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Prctica # 1 Polarizacin JFet y MosFet

Andres Panchez, apanchez@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca
Laboratorio Analgica II

ResumenThe following report presents different types of

polarization of FETs, including MOSFETs and JFETs. This
different polarizations are presented with calculus and also with
his simulation using software.
Index TermsJFet, MosFet, Polarizacin.

O BJETIVOS
-A. Calcular, Disear el funcionamiento de los siguientes
circuitos de polarizacin Jfet
Polarizacin
Polarizacin
cin).
Polarizacin
Polarizacin
Polarizacin

con fuente al Gate.

con resistencia de Source (Autopolarizacon divisor de tensin.
con fuente doble
con Gate a tierra.

Figura 1: JFET tipo n

-B. Realizar el circuito y la simulacin de la polarizacin

de los transistores mosfet incremental y decremental.
-C. Explique porque se puede quemar un transistor JFet y
MosFet.
I.
I-A.

M ARCO T ERICO

Transistor de efecto de campo (FET)

El transistor efecto de campo o tambin llamado FET,

el cul sus siglas en ingles nos quiere decir Field-Effect
Transistor, para poder entender su funcionamiento tenemos
que imaginar como las cargas que estan presentes dentro del
transistor producen un campo elctrico el cul puede llegar
a controlar la ruta de conduccin de la salida del mismo, sin
que se necesite algo que tenga algun elemento externo que sea
un intermediario directo entre las cantidades controladas y las
que controlan. [1]
A diferencia de los BJT, los FET tienen una gran impedeancia en la entrada, lo que produce que tengan mayor estabilidad
frente a cambios de temperatura, adems de que los BJT
controlan corriente y los FET voltaje. [1]
I-B.

I-B1. Principio de Funcionamiento: En el JFET de canal

n, al momento que se polariza de forma inversa el Gate y el
canal, por dentro del transistor va a comenzar a convertirse
en un canal no conductor. Esta zona se llama la zona de
carga espacial o deplexin. Un dato importante es que cuando
mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa es la zona de
deplexin y puede llegar a cortar por completo al canal. La
tensin necesaria para que llega a cortarse el canal se llama
voltaje de ahorcamiento. En funcionamiento normal del JFET
canal n, D es positivo respecto a S y la corriente va de D a S
a travs del canal y como la resistencia del canal depende de
la tensin GS, la corriente de drenador se controla por dicha
tensin.[3]

Transistor JFET

El nombre del transistor JFET proviene del ingls, el cul

su nombre completo es Junction Field-Effect transistor. Este
trnasistor est construdo por tres terminales Drain o drenaje,
Source o fuente y por ltimo Gate o puerta. Al igual que los
BJT que estn formdados por los pnp y los npn, los JFET
tambin estn formados por dos tipos los de canal n, y los de
canal p pero entre los cuales los mas usados son los de canal
n. [2]
Un JFET tipo n se muestra en la figura 1

I-B2. Polarizacin con Fuente al Gate: La polarizacin

fija es la mas simple usada en el transistor JFET de canal
n. Esta configuracin es de un modo mas directo ya sea este
matemtico o grfico.

En la Fig. 2 se puede ver el esquema de polarizacin con

fuente al gate.

Figura 4: Polarizacin con divisor de tensin.

Figura 2: Esquema polarizacin con fuente al gate
I-B3. Polarizacin con resistencia de Source (Autopolarizacin).: La configuracin de autopolarizacin establece que
se debe eliminar la una fuente de cd, con esto decimos que no
es necesario usar dos fuentes de voltaje, el voltaje de control
lo determina RS.
En la Fig. 3 se puede ver el esquema de polarizacin con
resistencia de Source.

I-B5. Polarizacin con fuente doble : En esta configuracin la terminal de la compuerta esta en contacto a tierra y a
la entrada, que por lo general se aplica a la terminal fuente.
En la Fig. 5 se puede ver el esquema de polarizacin con
fuente doble.

Figura 3: Polarizacin con resistencia de Source (Autopolarizacin)

I-B4. Polarizacin con divisor de tensin. : La configuracin del divisor de voltaje, es la mas estable que podemos
encontrar de todas las configuraciones, su construccion es
similar a la del BJT en emisor comun, ya que con esta
configuracion podemos realizar amplificaciones.
En la Fig. 4 se puede ver el esquema de polarizacin con
divisor de tensin.

