Semiconductores

Semiconductores intrnsecos:
Son aquellos cristales puros que no han sido contaminados con ninguna otra
sustancia entre los ms usados tenemos el Silicio y el Germanio

ELEMENTOS TRIVALENTES
Son todos aquellos elementos , que tienen tres electrones de valencia cono
el aluminio, Bismuto, Galio etc.

ELEMENTOS PENTALENTES
Entre ellos tenemos el Antimonio, arsnico y fosforo

Semiconductores Extrnsecos
La adicin de un pequeo porcentaje de tomos extraos en la red cristalina
regular de silicio o germanio, produce unos cambios espectaculares en sus
propiedades elctricas, dando lugar a los semiconductores de tipo n y tipo
p.

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

Semiconductor tipo N
Los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios son los
huecos

Semiconductores tipo P
Los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los
electrones

Cristales de germanio y silicio

Cristales intrnsecos
Los cristales intrnsecos carecen de impurezas
En su capa de valencia es encuentran 4 electrones
El cristal posee el factor que controla la escasez de portadores de
carga (huecos positivos o electrones libres) comportndose como
aislador Al aumentar la temperatura, aumenta el nmero de esos
portadores. Por lo tanto, al aumentar la temperatura, la conductividad
intrnseca crece

Cristales Extrnsecos:
Se han dopado (inyectado) con tomos de otros elementos
Pentavalentes y trivalentes
El arsnico, antimonio, fosforo en sus tomos se encuentran 5
electrones de valencia lo cual se clasifica como Pentavalentes.
Impurezas donadores
El aluminio, boro, galio en la capa de valencia se encuentran 3
electrones de valencia lo cual estn dentro del grupo de los
trivalentes. Impurezas aceptadoras
El factor que controla es la escasez de portadores de carga,
relacionado con los dopantes. Al aumentar la temperatura, los
dopantes proporcionas ms y ms portadores. La conductividad
extrnseca crece con la temperatura.

Cristales Tratados (Dopado) con impurezas

Todos aquellos cristales que se han agregado impurezas

pentavalentes

Todos aquellos cristales que se le han agregado

impurezas trivalentes

Cristales Extrnsecos
Portadores
Caso 1 Semiconductores Tipo (N)
Dopados con elementos pentavalentes, este semiconductor cuenta
con exceso de electrones libres, lo cual se le llama semiconductor tipo
(N) siendo sus portadores mayoritarios los electrones y portadores
minoritarios los huecos

Caso 2 Semiconductores Tipo (P)

Dopados con elementos trivalentes, este semiconductor pasa ser

contrario al tipo (N) con exceso de huecos se le llama semiconductor
tipo (P) sus portadores mayoritarios los huecos y los minoritarios los
electrones.

Efecto de la temperatura en equipo que contenga

semiconductores
El equipo que tenga semiconductores (extrnsecos) tiene un rango de
temperaturas de trabajo Si la temperatura es excesivamente baja, no
habr conduccin en un semiconductor Si la temperatura es
excesivamente alta, habr conduccin espontnea. En el
semiconductor Los equipos electrnicos militares se especifican con
distintos semiconductores dependiendo de si la destinacin es en la
Antrtica o en Irak. Se ocupan distintas aperturas de energa
dependiendo del kT del ambiente. Esto lo determina el nmero de
tomos de impureza a la hora de construirlo

La unin PN
Corriente de difusin
Al unir un cristal N y un P se establece una corriente llamada corriente de
difusin, es un pasaje de electrones entre del cristal N al cristal P

Zona de agotamiento Potencial de barrera

Logra el equilibrio entre los iones positivos en la zona N y iones negativos en
la zona P, se establece entre las zonas P Y N una diferencia de tensin, esta
tensin VD es de 0.7 para el Silicio y de 0.3 para el germanio

Polarizacin Directa
Por lo general a este conjunto PN se llama diodo, siendo el P el nodo y el N
el ctodo.
Cuando el diodo es conectado a una fuente externa el positivo al nodo y el
negativo el ctodo y el potencial es superior al ( VD ) los electrones del
cristal N saltan la unin hacia los huecos de la regin P convirtindose en
electrn de valencia, a la vez es atrado por el positivo de la fuente pasando
de tomo en tomo y saliendo del cristal a travs del hilo conductor hasta la
fuente. La fuente sede sus electrones libres a la zona N y atrae los
electrones de valencia de la zona P formando una corriente constante

Polarizacin Inversa
En este modo se conecta el polo negativo de la fuente al nodo, y el polo
positivo al ctodo.
El polo positivo atrae los electrones libres de la zona N hacia la fuente y
el polo negativo sede sus electrones libres a la zona P en los tomos
trivalentes los electrones libres cedidos por la fuente caen a los huecos
estabilizando los tomos, transformndolos en iones negativos, este proceso
se repite aumentando la zona de agotamiento alcanzando el mismo
potencial elctrico de la fuente, en estas condiciones el diodo no conduce.

Curva de caracterstica
Tensin de Umbral

( VY )

Cuando la tensin de una fuente supera la tensin del umbral este comienza
a conducir, ( la tensin del umbral la determina la zona de agotamiento
Corriente Mxima (I max)
Es la corriente mxima que puede conducir un diodo segn las
especificaciones del fabricante
Corriente mxima de saturacin ( Is )
Es la corriente que surge con el polarizado inverso, est en el orden de los
microamperios
Tensin de ruptura ( Vr )
Es el potencial inverso de voltaje que produce el efecto avalancha ( el efecto
avalancha es la aceleracin de electrones )

Smbolo esquemtico del diodo

El diodo Zener (diodos de avalancha o ruptura )

El efecto de avalancha es aprovechable en diodos muy dopados la zona de
carga (angostamiento) es ms fina el campo elctrico de la zona depende
de la tensin aplicada y de la distancia de la zona. Puede conducir en forma
inversa, y es ideal como reguladores

Caracterizacin del Zener

El diodo zener viene caracterizado por:
1. Tensin Zener Vz.
2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%)
3. Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz.

4. Mxima potencia disipada.

5. Mxima temperatura de operacin del zener

Smbolo esquemtico del diodo del Zener

Cristales extrinsecos
Son cristales con cierto grado de contaminacin con otros elementos,
como los trivalentesentre ellos se encuentra el aluminio. O los
pentavalentes como el elemento antimonio.
Componentes electrnicos. Ahora mismo, se esta llegando al limite con
el silicio y el germanio. Aplicando los superconductores y el grafeno,
podran llegarse a niveles nunca vistos en programacin