Pesquisa sobre

Semicondutores

ALUNO: llan Carlos S dos Santos

RA:8057869527
ORIENTADOR DOCENTE

RESUMO:

Esta pesquisa descreve caractersticas, meios de obteno e aplicaes do Arseneto de

Glio. Frente ao seu comportamento particular como semicondutor, evidencia uma
tendncia em substituir os atuais semicondutores Germnio e Silcio, aumentando a
performance de componentes eletrnicos e melhorando a aplicao de produtos.

SUMRIO

1 HISTRIA .................................................................................................................. 5
2 VANTAGENS SOBRE ASGA ................................................................................... 6
3 COMPOSIO DO ARSENETO DE GLIO .......................................................... 6
3.1 CARACTERSTICAS DO ARSNIO..................................................................... 6
3.2 OBTENO DO ARSNIO ................................................................................... 7
3.3 CARACTERSTICAS DO GLIO.......................................................................... 7
3.4 OBTENO DO GLIO ........................................................................................ 8
4 PRODUO DE ARSENETO DE GLIO ............................................................... 9
5 CONCLUSO ............................................................................................................ 11
6 REFERNCIAS ......................................................................................................... 12

1 HISTRIA

Em 1871, Dimitri Ivanovich Mendeleev previu a existncia e propriedades

de um elemento aps o zinco (Zn) na tabela peridica e deu o nome de "eka
aluminum", sendo descoberto espectroscopicamente por Lecoq de
Boisbandran em 1875, onde no mesmo ano, obteve o metal livre por
eletrlise de uma soluo do hidrxido de glio [Ga(OH) 3] com hidrxido de
potssio (KOH)

2 HISTRICO E VANTAGENS SOBRE AsGa

Recentes avanos em materiais semicondutores e processos de fabricao deram inicio
ao desenvolvimento de Circuitos Integrados em Arseneto de Glio (AsGa), formado por
transistores conhecidos como MESFETs. A combinao alta velocidade/baixo consumo
de potencia, contribuiu na implementao de circuitos que h tempos atrs, no eram
obtidos em processos de tecnologia em silcio. A partir de 1984 iniciou-se a produo
comercial de circuitos integrados em Arseneto de Glio marcando a quarta gerao dos
mesmos. A alta mobilidade aliada a baixa capacitncia parasita, exibida pela pastilha
semi-isolante de Arseneto de Glio, permite a fabricao de transistores de alta
velocidade. A alta mobilidade se d devido ao fato da massa efetiva do AsGa ser
somente 8.2% da massa de eltrons, contra 98% no caso do Silcio. O dispositivo
MESFET em AsGa foi proposto por Carver A. Mead em 1966 e posteriormente foi
fabricado por W. W. Hoper, onde usou crescimento epitaxial sobre o substrato semiisolante de Arseneto de Glio.
3 COMPOSIO DO ARSENETO DE GLIO
3.1 Caractersticas do Arsnio
O arsnio um elemento qumico de smbolo As com nmero atmico 33 (33 prtons e
33 eltrons) e com massa atmica 75 uma. um semi-metal (metaloide) encontrado no
grupo 15(5A) da Classificao Peridica dos Elementos. O arsnio apresenta trs
estados alotrpicos, cinza ou metlico, amarelo e negro. O arsnio cinza metlico
(forma ) a forma mais estvel nas condies normais e tem estrutura rombodrica,
um bom condutor de calor, porm um pssimo condutor eltrico, sua densidade de
5,73 g/cm, quebradio e perde o brilho metlico exposto ao ar. O arsnio amarelo
(forma ) obtido quando o vapor de arsnio esfriado rapidamente. extremamente
voltil e mais reativo que o arsnio metlico e apresenta fosforescncia a temperatura
ambiente. O gs constitudo por
molculas tetradricas de As4 de forma anloga ao fsforo e o slido formado pela
condensao do gs tem uma estrutura cbica, de textura saponcea e tem uma
densidade aproximada de 1,97 g/cm. Exposto a luz ou ao calor reverte a forma estvel
(cinza). Tambm se denomina arsnio amarelo o mineral trissulfeto de arsnio. Uma
terceira forma alotrpica, o arsnio negro (forma ) de estrutura hexagonal e densidade
4,7g/cm, tem propriedades intermedirias entre as formas alotrpicas descritas, e se
obtm da decomposio trmica da arsina ou esfriando lentamente o vapor de arsnio.
Todas as formas alotrpicas, exceto a cinza, no apresentam brilho metlico e
apresentam uma condutibilidade eltrica muito baixa, comportando-se como metal ou
no metal em funo, basicamente, do seu estado de agregao.
3.2 Obteno do Arsnio

