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L

2.61d

dove S il determinante della matrice scattering. Dalle 2.61 possibile ricavare le


informazioni seguenti:

Coefficiente di riflessione allingresso del due-porte caricato:


in =

b1
S12 S21 L
S11 S L
= S11 +
=
.
a1
1 S22 L
1 S22 L

2.62

Potenza di ingresso del due-porte. Si pu esprimere in modo diretto:


Pin = |a1 |2 |b1 |2 = |b0 |2

|1 S22 L |2 |S11 S L |2
,
|(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L |2
2.63

oppure utilizzando lespressione del coefficiente di riflessione allingresso; in


questo caso lanalisi si riduce a quella di un bipolo (il generatore) caricato da
in e pertanto:
a1 = b 0

1
1 G in

da cui:
Pin = |a1 |2 (1 |in |2 ) = |b0 |2

1 |in |2
.
|1 G in |2

2.64

Le due espressioni 2.63 e 2.64 sono equivalenti, ma verranno utilizzate


entrambe nel seguito.
Circuito equivalente alluscita del due-porte. Il due-porte caricato allingresso con un generatore, e pertanto alluscita presenta la caratteristica di un

129

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

bipolo autonomo (ossia con tensione a vuoto diversa da zero). Il suo circuito equivalente con onde di potenza corrisponde pertanto ad una relazione
costitutiva del tipo:
b2 = b0 + out a2 .
Si ottiene che b2 = b0 quando la porta 2 chiusa sulla sua resistenza di
normalizzazione, ossia quando L = 0. Si ha allora:
b0 = b0

S21
.
1 S11 G

2.65

Per quanto riguarda il coefficiente di riflessione di uscita, questo pu ricavarsi in modo semplice per simmetria, ossia scambiando la porta 1 con la 2 e
il coefficiente di riflessione del carico L con quello del generatore G . Si
ottiene:
out = S22 +

S12 S21 G
S22 S G
=
.
1 S11 G
1 S11 G

2.66

Potenza sul carico. Anche qui essa si pu esprimere in pi modi equivalenti,


il primo diretto:
PL = |aL|2 |bL|2 = |b0 |2

|S21 |2 (1 |L|2 )
|(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L |2
2.67

il secondo attraverso il circuito equivalente alla porta 2 (cfr. Fig. 2.13):


PL = |b0 |2

1 |L |2
|S21 |2 (1 |L |2 )
= |b0 |2
.
2
|1 out L |
|1 Lout |2 |1 S11 G |2

2.68

e il terzo con riferimento al coefficiente di riflessione di ingresso


(Esempio 2.5):
PL = |b0 |2

130

|S21 |2 (1 |L|2 )
.
|1 G in |2 |1 S22 L |2

2.69

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

ESEMPIO 2.5

Dimostrare la 2.69.

Si ha direttamente, dallespressione di aL :
aL = b0

S21
(1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L

ossia, raccogliendo (1 S22 L ) e tenendo presente lespressione di in 2.62:


aL = b0

S21
(1 S22 L )(1 G in )

da cui finalmente:
PL = |aL |2 (1 |L |2) = |b0 |2

|S21 |2 (1 |L |2 )
|1 G in |2 |1 S22 L |2

che corrisponde alla 2.69.

ESEMPIO 2.6

Ricavare le inverse delle 2.62 e 2.66.

Dalla 2.62 si ottiene


(in S11 )(1 S22 L ) = S12 S21 L ,

ossia, sviluppando:
in in S22 L S11 + S11 S22 L = S12 S21 L ,
da cui, raccogliendo L :
(S11 S22 S12 S21 in S22 )L = (S in S22 )L = S11 in .
Si ha quindi, ricavando L :
L =

S11 in
S S22 in

2.70

131

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

b
0

b
G

a
G

a
G
G

P
b

G
1

in

in

b
G

G
G

o u t

b
L

a
L

2
2

G
L

Fig. 2.13 Due-porte caricato: circuito equivalente alla porta 1 (in alto), circuito
equivalente alla porta 2 (in basso).

e, scambiando la porta 1 con la porta 2, il generatore con il carico:


G =

2.4.

G UADAGNI

S22 out
.
S S11 out

2.71

DELLE STRUTTURE A DUE - PORTE

Leffetto che linserimento del 2-porte fra generatore e carico produce sul relativo
flusso di potenza tra generatore e carico si pu quantificare attraverso un insieme di
parametri, detti guadagni di potenza ed espressi dal rapporto di opportune potenze
riferite al carico e al generatore. Si definiscono tradizionalmente tre guadagni in modo
da poter disaccoppiare o meno gli effetti delle terminazioni di sorgente e di carico:

132

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1. Guadagno operativo: il rapporto tra la potenza sul carico PL e la potenza


che entra nella porta di ingresso Pin . Si noti che il rapporto fra le due potenze
dipende da L , ma non da G ; infatti al variare di G varia la potenza di
ingresso, ma anche proporzionalmente quella di uscita; viceversa variare L
cambia le caratteristiche di adattamento del carico, e quindi la potenza di uscita
sul carico stesso.
2. Guadagno disponibile (o di potenza disponibile): il rapporto tra la potenza
disponibile sul carico e quella disponibile allingresso, dipende da G , ma non
da L ; infatti nel valutare la potenza disponibile in uscita (sul carico) si suppone di adattare energeticamente luscita, e pertanto L fissato in funzione
di G e dei parametri scattering.
3. Guadagno di trasduzione: il rapporto tra la potenza che va sul carico e la
potenza disponibile allingresso, e dipende sia da G sia da L .

Guadagno operativo
Il guadagno operativo si ricava dalle 2.63 e 2.67:
Gop =

1 |L|2
PL
= |S21 |2
Pin
|1 S22 L |2 |S11 S L |2

2.72a

ossia, sviluppando:
Gop = |S21 |2

1 |L|2
S )) .
1 |S11 |2 + |L|2 (|S22 |2 |S |2 ) + 2(L (S11
S
22
2.72b

Si noti dalla 2.72 che il guadagno operativo , per un dato due-porte, una funzione reale
della variabile complessa L ; come mostrato nellEsempio 2.7 le curve a guadagno
costante sono circonferenze del piano L . Si noti inoltre che il guadagno operativo si
annulla sul cerchio unitario della carta di Smith L , ossia per |L| = 1; in tal caso
infatti il carico reattivo e non pu assorbire potenza attiva.

133

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

ESEMPIO 2.7

Dimostrare che le curve a guadagno operativo costante sono circonferenze nel piano L e

determinarne il centro e il raggio.

Rielaborando la 2.72 si ottiene:

|L |2 (Gop (|S22 |2 |S |2) + |S21 |2 ) + Gop 2(L (S11


S S22 )) =

2.73

|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )

2.74

da cui:

|L |2 2 L

Gop (S22 S11


S )
2
Gop (|S22 | |S |2 ) + |S21 |2

|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )


.
Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2
2.75

Se nellultima relazione si somma a entrambi i membri:

Gop (S22 S11


S )
2 | |2 ) + |S |2
(|S
|
op
22
S
21

2.76

la 2.75 pu essere riscritta come:


|L C|2 =
ove:


C=

|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )


+
Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2

Gop (S22 S11


S )
2
Gop (|S22 | |S |2 ) + |S21 |2

Gop (S22
S11 S )
.
2
Gop (|S22 | |S |2 ) + |S21 |2

2.77

2.78

Se si confronta ora lespressione appena scritta con quella di una circonferenza nel piano Z con
centro in ZC e raggio R,
|Z ZC |2 = R2 .
si deduce che se:
R2 =

|S21 |2 Gop (1 |S11 |2 )


+ 0
Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2

2.79

allora le curve di livello cercate sono circonferenze di centro C e raggio R. Sviluppando e


tenendo presente la relazione:

S | 2
|S22 S11

134

|S22 |2 + |S11 |2 |S |2 2(S22 S11 S )

|S22 |2 + |S11 |2 |S |2 |S11 |2 |S22 |2 |S |2 + |S21 |2 |S12 |2

(|S22 |2 |S |2 )(1 |S11 |2 ) + |S21 |2 |S12 |2

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 0

2 0

2 0

L o p t

2 0

1 0

1 0

1 0
Fig. 2.14 Cerchi a guadagno operativo costante nel piano L .

si ottiene per il raggio lespressione:


R = |S21 |

|S

21 |

2K|S21 ||S12 |Gop + |S12 |2 G2op


|Gop (|S22 |2 |S |2 ) + |S21 |2 |
2

2.80

in cui si introdotto il parametro reale K:


K=

1 |S11 |2 |S22 |2 + |S |2
2|S21 ||S12 |

2.81

detto coefficiente di Linville. Dalla 2.78 si deduce inoltre che al variare di Gop il luogo dei
centri giace su una retta con coefficiente angolare dato da:

S11 S ) =
arg(S22

(S22
S S11 )
.

(S22 S S11 )

2.82

In conclusione, se verificata la 2.79 le curve a guadagno costante nel piano L sono cerchi
non concentrici, ma i cui centri giacciono su una retta.

La condizione di esistenza di cerchi a guadagno costante si pu stabilire considerando


lespressione del raggio 2.80, il cui denominatore definito positivo. Il radicando al
numeratore deve essere anchesso positivo se il raggio reale; tenendo presente che

135

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

il radicando un polinomio di secondo grado in Gop con coefficiente positivo del


termine di secondo grado, si ottiene che esso positivo per valori di Gop esterni alle
due radici, ossia per:
Gop
Gop




S21
(K + K 2 1)

>
S12



S21
(K K 2 1)

<
S12

2.83

2.84

da cui, dovendo essere il guadagno operativo reale, si ottiene |K| 1. Si noti che
se fosse K 1 la regione di esistenza del raggio corrisponderebbe ad un guadagno
negativo, che si vedr inaccettabile per problemi legati alla stabilit; vale quindi la
condizione:
K 1.
usuale rappresentare i cerchi a guadagno costante (operativo) sulla carta di Smith, definita per L , come mostrato nella Figura 2.14. Come si vedr in seguito, in
condizioni di stabilit incondizionata (cfr. Sez. 2.5.) del due-porte Gop presenta un
massimo allinterno della carta di Smith L, individuato dalla 2.84, mentre il minimo individuato dalla 2.83 cade fuori dalla carta di Smith e non ha quindi interesse. Il
valore massimo ottenuto annullando il raggio R (guadagno massimo) dato da:



S21
(K K 2 1) .
GopM AX =
2.85

S12
Sostituendo nella 2.78 si pu ricavare il valore di Lopt corrispondente al massimo
guadagno (centro della circonferenza a guadagno costante con raggio nullo):

B2 B22 4|C2|2
Lopt =
2C2

2.86

in cui si sono introdotti B2 e C2 cos definiti:


B2

= 1 + |S22 |2 |S11 |2 |S |2

2.87

C2

= S22 S S11
.

2.88

Si pu dimostrare che in condizioni di stabilit incondizionata il valore di L cos


trovato cade allinterno della carta di Smith e assicura adattamento di potenza alla
porta di uscita.

136

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Si noti da ultimo che per K = 1 il guadagno massimo diviene |S21 /S12 |; per motivi
che saranno chiariti in seguito tale valore detto massimo guadagno stabile (MSG,
Maximum Stable Gain).

Guadagno disponibile
Il guadagno disponibile il rapporto tra la potenza disponibile in uscita (Pdisp,L ) e
quella disponibile in ingresso (Pdisp,in). La potenza disponibile allingresso data
da 2.58:
Pdisp,in = |b0 |2

1
1 |G |2

2.89

mentre la potenza disponibile alluscita pari alla potenza di uscita quando


L = out , ossia quando si ha alluscita adattamento energetico. In tali condizioni
la 2.68 diviene:
Pdisp,L = |b0 |2 |S21 |2

1
(1 |out

|2 )|1

S11 G |2

2.90

da cui, sostituendo la 2.66, si ottiene:


Gdisp =

1 |G |2
Pdisp,L
= |S21 |2
Pdisp,in
|1 S11 G |2 |S22 S G |2

2.91a

ossia:
Gdisp = |S21 |2

1 |G|2
.
S ))
1 |S22 |2 + |G |2 (|S11 |2 |S |2 ) + 2(G (S22
S
11
2.91b

Si noti che Gdisp dipende da G , ma non da L . Si osserva immediatamente che


Gdisp/|S21 |2 ha una forma analoga a Gop /|S21 |2 , ossia si pu ottenere da questultima sostituendo il generatore con il carico e scambiando le porte del due-porte. Restano pertanto valide le considerazioni fatte sulle curve di livello del guadagno operativo,
questa volta applicate al piano G. Si pu cio dimostrare che se il coefficiente di Linville K definito nella 2.81 maggiore di 1, allora le curve a Gdisp costante al variare
di G sono delle circonferenze il cui raggio e centro si possono desumere dalle 2.78
e 2.80 dopo avere scambiato i ruoli delle porte 1 e 2. In particolare, anche il guadagno disponibile presenta, nel caso di stabilit incondizionata, un massimo GdispM AX
espresso dalla 2.85. Dato infatti che lespressione di Gop /|S21 |2 corrisponde a quel137

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

la di Gdisp/|S21 |2 in cui si sono scambiate la porta 1 con la porta 2 e che il massimo


della prima pari a GopM AX /|S21 |2 , che invariante scambiando la porta 1 con la 2,
esso sar anche il massimo di GdispM AX /|S21 |2 . Si ha quindi:



S21
(K K 2 1) GopM AX .

GdispM AX =
S12
Il valore di G che garantisce il massimo guadagno disponibile :

B1 B12 4|C1 |2
Gopt =
2C1

2.92

2.93

dove:
B1

= 1 + |S11 |2 |S22 |2 |S |2

2.94

C1

= S11 S S22
.

2.95

Si noti che B1 , C1 e Gopt si deducono da quelle analoghe di B2 , C2 e Lopt scambiando il ruolo delle due-porte. La condizione di massimo guadagno disponibile
corrisponde alla condizione di adattamento energetico alla porta 1 ma anche (per la
definizione di potenza disponibile alla porta 2) alladattamento energetico alla porta 2.

Guadagno di trasduzione
Il guadagno di trasduzione Gt definito come il rapporto tra la potenza attiva sul
carico e quella disponibile allingresso. Dalle 2.89 e 2.67 si ottiene direttamente:
Gt =

PL
Pdisp,in

= |S21 |2

(1 |L|2 )(1 |G |2 )
.
|(1 LS22 )(1 G S11 ) S12 S21 G L |2

2.96

Come gi osservato, il guadagno di trasduzione dipende sia da G sia da L .


Nel caso in cui sia S12 = 0 la 2.96 definisce il guadagno di trasduzione unilaterale Gu :
Gu = Gt |S12 =0 = |S21 |2

(1 |L |2 )(1 |G|2 )
.
|1 LS22 |2 |1 G S11 |2

2.97

In questo caso immediato riconoscere che Gu massimo se si ha adattamento


coniugato per entrambe le porte:

138


G
L

S11

S22

2.98

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

con massimo (guadagno unilaterale massimo o MUG, Maximum Unilateral Gain):


Gumax =

|S21 |2
.
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )

2.99

Se il due-porte non unilaterale necessario realizzare ladattamento coniugato (di


potenza) ad entrambe le porte (ingresso e uscita) per rendere massimo il guadagno di
trasduzione; si deve cio realizzare la condizione:

G = in (L )
L = (G )

2.100

out

Essendo le due equazioni accoppiate, il problema non banale.

Realizzabilit delladattamento di potenza


Come discusso nella stabilita il problema delladattamento simultaneo (coniugato)
legato al problema della stabilit. In generale si pu dire quanto segue:
Se il due-porte incondizionatamente stabile, la condizione di adattamento
pu essere realizzata contemporaneamente alle due-porte. Poich in tali condizioni la potenza di ingresso la potenza disponibile del generatore, la potenza di uscita la potenza disponibile del due-porte, il massimo guadagno
di trasduzione, operativo e disponibile coincidono e il loro valore dato dalla
2.85.

Se il due-porte non incondizionatamente stabile, non possibile realizzare


la condizione di adattamento coniugato, anzi esiste un insieme di generatori e
carichi per cui il guadagno operativo tende a infinito (manifestando cos una
condizione di instabilit). In questo caso il progetto del due-porte mira ad
ottenere un guadagno sufficientemente elevato, che preservi peraltro la stabilit
anche in presenza di variazioni tecnologiche ad es. dei dispositivi attivi.
Un sommario delle definizioni di guadagno di un due-porte caricato riportato nella
Tabella 2.3.

139

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Gop =

PL
=
Pin

= |S21 |2

Gdisp =

1 |S11 +

|L|2 (|S22 |2

1 |L|2
S ))
|S |2 ) + 2(L(S11
S
22

Pdisp,L
=
Pdisp,in

= |S21 |2

Gt =

|2

PL
Pdisp,in

1 |G|2
S ))
1 |S22 |2 + |G |2 (|S11 |2 |S |2 ) + 2(G (S22
S
11

= |S21 |2

(1 |L|2 )(1 |G |2 )
|(1 L S22 )(1 GS11 ) S12 S21 G L |2



S21


MSG =
S12
MUG =

|S21 |2
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )

Tab. 2.3 Riassunto delle definizioni dei guadagni di un due-porte caricato.

2.5.

S TABILIT

Il problema della stabilit importante nel progetto di amplificatori e oscillatori. Nel


primo caso si vuole ottenere un circuito stabile, ossia che non presenti innesco di
oscillazioni. Nel secondo caso si desidera ottenere un circuito instabile, ossia in grado
di innescare oscillazioni. Nellapprossimazione lineare, un circuito instabile presenta,
a regime, tensioni e correnti di ampiezza infinita. Questo non accade in pratica perch
la nonlinearit intrinseca a tutti i dispositivi attivi limita lampiezza delle oscillazioni.
Un due-porte caricato allingresso e alluscita con impedenze fisicamente realizzabili
(passive, ossia con parte reale positiva) si dice incondizionatamente stabile quando
limpedenza dingresso alla porta 1 ha parte reale positiva, qualsiasi sia il carico alla
porta 2. La stessa condizione si pu esprimere dicendo che per qualsiasi L, purch di
modulo inferiore ad 1, il coefficiente di riflessione allingresso in ha modulo minore
di 1. Affermazioni equivalenti si possono fare per la porta 2, in quanto il concetto di

140

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

stabilit di un circuito globale. Si noti che i parametri di un due-porte dipendono


in generale dalla frequenza; il concetto di stabilit incondizionata quindi legato alla
frequenza di lavoro.
Un due-porte si dice condizionatamente stabile o anche potenzialmente instabile se
esistono impedenze di carico passive (alla porta 1 e/o 2) tali che il coefficiente di riflessione allingresso e/o alluscita del due-porte presenta modulo maggiore di uno.
Per quanto il circuito possa essere reso globalmente stabile con una scelta opportuna delle impedenze di carico, ad esempio scegliendo, se |in | > 1, G tale che
|inG | < 1, questa scelta non conduce ad un circuito che opera come un amplificatore convenzionale (vedi Es. 2.8). Pertanto sempre opportuno chiudere il due-porte
con un generatore e un carico che garantiscano, separatamente, la stabilit (ossia che
diano impedenza di uscita e di ingresso a parte reale positiva).
Lottimizzazione del guadagno del due-porte caricato presenta aspetti diversi a seconda che il due-porte sia o no incondizionatamente stabile. Nel caso di stabilit incondizionata, il circuito stabile indipendentemente da L e G , purch passivi. Esiste
allora una condizione di ottimo per il guadagno, che corrisponde alladattamento di
potenza simultaneo ad entrambe le porte.
Nel caso in cui il due-porte sia potenzialmente instabile in un certo intervallo di frequenze, il guadagno in linearit teoricamente illimitato. Instabilit significa infatti
che un segnale finito allingresso del due-porte genera, alluscita e nel resto del circuito, segnali di ampiezza infinita. Non esiste dunque un massimo per il guadagno del
due-porte al variare delle impedenze di carico, in quanto il guadagno massimo infinito. Se si desidera ottenere un amplificatore, bisogna perci scegliere L e G in
modo da ottenere un circuito stabile. La condizione di potenziale instabilit pu essere in parte sfruttata per aumentare il guadagno dellamplificatore, fancendolo lavorare
vicino (ma non troppo) alla condizione di guadagno infinito.
La stabilit incondizionata legata, in modo necessario e sufficiente, ad un insieme di
condizioni relativamente semplici sui parametri scattering della struttura. Nel caso in
cui il due-porte sia potenzialmente instabile, possibile sviluppare degli indicatori del

141

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

grado di instabilit del circuito (detti cerchi di stabilit) che consentono di progettare
limpedenza di carico e/o generatore in modo da garantire il sufficiente margine di
stabilit.

ESEMPIO 2.8

Si supponga di avere un due-porte caricato alla porta 2 con un L tale che in in modulo

maggiore di 1 (alternativamente, Zin con parte reale negativa, Yin con parte reale negativa).
possibile stabilizzare il circuito con una scelta opportuna di G ? In tal caso il circuito lavora
come un amplificatore dal generatore al carico?

Si consideri un generatore sinusoidale di tensione a vuoto EG e impedenza interna ZG

(passiva), caricato con una impedenza Zin . La condizione limite di instabilit corrisponde ad
una corrente infinita nel carico ad una certa pulsazione 0 :
IL =

EG

ZL + Zin

ossia a RL (0 ) + Rin (0 ) = 0, XL(0 ) + Xin (0 ) = 0. Pertanto generatore e carico presentano, per la parte reattiva, adattamento energetico, mentre la somma delle resistenze nulla,
ossia la resistenza di ingresso negativa e pari in modulo alla resistenza di generatore. Attraverso una analisi dinamica del sistema (che si pu eseguire ad esempio postulando per la parte
reattiva una struttura a risonatore LC con pulsazione di risonanza 0 ) facile dimostrare che il
sistema stabile se RL (0 ) + Rin (0 ) > 0, instabile se RL (0 ) + Rin (0 ) < 0. immediato dimostrare che la condizione di stabilit implica anche, passando ad una rappresentazione
parallelo, GL (0 ) + Gin (0 ) > 0, o da ultimo, nella rappresentazione con onde di potenza:
|L (0 )in (0 )| < 1
mentre, come evidente dalla discussione che conduce alla 2.57, la condizione limite di instabilit
corrisponde a:
L (0 )in (0 ) = 1.
quindi possibile rendere il circuito globalmente stabile, basta che il generatore sia tale da
imporre la condizione |L in | < 1.

142

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Tuttavia, anche nel caso in cui si ha stabilit globale, se |in | > 1 non si ha funzionamento
come amplificatore. Utilizzando infatti la 2.57 si ottiene:
Pin = |b0G |2

1 |in |2
<0
|1 G in |2

dove con b0G si indicata londa associata al generatore di onda progressiva equivalente a
EG , ZG . Questo significa che la potenza non entra nel due-porte, ma viene erogata dalla
porta di ingresso del due-porte e dissipata nella resistenza interna del generatore. Non si ha
quindi un amplificatore convenzionale, ma piuttosto un amplificatore a resistenza negativa in
cui limpedenza interna del generatore serve da carico. Non pertanto possibile utilizzare
questa condizione per progettare un amplificatore convenzionale.

Analisi della condizione di stabilit


Riprendiamo la 2.60; affinch possano esistere onde di potenza alle due-porte anche in
assenza di eccitazioni esterne, cio quando b0 = 0, deve essere nullo il determinante
della matrice del sistema 2.60, cio:

1


S
11


S21


0

S12

S22







= (1 S11 G )(1 S22 L ) S12 S21 G L = 0 .



Ricordando le 2.62 e 2.66 la condizione pu scriversi nei due modi seguenti:


(1 S11 G )(1 L out )

2.101a

(1 S22 L )(1 G in )

0.

2.101b

Pertanto, almeno una delle condizioni seguenti deve essere verificata:


S11 G

2.102a

S22 L

2.102b

L out

2.102c

G in

1.

2.102d

143

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Si osservi subito che due-porte per cui |S11 | 1 oppure |S22 | 1, in cui cio le riflettenze di ingresso o uscita non sono passive quando le porte sono caricate con le
resistenze di normalizzazione, non hanno interesse pratico (in particolare, non sarebbero nemmeno misurabili in modo diretto). Si assumer dora innanzi che |S11 | < 1
e |S22 | < 1; pertanto, se si tiene presente che L e G sono assunti passivi, ossia con
modulo inferiore a 1, le prime due delle 2.102 non sono mai soddisfatte.
Ci si riduce quindi allanalisi del comportamento di G in oppure di L out al variare di L e G . Si noti che il prodotto G in rappresenta lamplificazione totale di
unonda che subisca una doppia riflessione alla porta 1 (da parte della porta 1 e del
generatore); discorso analogo vale per L out alla porta 2. Vi sono allora tre casi
possibili:
1. Se il prodotto dei due coefficienti di riflessione ha modulo unitario, questo significa (intuitivamente) che lampiezza di unonda invariata dopo la
doppia riflessione, ossia che una oscillazione di ampiezza data si mantiene
indefinitamente. Si quindi al limite della stabilit.
2. Se il prodotto dei due coefficienti di riflessione in modulo minore di uno,
lampiezza dellonda diminuisce dopo la doppia riflessione. Si quindi in una
condizione di stabilit.
3. Se il prodotto dei due coefficienti di riflessione in modulo maggiore di uno,
lampiezza dellonda aumenta dopo la doppia riflessione. Si quindi in una
condizione di instabilit.
La condizione di stabilit quindi |inG | < 1 oppure |out L | < 1. Si detto tuttavia che G e L sono passivi; pertanto il due-porte incondizionatamente stabile se:
per ogni L passivo, |in | < 1; oppure
per ogni G passivo, |out | < 1.
Utilizzando la carta di Smith e tenendo presente che la trasformazione fra L (G ) e
in (out ) una trasformazione bilineare fratta che trasforma cerchi in cerchi, si ha
la seguente interpretazione:

144

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1. Il cerchio |L | < 1 (|G| < 1) si trasforma in una regione immagine del piano
in (out ) costituita da una circonferenza e dal suo interno o esterno (vedi
Fig. 2.15); se limmagine cade allinterno della carta di Smith, si ha stabilit
incondizionata (Fig. 2.15, alto); se cade parzialmente allesterno, potenziale
instabilit (Fig. 2.15, basso).
2. Alternativamente, il cerchio |in | < 1 (|out | < 1) ha come controimmagine una circonferenza del piano L (G) e il suo interno o esterno. Se la
controimmagine comprende tutta la carta di Smith L (G), si ha stabilit
incondizionata perch sicuramente tutti i L (G ) interni al cerchio unitario
daranno luogo a in (out ) interni al cerchio unitario (vedi Fig. 2.17). Se la
controimmagine viceversa non comprende tutta la carta di Smith L (G ), si
ha potenziale instabilit (vedi Fig. 2.16).
La controimmagine di |out | = 1 nel piano G prende il nome di cerchio di stabilit
di ingresso, mentre si dice cerchio di stabilit di uscita la controimmagine di |in | = 1
nel piano L .2
Come mostrato nellEsempio 2.9, il centro e il raggio del cerchio di stabilit in uscita
(piano L ) e in ingresso (piano G) sono dati da:
LC =

S11 S S22
2

|S | |S22 |

|S12 S21 |

RLC =

2
2
|S | |S22 |

2.103a

2.103b

e da:
GC =

S22 S S11
2

|S | |S11 |

2.104a

Si noti che la denominazione di cerchio di stabilit (stability circle) leggermente fuorviante,


per quanto comune nella pratica. Si dovrebbe, a rigore, parlare di circonferenze di stabilit, dato che limmagine della regione stabile non necessariamente un cerchio, interno alla
circonferenza di stabilit, ma pu esserne la regione esterna.

145

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

in

,G

in

,G

G L,G

o u t

G L,G

o u t

Fig. 2.15 Esempio di stabilit incondizionata (sopra) e condizionata (sotto) nel piano
del coefficiente di riflessione di ingresso (uscita).

|S12 S21 |
.
RGC =
2
2
|S | |S11 |

2.104b

Supponendo che |S11 | < 1 e |S22 | < 1, immediato stabilire se la regione stabile
individuata dal cerchio di stabilit (detta in breve cerchio di stabilit) corrisponde
al suo interno o esterno. Infatti, lorigine del piano G (L ) corrisponde nel piano
in (out ) al punto S11 (S22 ), per ipotesi interno al cerchio unitario. Il cerchio di
stabilit di uscita (ingresso) quindi la regione del piano L (G ) delimitata dalle
circonferenze descritte nelle 2.103 e 2.104 che comprende lorigine. A seconda che il
cerchio di stabilit sia esterno o interno alla carta di Smith e includa o meno il centro
della carta di Smith si possono avere i sei casi mostrati nella Figura 2.18.

146

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

in

Fig. 2.16 Cerchio di stabilit in uscita: esempio di stabilit incondizionata.

o u t

Fig. 2.17 Esempio di cerchio di stabilit in ingresso: stabilit condizionata.

ESEMPIO 2.9

Dimostrare le 2.103, 2.104.

La relazione 2.62 che fornisce in in funzione di L una trasformazione bilineare fratta

fra variabili complesse, del tipo:


w=

az + b
cz + d

2.105

147

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

che trasforma circonferenze nel piano z in circonferenze nel piano w. La circonferenza unitaria
nel piano w sar quindi tale per cui:

az + b

cz + d

(az + b)(a z + b )
=1
(cz + d)(cz + d )

2.106

e di conseguenza:
|z|2 + z

(ab cd )
|d|2 |b|2
(a b cd)
+ z
=
.
2
2
2
2
|a| |c|
|a| |c|
|a|2 |c|2

2.107

La 2.107 rappresenta lequazione di una circonferenza nel piano z, come risulta evidente
sommando e sottraendo il fattore:
|cd a b|2
,
(|a|2 |c|2)2
al membro di sinistra della 2.107, che diventa:

c d a b

|a| |c|

= |a|2 |c|2 +

|cd a b|2
.
(|a|2 |c|2)2

2.108

Dalla 2.108 si deduce immediatamente che centro C e raggio R della circonferenza in questione
sono dati da:













c d a b
|a|2 |c|2

ad cb

|a| |c|

2.109

Dalla 2.62, per confronto con la 2.105 risulta:


a

S11

S22

che sostituite nelle 2.109 consentono di trovare le prime due 2.103. Si noti che scambiando L
con G e in con out si dimostrano anche le 2.104.

Condizioni necessarie e sufficienti per la incondizionata stabilit


possibile dimostrare che un insieme di condizioni necessarie e sufficienti per la
stabilit incondizionata di un due-porte (per il quale sia |S11 | < 1 e |S22 | < 1)
costituito dalla condizione (necessaria, ma non sufficiente):
148

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

In s ta b ile
In s ta b ile

S ta b ile

S ta b ile
(b )

(a )

In s ta b ile
S ta b ile

S ta b ile
(c )

In s ta b ile
(d )

S ta b ile

In s ta b ile

S ta b ile
(e )

In s ta b ile
(f)

Fig. 2.18 Possibili casi di stabilit: (a) e (b): stabilit incondizionata; (c) (d) (e) (f):
stabilit condizionata. La carta di Smith definita nel piano del coefficiente di riflessione di sorgente (cerchi di stabilit di uscita) o del coefficiente di riflessione di carico
(cerchi di stabilit di ingresso).

149

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

K=

1 |S22 |2 |S11 |2 + |S |2
>1
2 |S21 S12 |

2.110

ove K detto coefficiente di stabilit o di Linville, unita ad una qualsiasi delle


condizioni:
|S12 S21 | <

1 |S11 |

|S12 S21 | <

1 |S22 |

|S | <

2.111
2.112

2.113

Per comodit si utilizzer di preferenza linsieme K > 1, |S | < 1. Si noti


che la maggior parte dei programmi di simulazione riportano come parametro landamento in frequenza di K. Nelle regioni in cui K < 1 il due-porte di certo potenzialmente instabile, ma pu esserlo anche nelle regioni in cui K > 1,
purch il determinante della matrice scattering sia maggiore (in modulo) di uno
(vedi Es. 2.10).

ESEMPIO 2.10

Mostrare un esempio in cui un due-porte con K > 1 potenzialmente instabile.

Si consideri un due-porte con matrice scattering:


S=

0.5292 j0.6643

0.1375 j0.1346

5.3756 + j2.9848

0.5918 j0.5800


.

Il coefficiente di Linville K = 1.2787 > 1. Tuttavia, il due-porte non incondizionatamente


stabile. Si chiuda ad esempio la porta 2 sul carico passivo L = 0.3762 + j0.5264; si ottiene
in = 1.0464 j0.4481 con modulo maggiore di uno. Dunque il due-porte potenzialmente
instabile, come rivela il fatto che |S | = 1.8528 > 1, contrariamente a quanto richiesto
dalla 2.113.

La dimostrazione dei criteri di stabilit alquanto laboriosa, ed svolta nella Sezione


successiva.
150

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Dimostrazione dei criteri di stabilit


Criterio di stabilit in uscita
Il cerchio di stabilit di uscita la regione del piano L delimitata dalla circonferenza
che ha centro LC e raggio RLC , vedi le 2.103, comprendente lorigine. Vi sono due
casi possibili:
1. L = 0 esterno alla circonferenza, e quindi la regione stabile lesterno
della circonferenza (Fig. 2.19). Si avr quindi stabilit incondizionata se la
circonferenza definita nelle 2.103 completamente esterna alla carta di Smith,
2

ossia quando |LC | > 1 + RLC , che implica a maggior ragione |LC | >
2

|RLC | . Sostituendo le relative espressioni 2.103 la diseguaglianza precedente


diventa:



2
2
2
2
2
2
|S11 S S22
|S22 | |S | > |S12 S21 |
| = |S12 S21 | + 1 |S11 |
2.114

che implica a sua volta:





1 |S11 |2 |S22 |2 |S |2 > 0
soddisfatta solo se |S22 | > |S |. Questo risultato permette di scegliere correttamente il segno nel denominatore di RLC , eliminandovi il modulo (vedi le
2.103).

Ripartiamo ora da |LC | > 1 + RLC , prendendo il quadrato di ambo i

membri e sostituendo il valore di RLC ; si ottiene:



2
2
2
2
|S11 S S22
| > |S22 | |S | + |S12 S21 |
e, utilizzando la 2.114:




2
2
2
2
|S22 | |S | >
|S12 S21 | + 1 |S 11 |

2
|S22 |2 |S |2 + |S12 S21 |
.

2.115

Questa relazione si pu riscrivere utilizzando il coefficiente di Linville K gi


definito 2.81:
2

K=

1 |S22 | |S11 | + |S |
>1.
2 |S21 S12 |

2.116

Si cos dimostrato che la stabilit incondizionata in uscita implica K > 1,


che quindi condizione necessaria.

151

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

R e g io n e
s ta b ile
R

L C

L C

R e g io n e
in s ta b ile
Fig. 2.19 Caso (1): la regione stabile del piano del coefficiente di riflessione di carico
esterna al cerchio di stabilit di uscita.

2. L = 0 interno alla circonferenza, e quindi la regione stabile linterno


della circonferenza (Fig. 2.20). Si avr quindi stabilit incondizionata se la
circonferenza definita nelle 2.104 completamente interna alla carta di Smith,
2

ossia se |LC | < RLC 1. Questo implica a maggior ragione |LC | < R2LC .
Con ragionamenti analoghi a quelli svolti per il caso (1), si deduce che questa
volta deve essere verificata la condizione:
|S22 | < |S |
per cui la condizione |LC | < RLC 1 equivalente alla coppia di condizioni:

2
|LC | < (RLC 1)2
2.117
.
RLC
> 1
Sviluppando la prima delle 2.117 si ha:
 

2

2
2
|S | |S22 | |S12 S21 | >



2
2
2
2
|S22 | |S |
|S12 S21 | + 1 |S11 |
da cui si riottiene la condizione K > 1. Per imporrre la seconda delle 2.117 si
parte dallespressione di RLC , poich |S | > |S22 |, si ha:

152

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

R e g io n e
s ta b ile
R

L C

L C

R e g io n e
in s ta b ile
Fig. 2.20 Caso (2): la regione stabile del piano del coefficiente di riflessione di carico
interna al cerchio di stabilit di ingresso.

|S12 S21 | > |S | |S22 | .


Sostituendo tale espressione in quella che impone K > 1 dopo avere
esplicitato K si ottiene:

 

1 |S11 |2 |S22 |2 |S |2 > 2 |S12 S21 |
ovvero:


2
2
2
1 |S11 | > 2 |S12 S21 | |S | |S22 | > |S12 S21 |
e in definitiva:
2

1 |S11 | > |S12 S21 | .

2.118

Pertanto la 2.118 deve essere verificata assieme alla condizione K > 1.


facile mostrare che nel caso (1) la condizione implicitamente soddisfatta se
K > 1.
2

immediato dimostrare che le condizioni K > 1 e 1 |S11 | > |S12 S21 | non sono
solo necessarie, ma anche sufficienti (basta ripercorrere allinverso le dimostrazioni date).

153

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Criterio di stabilit in ingresso


Si ottiene scambiando i ruoli della porta 1 e della porta 2, e dei coefficienti di
riflessione di ingresso e uscita. Si perviene cos alle condizioni:

K > 1
1 |S22 |2

>

|S12 S21 | .

Stabilit in ingresso e uscita


Essendo la stabilit un fatto globale, evidente che le condizioni di stabilit allingresso e alluscita devono essere equivalenti. Riunendo infatti le condizioni ottenute
nei paragrafi precedenti, un insieme necessario e sufficiente di condizioni per la stabilit incondizionata di un due-porte (per il quale sia |S11 | < 1 e |S22 | < 1) risulta
essere:
K

>

2.119

|S12 S21 | <

1 |S11 |2

|S12 S21 | <

1 |S22 | .

2.120
2.121

Se K > 1, tuttavia, possibile dimostrare che 2.120 implica 2.121 e viceversa


(Es. 2.11).

ESEMPIO 2.11

Dimostrare che linsieme 2.119, 2.120 implica linsieme 2.119, 2.121 e viceversa.

Supponiamo ad esempio che la 2.120 sia vera e che K > 1. In questo caso si ha incon-

dizionata stabilit alluscita, ossia per ogni L a modulo minore di 1 in ha modulo minore
di 1. Dato che |S11 | < 1, il punto L = 0 cui corrisponde in = S11 cade certamente allinterno del cerchio unitario. Questo implica che la circonferenza immagine di |L | = 1 nel
piano in deve avere raggio minore di 1 (infatti, se cos non fosse, esisterebbero carichi che rendono potenzialmente instabile allingresso il due-porte). Procedendo secondo quanto discusso
nellEs. 2.7, con applicazione alla 2.70, si ottiene che il cerchio immagine in (|L | = 1) ha

154

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

raggio:
Rin =

|S12 S21 |
.
|1 |S22 |2 |

2.122

Affinch tale raggio sia inferiore a uno necessario che sia:


|S12 S21 | < |1 |S22 |2 |
ma anche |S22 | < 1, per cui risulta:
|S12 S21 | < 1 |S22 |2
ovvero che vale la 2.121. Analogamente si dimostra che se vale la 2.119, 2.121 implica 2.120.

Una ulteriore condizione, alternativa alla 2.121 oppure alla 2.120 si ottiene sommando
queste due ultime relazioni:
|S12 S21 | < 1

1
1
2
2
|S11 | |S22 | .
2
2

Ricordando che:
S = |S11 S22 S21 S12 | < |S11 S22 | + |S21 S12 |
e utilizzando lespressione precedente si trova:
|S | <
=

1
1
2
2
|S11 S22 | + 1 |S11 | |S22 | =
2
2
1
2
1 (|S11 | |S22 |) < 1 .
2

Se valgono quindi le 2.120 e 2.121 allora |S | < 1; ne consegue che se un doppio


bipolo incondizionatamente stabile allora si ha anche:

K
> 1
|S | <

2.123

1.

Inversamente, se |S | < 1 e K > 1, allora deve essere:


 


2
2
2 |S21 S12 | < 1 |S22 | + 1 |S11 |
dalla quale si deduce che almeno una fra le due espressioni deve essere vera:
|S21 S12 | < 1 |S11 |2
2

|S21 S12 | < 1 |S22 |

155

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

ma, poich se K > 1 una implica laltra, entrambe devono esserlo. Linsieme 2.123
pu essere quindi usato per testare lincondizionata stabilit del due-porte.

Adattamento di potenza alle due-porte: realizzabilit e guadagno massimo


Per rendere massimo il trasferimento di potenza dalla porta 1 alla 2 si deve imporre la
condizione di adattamento simultaneo alle due-porte:

=
in
L
.
out =

2.124

Sostituendo lespressione di in (2.62) e quella di out (2.66) si ottiene il seguente


sistema non lineare:

S11 S L

G = in = 1 S22 L

L = out = 22 S S
1 S11 G

Sostituendo la seconda equazione nella prima si ricava una equazione di secondo grado nel G ottimo; in modo analogo si pu ottenere una equazione di secondo grado
nel L ottimo. Risolvendo si ottiene:
Gopt

Lopt




1
2
2
B1 B1 4|C1|
2C1



1
2
2
B2 B2 4|C2|
2C2

2.125

ove i coefficienti B1 C1 B2 e C2 gi definiti in 2.94, 2.95, 2.87 e 2.88 sono qui riportati:
2

B1

1 |S22 | + |S11 | |S |

B2

1 + |S22 | |S11 | |S |

2.127

C1

S11 S S22

2.128

C2

S22 S S11
.

2.129

2.126

La scelta tra i segni + e va fatta in modo da garantire che i coefficienti di riflessione ottimi abbiano modulo inferiore ad uno. Come dimostrato nellEsempio 2.12,
questo possibile se e solo se il due-porte incondizionatamente stabile. In tal caso i
coefficienti di riflessione ottimi sono espressi da:

156

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Gopt

Lopt




1
2
2
B1 B1 4|C1|
2C1



1
2
2
B2 B2 4|C2| .
2C2

2.130

2.131

e il guadagno massimo (Esempio 2.13) dato dalla espressione, gi introdotta:


GM AX =


|S21 |
(K K 2 1) .
|S12 |

2.132

Tale massimo corrisponde al massimo di guadagno di trasduzione, disponibile, operativo, in quanto come si detto in condizione di adattamento simultaneo le tre
definizioni di guadagno coincidono.

ESEMPIO 2.12

Si dimostri che ladattamento simultaneo alle due-porte possibile solo in presenza di

stabilit incondizionata.

In un due-porte incondizionatamente stabile K > 1, che implica:

1 |S

2
22 |

|S11 |2 + |S |2

> 4 |S21 S12 |2

da cui, sommando e sottraendo il termine:

4 1 |S22 |2

|S

2
11 |

|S |2

si ottiene:

1 |S

2
22 |

+ |S11 |2 |S |2

> 4 |S21 S12 |2 + 4 1 |S22 |2

|S

11 |

|S |2 .
2.133

Tenendo presente lespressione 2.114 riscritta scambiando il ruolo delle due-porte:

| = |S12 S21 |2 + 1 |S22 |2


|S22 S S11
2

|S

2
11 |

|S |2

risulta che la 2.133 equivalente alla:

1 |S

22 |

+ |S11 |2 |S |2

> 4 |S22 S S11


| .
2

157

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Estraendo la radice quadrata di entrambi i membri, che sono definiti positivi (infatti quello di

destra un modulo, quello di sinistra ne maggiore) si ottiene:

1 |S22 |2 + |S11 |2 |S |2
|B1 |
=
>1.

2 |C1 |
2|S22 S S11
|

2.134

Procedendo come al solito scambiando le porte si arriva a dimostrare che se K > 1 allora:
|B2 |
>1.
2 |C2 |

2.135

Si dimostrer ora che, se il dispositivo incondizionatamente stabile allora B1 > 0. Per fare ci
si osservi che se il dispositivo incondizionatamente stabile, il cerchio di stabilit completamente esterno alla carta di Smith, oppure la ricopre completamente (vedi i casi (a) e (b) di Figura

2.18). Nel primo caso sicuramente |S11| > |S | e quindi 2 |S11 |2 |S |2 > 0; sommando
tale relazione con la 2.110 si ottiene subito B1 > 0. Nel secondo caso |S11 | < |S | e il cerchio
di stabilit, dovendo ricoprire tutta la carta di Smith, ha raggio maggiore di uno per cui, dalla
seconda delle 2.104, risulta |S |2 |S11 |2 < |S12 S21 |, e poich per ipotesi di incondizionata
stabilit deve valere la 2.112, 1 |S22 |2 > |S12 S21 |, si ottiene:
|S |2 |S11 |2 < 1 |S22 |2
e quindi:
B1 = 1 |S22 |2 |S |2 + |S11 |2 > 0 .
Di nuovo, con ragionamenti analoghi, si pu dimostrare che la incondizionata stabilit implica

 

anche che B2 > 0. Tenendo conto dei risultati cos ottenuti si pu scrivere:

Gopt

Lopt

B1
2 |C1 |

B2
2 |C2 |

4|C1 |2
1
B12

4|C2 |2
1
B22

 




Da queste formule, ricordando le 2.134 e 2.135, evidente che, affinch le due riflettenze abbiano modulo inferiore a uno (terminazioni passive), necessario scegliere le soluzioni con il segno
negativo nelle formule; anche la scelta di segno nella 2.125 quindi forzata e le espressioni delle
due riflettenze passive che massimizzano il guadagno sono le seguenti:

Gopt

1
B1
2C1

Lopt

1
B2
2C2

B12 4|C1 |2
B22 4|C2 |2

2.136

2.137

Pertanto, se il due-porte incondizionatamente stabile le terminazioni ottime che assicurano


ladattamento simultaneo alle due-porte esistono e sono uniche.

158

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Si noti che, come sottoprodotto dellesempio precedente, possibile individuare un


ultimo insieme di condizioni necessarie e sufficienti per la stabilit incondizionata
come K > 1 e una fra le due condizioni B1 > 0, B2 > 0. Questultimo insieme di
condizioni viene effettivamente impiegato da alcuni programmi di CAD per il progetto
di circuiti a microonde.

ESEMPIO 2.13

Derivare in modo diretto lespressione del guadagno massimo in condizione di

adattamento simultaneo alle due-porte.

Si comincia con lo scrivere lespressione di Gt , in cui L = Lopt e G = Gopt ai

quali corrisponde il guadagno di trasduzione massimo GtM AX :


GtM AX = |S21 |2

1 |Lopt |2
(1 |Gopt |2 )|1 S22 Lopt |2

2.138

ricavata a partire dalla 2.69 e dalla 2.89 dopo aver imposto le 2.124. Utilizzando la 2.62 si ha:
Gopt =

S

S Lopt
1 S22 Lopt
11

e di conseguenza:
1 |Gopt |2 =

|1 S22 Lopt |2 |S11 S Lopt |2


.
|1 S22 Lopt |2

Utilizzando questultima espressione la 2.138 diventa:


GtM AX

|S21 |2

1 |Lopt |2
=
|1 S22 Lopt |2 |S11 S Lopt |2

|S21 |2

1 |Lopt |2
N
= |S21 |2
1 |S11 |2 + |Lopt |2 (|S22 |2 |S |2 ) 2(Lopt C2 )
D
2.139

in cui C2 stata gi definito nella 2.88. Si esprimeranno ora i vari termini nella 2.139 in funzione
di K. Dalle 2.114 e 2.88 si ha:

|C2 |2 = |S12 S21 |2 + 1 |S11 |2

|S

2
22 |

|S |2

2.140

159

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

mentre dalla prima delle 2.87 e dalla 2.81 si ricava facilmente la seguente coppia di relazioni:
1 |S11 |2

2K|S21 S12 | + |S22 |2 |S |2

1 |S11 |2

B2 (|S22 |2 |S |2 ) .

Sommando e sottraendo si ottiene:


1 |S11 |2

K|S21 S12 | +

B2
2

2.141

|S22 |2 |S |2

B2
K|S21 S12 |
2

2.142

che sostituite nella 2.140 danno:


|C2 |2

|S12 S21 |2 + K|S21 S12 | +

B22
|S12 S21 |2 (K 2 1) .
4

 B

B2
2

K|S21 S12 |


2.143

Dalla 2.131 dopo aver notato che dalla 2.143 risulta:


B22
|C2 |2 = |S12 S21 |2 (K 2 1)
4
si ottiene:
Lopt

B2 2|S12 S21 | K 2 1
=
2C2

2.144

dalla quale, essendo il numeratore del membro di destra reale, si ha che anche Lopt C2 reale
e in particolare:
2(Lopt C2 ) = 2Lopt C2 = B2 2|S12 S21 |
Utilizzando le 2.143 e 2.144 si ha inoltre:
1 |Lopt |

|C2 |2
=

B22
+ B2 |S12 S21 |
4

K2 1 .

2.145

K 2 1 |S12 S21 |2 (K 2 1)
=

|C2 |2

B2
|S12 S21 | K 2 1
2
2|S12 S21 | K 1 22
B2
|S12 S21 |2 (K 2 1)
4

2|S12 S21 | K 2 1
.
B2
+ |S12 S21 | K 2 1
2

2.146

Utilizzando le 2.141, 2.142, 2.145 e 2.146 il denominatore D della 2.139 si pu riscrivere cos:

160

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

B2
B2
+ |Lopt |2 (
K|S12 S21 |)+
2
2

B2 + 2|S12 S21 | K 2 1 =

K|S12 S21 | +

(1 |Lopt |2 )(K|S12S21 |

B2
) + 2|S12 S21 |
2

(1 |Lopt |2 )(K|S12S21 |

B2
B2
+
+ |S12 S21 |
2
2

|S12 S21 |(1 |Lopt |2 )(K +

K2 1 =

K 2 1) =

K 2 1) .

Dopo aver sostituito questa espressione nella 2.139 si perviene finalmente allespressione
cercata del guadagno di trasduzione massimo, identica alle 2.85 e 2.92:
GtM AX =

|S21 |
|S21 |
1

(K
=
|S12 | K + K 2 1
|S12 |

K 2 1) .

2.147

Stabilit condizionata
Nel caso in cui il dispositivo non sia incondizionatamente stabile occorre individuare
le regioni del piano G e L che garantiscono valori di out e in interni alla carta di
Smith e quindi la stabilit del doppio bipolo. immediato riconoscere che i valori cercati di G , L sono quelli rispettivamente immagine dei punti |out | < 1, |in | < 1,
a loro volta interni alla carta di Smith. Le regioni cercate sono in altri termini date
dallintersezione dei cerchi di stabilit con la carta di Smith. I passi da intraprendere
sono quindi, riferendoci ad esempio a G :
identificare la circonferenza che delimita il cerchio di stabilit in ingresso;
determinare se il cerchio di stabilit la zona esterna oppure interna a tale
circonferenza; si ricorda che, poich per ipotesi |S11 | < 1 tale zona quella
che contiene lorigine del piano G ;
determinare lintersezione del cerchio cos identificato con la carta di Smith.
Al solito con ragionamento analogo, scambiando il ruolo delle porte, si arriva a
determinare la regione di L che non d problemi di instabilit.

161

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Nel caso di stabilit condizionata non ha senso parlare n di adattamento coniugato n


di massimo guadagno, dato che questo tende a infinito sul bordo dei cerchi di stabilit;
si pu anzi dimostrare che, in certe condizioni, il guadagno presenta un minimo allinterno della regione stabile. Il Massimo Guadagno Stabile (MSG, Maximum Stable
Gain) che corrisponde al guadagno massimo per K = 1:


S21
.

GM SG =
S12

2.148

Lo MSG non corrisponde ovviamente al guadagno operativo di un certo dispositivo,


salvo nel caso improbabile che questo presenti esattamente K = 1; si pu interpretare come il guadagno massimo che un certo dispositivo, potenzialmente instabile,
presenterebbe qualora venisse modificato da opportune reti di stabilizzazione in grado di portarne il coefficiente di stabilit ad 1. Lo MSG viene spesso introdotto come
fattore di merito di un dispositivo potenzialmente instabile, in quanto, al variare della frequenza di funzionamento, alla transizione fra una regione stabile e una regione
potenzialmente instabile si ha esattamente K = 1 e pertanto il massimo guadagno
corrisponde allo MSG.

Guadagno e stabilit
Esiste uno stretto legame fra i cerchi di stabilit e le curve di livello dei guadagni di
un due-porte caricato. In particolare:
le curve di livello del guadagno operativo nel piano L sono collegate ai cerchi
di stabilit in uscita (cerchi |in| = 1 nel piano L );
le curve di livello del guadagno disponibile nel piano G sono collegate ai
cerchi di stabilit in ingresso (cerchi |out | = 1 nel piano G ).
Per fissare le idee, facciamo riferimento ad esempio alle curve di livello del guadagno
disponibile nel piano G . Nel caso di stabilit incondizionata (Fig. 2.21) il guadagno presenta un massimo interno alla carta di Smith, e tende a pi o meno infinito
allesterno di questa (ossia per una terminazione di generatore attiva), sul margine del
cerchio di stabilit, che completamente esterno al cerchio unitario.

162

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

C e rc h i a
g u a d a g n o
c o s ta n te
Z o n a in s ta b ile
C o n d iz io n e d i
g u a d a g n o
d is p o n ib ile
m a s s im o
G
G

Z o n a
s ta b ile

Fig. 2.21 Curve a guadagno costante e cerchio di stabilit di ingresso per un doppio
bipolo incondizionatamente stabile.

La condizione precedente corrisponde a K > 1 tale da verificare la condizione di stabilit.

Se K = 1 si in una condizione limite, il cerchio di stabi-

lit diviene tangente al cerchio unitario della carta di Smith e le curve di livello a guadagno costante sono a loro volta tangenti al medesimo punto di tangenza
(Fig. 2.22).

In questa situazione il guadagno massimo ha luogo per termina-

zioni corrispondenti al punto di tangenza, e corrisponde al massimo guadagno


stabile (MSG).
Infine, se la condizione di stabilit violata il doppio bipolo potenzialmente instabile per insiemi di valori dei coefficienti di riflessione di carico e generatore. Non
possibile realizzare ladattamento coniugato, e il luogo dei punti di massimo guadagno coincide con la parte del contorno del cerchio di stabilit che cade nella carta di
Smith (Fig. 2.23). In queste condizioni il massimo guadagno infinito. Non per possibile sfruttare un guadagno arbitrariamente grande del dispositivo, perch la

163

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

C e rc h i a
g u a d a g n o
c o s ta n te
Z o n a in s ta b ile

G
G

Z o n a
s ta b ile

Fig. 2.22 Curve a guadagno costante e cerchio di stabilit di ingresso per un doppio
bipolo al limite della stabilit.

condizione di lavoro corrispondente sempre pi prossima alla instabilit. Bisogna


quindi scegliere riflettenze di carico e generatore che garantiscano un certo margine
di stabilit; vi sono infinite scelte possibili a guadagno costante. Altre specifiche (ad
esempio sul rumore) possono suggerire di scegliere in un modo piuttosto che in un
altro le terminazioni.

Dispositivo unilaterale
Si dice unilaterale un due-porte in cui nulla la reazione interna dalla porta 2 alla porta
1, ossia S12 = 0. In molti dispositivi a semiconduttore (transistori) tale condizione
vicina alla realt, per cui in prima approssimazione possibile considerare molti
dispositivi come unilaterali. Si introduce talvolta lindice di unilateralit U definito
come:

164

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

Z o n a in s ta b ile
C e rc h i a
g u a d a g n o
c o s ta n te

Z o n a
s ta b ile

Fig. 2.23 Curve a guadagno costante e cerchio di stabilit di ingresso per un doppio
bipolo condizionatamente stabile.

U =

|S11 S12 S21 S22 |


.
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )

Per un dispositivo esattamente unilaterale U = 0. Si pu dimostrare che il rapporto fra il guadagno massimo di trasduzione (MAG) e il guadagno unilaterale (MUG,
vedi 2.149) soddisfa alla diseguaglianza:
(1 + U )2 < MAG/MUG < (1 U )2
ossia, per U piccolo, lerrore relativo commesso supponendo il dispositivo unilaterale
dellordine di 4U .

165

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

tuttavia importante tenere presente che nel caso unilaterale si opera una semplificazione forte sugli aspetti riguardanti la stabilit. Leliminazione della reazione interna rende infatti il dispositivo unilaterale incondizionatamente stabile (ovviamente, se
S11 e S22 hanno modulo inferiore a 1), come si evince immediatamente dal fatto che
K . Lapprossimazione unilaterale ha pertanto senso solamente se il dispositivo
incondizionatamente stabile.
In condizioni unilaterali il problema delladattamento simultaneo alle due-porte si
semplifica.

Si ha infatti semplicemente in = S11 , out = S22 ; pertanto

ladattamento alle due-porte si disaccoppia ed sufficiente porre separatamente:

G = S11

allingresso, e:

L = S22

alluscita. Analoghe semplificazioni hanno luogo nellespressione del guadagno; come si visto in condizioni di adattamento il guadagno massimo (di trasduzione, ma
anche operativo e di potenza disponibile) dato da:
Gumax =

|S21 |2
.
(1 |S11 |2 )(1 |S22 |2 )

2.149

detto guadagno unilaterale massimo o MUG (Maximum Unilateral Gain). Per il massimo guadagno si utilizza invece spesso la sigla MAG (Maximum Available Gain).
Di nuovo, il MUG spesso utilizzato come fattore di merito per dispositivi non
necessariamente unilaterali.

2.6.

E SEMPI

Stabilit e guadagni a frequenza fissa


In questa sezione si analizzano alcuni due-porte dei quali sono noti i parametri scattering (vedi Tab. 2.4). Dei nove casi considerati, gli ultimi tre sono dispositivi unidirezionali. Gli esempi includono volutamente casi non comuni in pratica o
anomali.

166

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

|S11 |

ph(S11 ),

|S12 |

gradi

ph(S12 ),

|S21 |

gradi

ph(S21 ),

|S22 |

gradi

ph(S22 ),
gradi

0.2

20

0.05

120

30

0.5

-50

0.75

-60

0.3

70

90

0.5

60

1.05

20

0.05

120

40

0.5

-50

0.5

0.025

180

0.1

0.95

-22

0.04

80

3.5

165

0.61

-13

0.69

-123

0.11

48

1.29

78

0.52

-77

0.1

0.3

1.2

0.3

0.1

1.3

Tab. 2.4 Parametri scattering dei doppi bipoli analizzati.

Consideriamo innanzi tutto i primi sei esempi relativi a due-porte non unidirezionali.
La tabella 2.5 riporta i valori del centro (in modulo e fase) e del raggio dei cerchi
di stabilit di ingresso e uscita. Si noti che nel caso 4, |S | = |S22 | e quindi il
raggio del cerchio di stabilit di uscita infinito. La tabella 2.6 riporta i valori di K
e |S |; per i casi in cui vi incondizionata stabilit (indicati con ST, i restanti INST)
anche riportato il valore ottimo delle terminazioni di sorgente e di carico e il valore
del massimo guadagno. Valgono i seguenti commenti:
Nel caso 1 K > 1 e |S | < 1, il dispositivo quindi incondizionatamente
stabile.
Nei casi 2 e 3 si ha instabilit potenziale perch violata almeno una delle
condizioni di stabilit. Nel caso 3 in particolare si ha anche S11 maggiore di 1
in modulo. I parametri del guadagno massimo e delladattamento simultaneo
non sono pertanto definiti.
Nel caso 4 si ha stabilit incondizionata, essendo K > 1 e |S | < 1.

167

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

|GC |

ph(GC ),

RSC

|LC |

gradi

ph(LC ),

RLC

gradi

3.33

160

6.70

2.40

50

0.80

0.10

107

0.44

0.26

-36

0.41

1.10

-19

0.23

1.02

42

0.74

2.04

0.21

indef.

indef.

inf

1.07

30

0.24

3.45

71

3.12

1.37

127

0.34

1.74

86

0.69

Tab. 2.5 Valori del centro e raggio dei cerchi di stabilit per i doppi bipoli non
unidirezionali di Tabella 2.4.

Nel caso 5 si ha instabilit potenziale perch K < 1, i parametri di guadagno


e adattamento non sono definiti.
Infine nel caso 6, K

>

1 e |S |

<

1, per cui il due-porte

incondizionatamente stabile.
Gli esempi 79 essi si riferiscono a due-porte unidirezionali, sempre incondizionatamente stabili se |S22 | < 1 e |S11 | < 1. Pertanto lesempio 7 incondizionatamente
stabile, gli esempi 8 e 9 potenzialmente instabili. Si noti che in questi ultimi due casi
comunque K < 1, mentre ovviamente sempre S = S11 S22 minore di 1 in modulo
se lo sono sia S11 che S22 . Si noti che nellesempio 7 il dispositivo non ha guadagno,
ossia il suo MAG , in dB, pari a e a 0 in unit naturali (riportate in tabella).

Stabilit e guadagni al variare della frequenza


La tabella 2.8 riporta landamento in frequenza di un dispositivo reale (MESFET
NEC) misurato a intervalli di 1 GHz. Per quanto il dispositivo sia apparentemente
quasi unilaterale (cio S12 piccolo), tuttavia una valutazione dei parametri di stabilit (K e |S |) al variare della frequenza (Fig. 2.24) mostra chiaramente che il
dispositivo potenzialmente per frequenze inferiori ai 5 GHz. Tale instabilit poten-

168

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

|S |

Tipo

|Gopt |

ph(Gopt ),

|Lopt |

gradi

ph(Lopt ),

GM AX ,

gradi

dB

2.57

0.249

ST

0.10

-20

0.48

50

10.8

1.34

2.156

INST

indef.

indef.

indef.

indef.

indef.

0.34

0.673

INST

indef.

indef.

indef.

indef.

indef.

7.50

0.1

ST

0.50

0.07

7.3

0.19

0.572

INST

indef.

indef.

indef.

indef.

indef.

1.12

0.254

ST

0.88

127

0.82

86

8.6

Tab. 2.6 Coefficienti per il calcolo della stabilit per i due-porte bidirezionali; gli
esempi 1, 4, 6 sono incondizionatamente stabili; gli esempi 2, 3, 5 condizionatamente
stabili.

|S |

Tipo

|Gopt |

ph(Gopt ),

|Lopt |

gradi

ph(Lopt ),

GM AX

gradi

0.03

ST

0.1

0.3

0.36

INST

indef.

indef.

indef.

indef.

indef.

0.13

INST

indef.

indef.

indef.

indef.

indef.

Tab. 2.7 Coefficienti per il calcolo della stabilit per i doppi bipoli unidirezionali di
Tabella 2.4.

ziale a bassa frequenza tipica dei dispositivi operanti nel campo delle microonde, ed
legata alla diminuzione di |S21 | con la frequenza.
Nella Figura 2.25 sono mostrati gli andamenti, in scala semilogaritmica, dei guadagni
massimo, unilaterale, massimo stabile, e del modulo quadrato di S21 , che rappresenta
il guadagno operativo quando il dispositivo chiuso sulle sue impedenze di riferimento. Si pu notare come il MAG coincide con il MSG alla frequenza limite di stabilit
incondizionata, sotto la quale il MAG non pi definito. Si noti anche che, nel campo di frequenze in cui il dispositivo stabile, lo MSG maggiore del MAG, cosa non

169

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

f, GHz

|S11 |

11

|S21 |

21

|S12 |

12

|S22 |

22

1.000

0.949

-29.8

4.825

151.1

0.038

72.1

0.781

-14.4

2.000

0.821

-59.8

4.531

123.8

0.070

56.0

0.696

-28.9

3.000

0.648

-94.2

4.092

97.6

0.092

41.4

0.600

-42.4

4.000

0.512

-133.0

3.516

73.9

0.102

30.5

0.518

-51.8

5.000

0.472

-165.2

3.025

54.7

0.108

25.3

0.444

-57.8

6.000

0.464

176.0

2.714

38.4

0.118

23.7

0.367

-65.4

7.000

0.441

158.2

2.505

22.1

0.134

20.2

0.302

-80.8

8.000

0.411

127.5

2.321

4.0

0.151

15.0

0.281

-105.9

9.000

0.454

91.4

2.093

-15.1

0.168

7.0

0.300

-134.2

10.000

0.551

66.6

1.836

-34.5

0.181

-2.8

0.328

-169.8

Tab. 2.8 Parametri scattering misurati da 1 a 10 GHz di un dispositivo attivo a


microonde; largomento in gradi.

strana visto che lo MSG si riferisce ad un dispositivo portato al margine della instabilit. Il guadagno unilaterale MUG sempre alquanto diverso dal MAG, a dimostrazione
del fatto che il dispositivo non in realt unilaterale. Infine il guadagno sulle impedenze di riferimento, che non corrispondono nella regione stabile allottimo, comunque
minore del MAG. Nella regione instabile il guadagno massimo ovviamente infinito, per cui lo MSG va inteso come indicatore di merito del dispositivo, non come il
massimo guadagno effettivamente raggiungibile.
Si supponga ora di modificare il dispositivo in modo da renderlo maggiormente unilaterale, ad esempio dividendo per un fattore 10 lo S12 . Il nuovo dispositivo cos
ottenuto, pur conservando tutti gli altri parametri invariati, presenta caratteristiche diverse. La regione di instabilit si sposta a pi bassa frequenza (vedi Fig. 2.26), mentre
il guadagno unilaterale si avvicina moltissimo al MAG, Figura 2.27. Anche se in questo caso il dispositivo , ad alta frequenza, praticamente unilaterale, non corretto
trascurare la potenziale instabilit a bassa frequenza, che pu dar luogo ad innesco di
oscillazioni spurie a frequenze molto inferiori alla banda tipica di lavoro del disposi-

170

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 .4
K
|D S |

1 .2

0 .8

0 .6

0 .4

0 .2

0
0

6
F re q u e n z a , G H z

1 0

1 2

Fig. 2.24 Andamento in frequenza di K e |S | per il dispositivo di tavola 2.8. La


regione instabile indicata in grigio.

tivo. Pertanto non quasi mai conveniente supporre unilaterale un dispositivo attivo;
daltra parte, spesso necessario stabilizzare a bassa frequenza i dispositivi, come
discusso nel capitolo dedicato agli amplificatori lineari.

2.7.

Q UESITI

1. Una struttura a due porte pu essere adattata contemporaneamente a carico e


generatore:
i. Sempre
ii. Solo se incondizionatamente stabile
iii. Solo se potenzialmente instabile.
171

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

M A G
M S G
M U G
|S 2 1 |2

6
F re q u e n z a , G H z

1 0

1 2

Fig. 2.25 Andamento in frequenza dei guadagni per il dispositivo di tavola 2.8. La
regione instabile indicata in grigio. Si noti che in tale regione il MAG non definito.

2. Un transistore, chiuso su un generatore da 50 e con impedenza di carico


di 50 presenta, in condizioni di piccolo segnale, un guadagno operativo di
5 dB.
i. Il massimo guadagno operativo 5 dB, perch il transistore
adattato
ii. Il transistore presenta un guadagno operativo massimo sempre
maggiore di 5 dB
iii. Il transistore presenta S21 = 5 dB (rispetto a 50 ).
3. Illustrare il significato del massimo guadagno stabile di un due porte.

172

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 2
K
|D S |
1 0

2
1
0
0

6
F re q u e n z a , G H z

1 0

1 2

Fig. 2.26 Andamento in frequenza di K e |S | per il dispositivo di tavola 2.8, ma con


S12 reso 10 volte pi piccolo. La regione instabile indicata in grigio.

4. Che cosa il fattore di stabilit di un due porte? Quali sono le condizioni di


stabilit incondizionata per un due porte?
5. Una linea di trasmissione presenta un coefficiente di riflessione (in tensione)
allingresso pari a 0.1 in modulo. Della potenza incidente:
i. Il 90 % passa sulla linea
ii. Il 99 % passa sulla linea
iii. Il 10 % passa sulla linea.
6. Un due-porte formato da resistori. Il suo guadagno operativo:
i. certamente minore di 1

173

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

1 0

1 0

1 0

1 0

1 0

M A G
M S G
M U G
|S 2 1 |2

6
F re q u e n z a , G H z

1 0

1 2

Fig. 2.27 Andamento in frequenza dei guadagni per il dispositivo di tavola 2.8, con
S12 modificato. La regione instabile indicata in grigio. Si noti che in tale regione il
MAG non definito.

ii. Pu essere reso maggiore di 1 mediante adattamento


iii. Non si pu definire questo parametro per una struttura passiva.

7. Un due-porte formato da condensatori e induttori e ha |S11 | = 1/ 2.


i. |S21 | = |S11 |
ii. |S21 | = 1
iii. |S21 | = 0.
8. La matrice scattering di un due-porte reattivo:
i. simmetrica

174

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

ii. Ha determinante unitario


iii. Linversa uguale alla trasposta complessa coniugata.
9. La matrice scattering di un due-porte reciproco:
i. simmetrica
ii. Ha determinante unitario
iii. Linversa uguale alla trasposta complessa coniugata.
10. Il massimo guadagno stabile di un due-porte assegnato:
i. uguale a S21
ii. uguale a |S21 /S12 |
iii. il guadagno massimo se il due-porte stabile.
11. Un dispositivo attivo a microonde:
i. di solito stabile quando chiuso su 50 allingresso e uscita
ii. di solito instabile quando chiuso su 50 allingresso e uscita
iii. stabile per definizione quando chiuso su 50 allingresso e
uscita.
12. Il coefficiente di riflessione allingresso di un dispositivo unilaterale:
i. Dipende dal L
ii. sempre uguale a S11
iii. uguale a S11 solo se luscita chiusa su Z0 .
13. Un due-porte ha K = 1.2. Il dispositivo :
i. Incondizionatamente stabile
ii. Potenzialmente instabile
iii. Potrebbe essere incondizionatamente stabile, ma linformazione
data insufficiente per stabilirlo.

175

2. DUE-PORTE LINEARI CARICATI: GUADAGNI E STABILIT

14. Un MESFET ha K = 1.2 e S = 0.1 + j0.3 alla frequenza di 10 GHz.


i. Il due-porte non richiede alcuna rete di stabilizzazione
ii. Il due-porte richiede una rete di stabilizzazione a 10 GHz
iii. Il due-porte potrebbe richiedere una rete di stabilizzazione a bassa
frequenza.
15. Il parametri S di un MESFET sono S11 = 0.95 exp(j/4), S22 =
0.7 exp(j/6), S21 = 2 exp(j4/3), S12 0 alla frequenza di 3 GHz. Il
dispositivo :
i. Incondizionatamente stabile
ii. Potenzialmente instabile
iii. Incondizionatamente stabile, se si assume che S12 sia realmente
trascurabile.
16. Discutere il significato del guadagno massimo di un due porte (MAG).
17. Discutere il significato del massimo guadagno unilaterale di un due porte
(MUG).
18. Discutere la differenza fra guadagno operativo, di trasduzione, di potenza
disponibile.
19. I parametri scattering si utilizzano a microonde:
i. Perch difficile realizzare sperimentalmente corti circuiti e
circuiti aperti a larga banda
ii. Per convenienza numerica
iii. Perch sono maggiormente rappresentativi di fenomeni di
propagazione ondosa.

176

3.

3.1.

ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI


POTENZA

L INEE

QUASI -TEM ACCOPPIATE

Si definiscono linee accoppiate le linee multiconduttore formate da N conduttori pi


piano di massa. Le linee multiconduttore trovano diverse applicazioni nei circuiti a
microonde o ad alta velocit:

come bus multiconduttore adatti al trasporto parallelo di N segnali digitali (nei


circuiti digitali veloci); in questo caso ovviamente laccoppiamento fra linee
indesiderato (ossia si traduce in crosstalk fra le linee stesse);
come strutture accoppiate utilizzate in molti componenti analogici distribuiti:
accoppiatori direzionali, filtri a linee accoppiate, e via dicendo.
Nei componenti di circuiti analogici le linee accoppiate sono di solito a due o quattro conduttori; comuni sono ad esempio le microstrisce accoppiate a due o quattro
conduttori (vedi Fig. 3.1) e le linee coplanari accoppiate (vedi Fig. 3.2).

Analisi di linee accoppiate simmetriche


In generale una linea multiconduttore a N conduttori porta N modi di propagazione
TEM o quasi-TEM. Lanalisi sar peraltro qui limitata alle linee a due conduttori, ope-

177

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

W
h

e
h

Fig. 3.1 Microstrisce accoppiate a due o quattro conduttori.

e
H

Fig. 3.2 Linee coplanari accoppiate.

ranti in regime sinusoidale. Pertanto tensioni e correnti saranno indicate dai rispettivi
fasori associati.
Due linee accoppiate presentano tensioni V1 (z) e V2 (z) e correnti I1 (z) e I2 (z), come
mostrato nella Figura 3.3. Tensioni e correnti possono essere riunite in un vettore di
tensioni V e di correnti I tali che:

V =

V1
V2

I=

I1

I2

La linea definita, per unit di lunghezza, da parametri specifici che descrivono non
solo i fenomeni induttivi e capacitivi propri di ciascuna singola linea (induttanza per
unit di lunghezza, capacit per unit di lunghezza) ma anche laccoppiamento capacitivo (capacit mutua) o induttivo (induttanza mutua) fra le due linee vicine. Dora in
poi supporremo per semplicit (e perch questo il caso pi significativo) che le due
linee siano geometricamente (e quindi elettricamente) simmetriche, e che le perdite
siano trascurabili.
Partendo dal circuito equivalente per unit di lunghezza si pu associare alla parte
capacitiva (descritta da un circuito a di condensatori, vedi Fig. 3.3) una matrice

178

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

I1(z )

I1(z )

V 1(z )

C 0-C

V 1(z )

I1(z + d z )
0

V 1(z + d z )
m

C
m

I2(z )

I2(z )

V 2(z )

V 2(z )

I2(z + d z )
0

C 0-C
m

V 2(z + d z )

d z

Fig. 3.3 Schema di linee accoppiate e circuito equivalente elementare.

capacit per unit di lunghezza:

C=

C0

Cm

Cm

C0

3.1

e analogamente si associa alla parte induttiva una matrice induttanza per unit di
lunghezza:

L=

L0

Lm

Lm

L0

3.2

Si ricorda che la matrice capacit per unit di lunghezza (p.u.l.) lega il vettore delle
cariche indotte p.u.l. sulle due linee q a vettore delle tensioni delle due linee V come:
q = CV
mentre la matrice induttanza lega il vettore dei flussi concatenati alle due linee per
unit di lunghezza al vettore delle correnti I come:
= LI.
Tensioni e correnti soddisfano alle equazioni dei telegrafisti generalizzate:

179

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

dV (z)
= jLI
dz
dI(z)
= jCV
dz

3.3
3.4

da cui, eliminando ad esempio la corrente dalla seconda alla prima equazione, si


ottiene:
d2 V (z)
= 2 LCV .
dz 2
Cerchiamo soluzioni della forma:
V (z) = V 0 exp(jz)
ove V 0 = (V01 , V02 )T un vettore costante. Sostituendo si ottiene il sistema lineare
omogeneo:

 2
I 2 LC V 0 = 0.
La soluzione non banale si ottiene annullando il determinante; questo permette
di ricavare i valori della costante di propagazione . Poniamo per alleggerire la
notazione:

LC =

L0

Lm

Lm

L0

C0

Cm

Cm

C0

L 0 C0 L m Cm

L0 Cm + Lm C0

L0 Cm + Lm C0

L 0 C0 L m Cm

Sostituendo e annullando il determinante si ottiene:


2 = 2 (A B)
quindi assume quattro valori, due con segno positivo e due con segno negativo (indicanti onde progressive e regressive, rispettivamente): il valore assoluto delle costanti
di propagazione peraltro differente, e indica la presenza di due modi di propagazione con diversa velocit di fase. Sviluppando lequazione precedente e sostituendo si
ottengono i due valori:

180

12 = 2 (L0 + Lm )(C0 Cm )

3.5

22 = 2 (L0 Lm )(C0 + Cm ).

3.6

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Prima di passare ad una interpretazione fisica dei due modi di propagazione della linea,
eliminiamo le induttanze per unit di lunghezza introducendo, come gi fatto per la
linea singola, le capacit della linea in aria. Infatti, per una linea in aria tutti i modi di
propagazione si propagano con velocit di fase pari alla velocit della luce nel vuoto,
c0 . Pertanto, per una linea in aria, si ha:
2
1a
=

2
= 2 (L0 + Lm )(C0a Cma )
c20

3.7

2
2a
=

2
= 2 (L0 Lm )(C0a + Cma ).
c20

3.8

Come per una linea singola, le induttanze in aria e in presenza di dielettrico sono
uguali. Ricavando le induttanze per unit di lunghezza in funzione delle capacit in
aria si ottiene finalmente per le costanti di propagazione della linea accoppiata 1 e
2 (il doppio segno si riferisce al modo progressivo e regressivo) ove:

C0 Cm

1 =
c0 C0a Cma

2 =
c0

C0 + Cm
C0a + Cma

3.9

3.10

possibile infine esprimere la costanti di propagazione in termini di una opportuna


permettivit efficace come segue:
1 =

e1
c0

3.11

2 =

e2 .
c0

3.12

Per ottenere una interpretazione fisica dei due modi aventi diversa costante di propagazione (in valore assoluto) necessario procedere oltre nella soluzione del sistena omogeneo ottenuto dalla equazione dei telegrafisti. Le due equazioni del sistema
sono linearmente dipendenti, essendo nullo il determinante; sostituendo nella prima
equazione del sistema il primo valore di 2 si ottiene per lautovettore V 0 la relazione:
V01 = V02
mentre al secondo valore di 2 corrisponde la relazione:

181

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

H
E

(a )

(b )
Fig. 3.4 Topologia di campo per modo pari e dispari in microstrisce accoppiate.

V01 = V02 .
Il primo modo di propagazione quindi un modo in cui entrambe le linee hanno
uguale potenziale. Tale modo detto modo pari, e la topologia di campo mostrata,
per due microstrisce accoppiate, nella Figura 3.4. Il secondo modo di propagazione
ha potenziali uguali e opposti per le due linee, e viene detto pertanto modo dispari,
vedi ancora Figura 3.4. Per il modo pari possiamo quindi porre V01 = V02 = V0 , per
il modo dispari V01 = V0 , V02 = V0 .
Allo scopo di semplificare la notazione, introduciamo il concetto di capacit di modo
pari e capacit di modo dispari come la capacit di una linea verso massa, quando
le due linee sono allo stesso potenziale o a potenziale opposto. Con riferimento alla
Figura 3.5, si ottiene che la capacit verso massa di una singola linea , per i due modi:

182

Cp = C0 Cm

3.13

Cd = C0 + Cm .

3.14

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

c o rto c irc u ita ta


+

2 C
m

V
0

C 0-C
m

C 0-C

V
0

2 C
m

-V
0

C 0-C
m

M o d o p a ri

C 0-C

M o d o d is p a ri

Fig. 3.5 Definizione delle capacit di modo dispari e di modo pari.

Si noti che vale sempre la diseguaglianza:


Cd Cp

3.15

essendo Cm 0; la condizione di uguaglianza si ha solo per strisce non accoppiate,


ossia infinitamente distanti (Cm 0).
Le costanti di propagazione dei due modi possono quindi essere identificate in termini
delle capacit di modo pari o dispari. Si ottiene quindi:

Cp

1 = p =
c0 Cpa

Cd

2 = d =
c0 Cda

3.16

3.17

da cui le permettivit efficaci dei modi pari e dispari:


Cp
Cpa
Cd
=
.
Cda

ep =

3.18

ed

3.19

Si noti che in una linea accoppiata TEM le permettivit efficaci dei due modi sono
uguali e pari alla permettivit del mezzo. Questo non accade, salvo casi particolari, in
una linea quasi-TEM.
Sostituendo le soluzioni trovate per la tensione di modo pari e la tensione di modo
dispari nella equazione dei telegrafisti si trova che per entrambi i modi la corrente progressiva proporzionale al valore assoluto della tensione progressiva V0 . La costante

183

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

di proporzionalit prende il significato di ammettenza caratteristica del modo pari o


dispari, e il suo inverso limpedenza caratteristica del modo pari Z0p e del modo
dispari Z0d . Si trova, per le due impedenze caratteristiche:
1
Z0pa

=
ep
c0 Cp Cpa
1
Z0da
=
=
ed
c0 Cd Cda

Z0p =

3.20

Z0d

3.21

dove si sono indicate con il pedice a le impedenze in aria. Si ottiene quindi che, indicata con Z0 limpedenza caratteristica di una singola linea (disaccoppiata), le impedenze
di modo pari e dispari stanno nella relazione:
Z0p Z0 Z0d

3.22

dove il segno di uguale vale solamente per linee infinitamente distanti.1 Non esiste
invece una relazione generale sulle permettivit efficaci. Si noti che, in funzione della
spaziatura fra le due linee, limpedenza di modo pari parte da un valore finito per linee
con spaziatura nulla per avvicinarsi dallalto alla impedenza caratteristica della linea
isolata, mentre il modo dispari parte da un valore nullo per avvicinarsi alla impedenza
della linea isolata dal basso (vedi Fig. 3.6).

