PROFESOR:

Limay Arenas, Nolberto Jo

UPAO 2015-I
ING. ELECTRNICA

TRABAJO DE INVESTIGACIN
DIODOS
DEFINICIN,
DIODOS

POLARIZACIN

Y CARACTERSTICAS

DE

LOS

Definicin:
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de
la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de
vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es
un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
Polarizacin (existen dos tipos):
Directa: En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir,
el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la

diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal
n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal
p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta el final.

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Inversa: En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en
dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica
a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta
llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los
tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn
en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de
valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la

zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo
que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos
lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)
denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad.
Caractersticas:

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin
se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el
diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la

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formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se

duplica por cada incremento de 10 C en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan
pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de
forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda
de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es unaavalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede
expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est
muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de
3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para
tensiones de 4 V o menores.
MODELOS DEL DIODO PARA PEQUEA SEAL.
Un diodo es un tpico ejemplo de dispositivo no lineal con solo dos entradas o
puertos. En este dispositivo, la corriente que lo atraviesa, I D, es funcin de la
tensin entre ambos puertos, VD.
Suponiendo el diodo ideal, puede usarse la ecuacin de Shockley:
VD
I D =I S exp
1
N VT

[ ( ) ]

Normalmente, el diodo se suele utilizar en zona directa por lo que la expresin

anterior se reduce a:

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I D =I S exp

VD
N V T

Calculemos ahora el equivalente en pequea seal. Denominaremos

y

v D= V D

| |

iD =

i D = I D

con lo que:

ID
VD
ID
1
v D=I S exp

vD =
v
V D Q
NVT N VT
N VT D

Es decir, hay una relacin lineal entre la corriente y la tensin. Esto no es sino la
ecuacin que gobernara una resistencia de valor:
r D=

NVT
ID

Por tanto, en primera aproximacin, un diodo puede aproximarse en pequea

seal como una resistencia cuyo valor se calcular con la ecuacin anterior. En
r =0
inversa, podemos suponer directamente que D
.
EL DIODO EN CONMUTACIN
Se caracterizan por tener un tiempo de respuesta muy rpido con respecto al
cambio del sentido de la corriente elctrica, son capaces de trabajar con seales de
tipo digital o lgica.
Se basa en el tiempo de recuperacin inverso (TRR), el cual expresa el tiempo en
que tarda la unin PN en desalojar la carga elctrica y recibir un cambio de
tensin que la polariza en sentido directo cuando esta polarizado inversamente. El
tiempo de recuperacin inverso (TRR) en los diodos de media potencia es de
400ns y para los de baja potencia, de 5ns
UNIN METAL-SEMICONDUCTOR.
El contacto metal-semiconductor (MS) juega un papel muy importante de una forma
u otra en todos los dispositivos de estado slido (transistorizados). Este viene siendo
el eslabn crtico entre el semiconductor y el mundo externo. El contacto MS
rectificador, ablando de diodos como el Schottky o el diodo MS, es encontrado en
varias estructuras de dispositivos y es sumamente importante en su ramo. Hay
importantes similitudes fsica y funcionalmente entre el diodo MS y el de unin (pn o
np). De hecho, gran parte del anlisis de diodo PN puede aplicarse directamente al
MS slo con modificaciones menores.

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Comenzaremos el anlisis de MS estableciendo el diagrama de energa de
equilibrio para un contacto ideal. Con la ayuda del diagrama, uno puede distinguir
fcilmente entre contactos rectificadores y hmicos.
CONTACTOS MS IDEALES
Un contacto MS ideal tiene las propiedades siguientes: (1) el metal y el semiconductor
estn en intimo contacto a escala atmica, sin capas de cualquier otro tipo (como un
xido) entre los componentes. (2) no hay ninguna difusin o mezclado entre el metal y
el semiconductor. (3) no hay impurezas absorbidas o cargas en la superficie de la
internase MS.
La tarea inicial es construir el diagrama de banda de energa apropiado para un MS
ideal bajo condiciones de equilibrio. Los diagramas de banda de energa para metal
elctricamente aislado y componentes semiconductores se muestran en la Fig. 3.7. En
ambos diagramas la lnea vertical donde las bandas de energa se terminan abruptamente
representa una superficie. La parte sombreada en los diagramas identifica estados
permitidos que se llenan casi completamente de electrones.

