Gua para el Laboratorio # 1

UTEC

Facultad de Ingeniera Electrnica

Curso: Circuitos Analgicos, EL4001
Laboratorio # 1: Operacin del Diodo Semiconductor
Instrucciones

I.

OBJETIVOS

1. Analizar las caractersticas de operacin de los diodos de Germanio (Ge) y de Silicio (Si)
2. Obtener las curvas caractersticas de transferencia VD versus ID de ambos tipos de diodos
3. Usar la ley de voltajes de Kirchhoff y calcular los voltajes en los diferentes componentes del
circuito, as como la potencia disipada por cada uno de los dispositivos del circuito.
4. Explicar a travs de los modelos tericos del diodo y los conocimientos de circuitos elctricos el
comportamiento del diodo observado y medido, y compararlo con la teora presentada en el
curso.
II.

LISTA DE COMPONENTES

Equipamiento:
IBM PC o Compatible
Fuente de Voltaje DC (BK Precisin)
DMM (Multmetro Digital Fluke 115)
Ampermetro (AMPROBE)
Tarjeta Protoboard
Componentes:
1 - 470 Resistor 1/2 Watt
1 Diodo 1N4004

1 Diodo 1N34A (o equivalente)

Software:
MultiSim 12
III.

PROCEDIMIENTO
A. Construccin del Circuito Serie Diodo-Resistor
1. En referencia al circuito mostrado en la Figura 1, use la fuente controlada de voltaje

(previamente ajustado para proveer 0.1 Volts de salida) y registre los voltajes del diodo,
del resistor de 470, as como la corriente del circuito en serie mostrado. Incremente el
voltaje de la fuente 0.1 Volts a la vez hasta llegar a 0.5 Volts. Luego incremente el

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voltaje segn se indica en la Tabla 1, y registre los valores de voltajes y corriente

obtenidos en dicha Tabla.
Figura 1: Circuito Diodo y Resistor en Serie
XMM1
XMM2

XMM3

R1
470
V1

D1
1N4001G
10.000V

Key = A

Tabla 1 Voltajes y Corrientes Medidos Diodo de Silicio

Voltaje de
la fuente
0.1 V

Voltaje en
el Resistor

Voltaje en el
Diodo

Corriente del Diodo

0.3 V

2.997 mV

297.003mV

6.439uA

0.4 V

18.068 mV

381.932mV

38.469uA

0.5 V

60.606mV

439.334mV

129.119uA

0.55 V

91.289mV

458.711mV

194.289uA

0.60 V

126.005mV

473.995mV

268.174uA

0.65 V

163.616mV

486.384mV

384.221uA

0.7 V

203.312mV

496.688mV

432.654uA

0.75 V

244.551mV

505.449mV

520.362uA

0.80 V

286.963mV

513.037mV

610.628uA

1.0 V

146.144mV

535.856mV

987.543uA

2.0 V

1.411V

588.68mV

3.003mA

Voltaje de

Voltaje en

Voltaje en el

Corriente del Diodo

0.2 V

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la fuente
3.0 V

el Resistor
2.386 V

Diodo
613.676 mV

5.0 V

3.37 V

630.13 mV

7.0 V

6.34 V

660.363mV

13.489mA

10.0 V

9.321 V

678.907 mV

19.832mA

5.077mA
7.17mA

2. Desconecte la fuente de voltaje y reemplace el Diodo 1N4001 por el diodo de Germanio

(asumir es el 1N34A).
3. Ajuste el voltaje de la fuente a 0.1 V y conecte la fuente al circuito.
4. Repita los pasos realizados anteriormente y registre sus mediciones de voltaje y corriente

en la Tabla 2. (Note que los incrementos de voltaje usados son menores).

Tabla 2 Circuito Diodo y Resistor en Serie: Diodo de Germanio
Voltaje de
la fuente
0.1 V

Voltaje en
el Resistor
1.87mV

Voltaje en el
Diodo
98.125 mV

Corriente del Diodo

0.15 V

9.416m V

140.584mV

20.067uA

0.20 V

28.725 mV

171.205mV

61.284uA

0.25V

58.319mV

191.681Mv

124.095uA

0.30 V

93.597 mV

206.403 mV

199.174 uA

0.35 V

132.064mV

217.936 mV

281.025 uA

0.40 V

172.45 mV

227.55mV

366.956 uA

0.50 V

256.598mV

243.402 mV

546.008 uA

0.75 V

476.263mV

273.737 mV

1.0 V

701.656mV

298.399mV

1.5 V

1.159 V

2.0 V

1.621 V

379.107mV

3.449 mA

3.0 V

2.55 V

450.39mV

5.425 mA

5.0 V

4.416 V

583.962mV

9.396 mA

Voltaje de
la fuente

Voltaje en
el Resistor

Voltaje en el
Diodo

Corriente del Diodo

3.997 uA

0.45 V

340.794mV

1.013 mA
1.493 mA
2.466mA

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7.0 V

6.287 V

712.724 mV

13.377 mA

10.0 V

9.098 V

901.889 mV

19.358 mA

5. Calcule la suma de los voltajes a travs del diodo y a travs del resistor. Es la suma de

ambos voltajes igual al de la fuente aplicada?