Linee planari accoppiate


Alcuni esempi di linee planari accoppiate sono mostrate nella Figura 3.7. Come si vedr nella discussione sugli accoppiatori direzionali, importante in queste strutture
avere forti differenze fra limpedenza di modo pari e dispari (che si traducono in alto
accoppiamento) e permettivit efficaci dei modi pari e dispari il pi possibile uguali
(requisito dellaccoppiatore direzionale ideale). In pratica strutture come la microstriscia accoppiata non garantiscono nessuna delle due condizioni, e quindi portano ad
accoppiatori a basso accoppiamento. La coplanare accoppiata ha velocit di fase di
modo pari e dispari quasi uguali, ma basso accoppiamento. Valori elevati di accoppiamento possono essere ottenuti con le stripline accoppiate, in particolare nella versione

Si ha infatti Cd C0 Cp ma anche Cad Ca0 Cap da cui segue Cd Cad C0 Ca0 Cp Cap ,
da cui, dalla definizione delle impedenze, segue immediatamente la 3.22.

184

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Z
Z

0 p

0 d

S /h
Fig. 3.6 Comportamento delle impedenze di modo pari e dispari in funzione della
spaziatura fra due linee accoppiate.

M ic ro s tris c ia a c c o p p ia ta

C o p la n a re a c c o p p ia ta

S trip lin e a c c o p p ia ta (e d g e c o u p le d )

M ic ro s tris c ia a c c o p p ia ta a ttra v e rs o fo ro

S trip lin e a c c o p p ia ta (b ro a d s id e c o u p le d )

S trip lin e a c c o p p ia ta (b ro a d s id e c o u p le d )

Fig. 3.7 Alcuni esempi di linee planari accoppiate: microstrisce, coplanari e stripline.

broadside coupled; si tratta inoltre di strutture TEM che soddisfano alla condizione di
idealit delle velocit di fase di modo pari e dispari.

185

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

La microstriscia accoppiata
Le microstrisce accoppiate simmetriche sono il pi comune esempio di linea planare
accoppiata, per quanto luso pratico della struttura sia in realt limitato al caso di
basso accoppiamento, per ragioni tecnologiche; non infatti possibile ottenere valori
di accoppiamento elevato con la spaziatura realizzabile fra le strisce (che deve essere
di solito superiore a 50-10 m).
Detto h lo spessore del substrato di costante dielettrica r , W la larghezza delle strisce,
S la loro spaziatura, definiamo la larghezza normalizzata e la spaziatura normalizzata:
u = W/h

3.23

g = S/h

3.24

La permettivit efficace dei modi pari e dispari allora data dalle formule
semiempiriche:
effp =

r + 1 r 1

2
2

effd =

ap (v)bp (r )
10
1+
v

3.25


r + 1
+ ad (u, r ) eff exp(cd gdd ) + eff
2

3.26

mentre per limpedenza si ha:



Z0p = Z0

Z0d = Z0

eff
effp

Z0 eff Q4
1
377

eff
effd

.
Z0 eff Q10
1
377

3.27

3.28

Le formule precedenti utilizzano i seguenti parametri della linea isolata di larghezza


W:
eff

r + 1 r 1
=
+
2
2

eff

r + 1 r 1
=
+
2
2

e ancora:

186

12
1+
u

1/2

1/2
12
1+
u

+ 0.04 (1 u)

u1

u1

3.29

3.30

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

60
Z0 =
log
eff

8 u
+
u 4


u1

1
120
Z0 =
eff 1.393 + u + 0.667 log (1.444 + u)

3.31

u 1.

3.32

Si utilizzano infine i parametri seguenti:


20 + g2
+ g exp(g)
10 + g2

 v 2 

 v 3
v4 + 52
1
1
ap (v) = 1 +
log 4
+
log 1 +
49
v + 0.432
18.7
18.1
v=u

0.053
r 0.9
r + 3


r + 1
ad (u, r ) = 0.7287 eff
[1 exp (0.179u)]
2
bp (r ) = 0.564

bd (r ) =

0.747r
0.15 + r

cd = bd (r ) [bd (r ) 0.207] exp(0.414u)


dd = 0.539 + 0.694 exp(0.562u)
e linsieme delle funzioni di fitting:
Q1 = 0.8695u0.194
Q2 = 1 + 0.7519g + 0.189g 2.31

Q3 = 0.1975 + 16.6 +

8.4
g

6 0.387



1
g10
+
log
241
1 + (g/3.4)10

1
2Q1
Q
3
Q2 exp(g)u + [2 exp(g)] uQ3


0.638
Q5 = 1.794 + 1.14 log 1 +
g + 0.517g2.43




1
1
g10
Q6 = 0.2305 +
+
log
log 1 + 0.598g1.154
10
281.3
5.1
1 + (g/5.8)
Q4 =

Q7 =

10 + 190g2
1 + 82.3g3

187

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

 g 5
Q8 = exp 6.5 0.95 log g
0.15


1
Q9 = log Q7 Q8 +
16.5


Q2 Q4 Q5 exp Q6 uQ9 log u
Q10 =
Q2

Un esempio di comportamento delle impedenze di modo pari e dispari e delle relative


permettivit riportato nelle Figura 3.8 e Figura 3.9. Si nota che le impedenze di
modo pari e dispari tendono, per valori elevati del rapporto S/h, allo stesso valore
che tipico della microstriscia isolata. Sul comportamento globale delle impedenze
di modo pari e dispari, si pu dire in generale che:
al crescere di W/h entrambe le impedenze diminuiscono perch aumenta la
capacit verso massa sia per il modo pari che per il modo dispari;
al crescere di S/h la capacit di modo dispari decresce e pertanto la impedenza
di modo dispari cresce. A causa della diminuzione della capacit mutua, cresce
invece la capacit di modo pari e la relativa impedenza diminuisce.
Il comportamento della permettivit efficace meno semplice. La permettivit di modo pari pi elevata perch le linee di campo di modo pari passano prevalentemente
nel substrato; viceversa la permettivit di modo dispari circa pari a (r + 1)/2 perch le linee di campo di modo dispari sono circa simmetriche rispetto alla interfaccia
substrato-aria. Si ha poi:
al crescere di W/h il campo sempre pi confinato nel substrato, per cui
entrambe le permettivit crescono;
al diminuire di S/h il campo di modo dispari sempre pi concentrato
nello slot fra le strisce, per cui la permettivit di modo dispari decresce
avvicinandosi a (r + 1)/2; quella di modo pari poco influenzata da S/h.

188

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

1 2 0
S =

1 1 0

5 0 m m

5 0
S = 1 5 0
S = 3 0 0
S = 4 5 0

m m

0 .8

0 .9

S =

1 0 0
9 0
Z

0 p

, O h m

0 d

, O h m

m m
m m
m m

8 0
7 0
6 0
5 0
4 0
S =

3 0
2 0

5 0 m m
Z

0 .1

0 .2

0 .3

0 .4

0 .5

W /h

0 .6

0 .7

Fig. 3.8 Comportamento delle impedenze di modo pari e dispari in funzione del
rapporto W/h per due microstrisce accoppiate su substrato di GaAs, h = 300 m.

3.2.

L ACCOPPIATORE

DIREZIONALE

Laccoppiatore direzionale una rete a quattro porte, che ha in generale lo scopo di


ripartire la potenza entrante ad una data porta (ad esempio la porta 1) fra due altre
porte (ad esempio la 2 e la 3) mantenendo isolata la porta 4. La porta in cui entra la
potenza viene detta porta incidente, le due porte alle quali giunge la potenza di ingresso, opportunamente suddivisa, sono denominate porte accoppiate (o pi precisamente
accoppiata e in trasmissione); laltra porta viene detta porta isolata, in quanto non vi
arriva potenza (Fig. 3.10). Da questo punto di vista laccoppiatore direzionale sembrerebbe analogo al cosiddetto divisore di potenza, rete a n porte una delle quali riceve
la potenza di ingresso, che viene poi suddivisa sulle altre porte in parti uguali o diseguali. Per quanto un accoppiatore possa essere usato effettivamente come divisore,
189

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

9 .5
e

e ffp

S =

5 0
S = 1 5 0
S = 3 0 0
S = 4 5 0

8 .5
S =

5 0 m m

m m
m m
m m
m m

8
e

S = 4 5 0 m m

e ffd

7 .5
S =
7

0 .1

0 .2

0 .3

0 .4

0 .5

W /h

0 .6

0 .7

0 .8

5 0 m m
0 .9

Fig. 3.9 Comportamento delle permettivit efficaci di modo pari e dispari in funzione
del rapporto W/h per due microstrisce accoppiate su substrato di GaAs, h = 300 m.

accanto a componenti pi specifici, nellaccoppiatore direzionale sono anche importanti le relazioni di fase fra la potenza incidente e quella uscente dalle porte accoppiate
e in trasmissione, relazione di fase che pu essere a centrobanda di 90 gradi o di 180
gradi.
Laccoppiatore direzionale ha diverse applicazioni nellambito dei circuiti a microonde; viene infatti utilizzato (nei circuiti passivi) nella realizzazione di linee di ritardo,
filtri e reti di adattamento; nei circuiti attivi trova impiego negli amplificatori bilanciati, mixer, attenuatori, modulatori e sfasatori. Va tenuto presente che gli accoppiatori hanno un comportamento che dipende dalla frequenza, ossia presentano comportamento ideale a centrobanda, con un progressivo deterioramento delle prestazioni
man mano che ci si allontana dalla frequenza di progetto. Di solito gli accoppiatori

190

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

K P
1

T ra s m is s io n e
1

R P 1= 0

A c c o p p ia m e n to

T P

IP 1= 0

Fig. 3.10 Schema di accoppiatore direzionale.

direzionali sono a banda relativamente stretta, ad esempio del 20%.


Laccoppiatore caratterizzato da alcuni parametri. Consideriamo la porta 1 come
porta incidente, la porta 2 come quella accoppiata, la porta 3 in trasmissione e la porta
4 isolata. Si definisce allora il coefficiente di accoppiamento (in potenza):


P2
K|dB = 10 log10
,
P1
mentre si definisce coefficiente di isolamento della porta 4 (idealmente nullo, o infinito
in dB):

I|dB = 10 log10

P4
P1

Il coefficiente di trasmissione alla porta 3 dato da:


P3
T |dB = 10 log10
.
P1
infine possibile definire il coefficiente di riflessione in potenza R alla porta 1
(idealmente nullo, o meno infinito in dB):
R|dB = 20 log10 (1 )
dove 1 il coefficiente di riflessione (in tensione) alla porta 1 dellaccoppiatore.

191

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Solitamente gli accoppiatori direzionali sono elementi reattivi, hanno cio una bassa
componente resistiva e dissipano poca potenza; quindi P1 P2 + P3 , il che significa
che la potenza in ingresso si ripartisce tra le porte 2 e 3. Come parametro di merito per
giudicare la bont di un accoppiatore direzionale, viene spesso indicata la direttivit,
idealmente infinita:

D|dB = 10 log10

P2
P4


= I|dB K|dB .

Nella Figura 3.11 vengono illustrati alcuni esempi di accoppiatori direzionali. Gli
accoppiatori si possono suddividere in varie categorie:

Accoppiatori a linee accoppiate semplici; possono essere uniformi o non uniformi. Accoppiatori non uniformi consentono di aumentare la banda, a spese
di un maggior ingombro (che nel caso uniforme dellordine di un quarto
donda di lunghezza a centro banda). Laccoppiamento raggiungibile da queste strutture basso nel caso delle microstrisce (tipicamente non possibile
ottenere la ripartizione 1:1 della potenza sulle porte di uscita, che corrisponde
al cosiddetto accoppiatore a 3 dB), alto per strutture in stripline. Gli accoppiatori a linee accoppiate presentano a centrobanda uno sfasamento di 90 gradi
fra la porta accoppiata e quella in trasmissione.
Accoppiatori interdigitati, ad esempio laccoppiatore Lange; presentano accoppiamento elevato e propriet simili a quelle degli accoppiatori a linee
accoppiate.
Accoppiatori branch-line, consentono di realizzare accoppiatori a 3 dB in modo semplice ma sono voluminosi e a banda stretta; la banda si pu allargare
con accoppiatori multisezione. Anche qui il segnale sfasato di 90 gradi fra la
porta in trasmissione e quella accoppiata.
Accoppiatori ad anello ibrido o rat race; hanno propriet simili allaccoppiatore branch-line ma consentono di realizzare anche sfasamenti di 180 gradi
fra le porte. Sono molto utilizzati per generare segnali bilanciati rispetto alla

192

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

massa. Le dimensioni a centrobanda sono elevate (periferia dellordine della


lunghezza donda).
Altri tipi, quali gli accoppiatori a tandem, a linea a meandro, a trasformatore, e altri ancora, usati talvolta in applicazioni particolari. In particolare
gli accoppiatori a tandem possono considerarsi come due accoppiatori a linee
accoppiate posti in cascata.

Va sottolineato che le strutture branch-line e ad anello ibrido si possono anche realizzare in forma concentrata, ottenendo cos strutture molto pi compatte di quelle
distribuite.

3.3.

L ACCOPPIATORE

A DUE LINEE ACCOPPIATE

Linee accoppiate di lunghezza opportuna possono essere utilizzate per costruire accoppiatori direzionali. La maggioranza degli accoppiatori che sfruttano tale principio
sono realizzati in microstriscia e strip-line; in generale queste linee accoppiate portano due modi TEM o quasi-TEM. Se la struttura guidante simmetrica (linee o strisce
di uguale sezione, disposte simmetricamente rispetto al piano di massa) i due modi
sono simmetrici o antisimmetrici e vengono pertanto detti modi pari o dispari (p e d).
In casi semplici, due linee accoppiate simmetriche possono essere analizzate sovrapponendo la eccitazione in eccitazione di modo pari e eccitazione di modo dispari. Le
tensioni totali possono poi essere recuperate attraverso la sovrapposizione degli effetti.
Consideriamo una struttura chiusa su resistenze di riferimento R0 tutte eguali fra di
loro, e per il momento incognite, come mostrato nella Figura 3.12. La porta 1
inoltre connessa ad un generatore di segnale. Leccitazione alla porta 1 pu essere
scomposta nella somma di due eccitazioni, di modo pari e dispari, come mostrato
nella Figura 3.13. Ciascun insieme di generatori, pari e dispari, in grado di eccitare
solamente il modo omonimo.

193

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

A c c o p p ia to re a lin e e a c c o p p ia te
u n ifo rm i

A c c o p p ia to re L a n g e

A c c o p p ia to re a lin e e a c c o p p ia te
n o n u n ifo rm i

A c c o p p ia to re ta n d e m

A c c o p p ia to re b ra n c h -lin e

A c c o p p ia to re ra t-ra c e (a n e llo ib rid o )

A c c o p p ia to re b ra n c h -lin e m u ltis e z io n e
Fig. 3.11 Esempi di strutture di accoppiatore direzionale.

Avremo quindi, dette Vid e Vip le tensioni di ingresso di modo dispari e pari, Vod e
Vop le relative tensioni di uscita, che:

194

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Z
3

Z
4

1
g

E
g

Z
2

Fig. 3.12 Accoppiatore a linee accoppiate.

V1 = Vip + Vid

3.33

V2 = Vip Vid

3.34

V3 = Vop + Vod

3.35

V4 = Vop Vod .

3.36

Le tensioni di ingresso e uscita della linea di modo pari e dispari possono essere calcolate dallanalisi del due-porte caricato di Figura 3.14. Per fissare le idee, riferiamoci
al modo pari. La matrice scattering della linea di modo pari, dotata di impedenza
caratteristica Z0p e lunghezza donda guidata p , si scrive:

0
exp(jp )

Sp =
exp(jp )
0
ove la lunghezza elettrica della linea, di lunghezza fisica l, data da:
p =

2l
.
p

195

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

V
1

+
R

E
0

3
R

ip

+
0

2
+

L in e a d i m o d o p a ri

id

o d

3
R

E g/2

id

+
0

o p

+
R

ip

E g/2

o p

E g/2
V

L in e a a lim e n ta ta a lla p o rta 1


V

2
R

2
E g/2

4
L in e a d i m o d o d is p a ri

o d

Fig. 3.13 Scomposizione della eccitazione in eccitazione di modo pari e modo


dispari.

Nella analisi della linea di modo pari, utilizziamo come impedenza di riferimento
limpedenza caratteristica di modo pari Z0p . Il carico e il generatore di impedenza R0
presentano pertanto un coefficiente di riflessione:
0p =

196

R0 Z0p
R0 + Z0p

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0 p

a
R
0

ip

ip

0 i

= Z

ip

S
i

R
p

b
V

o p

0 o

= Z

o p

o p

R
0

Fig. 3.14 Linea di modo pari come due-porte caricato.

mentre il generatore di onda progressiva relativo al modo pari :



Z0p
Eg
.
b0p =
2 Z0p + R0
Analizzando la struttura a due-porte caricata si trova che:
bop = b0p

ejp
1 20p e2jp

3.37

aop = b0p

0pejp
1 20p e2jp

3.38

bip = b0p

0p e2jp
1 20p e2jp

3.39

aip = b0p

1
1 20p e2jp

3.40

da cui le tensioni, dalla relazione:


Vip = aip
Vop = bop

Z0p + bip

Z0p



Z0p + aop Z0p

Si pu fare un ragionamento del tutto analogo per quanto riguarda la linea dispari,
quindi le conclusioni sono le medesime, a patto di scambiare i pedici e gli apici p con
d. Riportiamo di seguito i risultati:
bod = b0d

ejd
1 20d e2jd

3.41

aod = b0d

0pejd
1 20p e2jd

3.42

197

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0pe2jd
1 20p e2jd
1
= b0d
2
1 0d e2jd

bid = b0d

3.43

aid

3.44

ove:
0d =

R0 Z0d
R0 + Z0d

e il generatore di onda progressiva dispari :


b0d

Z0d
Eg
=
2 R0 + Z0d

mentre d = 2l/d . Sostituendo il valore del generatore di onda progressiva si


ottiene finalmente:
Vip =

Z0p
Eg 1 + 0pe2jp
2
2j
p
2 1 0pe
R0 + Z0p

3.45

Vid =

Z0d
Eg 1 + 0d e2jd
2 1 20d e2jd R0 + Z0d

3.46

Vop =

Z0p
Eg (1 + 0p)ejp
2 1 20pe2jp R0 + Z0p

3.47

Vod =

Z0d
Eg (1 + 0d )ejd
.
2 1 20de2jd R0 + Z0d

3.48

Come primo passo, calcoliamo limpedenza di chiusura R0 che garantisca adattamento alla porta 1. A questo scopo, facciamo alcune ipotesi semplificative: supponiamo
che le velocit di fase dei modi pari e dispari siano uguali, per cui:
p = d = .
Poniamoci inoltre a centrobanda, frequenza alla quale l = g /4. Questo comporta
ej = j, e2j = 1. Con queste ipotesi calcoliamo la tensione V1 = Vip + Vid :
1 0d
Eg
Z0p 1 0p Eg
Z0d
+
2 R0 + Z0p 1 + 20p
2 R0 + Z0d 1 + 20d


2
2
Z0p
Eg
Z0d
=
2 + R2 + Z 2
2
R20 + Z0d
0
0p

V1 =

198

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Affinch la porta 1 sia adattata, si deve avere V1 = Eg /2, ossia:


R20

2
Z0p
Z2
+ 2 0d 2 = 1,
2
+ Z0p
R0 + Z0d

da cui la condizione di adattamento:


R0 =

Z0p Z0d .

3.49

Tenendo conto di questa condizione, possiamo esprimere i coefficienti di riflessione


del modo pari e di quello dispari nel seguente modo:

Z0p Z0d
R0 Z0d

=
=
0d =
R0 + Z0d
Z0p + Z0d

Z0d Z0p
R0 Z0p

0p =
=
= .
R0 + Z0p
Z0d + Z0p
Spostiamoci ora dalla frequenza di centrobanda; dopo semplici elaborazioni si ottiene,
tenendo presente che:

2 Z0p
Z0p Z0d
=
1+=1+

Z0p + Z0d
Z0p + Z0d

Z0p Z0d
2 Z0d

1=1
=
Z0p + Z0d
Z0p + Z0d

3.50

3.51

che le tensioni di uscita di modo pari e dispari assumono le espressioni:


Eg
1 e2j
(1 + )
4
1 2 e2j
Eg
1 + e2j
=
(1 )
4
1 2 e2j
Eg
(1 )ej
=
(1 + )
4
1 2 e2j
Eg
(1 + )ej
=
.
(1 )
4
1 2 e2j

Vip =
Vid
Vop
Vod

ora immediato calcolare V1 , V2 , V3 , V4 sommando o sottraendo le tensioni di uscita


e di ingresso di modo pari o dispari; si ottiene:
Eg
2
Eg (1 e2j )
=
2 1 2 e2j

V1 = Vip + Vid =
V2 = Vip Vid

199

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

V3 = Vop + Vod =

Eg (1 2 )ej
2 1 2 e2j

V4 = Vop Vod = 0
Se ne conclude che la porta 1 sempre adattata, mentre la porta 4 sempre isolata.
Pertanto gli elementi della matrice scattering S11 S41 sono nulli, indipendentemente
dalla frequenza. La trasmissione fra la porta 1 e le porte 2 e 3 invece possibile, e la
porta 2 viene detta accoppiata (in modo preferenziale rispetto alla porta 3, perch il
segnale alla porta 1 e 2 sono, a centrobanda, in fase). Tenendo conto della simmetria
della struttura rispetto allo scambio delle porte, si ha che:
S11 = S22 = S33 = S44 = 0
(adattamento a tutte le porte), mentre:
S41 = S32 = S23 = S14 = 0
(isolamento), e ancora:
S21 = S12 = S34 = S43
(accoppiamento), e finalmente:
S31 = S13 = S42 = S24
(trasmissione). Si noti che alcune fra queste relazioni sarebbero comunque imposte
dalla reciprocit. Tenendo presente che la impedenza di riferimento comunque uguale alle quattro porte, e che la porta 1 adattata (per cui la tensione totale V1 coincide
con la tensione progressiva) si ha semplicemente Sji = Vj /Vi ; i parametri scattering
dellaccoppiatore sincrono sono quindi immediatamente calcolati.

Comportamento in frequenza dellaccoppiatore sincrono


In condizioni di sincronismo (uguale velocit di fase dei modi pari e dispari) la matrice
scattering dellaccoppiatore si pu scrivere quindi:

200

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

S() =

0
2j

)
(1 e
1 2 e2j
(1 2 )ej
1 2 e2j
0

(1 e2j )
1 2 e2j

(1 2 )ej
1 2 e2j

0
j

(1 )e
1 2 e2j
2

(1 e2j )
1 2 e2j

0
(1 2 )ej
1 2 e2j
(1 e2j )
1 2 e2j
0

3.52

ove:
=

e l
2l
=
.
g
c0

La matrice scattering a centrobanda si calcola tenendo presente che per = /2


(ossia alla frequenza alla quale lunghezza della linea pari a g /4) si ottiene:
2
Z0p Z0d
=
=C
2
1+
Z0p + Z0d


2 Z0p Z0d
1 2
= j
=
j
=
j
1 C 2.
1 + 2
Z0p + Z0d

S21 =

3.53

S31

3.54

Il parametro C detto accoppiamento dellaccoppiatore; si ha ovviamente K = C 2


ove K laccoppiamento in potenza. Ad esempio per un accoppiatore in grado di
dividere la potenza in parti eguali fra la porta 1 e la porta 3 (accoppiatore a 3 dB) si ha

K = 1/2 e C = 1/ 2. La matrice scattering a centrobanda allora:

0
0
C
j 1 C 2

C
0
0
j 1 C 2

S(/2) =
. 3.55

j 1 C 2
0
0
C

C
0
0
j 1 C 2
Si raccolgono qui, per comodit, le formule fondamentali dellaccoppiatore
direzionale a due linee accoppiate:
Z0p Z0d
,
C=
Z0p + Z0d


R0 = Z0d Z0p , Z0p = R0

1+C
, Z0d = R0
1C

1C
.
1+C

Si noti che accoppiatori ad accoppiamento elevato, ad esempio laccoppiatore a 3 dB,


non possono comunemente realizzarsi con microstrisce accoppiate. Infatti un accop
piatore a 3 dB chiuso su 50 presenta C = 1/ 2, da cui Z0p = 121 , Z0d = 21 ,
valori che richiederebbero una spaziatura estremamente ridotta fra le strisce (dellordine di qualche micron), di solito non realizzabile dal punto di vista tecnologico, vedi

201

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0
S

2 1

5 0

-2

S
(g ra d i)

3 1

, < S

-8

3 1

-1 0 0

< S

|S

2 1

|, |S

-5 0

3 1

-6

3 1

| (d B )

-4

2 1

2 1

-1 0

-1 5 0

-1 2
1

4
5
6
F re q u e n z a , G H z

9
1

4
5
6
F re q u e n z a , G H z

Fig. 3.15 Modulo e fase dei parametri S21 e S31 di un accoppiatore a 3 dB.
-2 0
0
S

4 1

-4
| (d B )

-3 0

3 1

3 1

-6

|, |S
2 1

-3 5
S

|S

|S

1 1

|, |S

4 1

| (d B )

-2 5

1 1

-4 0
-4 5

2 1

-2

-8

-1 0

F re q u e n z a , G H z

-1 2
1

4
5
6
F re q u e n z a , G H z

Fig. 3.16 Modulo dei parametri S11 , S41 (a sinistra) e S21 , S31 (a destra) di un
accoppiatore a 3 dB. Il rapporto fra le permettivit efficaci dei due modi 0.9.

lEsempio 3.1. In questi casi si ricorre ad accoppiatori a linee multiconduttore (ad


esempio laccoppiatore Lange), descritti in seguito.
Nella Figura 3.15 presentato landamento del modulo (in dB) dei parametri S21 e S31
di un accoppiatore a 3 dB. Laccoppiatore realizzato con linee dotate di permettivit
efficace (per entrambi i modi) pari a 5; la frequenza di centrobanda a 5 GHz. Si pu
notare che laccoppiatore ha una banda relativamente stretta, ossia laccoppiamento
decade rapidamente fuori dal sincronismo.

202

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0 .8
0 .7

|S
|S

0 .6

2 1

3 1

0 .5
|S

0 .4

4 1

0 .3
|S

0 .2

1 1

0 .1
0
0

1 0

1 5

2 0

2 5

3 0

3 5

4 0

D is s in c ro n is m o p e rc e n tu a le , d
Fig. 3.17 Modulo dei parametri S di un accoppiatore a 3 dB in presenza di
dissincronismo.

ESEMPIO 3.1

Dimensionare un accoppiatore da 3 dB su microstriscia accoppiata, substrato di GaAs

spesso 300 m. Limpedenza di adattamento 50 .

Come gi visto le impedenze del modo pari e dispari sono Z0p = 121 , Z0d = 21

. Sulla base della Figura 3.18, si pu osservare che per ottenere tali valori di impedenza
necessario avere W/h = 0.2, S/h = 0.0018, da cui W = 60 m, S = 0.5 m. Il valore
calcolato per S chiaramente troppo piccolo per potere essere realizzato tecnologicamente.