Algunas energas importantes y sus diferencias son presentadas de manera sencilla en

la Fig. 3.7. El borde a la cima de la lnea vertical denota la energa mnima que un
electrn debe poseer para librarse completamente del material y se le llama nivel de
vaco, Eo. La diferencia de energa entre el nivel del vaco y el de la energa de Fermi es
conocida como la funcin de trabajo (workfuntion) del material y se representa con la
letra (f). La funcin de trabajo del metal (fM) es una propiedad fundamental del metal
especificado. El rango de valores para fM van desde 3.66 eV para el magnesio a 5.15 eV
para nquel. Y por otro lado la funcin de trabajo del semiconductor, fs, est compuesta
de dos partes distintas; eso es

La afinidad del electrn (electrn affinity), c = (E0 - EC) en la superficie, y es

una propiedad fundamental del semiconductor especificado. c = 4.0 eV, 4.03 eV, y 4.07
eV para Ge, Si, y GaAs, respectivamente. Recprocamente, (EC-EF)FB , la diferencia
de energa que hay entre EC y EF bajo condiciones de cero campo, es una funcin
calculable que depende del dopaje del semiconductor.

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Figura 3.7. Diagrama de bandas de energa incluidas en su superficie para metal y un
semiconductor tipo N
Suponga ahora que fM > fS del metal y semiconductor del tipo n de la Fig. 3.7 para
formar un contacto de MS ideal. Permtanos asumir que la formacin del contacto es
casi instantnea, de tal forma que el traslado de electrones entre los componentes es
despreciable durante el proceso de unin. Si ste es el caso, entonces un instante
despus de la formacin el diagrama de banda de energa para el contacto ser como se
muestra en la Fig. 3.9.1(a). En esta figura los diagramas de banda de energa aislados se
alinean verticalmente a Eo que es un nivel de referencia comn, y simplemente se
juntan a la interfase mutua. Debe darse nfasis a que fM y c son constantes del material
y permanecen inafectadas durante el proceso de unin.

Figura 3.8. Diagramas de bandas de energa para un contacto MS ideal entre un metal
y un semiconductor tipo n; en el sistema (a) un instante despus de la formacin del
contacto y (b) bajo condiciones de equilibrio; el sistema (c) un instante despus de la
formacin y (d) bajo condiciones de equilibrio.

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Dado que EFS es diferente que EFM, el contacto MS caracterizado por la Fig. 3.8 (a)
no est obviamente en equilibrio. Bajo condiciones de equilibrio el nivel de Fermi en un
material o grupo de materiales en contacto ntimo deben estar invariantes en posicin.
Por consiguiente, un tiempo corto despus de la formacin del contacto, los electrones
empezarn a transferirse del semiconductor al metal dando la situacin que se presenta
en la Fig. 3.8 (a). La prdida neta de electrones del semiconductor crea una regin de
vaciamiento de superficie y una barrera creciente al traslado de electrones del
semiconductor al metal. Esto continuar hasta que la tasa de transferencia por la junta
sea la misma en ambas direcciones y se logre un equilibrio de tal forma que EF sea la
misma a lo largo de la estructura. El resultado neto, el diagrama de banda de energa
equilibrada para un contacto ideal de metal y semiconductor tipo n donde fM > fS se
muestra en la Fig. 3.8 (b). En esta figura podemos observar que lneas como la del nivel
de referencia EO y la parte de la lnea vertical que est por encima de EC han sido
removidas.

Adems note que donde fB es la barrera de energa de potencial encontrada por

los electrones con E = EF en el metal. Finalmente, si el argumento entero se repite para
un metal y semiconductor del tipo n donde fM < fS, uno obtiene el diagrama de banda
de energa equilibrada mostrado en la Fig. 3.8 (d). Permtanos ahora examinar
cualitativamente el efecto de las dos estructuras MS de la Fig. 3.8. El semiconductor se
toma para ser conectado a tierra y VA se aplica al metal. La corriente / se define para ser
positiva cuando fluye del metal al semiconductor.
Considere primero el contacto de MS para fM > fS. Aplicando un VA > 0 baja
EFM debajo de EFS, reduce la barrera vista por electrones en el semiconductor, y por
consiguiente se permite un flujo neto de electrones del semiconductor al metal.
Aumentando VA provoca una elevacin progresiva de la corriente, como un incremento
exponencial del nmero de electrones del semiconductor capaces de vencer la barrera de
superficie. Por otro lado, aplicando un VA < 0 levanta EFM por encima de EFS.
Algunos electrones en el metal podrn vencer la barrera fB. Y la corriente inversa
asociada debe ser muy pequea. Claramente, las caractersticas rectificantes similares a
las desplegadas por un diodo de unin pn. El contacto ideal de metal con semiconductor
tipo n donde fM > fS se identifica como un diodo MS. Por otro lado la respuesta de un
contacto MS para fM > fS es considerablemente diferente, puesto que el contacto
presenta caractersticas hmicas, como se demuestra ms adelante.
DIODOS SCHOTTKY.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de
1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral
(tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como
"knee", es decir, rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima
necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto,
dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo

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suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa ste opere de
forma similar a como lo hara regularmente.
APLICACIONES
Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los
generadores de ruido y puentes de ruido.
Fijador de nivel: Estos circuitos basan su funcionamiento en la accin del
diodo, pero al contrario que los limitadores no modificarn la forma de onda
de la entrada, es decir su voltaje o tipo de corriente elctrica, sino que le
aaden a sta un determinado nivel de corriente continua. Esto puede ser
necesario cuando las variaciones de corriente alterna deben producirse en
torno a un nivel concreto de corriente continua.

TRANSISTORES
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN
Definicin:
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por
otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.

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Polarizacin de las uniones en un transistor BJT PNP

Unin E B
La unin E-B esta polarizada directamente y la barrera de potencial en la unin es
estrecha, lo que permite la conductividad debida a los portadores mayoritarios del
material tipo P al material tipo N.

Unin B C
La unin B-C esta polarizada inversamente y no hay conduccin debido al flujo de
portadores mayoritarios, pero si se presenta un flujo de portadores minoritarios del
material tipo N al material tipo P.

Conduccin de corriente. IE = IB + IC

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Polarizacin de las uniones en un transistor BJT NPN

Relacin entre las corrientes BJT

La ecuacin de corrientes en el BJT es: IE =IB + IC, la corriente IB es muy pequea,
debido a la baja conductividad de la capa Base, lo que hace IE =IC con IE mayor que
IC, por los niveles de impurificacin de las capas Emisor y Colector. Entonces:

La relacin entre las corrientes en el BJT indican que el mismo es un dispositivo

controlador por corriente, ya que una corriente pequea (IB) controla una corriente
mayor (IE, IC) lo que permite expresar al dispositivo como un amplificador de seales.

Configuracin del BJT como amplificador de seales

Un amplificador es un dispositivo que eleva o aumenta la magnitud de una seal de
entrada sin modificar su forma de onda.

Configuracin del BJT como amplificador de seales

En el amplificador las seales son medidas con respecto a un punto comn y en vista de
que el transistor es un dispositivo de tres terminales, su uso en los amplificadores
requiere que uno de sus terminales sea comn a los otros dos.
Configuracin Base Comn
Configuracin Emisor Comn
Configuracin Colector Comn
Configuracin de base comn

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Factor de amplificacin de corriente de base comn

Esta configuracin no produce ganancia de corriente, pero si de tensin. En la

configuracin base comn, los valores de corriente de salida, amplificacin o mejor
dicho es reduccin siempre son menores a 1 (no requiere decir que tendremos corrientes
de 1 A, si no que la corriente de colector base ser menor a la corriente de emisor base.
Configuracin de emisor comn
Factor de amplificacin de corriente de emisor comn

Configuracin de colector comn

Factor de amplificacin de corriente de emisor comn

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR.

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El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible
controlar una gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un
ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector
(C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se
aplica la seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas
variaciones de corriente a travs del terminal de base, se consiguen grandes
variaciones a travs de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una
resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones de tensin
segn sea necesario.

CURVAS CARACTERSTICAS I-V DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Curvas caractersticas en base comn

1. Curvas caractersticas de entrada
El siguiente circuito permitir obtener las curvas caractersticas de entrada.
En
las
curvas
caractersticas de entrada
en
base
comn
se
representa:

Ie = f (Veb, Vcb)
Podremos observar que es
como si tuvisemos la
curva caracterstica correspondiente a la unin de emisor [Ie = f (Veb)], sin
embargo, la relacin entre estas dos variables se ve influenciada por la
tensin que tenemos a la salida (Vcb). As, no tenemos una nica curva, sino
que tenemos una familia de curvas en funcin de la tensin Vcb.

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2. Curvas caractersticas de salida

El siguiente circuito permitir obtener las curvas caractersticas de salida.