 o 20. elemento em abundncia da crosta terrestre e encontrado na forma nativa,

principalmente na forma de sulfeto em uma grande variedade de minerais que contm
ouro, cobre, chumbo, nquel, cobalto e outros metais. Na fuso de minerais de ouro,
cobre, chumbo e cobalto se obtm tri xido de arsnio ( As2O3 ) que se volatiliza no
processo e arrastado pelos gases da chamin, podendo conter mais de 30% do xido.
Os gases da chamin so refinados posteriormente misturando-os a uma pequena
quantidade de galena ou pirita para evitar a formao de arsenitos, e pela queima se
obtm trixido de arsnio com 90 a 95% de pureza, por sublimao sucessiva pode-se
obter com uma pureza de 99%. Reduzindo-se o xido com carbono obtm-se o
metaloide (semimetal arsnio), entretanto a maioria do arsnio comercializado como
xido. Praticamente a totalidade da produo mundial de arsnio metlico chinesa,
que tambm o maior produtor mundial de trixido de arsnio. 3.3 Caractersticas do
Glio
O glio (Ga) um metal representativo do 4 perodo e 13 grupo da tabela peridica
(mesmo grupo do boro e alumnio). o metal com menor ponto de fuso de todos os j
conhecidos ( capaz de literalmente derreter nas mos), mas no necessariamente com
menor ponto de ebulio. Apresenta colorao
prateada brilhante quando slido e grisceo quando fundido e, tal como o gelo na gua,
a diferena de densidades faz com que a amostra ao se solidificar flutue na fase lquida.
Apresenta estrutura cristalina tetragonal, e seus estados de oxidao mais comuns so
+1 e +3 (caracterizando-se com a tendncia de formar xidos anfteros).
semicondutor de eletricidade e conduz o calor 2 vezes menos que o ferro. Tende a se
fundir abaixo do seu ponto de fuso, mas consegue-se mant-lo slido pela adio de
um gro (grmen cristalizador) que capaz de recristaliz-lo. Assim, como, ao se
difundir nas redes cristalinas de outros metais, capaz de corro-los. 3.4 Obteno do
Glio
Semelhante ao alumnio, o glio encontra-se amplamente distribudo na crosta terrestre.
Porm, praticamente impossvel encontr-lo puro: geralmente est agregado a
minrios de alumnio na forma de hidrxido, zinco ou germnio (nesses dois ltimos,
frequentemente na forma de sulfato). Tambm possvel encontr-lo em resduos de
chamins, pois seu xido pode ser gerado por reduo de carbetos, presentes na madeira
ou carvo, ou como subproduto em processos de obteno de outros metais. A aplicao
principal do glio est na indstria de produo de semicondutores: pode-se fabricar,
pro exemplo, diodos, LEDs, ou transistores assim como, servir de dopante, para
alterar as propriedades de determinado semicondutor. Alm de sensores de temperatura,
luz e campos magnticos.

4 PRODUO DE ARSENETO DE GLIO

GaAs produzido graas a nanotecnologia aplicada a uma sofisticada indstria de

produo. Basicamente a produo dada mediante ao processo denominado de BEM
Molecular Beam Eptaxy ou feixe molecular epitaxial, no qual consistem em trs pilhas
no qual possuem os materiais As, Ga e um terceiro com outro material qualquer para a
promoo da dopagem. Na frente destas pilhas h um obturador rotativo e no fundo
substratos simples que esperam as partculas de As, Ga. Todo este sistema se encontra
dentro de uma cmara de altssimo vcuo onde as partculas de As e Ga so
bombardeadas mediante a um potencial muito alto da ordem de centenas de kV. Quando
o obturador rotaciona vai liber

5 CONCLUSO
As aplicaes do Arseneto de Glio so inmeras e nos propicia uma gama de solues
para a engenharia moderna. Graas as aplicaes do GaAs possvel observarmos
as maravilhas da tecnologia em transmisso de dados de forma simultnea, precisa e
com um volume que suplanta os gigabytes. Microprocessadores cada vez mais velozes
nos permitem criar computadores cada vez mais performticos que quando aplicados
aos diversos ramos da engenharia permitem clculos e simulaes de plantas de
processos, hidroeltricas, usinas atmicas, avies, satlites antes mesmo da existncia
fsica destes. Entretanto a fabricao destes componentes limitada a escassez dos
materiais e ao custo da produo, em detrimento da abundncia dos semicondutores
atuais e abundancia de material para sua fabricao.
6 REFERENCIAS
http://www.infoescola.com/elementos-quimicos/arsenio/
http://www.quimlab.com.br/guiadoselementos/galio.htm
http://www2.fc.unesp.br/lvq/LVQ_tabela/031_galio.html
http://nautilus.fis.uc.pt/st2.5/scenes-p/elem/e03100 .htm
http://materiale-didattico.info/index.php?newsid=62948&news_page=3 .htm
http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?
code=vtls000133392.htm