SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

Los semiconductores extrnsecos se caracterizan porque tienen un pequeo

porcentaje de impurezas, ya que est contaminado con tomos de otras materias.
Existen dos tipos de semiconductores extrnsecos, que son los tipo n y los tipo p.
Por consiguiente, los semiconductores extrnsecos tipo n son los que estn
dopados con elementos pentavalentes, son semiconductores contaminados
donadores y sus electrones son portadores mayoritarios. Cuando se habla de
elementos pentavalentes quiere decir que poseen cinco electrones en su ltima
capa; como consecuencia de la temperatura, los electrones que no se han unidos
se liberan.
Por otro lado, los semiconductores extrnsecos tipo p son aquellos que estn
dopados con elementos trivalentes, son semiconductores contaminados
aceptadores. Debido a que son trivalentes dejan un hueco en la banda de valencia
y no existe un cuarto electrn que lo rellene; esto hace que los electrones salten a
los huecos con facilidad, siendo los huecos portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos
se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la
derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los

electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el

hueco.

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera.
Semiconductor tipo p
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los
huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres

dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos
portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

Los semiconductores son materiales que se pueden comportar

como conductores o comoaislantes en funcin de diversos factores, como
campo elctrico, campo magntico, radiacin, presin o temperatura. Existen dos
tipos, los semiconductores intrnsecos y los semiconductores extrnsencos. Los
semiconductores extrnsecos se obtienen a partir de los intrnsecos y son
imprescindibles en la industria electrnica.

Los semiconductores
Los elementos que se comportan como semiconductores son los siguientes:

Cadmio (Cd)

Aluminio (Al)

Galio (Ga)

Boro (B)

Indio (In)

Silicio (Si)

Carbono (C)

Germanio (Ge)

Fsforo (P)

Arsnico (As)

Antimonio (Sb)

Selenio (Se)

Teluro (Te)

Asufre (S)

El ms utilizado es el Silicio, seguido del germanio y, menos, el azufre. Los

cristales puros de estos elementos se consideran semiconductores
intrnsecos y en ellos se genera una corriente elctrica doble cundo se someten
a un diferencial elctrico.
En la estructura cristalina, los tomos se encuentran unidos entre s mediante
enlaces covalentes en la conocida como banda de valencia. En determinadas

circunstancias, algunos de los electrones pueden absorber la energa necesaria

para escapar de la banda de valencia y pasar a la llamada banda de conduccin.
En la siguiente imagen se esquematiza esta situacin en el Silicio (tetravalente,
cada tomo se une a otros cuatro):

Esquema de semiconductor intrnseco

Los electrones que salen dejan un hueco de electrn en la banda de valencia, lo
que favorece la conduccin elctrica. Los electrones libres tambin favorecen la
conduccin elctrica y ambos, electrones y huecos, se denominan portadores. La
energa para que esto ocurra es diferente en cada material. El Si a temperatura
ambiente requiere un diferencial elctrico de 1,12 eV. Esta misma energa es
liberada en el proceso de recombinacin, que es el proceso contrario, cundo un
electrn cae desde la banda de conduccin a la banda de valencia.
Si se mantiene la temperatura constante, llega un momento en el que la
recombinacin y salida de electrones se iguala y la concentracin de electrones en
la banda de conduccin (cargas negativas n) se iguala a la concentracin de
huecos en la banda de valencia (cargas positivas p).
En un semiconductor intrnseco se generan dos corrientes elctricas: una por el
movimiento de electrones en la banda de conduccin y otra por movimientos de
electrones en la banda de valencia que pueden saltar a los huecos prximos. La
corriente en la banda de valencia es contraria al campo elctrico y de intensidad
mucho ms baja que la corriente en la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos

Los semiconductores extrnsecos se obtienen mediante un proceso concoido

como dopaje y que consiste en la introduccin de impurezas (dopantes) de
forma controloda en semiconductores intrnsecos. En funcin del dopante
utilizado se puede obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores
tipo N (negativos)
Semiconductores extrnsecos tipo N
Los semiconductores extrnsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adicin de
dopantes con ms valencias que el semiconductor intrnseco de partida. En el
caso del silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes, por
ejemplo fsforo. En cada tomo de fsforo quedar un electrn sin formar
enlace. Este electrn puede saltar a la banda de conduccin pero no deja
ningn hueco, por lo que se dice que estos dopantes son donadores de
electrones y quedarn ms cargas negativas (electrones) en la banda de
conduccin que positivas (huecos) en la banda de valencia.
La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100 aadiendo tan
slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio. En la siguiente imagen
podemos ver un esquema de este tipo de semiconductores:

Esquema de un semiconductor extrinseco tipo N

Semiconductores extrnsecos tipo P
En los que semiconductores extrnsecos tipo P la situacin es la contraria que en
los tipo N. Se utilizan elementos con menos valencias que los semiconductores
intrnsecos de partida. En el caso del Silicio se utilizan dopantes trivalentes, por

ejemplo Boro. Se dice que estos dopantes son aceptores de electrones, pues
quedan huecos en la banda de valencia dnde pueden saltar electrones que
absorban energa en lugar de hacerlo a la banda de conduccin. Se genera un
balance neto de cargas positivas (huecos) en la banda de valencia superior a las
cargas negativas (electrones) en la banda de conduccin.

Esquema de un semiconductor extrinseco tipo P

Aplicaciones
Los semiconductores tienen una infinidad de usos y aplicaciones, por ejemplo, son
imprescindibles en la fabricacin de diodos (entre ellos los LED), dispositivos
electrnicos o paneles solares. Algunos de los semiconductores ms utilizados
son:

Termistores: la conductividad depende de la temperatura

Transductores de presin: la aplicacin de presin a este tipo de

semiconductor provoca que el gap de energa entre banda de conduccin y
valencia se estreche y aumente la conductividad.

Rectificadores (dispositivos de unin del tipo p-n): se unen

semiconductores tipo n y p (unin p-n) y al hacerlo los electrones se
concentran en la unin del tipo n y los huecos en la unin p, este
desequilibrio electrnico crea un voltaje en la unin que se utiliza como
rectificador.

Transistores de unin bipolar: estos transistores se utilizan generalmente

en los CPU (unidades de procesamiento central) de ordenadores por la
eficiencia en dar una respuesta rpida a la conmutacin.

Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente

para almacenar informacin en la memoria de los ordenadores.

DOPAJE

Se le llama dopaje al proceso de agregar impurezas a un semiconductor puro con

el fin de cambiar sus propiedades elctricas.
Las propiedades que se utilizan dependen del tipo de semiconductor que se
quiere dopar.
Los semiconductores con dopaje ligero y moderado se les denomina extrnsecos.