En las curvas caractersticas de salida en base comn se representa:

Ic = f (Vcb, Ie)

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En estas curvas aparecen diferenciadas las tres zonas de inters prctico del
transistor: corte, saturacin y activa.

Curvas caractersticas en emisor comn

1. Curvas caractersticas de entrada
El siguiente circuito permitir obtener las curvas caractersticas de
entrada.

En las curvas caractersticas de entrada en emisor comn se representa:

Ib = f (Vbe, Vce)

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2. Curvas caractersticas de salida

El siguiente circuito permitir obtener las curvas caractersticas de
salida.

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En las curvas caractersticas de salida en emisor comn est dada por:

Ic = f (Vce, Ib)

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MODELOS DE PEQUEA SEAL.

El anlisis de pequea seal de un par Darlington se puede realizar a partir de los
modelos de pequea seal de los transistores Q1 y Q2. En la figura 2.15 se indica el
circuito en parmetros h obtenido al sustituir cada uno de los transistores por su
modelo de pequea seal; para simplificar el anlisis y los clculos se han
despreciado los efectos de los parmetros hre y el hoe1. Este modelo completo resulta
demasiado complicado incluso con las aproximaciones realizadas, para usarlo en el
anlisis de amplificadores. Por ello, se obtiene un modelo equivalente simplificado
en parmetros {H} obtenido a partir del modelo completo.

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hie: Impedancia de entrada equivalente del par Darlington. Este parmetro se define

como

pero el circuito de la figura

2.15 verifica

resultando que
hfe Ganancia en
Darlington. Este parmetro se define como

intensidad

del

par

Del circuito de la figura 2.16 se puede extraer que

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TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIN

La conmutacin se puede describir de una forma sencilla como la posibilidad de un dispositivo
de saltar o cambiar entre dos posiciones o dos estados distintos (que podemos llamar Alto/Bajo,
On/Off, Marcha/Paro, 1/0, etc.) de una forma ms o menos rpida. En el caso de los transistores,
ambos estados se identifican con las situaciones de Saturacin y Corte.
Para un transistor bipolar, la operacin de conmutacin es la siguiente: cuando la base est a
unos 0,7 voltios por encima del emisor (y se suministra corriente suficiente a la base) el
transistor conduce y entra en saturacin. En esta situacin, el transistor se comporta idealmente
como un interruptor cerrado entre el colector y el emisor, como ilustra la figura 1.a. Cuando la
base est a menos de 0,7 V por encima del emisor, el transistor no conduce y se comporta como
un interruptor abierto entre el colector y el emisor.

APLICACIN

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Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de potencia y la
electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos equivalentes al
y

lgicos.

TRANSISTORES UNIPOLARES DE EFECTO DE CAMPO.

El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el
campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

FENOMENO DE CONDUCTIVIDAD
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula
por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems,
presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para
el anlisis y diseo de circuitos.
APLICIONES

Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en

electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o
chips digitales.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.

CAPACIDAD DE MOS IDEAL

DEFINICIN:
Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrnico
formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de
xido (SiO2). Los elementos se contactan con dos terminales metlicas llamadas
sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de placas paralelas,