Figura 5: Polarizacin con fuente doble

I-B6.
cial.

Polarizacin con Gate a tierra. : Es un caso espe-

En la Fig. 6se puede ver el esquema de polarizacin con

Gate a tierra.

Figura 8: MOSFET Empobrecimiento

Figura 6: Polarizacin con Gate a tierra

I-C.

Transistor MOSFET

El transistor MOSFET es una variacin de los transistores

FET, su nombre sin abreviar es Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor, es muy utilizado en el mundo de los
aparatos electrnicos ya que es utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas, esa es la razn de su popularidad.
Se puede decir que la gran mayora de los micropreocesadores
son basados en el MOSFET. [3]
El MOSFET cuenta con 4 terminales las cuales son Drain o
drenaje, Source o fuente, Gate o puerta y por ltimo Sustrato,
pero en la gran mayoria de los MOSFETs el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor,
y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET
de tres terminales. [3]
Dos MOSFETs TO-263 7

I-C2. MOSFET Enrequicimiento: La configuracin de este tipo de polarizaciones es bastante diferente entre los JFET
y de los MOSFET tipo empobrecimiento, ya que su solucin
grfica es diferente a las configuraciones ya nombradas.[3]
En la Fig. 9se puede ver el esquema de polarizacin
MOSFET Enrequicimiento.

Figura 9: MOSFET Enrequicimiento

II.
Figura 7: MOSFETs TO-263

M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS

Los materiales a usar se muestran en el Cuadro I.

Cuadro I: Descripcion de Materiales.

I-C1. MOSFET Empobrecimiento: Nos permite analizar

de la mima manera en el dominio de cd que los JFET,
la diferencia es que el MOSFET puede trabajar a niveles
sumamente mas altos que los JFET, y es mas conveniente.[3]
En la Fig. 8se puede ver el esquema de polarizacin
MOSFET Empobrecimiento.

Materiales
JFET
Resistencias
Cable Multipar

Cant.
3
10
1 m.

Costo/(unidad o metro)
$1
$0.03
$0.60

Las herramientas a usar se muestran en el Cuadro II.

Cuadro II: Descripcion de herramientas.

Herramientas
Protoboard
Multimetro
Pinzas
Cortafrios

III.
III-A.

Cant.
1
2
1
1

Costo
$40
$25
$4
$3.5

3,15mA = Idss

2
1
1+
+ 2
VP
VP


2
(2)
0,20mA = Idss 1
Vp

D ESARROLLO

Clculos

Para cualquier polarizacin nos impusimos desde el comienzo un ID.



2 (2) (1)
1
0,20mA = Idss 1
+ 2
VP
Vp

0,20mA = Idss

ID = 8mA
III-A1. Polarizacin con Fuente al Gate:
III-A1a. Esquema: En la Fig. 2se puede ver el esquema
de Polarizacin con Fuente al Gate.

4
1
1+
+ 2
VP
VP

De la ecuacin??despejamos Idss.
Idss = 

0,20m
4
VP

1+

4
VP2

Y reemplazamos en la ecuacin ??.



2
0,20m
1


1+
3,15m =
+ 2
VP
VP
1 + V4P + V42
P

0,0315 =

0,0000004VP2 (VP + 1)
(VP + 2,4)

En donde despejando Vp, podemos llegar a que:

Idss1
Vp1
Idss2
Vp2
Figura 10: Polarizacin con Fuente al Gate
III-A1b. Clculos: Para la polarizacin con fuente al
Gate tuvimos que medir ciertos valores para poder realizar los
clculos, tales como:
Idss
Vp

Mediante las mediciones reemplazamos los valores de Id y de

Vgs y sacamos dos ecuaciones.

2
(1)
3,15mA = Idss 1
Vp
2 (1) (1)
1
+ 2
VP
Vp

= 2,33V
=

0,0155A

= 1,75V

VDD

VDS + VRD

(2)
(3)

VDS

VDD ID RD

5V

10V 8m RD

VDS=5V, porque calculamos que:

Para poder encontrar estos valores, tuvimos que realizar

una serie de mediciones y luego a travs de la ecuacin de
Shockley1

2
VGS
(1)
Id = Idss 1
Vp

3,15mA = Idss 1

9mA

De los cuales podemos determinar que los correctos son los

que nos propusimos al principio y por lo tanto, procedimos con
el resto de calculos y nos proponemos a calcular RD, con la
ecuacin de VDD con la ecuacin

9mA

= 2,33V

VDS =

VDD
10
=
= 5V
2
2

Entonces:
RD = 625
Y de la ecuacion de Shockley reemplazamos y obtenemos:


VGS

VGS
= 9m 1
2,33
= VGG

VGS

= 133,25mV

8m

2

III-A2. Polarizacin con resistencia de Source (Autopolarizacin). :

III-A2a. Esquema: En la Fig. 11se puede ver el esquema de Polarizacin con resistencia de Source.

Figura 12: Polarizacin con divisor de tensin.

III-A3b.

Figura 11: Polarizacin con resistencia de Source

III-A2b.

Clculos: Antes ya calculamos los valores de:

Clculos: Antes ya calculamos los valores de:

Idss
Vp

Idss

9mA

Vp

2,33V

Pero para el divisor de voltaje tenemos que imponernos un

valor de R1 y tambin tenemos el valor de VGS y de VG.

9mA

= 2,33V

Utilizando la ecuacin de Shockley4


Id
8m
VGS

= Idss 1

VGS
Vp

1M

VG

2,5V

(4)
VGS = 1333,255mV
(5)

Donde

(6)
VGS

VG ID RS

133,255m

2,5 8m RS

RS

329,157

Donde

= ID RS

133,255

8m RS

RS

16,65

VDS

Donde

VDS

2

2

VGS
= 9m 1
2,33
= 133,255V

VGS

R1

= VDD ID (RD + RS )

10 8m (RD + 330)

RD

295

= VDD ID (RS + RD )

10 8m (16,65 + RD )

RD

608,343

III-A3. Polarizacin con divisor de tensin. :

III-A3a. Esquema: En la Fig. 12se puede ver el esquema de Polarizacin con Fdivisor de tensin.

III-A4.

VG

R2

R2 VDD
R1 + R2
295 10
10M + R2
333,333

Polarizacin con fuente doble :

III-A4a. Esquema: En la Fig. 13se puede ver el esquema de Polarizacin con fuente doble.

Figura 14: Polarizacin con gate a tierra

Figura 13: Polarizacin con fuente doble

Antes ya calculamos los valores de:

Antes ya calculamos los valores de:

Idss
Vp

Idss

9mA

Vp

2,33V

9mA

= 2,33V

V gs = ID Rs + V gs

133,255m VSS
= RS
ID

Tambin

VD

VDs

VDs

VDD /2

VDs

VDD ID RD

VDS

10 8m RD

10 8m RD

RD

625

RS = 1,51k
III-A6. Polarizacin MOSFET incremental. :
III-A6a. Esquema: En la Fig. 15 se puede ver el esquema de Polarizacin MOSFET incremental.
= VDD ID (RD + RS )

VDS
6

12 8m (RD + +1,51K)

RD

733,38

= VDD ID (RS + RD )

= ID (358,343 + 16,65)

ID

16mA

VDS

12V

III-A5. Polarizacin con gate a tierra:

III-A5a. Esquema: En la Fig. 14se puede ver el esquema de Polarizacin con gate a tierra.

Figura 15: Polarizacin MOSFET incremental.

Cuadro VII: Tabla de mediciones.

Valores a medir
VGS
ID
VDS

ID

8mA

VGS

8V

VDD

10V

0,24m

VDS

VGS

VGS

VDD ID RD

10 8m RD

RD

250

Calculado
0
8mA
5V

Medido
0
8.12mA
5.3V

Simulado
0
8.042mA
4.812V

A
V2
= 8V
Cuadro V: Tabla de mediciones.
Valores a medir
VGS
ID
VDS

ID

k (VGS V t)

8m

0,24 (8 V t)

V t1

2,226V

V t2

13,77V

III-A7. Polarizacin MOSFET decremental. :

III-A7a. Esquema: En la Fig. 2se puede ver el esquema
de Polarizacin con Fuente al Gate.

