Microfabricacin

Facilidades experimentales
en el Centro Atmico Constituyentes
A. Fasciszewski - Grupo MEMS - CNEA

Sumario

Antecedentes: Nodo NANOTEC.

Dispositivos del Nodo NANOTEC.
Introduccin al Micromecanizado.
Descripcin de la Sala Limpia Grupo MEMS (CAC-CNEA).
Descripcin de la construccin de los dispositivos del Nodo
NANOTEC.

Visita Clean Room (Window Tour)

Antecedentes: Nodo NANOTEC

 PAE 2004 Laboratorio en Red para el Diseo, Simulacin y
Fabricacin de Nano y Micro Dispositivos.
 PAE 2006 Nodo NANOTEC tiene como objetivo el de
disponer en Argentina de un centro de Diseo, Fabricacin y
Caracterizacin de Micro y Nano Dispositivos (MEMS).
 Integrantes del Nodo NANOTEC:

CAC CNEA - Comisin Nacional de Energa Atmica 
diseo, fabricacin y caracterizacin de dispositivos.

INTI - Instituto Nacional de Tecnologa Industrial  diseo
de encapsulados y caracterizacin de dispositivos.

UNSAM - Universidad Nacional de San Martn 
caracterizacin de dispositivos.

UNS - Universidad Nacional del Sur  custom chips.

Universidad AUSTRAL  caracterizacin de dispositivos.

Dispositivos del Nodo NANOTEC

Sensores de Gas

RF MEMS: Switch RF

IMS MEMS

Nanobiosensores

MEMS
 Micro Electro Mechanical System.
 Sistema inteligente miniaturizado que integra funciones sensoras,
de proceso y/o actuacin.
 Comprende como mnimo dos de las siguientes propiedades:
elctricas, magnticas, mecnicas, pticas, qumicas, biolgicas,
magnticas u otras, de forma integrada en un solo chip o en un
mdulo hbrido multichip.

Por qu miniaturizar?
Reduccin del consumo de potencia
Dispositivos ms veloces
Aumento de la selectividad y la sensibilidad
Rango dinmico ms amplio
Minimizar el uso de energa y materiales durante la manufactura
Integracin con electrnica, simplifica los sistemas
Tener sistemas redundantes y arreglos (arrays)
Aprovechamiento de nuevos efectos gracias a la ruptura de la
teora del continuo y la validez del dominio microscpico
 Ventajas competitivas costo /performance
 Mejoras en la reproducibilidad (produccin batch )
 Poco invasivo.









Introduccin al Micromecanizado

 Tecnologa de fabricacin
de dispositivos en tres
dimensiones o MEMS:
Micromaquinado o
Micromecanizado
 Utiliza los mismos procesos
tecnolgicos estndares de
fabricacin de Circuitos
Integrados en Si (IC).

Crecimiento /
Deposicion

Fotolitografa

Ataque /
Remocin Film

Remocin Resina
Fotosensible

(Implantacin)

Remocin Resina
Fotosensible

Difusin / Depos.

Caracterstica del Micromecanizado

 Procesos utilizados para la Remocin de material
de sacrificio.
 Procesos utilizados para el Ataque con alta relacin
altura/ancho (High Aspect Ratio).

High
Aspect
Ratio
Remocin de
material de
sacrificio

Antecedentes Micromecanizado
1950s / 1958 Silicon strain gauges commercially available
1959 Theres Plenty of Room at the Bottom Richard Feynman gives a milestone
presentation at California Institute of Technology. He issues a public challenge by offering
$1000 to the first person to create an electrical motor smaller than 1/64 th of an inch.
1960s / 1961 First silicon pressure sensor demonstrated
1967 Invention of surface micromachining. Westinghouse creates the Resonant Gate Field
Effect Transistor, (RGT). Description of use of sacrificial material to free micromechanical
devices from the silicon substrate.
1970s / 1970 First silicon accelerometer demonstrated
1979 First micromachined inkjet nozzle
1980s / Early 1980s: first experiments in surface micromachined silicon. Late 1980s:
micromachining leverages microelectronics industry and widespread experimentation and
documentation increases public interest.
1982 Disposable blood pressure transducer
1982 Silicon as a Mechanical Material [9]. Instrumental paper to entice the scientific
community reference for material properties and etching data for silicon.

Antecedentes Micromecanizado

1982 LIGA Process

1988 First MEMS conference
1990s Methods of micromachining aimed towards improving sensors.
1992 MCNC starts the Multi-User MEMS Process (MUMPS) sponsored by Defense
Advanced Research Projects Agency (DARPA)
1992 First micromachined hinge
1993 First surface micromachined accelerometer sold (Analog Devices, ADXL50)
1994 Deep Reactive Ion Etching is patented
1995 BioMEMS rapidly develops
2000 MEMS optical-networking components become big business

Tipos de Micromecanizado

 Micromecanizado del Substrato  procesos

substractivos que mediante la remocin de
porciones del substrato se obtiene la
estructura tridimensional deseada (ej ataque
hmedo KOH) .

 Micromecanizado de Superficie  procesos

aditivos que con la deposicin de sucesivos
materiales se definen las geometras
deseadas sin modificar el substrato. Esta
tcnica requiere de mayor precisin que la
anterior.

Sala Limpia Grupo MEMS

(CAC-CNEA)
 120m2 de Sala Limpia Clase
(100 1000) equipada para
procesos de Diseo,
Simulacin, Microfabricacin y
Caracterizacin de dispositivos
MEMS.

Equipamiento Sala Limpia

Proceso
Litografa

Equipamiento
Mesada de litografa.
Alineador de mscaras (Mask Aligner EVG 620).
PECVD, Advanced Vacuum.

Difusin y
Deposicin

Sputtering ATC ORION Series con cmara de deposicin

UHV, de AJA Internacional.

Crecimiento /
Deposicion

Mquina de electroplating, Semcon, Technic Inc.

Fotolitografa

Asher, Gasonics Aura 1000.

Ataque
(Etch)

RIE Plasmalab para dry etching de Oxford Instruments.

Ataque /
Remocin Film

Remocin Resina
Fotosensible

Mesadas de ataque qumico por va hmeda.

(Implantacin)

Remocin Resina
Fotosensible

Difusin / Depos.

Procesos
asistidos por
Laser

Depsito de pelcula por ablacin laser

Sistema de escritura y micromecanizado por laser
Perfilmetro 3D Veeco Instruments.

Metrologa /
otros

Sistema asistidos
posicionador).

lser

(Laser

Wire Bonder, Valley Research.

Elipsmetro.

Nd:YAG

micro

Proceso de Fotolitografa
Equipamiento

Caractersticas

de

Mesada de trabajo automtica para

litografa. Spinner, Rinser con agua
DI de 18MOhms. Reservorios para
revelado. 2 hot plates. Extraccin
horizontal de aire. Mantenimiento por
rea de servicio.

Alineador de
mscaras EVG
620.

Exposicin UV de 300W. Haz plano de 6"

de dimetro. Sistema de alineacin
para litografa de doble cara.
Microscopio de alta definicin con
CCD y display. Capacidad para
contacto suave y fuerte, y modo
proximidad. Sistema de movimientos
hidrulicos. Posicionador de obleas
motorizado o manual. Resolucin en
el orden de medio micrn. Opcin de
Nano-Imprint
Lithography
(NIL)
adquirida.

Mesada
litografa.

Procesos de Difusin/Deposicin
Equipamiento

Caractersticas

PECVD,
Advanced
Vacuum.

Sistema de depsito de pelculas delgadas

slidas a partir de precursores en estado
gaseoso por medio de reacciones
qumicas asistidas por plasma para
sustratos de hasta 6 pulgadas. Posee un
generador de alta frecuencia (13.56MHz)
de 300W y un generador de baja
frecuencia (50-350 kHz) de 500W de
potencia.

Sputtering ATC
ORION Series
con cmara de
deposicin
UHV, de AJA
Internacional.

Sistema de depsito de pelculas delgadas

por Sputtering. Posee una cmara UHV
(ultra alto vaco). Para obleas de hasta 4
pulgadas. Posee una capacidad para
depositar multicapas de hasta 5
materiales.
Posee
un
generador
magnetrn DC de 750W y RF de 300W.

Mquina de
electroplating,
Semcon,
Technic Inc.

Metales a platear: Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Pb, Pt,

Fe, Ag, Permalloy, Sn/Pb, Pd/Ni.
Tamao del wafer: 2 a 8 pulgadas.

Proceso Ataque y
Remocin (Etching)
Equipamiento

Caractersticas

Asher,
Gasonics
Aura 1000.

Sistema de remocin de polmeros y

pelculas delgadas por plasma.
Activador superficial de polmeros.
Capacidad para wafers de 75 a
150mm. Remocin isotrpica front
and backside. Velocidades: 25m/min
(fotorresist
pos),
>8m/min (fotorresist neg). Posee
2 Controladores de flujo msico
para O2 y N2.

RIE Plasmalab
para
dry
etching
de
Oxford
Instruments.

Sistema de remocin de materiales

(Si,SiO2 y Si2N4) por plasma
(SF4, CF4, O2, Ar, N2, CHF3).
Rango presin de trabajo 1-250m
Torr. Potencia RF 20-300W. Carga
manual de las obleas.

Metrologa / Otros
Equipamiento
Perfilmetro
Veeco
Instruments.

Caractersticas
3D

Perfilmetro 3D de Alta Resolucin (Res:

0.1nm en eje Z). Objetivos Mirau de
10x y 50x. Mesa antivibraciones.

Sistema de escritura
lser
(Laser
Nd:YAG y micro
posicionador).

Para micromaquinado por ablacin Lser.

Incluye microposicionador de tres ejes,
de 4mm de carrera, flexibilidad en los
tres ejes , resolucin de 50nm.

Wire Bonder, Valley

Research.

Ball, Wedge, Bump or Peg bond capable.

Opcin para soldar DICE a placas.

Elipsmetro.

Mediciones de espesores. 3 capas. Dixido

y Nitruro de Silicio. Precisin
nanomtrica. Diferencias de ndice de
refraccin. Compacto Manual. ngulo
de incidencia mvil

Fabricacin de Microsensor de Gas

 Los pasos de fabricacin:

Deposicin de Si3Ni4 en ambas caras de una
oblea de silicio.

Obtencin del microcalefactor de Pt mediante la
tcnica Lift-off.

Micromaquinado del sustrato de silicio mediante
ataque hmedo (especficamente KOH)

Pasivacin de la estructura mediante tcnica
PECVD.

Apertura para contactos mediante ataque por va
seca.

Deposicin del Sn y tratamiento trmico para
obtener la pelcula sensora (tcnica RGTO o
Rheotaxial Growth and Thermal Oxidation).

Contactos de Pt mediante Sputtering utilizando
una mscara metlica.

Fabricacin de Olfateador
IMS MEMS
 Esquema del Olfateador : 1) Ingreso de muestra, 2) zona de
ionizacin formada por pirmides micromaquinadas en silicio
,3) zona de deteccin de iones, por medio de pads
dispuestos perpendicularmente a la circulacin del gas , 4)
Salida de la muestra.
 El proceso de fabricacin propuesto es el siguiente:

Deposicin de una capa de Nitruro.

Desarrollo de Mscaras pticas y fotolitografa.
Ataque por va seca de Nitruro con atmsfera de SF6.
Primer ataque qumico por va hmeda con KOH
Limpieza post KOH ( mtodo piranha)
Deposicin de una segunda capa de Nitruro.
Fotolitografa.
Ataque por va seca de Nitruro con atmsfera de SF6.
Segundo ataque qumico por va hmeda en KOH.
Limpieza post KOH (piranha).
Fotolitografa de imagen reversa sobre obleas de silicio y vidrio
Evaporacin de platino sobre fotorresina.
Metalizado con capa de sacrificio.
Precorte de las obleas de vidrio.
Pegado de la base de silicio y tapa de vidrio (bonding)

1
2
3

Fabricacin de Switches RF
 Se desarroll un proceso de fabricacin o
flujo de proceso para el switch y se
construy un primer prototipo.
 Litografa de 7 mscaras para la definicin
de:

Resistencia en Polysilicio

Contactos

Metal 1.

Vas

Metal flotante.

Spacers

Puentes

CPW

Fabricacin de Nanobiosensor
 Se desarroll un proceso de fabricacin y se obtuvieron
los primeros prototipos con la colaboracin del laboratorio
de Bajas Temperaturas en el Centro Atmico Bariloche
(CAB).
 Las operaciones propuestas para la fabricacin son los
siguientes:

Limpieza de oblea de silicio y deposicin de nanotubos
de carbono previamente carboxilados para la
generacin de un grupo reactivo para la posterior
unin del grupo sensible reactivo (ejemplo anticuerpo).

Fotolitografa de los electrodos.

Sputtering de titanio y oro

Pasivacin mediante tcnica PECVD.

Remocin de la capa sacrificial de resina

Unin covalente del grupo sensible a los nanotubos
carboxilados para la generacin de una unin fuerte y
estable.

Desarrollo de microcanales con PDMS para el flujo de
muestras sobre el sensor y los lavados del mismo.

Pegado del microcanal de PDMS al sensor.

Conexin mediante wire bonding a los pads.

Virus
Anticuerp
os
Nanotub
os

Final de la Presentacin!
Muchas Gracias por su Atencin...