Universidad Autnoma de Nuevo Len

Facultad de Ingeniera Mecnica y Elctrica

Programa educativo: Ingeniero en Mecatrnica
Unidad de Aprendizaje: Ingeniera Mdica
Nombre de alumno: Csar Aarn Rodrguez Nerio
Docente: Griselda Quiroz Compen
Nombre de actividad: Implementacin numrica de un
sistema mecatrnico de segundo orden.
Fecha de entrega: 25 de Febrero de 2016

Matrcula: 1566173
Grupo: Jueves N1-N3
No. de Actividad: 1
Calificacin:

1. Introduccin
Las neuronas envan mensajes mediante un proceso electroqumico. Esto significa que las
sustancias qumicas se convierten en seales elctricas. Las sustancias qumicas del cuerpo
estn elctricamente cargadas, y por ello son llamadas iones. Los iones ms importantes
para el sistema nervioso son sodio y potasio (ambos con 1 carga positiva, +), calcio (2 cargas
positivas, ++) y cloro (1 carga negativa, -). Tambin hay algunas molculas proteicas
cargadas negativamente. Es importante recordar que las neuronas estn rodeadas por una
membrana que permite el paso de algunos iones, a la vez que impide el paso de otros. Este
tipo de membrana es llamada semi-permeable.

Potencial de Membrana en Reposo

Mientras una neurona no est enviando una seal, se dice que est en reposo. Al estar en
reposo, su interior es negativo con relacin al exterior. Aunque las concentraciones de los
diferentes iones tratan de balancearse a ambos lados de la membrana, no lo logran debido a
que la membrana celular slo deja pasar algunos iones a travs de sus canales (canales
inicos). En el estado de reposo, los iones de cloro (Cl-) y de sodio (Na+) es ms difcil pasar.
Las molculas proteicas, cargadas negativamente (A-), en el interior de la neurona no pueden
atravesar la membrana. Adems de estos canales selectivos, existe una bomba que utiliza
energa para sacar 3 iones de sodio por cada 2 iones de potasio que bombea al interior de la
neurona. Finalmente, cuando estas fuerzas se balancean, y se mide la diferencia entre el
voltaje del interior y el del exterior de la clula, se obtiene el potencial de reposo. El potencial
de la membrana en reposo de una neurona es de aproximadamente -70 mV, es decir que el
interior de la neurona tiene 70 mV menos que el exterior. En el estado de reposo hay
relativamente ms iones de sodio en el exterior de la neurona, y ms iones de potasio en su
interior.

Potencial de Accin
Si el potencial en reposo indica lo que sucede con la neurona en reposo, el potencial de accin
seala lo que pasa cuando la neurona transmite informacin por el axn, lejos del soma
(cuerpo celular). Los neuro-cientficos emplean otras palabras, como espiga o impulso
para describir el potencial de accin. El potencial de accin es una explosin de actividad
elctrica creado por una corriente despolarizadora. Esto significa que un evento (estmulo)
hace que el potencial de reposo llegue a 0 mV. Cuando la despolarizacin alcanza cerca de 55mV la neurona lanza un potencial de accin. Este es el umbral. Si la neurona no alcanza
este umbral crtico, no se producir el potencial de accin. De igual forma, cuando se alcana
el umbral siempre se produce un potencial de accin estndar, para cualquier neurona dada
el potencial de accin es siempre el mismo. No existen potenciales grandes o pequeos en
una neurona, todos los potenciales son iguales. Por lo tanto, la neurona o no alcanza el umbral
o se produce un potencial de accin completo.
La causa del potencial de accin es el intercambio de iones a travs de la membrana celular.
Primero, un estmulo abre los canales de sodio. Dado que hay algunos iones de sodio en el
exterior, y el interior de la neurona es negativo con relacin al exterior, los iones de sodio
entran rpidamente a la neurona. Recuerda que el sodio tiene una carga positiva, as que la
neurona se vuelve ms positiva y empieza a despolarizarse. Los canales de potasio demoran
un poco ms en abrirse; una vez abiertos el potasio sale rpidamente de la clula, revirtiendo
la despolarizacin. Ms o menos en este momento, los canales de sodio empiezan a cerrarse,
logrando que el potencial de accin vuelva a -70 mV (repolarizacin). En realidad el
potencial de accin va ms all de -70 mV (hperpolarizacin), debido a que los canales de
potasio se quedan abiertos un poco ms. Gradualmente las concentraciones de iones regresan
a los niveles de reposo y la clula vuelve a -70 mV.
En el modelo de generacin de potencial de accin propuesto por Hodking y Huxley se
supone que la corriente transmembranal Ic(t) est dada por:

Donde INa(t) e IK(t) son las corrientes debidas a movimiento de sodio y potasio. Is(t) es la
corriente externa. El modelo est dado por el siguiente sistema de ecuaciones diferenciales.

Las variables n, m y h definen las conductancias gNa y gK:

Con las conductancias se calculan las corrientes:

2. Desarrollo
sta prctica se llev a cabo a travs de la herramienta MATLAB, se ejecutaron dos
programas que representan dos mtodos diferentes de resolver lo planteado. RungeKutta y Euler.
MATLABa tiene la funcin ode45 que automticamente realiza el mtodo Runge-Kutta
solo debemos ingresar las formulas y parmetros necesarios.
Por Euler se calcula cada una de las formulas y se guardan para posteriormente
graficarlo contra el tiempo.
Euler
El cdigo pide los valores de Io y tpw para realizar las operaciones.
function HH_L
Io=input('Ingrese el valor de la variable Io: ');
tpw=input('Ingrese el valor de la variable tpw: ');
%Etapa 1: inicializacin del algoritmo
%Definicion del tiempo de simulacin
dt=0.01; %Tiempo de cada paso (ms)
t=0:.01:10; %Tiempo del arreglo (ms)
%Definicin de parmetros de corriente de estimulo
%Estimulo (Condicin inicial)
%Ancho de pulso
%Definicin de parmetros
Er=-68; %(mV)
Ek=-74.7; %(mV) K reversal potential
Ena=54.2; %(mV) Na reversal potential
C=1;
Gk=12;
Gna=30;
Vm(1)=Er;
n(1)=0.3;
m(1)=0.065;

h(1)=0.6;
gNa(1)=0;
gK(1)=0;
alm(1)=0; bem(1)=0;
aln(1)=0; ben(1)=0;
alh(1)=0; beh(1)=0;
for i=1:length(t)-1
V(i)=Vm(i)-Er;
alm(i+1)=am(V(i)); bem(i+1)=bm(V(i));
aln(i+1)=an(V(i)); ben(i+1)=bn(V(i));
alh(i+1)=ah(V(i)); beh(i+1)=bh(V(i));
m(i+1)=m(i)+dt*((alm(i+1)*(1-m(i)))-(bem(i+1)*m(i)));
n(i+1)=n(i)+dt*((aln(i+1)*(1-n(i)))-(ben(i+1)*n(i)));
h(i+1)=h(i)+dt*((alh(i+1)*(1-h(i)))-(beh(i+1)*h(i)));
gNa(i+1)=Gna*m(i)^3*h(i);
gK(i+1)=Gk*n(i)^4;
INa=gNa(i+1)*(Vm(i)-Ena);
IK=gK(i+1)*(Vm(i)-Ek);
if t(i)<tpw
Is=Io;
else
Is=0;
end
Vm(i+1)=Vm(i)+(dt)*((1/C)*(Is-(INa+IK)));
end
plot(t,Vm);
legend(sprintf('Io=%i uA, tpw= %i ms',Io,tpw));
xlabel('Tiempo (ms)');
ylabel('Voltaje (mV)');
title('Potencial de membrana del modelo Hodgkin-Huxley');
grid on
end
function a=an(v)
a=0.01*(10-v)/(exp((10-v)/10)-1);
end

function b=bn(v)
b=0.125*exp(-v/80);
end
function a=am(v)
a=0.1*(25-v)/(exp((25-v)/10)-1);
end
function b=bm(v)
b=4.0*exp(-v/18);
end
function a=ah(v)
a=0.07*exp(-v/20);
end
function b=bh(v)
b=1/(exp((30-v)/10)+1);
end
Runge-Kutta
Se agrega la funcin para que INa funcione.
function hodhuxop
ts=[0;10];
x0=[-68; 0.3; 0.065; 0.6];
[t,x]=ode45(@f,ts,x0);
plot(t,x(:,1),'k');
legend('To=75uA, tpw=0.2ms');
xlabel('Tiempo (ms)');
ylabel('Voltaje (mV)');
title('Potencial de membrana del modelo Hodgkin-Huxley');
grid on
end
function dxdt=f(t,x)
C=1; Er=-68; v=x(1)-Er;
dxdt=[
1/C*(u(t)-Ik(t,x(1),x(2))-INa(t,x(1),x(3),x(4)))
(1-x(2))*alfan(v)-x(2)*betan(v)
(1-x(3))*alfam(v)-x(3)*betam(v)
(1-x(4))*alfah(v)-x(4)*betah(v)
];
end
%Funciones Auxiliares
function a=alfan(z)
a=0.01*(10-z)/(exp((10-z)/10)-1);
end

function b=betan(z)
b=0.125*exp(-z/80);
end
function a=alfam(z)
a=0.1*(25-z)/(exp((25-z)/10)-1);
end
function b=betam(z)
b=4.0*exp(-z/18);
end
function a=alfah(z)
a=0.07*exp(-z/20);
end
function b=betah(z)
b=1/(exp((30-z)/10)+1);
end
function a=u(t)
for i=1:length(t)
if t(i)<0.2
a(1)=75;
else
a(i)=0;
end
end
end
function b=Ik(t,z,w)
Ek=-74.7; Gk=12;
gk=Gk*w^4;
b=gk*(z-Ek);
end
function b=INa(t,z,w,p)
ENa=-74.7; GNa=12;
gNa=GNa*w^3*p;
b=gNa*(z-ENa);
end

3. Resultados
Resultados de las grficas
Potencial en Reposo. Io= 5uA, tpw=.2ms

Potencial de reposo. Io=25uA, tpw = .2ms

Potencial de Accin. Io=75uA, tpw=.2ms

Potencial de Reposo. Io=5uA, tpw=.8ms

4. Conclusiones
La tarea se cumpli satisfactoriamente al comprobar las grficas que su sistema si
correspondan al sistema de segundo orden.
Pudimos observar la gran relacin entre la generacin de diferencias de potencial a
nivel de la membrana celular y el proceso de transmisin de impulsos nerviosos. El
potencial de reposo se corresponde con un estado donde la neurona est sin estimular,
cuando es estimulada lo suficiente se produce el potencial de accin aumentando la
permeabilidad.

5. Referencias
Lista de libros, o documentos de dnde sac la informacin para realizar esta actividad.
[1] Hernndez R. Introduccin a los sistemas de control: Conceptos, aplicacin y
simuacin con MATLAB, Pearson, 2010, pg. 204.
[2] Ogata K. Ingeniera de control moderno, Pearson, 3ra. Ed. Pg. 87.
[3] Devasahayan S. Signals and Systems in Biomedical Engineering, Springer
Sciencie+Business Media, N.Y, USA, 2013.