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en donde se reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del sustrato, y la
otra por un metal, aunque en la prctica se usa poli silicio, es decir, un poli cristal de
silicio.
FENMENO DE CONDUCCIN
La estructura NMOS est formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al
aplicar un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el sustrato
(portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta. Al mismo
tiempo, los huecos son repelidos de la capa de xido de compuerta debido a que el
potencial positivo los aleja. Esto ocasiona una acumulacin de electrones en la cercana
del xido, en donde el silicio presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo
n. La inversin del dopado en el silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al
nombre de esta regin. Tambin se produce una regin de agotamiento de portadores en
las cercanas del xido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los
electrones atrados.
De manera anloga, una estructura PMOS est formada por un sustrato de silicio
dopado con electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos
presentes en el sustrato (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de
compuerta. Los electrones son repelidos del xido de compuerta debido a que el
potencial negativo los aleja. Los huecos se acumulan en la cercana del xido, en donde
el silicio acumula un exceso de huecos y por lo tanto se comporta como un material de
tipo p. La recombinacin de huecos y electrones produce una regin de agotamiento.
La tensin positiva aplicada en la compuerta de una estructura PMOS se distribuye a
travs de las capas de materiales de acuerdo con la siguiente ecuacin.
CAPACIDAD MOS REAL:
En un condensador de capacidad C, aparece una carga Q, dada por la expresin: Q=CV,
donde V es la tensin entre armaduras. En el condensador MOS, la tensin entre la
puerta y el sustrato hace que adquiera la carga Q, que aparece a ambos lados del xido.
Pero en el caso del semiconductor esto significa que la concentracin de portadores bajo
la puerta vara en funcin de la tensin aplicada a sta.
Imaginemos que tenemos el sustrato de silicio tipo p, es decir, conteniendo un exceso de
huecos. Lo conectamos a 0 V, y tenemos la puerta tambin conectada a 0 V. En estas
condiciones, no existe una variacin en la concentracin de huecos. Cuando vamos
aumentando la tensin de puerta, el condensador se va cargando, con carga positiva en
la parte de la puerta y negativa en el sustrato que, en nuestro caso de semiconductor p,
significa que el nmero de huecos va disminuyendo hasta alcanzar la carga
correspondiente a la tensin de puerta. Este modo de funcionamiento se llama de
plexin, vaciamiento o empobrecimiento. Podemos continuar aumentando la tensin de
puerta hasta que ya no queden huecos en la banda de conduccin y el sustrato bajo la
puerta se vuelve aislante.

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Pero, si continuamos aumentando todava ms la tensin, el condensador MOS necesita
ms carga, que los huecos ya no pueden proporcionarle, por lo que aparecen electrones
en la banda de conduccin, a pesar de ser el sustrato tipo p. Este fenmeno se llama
inversin y permite formar canales tipo n dentro de semiconductores p. Cuanto ms
aumentamos la tensin, mayor carga introducimos y ms avanza la capa de inversin
dentro del sustrato, con lo que la zona bajo la puerta se va haciendo cada vez ms
conductora.
Volvamos a poner la puerta a 0 V y vayamos polarizndola con valores negativos. Ahora
la carga en el sustrato es positiva y el nmero de huecos aumenta, con lo que la
conductividad, tambin. Este modo de funcionamiento se llama de acumulacin o
enriquecimiento, pues se aumenta el nmero de portadores.
APLICACIONES
Las estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de estado solido
pues forma los transistores MOSFET, funcionando como condensador es responsable de
almacenar la carga correspondiente a los de la memorias tambin se utiliza como
condensadores de precisin en electrnica analgica y microondas.
TRANSISTOR MOSFET
Definicin:
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de
efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de
canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement)
o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y
aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de
enriquecimiento.
Simbologa:

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Aplicaciones:
-La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS.
Consistentes en el uso de transistores PMS y NMOS complementarios. Las aplicaciones
de MOSFET ms comunes son:
-Resistencia controlada por tensin
-Circuitos de conmutacion de potencia
-Mezcladores de frecuencia, con mosfet de doble puerta
Transistor JFET
Definicin
El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor) constituye un tipo de FET de puerta
de unin, esto es, entre la puerta y el canal conductor tenemos una unin pn.
Para su estudio se seguirn los mismos pasos que en el caso del MOSFET: estudio de su
constitucin o estructura, principios de funcionamiento y curvas caractersticas.
Adelantando resultados veremos que un JFET es un dispositivo equivalente a un
MOSFET de deplexin, con algunas particularidades que se comentarn posteriormente.
ESTRUCTURA DE UN JFET
Se va a realizar el estudio de un JFET de canal n. En la Figura 15.1 puede observarse su
estructura tpica, representacin unidimensional (ms didctica) y smbolo de circuito.

PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO
Se va a describir el funcionamiento de un JFET de canal n. Si el JFET es de canal p, el
estudio es igualmente vlido sin ms que cambiar el sentido de las tensiones y
corrientes.

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En este caso, las uniones de puerta-canal estn polarizadas directamente, por lo que
circular una gran cantidad de corriente a travs de la puerta. Este funcionamiento no es
el que se busca en el JFET, por lo que en los diseos siempre se tratar de evitar la
polarizacin directa de las uniones de puerta.

Si Vds = 0, el dispositivo se encuentra en equilibrio termodinmico por lo que Id =0 .

En este caso, el canal entre las dos uniones de puerta est totalmente abierto.

