Parámetros o Variables de Un Mosfet

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia

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ALBERTO JOS VILLERO GMEZ

1084276921
MIGUEL ANGEL VERGEL
1116614349
ING. JULIO CSAR OSPINO ARIAS

ELECTRONICA DE POTENCIA
MAYO 10 DE 2016
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral
2016
TABLA DE CONTENIDOS
Introduccin.
Objetivos.
Marco terico.
Pre diseo.
Tablas De Datos.
Anlisis De Datos.
Conclusiones.
INTRODUCCIN
En el desarrollo de esta prctica de laboratorio se pretende observar
experimentalmente el funcionamiento del transistor MOSFET como un
interruptor, es decir, operar el transistor de efecto de campo en sus
regiones de corte, zona hmica y saturacin. Para esto implementaremos
un circuito bsico para los distintos modos de operacin que nos permitan
determinar los principales parmetros que son necesarios a la hora de
realizar diseos prcticos (puente H) que trabajen el transistor de efecto
de campo como un regulador ON-OFF.
OBJETIVOS.
Observar experimentalmente el funcionamiento del transistor
MOSFET en las regiones de corte, zona hmica y saturacin.
Determinar los principales parmetros para
un mosfet de
enriquecimiento.
Definir las constantes propias del cada mosfet segn su modo de
operacin para diseos ingenieriles previos (Puente H).
MARCO TERICO.
En la figura 1a se presenta un MOSFET de enriquecimiento.
El substrato p se extiende a lo ancho hasta el dixido de silicio; ya no

existe un canal n entre la fuente y el drenado. La figura 1b muestra las
tensiones de polarizacin normales. Cuando la tensin de puerta es nula,
la corriente de fuente y el drenador es nula. Por esta razn, el MOSFET
de enriquecimiento est normalmente en corte cuando la tensin de
puesta es cero. La nica forma de obtener corriente es mediante una
tensin de puerta positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones
libres dentro de la regin p, y stos se recombinan con los huecos cercanos
al dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente
positiva, todos los huecos prximos al dixido de silicio desaparecen y los
electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador.
Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando
existe, los electrones libres pueden circular fcilmente desde la fuente
hacia el drenador.
La VGS mnima que crea la capa de inversin de tipo n se llama tensin
umbral (en ingls: threshold Voltage), simbolizada por VGS (th). Cuando
VGS es menor que VGS (th) la corriente de drenador el nula.
Pero cuando VGS es mayor que VGS (th), una capa de inversin tipo n
conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es grande.
Los valores tpicos de VGS (th) para dispositivos de pequea seal pueden
Variar entre 1 y 3 V.
El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad

mejora cuando la tensin de puerta es mayor que la tensin umbral. Los
dispositivos de enriquecimiento estn normalmente en corte cuando la
tensin de puerta es cero.
CARACTERSTICAS DE SALIDA
Un MOSFET de enriquecimiento para pequea seal tiene una limitacin
de potencia de 1 W o menos.
La figura 2a muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de
enriquecimiento tpico. La curva inferior es la curva de VGS (th). Cuando
VGS es mayor que VGS (th), el dispositivo conduce y la corriente de
drenador se controla por medio de la tensin de puerta.
La parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi

horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento
puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar
como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal es
en la zona hmica. La figura 2b muestra la curva caracterstica de
transferencia tpica. No hay corriente de drenador hasta que VGS es
mayor que VGS (th). A partir de entonces, la corriente de drenador se
incrementa rpidamente hasta que alcanza la corriente de saturacin ID
(sat). Ms all de este punto el dispositivo est polarizado en la regin
hmica. Por tanto, ID no puede crecer aunque VGS crezca. Para asegurar
la saturacin fuerte se usa una tensin de puerta VGS (on) bastante por
encima de VGS (th), como se muestra en la figura 2b.
SMBOLO ELCTRICO
Cuando VGS=0, el MOSFET de enriquecimiento est en corte al no haber
canal de conduccin entre la fuente y el drenador. El smbolo elctrico de
la figura 3a tiene una lnea de canal a trazos para indicar esta condicin
de corte. Una tensin de puerta mayor que la tensin umbral crea una
capa de inversin de canal tipo n que conecta la fuente con el drenador. La
flecha apunta hacia esta capa de inversin, la cual acta como un canal
tipo n cuando el dispositivo est conduciendo.
Tambin hay un MOSFET de enriquecimiento de canal p. El smbolo

elctrico es similar, excepto que la flecha apunta hacia fuera, como se
muestra en la figura 3b.
PRE DISEO PARA DETERMINACIN DE

PARMETROS.
A).Montaje Para Determinar El Voltaje De Umbral para canal N.
Para determinar el voltaje de umbral o VTH se realiza la configuracin de
la figura 4 en el cual tiene una fuente de voltaje variable en la compuerta
hasta que la corriente en el drenador sea 250A y el mosfet entre al modo
de operacin zona hmica.
Figura 4.
B).Montaje Para Determinar RDON y K.
Para determinar la resistencia interna del dispositivo se realiza la
configuracin de la figura 5 en el cual tiene una fuente de voltaje variable
en la compuerta hasta que la corriente en el drenador sea constante y el
mosfet de canal N entre a saturacin.
Figura 5.
C).Montaje Para Determinar El Voltaje De Umbral para canal P.

Para determinar el voltaje de umbral o VTH se realiza la configuracin de
la figura 6 en el cual tiene una fuente de voltaje variable en la compuerta
hasta que la corriente en el drenador sea 250A y el mosfet entre al modo
de operacin zona hmica con la salvedad que en el mosfet canal P la
fuente variable ser de forma descendente.
Figura 6.
D).Montaje Para Determinar RDON y K.
Para determinar la resistencia interna del dispositivo se realiza la
configuracin de la figura 7 en el cual tiene una fuente de voltaje variable
en la compuerta hasta que la corriente en el drenador sea constante y el
mosfet de canal N entre a saturacin.
Figura 7.
TABLAS DE DATOS.
MODO.OP
10
11
12
13
ANLISIS DE DATOS.
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
-0,1 0
14
ID vs VGS
0,7
0,6
0,5
ID (A)
0,4
0,3
0,2
0,1
0
-0,1
VGS(V)
15
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
-0,1 0
16
Anlisis De Datos Para De RDON Y KP Mosfet Canal PD
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
-0,1 0
0,5
1,5
2,5
3,5
4,5
17
CONCLUSIONES
18

Parámetros o Variables de Un Mosfet

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El substrato p se extiende a lo ancho hasta el dixido de silicio; ya no

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El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad

La parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi

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Tambin hay un MOSFET de enriquecimiento de canal p. El smbolo

PRE DISEO PARA DETERMINACIN DE

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C).Montaje Para Determinar El Voltaje De Umbral para canal P.

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Anlisis De Datos Para De RDON Y KP Mosfet Canal PD

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