LECCIN 4: LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Daniel David Daz Lpez

e-mail: daniel_david.diaz@hotmail.com

Leirsson Adalid Pealva Tom

e-mail: leirsson.penalva@unah.hn

RESUMEN: El presente informe presenta los

datos e informacin obtenida de la prctica No. 4, en la
cual se trabaj con transistores bipolares, se determin
la ganancia en corriente y las curvas caractersticas a
partir de la entrada y salida del transistor.

3.

MARCO TERICO
La ganancia de corriente llamada beta () de un
transistor conectado en la configuracin de emisor
comn puede calcularse con los valores medidos
de la corriente de entrada a la base y de la de
salida por el colector, con la relacin.

PALABRAS CLAVE: transistor, bipolar, curva

caracterstica, ganancia, corriente.

Ganancia de corriente =

1. INTRODUCCIN
Uno de los dispositivos de mayor impacto en la
industria electrnica, ha sido probablemente el
transistor. Esto debido a sus caractersticas
increblemente eficientes, que se analizan en esta
prctica, mediante la determinacin de sus curvas
caractersticas y estados de operacin.

4.

OBJETIVOS
2.1 Graficar las curvas caractersticas de
entrada de un transistor, a partir de
valores medidos.
2.2 Determinar el valor de la ganancia de
corriente () a partir de valores medidos.
2.3 Probar un circuito de emisor comn para
determinar si es una fuente de corriente
constante.
2.4 Graficar
la
familia
de
curvas
caractersticas de salida a partir de
valores medidos.
2.5 Identificar la zona activa, de saturacin y
de corte, en la familia de curvas
caractersticas.
2.6 Determinar la ganancia de corriente () a
partir de la familia de curvas de salida.

Ic
Ib

En los transistores ideales, el beta tiene un solo valor.

Tal como 125. En los transistores reales, el beta vara al
modificarse la corriente base. Las caractersticas de
salida del transistor muestran las relaciones existentes
entre la corriente de base y de colector, y la tensin de
colector. Dichas relaciones toman la forma de una
familia de curvas caractersticas.

Se hace un anlisis tambin de la ganancia en corriente

() a travs de la corriente que circula tanto por la base
como por el colector. Se observa que en transistores
ideales es un solo valor.

2.

MATERIALES Y EQUIPO
1 osciloscopio de dos canales.
1 Generador de funciones.
1 Tarjeta de circuito impreso EB-111.
1 Multmetro.

5.

PROCEDIMIENTO
5.1 Parte 1 :
Caractersticas del transistor:
5.1.1
5.1.2

Colocamos la tarjeta EB-111 en la base.

Conectamos el transistor Q1 que est en
la parte superior derecha de la tarjeta con
el ampermetro como se muestra en la
Figura 1.

5.1.3
5.1.4
5.1.5

Ajustamos a RV1 para obtener los valores

de corriente de base que se indican en la
tabla 1.
Para cada valor de corriente de base,
medimos la tensin de base a masa y la
anotamos en la tabla 1.
Dibujamos el grafico de la corriente de
base en funcin de la tensin de base a
emisor, figura 2 y figura 3.

5.2 Parte 2:

5.4.8

6. TABLAS Y GRAFICOS
IB( A)

5.2.3
5.2.4
5.2.5

Armamos el circuito de la figura 4.

Ajustamos la fuente de tensin de PS-1 a
10v.
Variamos la corriente de base con el
potencimetro RV1 como se indica en la
tabla 2.
Determinamos la corriente del colector
midiendo la tensin sobre R5, y
calculamos IC usando la frmula 1.
Calculamos los valores de la ganancia de
corriente () de los resultados anotados
en la tabla 2.

5.3 Parte 3:
El transistor como fuente de corriente:
5.3.1
5.3.2
5.3.3
5.3.4
5.3.5

Armamos el circuito de la figura 5.

Ajustamos la tensin PS-1 a 2 voltios.
Ajustamos a RV1 para obtener una
corriente de colector de 2 mA.
Pusimos la fuente PS-1 en los valores de
la tabla 3.
Anotamos las corrientes de colector en la
tabla 3.

IB( A)

VBE ( V )

5.4.2
5.4.3
5.4.4
5.4.5
5.4.6
5.4.7

40.2

142.5

8.9

19.2

33.7

34.8

0.5

0.52

0.53

0.55

Tabla 1. Caracterstica de juntura base-emisor.

IB( A)
10
20
30
40
50.3
60
72.2
79.6
90.2
100.4

VCE ( V )

IC ( mA )
0.851
1.851
2.915
4.021
5.191
6.383
7.426
8.617
9.745
10.745

9.6
9.13
8.63
8.11
7.56
7.00
6.51
5.95
5.42
4.95

IC
IB

0.085
0.093
0.097
0.101
0.103
0.106
0.103
0.108
0.108
0.107

Tabla 2.Ganancia de corriente.

PS1 ( V ) IC (mA )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Caracterstica de salida:
Armamos el circuito de la figura 6,
colocamos
la
resistencia
R5
en
cortocircuito.
Medimos la corriente de base IB, se mide
con un ampermetro conectado entre RV1
y la alimentacin de 5 voltios.
Ajustamos a RV1 para obtener una
corriente de base de 10 A.
Ajustamos la fuente PS-1 a 0.5 voltios.
Conectamos el ampermetro en serie con
PS-1 y anotamos la corriente de colector
en la tabla 4.
Repetimos los pasos anteriores para
corrientes de base de 20, 40, 60, 80 y
100 A.
Graficamos la familia de curvas de IC en
funcin de VCE con IB como parmetro,
en la figura 7 y 8.

21

real

5.4 Parte 4:

5.4.1

9.2

nominal

Ganancia de corriente:
5.2.1
5.2.2

De las curvas, hallamos la ganancia de

corriente de la zona lineal. Usando la
frmula 2.

1.66
1.97
1.99
2.00
2.01
2.02
2.03
2.06
2.07
2.08

Tabla 3.Fuente de corriente.

IB( A)
10

20

40

80

100

15.75
16.31
16.51

20.5
20.8
21.2

VCE ( V )
IC (mA )
0,5
1
2

1.822
1.854
1.881

3.941
3.971
4.021

80.2
8.12
8.23

IB A

4
1.901 4.092
8.39
16.90
21.9
6
1.931 4.142
8.52
17.39
22.5
8
1.951 4.191
8.65
17.90
23.2
10
1.961 4.231
8.85
18.20
23.5
Tabla 4.La corriente del colector en funcin de VCE e
IB.

140
120
100
80
60
40

20
0 .5 1

0 .5 2

0 .5 3

0 .5 4

0 .5 5

VBE v

Figura 2. Corriente de base (nominal) en funcin de la

tensin base-emisor.

IB A
80

Figura 1. Curva caracterstica de entrada del

transistor bipolar.

60

40

20

0 .5 1

0 .5 3

0 .5 4

0 .5 5

Figura 3. Corriente de base (real) en funcin de la

tensin base-emisor.

Figura 4. Ganancia de corriente

7.

Figura 5. El transistor como fuente de corriente

0 .5 2

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Ic=

VR5 ( VPS1 )VCE

=
(1)
R5
R5

Ic=

109.6
=0.85 mA
470

Ic=

109.13
=1.85mA
470

Ic=

108.63
=2.91mA
470

Ic=

108.11
=4.02 mA
470

Ic=

107.56
=5.19 mA
470

Figura 6. Caractersticas de salida

VBE v

Ic=

107
=6.38 mA
470

9.74E-3
=107.9
90.2E-6

Ic=

106.51
=7.42 mA
470

10.74E-3
=106.97
100.4E-6

Ic=

105.95
=8.61 mA
470

105.42
Ic=
=9.74 mA
470
Ic=

8.

Mediante la prctica se ha podido verificar que la

ganancia de corriente llamada beta () de un transistor
comn puede calcularse con los valores medidos de la
corriente de entrada a la base y de la salida por el
colector con la relacin de la corriente de entrada con
la corriente de salida.

104.95
=10.74 mA
470

Ic
=
IB
=

0.85E-3
=85
10E-6

1.85E-3
=92.5
20E-6

2.91E-3
=97
30E-6

4.02E-3
=
=100.5
40E-6
=

5.19E-3
=103.18
50.3E-6

6.38E-3
=106.3
60E-6

7.42E-3
=106
70E-6

8.61E-3
=108.16
79.6E-6

ANALISIS DE LOS RESULTADOS

9.

CONCLUSIONES DEL GRUPO

9.1 Observamos que la corriente nominal respecto
a la real cambia muy poco cuando se le
grafica e funcin de la tensin base emisor.
9.2 Observamos la relacin de proporcionalidad
directa de la ganancia de corriente con
respecto a la corriente en el colector.
9.3 Comprobamos como en los transistores reales
el beta () cambia a medida que se va
variando la corriente en el colector.

10. BIBLIOGRAFIA
[1] Degem Systems, Fundamentos de los
semicoductores.
[2] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electrnica : Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, Iztapalapa:
Pearson Prentice Hall.
[3] D. L. Schilling y C. Belove, Circuitos Electronicos
discretos e integrados, Mexico: McGRAW-HILL,
1993.