Objetivo

Disear un oscilador colpitts que oscile a una frecuencia de 100KHz.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 Transistor BJT
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Inductancias
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
1 Protoboard
1 multmetro
U1

Bjt_npn1

Introduccin terica

El oscilador Colpitts es un tipo de oscilador es muy utilizado en generadores

de frecuencia de alta calidad y se usa principalmente para obtener frecuencia
por encima de 1 Mhz. Su estabilidad es superior a la del oscilador Hartley.
Para poder lograr la oscilacin este circuito utiliza un divisor de tensin formado
por dos capacitores: C1 y C2.
De la unin de estos capacitores sale una conexin a tierra. De esta manera la
tensin en los terminales superior de C1 e inferior de C2 tendr tensiones
opuestas.
Teorema de Miller
En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las
capacidades inter-terminales asociadas a los dispositivos activos. En
amplificadores monoetapa inversores cuya ganancia est desfasada 180 (Av
es negativa) la capacidad de realimentacin conectada entre la entrada y la
salida influye de una manera significativa sobre la frecuencia de corte superior
y limita su ancho de banda. Este fenmeno se denomina efecto Miller. En la
siguiente figura se muestra grficamente la aplicacin del teorema de Miller
sobre la capacidad C. capacidad de realimentacin se puede descomponer
en dos, C1 y C2, resultando el circuito equivalente de la derecha. A la
capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que en un
amplificador inversor la capacidad de entrada se incrementa en un trmino
que depende de la ganancia del amplificador y de la capacidad conectada
entre los terminales entrada y salida del dispositivo activo. Obsrvese que si

Av>>1, entonces C1 AvC y C2 C.

Modelo de alta frecuencia de transistores FET

El anlisis en alta frecuencia de los amplificadores FET es similar al realizado
para transistores bipolares. Los condensadores que limitan la frecuencia de
operacin de un FET son: capacidad puerta-fuente o Cgs, capacidad puertadrenador o Cgd, y capacidad drenador-fuente o Cds; generalmente Cgs >>
Cgd, Cds. En la figura 3.15.a se indica el modelo de pequea seal y alta

frecuencia para transistores FET. Por conveniencia, los fabricantes miden las
capacidades de un FET en condiciones de cortocircuito a travs de tres
capacidades: Ciss o capacidad de entrada con salida cortocircuitada, Coss o
capacidad de salida con entrada cortocircuitada, y Crss o capacidad de
retroalimentacin. Estas capacidades varan con las tensiones de polarizacin;
por ejemplo, en la grfica 3.15.b se indica el valor de estas capacidades en
funcin de VDS. La relacin entre ambos tipos de capacidades es la siguiente

El efecto Miller descrito en un E-C tambin se produce en la configuracin

fuente-comn de la figura siguiente parte (a). Como se puede observar en el
circuito equivalente de pequea seal de la figura siguiente parte(b), el
terminal puerta de un FET no est aislado del de drenaje, sino que estn
conectados a travs de Cgd. Segn el teorema de Miller, esa capacidad puede
descomponerse en dos: (1-v)Cgd. y (1-1/Av)Cgd., siendo Av= gmRD||rd.
Despreciando la segunda capacidad que se suma a Cds, se observa que
debido al efecto Miller se incrementa notablemente la capacidad de entrada
(Ci) de puerta del FET. Al ser sta la capacidad dominante, la frecuencia de
corte superior viene dada como

Desarrollo de la prctica
Como se muestra en la figura el circuito armado fue un oscilador colpitts. As tambin se
determinaran la frecuencia en la cual el circuito oscila que debe ser igual a 100KHz.

V1
12 V
L2
1H

C4
47pF

XSC1

L1
2.2mH

R2
100k

Tektronix

C3
1nF

P
G

C2
99nF
Q1

BC547BP

R3
10k

R4
10k

C1
1F

R1
360

Clculos realizados
fo =

1
2

c 1+ c 2
c1c2 L

1 /2

1
2

R1= c2/c1gm = 99gm = 99 r/hfe

=

99(1.1 K)
100

= 1089

R1 =r//R2=1089

r R2
r + R 2

= 1089

R2=108.9K

Resultados
Circuito Armado

1 nF+100 nF
1nF 100 nF 2.7 mH

1/ 2

= 100KHz

1 2 3 4

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

Conclusion

En la demostracin de la prctica concluimos que el oscilador colpitts usa elementos

reactivos pequeos y exciven una Q mas elevada en comparacin con otros osciladores.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo