Los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo

cristal (Ge y Si) y compuesto (GaAs CdS GaN GaAsP). Los tres
semiconductores ms frecuentemente utilizados en la construccin de
dispositivos electrnicos son Ge, Si y GaAs.
Germanio= fcil de encontrar y estaba disponible en grandes cantidades.
Tambin era relativamente fcil de refinar para obtener niveles muy altos de
pureza, diodos sensibilidad a los cambios de temperatura.
Silicio= mejores sensibilidades a la temperatura, ms abundantes en la Tierra.
GaAs= nuevo transistor operaba a velocidades hasta de cinco veces la del Si,
ms difcil de fabricar a altos niveles de pureza, ms caro y tena poco apoyo
de diseo.
ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRNSECOS
Todo tomo se compone de tres partculas bsicas: electrn, protn y neutrn.

El trmino valencia se utiliza para indicar que el potencial (potencial de

ionizacin) requerido para remover cualquiera de estos electrones de la
estructura atmica es significativamente ms bajo que el requerido para
cualquier otro electrn en la estructura.
Este enlace de tomos, reforzado por compartir electrones, se llama enlace
covalente.
El trmino libre se aplica a cualquier electrn que se haya separado de la
estructura entrelazada fija y es muy sensible a cualquier campo elctrico
aplicado como el establecido por fuentes de voltaje o por cualquier diferencia
de potencial.
Movilidad relativa (Un) de los portadores libres en el material, es decir, la
capacidad de los electrones libres de moverse por todo el material.

Impurificacin o dopado: la adicin de una parte de impureza por milln en una

oblea de material de silicio puede cambiarlo de un conductor relativamente
deficiente a un buen conductor de electricidad.
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.
NIVELES DE ENRGA: Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor
es su estado de energa y cualquier electrn que haya abandonado a su tomo
padre tiene un estado de energa mayor que todo electrn que permanezca en
la estructura atmica.
Un electrn en la banda de valencia de silicio debe absorber ms energa que
uno en la banda de valencia de germanio para convertirse en portador libre.
Asimismo, un electrn en la banda de valencia de arseniuro de galio debe
absorber ms energa que uno en la de silicio o germanio para entrar a la
banda de conduccin.
Cuanto ms ancha es la brecha de energa, mayor es la posibilidad de que la
energa se libere en forma de ondas luminosas visibles o invisibles

MATERIALES EXTRNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se
conoce como material extrnseco.
MATERIALES TIPO n: agregando un nmero predeterminado de tomos de
impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea introduciendo
elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia. Las
impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como
tomos donadores.
MATERIAL TIPO P: El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio
o silicio puro con tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. El
nmero de electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de
la estructura recin formada. El vaco resultante se llama hueco, Las impurezas
difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores.

FLUJO DE ELECTRONES CONTRA FLUJO DE HUECOS: El efecto del hueco

en la conduccin se muestra en la figura 1.10. Si un electrn de valencia
adquiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalente y llenar el
vaco creado por un hueco, entonces se crear un vaco o hueco en la banda
covalente que cedi el electrn.

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS: En un material tipo N el

electrn se llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario. En un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario.
DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo semiconductor, primer dispositivo electrnico de estado slido, con
aplicaciones demasiado numerosas, se crea uniendo un material tipo n a un
material tipo p.
SIN POLARIZACIN APLICADA (V =0 V) En el momento en que los dos
materiales se unen, los electrones y los huecos en la regin de la unin se
combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a
la unin.

Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llama regin de

empobrecimiento, debido a la disminucin de portadores libres en la regin.
El trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de un voltaje externo a travs
de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta. Si se conectan
cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositivo
de dos terminales. Se dispone entonces de tres opciones: sin polarizacin,
polarizacin en directa y polarizacin en inversa.
Polaridades definidas del diodo semiconductor. La ausencia de voltaje a travs
de un resistor produce una corriente cero a travs de l. Incluso en este punto

inicial del anlisis es importante sealar la polaridad del voltaje a travs del
diodo y la direccin dada a la corriente.
En condiciones sin polarizacin, cualesquier portadores minoritarios (huecos)
del material tipo n localizados en la regin de empobrecimiento por cualquier
razn pasarn de inmediato al material p. Cuanto ms cerca de la unin est el
portador minoritario, mayor ser la atraccin de la capa de iones negativos y
menor la oposicin ofrecida por los iones positivos en la regin de
empobrecimiento del material tipo n.
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben vencer las
fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n y el
escudo de iones negativos en el material tipo p para que emigren al rea ms
all de la regin de empobrecimiento del material tipo p.
Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de un diodo semiconductor, el flujo
neto de carga en una direccin es cero.
CONDICIN DE POLARIZACIN EN INVERSA (VD < 0D)
Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la
terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material
tipo p como se muestra en la figura 1.13, el nmero de iones positivos
revelados en la regin de empobrecimiento del material tipo n se incrementar
por la gran cantidad de electrones libres atrados por el potencial positivo del
voltaje aplicado. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la
regin de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para
que los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de
portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero.
La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama corriente de
saturacin en inversa y est representada por IS.

El trmino saturacin se deriva del hecho de que alcanza su nivel mximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el
potencial de polarizacin en inversa.

CONDICIN DE POLARIZACIN EN DIRECTA (VD > 0D)

La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece aplicando el
potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n.

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD presionar a los

electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se
recombinen con los iones prximos al lmite y reducir el ancho de la regin de
empobrecimiento. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarizacin
aplicada, el ancho de la regin de empobrecimiento continuar reducindose
hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un
crecimiento exponencial de la corriente. La escala vertical est en mili amperes
y la escala horizontal en la regin de polarizacin en directa tiene un mximo
de 1 V.