Effetto del dissincronismo e compensazione


In molte strutture a due conduttori le velocit di fase dei due modi pari e dispari non
sono esattamente uguali. Questo accade ad esempio negli accoppiatori direzionali
203

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

1 0

0 d

1 0

3 0
Z
1 0

0 p

5 0

7 0
/ h

9 0

1 1 0

20

1 0

1 3 0
1 5 0

-1

1 7 0

30

1 9 0
40

1 0

-2

1 0

-3

1 0

50

-2

S / h

60

70

80

1 0

-1

90

1 0

Fig. 3.18 Curve di livello di Z0p e Z0d () in funzione di S/h, W/h (unit logaritmiche)
per r = 13.

a microstrisce accoppiate, mentre sono sincroni gli accoppiatori realizzati con linee
trasversalmente omogenee (ad esempio, in stripline). In altri casi (ad esempio, gli
accoppiatori su linee coplanari accoppiate) il sincronismo quasi perfetto, anche se la
struttura trasversalmente disomogenea. Supponendo di conservare limpedenza di

chiusura R0 = Z0d Z0p , nella condizione p = d si ottiene:
Eg
1 e2jp
(1 + )
4
1 2 e2jp
Eg
1 + e2jd
=
(1 )
4
1 2 e2jd
Eg
(1 )ejp
=
(1 + )
4
1 2 e2jp
Eg
(1 + )ejd
=
.
(1 )
4
1 2 e2jd

Vip =
Vid
Vop
Vod

da cui possibile ricavare al solito V1 , V2 , V3 , V4 . Si ottiene poi:

204

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Sj1 = 2

Vj
,
Eg

j = 2, 3, 4

tenendo presente che limpedenza di normalizzazione R0 costante per tutte le porte.


Il coefficiente di riflessione alla porta 1 si calcola invece tenendo presente che:
I1 =

Eg V1
;
R0

ma la tensione progressiva e regressiva alla porta 1 si scrivono:


V1 + R0 I1
Eg
=
2
2
V1 R0 I1
Eg
=
= V1
2
2

V1+ =

3.56

V1

3.57

da cui:
S11 =

V1
2V1
1
+ =
Eg
V1

Le conseguenze pi importanti del mancato sincronismo sono: la diminuzione delladattamento della porta 1, e la diminuzione dellisolamento alla porta 4. Laccoppiamento e la trasmissione si modificano, ma non in modo drammatico rispetto al caso
sincrono. Nella Figura 3.16 sono mostrati ladattamento, lisolamento, laccoppiamento e la trasmissione dellaccoppiatore a 3 dB gi analizzato in precedenza. La
lunghezza dellaccoppiatore stata stabilita come:


p
d 1
l=
+
4
4 2
ossia come media fra le lunghezze degli accoppiatori di modo pari o dispari. Nellesempio, e = 5 per il modo pari e e = 4.5 per il modo dispari. Si noti anche
come la banda in cui la direttivit si mantiene elevata tenda ad essere molto stretta (la
direttivit peggiora a frequenze elevate).
Una stima approssimata della direttivit in funzione del dissincronismo si pu ottenere
attraverso il parametro:
=

|vp vd |
vp + vd

ossia il rapporto fra la differenza delle velocit di fase e la velocit di fase media.
Si ottiene lespressione approssimata:
S41 (1 C 2 )
205

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

(a )

(b )

Fig. 3.19 Accoppiatore direzionale con schermatura (a) e con overlay dielettrico (b).

che vale a centrobanda. Un esempio dellandamento dei parametri scattering (in modulo) dellaccoppiatore gi analizzato in funzione del dissincronismo mostrato nella
Figura 3.17.
possibile migliorare la direttivit di accoppiatori direzionali non sincroni attraverso
vari espedienti. Ad una prima categoria appartengono le tecniche di equalizzazione
delle velocit di fase dei modi pari e dispari:
Uso di schermi metallici posti a massa. Per ragioni di simmetria, le permettivit efficaci dei due modi divengono uguali se d = h e pari a (r + 1)/2 (vedi
Fig. 3.19a).
Uso di overlay dielettrico. Uno strato di dielettrico di altezza e permettivit opportune pu compensare le due velocit di fase, come mostrato nella
Figura 3.19, in quanto modifica le capacit di modo pari e dispari in modo
indipendente.
per anche possibile correggere leffetto del dissincronismo in modo concentrato o
distribuito, attraverso:

Uso di capacit concentrate, come mostrato nella Figura 3.20a. La capacit


modifica solamente la capacit di modo dispari, lasciando inalterata quella di
modo pari. Si tenga presente che di solito la permettivit efficace dispari
minore di quella pari, per cui la lunghezza elettrica vista dal modo dispari
inferiore a quella vista dal modo pari, a parit di lunghezza fisica della linea.
Una capacit concentrata totale C = C1 + C2 rappresenta un allungamento
della linea di modo dispari; infatti, detta Cd la capacit per unit di lunghezza
206

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

C
1

(a )

(b )

Fig. 3.20 Compensazione con capacit concentrate (a) e con wiggle (b).

della linea di modo dispari, si ha lCd = C, da cui si ottiene uno sfasamento,


per il modo dispari:
d = l

Cd Ld = CZ0d .

Calcolando pertanto lo sfasamento causato dal dissincronismo, possibile dimensionare, almeno a centrobanda, la capacit concentrata di compensazione.
Si pone cio = 2f0 , ove f0 la frequenza di centrobanda.
Uso di piste seghettate, o wiggling. La struttura mostrata nella Figura 3.20b;
la seghettattura del bordo dellaccoppiatore modifica in modo marginale la capacit del modo pari, modifica molto la capacit del modo dispari. Leffetto
simile alla capacit concentrata introdotta precedentemente, con il vantaggio di ottenere una struttura integrabile (che non richiede elementi concentrati
aggiuntivi).

3.4.

ACCOPPIATORI

MULTICONDUTTORE

Una delle limitazioni principali dellaccoppiatore a due conduttori in microstriscia


sta nella impossibilit pratica di ottenere valori elevati di accoppiamento (ad esempio, 3 dB). A questo problema si pu ovviare ricorrendo a linee accoppiate multiconduttore collegate mediante ponti in aria o fili in modo da ottenere due linee

207

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

1 0

1 2

2 0

1 2

2 0

1 2

1 0

Fig. 3.21 Linea multiconduttore e relative capacit.

accoppiate equivalenti.
Partiamo dalla analisi di una linea multiconduttore con k conduttori, k pari
(cfr. Fig. 3.21). Trascuriamo la capacit fra strisce non prime vicine, e supponiamo
uguale la capacit fra strisce (C12 ) e fra le strisce centrali e massa (C20 ); indicheremo
invece con C10 la capacit verso massa delle due strisce estreme. Si pu mostrare che
vale la seguente relazione approssimata:
C20 C10

C10 C12
.
C10 + C12

Infatti la capacit verso massa della striscia estrema simile alla capacit verso massa
di una striscia alla cui destra stiano infinite strisce uguali a potenziale flottante (cio
aventi carica totale nulla) (vedi Fig. 3.22). Tuttavia tale capacit pu stimarsi come capacit iterativa di un insieme infinito di strisce metalliche, come indicato nella
Figura 3.23. Si ottiene cio:
C10 = C20 +

C10 C12
.
C10 + C12

da cui si ricava C20 . Si noti una volta per tutte che C12 , C10 sono le capacit fra le due
strisce e fra ciascuna striscia e massa di due microstrisce accoppiate, supposte note in
funzione della geometria e dei parametri del dielettrico.
Supponiamo ora che le linee della struttura multiconduttore siano connesse alternativamente, in modo da dare luogo a due conduttori equipotenziali. La connessione non
si fa di solito in modo continuativo lungo le linee, ma ad intervalli, mediante ponti in

208

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

+ V

+ V

+ V

+ V

+ V

+ V

+ V

+ V

+ V

+ V

S tris c ie flo tta n ti (c a ric a n u lla )

Fig. 3.22 Calcolo della capacit delle linee estreme - I.

1 2

1 0

1 2

1 2

1 2

1 2

+ V

...
C

2 0

2 0

2 0

2 0

2 0

2 0

...
C

1 0

1 2

+ V

2 0

1 0

Fig. 3.23 Calcolo della capacit delle linee estreme - II.

aria o ponticelli di filo (vedi Fig. 3.24).


allora possibile definire una linea a due conduttori equivalente, in grado di portare
un modo pari e un modo dispari. La capacit di modo pari e dispari allora la capacit verso massa di un insieme di k/2 strisce quando i due insiemi sono allo stesso
potenziale o a potenziale opposto. Dalla Figura 3.25 si ottiene:

209

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Fig. 3.24 Linea multiconduttore con conduttori collegati mediante ponti di filo.

Cp (k) = (k/2 1)C20 + C10

3.58

Cd (k) = (k/2 1)C20 + C10 + 2(k 1)C12

3.59

ove tutte le capacit sono state intese per unit di lunghezza. Tenendo presente che
per due strisce si ha:
Cp (2) = C10

3.60

Cd (2) = C10 + 2C12

3.61

possibile ricavare C10 e C12 in funzione di Cp (2) e Cd (2) e di conseguenza esprimere


le capacit di modo pari e dispari della linea multiconduttore con strisce collegate
alternativamente in funzione delle capacit pari e dispari della linea a due conduttori.
Si ottiene:

210

Cp (k) =

Cd (2)Cp (2) + (k 1)Cp2 (2)


Cd (2) + Cp (2)

3.62

Cd (k) =

Cd (2)Cp (2) + (k 1)Cd2 (2)


.
Cd (2) + Cp (2)

3.63

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

+ V
+ V

1 0

1 2

2 0

2 C

1 2

1 2

2 0

1 2

1 2

2 0

1 2

2 0

1 0

V = 0

+ V

2 C

2 C

1 2

1 0

2 C

1 2

2 C

1 2

2 0

1 2

2 0

V = 0
2 C

1 2

2 0

2 C

1 2

2 C

1 2

2 0

2 C

1 2

2 C

1 0

1 2

-V
Fig. 3.25 Calcolo della capacit pari e dispari.

A questo punto possibile, nellipotesi che il modo pari e il modo dispari siano sincroni, valutare le impedenze caratteristiche pari e dispari della linea multiconduttore con
conduttori collegati a due a due, e di qui laccoppiamento a centrobanda e limpedenza
di chiusura di un accoppiatore equivalente a due conduttori.
Tenendo presente che:
C(k) =

Z0p (k) Z0d (k)


Cd (k) Cp (k)
=
Z0p (k) + Z0d (k)
Cp (k) + Cd (k)

e che in generale, nel caso sincrono, Z0p /Z0d = Cd /Cp, si ottiene:

211

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

C(k) =

(k 1)(1 R2 )
(k 1)(1 + R2 ) + 2R

3.64

ove R il rapporto fra le impedenze di modo dispari e pari di un accoppiatore a due


strisce:
R=

Z0d (2)
.
Z0p (2)

3.65

In modo analogo si dimostra che limpedenza di adattamento :


R20 = Z0p (2)Z0d (2)

(1 + R)2
[(k 1)R + 1][(k 1) + R]

3.66

Landamento dellaccoppiamento (in dB) in funzione del rapporto R e al variare del


numero di linee k mostrato nella Figura 3.26. Si pu notare che per ottenere valori
elevati di accoppiamento (ad esempio 3 dB) sono necessari valori molto piccoli di
R (e quindi impedenze di modo pari e dispari molto diverse) con k = 2, mentre
R sale al crescere di k. Il miglioramento per quasi inavvertibile per valori di k
maggiori di 8. Analoghe osservazioni si possono fare per limpedenza di adattamento,
mostrata in funzione di R nella Figura 3.27 normalizzata rispetto allimpedenza di
adattamento della struttura a due strisce. Allo scopo di mettere in evidenza il diverso
comportamento, si osservi che per una impedenza di adattamento di 50 deve essere

(con due conduttori) Z0p (2)Z0d (2) = 50 , mentre per quattro conduttori si ha

circa Z0p (2)Z0d (2) 100, ossia la larghezza delle strisce (e quindi in generale il
livello di impedenza) decresce al crescere di k. Tale effetto positivo per k moderati,
ma diventa negativo per k molto elevato, in quanto sono necessarie strisce molto sottili
per garantire un livello di impedenza sufficiente.
In definitiva, quindi, luso di accoppiatori multiconduttore consente di rendere tecnicamente fattibile la costruzione di accoppiatori a 3 dB; i vantaggi sono per massimi
con quattro o sei conduttori, mentre oltre gli otto conduttori essi sono compensati dalla
complessit della struttura e dalle alte perdite conseguenti luso di strisce molto strette. La
lunghezza dellaccoppiatore di Lange pu essere determinata valutandone le permettivit efficaci di modo pari e dispari. Tenendo presente che la permettivit efficace
della struttura a due linee tale che:

212

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0
k = 8 , 1 6 , 3 2
-5
k = 4

A c c o p p ia m e n to , d B

k = 2
-1 0
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
0

0 .1

0 .2

0 .3

0 .4

0 .5
0 .6
R = Z d(2 )/Z p(2 )

0 .7

0 .8

0 .9

Fig. 3.26 Accoppiamento in funzione del rapporto R per vari valori di k.

Cp (2) = Cap (2)ep (2)

3.67

Cd (2) = Cad (2)ed (2)

3.68

Cap (2)
Z0ad (2)
=
Ra
Cad (2)
Z0ap (2)

3.69

e che:

rapporto fra le impedenze caratteristiche in aria, si pu scrivere:


Cp (k) = Cad (2)

Cap (k) =

ep (2)ed (2)Ra + R2a (k 1)2ep (2)


ed (2) + Ra ep (2)

2
Cad (2)Cap (2) + (k 1)Cap
(2)
Ra + R2a(k 1)
= Cad (2)
Cad (2) + Cap (2)
1 + Ra

3.70

3.71

213

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

k = 2

0 .9
0 .8

Z p(2 )Z d(2 )

0 .7
0 .6

k = 4

0 .5
0 .4
k = 8

0 .3
0 .2

k = 1 6

0 .1
0

k = 3 2
0

0 .1

0 .2

0 .3

0 .4

0 .5

0 .6

0 .7

0 .8

0 .9

R = Z d(2 )/Z p(2 )


Fig. 3.27 Impedenza di chiusura in funzione del rapporto R per vari valori di k.

Cd (k) = Cad (2)

Cad (k) =

3.72

2
(2)
Cad (2)Cap (2) + (k 1)Cad
Ra + (k 1)
= Cad (2)
Cad (2) + Cap (2)
1 + Ra

da cui si ottiene:
Cp (k)
=
ep (k) =
Cap (k)

ed (k) =

ep (2)ed (2)Ra + (k 1)2ep (2)


ed (2) + Raep (2)

Cd (k)
=
Cad (k)

ep (2)ed (2)Ra + R2a (k 1)2ep (2)


ed (2) + Ra ep (2)

ep (2)ed (2)Ra + (k 1)2ed (2)


ed (2) + Ra ep (2)

3.73

1 + Ra
Ra + R2a (k 1)

1 + Ra
Ra + (k 1)

3.74

.
3.75

Nelle strutture multiconduttore in microstriscia le permettivit di modo pari e dispari


sono di regola piuttosto differenti; si dimostra facilmente anzi che per accoppiamento
elevato Ra 0 il che implica che le permettivit di modo pari e dispari sono circa

214

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

uguali a quelle della linea equivalente a due conduttori. Anche in questo caso si pu
ricorrere ad una stima approssimata della lunghezza attraverso la media aritmetica dei
quarti donda di modo pari e dispari.

Laccoppiatore di Lange
Laccoppiatore di Lange (dal nome di Julius Lange, che lo propose nel 1969) un
accoppiatore in microstriscia interdigitato che consiste di quattro linee parallele collegate a due a due alternativamente, come mostrato nella Figura 3.28 (versione detta
unfolded) e nella Figura 3.29 (versione detta folded, pi comune). Si noti che la versione unfolded si comporta esattamente come un accoppiatore direzionale a due conduttori per quanto riguarda le porte accoppiata e diretta; per composto da quattro
linee collegate a due a due alle estremit (e quindi equipotenziali lungo tutto laccoppiatore). Nella versione folded le porte in trasmissione e isolata sono scambiate, in
modo tale che la porta accoppiata e la porta in trasmissione stanno dallo stesso lato
dellaccoppiatore. Vi inoltre un percorso in continua fra il lato superiore e quello inferiore dellaccoppiatore. Queste caratteristiche rendono la versione folded pi
comune e conveniente di quella unfolded, che di layout leggermente pi semplice.
Allo scopo di progettare laccoppiatore di Lange, possibile esprimere, in funzione
dellaccoppiamento a centrobanda C e dellimpedenza di chiusura R0 , le impedenze
di modo pari e dispari delle linee accoppiate a due conduttori aventi larghezza di
striscia w e spaziatura s necessarie. Si ottiene:

1C
(k 1)(1 + q)
Z0d (2) = R0
1 + C (C + q) + (k 1)(1 C)
Z0p (2)

= Z0d (2)

C+q
(k 1)(1 C)

3.76

3.77

ove:
q=

C 2 + (1 C 2 )(k 1)2 .

Nel caso pi comune, laccoppiatore di Lange ha k = 4. Una tecnica approssimata di


progetto la seguente:

215

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

-j 1 - C
2

l/2

l/2

S
W

0
C
Fig. 3.28 Accoppiatore di Lange unfolded.

1. Partendo dallaccoppiamento a centrobanda e dalla impedenza di chiusura, si


ricavano le impedenze di modo pari e dispari della struttura a due strisce di
uguali dimensioni, Z0d (2) e Z0p (2).
2. Si ricava il rapporto W/h necessario ad ottenere Z0d (2)/2 e Z0p (2)/2, rispettivamente. A questo scopo si pu utilizzare la formula approssimata di Wheeler,
che fornisce W/h in funzione dellimpedenza caratteristica. Si ha:
Per Z 44 2r :
W
=
h
ove:
B=

216

Z
60

exp(B)
1

8
4 exp(B)

r + 1 1
+
2
2

r 1
r + 1

0.4516 +

0.2416
r

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0
1

l/2

l/2

S
W

-j 1 - C
C

Fig. 3.29 Accoppiatore di Lange folded.

Per Z < 44 2r :


W
2
2
= (d 1) log(2d 1) +
h



0.517
r 1
log(d 1) + 0.293
+
r
r
ove:
d=

60 2

Z r

e Z = Z0p (2)/2 oppure Z0d (2)/2.


3. Indichiamo i rapporti W/h cos trovati come (W/h)p e (W/h)d , rispettivamente. I parametri fisici reali delle linee accoppiate (spaziatura S/h e ampiezza strisce W/h) possono essere ricavati dalle seguenti equazioni, che devono
essere invertite numericamente:


W
= fp (W/h, S/h)
h p

3.78

217

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

W
h


= fd (W/h, S/h)

ove:
fp =
e:
fd =

fd =

2
cosh1

2
cosh1

3.79

2
cosh1

2a g + 1
g+1


3.80



2a g 1
W/h
4
+
cosh1 1+2
r 6
g1
(1 + r /2)
S/h
2a g 1
g1

W/h
1
cosh1 1 + 2

S/h

3.81


r 6.

I parametri g ed a sono definiti come:


S
g = cosh
2h


W
S
a = cosh
+
.
h
2h

3.82

3.83

3.84

Le formule precedenti consentono di calcolare, una volto noto il rapporto W/h


per la linea pari e la linea dispari, il rapporto W/h e la spaziatura S/h per la
linea multiconduttore.
Per quanto riguarda la lunghezza dellaccoppiatore, questa deve essere pari ad un quarto di lunghezza donda a centrobanda. Una possibile ipotesi semplificativa quella di
utilizzare una media operata sulle lunghezze donda dei modi pari e dispari delle linee
accoppiate a due conduttori.

ESEMPIO 3.2

Consideriamo un accoppiatore di Lange a 4 conduttori su allumina utilizzato in un am-

plificatore bilanciato come divisore di potenza alla frequenza di 10 GHz. Limpedenza di riferimento 50 , la costante dielettrica del substrato pari a 9, la sua altezza h = 25 mils
(0.635 mm); laccoppiamento 3 dB a centrobanda. Dimensionare laccoppiatore.

218

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Si ha C = 0.707, k = 4, R0 = 50 ; dalle formule di progetto:

1 C

3(1 + q)
1 + C (C + q) + 3(1 C)
C +q
Z0p (2) = Z0d (2)
3(1 C)
Z0d (2) = R0

ove:
q=

C

+ 9(1 C 2 ) =

0.5 + 9 0.5 =

5 = 2.24

si ottiene Z0d (2) = 52.6 , Z0p (2) = 176.2 . Il rapporto W/h di modo pari si riferisce
quindi a Z0p (2)/2 = 88.1 , mentre W/h di modo dispari si ottiene da Z0d (2)/2 = 26.3 .
Poich 44 2r = 26 , necessario servirsi della prima espressione; si ottiene (W/h)p =
0.25, (W/h)d = 3.07. Invertendo le espressioni precedentemente riportate, o utilizzando il
grafico di Figura 3.30, si ottiene S/h = 0.076, W/h = 0.09 da cui S 46 m, W 57 m.
Per quanto riguarda il dimensionamento dellaccoppiatore, necessario valutare le permettivit
di modo pari e dispari della linea a quattro conduttori. Si ottiene e d 5 e e p 5.6 da cui:

p /4 = 30/ 5.6/4 = 3.17 mm, p /4 = 30/ 5/4 = 3.35 mm


ossia, facendo la media aritmetica, l 3.26 mm. Un dimensionamento di primissima approssimazione si pu ricavare ponendo e (r + 1)/2 = 5 per entrambi i modi, da cui si
ricaverebbe l = 3.35 mm.

3.5.

ACCOPPIATORI

A INTERFERENZA

Come si visto gli accoppiatori a linee accoppiate non consentono di ottenere, se non
con strutture tipo Lange, accoppiamenti elevati. possibile superare queste limitazioni in modo semplice ricorrendo ad altri tipi di accoppiatori nei quali la divisione di
potenza e lisolamento sono ottenuti attraverso un principio di interferenza. Esempi
tipici di accoppiatori appartenenti a questa categoria sono laccoppiatore branch-line
e lanello ibrido (detto anche accoppiatore rat-race).

219

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0 .3
0 .2 5
0 .2
W /h

( W /h ) d= 3 .0 7
0 .1 5
0 .1

( W /h ) p= 0 .2 5

0 .0 5
0
0

0 .0 2

0 .0 4

0 .0 6

0 .0 8

0 .1

0 .1 2

0 .1 4

0 .1 6

0 .1 8

0 .2

S /h
Fig. 3.30 Grafico delle funzioni fp (W/h, S/h) = (W/h)p e fd(W/h, S/h) = (W/h)d ,
cfr. Esempio 3.2.

l1= l g/4
1
Z

Z
0

l2

Z
3

2
Z

0 2

0 2

0 1

l1
Fig. 3.31 Accoppiatore branch-line.

220

0 1

l2= l g/4

Z
0

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Accoppiatore branch-line
Questo tipo di accoppiatore, schematizzato in Figura 3.31, permette di realizzare accoppiatori direzionali con valori di accoppiamento non realizzabili con le normali linee accoppiate. Lanalisi dellaccoppiatore branch-line pu essere condotta sfruttandone le propriet di simmetria (cfr. Es. 3.3). La matrice scattering dellaccoppiatore
risulta essere, per simmetria:

S11

S
12
S=
S13

S14

S12

S13

S11

S14

S14

S11

S13

S12

S14

S13

S12

S11

3.85

dove, come mostrato nellEsempio 3.3:


a + b + c + d
4
a + b c d
=
4
a b + c d
=
4
a b c + d
=
.
4

S11 =

3.86

S21

3.87

S31
S41

3.88
3.89

A centrobanda, ossia per 1 = 2 = /4 cos che le lunghezze dei due rami sono pari
a /4 si ottiene:
Y0 j Y01 j Y02
Y0 + j Y01 + j Y02
Y0 j Y01 + j Y02
b =
Y0 + j Y01 j Y02
Y0 + j Y01 j Y02
c =
Y0 j Y01 + j Y02
Y0 + j Y01 + j Y02
d =
Y0 j Y01 j Y02

a =

3.90
3.91
3.92
3.93

da cui, sostituendo nelle 3.103 si trova per S11 :


S11 =

2
2 2
Y02
)
Y04 (Y01
4
2
2
2
Y0 + 2Y0 (Y01 + Y02 ) + (Y01 Y02 )4

che si annulla, come deve accadere per un accoppiatore direzionale, se:


2
2
Y02 = |Y01
Y02
|

3.94

221

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Tenendo conto di questa ultima espressione e, imponendo ad esempio Y01 > Y02 , per
2
2
Y02
si trova:2
cui la 3.94 diventa Y02 = Y01

S21 = j

Y0
Y01

3.95

S31 = 0
S41 =

3.96

Y02
.
Y01

3.97

Le espressioni 3.94, 3.96 e 3.97 sono le condizioni da utilizzare per il progetto. Sulla
base delle equazioni precedenti, la matrice scattering a centrobanda risulta pertanto
essere:

Y0
j
Y
01
S=

Y
02

Y01

Y0
Y01
0

Y02
Y01
0

Y02
Y01
0

Y0
Y01

Y02
0
Y01
Z01

0
j Z
0
=
Y0
0
j

Y01
Z
01
0

Z02

Z01
Z0
0

Z01
Z02
0

Z01
Z02
0

Z01
Z0

Z01
Z02

Z01 .

j
Z0

3.98

Si noti quindi che vi una differenza di fase di 90 gradi fra la porta diretta e la porta
accoppiata, esattamente come nel caso di un accoppiatore a linee accoppiate.
Identificata pertanto la porta 2 come porta accoppiata, si ha C = Z01 /Z0 e, per con
servazione della potenza, 1 C 2 = Z01 /Z02 da cui immediatamente le formule di
progetto:
Z01 = CZ0
CZ0
Z02 =
.
1 C2

3.99
3.100

Per un accoppiatore a 3 dB occorre imporre |S21 | = 1/ 2 da cui risulta:

Z02 = Z0

3.101

Z01

3.102

= Z0 / 2.

2
2
Se si impone invece Y01 < Y02 cio Y02 = Y02
Y01
si ottiene invece, data la simmetria:

S11 = 0, S21 = 0, S31 = jY0 /Y02 e S41 = Y01 /Y02 .

222

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Partendo ad esempio da una linea di accesso a 50 , si trova per il ramo diretto


Z01 = 35.35 , e per quello trasversale Z02 = 50 , facilmente realizzabili in microstriscia. In generale gli accoppiatori a 3 dB con sfasamento a 90 gradi vengono
detti ibridi a 90 gradi.

ESEMPIO 3.3

Valutare la matrice scattering di un accoppiatore branch-line.

Per studiare laccoppiatore branch-line cominciamo con il fare le seguenti constatazioni:


1. data la simmetria della struttura, la matrice scattering completamente identificata dai
4 parametri relativi alla prima riga della matrice scattering del circuito;
2. il circuito lineare e quindi si pu applicare il principio di sovrapposizione degli effetti;
3. cos come possibile eccitare un circuito con n-porte con n tensioni indipendenti
altrettanto possibile eccitare con n tensioni progressive indipendenti alle n porte; le
corrispondenti tensioni regressive sono fissate dalle relazioni costitutive imposte dal
n-porte (matrice S).