Si Vds empieza a tomar valores positivos pequeos, empezar a circular una corriente
Id pequea y proporcional. El canal tipo n acta como una mera resistencia, la cada de
tensin producida por Id a lo largo del canal ser tambin pequea y prcticamente no
influir en la polarizacin de las uniones de puerta. Es decir, puesto que Vgs =0 , el
nico potencial que existe entre la puerta y el canal es el potencial termodinmico . Por
lo tanto, en estas condiciones, el canal estar abierto e Id y Vds seguirn la Ley de Ohm
Id = vds / Rcanal . Nos encontramos en la REGIN HMICA o LINEAL.

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Si Vds sigue aumentando de manera que sus valores empiezan a ser notables Id,
tambin aumentar pero la cada hmica de tensin a lo largo del canal empezar
modular el canal. Efectivamente, en la zona de drenador aparece la unin se encuentra
polarizada inversamente, con una z.c.e. creciente, y el canal se empezar a contraer en
dicha zona . Como consecuencia de esta contraccin, la resistencia del canal aumenta y
las caractersticas Id Vds suavizan su pendiente. Nos encontramos en la REGIN
GRADUAL

Si seguimos aumentando los valores de Vds, llegar un momento en el que el canal se

contraiga por completo (Figura 15.6), y por lo tanto, la conexin entre la fuente y el
drenador desaparece por completo. Se dice que el canal se ha estrangulado o
pinchado. La tensin Vds a la que tiene lugar este fenmeno se denomina tensin de
drenador de saturacin, Vds . En esta situacin, la pendiente de las caractersticas IdVds se hace aproximadamente cero, Figura 15.8. Nos encontramos en el punto de
cambio de la REGIN GRADUAL a la REGIN DE SATURACIN.

En la Figura 15.8 se ha representado la caracterstica Id -Vd de un JFET de canal n

indicando cada una de las regiones de funcionamiento.

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En la Figura
observarse
curvas
caractersticas,
lineal,
para
valores
de
aplicada.
apreciarse el
resistencia del
a
su
uniforme por
aplicada),
a
aumenta Vgs. Esto hace que, en circuitos integrados, el JFET pueda ser
una resistencia cuando est operando en la regin lineal.

15.9 pueden
diferentes
en la regin
diferentes
tensin Vgs
Puede
aumento de la
canal (debido
contraccin
la
Vgs
medida que se
utilizado como

CURVAS CARACTERSTICAS DE UN JFET

En las caractersticas de salida pueden observarse las diferentes regiones de
funcionamiento comentadas anteriormente:

Regin gradual, que incluye la regin puramente hmica o lineal.

Regin de saturacin.
Regin de ruptura.
Regin de corte, Vgs > Vt.

En estas curvas, se ha incluido la caracterstica correspondiente a una VGS = 0.2v

(polarizacin directa de la unin de puerta). En tal caso, la corriente de puerta Ig sera
muy pequea.

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Como puede observarse, las curvas obtenidas para el JFET son equivalentes a las del
MOSFET de deplexin o empobrecimiento, con la salvedad de que en los JFET no se
puede aumentar la anchura del canal con respecto a la situacin de equilibrio.
TRANSISTOR MESFET
DEFENICION
El MESDEF fue propuesto por mead en el 1966, y aunque su funcionamiento es
conceptualmente similar al JFET discutido ms arriba, desde un punto de vista prctico
puede operar a frecuencias bastante ms altas, en la regin de las microondas. A
diferencia del JFET, el electrodo de puerto est formado por una unin
metal/semiconductor (de ah el nombre de MESFET) de tipo Schottky en lugar de una
unin p-n, como se puede apreciar.

FENOMENO DE CONDUCCION
Los MOSFET son construidos en casi su totalidad a partir de arseniuro de galio en lugar
de silicio. Las ventajas de la utilizacin de arseniuro de galio son varias

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En el rango de operacin til. Los electrones del arseniuro de galio presentan
una movilidad de 0.8m2v-1s-1, es decir unas cinco veces superior a la del
silicio.
La velocidad de arrastre mxima de los electrones por un campo elctrico es en
el GaAs alrededor del doble de la de los electrones en el Si.
Los MESFET se fabrican depositando una capa epitaxial de GaAs dopada
convenientemente sobre un sustractor de GaAs con propiedades semi aislantes,
de este modo las capacidades parasitas entre el sustrato y los contactos metlicos
de los electrodos son muy bajo
APLICACIONES
Todo ello hace posible construir hoy da amplificadores que puedan operar hasta
frecuencia de 60Hz. as como circuitos digitales de muy alta velocidad. Debido a todas
estas caractersticas el GaAs est sustituyendo ventajosamente al Si en algunas
aplicaciones especiales
TIRISTORES
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores
de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con
tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra
el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se
fabrican por difusin.

