CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE

MINAS GERAIS
CAMPUS III - LEOPOLDINA
ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAO

MARIA EDUARDA BASTOS

NAT FRANCO SOARES DE BEM

TRANSISTORES

Leopoldina
2015

MARIA EDUARDA BASTOS

NAT FRANCO SOARES DE BEM

TRANSISTORES

Trabalho apresentado ao Curso Engenharia de Controle e

Automao do CEFET/MG Centro Federal de
Educao Tecnolgica de Minas Gerais, para a disciplina
Laboratrio de Eletrnica.
Prof. Ricardo Rosemback

Leopoldina
2015
2

SUMRIO
1.

INTRODUO .................................................................................................................... 5

2.

OBJETIVO ........................................................................................................................... 5

3.

FUNDAMENTAO TERICA ............................................................................................. 6

4.

MATERIAIS UTILIZADOS................................................................................................... 13

5.

METODOLOGIA................................................................................................................ 14

6.

RESULTADOS EXPERIMENTAIS ........................................................................................ 20

7.

ANLISE DOS RESULTADOS ............................................................................................. 26

8.

CONCLUSO .................................................................................................................... 27

9.

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ....................................................................................... 27

TABELA DE FIGURAS
Figure 1 - Placa de circuito impresso ..............................................Error! Bookmark not defined.
Figure 2 - Ferro de solda.................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 3 - Estao de retrabalho .....................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 4 - Processo de dessoldagem ...............................................Error! Bookmark not defined.
Figure 5 - Soldagem .........................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 6 - Retificador meia onda simulado ( esquerda) e real ( direita) .... Error! Bookmark not
defined.
Figure 7 - Resultados do retificador de onda completa simulado ( esquerda) e real ( direita)
.........................................................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 8 - Retificador com derivao central simulado ( esquerda) e real ( direita) ..........Error!
Bookmark not defined.
Figure 9 - Retificador meia onda com capacitor de 33 F simulado ( esquerda) e real ( direita)
.........................................................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 10 - Retificador meia onda com capacitor de 100 F simulado ( esquerda) e real (
direita) .............................................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 11 - Resultados do retificador de onda completa com capacitor de 33 F simulado (
esquerda) e real ( direita) ...............................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 12 - Resultados do retificador de onda completa com capacitor de 100 F simulado (
esquerda) e real ( direita) ...............................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 13- Retificador com derivao central com capacitor de 33 F simulado ( esquerda) e
real ( direita) ..................................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 14- Retificador com derivao central com capacitor de 100 F simulado ( esquerda) e
real ( direita) ..................................................................................Error! Bookmark not defined.
Figure 15- Resultados do retificador de onda completa com capacitor de 100 F e diodo Zener
simulado ( esquerda) e real ( direita) ...........................................Error! Bookmark not defined.
Figure 16 - Circuito ceifador (primeira configurao) .....................Error! Bookmark not defined.
Figure 17 - Circuito ceifador (segunda configurao) .....................Error! Bookmark not defined.

INTRODUO
Atualmente, o transistor um componente eletrnico amplamente utilizado em
circuitos de potncia. Inventado no fim de 1947 pelos laboratrios da Beel Telephone,
seus desenvolvedores buscavam um dispositivo equivalente s vlvulas eletrnicas at
ento existentes. Na poca em que fora lanado haviam fatores que impediam sua
propagao, o alto preo do germnio somado ao complexo procedimento de fabricao.
Ao longo do tempo surgiu interesse de algumas empresas mais conhecidas como Texas e
Phillips em desenvolver a produo dos transistores, as quais investiram inicialmente no
formato ponto de contato aos poucos abandonados, dando lugar ao transistor bipolar de
juno (TBJ) e o transistor de efeito de campo (FET).
Nesta prtica, estudaremos sobre os transistores bipolares de juno que consiste
em duas junes pn construdas de modo especial e conectadas em srie e em oposio.
O BJT constitudo basicamente de trs camadas de materiais semicondutores, formando
as junes NPN ou PNP. A corrente conduzida, quer por eltrons, quer por lacunas, e
da a designao bipolar.
O BJT, frequentemente referido simplesmente como o transstor, largamente
utilizado tanto em circuitos discretos como integrados, analgicos ou digitais.
Compreendendo bem as caractersticas do dispositivo, podem ser projetados circuitos
com transstores cujo desempenho notavelmente previsvel e bastante insensvel s
variaes dos parmetros dos transstores.
Estudaremos tambm o amplificador transistorizado, que com o passar do tempo
substituram as vlvulas devido s vantagens de menos consumo de energia, maior
durabilidade, menos preo e menor custo.

OBJETIVO
Conhecer os transistores bipolares de juno, bem como seu funcionamento e suas
principais aplicaes.

FUNDAMENTAO TERICA

3.1. Transistores Bipolares de Juno

Os dispositivos semicondutores de trs terminais so mais utilizados que os de

dois terminais, os diodos, porque podem ser usados em vrias aplicaes, desde a
amplificao de sinais at o projeto de circuitos digitais de memria.
O princpio bsico de operao o uso de uma tenso entre os dois terminais
para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. A tenso de controle tambm
pode ser usada para fazer com que a corrente no terceiro terminal varie de zero at um
valor significativo, comportando-se como uma chave.
H 2 tipos principais de dispositivos de 3 terminais: o transistor bipolar de juno
(TBJ) e o transistor de efeito de campo (FET). O transistor bipolar, geralmente chamado
apenas transistor consiste em duas junes pn construdas de modo especial e conectadas
em srie e em oposio.
O transistor de bipolar de juno (TBJ) constitui-se de 3 regies semicondutoras:
o emissor (E), a base (B) e o coletor (C), cada um ligado a um terminal metlico para
acesso externo. No transistor npn a base do tipo p e as outras regies so do tipo n. No
transistor pnp, a base do tipo n e as outras regies so do tipo p.

Figura 01- Transistores NPN e PNP

O transistor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base (JEB) e a juno

coletor-base (JCB). Dependendo da condio de polarizao de cada juno, so obtidos
diferentes modos de operao para o transistor.
JEB

JCB

MODO

Direta

Reversa

Ativo

Direta

Direta

Saturao

Reversa

Reversa

Corte

Tabela 01 Condies de polarizao das junes do transistor

O modo ativo aquele em que o transistor usado para funcionar como

amplificador. Em aplicaes de comutao utilizam-se os modos de corte e saturao.

Transistor npn

A figura abaixo ilustra o funcionamento do transstor npn no modo ativo.

Figura 02- Transistor npn modo ativo

As correntes de deriva devidas aos portadores minoritrios gerados

termicamente so pequenas e desprezadas na anlise. A polarizao direta da juno
emissor-base far com que uma corrente circule pela juno composta de 2
componentes: eltrons injetados no emissor e lacunas injetadas na base. A
componente de eltrons muito maior que a de lacunas, isto obtido usando-se um
emissor fortemente dopado e uma base levemente dopada e bem estreita. O fato da
7

base ser muito estreita faz com que os eltrons injetados na base se difundam (corrente
de difuso) em direo ao coletor.

No caminho, alguns eltrons que esto se

difundindo atravs da regio da base se recombinam com as lacunas (portadores

majoritrios na base), mas como ela muito estreita e fracamente dopada, a
porcentagem de eltrons perdidos por recombinao muito pequena.

Basicamente, a tenso de polarizao direta VEB causa uma corrente de coletor

iC exponencialmente dependente. Esta corrente independente do valor da tenso de
coletor desde que a juno coletor-base esteja contrapolarizada, i.e., VCB 0. Assim,
em modo ativo, o terminal do coletor comporta-se como uma fonte de corrente
controlada ideal em que o valor da corrente determinado por VBE. A corrente de
base iB um fator 1/ da corrente de coletor e a corrente de emissor igual soma
das correntes de coletor e de base. Uma vez que iB muito menor do que iC (i.e., >>
1), iE iC. Mais precisamente, a corrente de coletor uma fraco da corrente de
emissor, com menor, mas aproximadamente igual unidade.
Transistor pnp

A figura abaixo ilustra o funcionamento do transstor pnp no modo ativo.

Figura 03- Transistor pnp modo ativo

Ao contrrio do transstor npn, a corrente no transstor pnp principalmente

devida a lacunas injetadas pelo emissor na base em resultado da tenso de polarizao
direta VEB. Uma vez que a componente da corrente do emissor correspondente aos
eltrons injetados pela base no emissor muito pequena, em virtude de a base ser muito

