INDICE

Introduccin... 2

Tema A
Diodos de cuarto capas conceptos, conceptos, simbologa, caractersticas y circuitos
aplicados
Diodo de cuatro capas... 3
Diodos DIAC 6
Diodos SCR...9
Diodos TRIAC.12

Tema B
Diodos Transistorizado VJT, PUT, SBS, conceptos, simbologa, caracterstica y
circuitos
Diodo de transistor VJT.15
Diodos de transistor PUT18
Diodos de transistor SBS21

Tema C
Resistencias no lineales y circuito aplicados
Resistencias NTC................23
Resistencias PTC 25
Resistencias LDR....27
Resistencias VDR...29
Tema D
TERMOMETRO DE RESISTENCIAS Detectores de temperatura resistivos
(RTD )
PT100.31
PT1000...33

Tema E
Los Termopares o termocuplos y circuitos
Tipo J..25
Tipo K.....26
Conclusin..28
Bibliografa.29

Anexo.30

Introduccin
Un diodo es un elemento electrnico que tiene un cierto comportamiento cuando se le
induce una corriente elctrica a travs de l, pero depende de las caractersticas de esta
corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea til.

La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar
dependiendo de la corriente elctrica que este fluyendo en l, al poder tener estos dos
estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opcin de ser usados en elementos
electrnicos en los que estos facilitan el trabajo.
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas
semiconductoras npnp. Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede
observar que la unin J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa.

Los Varistores (VDR) son resistencias que varan con la tensin aplicada sobre estos.
Cumplen la funcin de proteger circuitos importantes en caso de una variacin de tensin
espontanea.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un
diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.

Tema A
Diodos de cuarto capas conceptos, conceptos, simbologa, caractersticas y circuitos
aplicados

Diodos de cuatro capas

El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro

capas semiconductoras (npnp), cuya estructura y smbolo se describen en la figuras
12.2.a y 12.2.b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin
J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa. En estas
condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado.
Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin V BO de ruptura o avalancha
donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma
manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar

su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c).
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el
circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado.
Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la grfica
de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y
cuatro regiones de operacin:

DIAC: Control de potencia en corriente alterna (AC)

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para

disparar TRIAC y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos
terminales: MT1 y MT2. .
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor
de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente
no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en
conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.
Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de
fase.
La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando:

- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como
un circuito
abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo

- Tensin de simetra
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIAC se fabrican con capacidad de
disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)
Diodos SCR

El SCR (Silicn Controle Rectificador / Rectificador controlado de silicio) es un

dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.
El smbolo y estructura del SCR se muestran en la figura.

A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y
colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido

del SCR.
Los parmetros del SCR son:
- VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua
Curva caracterstica del SCR
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y
la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta
como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el
grfico).
En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como
un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y
E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de
nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (Ver el punto B y A, y

el voltaje nodo-ctodo VB y VA).
Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta
IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes
de que el SCR conduzca (se ponga en on / est activo)
Qu es un Triac?
El Triac es
un
dispositivo semiconductor que
pertenece a la familia de los dispositivos de control:
los tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos
transistores en paralelo pero conectados en sentido
opuesto y compartiendo la misma compuerta.
A1: nodo 1, A2: nodo 2, G: Compuerta
El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por
la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda
que ser positiva y otra negativa.
Funcionamiento del Triac
La parte positiva (+) de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y
cuando haya habido una seal que hesite direccin hacia la compuerta, de esta
manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta
hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y
cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia
arriba)
Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta
o compuerta).
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as,
controlar el tiempo que cada transistor estar en conduccin. Recordar que

un transistor slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre

sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada transistor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede
controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente
la potencia que consume.

