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Transstor
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Otransstor(portuguseuropeu)outransistor(portugusbrasileiro)um
componenteeletrnicoquecomeouapopularizarsenadcadade1950,
tendosidooprincipalresponsvelpelarevoluodaeletrnicanadcada
de1960.Soutilizadosprincipalmentecomoamplificadorese
interruptoresdesinaiseltricos,almderetificadoreseltricosemum
circuito,podendotervariadasfunes.Otermoprovmdoinglstransfer
resistor(resistor/resistnciadetransferncia),comoeraconhecidopelos
seusinventores.[1]

Transistorescomdiferentes
encapsulamentos.esquerdaum
transistordesinalem
encapsulamentoTO92.direita
umtransistordealtapotnciaem
encapsulamentometlicoTO3.

Oprocessodetransfernciaderesistncia,nocasodeumcircuito
analgico,significaqueaimpednciacaractersticadocomponentevaria
paracimaouparabaixodapolarizaoprestabelecida.Graasaesta
funo,acorrenteeltricaquepassaentrecoletoreemissordotransistor
variadentrodedeterminadosparmetrosprestabelecidospeloprojetista
docircuitoeletrnico.Estavariaofeitaatravsdavariaodecorrentenumdosterminaischamadosbase,o
que,consequentemente,ocasionaoprocessodeamplificaodesinal.
Entendeseporamplificaroprocedimentodetornarumsinaleltricomaisforte.Umsinaleltricodebaixa
intensidade,comoossinaisgeradosporummicrofone,injetadonumcircuitoeletrnico(transistorizadopor
exemplo),cujafunoprincipaltransformarestesinalfracogeradopelomicrofoneemsinaiseltricoscomas
mesmascaractersticas,mascompotnciasuficienteparaexcitarosaltofalantes.Aesteprocessotododseo
nomedeganhodesinal.

ndice
1
2
3
4
5
6
7
8

Inveno
Algunsnmeros
Importncia
Fabricao
Funcionamento
Caractersticasdeumtransistor
Vertambm
Referncias

Inveno
OtransstordesilcioegermniofoiinventadonosLaboratriosdaBellTelephoneporJohnBardeeneWalter
HouserBrattainem1947e,inicialmente,demonstradoem23deDezembrode1948,porJohnBardeen,Walter
HouserBrattaineWilliamBradfordShockley,queforamlaureadoscomoNobeldeFsicaem1956.
Ironicamente,elespretendiamfabricarumtransistordeefeitodecampo(FET)idealizadoporJuliusEdgar
Lilienfeldantesde1925,masacabarampordescobrirumaamplificaodacorrentenopontodecontatodo
transistor.Istoevoluiuposteriormenteparaconvertersenotransistordejunobipolar(BJT).Oobjetivodo
projetoeracriarumdispositivocompactoebaratoparasubstituirasvlvulastermoinicasusadasnossistemas
telefnicosdapoca.

