MEMORIAS

INTRODUCCION
Una ventaja importantsima de un sistema digital
con respecto a un sistemas analgico es la
capacidad de almacenar grandes cantidades de
informacin durante perodos cortos o largos.

DEFINICIN
Memoria . Se refiere a los componentes de
una computadora, dispositivos y medios de
almacenamiento que retienen datos informticos
durante algn intervalo de tiempo.

 Cada una de
las palabras
almacenadas
tiene una
direccin nica
y especfica.

OPERACIN GENERAL DE LA
MEMORIA

Seleccionar la direccin de la memoria a la que se quiera

tener acceso para una operacin de lectura o escritura.
Seleccionar una operacin de lectura o bien de escritura
para ser efectuada.
Proporcionar los datos de entrada para ser almacenados
en la memoria durante una operacin de escritura.
Retener los datos de salida que viene de la memoria
durante una operacin de lectura.
Habilitar (o deshabilitar) la memoria de manera que
responda (o no) a las entradas de direccin y al comando
de lectura /escritura.

 Operacin de escritura . Operacin por

medio de la cual se coloca una nueva palabra en
cierta localidad de la memoria. Tambin se llama
operacin de almacenar.

 Operacin de lectura . La operacin con la cual la

palabra binaria almacenada en una localidad
(direccin) especfica de la memoria es captada y
despus transferida a otro dispositivo.

CPU Y MEMORIA

Buses que conectan el CPU con el banco

de memorias.

MEMORIAS

Diagrama de una memoria de 32x4

MEMORIAS
La diferencia entre
una ROM y una
RAM es que la
RAM
posee
entrada de datos y
control
de
lectura/escritura

Arquitectura de una RAM de 64x4

 Ampliacin del tamao de palabra

Las memorias disponibles se pueden ampliar
para incrementar la longitud de palabra (nmero
de bits en cada direccin) o la capacidad de
palabra (nmero de direcciones diferentes), o
ambas. La expansin de memoria se consigue
aadiendo el nmero apropiado de chips de
memoria a los buses de direccin, datos y
control.

Expansin de la longitud de palabra

Para aumentar la longitud de palabra de una memoria, el
nmero de bits del bus de datos debe aumentarse.
Por ejemplo, se puede conseguir una longitud de palabra de 8
bits utilizando dos memorias, teniendo cada una de ellas
palabras de 4 bits, como se ilustra en la Figura

Expansin de la longitud de palabra

Como puede verse en esta otra figura, el bus de
direcciones de 16 bits se conecta normalmente a ambas
memorias, de modo que la memoria combinada tenga el
mismo nmero de direcciones (216 = 65.536) que cada
memoria individual.

Expandir una ROM de 65.536 x 4 (64k x 4) de la

Figura para obtener una ROM de 64k x 8.

Las dos ROM de 64k 4 se conectan como se muestra en la figura. Observe que se accede a una direccin
especfica en la ROM 1 y en la ROM 2 a la vez. Los cuatro bits de la direccin seleccionada de la ROM 1 y los cuatro
bits correspondientes de la ROM 2 se llevan en paralelo para formar una palabra de 8 bits en el bus de datos. Observe
tambin que un nivel BAJO en la lnea de habilitacin de chip , que acta como un bus de control simple, activa ambas
memorias.

Utilizar las memorias del

ejemplo anterior para formar
una memoria de 64k x 16.

Expansin de la capacidad de palabra

Cuando las memorias se amplan para incrementar la
capacidad de palabra, el nmero de direcciones se
aumenta. Para conseguir este incremento, el nmero
de bits de direccin se debe aumentar como se ilustra
en la figura, en la que se expanden dos RAM de 1M
8 para formar una memoria de 2M 8.

Expansin de la capacidad de palabra

Cada memoria individual tiene 20 bits de direccin para
seleccionar 1.048.576 direcciones, como se muestra en la parte
(a). La memoria expandida tiene 2.097.152 direcciones y, por
tanto, requiere 21 bits de direccin, como se muestra en la
parte (b). El bit de direccin nmero 21 se utiliza para activar el
chip de memoria adecuado. El bus de datos de la memoria
expandida resultante sigue siendo de ocho bits.

Utilizar memorias RAM de 512k

implementar una memoria de 1M x 4.

x 4

para

Expansin de la capacidad de palabra

DISEO DE MEMORIAS

Ampliacin del tamao de palabra

DISEO DE MEMORIAS
Ampliacin del tamao de palabra utilizando un
2125 A memoria de 1K x 1

DISEO DE MEMORIAS
1. Cuntas RAM de 16k x 1 se
requieren para conseguir una memoria
con una capacidad de palabra de 16k y
una longitud de palabra de ocho bits?
Cmo sera su conexin?
2. Para expandir la memoria de 16k x 8
de la cuestin anterior en una
organizacin de 32k x 8, cuntas RAM
de 16k x 1 se requieren?
Cmo sera su conexin?