(SI o NO)
Explique la respuesta ofrecida.

6. Calcule la potencia disipada por el resistor, el diodo, y la fuente de poder en el punto que

la corriente del circuito es de un valor entre 1 mA y 10 mA. (indique el valor que

selecciono)
Muestre sus clculos y registre sus resultados en la Tabla 3.
Tabla 3 Potencia Disipada en el Resistor, el Diodo y la Fuente de Poder
Voltaje de la
Fuente DC

PR
(mW)

PD
(mW)

PS
(mW)

B. Simulacin del Circuito Serie Diodo-Resistor

1. Use Multisim y construya el circuito mostrado en la Figura 1.
2. Realice las mismas operaciones que hizo en la seccin A, pero esta vez con el circuito simulado.
3. Complete las tablas 4, 5, y 6 incluidas en este reporte.

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Tabla 4 Voltajes y Corrientes Medidos Diodo de Silicio

Voltaje de
la fuente
0.1 V

Voltaje en
el Resistor

Voltaje en el
Diodo

Corriente del Diodo

0.2 V
0.3 V
0.4 V
0.5 V
0.55 V
0.60 V
0.65 V
0.7 V
0.75 V
0.80 V
1.0 V
2.0 V
3.0 V
5.0 V
7.0 V
10.0 V

Tabla 5 Circuito Diodo y Resistor en Serie: Diodo de Germanio

Voltaje de
la fuente
0.1 V

Voltaje en
el Resistor

Voltaje en el
Diodo

Corriente del Diodo

Voltaje en

Voltaje en el

Corriente del Diodo

0.15 V
0.20 V
0.25V
0.30 V
0.35 V
0.40 V
Voltaje de

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la fuente
0.45 V

el Resistor

Diodo

0.50 V
0.75 V
1.0 V
1.5 V
2.0 V
3.0 V
5.0 V
7.0 V
10.0 V

4. Calcule la suma de los voltajes a travs del diodo y a travs del resistor. Es la suma de ambos

voltajes igual al de la fuente aplicada?

(SI o NO)
Explique la respuesta ofrecida.

5. Calcule la potencia disipada por el resistor, el diodo (muestre el procedimiento), y la fuente de

poder en el punto que la corriente del circuito es de un valor entre 1 mA y 10 mA. (indique el
valor que selecciono)
Muestre sus clculos y registre los resultados en la Tabla 6

Tabla 6 Potencia Disipada en el Resistor, el Diodo y la Fuente de Poder

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Voltaje de la
Fuente DC

PR
(mW)

PD
(mW)

PS
(mW)

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IV. Preguntas (20%)

1. Utilice papel cuadriculado y dibuje las curvas de transferencia ID (eje Y) Versus VD (Eje X).

Para los dos tipos de diodos utilizados en este reporte.

Elija escalas apropiadas para que el grafico ocupe al menos del ancho de la pgina y del alto
de la pgina.

2. Utilice la formula: ID = IS x

vd/ n.Vt

y determine la corriente de saturacin del diodo de Silicio utilizado en este experimento.

Utilice tres valores de la tabla y registre el promedio obtenido para Is
Dnde:
I D = Corriente del Diodo
IS = Corriente de saturacin del Diodo (Est entre 1 x 10-15 A y 1 x 10-6 A ). Su valor es diferente
para diodos de Si, del valor que tiene para diodos de Ge.
= 2.71828 (base de logaritmos Neperianos)
VD = Voltaje del diodo
Usar n = 1.
VT = Voltaje Trmico
KT
VT = ----------q
Donde K es la constante de Boltzmann (1.38 x 10-23 Joules / Grados Kelvin)
T = Temperatura absoluta (273 + oC) Asumir T = 300 oK
q = 1.6 x 10 -19 Coulombs (Carga elctrica del electrn)
Repita la pregunta 2, para el diodo de Germanio
Muestre sus clculos y registre las respuestas en el espacio inferior.

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