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Ostransistoresbipolarespassaram,ento,aserincorporadosadiversasaplicaes,taiscomoaparelhos
auditivos,seguidosrapidamenteporrdiostransistorizados.Masaindstrianorteamericananoadotou
imediatamenteotransistornosequipamentoseletrnicosdeconsumo,preferindocontinuarausarasvlvulas
termoinicas,cujatecnologiaeraamplamentedominada.Foipormeiodeprodutosjaponeses,notadamenteos
rdiosportteisfabricadospelaSony,queotransistorpassouaseradotadoemescalamundial.Nohouve
muitasmudanasatento.
Nessapoca,oMOSFET[2](MetalOxideSiliconFieldEffectTransistorTransistordeEfeitodeCampo
formadoporMetal,xidoeSilcio)ficouemsegundoplano,quaseesquecido.Problemasdeinterface
inviabilizavamaconstruodosMOSFETs.Contudo,em1959,AtallaeKahng,daBellLabs,fabricarame
conseguiramaoperaodeumtransistorMOS.Nessapoca,ostransistoresMOSeramtidoscomo
curiosidade,devidoaodesempenhobastanteinferioraosbipolares.
Agrandevantagemdostransistoresemrelaosvlvulasfoidemonstradaem1958,quandoJackKilby,da
TexasInstruments,desenvolveuoprimeirocircuitointegrado,consistindodeumtransistor,trsresistoreseum
capacitor,implementandoumosciladorsimples.Apartirda,viaseapossibilidadedecriaodecircuitosmais
complexos,utilizandointegraodecomponentes.Istomarcouumatransionahistriadostransistores,que
deixaramdeservistoscomosubstitutosdasvlvulasepassaramaserencaradoscomodispositivosque
possibilitamacriaodecircuitoscomplexos,integrados.
Em1960,devidoasuaestruturamaissimples,oMOSpassouaserencaradocomoumdispositivovivelpara
circuitosdigitaisintegrados.Nessapoca,haviamuitosproblemascomestadosdeimpurezas,oquemanteveo
usodoMOSrestritoatofimdadcadade60.Entre1964e1969,identificouseoSdioNacomooprincipal
causadordosproblemasdeestadodesuperfcieecomearamasurgirsoluesparataisproblemas.
NoinciodatecnologiaMOS,ostransistoresPMOSforammaisutilizados,apesardeoconceitode
ComplementaryMOS(CMOS)jtersidointroduzidoporWeimer.Oproblemaaindaeraadificuldadede
eliminaodeestadosdesuperfcienostransistoresNMOS.
Em1970,aIntelanunciavaaprimeiraDRAM,fabricadacomtecnologiaPMOS.Em1971,amesmaempresa
lanavaoprimeiromicroprocessadordomundo,o4004,baseadoemtecnologiaPMOS.Eletinhasido
projetadoparaserusadoemcalculadoras.Aindaem1971,resolviamseosproblemasdeestadodesuperfciee
emergiaatecnologiaNMOS,quepermitiamaiorvelocidadeemaiorpoderdeintegrao.
OdomniodatecnologiaMOSduraatofinaldosanos70.Nessapoca,oNMOSpassouaserumproblema,
poiscomoaumentodadensidadedosCIs,atecnologiademonstrouseinsuficiente,poissurgemgrandes
problemascomconsumodepotncia(quealtanessetipodetecnologia).Comisso,atecnologiaCMOS
comeavaaganharespao.
Apartirdadcadade80,ousodeCMOSfoiintensificado,levandoatecnologiaaserusadaem75%detodaa
fabricaodecircuitos,porvoltadoano2000.

Algunsnmeros
Oprimeiroprocessadorde8bits(Intel8008)usavatecnologiaPMOSetinhafrequnciade0,2MHz.Anode
fabricao:abril/19723500transistorescom10umou10000nm,comumatensodetrabalhode5V
10anosdepois,aIntellanouo80286,comfrequnciasde6,10e12MHz,fabricadocomtecnologiaCMOS
134.000transistores1,5mcronou1500nm,comumatensodetrabalhode5V
OPentium4,lanadoemjaneirode2002,trabalhacomfrequnciasde1300a4000MHz,com55milhesde
transistoresCMOS130nm.AsriedechipsRadeon2000,porexemplo,atingeos500milhesdetransistores,
chegandocasados40nm.

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AplacadevdeodaAMDRadeonHD6870,lanadaemoutubrode2010,trabalhacomfrequnciasde900
MHznaGPU,4200MHzdefrequnciadememriadotipoGDDR5(interfacede256bits),tem1,7bilhode
transistores,comprocessodefabricaode40nmeumCorede255mm2.[3]