Indichiamo con Vn la tensione progressiva impressa alla porta n con n =1, 2, 3 e 4 e con Vn
la corrispondente tensione regressiva. Consideriamo le seguenti condizioni di eccitazione alle 4
porte:
+
+
+
+
= V2a
= V3a
= V4a
=V+
1. V1a
+
+
+
+
2. V1b
= V2b
= V + , V3b
= V4b
= V +
+
+
+
+
3. V1c
= V3c
= V + , V2c
= V4c
= V +
+
+
+
+
4. V1d
= V4d
= V + , V2d
= V3d
= V + .

Sovrapponendo le quattro eccitazioni, si trova:


V1+ =4V +
V2+ =V3+ = V4+ = 0

223

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Tali condizioni sono proprio quelle necessarie per determinare i parametri relativi alla prima riga
della matrice scattering. Data la simmetria della struttura e delle eccitazioni, si trova inoltre per
le quattro onde regressive:

= V2a
= V3a
= V4a
1. V1a

2. V1b
= V2b
= V3b
= V4b

3. V1c
= V2c
= V3c
= V4c

4. V1d
= V2d
= V3d
= V4d

Ne consegue che:
S11 =

V1a
V1a
+ V1b
+ V1c
+ V1d
+ V1b
+ V1c
+ V1d
=
+
+
+
+
4V +
V1a
+ V1b
+ V1c
+ V1d

S21 =

+ V2b
+ V2c
+ V2d
+ V1b
V1c
V1d
V2a
V1a
+
+
+
+ =
4V +
V1a + V1b + V1c + V1d

S31 =

+ V3b
+ V3c
+ V3d
V1b
+ V1c
V1d
V3a
V1a
+
+
+
+ =
+
4V
V1a + V1b + V1c + V1d

S41 =

V4a
V1a
+ V4b
+ V4c
+ V4d
V1b
V1c
+ V1d
+
+
+
+ =
+
4V
V1a + V1b + V1c + V1d

Applicare le quattro eccitazioni sopra elencate equivalente a considerare le condizioni al contorno riportate in Figura 3.32a, 3.32b, 3.32c, 3.32d. Ne risulta che per determinare la
tensione regressiva corrispondente alle quattro eccitazioni sufficiente determinare il coefficiente di riflessione allingresso dei semplici circuiti riportati rispettivamente in Figura 3.33a,
3.33b, 3.33c, 3.33d. Si ottiene quindi:
a + b + c + d
4
a + b c d
=
4
a b + c d
=
4
a b c + d
=
4

S11 =

3.103a

S21

3.103b

S31
S41

3.103c
3.103d

Per analizzare ciascuna delle 4 configurazioni sufficiente ricordare le espressioni, sotto riportate, dellammettenza di ingresso di una linea aperta e in corto circuito al variare della lunghezza
elettrica = 2l/ e quella del coefficiente di riflessione in funzione della ammettenza di un
bipolo:

224

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

l1/2

l1/2

l2/2

l2/2
M
E

(a )

(b )

l1/2

l1/2

l2/2

l2/2
M

(d )

(c )

Fig. 3.32 Eccitazione simmetrica e antisimmetrica di accoppiatore branch-line.

ca
Yin
=j Y0 tanh ()
ca
= j Y0 / tanh ()
Yin

in =

Y0 Y
Y0 + Y

in cui Y0 = 1/Z0 lammettenza di normalizzazione. Si ottiene per le quattro eccitazioni:


a

Y0 j Y01 tanh (1 ) j Y02 tanh (2 )


Y0 + j Y01 tanh (1 ) + j Y02 tanh (2 )

3.104

Y0 j Y01 tanh (1 ) + j Y02 / tanh (2 )


Y0 + j Y01 tanh (1 ) j Y02 / tanh (2 )

3.105

Y0 + j Y01 / tanh (1 ) j Y02 tanh (2 )


Y0 j Y01 / tanh (1 ) + j Y02 tanh (2 )

3.106

Y0 + j Y01 / tanh (1 ) + j Y02 / tanh (2 )


Y0 j Y01 / tanh (1 ) j Y02 / tanh (2 )

3.107

225

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

Y
0

0 2

, q

0 1

, q

Y
1

Y
0

Y
2

0 2

, q

Y
0

0 2

, q

0 1

, q
1

, q
1

(a )

0 1

(b )

, q
1

l1/2
Y

Y
2

0 2

, q

0 1

(c )

(d )

Fig. 3.33 Circuito equivalente per le quattro eccitazioni di cui alla Figura 3.32.

in cui Y01 e 1 sono lammettenza caratteristica e la lunghezza elettrica di met del ramo diretto
del branch e Y02 e 2 quelle del ramo trasversale (vedi Fig. 3.31).

Lanello ibrido
La struttura ad anello ibrido un particolare tipo di accoppiatore a quattro porte, mostrato nella Figura 3.34. Si pu dimostrare che, alla frequenza di centrobanda, la
matrice scattering della struttura si scrive:

Z0
0
j

Z02

j Z0
0

Z02
S=

Z0

0
j

Z
01

Z0
j
0
Z01

226

Z0
Z01
0

Z0
j
Z01
0

Z0
Z02

Z0
Z02
0

3.108

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

2
Z

Z
Z

l= l g/4

l= l g/4

0 1

l= l g/4
Z

0 2

0 2

Z
0

0 1

l= 3 l g/4
Fig. 3.34 Anello ibrido.

dove le due impedenze Z01 e Z02 devono soddisfare alla condizione:


Z02
Z02
2 +
2 = 1
Z01
Z02
necessaria alla reattivit della struttura (conservazione della potenza). Pertanto la
struttura adattata a tutte le porte a centrobanda; rispetto alla porta 1 la porta 2
accoppiata, la porta 3 isolata, la porta 4 accoppiata ma con fase di 180 . quindi
appropriato il nome di ibrido a 180 gradi assegnato alla struttura. Lanalisi del disaccoppiamento delle porte giustificata se si tengono presenti i cammini percorsi dal
segnale per andare da una porta allaltra.
Assegnato Z0 , vi quindi un solo grado di libert per determinare il grado di accoppiamento della struttura. In particolare, identificata con la porta 2 la porta accoppiata,

si ha C = Z0 /Z02 , 1 C 2 = Z0 /Z01 da cui immediatamente:


Z01 =
Z02 =

Z0
1 C2

Z0
C

3.109
3.110

227

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

In particolare, se si desidera un accoppiatore a 3 dB, baster porre Z01 = Z02 da cui,


tenendo conto della reattivit si ottiene:
Z01 = Z02 =

2Z0 .

Pertanto un accoppiatore su 50 richiede impedenze da 70.7 , perfettamente realizzabili in microstriscia. Si noti che lanello ibrido a 3 dB presenta impedenza uniforme
su tutto lanello.

3.6.

C OMBINATORI

E DIVISORI DI POTENZA

Negli amplificatori di potenza vi spesso il problema di dividere la potenza di ingresso


fra vari dispositivi attivi e poi di raccogliere luscita di tali dispositivi, combinandola
opportunamente. Loperazione di divisione e combinazione di potenza pu essere condotta attraverso accoppiatori direzionali a 3 dB, tuttavia vi sono altre strutture pi specifiche dedicate allo scopo, che presentano anche il vantaggio di una maggiore compattezza e semplicit. Un esempio di divisore di potenza di cui opportuno riportare
la trattazione qui (anche in vista della sua analogia con gli accoppiatori direzionali)
il cosiddetto divisore Wilkinson.

Divisori Wilkinson
La struttura di un divisore Wilkinson mostrata nella Figura 3.35. Lanalisi si pu effettuare tenendo presente che il divisore la connessione di tre due-porte, due linee
di trasmissione di impedenza caratteristica Z01 (ammettenza caratteristica Y01 ), lunghezza elettrica e una struttura a anomala con resistenza R oppure conduttanza G
(vedi Fig. 3.36). Un computo diretto basato sul calcolo delle correnti di entranti nelle
tre strutture connesse permette di ricavare la matrice ammettenza del divisore:

l
l
l
Y12
Y12
2Y11

l
l
R
R

Y=
Y12
Y12 Y11 + Y11

l
R
l
R
Y12
Y12
Y11 + Y11
ove gli elementi della matrice ammettenza di un tratto di linea di lunghezza elettrica sono:

228

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

l= l g/4

1
Z

Z
0

Z
0

0 1

R
0

0 1

l= l g/4
Fig. 3.35 Divisore Wilkinson.

l
l
Y11
= Y22
= jY01 cot

3.111

l
l
Y12
= Y21
= jY01 / sin

3.112

mentre la matrice ammettenza della struttura a :

Si ottiene pertanto:

j2Y01 cot

Y=
jY01 / sin

jY01 / sin

R
R
Y11
= Y22
=G

3.113

R
R
Y12
= Y21
= G.

3.114

jY01 / sin

jY01 / sin

G j2Y01 cot

G j2Y01 cot

A centrobanda, = /2, l = /4, per cui la matrice ammettenza normalizzata su Z0 :

0
jY01 Z0 jY01Z0

y = YZ0 = jY01 Z0
GZ0
GZ0

jY01 Z0 GZ0
GZ0

229

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

0 1

, l1

1
;

0 1

, l1
3

Fig. 3.36 Schema per analisi di divisore Wilkinson.

da cui la matrice scattering:

2
2
1 2Y01 Z0
2
Z02
1 + 2Y01

2jY01 Z0
S=
2
Z02
1+2Y01

2jY01 Z0
2
1+2Y01
Z02

2jY01 Z0
2
1 + 2Y01
Z02

2jY01 Z0
2
1 + 2Y01
Z02

2
2 G Y01 Z0 Z0

2
2
2 3 .
1+2GZ0 +2Y01 Z0 +4Y01 Z0 G

2
3

2
1 4Y01
Z03 G
2
2
1+2GZ0 +2Y01 Z02 +4Y01
Z03 G

2
2 G Y01
Z0 Z0
2
2
1+2GZ0 +2Y01 Z02 +4Y01
Z03 G

1 4Y01 Z0 G
2
2 3
1+2GZ0 +2Y01
Z02 +4Y01
Z0 G

Imponendo ladattamento alla porta 1, si ottiene:

Y01 = 1/( 2Z0 )


ossia:
Z01 =
da cui:

S = j

1
j
2

230

2Z0 ,

1
j
2
1 2GZ0
2 + 4GZ0


1
Z0
2 G
2Z0 2 + 4GZ0

1
j
2

Z0
1
2 G
2Z0 2 + 4GZ0
1 2GZ0
2 + 4GZ0

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

impongo poi adattamento alle porte 2 e 3, ottenendo:


R = 1/G = 2Z0 ,
da cui finalmente:

S = j

1
j
2

1
j
2
0
0

1
j
2

che implica adattamento a tutte le porte, isolamento fra le porte 2 e 3, trasmissione da


1 a 2 e da 1 a 3 con divisione a 3 dB di potenza, sfasamento di /2 fra lingresso
e luscita. Si noti che, contrariamente allaccoppiatore Lange e branch-line, le due
uscite non sono in quadratura, ma piuttosto in fase. La banda del divisore pari
a circa il 50% della frequenza di centrobanda; prestazioni migliori si ottengono da
divisori multisezione.

3.7.

C ONCLUSIONI

Nella Figura 3.37 sono riassunte le regole di progetto e il comportamento a centrobanda dei principali accoppiatori direzionali e divisori di potenza presi in esame nel corso
del capitolo. Alcune considerazioni finali possono essere utili:

Gli accoppiatori a linee accoppiate e branch-line presentano uno sfasamento


di 90 gradi fra le due-porte accoppiata e in trasmissione, e sono quindi detti
ibridi a 90 gradi soprattutto nella versione a 3 dB; lanello ibrido presenta uno
sfasamento di 180 gradi fra le due uscite (ibrido a 180 gradi) mentre il divisore
Wilkinson presenta le due uscite in fase.
Gli accoppiatori branch-line e ad anello ibrido consentono facilmente di avere
alto accoppiamento, mentre sono critici in condizione di basso accoppiamento; viceversa gli accoppiatori a linee accoppiate non consentono alto accoppia-

231

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

mento in pratica, se non nella versione a linea multiconduttore (accoppiatore


Lange).
Tutti gli accoppiatori direzionali distribuiti presentano dimensioni notevoli di
layout, dellordine del quarto di lunghezza donda; particolarmente ingombrante lanello ibrido che ha una periferia totale pari alla lunghezza donda.
Pertanto gli accoppiatori distribuiti sono poco usati nei circuiti integrati, soprattutto a frequenze relativamente basse, dove si preferiscono accoppiatori e
divisori realizzati mediante circuiti a parametri concentrati o combinazioni di
circuiti a parametri concentrati e distribuiti (accoppiatori compatti).

3.8.

Q UESITI

1. Illustrare la differenza di funzionamento fra un accoppiatore direzionale a 90


gradi e un accoppiatore a 180 gradi.
2. Discutere il layout di un accoppiatore direzionale branch-line.
3. Discutere il layout di un divisore di potenza Wilkinson.
4. Discutere il layout e funzionamento di un accoppiatore di Lange a quattro
conduttori nella modalit folded e unfolded.
5. Nel confronto fra diversi accoppiatori direzionali:
i. Laccoppiatore Lange ha dimensioni massime
ii. Laccoppiatore branch-line ha dimensioni massime
iii. Gli accoppiatori hanno dimensioni paragonabili.
6. Laccoppiatore Lange:
i. Ha banda larghissima, teoricamente infinita
ii. Pu realizzare accoppiamenti di 3 dB
iii. Si utilizza prevalentemente nei circuiti integrati, a causa delle
piccole dimensioni.
232

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

A c c o p p ia m e n to C

A c c o p p ia to re a 3 d B

S tru ttu ra e re la z io n i d i fa s e a c e n tro b a n d a

L in e e a c c o p p ia te

0 p

0 d

= Z
= Z

1 + C
1 - C
0

1 - C
1 + C
0

0 p

= 2 .4 1 4 2 Z

0 d

= 0 .4 1 4 2 Z

C Z
=

0 2

0 1

Z
2

0 2

0 1

= Z
Z

Z
0

Z
Z

0 1

0 2

1 - C
Z
0

Z
Z

= Z

0 2

= Z

Z
0

-jC

0 1

Z
0

Z
0

0 2

-jC

0 1

2
0

Z
0

0 d

, Z

0 p

A n e llo ib r id o

1 - C
C Z 0

B r a n c h lin e

-j 1 - C

Z
0

1 - C

0
0

0 2

1
Z

j 1 - C
2

0 1

D iv is o r e W ilk in s o n

Z
R

0 1

= Z
= 2 Z

2
0

Z
0

- j

0 1

1
2

R
Z
0

- j

1
2

Fig. 3.37 Sommario dei principali accoppiatori direzionali a parametri distribuiti.

7. Gli accoppiatori direzionali realizzati mediante linee accoppiate:


i. Per realizzare ladattamento a tutte le porte, devono essere chiusi su impedenze pari alla media geometrica della impedenza di
modo pari e dispari

233

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

ii. Per realizzare ladattamento a tutte le porte, devono essere chiusi


su 50
iii. Sono adattati a tutte le porte indipendentemente dalla impedenza
di chiusura.
8. Due linee accoppiate simmetriche:
i. Hanno impedenza di modo pari uguale allimpedenza di modo
dispari
ii. Hanno impedenza di modo pari sempre maggiore di quella di
modo dispari
iii. Hanno impedenza di modo pari sempre minore di quella di modo
dispari.
9. Un accoppiatore direzionale realizzato con microstrisce accoppiate:
i. Pu facilmente raggiungere accoppiamenti di 3 dB
ii. Non pu raggiungere accoppiamenti di 3 dB per motivi
tecnologici
iii. Dalla teoria degli accoppiatori direzionali, ha valore massimo
teorico di accoppiamento pari a 6 dB.
10. In due microstrisce accoppiate:
i. Il modo pari e il modo dispari hanno esattamente la stessa velocit
di fase
ii. Il modo pari e il modo dispari non hanno esattamente la stessa
velocit di fase
iii. Il modo pari ha velocit di fase sempre doppia di quello dispari.
11. Illustrare il funzionamento di un accoppiatore direzionale multiconduttore
interdigitato e la sua equivalenza con un accoppiatore a due conduttori.
12. In un accoppiatore Lange a N conduttori, N pari:

234

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

i. Il numero di conduttori deve esssere il pi grande possibile


ii. Il numero di conduttori ottimale 4, per N maggiore le
prestazioni peggiorano
iii. Le prestazioni migliorano al crescere di N , ma per N maggiore
di 4 o 6 la struttura troppo complessa per essere conveniente.
13. Dal punto di vista tecnologico:
i. Laccoppiatore di Lange il pi semplice da realizzare
ii. Laccoppiatore branch-line il pi semplice
iii. Il divisore Wilkinson il pi semplice.
14. Leffetto di dissincronismo in un accoppiatore a linee accoppiate
particolarmente nocivo su:
i. Adattamento
ii. Accoppiamento e trasmissione
iii. Direttivit (isolamento).
15. Illustrare possibili tecniche di compensazione di accoppiatori a linee
accoppiate.
16. Illustrare il funzionamento e il layout dellaccoppiatore ad anello ibrido.
17. Un accoppiatore a linee accoppiate da 3 dB chiuso su 50 . Le impedenze
di modo pari e dispari valgono:
i. Circa 120 e 20 , rispettivamente
ii. Circa 20 e 120 , rispettivamente
iii. Entrambe sono pari a circa 70 .
18. Un accoppiatore ad anello ibrido da 3 dB su 50 realizzato alla frequenza
di centrobanda di 5 GHz su un substrato con permettivit efficace pari a 2.
Dimensionare laccoppiatore (lunghezza e impedenze).

235

3. ACCOPPIATORI DIREZIONALI E DIVISORI DI POTENZA

19. Un accoppiatore branch-line da 3 dB su 50 realizzato alla frequenza di centrobanda di 5 GHz su un substrato con permettivit efficace pari a 2. Quanto
valgono le impedenza dei due lati e la lunghezza dei lati stessi?
20. Un divisore Wilkinson su 50 realizzato alla frequenza di centrobanda di
5 GHz su un substrato con permettivit efficace pari a 2. Dimensionare il
divisore (lunghezza, impedenze, resistenza di chiusura).

236

A. RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI


TRASMISSIONE

A.1.

DALLE

EQUAZIONI

DI

M AXWELL

ALLE

EQUAZIONI

DEI

TELEGRAFISTI

In Figura A.1 mostrata una sezione di una linea bifilare, formata da due conduttori paralleli, aventi sezione costante lungo lasse z; il dielettrico che circonda i due
conduttori omogeneo e i conduttori sono supposti per ora ideali ( = ).
La condizione = implica che sia il campo elettrico E sia quello magnetico H
si annullano allinterno del metallo. Supponiamo di cercare soluzioni per le quali
il campo elettromagnetico longitudinale (ossia diretto lungo z) identicamente nullo; tali soluzioni si dicono onde TEM (Trasverso Elettro Magnetiche). Si noti che
la soluzione TEM compatibile con il comportamento della struttura in presenza di
una eccitazione continua (costante nel tempo); quindi plausibile che tale soluzione
esista indipendentemente dalla frequenza, ossia non presenti una frequenza di taglio
inferiore.
Per determinare soluzioni TEM occorre risolvere le equazioni di Maxwell imponendo
Ez = Hz = 0 in tutta la sezione trasversale. Esplicitando le componenti di E e H e
utilizzando la prima equazione di Maxwell in forma integrale (la dipendenza da t
sottointesa), otteniamo:

237

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE


[Ex (z)dx + Ey (z)dy + Ez (z)dz] =
xy


Hz (z)dxdy
Sxy

in cui il cammino xy giace nel piano ortogonale allasse della linea (piano xy) (vedi
Fig. A.1). Se imponiamo lannullarsi dei campi longitudinali, la prima equazione
diventa:



[Ex (z)dx + Ey (z)dy] =

xy

ET (z) dl = 0.

A.1

xy

La condizione A.1 , nel piano trasversale, la stessa cui soddisfa il campo elettrico
statico; quindi possibile derivare il campo elettrico trasversale da un potenziale:
ET (x, y; z) = T v(x, y; z) =

v(x, y; z)
v(x, y; z)
x

y
x
y

il che equivale a dire che possibile definire, in ogni sezione z =costante, la differenza
di potenziale fra i due conduttori lungo un cammino arbitrario nel piano trasversale
che unisca i due conduttori A e B:


ET (z) dl

v(z) =
A

Si noti che, contrariamente al caso statico, le precedenti relazioni coinvolgono


grandezze tempovarianti, e la funzione potenziale v(z) varia lungo lasse z.
Consideriamo ora la Figura A.1 e applichiamo la A.1 (legge di Faraday in forma
integrale), sul percorso chiuso l ; si ha:



[Ex(z)dx + Ey (z)dy + Ez (z)dz] =


Hy (z)dxdz.
t S
l
Si tenga presente che siamo interessati a ricavare conclusioni nel limite z 0. Poich il campo elettrico lungo z per ipotesi nullo, il contributo dellintegrale di sinistra
della A.1 associato al campo trasversale nei tratti verticali di l ; tale contributo si
pu esprimere utilizzando il potenziale v(z); si ottiene quindi:

E(z) dl = vB (z + z) vB (z)
l

in cui vB (z) il potenziale del conduttore B rispetto al conduttore A, scelto come


riferimento. Il secondo integrale della A.1 il flusso del campo magnetico, sulla
superficie Sl sottesa a l , che indichiamo con S (z). La A.1 si pu quindi scrivere

238

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

come:
vB (z + z) vB (z) =

S (z, t)
t

ove la dipendenza del flusso da t stata esplicitata. Se la linea bifilare immersa in


un mezzo magneticamente lineare, il flusso dipende linearmente dalla corrente i(z, t)
concatenata con il campo magnetico; il coefficiente di proporzionalit linduttanza
L = Lz del tratto di linea, ossia:
S (z, t) = Lzi(z, t).
ove L linduttanza per unit di lunghezza della linea. Combinando le due equazioni
precedenti si ottiene:
vB (z + z) vB (z) = Lz

i(z, t)
t

e quindi:
vB (z + z) vB (z)

= L i(z, t)
z
t
ossia, passando al limite per z 0:

v(z, t) = L i(z, t)
z
t
in cui si posto per brevit v = vB . Lequazione differenziale a derivate parziali cos
ricavata prende il nome di prima equazione delle linee (o dei telegrafisti).
Una seconda equazione differenziale si ricava dalla seconda equazione di Maxwell:




[Hx (z)dx + Hy (z)dy + Hz (z)dz] = 


Ez (z)dxdy +
Jz (z)dxdy
t S
l
S
ove Jz (z) la densit di corrente del conduttore circondato dal percorso chiuso l .
Tenendo conto dellannullarsi delle componenti longitudinali, si ha:



[Hx (z)dx + Hy (z)dy] =
H(z) dl =
Jz (z)dxdy = i(z);
l

dove i(z) la corrente nella linea; vale cio ancora la legge quasi-statica di Ampre. Attraverso considerazioni sullandamento allinfinito del campo magnetico, poi
possibile dimostrare che la corrente che scorre nel secondo conduttore deve essere,
239

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

S
V

@
B

S
@

C
C

S
l

C
x y

x y

z+ , z
z

Fig. A.1 Linea bifilare e relativa sezione trasversale.

sezione per sezione, uguale e opposta a quella che scorre nel primo conduttore.
Consideriamo unultima volta la seconda equazione di Maxwell, applicandola alla
superficie chiusa SV che circonda il volume V :




H(z)dl = 
E(z) ds +
J (z) ds
t SV
S
SV

A.2

Si noti che se una superficie chiusa la curva sottesa S tende a zero; pertanto
lintegrale di sinistra si annulla e si ottiene:



E(z) ds +
J (z) ds = 0

t SV
SV
I contributi dovuti alla corrente di conduzione sono presenti solo sulle due basi del
cilindro V e sono diretti lungo lasse z; pertanto:

J (z) ds = i(z + z) i(z)
SV

(si noti che la superficie ha normale uscente). Al contrario i contributi di corrente


di spostamento esistono solo sulla superficie laterale che circonda il volume V ; si ha
allora, applicando il teorema di Gauss in forma integrale:




E(z) ds =
[E(z)] dV =
dV = q(z, t)

t SV
t V
t V
t

240

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

ove q(z, t) la carica totale presente nel volume V. Definita una capacit per unit
di lunghezza C del conduttore (rispetto allaltro, utilizzato come riferimento), si pu
allora associare la carica totale alla differenza di potenziale fra i due conduttori, ossia:
q(z, t) = Czv(z, t)
da cui, riunendo i risultati precedenti, si ha:
i(z + z) i(z) + Cz

v(z, t) = 0
t

o, passando al limite per z 0,

i(z, t) = C v(z, t)
z
t
detta seconda equazione dei telegrafisti.
Le equazioni dei telegrafisti si prestano ad una interpretazione circuitale che consente
anche di estendere il modello tenendo conto di effetti dissipativi (conducibilit finita
dei fili e perdite per conduzione nel dielettrico) in modo empirico, senza dover ripartire
dalle equazioni di Maxwell.
Consideriamo il circuito elettrico riportato in Figura A.2 che rappresenta il modello
di una sezione di linea di lunghezza z; applicando le equazioni di Kirchhoff per
corrente e tensione si ottiene:

v(z, t)
t

v(z) = v(z + z) + Lz i(z, t)


t
i(z) = i(z + z) + Cz

Passando al limite per z 0 si ottiene:

z i(z, t) = C t v(z, t)

v(z, t) = L i(z, t)
z
t

A.3

ossia il sistema delle equazioni dei telegrafisti. Il circuito equivalente distribuito di


Figura A.2 quindi adatto a modellare la linea di trasmissione; i componenti che
compaiono in esso sono del resto proprio quelli che rappresentano gli accoppiamenti

241

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

I(z)

L d z

I(z+ d z)

V (z)

d z

V (z+ d z)

d z
Fig. A.2 Circuito equivalente a parametri concentrati di sezione infinitesima di linea
senza perdite.

capacitivi e induttivi presenti nei campi elettromagnetici tempo varianti; il modello


comunque anche corretto in continua (la linea ideale si riduce ad un cortocircuito).
Il modello circuitale pu essere modificato in modo semiempirico per tenere conto
della caduta di tensione sui conduttori dovuta alla loro resistenza serie e della corrente
di conduzione che passa nel dielettrico affetto da perdite. A questo scopo sufficiente
aggiungere la resistenza serie per unit di lunghezza R e la conduttanza parallelo per
unit di lunghezza G (perdite nel dielettrico); il modello riportato in Figura 1.6 , e il
corrispondente sistema di equazioni differenziali risulta essere il seguente:

i(z, t) = C v(z, t) + Gv(z, t)

z
t


v(z,
t)
=

L
i(z,
t)
+
Ri(z,
t)

z
t

A.2.

S OLUZIONE

A.4

DELLA EQUAZIONE DEI TELEGRAFISTI

Allo scopo di risolvere le equazioni dei telegrafisti opportuno esprimere il sistema


nel dominio della frequenza, rappresentando tensioni e correnti sinusoidali nel tempo
v(z, t) e i(z, t) con i rispettivi fasori V (z, ) e I(z, ). Tenendo presente che nel
dominio della frequenza /t j la A.4 diventa:

242

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

V (z, ) = (jL + R)I(z, )


z

I(z, ) = (jC + G)V (z, )


z

A.5

Allo scopo di risolvere il sistema, riscriviamolo nella forma:

V (z, )
0
jL + R
V (z, )
V (z, )
A.6

=M
=
z I(z, )
I(z, )
jC + G
0
I(z, )
ove la matrice associata al sistema :

M =

jL + R

jC + G

La soluzione si pu allora esprimere come:


V+
V (z, )

= A exp (z)
V
V
I(z, )
ove la matrice degli autovalori di M , AV quella degli autovettori:

AV

0
(jL + R)(jC + G)

=

0
(jL + R)(jC + G)

1
1

.


=

jC + G
jC + G

jL + R
jL + R

Infine V0+ e V0 sono costanti da determinare in base alle condizioni al contorno.


Esplicitando la relazione precedente si ottiene:

V (z, ) = V0+ exp ( (jL + R)(jC + G)z)+

+V0 exp ( (jL + R)(jC + G)z) = V + (z) + V (z)




jC + G

exp ( (jL + R)(jC + G)z)+


I(z, ) = V0+

jL + R

jC + G

V0
exp ( (jL + R)(jC + G)z) =I + (z) + I (z)

jL + R
A.7

243

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

Per meglio interpretare il significato della A.7 immaginiamo di poter fissare le condizioni al contorno in modo che V0 = 0 (da cui V (z) = 0) e valutiamo la tensione
nel dominio del tempo v(z, t):

v(z, t) = Re[V + exp ( (jL + R)(jC + G)z + jt)]

A.8

ossia, posto:
+ j = =


(jL + R)(jC + G).

si ottiene:
v(z, t) = Re[V + exp ((( + j)z + jt))].

A.9

La A.9 rappresenta una onda che si propaga nella direzione z (onda progressiva) con
velocit vf = / e che si attenua propagandosi con fattore di attenuazione . A sua
volta la corrente una onda che si propaga nella direzione z con la stessa velocit e lo
stesso fattore di attenuazione della tensione; inoltre il rapporto tra tensione e corrente
non cambia al variare di z:
V + (z, )
=
I + (z, )

jL + R
Z .
jC + G

Il parametro Z (indicato anche spesso con Z0 ) ha ovviamente le dimensioni di una


impedenza e viene chiamata impedenza caratteristica della linea.
In conclusione quindi:
La tensione e la corrente sono sovrapposizione di due soluzioni elementari, V +
e V (I + e I ), che rappresentano la tensione e la corrente associate ad unonda progressiva e regressiva, rispettivamente; lampiezza iniziale dellonda
progressiva e regressiva di tensione indicata con V0 , rispettivamente;
Lampiezza della corrente e della tensione progressiva (regressiva) sono legate
dallimpedenza caratteristica, ossia V (z) = Z I (z).

244

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

Nel caso di conduttori e dielettrico ideali (R = 0 e G = 0) si ottiene:

=0

= LC


1
1
c0

vf
=
=
=

0 r
r

 LC

Z =
C
in cui si utilizzato il fatto che, come si pu dimostrare partendo dalle equazioni di
Maxwell, unonda elettromagnetica TEM che si propaga su una linea di trasmissione
ha velocit di fase pari alla velocit della luce nel mezzo, da cui LC = , e si
posto c0 = 3 108 m/s (velocit della luce nel vuoto). Siamo cio in presenza di
una onda che si propaga nella direzione delle z positive, senza attenuarsi ( = 0) e
con ampiezza pari a V + , con velocit pari a quella che avrebbe la luce nello stesso
dielettrico. Tensione e corrente sono legate dallimpedenza caratteristica della linea.
Analogamente, se le condizioni al contorno impongono V0+ = 0 (da cui anche
V (z) = 0), si trova che tensione e corrente si propagano con la stessa velocit ma
nella direzione opposta, ossia delle z negative (onda regressiva). Inoltre il rapporto tra
tensione e corrente ora pari a Z .

ESEMPIO A.1

Giustificare il simbolo Z per limpedenza caratteristica.

Per capire perch allimpedenza caratteristica della linea solitamente si associa il simbolo

Z consideriamo la cella elementare di linea di lunghezza z, caricata con Zx alluscita, e


calcoliamo il valore che occorre assegnare a Zx affinch limpedenza Zinp sia ancora pari a
Zx ; troviamo:
Zinp = jLz +

Zx
jCzZx + 1

245

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

Facendo diventare z infinitesimo, trascurando i termini del secondo ordine e imponendo


Zinp = Zx si trova Zx =

L/C = Z . Pertanto limpedenza vista allingresso di un

numero arbitrario n di segmenti di linea posti in cascata e chiusi su Z sar sempre pari a
Z . Per n tendente a infinito Zx = Z limpedenza vista ai capi di una linea con lunghezza
infinita, da cui il simbolo Z .

Le onde progressiva e regressiva rappresentano i modi di propagazione propri della


struttura, le cui caratteristiche dipendono dai parametri per unit di lunghezza L, C,
R, G . Lampiezza dellonda progressiva e regressiva sono determinate in tutta la
linea dalle condizioni al contorno, che equivalgono alle condizioni di carico (ossia di
connessione elettrica) alle estremit della linea stessa. Si noti che modo progressivo e
regressivo non interagiscono, per cui se ne conosciamo lampiezza in una certa sezione
z noto il loro andamento lungo tutta la linea.
Consideriamo ad esempio un linea di lunghezza L alle cui estremit sono note le
tensioni totali. Per determinare lampiezza della tensione progressiva e regressiva, e
quindi della tensione e della corrente totali sulla linea, occorre risolvere il seguente
sistema:

V (0) = V0+ + V0

V (L) = V + exp (jL) + V exp (jL)


0

quindi:

V (0) V (L) exp (jL)

V0 =
1 exp (2jL)

V (0) V (L) exp (jL)

V0 =
1 exp (2jL)

e la tensione e corrente sulla linea al variare di z sono date da:

V (0)V (L) exp (jL)


V (0)V (L) exp (jL)

exp (jz)+
exp (jz)

V (z) =
1 exp (2jL)
1 exp (2jL)

I(z) = 1

246

 V (0)V (L) exp (jL)


1exp (2jL)

exp (jz)

V (0)V (L) exp (jL)


exp (jz)
1exp (2jL)

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

da cui immediato identificare le componenti progressive e regressive di tensione e


corrente.
Supponiamo di alimentare la linea alla estremit di sinistra (1) con un generatore Vs
(V (0) = Vs ) e chiudere lestremit di destra (2) in corto circuito (VL = 0); si trova:

exp (jL)

V0+ = jVs
2 sin L

exp (jL)

V0 = jVs
2 sin L
mentre per tensione e corrente lungo la linea:

sin (L z)

V (z) = V (z) + V (z) = V (0) exp (jz) + V (0) exp (jz) = Vs


sin L

I(z) = I + (z) + I (z) = V (0) exp (jz) V (0) exp (jz) = jVs cos (L z)
Z

Z sin L

A.10

interessante osservare che tensione e corrente lungo la linea variano, e si ripetono


periodicamente lungo la linea ogni g = (2/); tale parametro prende il nome di
lunghezza donda guidata della linea. Si osservi inoltre che il risultato ottenuto
molto diverso da quello che troveremmo in continua; in tal caso infatti non sarebbe
possibile collegare le due estremit a due potenziali diversi poich la linea si riduce ad
un corto circuito.

A.3.

I L COEFFICIENTE

DI RIFLESSIONE E LA CARTA DI

S MITH

Come si osservato, le ampiezze del modo progressivo e regressivo in una sezione


della linea determinano univocamente tensioni e correnti su tutta la linea. Si preferisce spesso individuare le due ampiezze assegnando ad esempio V + (ossia V0+ ) e il
rapporto (z) = V (z)/V + (z), detto coefficiente di riflessione. Valutiamo in quale
modo il coefficiente di riflessione varia al variare di z; si ha immediatamente:
(z) =

V (z)
V (0) exp (jz)
=
= (0) exp (2jz)
V + (z)
V + (0) exp (jz)

A.11

247

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

ossia (z) si ripete periodicamente lungo la linea con periodicit dimezzata (cio ogni
g /2), contrariamente alla tensione e alla corrente, che presentano periodicit g . Si
noti che il coefficiente di riflessione noto ovunque sulla linea quando noto in un
punto della linea.
Il coefficiente di riflessione ha una evoluzione semplice lungo la linea; il fasore corrispondente, come risulta dalla A.11, conserva infatti invariato il modulo e ruota attorno
allorigine con periodicit g /2. Il comportamento si modifica in presenza di perdite
(attenuazione); in questo caso infatti:
(z) =

V (z)
V (0) exp (z + jz)
=
= (0) exp (2z + 2jz)
V + (z)
V + (0) exp (z jz)

ossia il vettore nel piano complesso (z) descrive una spirale.


Per calcolare il legame esistente tra limpedenza in una certa sezione della linea e il
coefficiente di riflessione basta ricordare il legame tra impedenza e tensione e corrente:
Z(z) =

V + (z) + V (z)
1 + (z)
V (z)
V + (z) + V (z)
A.12
= +
= Z +
= Z

I(z)
I (z) + I (z)
V (z) V (z)
1 (z)

Y (z) =

I(z)
I + (z) + I (z)
1 V + (z) V (z)
1 1 (z)
A.13
= +
=
=

Z(z) V (z) + V (z) Z V + (z) + V (z) Z 1 + (z)

mentre le formule per il passaggio inverso sono:


(z) =

z(z) 1
Z(z) Z
=
Z(z) + Z
z(z) + 1

A.14

(z) =

Y Y (z)
1 y(z)
=
Y + Y (z)
1 + y(z)

A.15

1
in cui si introdotta la ammettenza caratteristica Y = Z
e limpedenza e am-

mettenza normalizzate, rispettivamente z(z) = Z(z)/Z e y(z) = Y (z)/Y .


quindi immediato valutare limpedenza nella sezione z della linea una volta noto il
coefficiente di riflessione nella stessa sezione.
Per vedere come risulti conveniente utilizzare il coefficiente di riflessione anzich
le convenzionali grandezze, esaminiamo un problema classico per le linee di trasmissione, cio quello di calcolare limpedenza di ingresso (cio nella sezione z = 0) di
una linea senza perdite chiusa allaltra estremit (cio nella sezione z = L) su una

248

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

impedenza ZL . Si ha immediatamente:
(L) = (ZL Z )/(ZL + Z )

A.16

da cui:
(0) =

ZL Z
exp (2jL)
ZL + Z

e quindi:
ZL Z
exp (2jL)
ZL + jZ tan L
ZL + Z
= Z
Z(0) = Z
ZL Z
Z + jZL tan L
1
exp (2jL)
ZL + Z
1+

Se ad esempio la linea cortocircuitata ZL = 0 allora Z(0) = Z j tan L, risultato


uguale a quello che si trova calcolando il rapporto tra A.10.2 e A.10.1 per z = 0.
I risultati finora trovati sono relativi a una linea senza perdite; per il caso generale
basta operare la sostituzione j nelle formule precedenti. Si ha ad esempio:
(0) =

ZL Z
exp (2L 2jL)
ZL + Z

ossia, in presenza di perdite, il modulo del coefficiente di riflessione tende a ridursi


dalluscita allingresso della linea, ossia migliora la condizione di adattamento rispetto
allimpedenza caratteristica. Essendo poi tan (jL) = j tanh (L), si trova:
Z(0) = Z

ZL + Z tanh L
Z + ZL tanh L

che nel caso di linea in cortocircuito si semplifica in Z(0) = Z tanh L. Notiamo


infine che per Z = 0 si ha = 1, per Z = si ha = 1 ossia un corto circuito e
un circuito aperto riflettono totalmente londa incidente; viceversa se Z = Z , = 0
ossia si ha riflessione nulla (condizione di adattamento di conformit).
La relazione A.16 fra limpedenza normalizzata e il coefficiente di riflessione:
=

z1
z+1

A.17

pu essere vista come una funzione di variabile complessa; trattandosi di una funzione
analitica valgono le propriet seguenti:

249

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

0 .
0 6
4

7 0

0 .
4

45
5 0

1 .2

1 .4

0 .7

1 .6

3 0

1 .8

0 .2

2 .0

5 0

0 .
3

0 .
1
8

2 5

0 .4

/ Z
o

0 .2

1 4
0

0 .3
3

4 0

0.
4

(+

jX

2 0

0 .2 8

E N
P O
N

0 .3

1 .0

5 .0

2 0

0 .2

1 0

0.
8

0 .6

1 0

0 .1

0 .4

2 0

0 .0

5 0

2 0

1 0

5 .0

4 .0

3 .0

2 .0

1 .8

1 .6

1 .4

1 .2

1 .0

0 .8

0 .7

0 .5

0 .4

0 .3

0 .2

0 .9

(G /Y o )

<

0 .2

L O A D

2 0
o )
jB / Y
E (N C
T A
E P
S C
S U
E
IV

1 .0

C T
D U

-8 0

2 .0

1 .6
1 .4

0 .7

1 .0

-1 1 0

-8 0

0 .1 4
0 .3 6

0 .9

1 .2

0 .3 5

-4

-4

0 .1 5

-7 0

-5

6
0 .1

4
0 .3

-3 5

0 .8

3
0 .3

7
0 .1

0 .6

1 .8

0 .2

-6 0
-3 0

-5

-9 0
0 .1 2

0 .1 3

0 .3 8

0 .3 7

0 .1 1
-1 0 0

0 .1

5
0 .0
6

-7 0

-1

(-

0 .5

0
-5
-2 5

-1

3 0

0 .
0

7
0 .
4

-6 0

1
0 .

E N

-6 5

0 .
3

3
0 .

4 0

jX

0
0.

0 .0
-1 2
8
0
C A P
A C
IT I
V E
R E
A C
T
A N
C E
C O
M
P O

0 .
1

4
.4

0 .4

5
0 .4

-4

0 .3

,
o )
/ Z

-7 5

IN

0 .6

0 .0
0
-1 5

0 .8
-2 0
3 .0

<

1 .0

6
0 .4

0 .2
9

0 .2
1

-1 5
4 .0

A R D
T O W
T H S
-1 7 0
E N G
V E L
W A
0
-9 0
-1 6
-8 5

0 .2 8

0 .2

4
0.

0 .2 2

-3 0

0 .3

5 .0

0 .4 8

1 0
8
0.

0 .2

0 .2 7

0 .6

-2 0

7
0 .4

0 .2 6

0 .2 3
D E G R
E E S
D E G R
E E S

0 .4

0 .1

-1 0

0 .0

0 .6

C O M P O N E N T

5 0

(R /Z o ), O R C O N D U C T A N C E

C O M P O N E N T

5
0 .2 4
O E F F IC IE N T IN

` 1 8 0

0 .1

> W

0 .2

5 0

C O E F F IC IE N T
IN

R E S IS TA N C E

0 .4 9

0 .2
0 .2 4
0 .2 3
0 .2
0 .2 6
C
0 .2 7
R E F L E C T IO N
L E O F
A N G
IS S IO N
T R A N S M
L E O F
A N G

9 0

1 5
0 .2 2

IN D
U C T
IV E
R E
A C
T A
N C
E C
O M

4 .0
0
1 .

9
0 .2

0 .8

1
0 .2

G E N
E R A
T O
R
0 .4 7
>
0 .0
1 6 0
4
0 .4
8 5
6
1 5
0
8 0

7 5

0
3 .

0 .6

3 0

A V E L E N
G T H S
T O W
A R D
0 .4 9
0 .4 8
1 7 0

0 .3

0 .0
5

0 .1
7

6 0

0 .4
5

0 .3
4

3 5

3
0.

C
P A
C A

IT

0 .1
6

7 0

),

4 0

1
0.

)
/ Y o
( + jB
C E
A N
P T
C E
U S
S
E
IV
0 .6

3
0
1 3

0 .5

4
0 .

6 5

0
1 2

6 0

2
0 .4

7
.0

0 .1 5
0 .3 5

8 0

0 .8

8
0 .0

1 10

0 .9

1
0 .4

0 .1 4
0 .3 6

9 0

5 5

9
0 .0

0 .3 7

0 .3 8

0 .3 9
1 0 0

0 .4

0 .1 3

0 .1 2

0 .1 1
0 .1

1 .0

A.

0 .0
9

0 .4
2

0 .4
1

0 .4

0 .3 9

Fig. A.3 Carta di Smith.

langolo che due curve formano nel piano z lo stesso che le due curve
trasformate formano nel piano ;
circonferenze (al limite rette) nel piano z si trasformano in circonferenze (al
limite rette) nel piano ;
le rette verticali nel piano z che rappresentano luoghi di punti a parte reale
costante dellimpedenza si trasformano in circonferenze nel piano con centro
sullasse reale;

250

A.

RICHIAMI DI TEORIA DELLE LINEE DI TRASMISSIONE

le rette orizzontali nel piano z che rappresentano luoghi di punti a parte immaginaria costante dellimpedenza si trasformano in circonferenze nel piano
passanti per lorigine;
tutti i punti del semipiano Re(z) > 0 sono trasformati in punti interni alla circonferenza di raggio unitario, cio se Re(z) 0 allora || 1 e in particolare
per le impedenze puramente reattive, per cui Re(z) = 0, || = 1.
Questi concetti sono tradotti graficamente nella cosidetta carta di Smith (dal nome
dellinventore) (vedi Fig. A.3). Essa riporta, opportunamente quotate, un certo numero di circonferenze corrispondenti a impedenze a parte reali e immaginarie costanti;
il localizzato allintersezione tra la circonferenza corrispondente alla parte reale
e a quella immaginaria di z = Z/Z. La carta di Smith, molto utilizzata soprattutto prima dellavvento dei nuovi strumenti di CAD elettronico, permette di ricavare
graficamente il valore di associato ad una impedenza o ammettenza, nota limpedenza caratteristica. Utilizzando un semplice compasso, e nota la lunghezza elettrica
della linea, quindi possibile ricavare immediatamente il coefficiente di riflessione di
ingresso, e di qui, graficamente, leggere limpedenza normalizzata corrispondente e
quindi ricavare limpedenza di ingresso. La carta di Smith pu inoltre essere utilizzata per effettuare trasformazioni impedenza-ammettenza e per realizzare graficamente
reti di adattamento; inoltre largamente impiegata nella rappresentazione grafica e
nella strumentazione.

251

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E


DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

B.1.

A NCORA

SULLE LINEE

TEM, QUASI -TEM,

NON

TEM

Dal punto di vista della caratterizzazione delle linee di trasmissione e guide donda,
importante distinguere fra le strutture guidanti TEM, quasi-TEM e non-TEM:

Le linee TEM sono strutture a sezione trasversale omogenea e almeno duplicemente connessa, cio ci sono almeno due conduttori separati. Una linea
TEM duplicemente connessa porta un modo TEM, una linea (multiconduttore) formata da n conduttori pi un conduttore di riferimento (massa) porta n
modi TEM. In una struttura guidante TEM priva di perdite nei conduttori metallici il campo elettrico e magnetico puramente trasversale, ossia giace
nella sezione trasversale della linea, da cui il nome TEM, Trasverso Elettro
Magnetico.1

Se vi sono perdite nei conduttori metallici il passaggio di corrente induce piccole componenti
di campo elettrico lungo lasse z di propagazione della linea. Le perdite nei dielettrici che
circondano i conduttori sono viceversa compatibili con la propagazione di un modo TEM ideale.

253

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

La velocit di propagazione del modo TEM c0 / r , dove c0 la velocit della luce nel vuoto, r la permettivit dielettrica del mezzo omogeneo che
circonda la linea; pertanto la velocit di propagazione non dipende dalla frequenza. infine possibile definire una impedenza caratteristica (rapporto fra
tensione e corrente di unonda progressiva) indipendente dalla frequenza.
Le linee TEM possono in generale portare, oltre al modo TEM, anche modi
superiori caratterizzati da una frequenza di taglio; tali modi sono TE e TM
(trasverso elettrico o magnetico).
Esempi: la linea bifilare, la stripline, il cavo coassiale.
Le linee quasi-TEM sono strutture a sezione trasversale non omogenea anche se almeno duplicemente connessa. A causa della non omogeneit, i campi
elettrici e magnetici non sono pi puramente trasversali, ma esistono componenti longitudinali di campo che crescono al crescere della frequenza. Il modo
fondamentale di propagazione , a frequenza bassa, simile ad un modo TEM e
pertanto prende il nome di modo quasi-TEM.
Il modo quasi-TEM contraddistinto da un impedenza caratteristica e una
velocit di fase variabili con la frequenza (dispersione). Si usa porre:
c0
vf (f) = 
e (f)

B.1

ove e la permettivit efficace del modo. Di solito:


(r + 1)/2 < e < r

B.2

e e varia con la frequenza di lavoro (debolmente per frequenze basse).


Le linee quasi-TEM possono portare, oltre al modo fondamentale quasi-TEM,
anche modi superiori che di solito sono associati alla propagazione di onde superficiali nei dielettrici non-omogenei; analogamente ai modi di propagazione delle guide dielettriche, tali modi sono ibridi ossia prevedono componenti
longitudinali e trasversali diverse da zero per i campi elettrici e magnetici.

254

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

Esempi: la microstriscia, le microstrisce accoppiate, le linee coplanari.


Nelle linee non TEM la struttura semplicemente connessa, cio presente un
solo conduttore metallico (guide donda metalliche) o addirittura non vi sono
conduttori metallici (guide dielettriche, fibre ottiche). I modi di propagazione sono TE e TM se la struttura trasversalmente omogenea, ibridi altrimenti.
Limpedenza caratteristica e la velocit di fase dipendono fortemente dalla frequenza; in molti casi non si ha propagazione per f < fc , fc frequenza critica
o di taglio del modo di propagazione.
Esempi: la slot line, la fin line, le guide donda metalliche, le guide
dielettriche, le fibre ottiche.

Le tecniche di analisi delle strutture guidanti TEM e quasi-TEM si possono dividere


in due categorie:

le tecniche quasi-statiche, che hanno lo scopo di valutare i parametri caratteristici della linea di trasmissione (capacit, induttanza, resistenza, conduttanza
per unit di lunghezza) mediante la soluzione di problemi elettrostatici e/o
magnetostatici;
le tecniche dinamiche o full-wave che risolvono le equazioni di Maxwell (o
equazioni da esse derivate) numericamente o analiticamente in modo da fornire
una soluzione esatta sia per il modo di propagazione fondamentale che per i
modi superiori.

Come ovvio le tecniche quasi-statiche sono pi semplici e spesso portano ad un risultato in forma chiusa, mentre le tecniche full-wave richiedono metodi numerici per la
loro applicazione. Per le guide non-TEM sempre indispensabile applicare tecniche
full-wave, anche se in molti casi possibile ricorrere ad approssimazioni o soluzioni
analitiche. Esempi sono le guide donda chiuse aventi sezione opportuna (rettangolare,

255

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

cilindrica, ellittica) per le quali esiste una soluzione in forma chiusa mediante la tecnica di separazione delle variabili, oppure vari tipi di guide dielettriche che ammettono
soluzioni esatte o approssimate in forma analitica per i parametri di propagazione.

B.2.

T ECNICHE

DI ANALISI QUASI - STATICA DI LINEE QUASI -TEM

Dal punto di vista della analisi quasi-TEM, i parametri caratteristici della linea sono
limpedenza caratteristica Z0 e la costante di propagazione complessa . Tali parametri sono funzione della induttanza e resistenza per unit di lunghezza (L e R, rispettivamente) e della capacit e conduttanza per unit di lunghezza ( L e R, rispettivamente),
secondo le espressioni:

Z0 =

R + jL
G + jC


= (R + jL)(G + jC).

B.3

B.4

Si pu notare che la presenza delle perdite serie e parallelo rende i parametri caratteristici dipendenti dalla frequenza in un campo di frequenze che, per linee integrate,
pu estendersi fino a qualche GHz. Questo vale anche nel caso in cui i parametri per
unit di lunghezza sono costanti in frequenza. In realt tali parametri sono comunque
funzione della frequenza. In particolare:

la conduttanza dipende in generale dalla frequenza tutte le volte che legata


alle perdite in un dielettrico caratterizzato da un certo angolo di perdita; nel
caso in cui la linea comprenda strati conduttori caratterizzati da una conducilibit costante in frequenza tale dipendenza pu complicarsi e coinvolgere
anche quella della capacit per unit di lunghezza, come discusso in seguito;
la resistenza per unit di lunghezza risente delleffetto pelle: a bassa frequenza
e in continua la distribuzione di corrente circa uniforme, ad alta frequenza la
corrente si addensa sulla superficie del conduttore e la resistenza per unit di

lunghezza proporzionale a f ;

256

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

R e g im e c o n tin u o

R ( f )

R e g im e d i e ffe tto p e lle

D C

L ( f )

e x

lo g f
Fig. B.1 Andamento qualitativo in funzione della frequenza dellinduttanza totale e
della resistenza totale per unit di lunghezza di una linea di trasmissione.

linduttanza per unit di lunghezza si pu dividere in due componenti: linduttanza esterna (legata alle linee di campo magnetico esterne ai conduttori)
e linduttanza interna (linee di campo interne ai conduttori). Mentre linduttanza esterna (che lunica presente per mezzi perfettamente conduttori)
costante in frequenza, linduttanza interna massima in continua e decresce in

frequenza, per frequenze elevate, con una legge del tipo 1/ f ; infatti ad alta
frequenza la reattanza interna diviene uguale alla resistenza per effetto pelle.

Un grafico qualitativo dellandamento in frequenza dellinduttanza totale (con il contributo interno ed esterno) in funzione della frequenza mostrato nella Figura B.1;
landamento dettagliato si pu spesso approssimare sulla base del regime continuo e
del regime di effetto pelle.
Pertanto la valutazione quasi-statica dei parametri della linea quasi-TEM si pu
condurre secondo due linee alquanto diverse:

257

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

Caratterizzazione ad alta frequenza che comprende la valutazione della capacit e dellinduttanza esterna, legata questultima (come si visto) alla capacit in aria per unit di lunghezza. Le perdite nelle metallizzazioni sono
calcolate nellapprossimazione di effetto pelle, quelle nel dielettrico, spesso
trascurabili, valutando la conduttanza per unit di lunghezza della linea. Questo tipo di caratterizzazione di solito sufficiente per linee a basse perdite in
circuiti ibridi e integrati che operano in sistemi a banda stretta.
Caratterizzazione completa, che richiede il calcolo non solo della capacit per unit di lunghezza e dellinduttanza esterna, ma anche dellinduttanza
interna e della resistenza per unit di lunghezza in funzione della frequenza.
La conduttanza per unit di lunghezza, spesso trascurabile se non a frequenza molto bassa, pu essere di solito ottenuta con tecniche analoghe a quelle
della capacit; particolarmente oneroso pu rivelarsi invece il calcolo della
induttanza interna.

