NANOMATERIALES

Los nanomateriales puede presentar distintas propiedades fsicas, elctricas,

mecnicas y qumicas que el mismo material a escala mayor. Cuando la partcula
disminuye considerablemente su tamao, la proporcin del nmero de tomos que
se encuentran en la superficie, frente al nmero total de tomos en la partcula,
aumenta significativamente. Es por ello que las partculas en la nano escala
suelen ser ms duros y reactivas que las mismas partculas a una escala mayor
(como el micrmetro o a la escala milimtrica).
Podemos clasificar los nano materiales en tres categoras: naturales,
antropognico o accidentales y manufacturados. Los nano materiales fueron
creados por la naturaleza, sin intervencin humana alguna. Incluyendo una amplia
gama de materiales, que contienen nano componentes que pueden encontrarse
en la atmosfera, como sal de mar obtenida mediante la evaporacin de agua de
mar pulverizada, el polvo del suelo, volcnico, los sulfatos de gases piognicos. El
contenido de cada uno de estos nano materiales dependen de la geografa.

Los nano materiales antropognicos (accidentales) son aquellos creados

involuntariamente por el hombre. El principal ejemplo es el holln, consecuencia de
la combustin de combustibles fsiles, otros materiales antropognicos son las
partculas resultantes de la oxidacin de gases como los sulfatos y los nitratos.
Nano materiales manufacturados, que han sido fabricados intencionalmente por el
hombre. Esto se ha sintetizado para un propsito en especfico.
Podemos hacer otra clasificacin delos nano materiales esta ocasin atendiendo a
sus dimensiones. Un nano material n. dimensional es ese material que tiene n

dimensiones fuera de las nano escalas, es decir n dimensiones mayores de cien

nanometros. Basndonos en este criterio, tendramos as nano materiales cerodimensionales (0-d), mono dimensionales (1-d), bidimensionales (2-d) y
tridimensionales (3-d). estos ltimos ya no seran propiamente nanomateriales,
salvo su estructura interna sea nano estructurada.
Nano cristales o puntos cunticos y nano partculas son materiales cerodimensional (cero dimensional fuera de la nano escala). Mono dimensional serian
nano fibras, nano hilos y nano tubos( una dimensin ms all de la nano escala).
Nanomateriales bidimensionales son los materiales formados por capas muy finas:
nano capas o pelculas delgadas, como los finos pelculas protectoras utilizadas
en la electrnica, las utilizadas en las celdas solares fotovoltaicas o las capas
biocompatibles de los implantes mdicos.
En la naturaleza se puede encontrar mucho de estos nanomateriales. Por ejemplo
el cuerpo humano contiene una gran cantidad de fibras de colgeno que son nano
fibras, como las nano capas, nanotubos de carbono y algunas nano partculas han
sido creados recientemente por cientficos. A continuacin mostraremos algunos
de estos nanomateriales mas relevantes, junto con sus posibles aplicaciones.

Efectos de tamao
Ahora que hemos. visto cmo se construyen las nano estructuras resulta
apropiado decir
algo obre . U tamao , relativo a vario parmetro del sistema. Seleccionamos
como
material tpico el semiconductor GaAs, del tipo 111-IV, para el que el parmetro de
red
a= 0,565 nm, y el volumen de la celda unidad es de (0,565) 2 = O, 180 nm3. La
celda unidad contiene cuatro tomo de Ga y cuatro de As.

Cada uno de e los tomos. Se encuentra en una red cbica centrada en la cara
FCC,
Como se mue ira en la figura 2.3, y las dos redes estn desplazada: entre s en la
magnitud 333. sobre la diagonal del cuerpo de la celda unidad, como e mue traen
la figura 2.8. Entoces hace que cada tomo de Ge . he encuentre en el centro de
un tetraedro de tomos de As. Correspondiente a la agrupacin AsGa .i, mientras
que cada tomo de arsnico presenta la corre pendiente configuracin AsGa. Hay
uno 22 tomo de cada uno por nanmetro cbico. por lo que un punto cuntico de
forma cbica con 10 nm de arista contiene 5,56 x103 celdas unidad. Surge
entonces la pregunta de cuntos tomos . e encuentran en la superficie, y para
responderla era til utilizar una expresin matemtica en trmino. del tamao de
una partcula de GaA con una estructura de blenda de cinc que tenga la forma de
cubo. Si el cubo inicial toma la forma pre entada en la figura 2.6 nanoestructura
que contienen 113 de estas celdas unidad, entonces e puede demostrar que el
nmero de tomo Ns en la superficie, el nmero total de tomo NT y el tamao, o
dimen in d del cubo, vienen dado por

donde a = 0,565 nm e el parmetro de red del GaA . mientras lo parmetro de red

de otro semiconductores con una estructura de blenda de cinc aparecen en la
tabla B. I. Esta ecuaciones , (9.1) y (9.3). representan una nanoparticula de GaA
cbica con una cara en lo plano x-y, y-;:: y z-x, respectivamente. La tabla 9.1
presenta lo valores de Ns, NT y d, as como la fraccin NslNT para arios valore de
11. El alto porcentaje de tomos en la superficie para valores pequeo de 11 e uno
de los principales factores que provoca propiedades en la nano estructura ,
diferente a la de los materiales voluminoso . Se podra escribir una tabla anloga
para estructuras cunticas cilndricas, del tipo representado en las figuras 9.2 y
9.6. Al comparar la tabla 9.1. en lo que respecta a una nano partcula con una
estructura de diamante con forma cbica. con la tabla 2.1 que con lidera una nano
partcula con estructura cbica centrada en las caras con forma aproximadamente
esfrica, queda claro que ambas presentan resultado cualitativamente iguale . De
e la comparacin vemos que la nano partcula FCC tiene un mayor porcentaje de
tomo. en la superficie para la misma cantidad total de tomos en la partcula. E to
era de esperar porque, segn la forma en que e realizaron los clculo , . lo uno
de lo. do. tipo de tomo. en la estructura de GaAs e encuentra en la superficie.
Un portador de carga en un conductor o semiconductor tiene un movimiento frontal
bajo un campo elctrico aplicado peridicamente que es interrumpido por la
dispersinde fotones y defecto . Un electrn o hueco que e mueva a una velocidad
v, como promedio experimenta eventos de dispersin cada r segundo , y viaja una
di rancia /, llamada camino libre medio entre colisione , donde

E. to e llama dispersin intrabanda debido a que el portador de carga permanece

en la misma banda despus de la dispersin, como puede ver la banda de
valencia en el caso de
Los huecos. Lo camino libres medios en los metales dependen en gran medida del
contenido de impurezas, y en un metal ordinario lo valores tpico e pueden
encontrar en el orden nanomtrico, quizs entre 2 y 50 nm. En muestras muy
pura , lgicamente, sern mucho mayores. La resistividad de un conductor o un
semiconductor policristalino, formado por microcritalitos con dimetros
significativamente mayores que el camino libre Medio, se asemejan a un
entramado de protectores interconectado, pero cuando la Dimensione del
microcristalito se aproximan a/, o resultan menores, entonces la resistividad
depende principalmente de las dispersiones en la fronteras entre los cristalitos.
Son comunes ambos tipos de nanoestructuras metlicas. Diferentes tipos de
defectos en una red pueden interrumpir el movimiento frontal de los electrones
conductores y limitar el camino libre medio. Ejemplos de defectos de Dimensin
cero son los tomos faltantes, llamados vacantes, as como los tomos
adicionales localizado entre sitios reticulares estndar. Un par vacante intersticio
ha recibido
el nombre de defecto Frenkel. Un ejemplo de dislocacin

unidimensional es un defecto de red en un borde o en una fila parcial de tomos

faltantes. Los defectos bidimensionales comunes en una frontera entre grano y un
apilamiento defectuoso que surge por un cambio brusco en el ordenamiento
seguido en el apilamiento de planos compactos. Un espacio vacante, llamado
poro, un cmulo de vacante , as como un precipitado de una de una segunda
fase, sobre el defecto tridimensional . Todo ello , pueden provocar la dispersin de
electrones y, con ello, limitar la conductividad elctrica. Algunas nanoestructuras
son demasiado pequea para preentar defecto interno.
Otro efecto de tamao urge del grado de dopaje de un semiconductor. Para un
grado de dopaje tpico de 1014 a 1018 donante /cm arista tendra, como promedio,
entre 10-1 3 , un cubo de punto cunticos de 100 nm de y 10 3 electrones de
conduccin.

Curvatura en la superficie
Las nanopartculas pueden existir en forma de cristales perfectos ya que las
impurezas y defectos de la red pueden migrar a la superficie en perodos de
tiempo relativamente cortos. La ampliacin de los patrones de difraccin de
electrones Debye-Scherrer proporciona un medio para determinar los tamaos de
nanocristalitos, con sus radios dando separacin especfica dela red. Las
nanopartculas en ambientes acuosos se suponen generalmente que son esfricos
en concentraciones suficientemente por debajo de un umbral de percolacin
donde los contactos de partculas y la coalescencia pueden ser ignorados. Sin
embargo, en un entorno lquido, el tamao y la forma (es decir, cubos, prismas,
varillas, esferas) de las nanopartculas se pueden controlar a travs de la variacin
de la condicin precipitacin.
En ausencia de otras condiciones, la configuracin mnima de energa para una
nanopartcula con energa a granel y de la superficie se ha demostrado ser una
esfera, pero el equilibrio mnimo de energa en forma de una partcula cargada es
en realidad un elipsoide de rotacin. Las nanopartculas parecen ser ligeramente
alargadas en la deposicin que r2 es proporcional al tiempo (o masa) y no r3 como
se esperaba para el crecimiento cuasi-esfrica. As que la forma de la partcula
dominante se achata, con posibles causas siendo la captura del tomo
electrosttica o sustrato con energa trmica suficiente para alcanzar el equilibrio
esfrico. Otro factor en la determinacin de la forma de nanopartculas puede
estar relacionado con el grado de cristalizacin y la relativamente dbil unin de

los tomos de la superficie, que, en particular, la facilidad de movimiento rpido y

reconstrucciones cristalogrficos continas abruptas en el intervalo de tamao de
1-10 nm.

REFERENCIAS
Una revolucin en miniatura: Nanotecnologa al servicio de la humanidad
By Amador Menndez Velzquez
Introduccin a la nanotecnologa Charles P. Pooler.