Notas:
- La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo
(diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas.
- En este documento se utiliza el trmino tiristor como sinnimo de SCR.
Circuitos aplicados TRIAC

Dnde:
Ven:
Voltaje
aplicado
L:
C: condensador
A2:
nodo
A3:
nodo
3
del
Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente
alterna a la lmpara (carga), pasando
continuamente entre los estados de conduccin
(cuando la corriente circula por el triac) y el de
corte (cuando la corriente no circula)

al

circuito

(A.C.)
lmpara
P: potencimetro
(capacitor)
R: Resistor
T: Triac
del Triac

TEMA B
Diodos Transistorizado VJT, PUT, SBS, conceptos, simbologa, caracterstica y
circuitos

Diodos transistor UJT

Qu es un transistor UJT?
Es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es
un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN
Muy importante: No es un FET
Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N
con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un
conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar
de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver los
siguientes grficos
Su smbolo es el siguiente:

Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la
Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo =
Vp = 0.7 + n x VB2B1

Dnde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos de circuitos con el transistor UJT

Aplicaciones
Unas de las aplicaciones del UJT mas es como generador de pulsos en diente de sierra.
Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIAC y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: al aplicar una tensin Vcc al circuito serie R-C. Formado
por la resistencia variable R y el condensador est conectado al emisor, cuando e supere la
tensin intrnseca, el UJT entrara en conduccin. Debido a que el valor hmico de la
resistencia R es muy pequeo, el condensador se descargara rpidamente, y en el terminal
de B aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del
condensador sobre el UJT, por debajo de la de mantenimiento, este se desceba y comienza
otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador as, se consigue que el terminal de la
base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para
controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para gradual el tiempo de
disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable R, ya que de
esta depende la constante de tiempo de carga del condensador.

Diodos de transistores PUT

El transistor mono unin programable (PUT), es un dispositivo PNPN de cuatro capas, con
tres terminales denominados:

nodo (A)
Ctodo (K)
Puerta (G).

En la figura 8.1, se muestra el esquema y el smbolo del transistor mono unin (PUT).

A
A (nodo)

+
p
P

VAG

G (Puerta)

Smbolo y esquema de un transistor mono unin programable

Aunque tiene nombre similar al transistor uniunin, la construccin y el funcionamiento del
transistor mono unin programable difieren del transistor uniunin (UJT).
Las
caractersticas de transferencia de los dos dispositivos son muy parecidas, y es la razn de la
similitud entre los nombres.
La programabilidad del dispositivo permite controlar los parmetros RBB, n y Vp, que en
el transistor UJT son fijos. Tambin se pueden controlarse a travs de las resistencias RB1
y RB2 y el voltaje de alimentacin VBB. La disposicin bsica para la polarizacin se
muestra en la figura 8.2.

Diferencia entre el PUT y UJT:

En el transistor (UJT), estriba que las resistencias RB1 y RB2 son las resistencias
internas.
En el transistor (PUT), estriba que las resistencias RB1 y RB2 son conectadas
exteriormente y pueden variarse.
Las caractersticas del PUT y UJT son similares las corrientes de pico y de valle.
Las corrientes del PUT son ms dbiles que las del UJT.
El voltaje de funcionamiento del UJT es ms pequeo que del PUT

Curva Caracterstica del PUT

Circuito transistores PUT

#2

Diodos transistores SBS

Concepto
El SBS o Silicn Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para
aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene adems un terminal adicional
(gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos
de corriente (decenas de A). Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar
puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en
muchas aplicaciones.

Caracterstica del dispositivo

Vs, Tensin de disparo, 6 a 10v

Ls, Corriente de disparo, 0,5 Ma mximo
VH, Tensin de mantenimiento, 0,7v @25 grado

IH, Corriente de mantenimiento,1,5mA

VF, Cada directa , 1,75v @ 200Ma
Vo, Tensin de pico del pulso, 3,5v mnimo

El disparo de este dispositivo se puede realizar bien superando la tensin V o bien aplicando
una corriente de puerta l = 100A

Los SBS tienen voltajes e rompimiento ms bajos que los diacs, los de valor +- 8
son los conocidos.
Puede operar con polaridades opuesta de la tensin de alimentacin.

Sus parmetros caractersticos de acuerdo a la grfica de la figura 12.7.c son: V =8 V, I

=175 A, I =0.7 mA y V =1.4 V. El disparo de este dispositivo se puede realizar bien
superando la tensin V o bien aplicando una corriente de puerta I =100A.

Tema C
Resistencias no lineales y circuito aplicados

-RESISTOR NO LINEAL
Se caracteriza porque su valor hmico, que vara de forma no lineal, es funcin de distintas
magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin, luz, campos magnticos, etc. As
estos resistores estn considerados como sensores.

Resistores ms comunes

Termistores o resistores NTC y PTC. En ellas la resistencia es funcin de

la temperatura.

