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DE UNIN BIPOLAR
C
B
E
R
FIG. 3.21
Configuracin en colector comn
utilizada para igualar impedancias.
Una configuracin de circuito en colector comn aparece en la figura 3.21 con el resistor de
carga conectado desde el emisor a tierra. Observe que el colector est unido a tierra aun cuando
el transistor est conectado del mismo modo que en la configuracin en emisor comn. Desde
un punto de vista de diseo, no se requiere un conjunto de caractersticas en colector comn para seleccionar los parmetros del circuito de la figura 3.21. Se puede disear utilizando las caractersticas en emisor comn de la seccin 3.6. En la prctica, las caractersticas de salida de la
configuracin en colector comn son las mismas de la configuracin en emisor comn. Para
la configuracin en colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE contra VCE
con un rango de valores de IB. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con
las caractersticas en emisor comn como en colector comn. Por ltimo, ocurre un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas en emisor comn si IC se reemplaza con IE para las caractersticas en colector comn (puesto que a 1). Para el circuito de
entrada de la configuracin en colector comn bastan las caractersticas bsicas en emisor
comn para obtener la informacin requerida.
3.8
LMITES DE OPERACIN
Para cada transistor hay una regin de operacin en las caractersticas que garantizar que no
se excedan las capacidades nominales mximas y que la seal de salida exhiba distorsin mnima. Dicha regin se defini para las caractersticas del transistor de la figura 3.22. Todos los
lmites de operacin se definen en una hoja de especificaciones del transistor descrita en la
seccin 3.9.
Algunos de los lmites de operacin se explican por s solos, como la corriente mxima del
colector (normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en el colector) y el voltaje mximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como 50 mA y
VCEO como 20 V. La lnea vertical en las caractersticas definida como VCEsat especifica el VCE
mnimo que se puede aplicar sin caer en la regin no lineal llamada regin de saturacin. El nivel de VCEsat est por lo comn cerca de 0.3 V, especificado para este transistor.
El nivel mximo de disipacin lo define la siguiente ecuacin:
(3.16)
PCmx = VCE IC
mx
Regin
de
saturacin
mx
Regin
de corte
mx
FIG. 3.22
Definicin de la regin de operacin lineal (sin distorsin) para un transistor.
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia del colector se especific como 300 mW. El problema es cmo graficar la curva de disipacin de potencia del colector especificada por el hecho de que
En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300
mW. Si decidimos que IC sea el valor mximo de 50 mA y sustituimos en la relacin anterior
obtenemos
VCE IC = 300 mW
300 mW
= 6V
50 mA
300 mW
= 15 mA
20 V
VCE =
300 mW
= 12 V
25 mA
ICEO F IC F ICmx
VCEsat F VCE F VCEmx
VCE IC F PCmx
(3.17)
Para las caractersticas de base comn el siguiente producto de cantidades de salida define la
curva de potencia mxima:
(3.18)
PCmx = VCB IC
3.9
HOJAS DE 147
ESPECIFICACIONES
DEL TRANSITOR
148 TRANSISTORES
DE UNIN BIPOLAR
Los restantes se introducirn en los captulos siguientes. Se har referencia entonces a esta hoja de especificaciones para repasar la forma en que se presenta el parmetro.
La informacin proporcionada como figura 3.23 se tom directamente de la publicacin
Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un
transistor de propsito general con el encapsulado e identificacin de las terminales que aparecen en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales mximos, caractersticas trmicas y caractersticas
elctricas. Las caractersticas elctricas se dividen a su vez en caractersticas de encendido,
2N4123
Unidad
Valor nominal
VCEO
30
Vcd
VCBO
40
Vcd
VEBO
5.0
Vcd
IC
200
mAcd
PD
625
mW
Tj,Tstg
5.0
55 a +150
mWC
C
Se reduce a ms de 25C
Intervalo de temperatura en la unin de
2N4123
CPSULA 29-04 ESTILO 1
TO-92 (TO-226AA)
3 Colector
2
Base
operacin y almacenamiento
1
23
1 Emisor
CARACTERSTICAS TRMICAS
Caracterstica
Smbolo
Mx.
Unidad
RuJC
83.3
C W
TRANSISTOR
DE PROPSITO GENERAL
RuJA
200
C W
NPN DE SILICIO
Smbolo
Mn.
V(BR)CEO
30
Vcd
V(BR)CBO
40
Vcd
V(BR)EBO
5.0
Vcd
ICBO
50
nAcd
IEBO
50
nAcd
hFE
50
25
150
VCE(sat)
0.3
Vcd
VBE(sat)
0.95
Vcd
fT
250
Capacitancia de salida
(VCB = 5.0 Vcd, IE = 0, f = 100 MHz)
Cobo
4.0
pF
Capacitancia de entrada
(VBE = 0.5 Vcd, IC = 0, f = 100 kHz)
Cibo
8.0
pF
Ccb
4.0
pF
hfe
50
200
hfe
2.5
50
200
NF
6.0
dB
CARACTERSTICAS APAGADO
Voltaje de ruptura de colector a emisor (1)
(IC = 1.0 mAcd, IE = 0)
CARACTERSTICAS ENCENDIDO
Ganancia de corriente de CD(1)
(IC = 2.0 mAcd, VCE = 1.0 Vcd)
(IC = 50 mAcd, VCE = 1.0 Vcd)
(a)
FIG. 3.23
Hoja de especificaciones del transistor.
Mx.
Unidad
MHz
Figura 1 - Capacitancia
10
200
ts
100
5.0
C ibo
3.0
Cobo
2.0
1.0
0.1
70
50
Tiempo (ns)
Capacitancia (pF)
7.0
td
tr
30
20
tf
VCC = 3 V
10.0
IC / IB = 10
7.0 VEB (apagado) = 0.5 V
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
Voltaje de polarizacin en inversa (V)
5.0
1.0
20 30 40
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
(b)
(c)
12
f = 1 kHz
Resistencia de fuente = 200
IC = 1 mA
MF, Figura de ruido (dB)
12
Resistencia de fuente = 1 k
IC = 50 A
6
4
0
0.1
0.2
0.4
IC = 1 mA
10
8
IC = 0.5 mA
IC = 50 A
6
4
IC = 100 A
20
40
0
0.1
100
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
(d)
(e)
PARMETROS h
VCE = 10 V, f = 1 kHz, TA = 25C
Figura 5 - Ganancia de corriente
300
100
10
200
100
70
50
30
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I C , Corriente del colector (mA)
10
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
(f)
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I C , Corriente del colector (mA)
10
(g)
FIG. 3.23
Continuacin
149
10
7.0
h re Relacin de alimentacin
de voltaje ( 104 )
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I C , Corriente del colector (mA)
(h)
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I C , corriente del colector (mA)
10
(i)
CARACTERSTICAS ESTTICAS
Figura 9 Ganancia de corriente CD
2.0
VCE = 1 V
TJ = +125 C
+25 C
1.0
0.7
55 C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2 0.3
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I C, Corriente del colector (mA)
20
30
50
70 100
200
(j)
FIG. 3.23
Continuacin
apagado y de seal pequea. Las caractersticas encendido y apagado se refieren a lmites de cd, en tanto que las de seal pequea incluyen los parmetros de importancia para la
operacin de ca.
Observe que en la lista de valores nominales mximos VCEmx = VCEO = 30 V con ICmx = 200
mA. La disipacin mxima del colector PCmx = PD = 625 mW. El factor de reduccin de capacidad bajo la capacidad nominal mxima especifica que la capacidad nominal mxima debe reducirse 5 mW por cada 1 de aumento de la temperatura arriba de 25. En las caractersticas
apagado ICBO se especifica como 50 nA y en las caractersticas encendido VCEsat = 0.3
V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 a 150 en IC 2 mA y VCE 1 V y un
valor mnimo de 25 a con una corriente alta de 50 mA al mismo voltaje.
Los lmites de operacin ya se definieron para el dispositivo y se repiten a continuacin en
el formato de la ecuacin (3.17) con hFE 150 (el lmite superior) e ICEO bICBO = (150)
(50 nA) = 7.5 mA. Por cierto, en muchas aplicaciones el valor de 75 mA 0.0075 mA se puede considerar que aproximadamente de 0 mA.
Lmites de operacin
7.5 mA F IC F 200 mA
0.3 V F VCE F 30 V
VCE IC F 650 mW
150
En las caractersticas de seal pequea el nivel de hfe (bca) aparece junto con una grfica de
cmo vara con la corriente del colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se muestra el efecto de la temperatura y de la corriente del colector en el nivel hFE (bca). A temperatura ambiente
(25C) observe que hFE(bcd) es un valor mximo de 1 cercano al valor de 8 mA. A medida que
IC se incrementa ms all de este nivel, hFE se reduce a la mitad del valor con IC igual a 50 mA.
Tambin baja a este nivel si IC se reduce al bajo nivel de 0.15 mA. Como sta es una curva
normalizada, si tenemos un transistor con bcd hFE 50 a temperatura ambiente, el valor
mximo a 8 mA es 50. En IC 50 mA se ha reducido a 502 25. En otras palabras, la normalizacin revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se dividi entre el valor mximo de
hFE a esa temperatura e IC 8 mA. Observe tambin que la escala horizontal de la figura 3.23j
es una escala logartmica (en el captulo 9 analizaremos a fondo las escalas logartmicas).
Quiz desee regresar a las grficas de esta seccin cuando revise las secciones iniciales del
captulo 9.
Antes de concluir esta descripcin de las caractersticas, observe que no se dan las caractersticas reales del colector. En realidad, la mayora de las hojas de especificaciones de los fabricantes no contienen las caractersticas completas. Se espera que los datos proporcionados
basten para utilizar el dispositivo de forma efectiva en el proceso de diseo.
Como se seal en la introduccin a est seccin, todos los parmetros de la hoja de especificaciones no se definieron en las secciones o captulos anteriores. Sin embargo, en los captulos siguientes se har continuamente referencia a dicha hoja de la figura 3.23 conforme se
vayan introduciendo los parmetros. La hoja de especificaciones puede ser una herramienta muy
valiosa en el diseo o modo de anlisis y vale la pena reconocer la importancia de cada parmetro y de cmo puede variar con los niveles variables de corriente, temperatura, etctera.
3.10
PRUEBA DE UN TRANSISTOR
Del mismo modo que con los diodos, hay tres rutas que podemos seguir para verificar un transistor: podemos usar un trazador de curvas, un medidor digital, o bien un ohmmetro
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.50 despliega la respuesta en la figura 3.24 una vez que se
han ajustado correctamente todos los controles. Las pantallas pequeas a la derecha muestran la
escala que se va a aplicar a las caractersticas. La sensibilidad vertical es de 2 mAdiv, lo que
produce la escala de abajo a la izquierda de la pantalla del monitor. La sensibilidad horizontal
es de 1 Vdiv y produce la escala que aparece debajo de las caractersticas. La funcin escaln
indica que la separacin entre las curvas es de 10 mA comenzando con 0 mA para la curva inferior. Puede utilizar el ltimo factor de escala para determinar de inmediato la bca en cualquier
regin de las caractersticas. Multiplique el factor mostrado por el nmero de divisiones entre
las curvas IB en la regin de inters. Por ejemplo, determinemos bca en un punto Q de IC 7 mA
20 mA
Vertical
por divisin
2 mA
18 mA
80 A
16 mA
70 A
14 mA
Horizontal
por divisin
1V
60 A
12 mA
50 A
10 mA
40 A
Por escaln
10 A
8 mA
30 A
6 mA
20 A
4 mA
gm
por divisin
200
10 A
2 mA
0 A
0 mA
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10 V
FIG. 3.24
Respuesta de un trazador de curvas para un transistor 2N3904.
PRUEBA DE UN
TRANSISTOR
151