pouco dopada, a corrente de emissor essencialmente uma corrente de lacunas. Os

eltrons injetados pela base no emissor constituem a componente dominante, iB1, da
corrente de base. Algumas das lacunas injetadas na base recombinam-se com os
portadores maioritrios da base (eltrons), perdendo-se assim. Estes eltrons tm de ser
substitudos pelo circuito exterior, originando a segunda componente da corrente de base,
iB2. As lacunas que conseguem atingir a fronteira da regio de depleo da juno coletorbase so aceleradas pelo campo eltrico a existente e penetram no coletor, constituindo
a corrente de coletor. Conclui-se facilmente desta descrio que as relaes correntetenso do transstor pnp so idnticas s do transstor npn, invertendo-se os terminais de
VEB.
Operando nas regies de corte e saturao um transistor assume o comportamento
de uma chave, ou seja, interruptor aberto ou fechado. Em eletrnica digital essas duas
situaes do dispositivo a que se assemelha equivalem respectivamente a valores lgicos
do tipo 0 e 1 (falso ou verdadeiro).
Na zona de corte o transistor equivale a um interruptor aberto quando no coletor
a corrente ser nula. Logo a tenso entre coletor e emissor, equivale a tenso contnua
aplicada sobre ele (VCE = VCC). Nesse caso IB 0.
Na zona de saturao o transistor corresponde a um interruptor fechado. Dessa
forma a tenso entre coletor e emissor ser praticamente nula (da ordem de 0,2 V para
transistores de silcio) e a corrente no coletor atinge seu valor mximo limitada apenas
pela resistncia associada ao mesmo. IC = VCC / RC. Temos ainda que a corrente no coletor
deve ser infinitamente menor que a da base e a tenso entre base e emissor VBE ser de
0,7 V para transistores de silcio.

Figura 04- Comportamento do TBJ nas zonas de corte e saturao

Existe um valor limite de tenso especificado, acima do qual o transistor sofre

algum dano ou avaria. Tal valor mximo nunca poder ser portanto ultrapassado quando
da operao nessa zona.

Figura 05- Regies de funcionamento de um transistor

10

3.2. TBJ como chave

As principais aplicaes de transistores seriam como amplificadores de corrente
ou tenso e como controle ON-OFF (chaves do tipo liga-desliga). A nica maneira na
qual o transistor capaz de funcionar seria quando encontra-se polarizado.
Como todo componente eletrnico a tenso aplicada a eles no pode sofrer
variaes bruscas, dessa forma temos que definir a regio em que iro operar sob corrente
contnua, isso est relacionado diretamente aplicao em que se deseja introduzi-los.

Figura 06- TBJ operando na regio de corte

Figura 07- TBJ operando na regio de saturao

11

Observamos que na regio de corte VBB = 0, o que implica VCE = VCC.

No estado de saturao, com a polarizao direta da juno JEB e corrente na base
grande o suficiente para promover uma corrente mxima no transistor, essa corrente ser
definida pela expresso:
() =

Na base a corrente mnima que garante a operao do componente nesse estado

dever ser expressa por:
() =

()

3.3. Amplificadores transistorizados

O amplificador mais comum atualmente o eletrnico, geralmente usado em
transmissores e receptores de rdio e televiso, equipamentos estreo de alta fidelidade,
microcomputadores e outros equipamentos eletrnicos digitais. Seus principais
componentes so dispositivos ativos, como transistores e vlvulas.
Com a inveno dos transistores, as vlvulas foram substitudas aos poucos por
amplificadores transistorizados, devido s vantagens de menor consumo de energia,
menor custo, menor tamanho e maior durabilidade.
Os amplificadores transistorizados no necessitam de transformadores de sada
para casar as impedncias dos alto-falantes. Hoje estes amplificadores podem ser
construdos com transistores bipolares, MOSFETs ou circuitos integrados.

12

Figura 08- Amplificador transistorizado

O circuito de entrada de um amplificador transistorizado deve ser alimentado com

a corrente de sada de um pr-amplificador. Neste caso, cada transistor considerado
como um amplificador de corrente ou potncia, operando a um nvel de corrente ou de
potncia, mais elevado que o nvel do estgio anterior e menos elevado do que o do
estgio seguinte.

MATERIAIS UTILIZADOS

Os principais materiais utilizados para a execuo deste experimento foram:

Fonte CC ajustvel;

Osciloscpio;

Matriz de contatos;

Multmetro Digital;

1 transistor BC548C;

1 transistor TIP31A,

Fios;

1 resistor de 2,2k;

1 resistor de 220k;
13

1 resistor de 3,3k;

1 resistor de 1,5k;

1 resistor de 470k;

1 resistor de 10k;

1 resistor de 33k;

1 resistor de 46,2;

1 resistor de 6,2k;

1 motor;

1 optoacoplador;

METODOLOGIA
I) Primeiramente, mediu-se o hFE dos transistores BC548C, BC548B e
BD137com o uso do multmetro. Os resultados obtidos encontram-se na
tabela 02.
Em seguida, montou-se o circuito de polarizao fixa, onde, VCC=12V, RB=220k,
RC=2,2k e o transistor era do tipo BC548C. Com o uso do multmetro, encontrouse as tenses entre base e coletor, entre emissor e base e entre emissor e coletor.
Os resultados obtidos encontram-se na tabela 03.

Posteriormente, substituiu-se o transistor BC548C por um TIP31A no circuito da

figura 09 e mediu-se, com o uso de um multmetro, as tenses entre base e coletor,
entre emissor e base e entre emissor e coletor. Os resultados obtidos encontram-se
na tabela 04.

Depois, montou-se o circuito de polarizao estvel do emissor, onde VCC=12V,

RB=470k, RC=3,3k, RE=1,5k e o transistor era do tipo BC548C. Com o uso
do multmetro, encontrou-se as tenses entre base e coletor, entre emissor e base e
entre emissor e coletor. Os resultados obtidos encontram-se na tabela 05.

Posteriormente, substituiu-se o transistor BC548C por um TIP31A no circuito da

figura 10 e mediu-se, com o uso de um multmetro, as tenses entre base e coletor,

14

entre emissor e base e entre emissor e coletor. Os resultados obtidos encontram-se

na tabela 06.
Em seguida, montou-se o circuito de polarizao por divisor de tenso, onde
VCC=12V, R1=33k, R2=3,3k, RC=10k, RE=1,5k e o transistor era do tipo
BC548C. Com o uso do multmetro, encontrou-se as tenses entre base e coletor,
entre emissor e base e entre emissor e coletor. Os resultados obtidos encontram-se
na tabela 07.
Aps as medies, simulou-se os mesmos circuitos no software multisim afim de obter
melhor anlise dos resultados.

II) Consultou-se o datasheet para encontrar a resistncia da bobina do rel na

entrada que era de 394. Usando essa informao, calculou-se que
RB=6,8K e RE=46,2. Montou-se o circuito da figura 12, utilizando o
transistor como uma chave que ligava e desligava um motor conectado em
5V atravs de um rel.

Figura 12- Circuito para acionamento de um motor atravs de um rel

15

Em seguida, adicionou-se ao circuito da figura 12 um optoacoplador em sua alimentao

e fez-se as alteraes necessrias para que houvesse a isolao ptica no circuito, como
mostra a figura 13, onde R1=270.

Figura 13- Circuito para acionamento de um motor com isolao eltrica

Posteriormente, simulou-se os mesmos circuitos no software multisim afim de obter

melhor anlise dos resultados.
III) Simulou-se o circuito da figura 14 no software multisim.

16

Figura 14- Amplificador transistorizado

Inseriu-se um resistor de 10k em srie com a fonte V2 na simulao, para

se determinar o valor da impedncia de entrada atravs da queda de tenso
nessa resistncia, como mostra a figura 15.

Figura 14- Amplificador transistorizado com acrscimo do resistor R4

17

Em seguida, simulou-se o circuito aplicando sinais de diferentes

frequncias e amplitudes, como mostram as figuras abaixo, para evidenciar
a resposta dinmica na frequncia e os efeitos de saturao.

Figura 15- Amplificador transistorizado primeiro sinal de entrada

18

Figura 16- Amplificador transistorizado segundo sinal de entrada

Figura 17- Amplificador transistorizado terceiro sinal de entrada

19

Por ltimo, acrescentou-se na simulao um resistor no emissor, fora do

capacitor C2 afim de se observar os efeitos da distoro do sinal, no ganho
do amplificador e na impedncia de entrada.

Figura 18- Amplificador transistorizado com acrscimo do resistor R5

RESULTADOS EXPERIMENTAIS

A Table 1 mostra as principais informaes que podem ser retiradas do datasheet

(folha de dados, em portugus) do componente 1N4148, que um diodo comum.
Table 1 - Principais informaes sobre o diodo 1N4148

1N4148
Corrente (regime permanente)

200 mA

Tenso reversa

75 V

Tempo de recuperao reversa

4 ns
20

Potncia mxima dissipada

500 mW

Quanto ao componente 1N4747, que um diodo do tipo Zener, suas principais

informaes esto condensadas na Table 2.
Table 2 - Principais dados referentes ao diodo 1N4747

1N4747
Corrente reguladora mxima

45 mA

Tenso Zener nominal

20 V

Potncia mxima dissipada

1W

J na Table 3, esto reunidos os dados mais importantes referentes ao diodo 1N4936.

Table 3 - Principais informaes referentes ao diodo 1N4936

1N4936
Corrente (regime permanente)

1A

Tenso reversa

400 V

Tempo de recuperao reversa

200 ns

Potncia mxima dissipada

500 mW

1.1 VALORES REAIS

Na .

21

Figura 1 - Circuito para acionamento do motor

Figura 2 - Circuito com optoacoplador

1.2 VALORES SIMULADOS

A primeira configurao de transistor mostrada na Figura 3, contando com dois

resistores, um na base e o outro no coletor do transistor.