Varistores o resistores VDR. En ellas la resistencia es funcin de la tensin.

Foto resistores o resistores LDR. En estas ltimas la resistencia es funcin de la luz.

Termistores

En estos resistores, cuyo valor hmico cambia con la temperatura, adems de las
caractersticas tpicas en resistores lineales fijas como valor nominal, potencia nominal,
tolerancia, etc., que son similares para los termistores, hemos de destacar otras:

Resistencia nominal: en estos componentes este parmetro se define para

una temperatura ambiente de 25C

Auto calentamiento: este fenmeno produce cambios en el valor de la resistencia al

pasar una corriente elctrica a su travs. Hemos de tener en cuenta que tambin se
puede producir por una variacin en la temperatura ambiente.

Factor de disipacin trmica: es la potencia necesaria para elevar su temperatura en

1 C. Dentro de los termistores podemos destacar dos grupos: NTC y PTC.

Resistores NTC

Esta resistencia se caracteriza por su disminucin del valor resistivo a medida que aumenta
la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura negativo. Entre sus
caractersticas se pueden destacar: resistencia nominal de 10 ohmios a 2M, potencias entre
1 micro vatio y 35W, coeficiente de temperatura de -1 a -10% por C; y entre sus
aplicaciones: regulacin, compensacin y medidas de temperaturas, estabilizacin de
tensin, alarmas, etc.

Resistencia PTC

Estas a diferencia de las anteriores, tiene un coeficiente de temperatura positivo, de forma

que su resistencia aumentar como consecuencia del aumento de la temperatura (aunque
esto slo se da en un margen de temperaturas).
Resistencia LDR o Varistor

LDR del resistor dependiente es un componente electrnico que pertenecen a un tipo de

valor de la resistencia (valor detenidos) se cambian cuando se cambia tambin la intensidad
de la luz absorbida. Por lo tanto LDR es tambin un resistor que tiene un coeficiente de
temperatura negativo, donde la resistencia es afectada por intensidad de luz. LDR hecha de
cadmio Sulfuros, este material se produce a partir de polvos cermicos. Por lo general,
cadmio Los sulfitos tambin llamado material fotoconductor, si la conductividad o
resistencia de sulfuros de cadmio varan la intensidad de la luz. Si la intensidad de luz
recibida bajo, altas barreras tambin dar lugar a la tenga gran salida tambin ser alta y
viceversa donde se produce el mecanismo del proceso de cambio de luz en electricidad.

Principio de trabajo LDR:

Bsicamente disco LDR hecho de un semiconductor que tiene dos electrodos en su
superficie. Cuando es la intensidad de la luz oscura o baja, estos materiales producen
electrones libres con una cantidad relativamente pequea. As que slo unos pocos
electrones generados para el transporte de la carga elctrica. Esto significa que, cuando la
intensidad de la luz oscura o baja, el LDR sera un mal conductor, de modo que LDR tiene
una gran resistencia en la intensidad de la luz oscura o baja.

En el momento de la luz o luz de alta intensidad, estos materiales producen ms electrones

en los tomos. As que ms electrones se generan para el transporte de la carga elctrica.
Esto significa que, cuando la luz o luz de alta intensidad, a continuacin, LDR se convierte
en un buen conductor, por lo que la LDR tiene una pequea resistencia cuando la luz o luz
de alta intensidad.

Aplicaciones de LDR
Aplicaciones LDR (Light Dependent Resistor):
Los sensores en el circuito sensor de luz
El sensor de encendido automtico de luces
Los sensores en las cajas de seguridad de alarma
Los sensores de la luz del seguidor solar
Sensor sobre el control de la direccin de la clula solar
Los sensores del robot seguidor de lnea
Los sensores en el circuito sensor de luz
La primera serie utiliza para utilizar LDR (Light Dependent Resistor) como un
sensor de luz. LDR es un componente electrnico que el valor de la
resistencia disminuir si no es aumentar la intensidad de la luz que incide.
LDR convertir la luz en los componentes elctricos y piezas. LDR se utiliza
en una amplia variedad de presencia de la luz, o activar un sistema.