Una volta ottenuto un modello quasi-TEM della linea spesso necessario tenere in
conto, in modo approssimato, della dispersione ad alta frequenza della permettivit
efficace legata ad effetti full-wave (e quindi esclusa dal modello quasi-statico). Tali
effetti di dispersione dipendono dalle dimensioni della linea in relazione alla lunghezza donda di lavoro e sono trascurabili per frequenze molto inferiori alla frequenza di
inflessione gi definita.
Poich la caratterizzazione ad alta frequenza chiaramente un sottoinsieme di quella
completa ci soffermeremo su questultima trattando in dettaglio le tecniche di analisi
pi comuni insieme alle loro limitazioni.

Calcolo della capacit e conduttanza per unit di lunghezza


Il calcolo di C e di G o pi in generale della ammettenza parallelo per unit di lunghezza Yp =jC + G richiede la soluzione della equazione di Laplace nella sezione
della linea. Per generalit supponiamo che la sezione della linea sia sottoposta ad
una eccitazione periodica sinusoidale (ad esempio mediante un potenziale applicato

258

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

agli elettrodi) che produce una distribuzione del fasore complesso associato al potenziale. Le caratteristiche del mezzo sono date dalla costante dielettrica complessa
 =  j , che in generale dipende dal punto e dalla frequenza. In pratica vi sono
due casi importanti:

1. il mezzo un dielettrico con perdite; in tal caso:


 =  j tan
ove langolo di perdita, spesso costante nellintervallo di frequenze considerato. Questo significa che lanalisi in realt indipendente dalla frequenza,
ossia pu essere svolta una volta soltanto.
2. Il mezzo un conduttore o semiconduttore; in tal caso:
 =  j

ove la conducibilit. La costante dielettrica complessa varia notevolmente


al variare della frequenza, e pertanto lanalisi deve essere ripetuta per ogni
frequenza di interesse.

In ogni caso comunque lanalisi richiede la soluzione, nella sezione trasversale della
linea, della equazione di Laplace:
() = 0
con condizioni al contorno di Dirichlet (per semplicit supponiamo la linea
duplicemente connessa):
=

V sulla linea

0 sul piano di massa

Se il dominio di soluzione illimitato possibile chiuderlo con un conduttore perfetto


posto a massa (condizione = 0) oppure con un conduttore magnetico perfetto che
comporta la condizione al contorno di Neumann omogenea:
d
=0
dn
ove il simbolo denota la derivata normale del potenziale. Una volta calcolato, con
tecniche numeriche o analitiche, il potenziale complesso, possibile ricavare la am-

259

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

mettenza parallelo per unit di lunghezza secondo varie tecniche, delle quali la pi
conveniente passa attraverso il concetto di energia complessa immagazzinata nella
linea. Calcolati infatti:

E =

D =

valutiamo lenergia complessa per unit di lunghezza L come:





2
EC = L
E D ds = L  || ds
S

Si ha peraltro che la potenza complessa assorbita dalla sezione vale:


A = V I = jEC = LYp |V | = L (jC + G) |V |
2

da cui:
j

jC + G =

 || ds
2

|V |

e in particolare:

C
G

=
=

 || ds
2

|V |

 || ds
2

|V |

ESEMPIO B.1

Consideriamo una struttura a facce piane parallele che contiene due dielettrici di spesso-

re h1 e h2 rispettivamente e permettivit complessa 1 e 2. Si supponga che la struttura sia


chiusa superiormente da un elettrodo a potenziale V, intendendo per V il fasore associato ad un
potenziale armonico di frequenza angolare ; inferiormente posto un piano di massa. Calcolare lammettenza della struttura risolvendo lequazione di Laplace complessa e confrontare il
risultato con un modello circuitale.

In ciascuna delle due regioni omogenee il potenziale (o meglio il suo fasore associato)

soddisfa allequazione di Laplace; valgono poi condizioni al contorno sullinterfaccia fra i due

260

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

mezzi e in corrispondenza degli elettrodi:


(0)

(h1 + h2 )

(h
1)

(h+
1)

d
2
dx

1


d 
dx 

h
1




h+
1

Tenendo presente che la soluzione una retta in entrambe le regioni:


ax + b,
(x) =
 cx + d,

x < h1
x > h1

le condizioni al contorno si scrivono:


b

c (h1 + h2 ) + d

ch1 + d

ah1 + b

1 a

2 c

da cui la soluzione:

e il potenziale:

2
h2 1 + h1 2

1
h2 2 + h1 1
2 1
V h1
h2 1 + h1 2
V


 V h  +xh  ,
(x) =
 V  x + (  ) h ,
h  +h 
2

2 1

x < h1

1 2

2 1

x > h1

1 2

Il campo elettrico risulta quindi essere:

Ex


 V h 
d
=
=
 V
dx
h 

2
,
+ h1 2

x < h1

2 1

1
,
+ h1 2

x > h1

2 1

261

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

mentre il vettore D:


 V h   + h  ,
=
 V   ,
h  +h 
2 1

Dx = Ex

2 1

x < h1

1 2

2 1

2 1

x > h1

1 2

Lenergia complessa totale immagazzinata risulta quindi essere (si utilizzano i valori efficaci dei
fasori):
=

EC

=
=

Ex Dx dV =

2
2 1
h2 1 + h1 2 h2 1 + h1 2
1
2 1
+(Ah2 )V 2

h2 1 + h1 2 h2 1 + h1 2
(h1 2 + h2 1 ) 2 1
AV 2
(h2 1 + h1 2) (h2 1 + h1 2 )
2 1
AV 2

h2 1 + h1 2

(Ah1 )V 2

Esprimendo la potenza complessa A = V I = |V |2 Y = jEc si ottiene direttamente:


Y = jA

2 1
h2 1 + h1 2

Verifichiamo lespressione su una base circuitale. Lo strato inferiore e superiore presentano


rispettivamente ammettenze:
Y1

Y2

1 A
 A
 tan 1 A
= j 1 + 1
= jC1 + G1
h1
h1
h1
2 A
 A
 tan 2 A
j
= j 2 + 2
= jC2 + G2
h2
h2
h2
j

Lammettenza totale :
1 2
Y1 Y2
1 2
h1 h2
Y =
= jA 1
2 = jA h2 1 + h1 2
Y1 + Y2
+
h1
h2
che coincide con il risultato trovato in precedenza.

Tecniche di calcolo per la capacit e conduttanza


Senza pretesa di completezza, le tecniche di calcolo applicabili a strutture di geometria
sufficientemente arbitraria sono le seguenti:

262

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

Tecniche di trasformazione conforme (conformal mapping). Si applicano a


sezioni trasversalmente omogenee e forniscono un risultato esatto in forma
chiusa o semi-chiusa. Spesso il risultato finale espresso mediante luso di
funzioni speciali, come gli integrali ellittici. In certi casi il trattamento parzialmente numerico, ma di solito possibile ricavare il risultato con precisione
virtualmente arbitraria. Solitamente le tecniche di trasformazione conforme
sono molto efficienti dal punto di vista dei tempi di calcolo. La limitazione
principale sta nel trattamento di regioni non omogenee, che pu essere condotto solo attraverso approssimazioni (ad esempio, la tecnica delle capacit
parziali).
Tecniche di soluzione numerica della equazione di Laplace nella sua formulazione differenziale (la soluzione analitica possibile in un insieme molto
ridotto di geometrie). Da questo punto di vista il metodo tradizionale delle
differenze finite, poco flessibile perch di solito legato ad una discretizzazione attraverso grigliati regolari, stato quasi completamente rimpiazzato negli
ultimi anni dalla tecnica ad elementi finiti (FEM). In tale tecnica la regione
di simulazione viene discretizzata attraverso una griglia arbitraria (di solito
triangolare) identificata da un insieme di nodi e di elementi (i triangoli). Il
potenziale viene approssimato come:


i wi (
r)
i

r ), dette funzioni base, sono pari a 1 nel nodo i e diverse da 0 nei


dove wi (
soli elementi adiacenti al nodo i. Sostituendo nella equazione di Laplace e
applicando la linearit si ottiene:






i w i ( r ) =
i (wi (
r )) = 0
i

Definiamo ora un secondo insieme di funzioni, le funzioni peso, che nel caso pi semplice possono coincidere con le funzioni base. Data la funzione

peso wj (
r ) moltiplichiamo lequazione di Laplace e integriamo su tutto il
dominio:

i


i

wj (
r ) [wi (
r )] ds = 0

applicando il teorema di Gauss si ha:

263

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE


i

 

[wj (
r )wi (
r )] ds i wj (
r ) wi (
r )ds

 

wj ( r )wi ( r ) n
dl i wj (
r ) wi (
r )ds=0


i


i

wj (
r ) [wi (
r )] ds

Lintegrale di contorno si annulla se i nodi i e j sono interni al dominio; se


sono nodi di contorno con condizioni di Neumann omogenee lannullamento
della derivata normale forza:
 

i wj (
r )wi (
r )n
dl = 0
i

per ogni j, mentre i = j e il nodo di contorno ha condizioni Dirichlet si pu


direttamente sostituire lequazione:
i = V
In definitiva, definito il vettore di potenziali ai nodi e posto:


Aij =
wj (
r ) wi (
r )ds
S

elemento della matrice A (matrice di rigidit), lequazione di Laplace si riduce


al sistema lineare (eventualmente complesso se la  complessa):

A11 A12 0 0
1
0

A12 A22

0 0

2 0
.

..
..
.
= ..

. 0 0
.
.

0
0 1 0

N1 V
0
0
0 0 1
N
V
dove si assunto che i nodi della discretizzazione siano N e che i nodi sui
contatti siano numerati per ultimi. La matrice di rigidit sparsa perch i
suoi elementi sono nulli (nel caso pi semplice) se i due nodi i e j non sono
adiacenti.
Tecniche di soluzione numerica della equazione di Laplace nella sua formulazione integrale. Consideriamo per fissare le idee di volere calcolare la capacit per unit di lunghezza di una striscia posta su un dielettrico e chiusa
inferiormente dal piano di massa (microstriscia). In condizioni quasi-statiche
sulla striscia si induce una densit di carica non uniforme, compatibile con

264

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

il fatto che la striscia equipotenziale e si trova a potenziale V . Nota la densit di carica, il potenziale potrebbe essere calcolato risolvendo lequazione di
Poisson:
() =

B.5

Supponiamo ora di conoscere il potenziale G(r, r0 ) prodotto da una carica


puntiforme lineica (cio indefinita in z) posta nel punto r 0 della sezione trasversale. G si dice funzione di Green del problema. Nota G, che soluzione
di:
[G(r, r0 )] = (r r 0 )

B.6

il potenziale prodotto da una distribuzione qualsiasi di carica pu scriversi per


sovrapposizione di effetti:

(r) =

G(r, r 0 )(r 0 )dr 0

B.7

striscia

dove lintegrale esteso alla superficie della striscia metallica. Tenendo presente ora che il potenziale sulla striscia noto e vale V0 , possibile scrivere
lequazione integrale:


G(r, r0 )(r 0 )dr 0 , r striscia

V0 =

B.8

striscia

dove lincognita . Tale equazione integrale risolubile con varie tecniche


numeriche, che presuppongono la discretizzazione della distribuzione di carica
mediante sviluppo su di una base funzionale nota e la trasformazione della
equazione integrale in un sistema di equazioni lineari. La discretizzazione pu
farsi nel dominio spaziale e nel dominio delle trasformate di Fourier, dando
luogo alle due tecniche:
Metodo dei momenti (metodo di Galerkin) spaziale
Metodo dei momenti (metodo di Galerkin) spettrale, di solito pi
efficiente. Il metodo di Galerkin spettrale si basa sulla tecnica
seguente. Supponiamo che in una linea di trasmissione a striscia
questa sia posta in y = y0 e che la variabile ortogonale a y sia la
variabile x. Lequazione integrale che lega la carica (incognita) al
potenziale (noto sulla striscia) si pu allora scrivere:
 +
(x) =
G(x x )(x )dx
-

265

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

ove (x ) una funzione incognita sulla striscia, uguale a zero


fuori dalla striscia; (x) un potenziale incognito fuori dalla striscia, costante e pari a V0 sulla striscia. Passando alle trasformate
di Fourier rispetto a x il problema diviene scalare:

 ()
()
= G()
ma introducendo gli sviluppi:
() =

j wj ()

si ha:

()
=


G()
j wj ()

Moltiplicando per wi e integrando su tutto il dominio spettrale:



 


wi ()()d =
j wi ()G()w
j ()d =
j

1
2


wi (x)(x)dx = ki V0
striscia

dove si applicato il teorema di Parseval e si tenuto conto che


wi (x) nullo fuori dalla striscia, (x) costante nella striscia.
Detto:


wi ()G()w
j ()d = Aij

lequazione precedente prende la forma di un sistema lineare:



Aij j = ki V0
j

da cui si possono ricavare i coefficienti dello sviluppo della carica


e quindi la carica totale Q sulla striscia.
Una volta trovata , la carica totale sulla striscia Q pu trovarsi per integrazione, e
C = Q/V0 . Si noti che la risoluzione con il metodo dei momenti presuppone che sia
nota la funzione di Green del problema. Questo possibile solamente in alcune classi
di problemi, peraltro molto importanti (ad es. linee su substrati dielettrici stratificati).
Il metodo, numericamente efficiente, si presta per male al trattamento di strutture
non stratificate e con strisce metalliche non infinitamente sottili, che possono essere

266

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

trattate in modo solo perturbativo. Viceversa, per strutture stratificate con linee sottili
il metodo dei momenti spettrale presenta un elevato grado di efficienza.

Calcolo della induttanza e resistenza per unit di lunghezza


Linduttanza per unit di lunghezza L si pu suddividere in due contributi, linduttanza esterna e interna. Se i conduttori della linea sono perfetti, linduttanza interna
tende a zero in quanto la distribuzione di corrente strettamente superficiale; linduttanza esterna semplicmente proporzionale allinverso della capacit in aria C0 . Ne
consegue che il calcolo della induttanza esterna si riduce al calcolo della capacit in
aria.
Linduttanza interna viceversa non semplice da calcolare. In linea di principio, linduttanza interna pu ricavarsi dalla soluzione di un problema magnetostatico (equazione di Poisson nel potenziale vettore, con termine forzante pari alla distribuzione di
corrente). Purtroppo la distribuzione di corrente, che in continua uniforme, varia al
crescere della frequenza fino a raggiungere il regime di effetto pelle. Il calcolo dellinduttanza interna in continua quindi relativamente semplice, quello al variare della
frequenza piuttosto complesso, al punto da richiedere la soluzione di una equazione
integrodifferenziale che ha come incognite la distribuzione di corrente e il campo magnetico. Come sottoprodotto della soluzione, anche possibile ricavare la potenza
dissipata nella linea per effetto Joule e di qui la resistenza per unit di lunghezza R .
Linduttanza interna e la resistenza per unit di lunghezza si possono per approssimare in modo relativamente semplice ad alta frequenza, ossia in regime di effetto
pelle. In tali condizioni la distribuzione di corrente superficiale sui conduttori ha la
stessa forma funzionale della distribuzione di carica statica su un conduttore perfetto,
e pu pertanto ricavarsi con accuratezza attraverso diverse tecniche, ad esempio la trasformazione conforme. Integrando la distribuzione di corrente in modulo quadrato si
ricava la resistenza per unit di lunghezza, valore che si dimostra essere uguale, ad alta
frequenza, alla reattanza interna della linea. Pertanto in regime di effetto pelle la resi

stenza cresce come f , la induttanza interna decresce come 1/ f . Poich sono noti
i valori asintotici a bassa frequenza dellinduttanza interna (che si ricava dalla soluzione numerica del problema magnetostatico, con distribuzione di corrente costante)
e della resistenza (il valore in continua banale nota larea del conduttore, visto che
costante la distribuzione di corrente) facile introdurre delle formule di raccordo fra il
comportamento a bassa frequenza e il comportamento in regime di effetto pelle, sen-

267

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

za dover ricorrere al computo dettagliato, in funzione della frequenza, dellinduttanza


interna e della resistenza. In molti casi la induttanza interna viene trascurata rispetto a
quella esterna (cosa possibile solo ad alta frequenza) e il problema si riduce al calcolo
della resistenza.
opportuno notare che la resistenza ad alta frequenza pu essere ricavata dalla soluzione numerica della equazione di Laplace, che fornisce, numericamente, una approssimazione della distribuzione di carica (e quindi di densit di corrente) sui conduttori.
Va peraltro ricordato che conduttori rettangolari con spigoli vivi presentano distribuzioni di corrente singolari sugli spigoli (bench a quadrato integrabile); tali singolarit
sono come ovvio male approssimate da tecniche numeriche, che tendono quindi a non
stimare in modo accurato le perdite dovute a dissipazione negli elettrodi. Viceversa tecniche di trasformazione conforme consentono una descrizione analitica molto
accurata della distribuzione di corrente, e pertanto conducono a valori precisi per la
resistenza serie in regime di effetto pelle.

B.3.

C ENNI

ALLE TECNICHE DINAMICHE ( FULL WAVE ) DI SOLUZIONE

Le tecniche dinamiche di soluzione per linee di trasmissione quasi-TEM si basano sulla soluzione delle equazioni di Maxwell, senza alcuna approssimazione quasi-statica.
La struttura guidante petanto vista come una guida donda in grado di portare infiniti modi di propagazione, uno fondamentale (il modo quasi-TEM) e gli altri superiori
(in generale modi ibridi). Le stesse tecniche si applicano come ovvio al calcolo di
strutture non-TEM.
In generale, si cercano soluzioni di campo elettromagnetico che si propaghino nella
direzione z, z asse della guida, cio della forma:
H(x, y, z; t) = H(x, y)ejtz

B.9

E(x, y, z; t) = E(x, y)ejtz

B.10

Sostituendo tali soluzioni nelle equazioni di Maxwell possono derivare diverse formulazioni in termini del solo campo elettrico, del solo campo magnetico, o di opportune

268

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

componenti di entrambi. La scelta della formulazione non indifferente dal punto di


vista del trattamento numerico, dato che alcune fomulazioni possono condurre a soluzioni spurie. Dal punto di vista analitico, ma anche per alcune fra le tecniche di soluzione numerica, conveniente ricorrere ad una formulazione che riduce le equazioni
di Maxwell ad un insieme di due equazioni donda scalari ed accoppiate (attraverso
le condizioni al contorno sulle interfacce aria-dielettrico) nella sezione trasversale, del
tipo:
2 Hz (x, y) + (ko2 2 )Hz (x, y)

B.11

2 Ez (x, y) + (ko2 2 )Ez (x, y)

B.12

dove k0 = /c0 , la costante di propagazione (incognita) del modo di


propagazione cercato.
Assegnate opportune condizioni al contorno, le equazioni B.11 e B.12 costituiscono un
problema agli autovalori nella incognita che in generale deve risolversi numericamente. Le tecniche di soluzione numerica possono dividersi in varie categorie, che
vengono enumerate, con i relativi pro e contro, qui di seguito.

1. Tecniche basate sulla formulazione differenziale del problema: sono la tecnica


delle differenze finite e la tecnica degli elementi finiti; entrambe le tecniche riducono il problema discretizzato ad un problema agli autovalori lineare, eventualmente generalizzato. Partendo dalla fomulazione accoppiata si avrebbe ad
esempio un sistema del tipo:


A (k02 2 )B

Hz

=0

B.13

Ez
In linea di principio i due metodi sono equivalenti, ma la tecnica degli elementi finiti di gran lunga superiore per quanto riguarda la flessibilit della geometria. Inoltre, lintroduzione di opportune funzioni base vettoriali ha
consentito, negli ultimi anni, di ridurre o eliminare il problema delle soluzioni
spurie (soluzioni numeriche del problema agli autovalori cui non corrispon-

269

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

de una soluzione fisica). Attualmente la tecnica FEM non ha limitazioni di


geometria e/o materiale, ossia pu trattare linee di geometria arbitraria, con
materiali (metalli o dielettrici) aventi perdite arbitrarie, isotropi o anisotropi.
Lunica limitazione della tecnica FEM il peso computazionale e il requisito di avere discretizzazioni opportune per ottenere soluzioni accurate; anche
in questo campo, tuttavia, i progressi fatti negli ultimi anni rendono il metodo FEM senzaltro lo strumento pi flessibile per lanalisi di strutture guidanti
a sezione limitata (vi sono ancora alcuni problemi nel trattamento di strutture
a sezione illimitata). Il FEM stato anche esteso con successo alla analisi di
strutture tridimensionali, anche se il peso computazionale notevole.
2. Tecniche basate sulla formulazione integrale del problema: riducono lequazione donda ad unequazione integrale avente come incognita le correnti della
struttura. Accoppiate a tecniche per il calcolo della funzione di Green del sistema, le formulazioni integrali (soprattutto nella variante spettrale, detta metodo dei momenti spettrale) sono state estremamente popolari a partire dagli
anni ottanta per la efficienza di calcolo rispetto al metodo FEM. Vi sono peraltro limitazioni: la struttura dielettrica deve essere stratificata, gli elettrodi
sottili e perfettamente conduttori (elettrodi con perdite si possono trattare approssimativamente nella ipotesi di effetto pelle, elettrodi spessi devono essere
approssimati come elettrodi sottili multistrato). possibile trattare strutture
con elettrodi anisotropi. In definitiva si tratta di tecniche efficienti ma con
limitazioni; sono state anche estese, di recente, al caso tridimensionale.
3. Tecniche miste differenziali - alle differenze finite, fra le quali ha avuto una
notevole popolarit il metodo delle linee; senza entrare in dettagli, si pu dire
che le limitazioni e lefficienza sono simili a quelle del metodo dei momenti
spettrale.
4. Tecniche di matching modale: si basano sul fatto che la soluzione della equazione donda pu essere scritta in forma chiusa, attraverso lintroduzione di
coefficienti incogniti e di sviluppi in serie trigonometrica, in regioni di forma

270

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

rettangolare. Suddividendo il dominio di soluzione in sottoregioni e imponendo la continuit dei campi si ottiene un problema agli autovalori di dimensione
infinita che, opportunamente troncato, fornisce la soluzione numerica. Il metodo di matching modale pu studiare strutture arbitrarie purch scomponibili in
sottoregioni rettangolari; si presta particolarmente allo studio di alcune strutture guidanti (ad esempio le fin line), meno alle linee planari aperte. Lefficienza
dal punto di vista dei tempi di calcolo superiore a quella del FEM, a spese di
una flessibilit di gran lunga inferiore.

Dal punto di vista della impostazione di principio, pu essere interessante presentare


una breve discussione del metodo dei momenti, tuttora molto utilizzato per la sua
efficienza. La base del metodo dei momenti la fomulazione integrale delle equazioni
di Maxwell. Dalle equazioni di Maxwell infatti possibile ricavare lespressione del
campo irradiato da un insieme di correnti. Supponiamo, per fissare le idee, che tali
correnti (J) siano quelle che scorrono sulla striscia metallica di una microstriscia,
supposta infinitamente sottile. Si pu allora dimostrare che il campo elettrico E sulla
interfaccia sulla quale si trova la striscia ha espressione:


zz (, )Jx ()ejx d +
zx (, )Jx ()ejx d =
G
G



jx
xz (, )Jz ()e
zz (, )Jz ()ejx d =
d +
G
G

Ez (x)
Ex(x).

Si noti che il campo elettrico espresso in forma spettrale cio come antitrasformata di Fourier del suo spettro. Trasformando si ottiene allora unequazione algebrica
(funzionale) nel dominio spettrale:
zx(, )Jx ()
zz (, )Jz () + G
G

z ()
E

B.14

xz (, )Jz () + G
xx(, )Jx ()
G

x()
E

B.15

che pu risolversi con il cosidetto metodo dei momenti spettrale. Lidea approssimare le correnti sulle strisce metalliche mediante un opportuno insieme di funzioni
base, secondo coefficienti incogniti. Per fissare le idee, consideriamo una microstri-

271

B.

CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

scia singola con la striscia metallica estesa da 1 a +1. Ricorriamo per semplicit ad
un set di funzioni base composto da un solo termine. Poich possibile dedurre dalle
leggi dellelettrostatica informazioni di carattere qualitativo e quantitativo sullandamento della densit di corrente su di una striscia metallica sottile, lapprossimazione
ad un solo termine pu anche essere molto buona. Poniamo allora:
Jz (0)
Jz (x)
1 x2

B.16

Poich a frequenza non elevata la corrente trasversale nella striscia trascurabile,


supponiamo di cercare una soluzione approssimata con Jx = 0. Da Jz (x) possibile
ricavare analiticamente la trasformata di Fourier Jx (). Si ha:

Jz () = Jz (0)J0 () Af()
2

B.17

dove J0 () la funzione di Bessel di ordine 0, prima specie. Introducendo la


approssimazione della corrente nella seconda equazione funzionale si ottiene:
zz (, )Af() = Ez )
G

B.18

Moltiplichiamo ora per Af () ed integriamo da a + nella variabile :


 +
 +


Gzz (, )f ()f ()d =


Ez ()f ()d
B.19
A

Applicando il teorema di Parseval, si pu facilmente dimostrare che:


 +
 +
1
Ez ()f ()d =
Ez (x)f(x)dx = 0
2

B.20

perch il campo elettrico e la densit di corrente hanno supporto complementare. Si


ottiene quindi lequazione:
 +

zz (, )f ()f()d = 0
G

B.21

nella incognita . Nel caso generale (sviluppo della corrente su una base funzionale
con pi di un termine) si giunge ad un problema agli autovalori non lineare del tipo
det A = 0 , che resta per di dimensione relativamente ridotta (1, 2, 4).

272

B. CENNI ALLA SIMULAZIONE QUASI-STATICA E DINAMICA DI LINEE DI TRASMISSIONE

Il vantaggio fondamentale del metodo spettrale sta nel fatto che possibile ottenere una ottima approssimazione della corrente con uno o due termini. In particolare, il
metodo permette di tenere conto del fatto che la densit di corrente pu essere singolare ai bordi delle strisce. Questo rende la formulazione particolarmente efficiente ed
accurata, per quanto essa presenti restrizioni in quanto alla geometria.
Un ultimo aspetto riguarda il calcolo della impedenza caratteristica a partire dalla soluzione full-wave, che fornisce direttamente la costante di propagazione (e le perdite).
Da questo punto di vista, nasce una difficolt, causata dal fatto che limpedenza caratteristica un rapporto tensione-corrente, e la tensione della linea pu univocamente
definirsi in senso quasi statico (dinamicamente infatti il campo elettrico non irrotazionale). Una volta calcolata la distribuzione di campo elettrico e magnetico relativa
ad una soluzione dinamica del problema (questo corrisponde a trovare gli autovettori
di un problema agli autovalori), possibile ricorrere a tre definizioni approssimate per
limpedenza caratteristica, basata sul calcolo approssimato della tensione della linea
lungo un percorso opportuno e sul calcolo (esatto) della corrente portata dalla linea
lungo la direzione z di propagazione:

1. la definizione corrente-tensione, in cui Z0 = V /I;


2. la definizione potenza-tensione, in cui si utilizza lespressione della potenza
transitante sulla linea P = V 2 /Z0 ;
3. la definizione potenza-corrente, in cui si utilizza lespressione P = Z0 I 2 .

La potenza transitante pu ricavarsi integrando sulla sezione della linea il vettore


di Poynting. Fra le tre definizioni, quella pi robusta, e meglio compatibile con la
definizione quasi-statica, senzaltro la terza (potenza-corrente).

273