UNIVERSIDAD POLITCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniera Elctrica

MEBLEC: Modelo Educativo B-Learning por Competencias
Gua de Aprendizaje 8

El BJT como Amplificador de Pequea Seal

V. 1.1

Curso en Modalidad
Semipresencial
VISIN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovacin, ubicndose a
nivel nacional como lder en educacin semi presencial y
respeto al medio ambiente

MISIN INSTITUCIONAL

Formar profesionales con Alto Sentido

Crtico y tico, con capacidad de
Autoformacin y con las Competencias
Tcnico-Cientficas requeridas para
Resolver Problemas mediante Soluciones
1
enfocadas al Desarrollo Social y
Respetuosas del Medio Ambiente

Seccin A

DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE

Carrera: Ingeniera Elctrica
Asignatura: ELECTRNICA I.
rea de Formacin en la Carrera: Electrnica y Control.
Unidad Didctica IV: Anlisis de Pequea Seal con BJT.
Tema: Modelaje para ac y Anlisis de Amplificadores.

Objetivo
1) Explicar y Resolver problemas tipos de las diferentes configuraciones para
amplificadores de Emisor, Base y Colector comn.

En Abono a las Siguientes Competencias

1) PENSAMIENTO LGICO Y ANALITICO relativo a circuitos de amplificadores de
pequea seal con BJT.
2) CONSTRUIR MODELOS SIMPLIFICADOS que describan una situacin compleja
identificando sus elementos esenciales y efectuando las aproximaciones
necesarias.

Objetivo de Rendimiento
Posterior a la exposicin de los conceptos de esta gua, el estudiante lograr:
- Modelar y Analizar circuitos amplificadores con BJT en sus tres
configuraciones.
- Tener presente las principales diferencias entre los tres amplificadores.

Seccin B
FUNDAMENTACIN TERICA
B1. Introduccin al Anlisis de Amplificadores de Pequea Seal con
BJT.
En las ltimas guas de aprendizaje, hemos aprendido el principio de funcionamiento de los
transistores bipolares BJT, tambin, las principales configuraciones posibles y diferentes tipos de
polarizacin para estas configuraciones; lo anterior con el objetivo de situarnos en las tres regiones
de operacin del transistor en las cuales determinamos que la Regin Activa es la regin en la cual
el transistor debe operar si queremos utilizar este como amplificador.
Es importante destacar en
este momento que, al BJT se le hace operar en la regin activa por medio de los sistemas de
polarizacin tanto, en su circuito de entrada como en su circuito de salida y que estas polarizaciones
se logran con la alimentacin de CC y con las resistencia de polarizacin de base y emisor que
hacen circular un nivel de corriente.
Hay que enmarcarnos que con BJTs, hay dos tipos de amplificadores:
-

Amplificadores de Pequea Seal.

Amplificadores de Gran Seal o Potencia.

El primer grupo de amplificadores es el que considera esta gua de aprendizaje pero no son
menos importantes que los segundos en vista que, un sistema de amplificacin est compuesto por
varias etapas transistorizadas de las cuales, lo ms seguro es que la ltima etapa sea de potencia o
de gran seal y las previas a estas sean etapas de amplificacin de pequea seal.
Para el anlisis de pequea seal estamos interesados conocer lo siguiente:
a)
b)
c)
d)
e)

El punto de operacin en que est operando el transistor.

La Ganancia de corriente del amplificador, Ai (adimensional)
Ganancia de Voltaje del amplificador, Av (adimensional)
Impedancia de Entrada Zi. (en Ohmios)
Impedancia de Salida Zo. (en Ohmios)

A excepcin del literal a el cual lo encontramos tal como hemos hecho hasta hoy o sea
con el anlisis en CC; para conocer los otros cuatro valores, necesitamos transformar al transistor en
un modelo equivalente que nos permita dicho anlisis; hasta hace unos aos el nico modelo
utilizado era a base de los Parmetros Hbridos (Parmetros h) pero desde hace unos aos tambin
se utiliza el modelo re.
Todos los circuitos de polarizacin de la gua de aprendizaje anterior, tienen al menos dos
capacitores de acoplamiento, uno de entrada C1 y otro de salida C2, solo la configuracin que lleva
resistencia de emisor utiliza un capacitor llamado de desvi C 3.
Estos capacitores aslan los
niveles de polarizacin de CC con los niveles de amplificacin de ac en vista que estos son
dispositivos abiertos para niveles de CC y circuito cerrado para niveles de seal de ac.

B1.1. Modelaje del Transistor BJT.

3

Consideraremos el siguiente circuito para luego modelarlo en su circuito equivalente:

Fig. 1: Amplificador de Emisor Comn para Circuito Equivalente de ac

El correspondiente circuito equivalente de ac en pequea seal para Q1 ser:

Fig. 2: Circuito Equivalente de ac de Emisor Comn para Circuito de Fig.1

El circuito equivalente de la figura anterior se obtiene de la siguiente manera:
1) Haciendo todas las fuentes de CC cero y reemplazndolas por un corto circuito equivalente.
2) Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente.
3) Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvo mediante los
equivalentes de corto circuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2.
4) Redibujando la red de manera ms conveniente y ms lgica como la anterior
Los cuatro parmetros fundamentales se encuentran de la siguiente manera:
Impedancia de entrada, Zi:
Zi =

Vi
Ii

Ec.1
4

Notar de la figura 2 a donde est ubicado V i o sea despus de la fuente de alimentacin de

ac lo que quiere decir que nos conviene que un amplificador tenga una impedancia de entrada alta
para que no afecte a la seala de entrada.
Recuerda el concepto del divisor de tensin, aqu se
cumple que para una impedancia de entrada bastante alta, se garantiza que la mayora de la seal
de entrada a amplificar se reproduzca en la parte de entrada del amplificador.
Impedancia de salida, Zo:
Zo =

VO
IO

Ec. 2

Normalmente la impedancia de las cargas de un amplificador son de baja impedancia por lo

tanto nos conviene que la Zo de salida sea alta para que la corriente de salida caiga casi por
completo en la carga a alimentar.
Ganancia de voltaje, Av:
Av =

VO
Vi

Ec. 3

Dependiendo la configuracin Av para un amplificador a transistor bipolar est en el rango

de menos de 1 a unos cuantos cientos; sin embargo un amplificador de varias etapas puede llegar a
tener una Av de varios miles ya que las ganancias de cada etapa se multiplican.
Ganancia de corriente, Ai:
Ai =

IO
Ii

Ec. 4

Las ganancias de corriente pueden variar desde un poco menos de 1 hasta exceder los 100.

B1.2. El Modelo Hibrido Equivalente del Transistor BJT.

Para que el circuito de la figura 2 este completo para su respectivo anlisis de pequea seal, le
hacen falta las consideraciones internas del transistor Q 1, estas consideraciones son traducidas en
los llamados parmetros hbridos los cuales son:
-

hie, el cual es una impedancia interna de entrada de Q 1 en el orden de los k para la mayora
de transistores.
hre, el cual es un numero adimensional como una especie de retroalimentacin de voltaje
desde la entrada de Q.
hfe, que se traduce en la ganancia de corriente de pequea seal propia de Q.
hoe, el cual una especie de admitancia de salida de Q.
5

Los parmetros anteriores estn identificados para la configuracin de Emisor Comn de

all el acompaamiento de la letra e en cada uno, si fuera para base comn, la letra fuera la b y si
fuera para colector comn, la letra fuera c.
La siguiente figura muestra el mismo circuito de la fig.2 pero ahora considerando los parmetros
hbridos de Q1 :

Fig. 3: Circuito Equivalente de ac de Emisor Comn con Parmetros Hbridos

De forma genrica, se denominan hbridos en vista que relacionan variables de voltajes y
corrientes de entrada y salida; una nomenclatura para visualizar lo anterior es la siguiente:
h11 =

Vi
Ii

h12 =

Vi
VO

sin unidad con Ii=0

h21 =

IO
Ii

sin unidad con VO=0

h22 =

IO
VO

en con VO=0

en Siemens con Ii=0

El subndice 11 significa que este parmetro se calcula con variables solo de entrada; el
subndice 12, significa que se calcula con una variable de entrada y una de salida; el subndice 21
con una variable de salida y una de entrada y el subndice 22 que se que calcula con dos variables
de salida.
Es obvio que para poder trabajar con el modelo equivalente de la figura 3, tendremos que
tener los cuatro parmetros hbridos proporcionados por el fabricante del transistor que est
operando en el amplificador de pequea seal que vayamos a analizar; esto no siempre es posible
para lo cual tenemos dos alternativas:
-

Trabajar con este modelo hbrido aproximado o simplificado.

Trabajar con el modelo re simplificado en donde solo se necesita el parmetro .
6

B1.3. El Modelo Hibrido Equivalente aproximado del Transistor BJT.

El modelo equivalente hibrido aproximado est basado en el hecho que, el parmetro h re
tiene un valor muy pequeo por lo tanto, al multiplicar este valor muy pequeo por V O
retroalimentado a la entrada, prcticamente estaramos hablando de un voltaje casi cero dando
como resultado un cortocircuito en esta parte. Ocurre algo similar con el parmetro h oe a la salida,
resultando que el valor de 1/hoe es significativamente grande si lo comparamos con la resistencia
hmica con que se cargan los amplificadores por lo tanto, esta admitancia en Siemens se puede
considerar como circuito abierto a la salida; con estas consideraciones el circuito equivalente de la
figura 3 se transforma en el circuito mostrado a continuacin:

Fig. 4: Circuito Equivalente Aproximado de ac de Emisor Comn con

Parmetros Hbridos
Notar de la figura 4 lo siguiente:
-

Solo los parmetros hie y hfe se han tomado en cuenta, el primero tiene que ver con la
impedancia de entrada del transistor y el segundo es la ganancia de corriente que contribuye
a la transferencia de potencia desde la entrada a la salida.
La impedancia de entrada es el paralelo de las resistencias de polarizacin R B1 y RB2 con el
parmetro hie.
La impedancia de salida queda supeditada a RC.
Notar que la referencia a tierra de la figura 3 en este circuito aproximado se ha cambiado,
como debe ser, a un bus del terminal de emisor en vista que se est modelando la
configuracin de emisor comn.
El circuito aproximado simplifica los clculos para las 4 variables a calcular de un
amplificador, impedancia de entrada y salida, ganancia de corriente y ganancia de voltaje.

B1.4. El Modelo Equivalente re para el Transistor BJT.

Se dijo anteriormente, que antes solo se dispona de los parmetros hbridos dados por el
fabricante de los transistores para efectuar el clculo de las cuatro variables a calcular para un
amplificador; desde hace un poco menos de 15 aos se tiene otra alternativa bastante vlida y
aproximada para estos clculos, nos referimos, al modelo r e el cual est basado y relacionado por el
lado del circuito de entrada, a la resistencia dinmica de ac de la unin P-N del transistor entre base
y emisor; de lo anterior, tendremos que recordar que:
7

rD =

26 mV
ID

Si recordamos, la expresin anterior era para un diodo; traducida esta expresin para un transistor
sera:

re =

26 mV
Ie

Ec.5

Tomando en cuenta re un transistor bipolar NPN se puede representar de la siguiente manera:

Fig. 5: BJT modelado para parmetro re

Para los transistores bipolares, todo lo que se observa desde la base de Q 1, se multiplica
por el factor y lo que se observa desde el emisor se divide por este mismo factor; de la figura 5 se
observa que los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente, a la salida aparece
la corriente de colector en funcin de la corriente de base y el factor de ganancia ; con las
consideraciones anteriores, el modelo re queda de la siguiente manera para un transistor bipolar:

Fig. 6: Modelo re para la Configuracin de Emisor Comn

Si observamos las figuras 4 y 6, tienen bastantes similitudes, lo nico que cambia son los
parmetros utilizados.
En la prctica y en la solucin de algunos problemas propuestos, se
pueden mezclar a conveniencia los dos modelos explicados en esta gua, tal como se ve en la
siguiente figura:

Fig. 7: Modelo re mezclado con parmetro hibrido hoe para la Configuracin de

Emisor Comn
En la figura anterior se ha considerado la impedancia de salida ro como el inverso del
parmetro hibrido hoe dado este ltimo en S(micro siemens o micro mho), r o nos dara en ohmios
por cierto para esta configuracin algunos miles de .
En vista que se pueden mezclar ambos
modelos podemos decir que:
hie = re

Ec.6

B2. Ejercicios de Aplicacin.

B2.1. EJERCICIO 1: Sobre Modelos Equivalentes
Este ejemplo numrico pueda aclarar algunas dudas, supongamos que se nos proporcionan
los siguientes datos:
-

IE = 2.5mA
hfe = 140
hoe = 20 S
hob = 0.5 S

Se nos pide calcular a) El circuito hbrido equivalente para Emisor Comn y b) El modelo r e para
Base Comn.
Solucin para a:
re =

26 mV
IE

26 mV
2.5 mA

= 10.4

hie = re = (140)(10.4 ) = 1.456 k

9

ro =

1
hoe

= 20 S

= 50 k

Con los datos calculados anteriormente dibujamos el equivalente hbrido para Emisor Comn:

Fig. 8: Equivalente Hibrido para la Configuracin de Emisor Comn de

problema anterior
Solucin para b:
re ya se ha calculado antes , 10.4 .
Recordar que para Base Comn, la entrada es el emisor y la salida es el colector y la relacin de
corriente entres estos dos terminales es el parmetro 1.
ro =

1
hob

1
0.5 S

= 2 M

Con los datos anteriores tenemos el equivalente re siguiente:

Fig. 9: Equivalente modelo re para la Configuracin de Base Comn de

problema anterior

10

B2.2. EJERCICIO 2: Amplificador de Emisor Comn con Polarizacin Mediante Divisor

de Voltaje.
Tenemos el siguiente amplificador polarizado mediante Divisor de Voltaje:

Los datos son los siguientes:

VCC=22 voltios; R1=56k; R2=8.2k; RC=6.8k; RE=1.5k y =90; se nos pide encontrar:
a)El modelo Equivalente re; b)re; c)Zi; d)Zo cuando ro=; e)Av cuando ro=; f)Ai cuando ro=;
g)Calcular los parmetros del c al f pero si ro = 1/hoe = 50k y comparar los resultados.
Solucin:
Parte a:
Siguiendo las indicaciones de la pgina 4 de esta gua, el circuito equivalente es:

11

Parte b:
Para encontrar re tenemos que hacer el anlisis de CC; aqu podemos utilizar el mtodo aproximado
en vista que re>10R2 por lo tanto:

R2
VCC =
R 1+ R 2

VB =

8.2 kx 22V
= 2.81 Voltios
56 k+8.2 k

Luego:
VE = VB VBE = 2.81V 0.7V = 2.11 Voltios.
Luego:
IE =

VE
RE

2.11 V
1.5 k

= 1.41 mA

Luego:
re =

26 mV
IE

26 mV
1.41 mA

= 18.44

Parte c:
Zi = R//re pero:
R= R1//R2 = 56k//8.2k= 7.15k; luego:
Zi = 7.15k//(90)(18.44)= 1.35k
Parte d:
Zo = RC en vista que se est considerando ro=, luego:
Zo = 6.8k
12

Parte e:
AV =

Vo
Vi

, para cuando ro es (Infinito) o sea circuito abierto, entonces:

De acuerdo a la direccin de IO infringe una corriente negativa en RC luego:

AV =

I O R C
Ii Z i

I b R C
I i Zi

Ec.A
'

'

Pero por ley de divisor de corrientes a la entrada, I i =

I b (R + r e )
R

'

, y Zi =

R ( re)
'
R + re

sustituyendo estas dos ecuaciones en la ecuacin A, tenemos:

I b RC

I b RC
AV =
I i Zi
AV =

RC
re

'

'

I b (R + r e ) R ( r e ) , eliminando trminos:
x '
R'
R + re

6.8 k
18.44

= -368.76

Otra manera de calcular AV es tomando en cuenta que Vi est en paralelo a la entrada y por ende es
el mismo voltaje en la base, entonces:
AV =

Vo
Vi

AV =

I O R C
I b re

AV =

RC
re

, para cuando ro es (Infinito) o sea circuito abierto tenemos:

I b RC
I b re
6.8 k
18.44

eliminando trminos en numerador y denominador tenemos:

= -368.76

El signo menos significa que en los amplificadores de Emisor Comn, la seal amplificada
de salida est desfasada 180 respecto a la seal de entrada
Parte f:
Ai =

Io
Ii

Ec.B, pero:

Io = Ib e Ii =

I b (R' + r e )
R'

, sustituyendo estas dos en la ecuacin B, tenemos:

13

 Ib
Ai =

'

I b (R + r e )
R

'

'

R
'
R + re

, sustituyendo valores:

Ai = 73.04

B2.3. EJERCICIO 3: Amplificador de Emisor Comn con Resistencia de Emisor sin

Condensador de Desvo.
El siguiente es un amplificador de esta configuracin:

Sin considerar los efectos de ro, y RB=470k; RC=2.2k; RE=0.56k; VCC=20 voltios; =120
encontrar lo siguiente:
a)El modelo equivalente del amplificador; b) re ; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.
Solucin:
Parte a:

14

Notar la influencia de RE tanto para la entrada como para la salida de tal manera que los 4
parmetros a encontrar estn de alguna manera influenciados por RE.
Parte b:
Para esta parte tendremos que utilizar el anlisis de CC para encontrar r e a partir de la corriente IE
pero para encontrar la corriente de emisor determinamos primero IB as:
IB =

V CC V BE
R B + ( +1 ) R E

20 V 0.7 V
470 k+ ( 120+1 ) 0.56 k

= 35.89A, luego:

IE = (+1)IB = (120+1)35.89A = 4.34mA, luego:

re =

26 mV
IE

26 mV
4.34 mA

= 5.99

Parte c:
Zi = RB//Zb , pero:
Zb = re + (+1)RE ; pero >>>1 entonces:
Zb = (re+RE) = 120(5.99+560) = 67.92k, luego:
Zi = RB//Zb = 470k//67.92k = 59.34k
Parte d:
Zo = RC = 2.2k
Notar que aqu RE no tiene influencia alguna debido a que la fuente de corriente propia del transistor
Ib tiene alta impedancia por lo tanto se puede considerar circuito abierto.
Parte e:

15

AV =

VO
Vi

AV =

R C
Zb

I O R C
I b Zb
=

I b RC
I b Zb

( 120 ) (2.2 k)
67.92 k

, eliminado trminos:

= -3.89

Esto es vlido debido que hay que recordar la aproximacin IC Ie

Parte f:

Ai =

IO
Ii

Ib
I b ( RB + Z b )
RB

RB
RB+ Zb

( 120 ) (470 k)
470 k+67.92 k

= 104.84

B2.4. EJERCICIO 4: Amplificador de Colector Comn o Seguidor de Emisor.

El siguiente circuito es un amplificador bsico de Colector Comn:

El voltaje de salida siempre es ligeramente inferior al de entrada debido a la cada entre la

base y el emisor por lo tanto la aproximacin siguiente es vlida:
AV 1
A diferencia del amplificador de emisor comn en donde la seal de salida no est en fase
con la seal de entrada, en este amplificador ambas seales estn en fase; esto acredita el nombre
de seguidor de emisor.
Esta configuracin se utiliza con frecuencia para propsitos de
16

acoplamiento de impedancias entre etapas transistorizadas o sistemas electrnicos debido a que

presenta una alta impedancia de entrada y una impedancia baja en la salida.
Para la figura anterior:
RB=220k; RE=3.3k; =100; VCC=12 voltios, determinar, sin considerar el efecto de rO:
a) Modelo equivalente; b)re; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.
Solucin:
Parte a:
El modelo equivalente es el siguiente:

Parte b:
IB =

V CC V BE
R B + ( +1 ) R E

12 V 0.7 V
220 k+ ( 100+1 ) 3.3 k

= 20.42A, luego:

IE = (+1)IB = (101)20.42A = 2.062mA, luego:

re =

26 mV
IE

26 mV
2.062 mA

= 12.61

Parte c:
Zi = RB//Zb , pero:
Zb = re + (+1)RE ; pero >>>1 entonces es vlido:
Zb = (re+RE) = 100(12.61+3300) = 331.26k, luego:
Zi = RB//Zb = 220k//331.26k = 132.20k
Parte d:

17

Para encontrar la impedancia de salida ZO de este amplificador, tomaremos dos criterios, el

primero hacer cero el voltaje de entrada Vi, esto es vlido en vista que la resistencia ideal de una
fuente de voltaje es cero y el segundo criterio es que, todo lo visto desde el emisor hacia atrs es
reflejado y debe ser dividido entre (+1) al igual de cmo se ha estado manejando lo visto desde la
base es multiplicado por (+1); con este criterio y en vista que >>>1 diremos que (+1),
entonces:
ZO = RE//(re+RB)/, haciendo Vi =0, esto elimina a RB, entonces tenemos
ZO = RE//re
En vista que re<<<RE, tenemos que:
ZO = 12.61
Parte e:
Observando el modelo equivalente de este amplificador, este nos dice que V O es de emisor a tierra y
que desde la base a tierra se forma un divisor de tensin entre re y la resistencia reflejada de emisor
entonces, en el numerador de la expresin siguiente, se ha considerado este divisor de tensin as:

VO
Vi

AV =

V i R E / re+ R E
Vi

, haciendo las operaciones y los arreglos necesarios nos

3300
12.61 +3300

= 0.996 lo cual es lgico en vista que la ganancia de voltaje

queda:

RE
re+ R E

AV =

de esta configuracin es aproximadamente igual a 1 o un poco menor que la unidad.

Parte f:
Ai =

Ii =

IO
Ii

( +1 ) I b
Ii

pero:

I b (R B +Z b )
, sustituyendo sta en la ecuacin anterior y aproximando (+1) a , tenemos:
RB

Ai =

( ) Ib
I b (RB + Z b )
RB

Ai =

100(220 k)
220 k+331.26 k

RB
RB+ Zb

, sustituyendo valores:

= 39.9

18

B2.5. EJERCICIO 5: Amplificador de Base Comn.

El siguiente circuito es un amplificador de Base Comn:

Este amplificador se caracteriza por tener una impedancia de entrada relativamente baja y
una impedancia de salida alta; la ganancia de corriente es menor que uno sin embargo, la ganancia
de voltaje podra llegar hacer considerable.
Para el circuito anterior nos dan:
RE=1k; RC=5k; VEE= +2V; VCC= -8V; =0.98 y ro=1M, calcular:
a)Dibujar el modelo equivalente re; b)Calcular re; c)Zi; d)Zo; e)AV; f)Ai.
Solucin:
Parte a:
El modelo equivalente del amplificador anterior es el siguiente:

Notar que la resistencia propia entre base y emisor re, ahora entre emisor y base, ya no est
reflejada o sea acompaada de , la razn es bien obvia, ahora la entrada es el emisor y no la base,
recuerden se multiplica reflejado visto de la base hacia lo que se ve desde all; los parmetros
vistos desde el emisor es todo lo contrario, se dividen entre por eso que en el modelo solo aparece
re.
19

Parte b:

re =

26 mV
IE

IE =

V EEV BE
RE

, para encontrar re, tenemos que encontrar IE as:

26 mV

re = 1.3 mA

2 V 0.7 V
1 k

= 1.3 mA, luego:

= 20

Parte c:
Zi = RE//re = 1000//20
Zi = 19.61 similar a re o sea que una buena aproximacin puede ser este valor.
Parte d:
Zo = RC = 5k
Parte e:

VO
Vi

AV =

I o RC
Ie re

Ie R C
I e re

RC
re

Pero como 1 por lo tanto se puede eliminar de la expresin y nos queda:

AV =

RC
re

5000
20

= 250

Parte f:
Ai = - = 0.98 -1

Seccin C
CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR
En esta seccin se presenta un cuestionario que debes contestar y entregar segn las
indicaciones que se te den; este cuestionario tiene como objetivo inducir al estudiante a la
comprensin y para algunas preguntas, fomentar el aspecto investigativo sobre el tema.
1) Se nos proporciona los siguientes datos, IE=2.7mA; hfe=135; hoe=22S; hob=0.6S, :
a) Dibuje el circuito hbrido equivalente, con sus valores para Emisor Comn.
20

b) Dibuje el modelo re, con sus valores para Base Comn.

2) Nos dan el siguiente circuito:

Con RB=460k; RC=2.8k; +VCC=14Voltios; =110; rO=55k; calcular:

a)Dibujar el modelo equivalente tal como se ha presentado en esta gua
b) re.
c) Zi. (Sin ro)
d) ZO. (Sin ro)
e) AV. (Sin ro)
f) Ai. (Sin ro)
g) Repetir de c a f tomando en cuenta ro=55k y comparar y concluir resultados.
3) Para el siguiente amplificador de Emisor Comn:

21

VCC=22 voltios; R1=50k; R2=10.2k; Rc=5.8k; RE=1.8k y =100; se nos pide encontrar:
a)El modelo Equivalente re; b)re; c)Zi; d)Zo cuando ro=; e)Av cuando ro=; f)Ai cuando
ro=; g)Calcular los parmetros del c al f pero si ro = 1/hoe = 50k y comparar los
resultados.
4) Soluciona el literal g del problema 2 desarrollado en esta gua.
5) Para el siguiente amplificador:

Sin considerar los efectos de ro, y RB=490k; RC=2.8k; RE=0.6k; VCC=22 voltios; =110
encontrar lo siguiente:
a)El modelo equivalente del amplificador; b) re ; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.
22

6) Para el siguiente amplificador de Colector Comn:

RB=210k; RE=3.6k; =130; VCC=15 voltios, determinar, sin considerar el efecto de rO:
a) Modelo equivalente; b)re; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.
7) Para el siguiente amplificador de Base Comn.

RE=1.2k; RC=5.8k; VEE= +2.5V; VCC= -7V; =0.97 y ro=1M, calcular:

a)Dibujar el modelo equivalente re; b)Calcular re; c)Zi; d)Zo; e)AV; f)Ai.
8) Para el siguiente circuito amplificador en configuracin con Retroalimentacin de colector,
calcular lo que se les pide auxilindose para ello de la seccin 4.6 y 8.7 del libro de
Boylestad:

23

Con VCC=12 voltios, RC=3.2k; RB=200k; RE=0.5k; =150; r0=, calcular:

a) ICQ y VCEQ.
b) Dibujar el modelo equivalente.
c) re.
d) Zi.
e) Zo.
f) AV.
g) Ai.
9) Para el amplificador con Retroalimentacin de CC en Colector calcular lo que se les pide
auxilindose para ello de la seccin 4.6 y 8.8 del libro de Boylestad, en este problema
considerar el valor de ro :

Con VCC=15 voltios, RC=3.2k; RF1=100k; RF2=80k; RE=0.5k; =125; r0=30k, calcular:
a) IBQ y VCQ.
b) Dibujar el modelo equivalente.
24

c)
d)
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g)

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Zi.
Zo.
AV.
Ai.

Seccin D
FUENTES DE CONSULTA
1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; Electrnica: Teora de Circuitos; Cuarta y Sexta
Edicin; Editorial Prentice-Hall; Mxico, 1997.
2) Algunas fuentes de Internet.
3) Apuntes e Interpretaciones del Tutor de la asignatura.

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