Resistencias VDR
. La resistencia VDR (Voltage Dependent Resistors) o Varistor, es una resistencia que
depende de la tensin, ya que al aplicarle diferentes tensiones entre sus extremos, vara su
resistencia de acuerdo con esas tensiones. La propiedad que caracteriza esta resistencia
consiste en que disminuye su valor hmico cundo aumenta la tensin entre sus extremos.
Ante picos altos de tensin se comporta casi como un cortocircuito.
Este tipo de resistencia se aplica mucho para proteger aparatos como televisores,
ordenadores, DVD, aires acondicionados, etc.
La VDR se coloca en paralelo con la entrada del circuito electrnico, generalmente la
entrada de la fuente de alimentacin del aparato, como si colocramos un condensador. La
VDR nos proteger el circuito cuando la tensin de la entrada empiece a aumentar fuera del
lmite previsto. Comportndose como si fuera un cortocircuito y haciendo fundir el fusible
que protege la entrada de alimentacin.

Smbolo de la VDR.
Hay que tener presente que en la prctica la mayora de veces la VDR se quema o deteriora,
si se llega a producir la subida de tensin fuera de lmites. Esto no es muy grave ya que
cambiando el fusible que se habr fundido y la VDR habremos salvado todo el circuito y
sus componentes ms delicados y costosos.
El rango de valores de tensin que podemos encontrar en los comercios electrnicos va
entre 16 y 2000V, siendo el valor de 250V el mas comn y tiene un precio de unos 0,25
Euros.

Disminuye su valor hmico cuando aumenta bruscamente la tensin.

De esta forma bajo impulsos se comporta casi como un cortocircuito y cuando cesa
el impulso posee una alta resistividad.

Construccin
Se utilizan en su construccin carburo de silicio
xido de zinc.
Oxido de titanio.
Aplicacin

Se usan para proteger contactos mviles de contactores, rels, interruptores.

Adems como proteccin contra sobre tensiones y estabilizacin de tensiones,
adaptacin a aparatos de medida.

Tema D

TERMOMETRO DE RESISTENCIAS Detectores de temperatura resistivos (RTD )

Qu es un RTD?

Un RTD es un dispositivo que utiliza el cambio en la resistencia de una pieza

de alambre con la temperatura para medir la temperatura. El trmino RTD
significa detector de temperatura por resistencia. La forma ms comn de
IDT.

Material de construccin del RTD

El platino es el 385, aunque RTD se hacen a veces de otros metales como el
platino, nquel, y Cobre. Un RTD de platino tambin puede ser referido como
un PRT (termmetro de resistencia de platino).

Cul es el principio bsico?

La imagen sencilla es que cuando se calienta, los tomos de metal vibran
Ms, pasar parte del tiempo lejos de la posicin normal. Esta condicin
"fuera de lugar Retarda el movimiento de los electrones a travs de la red
de tomos. Como resultado de ello su resistencia Sube. Si se conoce la
relacin entre la resistencia y la temperatura, podemos medir la resistencia

exactamente y determinar la temperatura. Ah son tambin algunas otras

cosas que suceden que hacen la fabricacin de RTD un arte, pero lo
haremos ignorarlos por el bien de la simplicidad. El RTD fabricantes se
preocupan por estos artculos para nosotros.
Para la mayora de IDT de la variacin de la resistencia es de
aproximadamente 0,4% por C. As, para un 100? IDT (el valor ms tpico)
el cambio en la resistencia durante un lapso de 100 C es
aproximadamente 40? (0,4? / C). Para un platino RTD 385 es el nmero
real 38,5? / 100 C. Para los pequeos rangos de temperatura el cambio es
muy lineal. Para rangos ms grandes son los cambios ligeramente no lineal
y
requieren
linealizacin.
Mesas
de
IDT:
www.AdvIndSys.com/ApNotes/TCandRTDTables.htm~~number=plural.
Otro problema que enfrentan los que estamos usando RTD es la resistencia
del conductor. Puesto que el cambio en la resistencia para un 100?
RTD es slo el 0,4? / C, la resistencia del conductor puede ser importante.
Slo 8 'de alambre # 24 puede crear un desplazamiento de 1 . Es
incmodo tener que corregir manualmente para diferentes longitudes de
cable, por lo que muchos transmisores de IDT hacer esto para usted.

Por qu utilizar un RTD?