22

Figura 3 -Transistor configurao 1

Os valores de tenso medidos no transistor so mostrados na Figura 4. A primeira

medida da tenso entre base e coletor, a segunda entre emissor e base e a terceira, entre
emissor e coletor.

Figura 4 - Valores simulados de tenso Vbc, Veb e Vec, respectivamente.

A segunda configurao de transistor implementada mostrada na Figura 5.

Diferentemente da primeira cofigurao, esta possui um terceiro resistor conectado no
emissor do transistor.

23

Figura 5 - Configurao 2 de transistor

As medies realizadas nesta configurao so mostradas nos multmetros virtuais da

Figura 6. A primeira caixa traz o valor da queda de tesno entre a base e o coletor,
enquanto a segunda mostra a queda de tenso entre emissor e base e a terceira, entre
emissor e coletor.

Figura 6 - Tenses do transistor Vbc, Veb e Vec, respectivamente.

A ltima configurao implementada foi a divisor de tenso, com representao

grfica mostrada na Figura 7

24

Figura 7 - Configurao 3 do transistor

As tenses medidas no circuito simulado de divisor de tenso so apresentadas na

Figura 8. So apresentadas, assim, as tenses entre base e coletor, emissor e base e
emissor e coletor, respectivamente.

Figura 8 - Tenses medidas no circuito simulado Vbc, Veb e Vec, respectivamente.

J na Figura 9 tem-se o esquemtico simulado do circuito transistorizado para o

acionamento de um motor atravs de um rel para isolao.

25

Figura 9 - Circuito simulado para acionamento, atravs de rel, de um motor.

Na Figura 10, difere-se da Figura 9 a isolao ptica proporcionada pelo

optoacoplador na alimentao do circuito.

Figura 10 - Acionamento de um motor com isolao eltrica

ANLISE DOS RESULTADOS

As respostas real e simulada se mostraram muito prximas entre si, em todas as

trs configuraes. A configurao de divisor de tenso apresenta algumas vantagens
em relao s outras duas configuraes, como apresentar ganho mais estvel. Cada
26

configurao, no entanto, apresenta um nicho de aplicao diferente, algumas

configuraes, mesmo menos estveis, so mais simples, todavia.
Quanto prtica de acionamento de um rel

CONCLUSO

Em um mundo envolto em componentes eletrnicos, quase inevitvel se deparar

com o processo de soldagem ou dessoldagem. Dominar tais tcnicas de extrema
importncia quando se tratando de trabalhos na rea eletro-eltrnica. Apesar de existirem,
atualmente, aparelhos que realizam tais processos automaticamente, muitas vezes estes
se mostram caros e injustificveis para realizar a retirada ou soldagem de apensas alguns
componentes.

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

Livros
1. DAVID E., Johnson, HILBURN L., John, JOHNSON R., Johnny. Fundamentos
de anlise de circuitos eltricos. Editora PRENTICE-HALL DO BRASIL LTD,
4 edio. Rio de Janeiro, 1994.
Peridicos

Pginas da Internet
2. Transistores.
Acessado em:

http://www.portaleletricista.com.br/transistor-funcionamento-e-

aplicacoes
3. Transistores de juno bipolar.
Acessado em: https://web.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/E1_Cap4.pdf
27

4. Aplicao.
Acessado
em:
aplicacoes/

http://www.portaleletricista.com.br/transistor-funcionamento-e-

5. http://www.sr.ifes.edu.br/~secchin/Eletronicabasica/retificadores_monofasicos.p
df
6. http://escolaindustrial.com.br/escolaindustrial.com.br/Apostilas/M-1104a-1100Aluno-Por.pdf

Figura 1: http://www.radioamadores.net/imagens/tr_4.gif
Figura 2: http://s3.amazonaws.com/magoo/ABAAAAV-oAB-1.jpg
Figura 3: http://s3.amazonaws.com/magoo/ABAAAfUpwAH-2.jpg
Figura 4: http://www.portaleletricista.com.br/wp-content/uploads/2014/04/transistor-desilicio.jpg
Figura

5:

http://www.portaleletricista.com.br/wp-

content/uploads/2014/04/como-funciona-o-transistor.jpg
Figura 6: http://www.portaleletricista.com.br/wp-content/uploads/2014/04/Regiaode-Corte.jpg
Figura 7: http://www.portaleletricista.com.br/wp-content/uploads/2014/04/Regiaode-Saturacao.jpg
Figura 8: http://laercio.vialink.com.br/wp-content/uploads/2014/08/A03_0125.jpg

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