Fig. 1

FENOMENO DE CONDUCCION
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3
tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo
fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor
est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente
fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a
un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en

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ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se
llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen
polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres
uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el
dispositivo est en estado de conduccin o activado.
La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por
lo comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una
impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de
la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo
regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del
nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin
inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la
compuerta.

Fig. 2

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no

hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2
no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin
embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido
como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de
la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en
estado de Esto significa que IL bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de
los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. >IH . La corriente de
mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado
de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de
enganche.

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Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene
polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar
a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor
estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como
corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.

Fig. 3

APLICACIN

Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o
conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas
y limitaciones.
Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en
controladores accionados por ngulos de fase, esto es una modulacin por ancho de
pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna.

CUESTIONARIO
1.- Qu es un semiconductor?
Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo
de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la
radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
2.- Cul es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y uno extrnseco?
Semiconductores intrnsecos: un semiconductor intrnseco es un semiconductor
puro, cuando se le aplica una tensin externa los electrones libres fluyen hacia el
terminal positivo de la batera y los huecos hacia el terminal negativo de la batera.
Semiconductor extrnseco: es aquel que se puede dopar parta tener un exceso de
electrones libres o un exceso de huecos. Aqu encontraremos dos tipos de unin en el
que
es
la
unin
tipo
p
y
la
unin
tipo
n.
Sucede que los semiconductores intrnsecos actan como un aislante en el caso del

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silicio cuando es un cristal puro, ahora cuando lo dopamos con impurezas se llega al
material extrnseco y en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo
un diodo.
3.- Qu es una corriente de huecos?
La corriente en un semiconductor, difiere de la que fluye en un material conductor ya
que en este lo que circulan son los electrones libres y en cambio, en un
semiconductor la corriente fluye gracias a los hoyos o huecos en las uniones
covalentes del germanio o del silicio segn sea de lo que est constituido el
elemento. En el semiconductor, como se desprendieron al aplicarse un potencial los
electrones de valencia que se liberaron de sus uniones covalentes pueden formar una
corriente pero como hay huecos, otros electrones de valencia se desplazan para
llenarlos y no necesitan un potencial muy elevado para que los electrones de valencia
se desplacen a una capa continua (Banda prohibida o banda de valencia) ya que el
hueco lo atrae y le proporciona la fuerza necesaria para dar el salto. El hueco que
queda al romperse una unin covalente acta sobre l como una carga positiva y se
considera as como movimiento de una carga positiva.
4.- A qu se llaman portadores minoritarios?
En electrnica y
especficamente
en teora de semiconductores,
se
denominan portadores
minoritarios a
las partculas cunticas encargadas
del
transporte de corriente elctrica que se encuentran en menor proporcin en un
material semiconductor dopado como tipo N o tipo P.
5.- Qu tipo de estructura electrnica y atmica tiene el Silicio?
Como podemos observar en el dibujo, el atomo
de silicio presenta un enlace covalente, esto
quiere decir que cada atomo esta unido a otros
cuatro atomos y compartiendo sus electrones
de valencia, necesita 8 eectronoes para su
estabilidad. El enlace covalente lo forman
todos los elementos del grupo IV de la tabla
periodica, al cual pertenece el silicio.
Al alicarle energia externa, ya sea de calor o de
luz, se rompen los enlaces quedando un
electron libre por cada enlace roto, pero a su vez, se tiene un hueco vacio, el que
ocupaba el electron. De esta formase obtiene la corriente electrica, por el
movimientode los electrones hacia los potenciales positivos y del movimiento de los
huecos hacia los potenciales negativos.
Esto sucede asi siempre que se utiliza al slilicio como un semiconductor extrinseco.