RTD son inherentemente estable y precisa. Es fcil de conseguir una
precisin del orden de 0,1 C.
RTD no requieren compensacin de unin fra, y RTD se puede ejecutar con
el alambre de cobre ordinario. Recuerda
Que las comunidades teraputicas requieren alambre de TC de nuevo al
dispositivo de medicin. RTD se pueden ejecutar en el cable de instrumento
blindado comn.
RTD tienen una gama ms limitada que las comunidades teraputicas. Para
la mayora de los RTD parte se limitan a menos de 650 C. RTD
Tambin estn ms sujetos a vibraciones y golpes. Al soltar un RTD de
precisin puede causar un cambio permanente en
Calibracin y posiblemente dao significativo. RTD tambin cuestan ms
que las comunidades teraputicas.

Tema E
Los Termopares termocuplos y circuitos

Termopar
Tambin llamado termocople es un transductor formado por la unin de dos metales
distintos que produce una diferencia de potencial muy pequea (del orden de los mili
voltios) que es funcin de la diferencia de temperatura entre uno de los extremos
denominado punto caliente o unin caliente o de medida y el otro llamado punto
fro o unin fra o de referencia (efecto Seebeck).
Normalmente los termopares industriales estn compuestos por un tubo de acero inoxidable
u otro material. En un extremo del tubo est la unin, y en el otro el terminal elctrico de los
cables, protegido dentro de una caja redonda de aluminio (cabezal).
En instrumentacin industrial, los termopares son usados como sensores de temperatura.
Son econmicos, intercambiables, tienen conectores estndar y son capaces de medir un
amplio rango de temperaturas. Su principal limitacin est en la exactitud, pues es fcil
obtener errores del sistema cuando se trabaja con precisiones inferiores a un grado Celsius.
El grupo de termopares conectados en serie recibe el nombre de termopila. Tanto los
termopares como las termopilas son muy usados en aplicaciones de calefaccin a gas.
Adems de lidiar con la compensacin de unin fra, el instrumento de medicin debe
adems enfrentar el hecho de que la energa generada por un termopar no es una funcin
lineal de la temperatura. Esta dependencia se puede aproximar por un polinomio complejo
(de grado 5 a 9, dependiendo del tipo de termopar). Los mtodos analgicos de
linealizacin son usados en medidores de termopares de bajo costo.

Formato de termopares
Los termopares estn disponibles en diferentes formatos, como sondas. Estas ltimas son
ideales para variadas aplicaciones de medicin, por ejemplo, en la investigacin mdica,
sensores de temperatura para los alimentos, en la industria y en otras ramas de la ciencia,
etc.
A la hora de seleccionar una sonda de este tipo debe tenerse en consideracin el tipo de
conector. Los dos tipos son el modelo estndar, con pines redondos y el modelo
miniatura, con pines chatos, siendo estos ltimos (contradictoriamente al nombre de los
primeros) los ms populares.
Otro punto importante en la seleccin es el tipo de termopar, el aislamiento y la
construccin de la sonda. Todos estos factores tienen un efecto en el rango de temperatura a
medir, precisin y fiabilidad en las lecturas.

Tipos
Tipo K (cromel/alumel): con una amplia variedad aplicaciones, est disponible a un bajo
costo y en una variedad de sondas. El cromel es una aleacin de Ni-Cr, y el alumel es una
aleacin de Ni-Al. Tienen un rango de temperatura de 200 C a +1372 C y una
sensibilidad 41 V/C aproximadamente. Posee buena resistencia a la oxidacin.
Tipo J (hierro/constantn): su rango de utilizacin es de 270/+1200 C. Debido a sus
caractersticas se recomienda su uso en atmsferas inertes, reductoras o en vaco, su uso
continuado a 800 C no presenta problemas, su principal inconveniente es la rpida
oxidacin que sufre el hierro por encima de 550 C; y por debajo de 0 C es necesario tomar
precauciones a causa de la condensacin de vapor de agua sobre el hierro.

Conclusin

Bibliografa

http://www.monografias.com/trabajos16/el-diodo/el-diodo.shtml
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Shockley
http://unicrom.com/diodo-de-4-capas-diodo-schockley/
https://es.wikipedia.org/wiki/Diac
https://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio
https://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://www.ecured.cu/Resistor_no_lineal
https://es.wikipedia.org/wiki/Termopar

Anexos