No estn incluidos en la ecuacin de Shockley, como la generacin de

portadores en la regin de empobrecimiento y corrientes de fuga superficiales,
las cuales son sensibles al rea de contacto en la unin.
A medida que se incrementa el valor de x, la curva se vuelve casi vertical, una
conclusin importante para examinar el cambio de la corriente con valores
crecientes del voltaje aplicado.

Sin embargo, los diodos de silicio comerciales se desvan de la condicin ideal

por varias razones, entre ellas la resistencia de cuerpo interna y la resistencia
de contacto externa de un diodo. Cada una contribuye a un voltaje adicional
con el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley de Ohm, lo que
provoca el desplazamiento hacia la derecha.
La direccin definida de la corriente convencional en la regin de voltaje
positivo corresponde a la punta de flecha del smbolo de diodo.
Hay una correspondencia directa entre el rea de contacto en la unin y el nivel
de corriente de saturacin en inversa.
REGIN ZENER: La corriente se incrementa muy rpido en una direccin
opuesta a la de la regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin en
inversa que produce este cambio dramtico de las caractersticas se llama
potencial Zener y su smbolo es Vz.

El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes de

entrar a la regin Zener se llama voltaje inverso pico (conocido como valor PIV)
o voltaje de reversa pico (denotado como valor PRV). Si una aplicacin
requiere un valor PIV mayor que el de una sola unidad, se pueden conectar en
serie varios diodos de las mismas caractersticas. Los diodos tambin se
conectan en paralelo para incrementar la capacidad de llevar corriente.

En la seccin anterior vimos que la unin p-n permite un flujo abundante

de carga cuando da una polarizacin en directa, y un nivel muy pequeo
de corriente cuando la polarizacin es en inversa.

El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecnico en el

sentido de que puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales.
El diodo semiconductor es diferente del interruptor mecnico en el sentido de
que cuando ste se cierra slo permite que la corriente fluya en una direccin.

Como la corriente es de 0 mA en cualquier parte de la lnea horizontal, la

resistencia es de `V en cualquier punto del eje.
NIVELES DE RESISTENCIA
RESISTENCIA DE CD O ESTTICA: En general, por consiguiente, cuanto
mayor sea la corriente a travs de un diodo, menor ser el nivel de resistencia
de cd.

RESISTENCIA DE CA O DINMICA: cuanto ms bajo est el punto de

operacin (menor corriente o menor voltaje), ms alta es la resistencia de ca.

RESISTENCIA DE CA PROMEDIO: Como con los niveles de resistencia de cd

y ca, cuanto ms bajo sea el nivel de las corrientes utilizadas para determinar
la resistencia promedio, ms alto ser el nivel de resistencia.

CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO: una vez que se define el circuito

equivalente, el smbolo del dispositivo puede ser eliminado de un esquema y el
circuito equivalente insertado en su lugar sin afectar gravemente el
comportamiento real del sistema. Con frecuencia, el resultado es una red que
se puede resolver con tcnicas tradicionales de anlisis de circuito.

CAPACITANCIAS DE DIFUSIN Y TRANSICIN las caractersticas

terminales de cualquier dispositivo cambian con la frecuencia. Incluso la
resistencia de un resistor bsico, como el de cualquier construccin, es
sensible a la frecuencia aplicada. A frecuencias de bajas a medias se puede
considerar que la mayora de los resistores tienen un valor fijo.
HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS son piezas con datos
especficos que se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo. Incluyen:
1. El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2. La
corriente mxima en directa IF (a una temperatura especificada) 3. La corriente
de saturacin en inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados) 4. El
valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del
trmino breakdown (ruptura) (a una temperatura especificada)]. 5. El nivel de
disipacin de potencia mximo a una temperatura particular 6. Niveles de
capacitancia 7. Tiempo de recuperacin en inversa trr 8. Intervalo de
temperatura de operacin

NOTACIN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES

El nodo se refiere al potencial positivo o ms alto, y el ctodo a la terminal

negativa o ms baja. Esta combinacin de niveles de polarizacin produce una
condicin de polarizacin en directa o de encendido

DIODO ZENER

DIODOS EMISORES DE LUZ

Los dos tipos de uso comn que realizan esta funcin son el diodo emisor de
luz (LED) y la pantalla de cristal lquido (LCD). emite luz visible o invisible
(infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unin pn polarizada en directa se
da, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, una
recombinacin de huecos y electrones. Los diodos construidos de GaAs emiten
luz en la zona infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinacin en la
unin pn. Los de Si y Ge se disipan en frma de calor.
El espectro de frecuencia de la luz infrarroja se extiende desde 100 THz
(T=tera =1012) hasta 400 THz, con el espectro de luz visible desde
aproximadamente 400 hasta 750 THz.

las altas frecuencias producen longitudes de onda pequeas.

La cantidad de energa implicada est dada por

La longitud de onda y la frecuencia de la luz de un color especfico estn

directamente relacionadas con la brecha de la banda de energa del material.

El trmino eficacia es, por definicin, una medida de la capacidad de un

dispositivo de producir el efecto deseado. Para el LED sta es la relacin del
nmero de lmenes generados por watt aplicado de energa elctrica.
Uno de las mayores preocupaciones cuando se utiliza un LED es el voltaje de
ruptura de polarizacin en inversa, el cual suele oscilar entre 3 V y 5 V (un
dispositivo ocasional tiene un nivel de 10 V).