DISEO DE MEMORIAS
Ampliacin del nmero de palabras. Mapeo

DISEO DE MEMORIAS
Ampliacin del nmero de palabras.

DISEO DE MEMORIAS
Ejercicios: Desarrolle un algoritmo en el
diseo de memorias:
Ampliacin de cantidad de palabras
Ampliacin de tamao de palabras
Ambos.

Definiciones
Celda de Memoria. Dispositivo o circuito
elctrico que se usa para almacenar un solo bit
(0 o 1), ejemplos de celdas de memoria son: un
flip-flop, y un capacitor con carga
Palabra de Memoria - Grupo de bits (celdas) en
una memoria que representa instrucciones o
datos de algn tipo.
Byte. Trmino especial que se usa para una
palabra de 8 bits.

Definiciones
Capacidad . Forma de especificar cuntos bits
pueden almacenarse en un dispositivo de
memoria particular o bien en un sistema de
memoria completo.
Direccin. Nmero que identifica la localidad de
una palabra en la memoria. Cada palabra
almacenada en un dispositivo de memoria o
sistema de memoria tiene una direccin nica.
Las direcciones siempre se especifican como un
nmero binario, aunque algunas veces se
utilizan nmeros octales, hexadecimales, y
decimales por conveniencia.

 Tiempo de acceso . Es la cantidad de tiempo

que se requiere para realizar una operacin de
lectura (medida de la velocidad).
Memoria voltil. Cualquier tipo de memoria que
requiere la aplicacin de energa elctrica a fin
de almacenar informacin.
Memoria de acceso aleatorio (RAM) .Memoria en la cual la localizacin fsica real de
una palabra de la memoria no tiene efecto sobre
el tiempo que se tarda en leer de esa localidad o
bien escribir en ella.

 Memoria con acceso secuencial (SAM) .- Tipo

de memoria en la cual el tiempo de acceso no es
constante, sino que varia segn la localidad de la
direccin.
Memoria de lectura y escritura (RWM) .Cualquier memoria de la que se puede leer
informacin o bien escribir en ella con la misma
facilidad.
Memoria slo de lectura (ROM) .-Extensa clase
de memorias de semiconductor diseadas para
aplicaciones donde la proporcin de operaciones
de lectura a operaciones de escritura es muy alta.
En trminos tcnicos, en una ROM slo puede
escribirse (programarse) una vez y esta operacin
normalmente se efecta en la fbrica. (CD)

 ROM: (Read Only Memory): Se usan

principalmente en microprogramacin de
sistemas. Los fabricantes las suelen emplear
cuando producen componentes de forma
masiva.
PROM: (Programmable Read Only Memory): El
proceso de escritura es electrnico. Se puede
grabar posteriormente a la fabricacin del
chip, a diferencia de las anteriores que se
graba durante la fabricacin. Permite una
nica grabacin.

EPROM
EPROM (Erasable
Programmable Read
Only Memory): Se
puede escribir varias
veces de forma
elctrica, sin embargo,
el borrado de los
contenidos es completo
y a travs de la
exposicin a rayos
ultravioletas (para esto
que suelen tener una
pequea ventanita en
el chip).

EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable
Programmable Read Only Memory): Se
puede borrar selectivamente byte a byte
con corriente elctrica.
Memoria flash: Est basada en las
memorias EEPROM pero permite el
borrado bloque a bloque y es ms
barata.

RAM (Memorias de
Lectura/Escritura)
DRAM (Dynamic Random Access Memory):
Los datos se almacenan como en la carga de
un condensador. Tiende a descargarse y, por
lo tanto, es necesario un proceso de refresco
peridico. Son ms simples que las SRAM.
SRAM (Static Random Access Memory): Los
datos se almacenan formando biestables, por
lo que no requiere refresco. Igual que DRAM
es voltil. Son ms rpidas que las DRAM.

RAM
SDRAM (Synchronous DRAM): en esta
memoria el acceso a los datos esta
sincronizado con una seal de reloj externa.
El rendimiento se mide en MHz y es la
velocidad mxima de reloj que soportan. Esta
velocidad puede llegar a ser de 100 Mhz.
DDR SDRAM. DDR (Double Data Rate)
significa doble tasa de transferencia de datos.
Son mdulos de memoria RAM compuestos
por memorias sncronas (SDRAM), que
permite la transferencia de datos por dos
canales distintos simultneamente en un
mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR
soportan una capacidad mxima de 1 GB.