Laboratorio N 03: EL TRANSISTOR

BIPOLAR POLARIZACION, CORTE

Y SATURACION
Chavez Campos, Anthony Justiniano

20121222I

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera

Lima, Per
Geeklectric122@gmail.com

INTRODUCCIN
En el presente laboratorio aprenderemos a conocer las caracteristicas de un transistor bipolar, as
como tambin analizar su funcionamiento del mismo y poder llegar a conclusiones de acuerdo a
los grficos que encontremos ya que el transistor puede encontrarse en 3 zonas diferentes como
son: zona activa, zona de corte o zona de saturacin.

I.

B.

OBJETIVO

CLASIFICACION
TRANSISTORES

El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como

finalidad:

B.1 Por la disposicin de sus capas.

NPN:

Aprender a usar correctamente el transistor bipolar de

acuerdo a sus caracteristicas tcnicas brinadas.
Conocer ms acerca de las curvas representadas por
los transistores, as como tambin tener un buen
manejo de los instrumentos en los cuales
observaremos estas grficas (osciloscopio).
Analizar de manera experimental la recta de carga as
como encontrar el punto de operacin del transistor en
cuestin.
Por ltimo el objetivo que en cada experiencia vamos
a obtener es la destreza y montaje ptimo de los
circuitos brindados en el experimento de laboratorio

II.
A.

TEORA

TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas

semiconductoras con sus respectivos contactos llamados;
colector (C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente
existe una doble circulacin de corriente: electrones y
lagunas o agujeros.

DE

LOS

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares,

en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de
material semiconductor dopado P (la "base") entre dos
capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn
es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la
terminal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

aficionados de radios. Es uno de los transistores

oficiales utilizados en el BITX. Su versatilidad
ha permitido incluso al club de
radioaficionados Norcal lanzar en 1999 un
desafo de construir un transceptor de radio
utilizando nicamente hasta 22 ejemplares de
este transistor - y ningn circuito integrado.

PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP

con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son
comnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del
emisor y apunta en la direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Las hojas de especificaciones sealan como

valores mximos garantizados 500 miliamperios,
50 voltios de tensin de colector, y hasta 500
milivatios de potencia. La frecuencia de
transicin es de 250 a 300 MHz, lo que permite
utilizarlo en aplicaciones de radio de alta
frecuencia (hasta 300 MHz). La beta (factor de
amplificacin, hFe) del transistor es de por lo
menos 100; valores de 150 son tpicos.

El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos,

los ms comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23,
y SOT-223.

C.

SIMBOLOGIA
TRANSISTORES

DE

LOS

B.2 Por la disipacin de potencia.

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de

potencia es idntico al de los transistores normales,
teniendo como caractersticas especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por
tanto, las altas potencias a disipar.

Donde:
IB: es la corriente en la base
IE: es la corriente en el emisor
IC: es la corriente en el colector
Adems en todo transistor se cumple la siguiente relacin

Existen tres tipos de transistores de potencia:

I C = I B

bipolar.

I E=

unipolar o FET (Transistor de Efecto de

Campo).
IGBT.

B.3 Por la frecuencia de trabajo.

El 2N2222, tambin identificado como PN2222,

es un transistor bipolar NPN de baja potencia de
uso general.

Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin

como de conmutacin. Puede amplificar
pequeas corrientes a tensiones pequeas o
medias; por lo tanto, slo puede tratar potencias
bajas (no mayores de medio Watts). Puede
trabajar a frecuencias medianamente altas.

Por todas esas razones, es un transistor de uso

general, frecuentemente utilizados en
aplicaciones de radio por los constructores

+1
I
C

: indica la ganancia de corriente en un transistor BJT.

D.

POLARIZACION DEL TRANSISTOR

Cuando hablamos del diodo, veamos que tena dos

posibilidades de polarizacin; directa e inversa. Ahora que
trabajamos con el transistor que posee dos uniones, una
entre emisor y base (unin JE) y la zona entre base y colector
(unin JC) las cuales pueden ser polarizadas de forma similar
al diodo.
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es
necesario polarizarlo correctamente. Para ellos se debe
cumplir que: La juntura BASE - EMISOR este polarizado
directamente, y La juntura COLECTOR BASE este
polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un
voltaje positivo con respecto al emisor y el colector debe
tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la
base. En el caso de un transistor

PNP debe ocurrir lo contrario.

La combinacin de estas dos polarizaciones entre las dos
regiones nos permitir hacer trabajar al diodo en cuatro
zonas de trabajo distintas.
.
REGION DE SATURACION
Un transistor est saturado cuando la corriente de colector =
la corriente de emisor = la corriente mxima, (Ic = Ie = I
mxima)

E.

En este caso la magnitud de la corriente depende

del voltaje de
alimentacin
del
circuito
y
de
los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos, ver L a ley de Ohm.

CURVAS

Aqui mostramos las curvas del transistor BJT.

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de

base es lo suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector veces ms grande. ( recordar que
Ic = * Ib)

RESPUESTAS A PREGUNTAS
1.

Realice los clculos para hallar, empleando el

simulador ORCAD / Pspice o similar.
R4

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones

operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:
REGIN ACTIVA
Como acabamos de ver un transistor est trabajando en
la zona activa cuando la unin de emisor se polariza en
directa y la unin de colector en inversa. En el caso de
un transistor pnp, para polarizar la unin de emisor en
directa habr que aplicar una tensin positiva del lado
del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo
mismo una tensin VBE positiva. De igual manera,
para polarizar la unin de colector en inversa hay que
aplicar una tensin VCB negativa.

