1

DE UN DIODO DE
CARACTERIZACION
UNION
(Si y Ge)
Manuel Alejandro Obando (102211010187), Anderson Alveiro Quemag, (102211011342)

ResumenEn este informe se verifica el comportamiento

de los diodos de union bajo condiciones de polarizacion
directa e inversa, se realizan calculos de resistencia y se
verifica la existencia de un voltaje umbral para los diodos
de Si y Ge.
Index Termsdiodo, polarizacion, voltaje umbral, resistencia.

I.

I NTRODUCCI ON

El diodo es el mas sencillo de los dispositivos

semiconductores,
presenta
dos
comportamientos
caractersticos que dependen de la polarizacion que
tenga en un circuito electronico. Ademas presenta
caracteristicas propias dependiendo del tipo de material
con el que es construido.
Figura 1: Curva Caracteristica de los diodos de Silicio y Germanio.

II.

M ARCO TE ORICO
III.

II-A.

Diodo Ideal.

El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que

conduce corriente en una sola direccion en polarizacion
directa. La Figura 1 muestra las curvas caractersticas de
los diodos de silicio y germanio.
II-B.

P ROCEDIMIENTO

Para la practica se tiene en cuenta el montaje experimental

de la Figura 2 para diodo de Si y Ge. Se miden los
valores de corriente i a traves del diodo y voltaje Vbc
sobre los terminales del mismo, en polarizacion directa
y en polarizacion inversa. La fuente de alimentacion Va
vara de 0,1V a 3V .

Condicion de Polarizacion Directa.

Un diodo semiconductor esta polarizado directamente

cuando se ha establecido la asociacion entre el anodo del
diodo y el terminal positivo de la fuente.

II-C.

Condicion de Polarizacion Inversa.

Un diodo semiconductor esta polarizado inversamente

cuando se ha establecido la asociacion entre el catodo del
diodo y el terminal negativo de la fuente.
[1]

Figura 2: Montaje Experimental

IV.

Va (V )
0.06
0.18
0.21
0.26
0.33
0.59
0.69
0.83
1.28
1.61
2.38

R ESULTADOS

A continuacion presentamos los datos obtenidos en la

practica:
Va (V )
0.045
0.132
0.167
0.266
0.406
0.441
0.498
0.565
0.675
0.739
0.939
1.940
2.33
2.5

Vbc (V )
0.03
0.11
0.15
0.24
0.38
0.42
0.47
0.53
0.65
0.71
0.91
1.89
2.28
2.47

Corriente i(A)
0.06
0.18
0.23
0.36
0.56
0.61
0.68
0.77
0.93
1.02
1.3
2.7
3.25
3.52

Cuadro I: Diodo de Germanio: Polarizacion Directa.

Va (V )
0.03
0.17
0.2
0.27
0.3
0.39
0.5
0.6
0.67
1.08
1.34
2.08
2.51

Vbc (V )
0.02
0.15
0.18
0.25
0.28
0.37
0.48
0.58
0.65
1.06
1.31
2.04
2.46

Corriente i(A)
0.06
0.24
0.29
0.39
0.44
0.56
0.72
0.86
0.96
1.53
1.9
2.94
3.54

Vbc (V )
0.04
0.16
0.19
0.24
0.31
0.57
0.67
0.80
1.25
1.57
2.37

Corriente i(A)
0.09
0.25
0.29
0.36
0.47
0.83
0.97
1.16
1.80
2.27
3.25

Cuadro IV: Diodo de Silicio: Polarizacion Inversa.

A N ALISIS
DE R ESULTADOS .

V.

Las Figuras 3 y 4 describen el comportamiento de

un diodo de Si, se puede observarar la existencia de
un voltaje a partir del cual la corriente se incrementa
considerablemente. Ese valor de voltaje aproximadamente
corresponde a 0,7V en polarizacion directa. En
polarizacion inversa la corriente que atraviesa el
diodo es muy pequena.

Corriente vs Voltaje en un diodo de Silicio

8000

7000

6000

Cuadro II: Diodo de Germanio: Polarizacion Inversa.

Va (V )
0.11
0.135
0.145
0.26
0.321
0.405
0.482
0.546
0.567
0.645
0.712
0.926
1.237
1.698
2.09
2.84

Vbc (V )
0.11
0.13
0.14
0.217
0.303
0.363
0.399
0.421
0.428
0.448
0.667
0.721
0.748
0.766
0.776
0.789

Corriente i(A)
0.16
0.20
0.22
0.44
1.30
3.73
7.62
11.8
13.52
19.36
140
730
1700
3440
4890
7630

Cuadro III: Diodo de Silicio: Polarizacion Directa.

Corriente [uA]

5000

4000

3000

2000

1000

0
0.1

0.2

0.3

0.4
0.5
Voltaje [V]

0.6

0.7

Figura 3: Diodo de Silicio en polarizacion Directa.

0.8

3
Corriente vs Voltaje en un diodo de Silicio

Corriente vs Voltaje en un diodo de Germanio

8000

7000

0.5

6000

1
5000

Corriente [uA]

Corriente [uA]

1.5
4000

3000

2.5
2000

3
1000

3.5

1000
3

2.5

1.5

1
Voltaje [V]

0.5

0.5

4
2.5

1.5

0.5

Voltaje [V]

Figura 4: Curva caracterstica: diodo de Silicio.

Figura 6: Diodo de Germanio: Polarizacion inversa

Para el diodo de Ge se obtuvo una curva que no es

comparable con la observada en la teoria, la causa
probable puede ser que el dispositivo estaba danado. Se
esperaba obtener una curva similar a la obtenida con el
diodo de Si con un voltaje umbral de 0,3V para el diodo
de Ge.
De acuerdo con las Figuras 5 y 6, la relacion entre voltaje
y corriente a traves del diodo de Ge es lineal, tanto para
polarizacion directa como para polarizacion inversa, por
otra parte no se nota un cambio considerable en corriente
para ningun valor de voltaje, por lo que no se puede
determinar el valor de voltaje umbral.

Las resistencias calculadas y medidas para los diodos son

del orden de 106 , es decir estos dispositivos presentan
una oposicion muy grande al flujo de corriente.
Para el diodo de Ge esto se cumple para los dos casos
de polarizacion, estos datos se muestran en el Cuadro
5, donde se nota un aparente incremento del valor de
resistencia en tanto se aumenta el voltaje en el diodo.

Corriente vs Voltaje en un diodo de Germanio

4

3.5

Corriente [uA]

2.5

Polarizacion Directa.
R (M )
0.50
0.61
0.65
0.67
0.68
0.69
0.69
0.69
1.03
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70

Polarizacion Inverza.
R (M )
0.33
0.63
0.62
0.64
0.64
0.66
0.67
0.67
0.68
0.69
0.69
0.69
0.69

Cuadro V: Diodo de Ge: Resistencia

2

Para el diodo de Si se observa que esta oposicion disminuye a medida que se aumenta el voltaje de la fuente, mas
exactamente a partir de 0,7V .
Esta informacion se corrobora con los datos mostrados en
el Cuadro 6, note como para valores pequenos de voltaje la
resistencia es de 0,6 M aproximadamente, y para valores
de voltaje mayores la resistencia disminuye hasta 0,0001
M .

1.5

0.5

0.5

1.5

Voltaje [V]

Figura 5: Diodo de Germanio: Polarizacion directa

2.5

Polarizacion Directa.
R (M )
0.6875
0.6500
0.6364
0.4773
0.2308
0.0965
0.0512
0.0356
0.0311
0.0227
0.0047
0.0010
0.0004
0.0002
0.0002
0.0001

Polarizacion Inverza.
R (M )
0.44
0.64
0.66
0.67
0.66
0.69
0.69
0.69
0.69
0.69
0.71

Cuadro VI: Diodo de Si: Resistencia.

VI.

C ONCLUSIONES .

La curva obtenida experimentalmente para el diodo

de Ge muestra un comportamiento lineal entre
el voltaje y corriente a traves del diodo, este
comportamiento no corresponde al del diodo real.
Se verifica experimentalmente la existencia de un
voltaje umbral equivalente que a 0,7V para el Si.
En polarizacion directa para valores de voltaje
menores a 0,7V la resistencia del diodo de Si es
del orden de los Megaomhios.
En polarizacion directa la resistencia del diodo de
Si tiende a disminuir a medida que nos alejamos
del valor de voltaje umbral.
En polarizacion inversa a medida que se incrementa
el voltaje la corriente disminuye debido al incremento
de la resistencia interna del dispositivo.
VII.

R EFERENCIAS .

[1]BOYLESTAD, Robert. NASHELSKY, Louis; ELECTRONICA TEORIA DE CIRCUITOS 5 Ed. pag 12,15,16.