Importncia
Otransistorconsideradopormuitosumadasmaioresdescobertasouinvenesdahistriamoderna,tendo
tornadopossvelarevoluodoscomputadoreseequipamentoseletrnicos.Achavedaimportnciado
transistornasociedademodernasuapossibilidadedeserproduzidoemenormesquantidadesusandotcnicas
simples,resultandopreosirrisrios.
convenientesalientarquepraticamenteimpossvelseremencontradoscircuitosintegradosqueno
possuam,internamente,centenas,milharesoumesmomilhesdetransistores[4],juntamentecomoutros
componentescomoresistoresecondensadores.Porexemplo,omicroprocessadorCelldoconsolePlaystation3
temaproximadamente234milhesdetransistores,usandoumaarquiteturadefabricaode45nanmetros,ou
seja,aportadecontroledecadatransistortemapenas45milionsimosdeummilmetro.
Seubaixocustopermitiuquesetransformassenumcomponentequaseuniversalparatarefasnomecnicas.
Vistoqueumdispositivocomum,comoumrefrigerador,usariaumdispositivomecnicoparaocontrole,hoje
frequenteemuitomaisbaratousarummicroprocessadorcontendoalgunsmilhesdetransistoreseum
programadecomputadorapropriadopararealizaramesmatarefa.Ostransistores,hojeemdia,tmsubstitudo
quasetodososdispositivoseletromecnicos,amaioriadossistemasdecontrole,eaparecememgrandes
quantidadesemtudoqueenvolvaeletrnica,desdeoscomputadoresaoscarros.
Seucustotemsidocrucialnocrescentemovimentoparadigitalizartodaainformao.Comoscomputadores
transistorizadosaoferecerahabilidadedeencontrareordenarrapidamenteinformaesdigitais,maisemais
esforosforampostosemtornartodaainformaodigital.Hoje,quasetodososmeiosnasociedademoderna
sofornecidosemformatodigital,convertidoseapresentadosporcomputadores.Formasanalgicascomunsde
informao,taiscomoatelevisoouosjornais,gastamamaioriadoseutempocominformaodigital,sendo
convertidanoformatotradicionalapenasnumapequenafraodetempo.

Fabricao
OsmateriaisutilizadosnafabricaodotransistorsoprincipalmenteoSilcio
(Si),oGermnio(Ge),oGlio(Ga)ealgunsxidos.Nanatureza,osilcioum
materialisolanteeltrico,devidoconformaodasligaeseletrnicasdoseu
tomo,gerandoumaredeeletrnicaaltamenteestvel.Atualmente,otransistorde
germniomenosusado,tendosidosubstitudopelodesilcio.
Osilciopurificadoepassaporumprocessoqueformaumaestruturacristalina
emseustomos.Omaterialcortadoemfinosdiscos,queaseguirvoparaum
processochamadodedopagem,ondesointroduzidasquantidadesrigorosamente
controladasdemateriaisselecionados(conhecidoscomoimpurezas)que
transformamaestruturaeletrnica,introduzindoseentreasligaesdostomosde
silcio.OSilciorealizaligaescovalentesdequatroeltrons.Quando
adicionamosumaimpurezacom3eltronsnaltimacamada,faltarumeltronna
ligaocovalente,formandoosburacosecaracterizandoapastilhacomopastilhaP.

Smbolosdostransistores
bipolares

Quandoadicionamosumaimpurezacom5eltronsnaltimacamada,vaisobrarumeltronnaligao
covalentecomosilcio.Esseseltronslivrestmpoucainteraocomseutomo,entoqualquerenergia
fornecidaofazsair,sendoassimumeltronlivre(assimseformaapastilhaN,quetemessenomeportermaior
nmerodeeltronslivres).ApastilhaPtemmenoseltronslivresemais"buracos"eaPastilhaNtemmais
eltronslivresqueburacos.NopodemosdizerqueapastilhaPpositivanemqueapastilhaNnegativa,
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porqueasomatotaldeeltronsigualsomatotaldeprtons.QuandounimosapastilhaPeapastilhaN,os
eltronslivresemexcessonapastilhaNmigramparaapastilhaPeosburacosdapastilhaPmigramparaa
pastilhaN.DestemodoapastilhaPficanegativaeapastilhaNficapositiva.Istoodiodo.
OtransistormontadojustapondoseumacamadaP,umaNeoutraP(unindosedoisdiodos),criandoseum
transistordotipoPNP.OtransistordotipoNPNobtidodemodosimilar.Acamadadocentrodenominada
base,easoutrasduassooemissoreocoletor.Nosmbolodocomponente,oemissorindicadoporumaseta,
queapontaparadentrodotransistorseocomponenteforPNP,ouparafora,seforNPN.
CientistasportuguesesdoCentrodeInvestigaodeMateriais(Cenimat)daFaculdadedeCinciase
TecnologiadaUniversidadeNovadeLisboa,conseguiramfabricarpelaprimeiraveztransistorescompapel.[5].
EssaequipedeinvestigadoresfoilideradaporElviraFortunatoeRodrigoMartins.

Funcionamento
NotransistordejunobipolarouTJB(BJTBipolar
JunctionTransistornaterminologiainglesa),ocontroleda
correntecoletoremissorfeitoinjetandocorrentenabase.
Oefeitotransistorocorrequandoajunocoletorbase
polarizadareversamenteeajunobaseemissor
polarizadadiretamente.Umapequenacorrentedebase
suficienteparaestabelecerumacorrenteentreosterminais
decoletoremissor.Estacorrentesertomaiorquanto
maiorforacorrentedebase,deacordocomoganho.Isso
permitequeotransistorfuncionecomoamplificadorpois
aoseinjetarumapequenacorrentenabaseseobtmuma
altatensodesada.Noentantootransistordesilcios
permiteseufuncionamentocomumatensoentrebasee
emissoracimade0,7Ve0,3Vparaogermnio.

Transstormodernodealtapotncia

Caractersticasdeumtransistor
Ofatordemultiplicaodacorrentenabase(iB),maisconhecido
porBetadotransistorouporhFE,quedadopelaexpressoiC=
iBx
iC:correntedecoletor
iB:correntedebase
:beta(ganhodecorrenteDC)
Configuraesbsicasdeumtransistor:
Existemtrsconfiguraesbsicas(BC,CCeEC)[6],cadauma
comsuasvantagensedesvantagens.
Basecomum(BC)

Smbolodotransstoremcalada
portuguesanaUniversidadedeAveiro

Baixaimpedncia(Z)deentrada.
Altaimpedncia(Z)desada.
Nohdefasagementreosinaldesadaeodeentrada.
Amplificaodecorrenteigualaum.
Coletorcomum(CC)
Altaimpedncia(Z)deentrada.
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Baixaimpedncia(Z)desada.
Nohdefasagementreosinaldesadaeodeentrada.
Amplificaodetensoigualaum.
Emissorcomum(EC)
Mdiaimpedncia(Z)deentrada.
Altaimpedncia(Z)desada.
Defasagementreosinaldesadaeodeentradade180.
Podeamplificartensoecorrente,atcentenasdevezes.
Ostransistorespossuemdiversascaractersticas.Seguemalgunsexemplosdosparmetrosmaiscomunsque
poderoserconsultadasnosdatasheetsdosfabricantes:
Tipo:onomedotransistor.
Pol:polarizaonegativaquerdizerNPNepositivasignificaPNP.
VCEO:tensoentrecoletoreemissorcomabaseaberta.
VCER:tensoentrecoletoreemissorcomresistornoemissor.
IC:correntemximadocoletor.
PTOT:amximapotnciaqueotransistorpodedissipar.
hFE:ganho(beta).
Ft:frequnciamxima.
Encapsulamento:amaneiracomoofabricanteencapsulouotransistornosforneceaidentificaodos
terminais.
Existemtambmoutrostiposdetransistores,notadamenteosdeefeitodecampo(transistoresFET,deField
EffectTransistor)nestecaso,ocontroledacorrentefeitoportensoaplicadaporta.

Vertambm
Resistor
FET
TJB
UJT
TransistorDarlington
Diodo
JunoPN
Portalgica
Flipflop

AWikipdiapossuioportal:
Portaldeeletrnica

Referncias
1.Morimoto,CarlosE.(26dejunhode2005).Transstor(http://www.hardware.com.br/termos/transistor).Guiado
Hardware.Consultadoem13defevereirode2012.
2.FetTransistoresdeEfeitodeCampo(http://www.radiopoint.com.br/fet.htm).Radiopoint.Consultadoem13de
fevereirode2012.
3.AMDsRadeonHD6870&6850:RenewingCompetitionintheMidRangeMarket(http://www.anandtech.com/s
how/3987/amdsradeon68706850renewingcompetitioninthemidrangemarket)(emingls).AnandTech.com.21
deoutubrode2011.Consultadoem10deabrilde2013.
4.CircuitosIntegrados(http://www.electronicapt.com/index.php/content/view/71/37/).Electrnicapt.Consultado
em13defevereirode2012.
5.idPT(IdeiasPortuguesas(http://idpt.wordpress.com/2008/08/26/elvirafortunato/)
6.Transistor(http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm).ARVM.Consultadoem13defevereirode2012.

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Categorias: Transistores Dcadade1940nacincia 1947 Dispositivossemicondutores

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