50k
2.505 %
Key=B
R3

U3
DC 1e-009Ohm
V1
12 V

500k
55 %
Key=A
+

U1
0.040m

R6

R5
10

6.501m

3.792

DC 1e-009Ohm

Q2
2N3904

10k

U2
DC 10MOhm

R4
50k
0.549 %
Key=B
+

R3

R5
10

500k 26 %
Key=A

0.014

U3
DC 1e-009Ohm
V1
12 V

8.003

R6
10k

Q2
2N3904

U1
+

0.080m

U2
DC 10MOhm

DC 1e-009Ohm

REGION DE CORTE
Un transistor esta en corte cuando la corriete de colector =
la corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito.
Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando
la corriente de base = 0 (Ib = 0).

R2
1k

R1
180k
V1
1 Vpk
1kHz
0

Q2

BC548BP

V2
12 V

R2
47k
V1
12 V

ganancia de tensin vs. Frecuencia usando la

escala logartmica.

R3
1k

Q1

R1
56k
50 %
Key=A

BC548BP
R4
1k

4.

2.

Simule los pasos de la gua de laboratorio y

anote las tensiones y corrientes que se piden en
el experimento.

VCE
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3.

IC(m
A)
5.46
3
6.24
4
6.26
6
6.35
0
6.43
4
6.51
9
6.60
4
6.68
8
6.77
2
6.85
7
6.94
2
7.02
5

Con los valores obtenidos con el simulador,

haga las grficas de las curvas:Ic vs Vce; Ic vs
Ib; vs; beta vs Ic e Ib vs Vbe y obtenga el
grfico de respuesta en frecuencia indicando la

Obtenga el Data Sheet del transistor y

determine las caractersticas de corte y
saturacin as como el punto de operacin del
2N 2222 y el 2N 3904.
El data shet se encuentra en la ultima pagina.

5.

Que voltaje AC de entrada puede soportar el

transistor 2N 2222 y el 2N 3904
Las caractersticas se encuentran en la ltima
pagina.

6.

Determine la impedancia de entrada y salida a

60 Hz

EQUIPOS Y MATERIALES

III.

Los materiales a utilizar en el laboratorio son:

Osciloscopio y dos puntas de prueba

1 multmetro
1 generador de ondas
1 panel de conexin c/transformador 220: 12 Vac
1 amperimetro analogico
Diodos: 2 LED
Transistores: NPN 2N2222 o 2N3904
Resistencias: 100, 2 de 1K, 10K, 15K,
56K, 22K, 180K, 3.3K, 6.2K, 10K,
510K, 2K de 1W.
Potenciometro: 50K y 500K de 0.5W
Transistores BJT: 2 BC548A

IV.

DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA

IV.1 POLARIZACIN- CURVAS DEL

TRANSISTOR

A) Mida las resistencias y los potencimetros con el

multmetro y anote los valores.
B)

Determine los terminales del transistor con el

multmetro o use los manuales e imprima El
Data Sheet obtenida en Internet (Nota: si el
multmetro tiene probador de transistores selo)

C)

Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de

colocar correctamente los terminales del
transistor.

B)

Polarizar el dispositivo y medir VC y VB. y

completar la tabla.

C)

A partir de la tabla completada, graficar la curva

de transferencia de entrada a salida VC vs V3

D) Graficar la curva de transferencia de corrientes

(IC vs IB) y el beta de las mismas (BETA vs IC).
E)

Armar el circuito de la figura.

F)

Medir las tensiones VC, VE, y VB para trazar la

recta de carga del circuito, variando R6.

G)

Determinar las corrientes y graficar la recta de

carga en el plano IC vs VCE del transistor.
Indicar la zona de operacin correspondiente.

H)

Graficar en un mismo plano las diferentes rectas

de carga, a colores, indicando las zonas de
operacin. Adjuntar las data sheet con los datos
de los transistores utilizados.

I)

Armar el circuito de la figura 2, conectar los

diodos LED en serie con las resistencias R1 y
R2, colocar en V3 una fuente DC y reemplazar
R1 por un potencimetro.

J)

Para determinar la regin activa vare el voltaje

de entrada V3 y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar el
intervalo de voltaje (V(min) < V3 < V(max))
que mantiene al transistor operando en la regin
activa.

K)

Para determinar cuando el transistor est en

corte o est en saturacin, aumentar de 1v en 1v
el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio
en V0. Luego repetir el procedimiento
disminuyendo V(min) de V3 desde el ltimo
valor de v, hasta cero. En la simulacin
determinar la resistencia R1 que facilite el corte
y saturacin de manera ms rpida y usar ese
valor en la prctica de laboratorio.

D) Si usa un transistor equivalente busque en el

data sheet sus caractersticas y modifique si es
necesario el voltaje de entrada.
E)

Verifique las conexiones con el multmetro,

ajuste la fuente a 12 VDC y conctela al circuito.

F)

La corriente de base ( IB ) obtenida en el informe

previo, la puede ajustar con el potencimetro de
500 K. La corriente de base la puede medir
indirectamente con la tensin en la resistencia de
10K. La tensin de colector-emisor ( VCE ) la
puede ajustar con el potencimetro de 50K. La
corriente de colector ( IC ) la puede medir
indirectamente con la tensin en la resistencia de
100 si solo cuenta con un ampermetro.

G) Para determinar las curvas IC vs VCE, ajuste y

mantenga IB en 40A y varie la tensin VCE.
Ajuste y mantenga IB en 80A y varie IC.
H) Obtener las curvas IC vs IB
I)

Obtener las curvas IB vs VBE.

IV.2 TRANSISTORES BIPOLARES EN

ZONA ACTIVA,
CORTE
Y
SATURACIN
A) Armar el siguiente circuito:

V.
[1]

[2]

BIBLIOGRAFA

Fuente del navegador

http://www.equiposylaboratorio.com/sitio/conten
idos_mo.php?it=1484
Fuente del navegador
http://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibraci
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