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Cuando queremos usar el silicio como semiconductor extrinseco, se colocan
impurezas en el enlace covalente, lo cual hace que sea mas facil ganar o perder un
alectron. Pero esto, lo veremos la pagina destinada a la union N-P.
6.- Qu es la banda prohibida en un semiconductor?
Por la teora de bandas de slidos, se sabe que los semiconductores tienen una banda
prohibida entre las bandas de valencia y conduccin. El tamao de la banda
prohibida tiene implicaciones en los tipos de aplicaciones que se pueden realizar.
Una baja banda prohibida, implica una mayor conduccin intrnseca, y una banda
prohibida alta implica una mayor energa de fotn posible, asociada con una
transicin a travs de la banda en los diodos emisores de luz.
7.- Qu ventajas tiene el Silicio sobre los dems semiconductores?
El silicio es un semiconductor; su resistividad a la corriente elctrica a temperatura
ambiente vara entre la de los metales y la de los aislantes. La conductividad del
silicio se puede controlar aadiendo pequeas cantidades de impurezas llamadas
dopantes. La capacidad de controlar las propiedades elctricas del silicio y su
abundancia en la naturaleza han posibilitado el desarrollo y aplicacin de los
transistores y circuitos integrados que se utilizan en la industria electrnica.
8.- Qu son las bandas de energa?
La teora de bandas est basada en la mecnica cuntica y procede de la teora
de los orbitales moleculares (TOM). En esta teora, se considera el enlace metlico
como un caso extremo del enlace covalente, en el que los electrones de valencia son
compartidos de forma conjunta y simultnea por todos los cationes. Desaparecen los
orbitales atmicos y se forman orbitales moleculares con energas muy parecidas, tan
prximas entre ellas que todos en conjunto ocupan lo que se franja de denomina una
banda de energa.
Aunque los electrones van llenando los orbitales moleculares en orden creciente
de energa, estas son tan prximas que pueden ocupar cualquier posicin dentro de la
banda.
La banda ocupada por los orbitales moleculares con los electrones de valencia
se llama banda de valencia, mientras que la banda formada por los orbitales moleculares
vacos se llama banda de conduccin. A veces, ambas bandas se solapan
energticamente hablando.
9.- Describa a un semiconductor N y a un semiconductor P

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores

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de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un
tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica
(ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un
tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos
de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.

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10.- Qu es la zona de agotamiento en una unin PN?
La zona de agotamiento tambin conocido como barrera interna de potencial, zona de
carga deplecin o vaciado, etc. Es una regin aislada libre de portadores energticos,
el cual se origina alrededor del punto de unin de los dos materiales semiconductores
dopados; cuya funcin es alejar a los portadores de carga energtica (electrones n)
del punto de unin PN cuando el diodo no se encuentra energizado con la tensin
suficiente o cuando se energiza con una tensin inverso.

11.- Qu es la barrera de potencial en una unin PN?

Cuando los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al
entrar los electrones libres en la zona de agotamiento; el campo elctrico trata de
devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn
que cruza hasta llegar al equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada Barrera de Potencial que a 25C es:

0.3 V para diodos de Ge.

0.7 V para diodos de Si.

12.- Por qu no hay conduccin de corriente cuando se polariza inversamente un

diodo?
En polarizacin inversa es ms difcil la conduccin, porque el electrn libre tiene
que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W.
Entonces no hay conduccin de electrones libres o huecos, no hay corriente.

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En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin trmica de pares
electrn-hueco. Los pocos electrones generados trmicamente pierden energa y
bajan de p a n, es la "Corriente Inversa de Saturacin" (IS) que es muy pequea.
Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n. Entonces sera
negativa en este caso.
Adems de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina
"Corriente de Fugas" (If).
13.- Cul es el mecanismo de conduccin de corriente en polarizacin directa de
un diodo?
En el punto de juntura o unin p-n de un semiconductor diodo de silicio se forma
una barrera de potencial en la que los huecos de la parte positiva, por un lado, y los
electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de equilibrio,
crendose alrededor de dicha unin una zona de deplexin (conocida tambin
como zona de carga espacial, zona de agotamiento o zona de vaciado), que
impide que la corriente elctrica fluya a travs del diodo as formado.
Cuando un diodo no se encuentra energizado, en el punto de unin o juntura pn los huecos y los electrones se encuentran en estado de equilibrio. Por
consiguiente, en ese punto los denominados niveles de fermi se emparejan o
igualan a ambos lados de la unin.
14.- Describa los principales parmetros elctricos de un diodo.

VD= ddp entre los terminales del diodo

ID= intensidad de corriente que lo atraviesa
VZ= tensin de ruptura
Vg= tensin umbral (parmetro propio de cada diodo a partir del cual empieza a
conducir valores de corriente positivos)
I0= corriente inversa de saturacin. (Muchas veces, en lugar de VD e ID se
escribe simplemente V e I).

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