III-B3.

Calculado
-133.255mV
8mA
5V

Medido
-0.091V
7.85mA
5.15V

Simulado
-144.809mV
8.035mA
4.985V

Polarizacin con divisor de tensin. :

Cuadro VI: Tabla de mediciones.

Valores a medir
VGS
ID
VDS

Figura 16
III-B.

Calculado
-133.255mV
8mA
6V

Medido
-0.07V
8.43mA
5.86V

III-B4.

Polarizacin con fuente doble:

III-B5.

Polarizacin con Gate a tierra. :

Simulado
-143.727mV
8.042mA
5.95V

Tabla de mediciones
Cuadro III: Tabla de mediciones.
Valores a medir
VGS
ID
VDS

III-B1.

Calculado
-133.255mV
8mA
5V

Medido
-0.133V
8.12mA
5.3V

Simulado
-133.112mV
8.11mA
4.93V

Polarizacin con fuente al gate:

Cuadro IV: Tabla de mediciones.

Valores a medir
VGS
ID
VDS

Calculado
-133.255mV
8mA
5V

Medido
-0.07V
7.63mA
5.33V

III-C.

Simulaciones

Simulado
-134.1784mV
8.1mA
4.93V

III-B2. Polarizacin con resistencia de Source (Autopolarizacin). :

III-C1. Polarizacin con Fuente al Gate: Simulacin de la

Polarizacin con Fuente al Gate en la Fig. 17 y sus resultados
en la Fig.18a.

Figura 18: Polarizacin con resistencia de Source

Figura 17: Simulacin Fuente al Gate

(a) Resultados simulacion resistencia de Source

(a) Resultados simulacion Fuente-Gate

III-C2. Polarizacin con resistencia de Source (Autopolarizacin).: Simulacin de la Polarizacin con resistencia de
Source (Autopolarizacin) en la Fig. 18 y sus resultados en la
Fig.19a.

III-C3. Polarizacin con divisor de tensin. : Simulacin

de la Polarizacin con divisor de tensin en la Fig.19 y sus
resultados en la Fig.20a.

Figura 19: Polarizacin con divisor de tensin.

(a) Resultados divisor de tensin.

III-C4. Polarizacin con fuente doble: Simulacin de la

Polarizacin con fuente doble en la Fig. 20 y sus resultados
en la Fig.21a.

Figura 20: Polarizacin con fuente doble

(a) Resultados con fuente doble

III-C5. Polarizacin con Gate a tierra. : Simulacin de

la Polarizacin con Gate a tierra.21 y sus Gate a tierran la
Fig.22a.

10

Figura 22: MOSFET incremental.

Figura 21: Gate a tierra

(a) Resultados MOSFET incremental.

III-C7. Polarizacin MOSFET decremental. : Simulacin

de la Polarizacin MOSFET decremental.23 y sus resultados
en la Fig.24a.

(a) Resultados Gate a tierra

Figura 23: MOSFET decremental.

(a) Resultados MOSFET decremental.

III-C6. Polarizacin MOSFET incremental. : Simulacin

de la Polarizacin MOSFET incremental. 22 y sus resultados
en la Fig.23a.

III-D. Anlisis de resultado

Analizamos los resultados obtenidos mediante la medicin
con los calculados me di cuenta que no existe mucha varacin

11

entre los dos resultados ya que lo poco que varia podria ser
por los materiales usados, ya sea el multimetro;resistencias
nos completamente exactas a las calculadas
C ONCLUSIONES
In conclusion we can say that the JFET transistors are
very useful, for a good amplification and for working on
small streams, because it has higher impedance than BJT, the
problem with this type of transistors in our city is that they
are not very marketable, which brought us a lot of troubles,
the time to get them, and datasheet data are not specific in
terms of its configuration is easier to calculate and to design
a BJT
R EFERENCIAS
[1] Transistores FET http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_
campo
[2] Transistores JFET http://es.wikipedia.org/wiki/JFET
[3] Principio de Funcionamiento JFET http://www.monografias.com/
trabajos90/transistor-fet/transistor-fet.shtml
[4] Transistores MOSFET http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET