Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
UNIVERSIDAD DE CARABOBO
FACULTAD DE INGENIERIA
LABORATORIO DE ELECTRONICA II
TRABAJO PRCTICO N 3.
Configuraciones Amplificadoras del Transistor BJT
Nombre:______________________________________ C. I. : _______________ Sec: ____
CUESTIONARIO
1. Por qu se usa el acoplamiento capacitivo para conectar la fuente de seal al
amplificador?
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
2. Cul de las tres configuraciones bsicas tiene la mayor impedancia de entrada?
Cul la menor? Cul la mayor y menor impedancia de salida?
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
3. Indica cual es la aplicacin principal para cada una de las configuraciones
bsicas.
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
Laboratorio de Electrnica II
TRABAJO PRCTICO N 2.
Configuraciones Amplificadoras del Transistor BJT
Nombre:______________________________________ C. I. : _______________ Sec: ____
PROBLEMAS
Problema:
Para el siguiente amplificador, suponga que = 200, para todos los transistores.
a. Dibuje el circuito completo para seal, cambiando los transistores por su modelo
en pequea seal.
RO=
Av =
Ai=
Nota: Deben realizar en la hoja el procedimiento para obtener los resultados del problema.
Laboratorio de Electrnica II
TRABAJO PRCTICO N 3.
Configuraciones Amplificadoras del Transistor BJT
Objetivos:
Verificar el concepto de amplificacin del transistor. Determinar el circuito de seal
pequea del transistor
Nombre:______________________________________ C. I. : _______________ Sec: ____
PRE-LABORATORIO
Configuracin Emisor Comn:
1.
VCE=
IC =
2.
Zona=
Ri=
RO=
Av =
Ai=
Laboratorio de Electrnica II
3.
Dibuje el circuito completo para seal cambiando el transistor por su
modelo en pequea seal.
4.
Laboratorio de Electrnica II
v ( pico)
Av o
vi ( pico)
i ( pico)
Ai o
ii ( pico)
Laboratorio de Electrnica II
Configuracin Base Comn:
5.
VCE=
IC =
6.
Zona=
RO=
Av =
Ai=
Laboratorio de Electrnica II
7.
Dibuje el circuito completo para seal cambiando el transistor por su
modelo en pequea seal.
8.
Laboratorio de Electrnica II
v ( pico)
Av o
vi ( pico)
i ( pico)
Ai o
ii ( pico)
Laboratorio de Electrnica II
Configuracin Colector Comn:
9.
VCE=
IC =
10.
Zona=
Ri=
RO=
Av =
Ai=
Laboratorio de Electrnica II
11.
Dibuje el circuito completo para seal cambiando el transistor por su
modelo en pequea seal.
12.
10
Laboratorio de Electrnica II
v ( pico)
Av o
vi ( pico)
Ai
io ( pico)
ii ( pico)
11
Laboratorio de Electrnica II
TRABAJO PRCTICO N 3.
Configuraciones Amplificadoras del Transistor BJT
Nombre:______________________________________ C. I. : _______________ Sec: ____
Nombre:______________________________________ C. I. : _______________ Sec: ____
ACTIVIDADES LABORATORIO
Nota: La seal de entrada debe ser pequea, si no consigue bajar el valor de la
amplitud del generador debe colocar un divisor de voltaje a la entrada del amplificador.
Configuracin Emisor Comn:
1.
IC =
2.
VCE=
12
Laboratorio de Electrnica II
3. Seleccione el generador de seal para un voltaje de 5mVpico y frecuencia de
1KHz aproximadamente. (equivalente a 3,5 mV RMS). Con ayuda del tester complete
la siguiente tabla:
4.
5.
RO=
Av =
Ai=
Seal de entrada
Seal de salida
Laboratorio de Electrnica II
Configuracin Base Comn:
7.
IC =
VCE=
14
Laboratorio de Electrnica II
10. Determine los valores resistencia de entrada, resistencia de salida, ganancia de
voltaje Av y ganancia de corriente Ai
Ri=
RO=
Av =
Ai=
Seal de entrada
Seal de salida
15
Laboratorio de Electrnica II
Configuracin Colector Comn:
14. Verifique experimentalmente la polarizacin del transistor, en el circuito de la
siguiente figura.
IC =
VCE=
16
Laboratorio de Electrnica II
16. Seleccione el generador de seal para un voltaje de 5mVpico y frecuencia de
1KHz aproximadamente. (equivalente a 3,5 mVRMS). Con ayuda del tester
complete la siguiente tabla:
Ri=
RO=
Av =
Ai=
Seal de entrada
Seal de salida
17
Laboratorio de Electrnica II
19. Emita sus conclusiones, segn los resultados obtenidos.
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
______________________________
______________________________
______________________________
Firma del profesor
Fecha: __/__/__
18