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ELETRNICA
INDUSTRIAL
Fevereiro 2007
Medidas Eltricas
Fevereiro
2007
Sumrio
APRESENTAO ........................................................................................
05
06
06
08
11
11
14
14
17
18
19
19
19
20
3. RETIFICADORES .....................................................................................
3.1 Retificador de 1/2 onda .......................................................................
3.2 Retificador de onda completa ..............................................................
3.3 Retificador em ponte ..........................................................................
3.4 Filtros ..................................................................................................
26
26
30
32
35
41
50
51
6. JFET .........................................................................................................
53
56
57
8. TIRISTORES .....................................................................................................
8.1 O SCR ..........................................................................................................
8.2 TRIAC ...........................................................................................................
61
61
66
68
68
69
74
76
78
81
94
94
98
106
106
107
108
112
117
119
119
120
124
130
140
Medidas Eltricas
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________6/140
Eletrnica Industrial
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Se, num material, aps todas as ligaes covalentes terem se realizado, ainda
restarem eltrons que no possuem unies firmes, estes so denominados de
eltrons livres. Quanto maior o nmero de eltrons livres, maior a condutividade.
A partir desse conceito podemos ento definir:
-
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Eletrnica Industrial
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Conceito de lacuna
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Eletrnica Industrial
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Semicondutor extrnseco
Na aplicao da eletrnica, o material semicondutor dopado, isto ,
propositalmente so adicionadas certas impurezas para resultar, em uma
predominante conduo de eltrons ou lacunas, qualquer que seja o requerido.
As impurezas usadas so geralmente de dois tipos: uma delas formada por
elementos que possuem trs eltrons de valncia e a outra por um elemento que
possui cinco eltrons de valncia. A primeira chamada de impureza tipo-P, e a
outra chamada de impureza tipo-N, aps a impureza ter sido adicionada, o
material ento denominado um semicondutor extrnseco.
Dopagem do semicondutor
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos
estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina; podendo esta ser do tipo
N ou do tipo P, o que dar origem ao cristal N ou ento ao cristal P, conforme
apresentado a seguir:
Dopagem em tipo N (cristal N)
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge ou do Si
uma quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na ltima camada,
forma-se uma nova estrutura cristalina denominada de cristal N. Tomemos como
exemplo, a introduo de tomos de fsforo, que possuem cinco eltrons na
ltima camada, dos cinco eltrons externos do fsforo, quatro encontram um
eltron no cristal, que possibilita a ligao covalente, o quinto eltron do fsforo
no forma ligao covalente porque no encontra um eltron na estrutura que
possibilite esta formao. Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar
facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro da estrutura do cristal,
constituindo-se um portador livre de carga eltrica. Veja na figura 02:
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Eletrnica Industrial
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Figura 02
Figura 03
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Eletrnica Industrial
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2. DIODO DE JUNO
2.1. JUNO PN
Se unirmos cristais do tipo P a cristais do tipo N, de maneira a constituirmos um
cristal nico (juno na qual mantida a continuidade da estrutura cristalina), esta
juno ser denominada de JUNO PN ou DIODO DE JUNO.
Observaes:
Nos elementos tipo N, os eltrons sero denominados portadores
majoritrios de carga, existindo tambm nesses elementos os portadores
minoritrios de carga que so as lacunas.
Nos elementos tipo P, as lacunas sero denominadas portadores
majoritrios de carga, existindo tambm nesses elementos os portadores
minoritrios de carga que so os eltrons.
O material N apresenta um grande nmero de eltrons e o material P um grande
nmero de lacunas logo, quando dispostos a formar uma juno PN como na
figura 04, haver passagem de lacunas do elemento P ao N e de eltrons do N
para o P durante a difuso, as reas que se encontram em torno da juno,
ficaro livres dos portadores de carga (eltrons e lacunas), devido
recombinao entre esses portadores e suas conseqentes anulaes. Com a
formao de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,
teremos um decrscimo nas correntes, o que facilmente compreendido se
lembrarmos que um eltron que tentar passar atravs da juno vindo do lado N,
encontrar uma barreira negativa do lado P, que o repelir; dando-se o mesmo
com as lacunas, ficando claro que neste material ocorrer um equilbrio de cargas
em torno da juno.
Com o acmulo de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,
se estabelecer uma regio de carga espacial ou regio de cargas. Devido a
pouca quantidade de cargas mveis esta regio chamada de REGIO DE
DEPLEXO.
As cargas que se formaram nesta regio de espao de cargas do origem a uma
diferena de potencial Vo, e esta diferena de potencial pode ser
esquematicamente representada por uma bateria, associada juno.
Dentro da regio de cargas existe uma carga positiva no lado de tipo N, e uma
carga negativa no lado do tipo P, e isto d origem a uma barreira de potencial.
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Juno
+ + +
+ + +
- - - - -
Barreira de Potencial
Figura 04 Juno PN
- - -
+ +
+ +
- - - - -
Barreira
Bateria de Polarizao
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P
+ + +
+ + +
- - - - Barreira
Bateria
B.P.
Figura 07 Juno PN no polarizada
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Eletrnica Industrial
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nodo
Ctodo
Corrente I
Eletrnica Industrial
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V > 0,7 V
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Vd = Tenso direta
Id = Corrente direta
Vr = Tenso reversa
Ir = Corrente reversa
Figura 10 - Curva caracterstica do Diodo Real
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Eletrnica Industrial
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deixando passar uma corrente que tem a mesma forma de onda senoidal da
tenso aplicada, com exceo da parte inicial e final do semiciclo, que apresenta
alguma distoro, devido ao fato de que a caracterstica do diodo no linear
nesta regio, (figura 11).
Figura 11
No semiciclo seguinte, de
a 2 , a tenso se torna negativa, e o diodo
polarizado inversamente; agora ele oferece uma resistncia muito alta
passagem da corrente, circulando somente a corrente de fuga, que pode ser
desprezada em comparao com a corrente direta, (figura 12).
Figura 12
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Eletrnica Industrial
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IN 4606
0,2
70
BY 126
1,0
650
DY 127
1,0
1250
BYX 10
2,0
800
IN 4001
1,0
50
IN 4004
1,0
400
IN 4007
1,0
1000
IN 1615 R
5,0
600
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nodo
Ctodo
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Eletrnica Industrial
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POTNCIA
POTNCIA ZENER
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- Tolerncia: a tolerncia do diodo zener informa a variao que pode existir entre
o valor especificado e o valor real da tenso reversa do diodo zener. Isto
significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Varicap
Os varicaps so diodos semicondutores especiais que substituem os
capacitadores variveis, em circuitos de alta frequncia. Nestes diodos
aproveitam-se as caractersticas da capacidade da juno PN quando polarizada
reversamente, pois um aumento da tenso reversa aplicada ao diodo, faz com
que haja um aumento da largura da barreira de potencial e conseqentemente
uma diminuio da capacidade da juno.
Este tipo de diodo indicado para moduladores de FM, sintonizadores de FM,
controle de frequncia, etc.
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Caractersticas do LED
- Corrente direta nominal (If): um valor de corrente de conduo indicado pelo
fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso timo (normalmente
20mA).
-Tenso direta nominal (Vf): Especificao que define a queda da tenso tpica do
diodo no sentido de conduo. A queda de tenso nominal (Vf) ocorre no
componente quando a corrente direta tem valor nominal (If).
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COR
Vf a If = 20 mA
If mx.
LD 30C
Vermelho
1,6V
100mA
LD 37I
Verde
2,4V
60mA
LD 3I1
amarelo
2,4V
60mA
LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDs colocados dentro de uma
mesma cpsula.
Estes LEDs tm trs terminais. (figura 20)
LED infra-vermelho
A luz infra-vermelha um tipo de irradiao que no visvel ao olho humano,
este tipo de luz usado principalmente em alarmes, controle remoto, etc. Assim
os LEDs que emitem esta luz, funcionam como os outros, porm no se pode
observar visualmente se esto ligados ou no.
Fotodiodo
O fotodiodo um diodo semicondutor com juno PN cuja caracterstica operar
na polarizao inversa da juno. Na polarizao inversa a corrente
praticamente nula, porm, se o cristal for devidamente dopado, o nmero de
portadores aumenta tremendamente sob luz incidente, pois esta fornece energia
sob forma de ftons. E este o princpio bsico do funcionamento de um
fotodiodo.
A aplicao do fotodiodo se verifica em leitura de cartes, circuitos digitais,
acopladores pticos, etc.
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3. RETIFICADORES
ENTRADA
CIRCUITO RETIFIDADOR
DE MEIA ONDA
TENSO NA
CARGA
Funcionamento
Primeiro semiciclo
Durante o primeiro semiciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto
B. esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo
a circulao de corrente. (figura 23)
Figura 23
A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada, (figura 24).
Figura 24
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Eletrnica Industrial
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O valor de pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada, porque o diodo, durante a conduo, apresenta uma pequena queda de
tenso Vd (0,7 para o silcio e 0,3V para o germnio). Entretanto, na maioria dos
casos, a queda de tenso sobre o diodo pode ser desprezada porque o seu valor
muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre a carga.
Segundo semiciclo
Durante o segundo semiciclo, a tenso de entrada negativa no ponto A, com
relao ao ponto B, esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em
bloqueio, logo no h corrente, (figura. 25).
Figura 25
Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo, que atua
como interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de
corrente, (figura 26).
Figura 26
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Tenso na
entrada
Tenso no
Diodo
Tenso na
carga
Tenso Mdia
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x (Em)
Esta relao representa a rea sob a curva, dividida pelo perodo da onda
retificada.
importante notar que num circuito retificador de meia onda, quando o diodo for
polarizado reversamente, aparece uma tenso em seus terminais denominada
tenso de pico reversa. E de acordo com a aplicao da Segunda Lei de
Kirchhoff, em um retificador de onda, determinamos que o valor da tenso de
pico o valor mximo da tenso alternada aplicada.
Corrente de sada
Na retificao de meia onda a corrente de sada tambm pulsante, uma vez que
a tenso sobre a carga pulsante, isto implica que a corrente mdia na sada
(sobre a carga) uma mdia entre os perodos de existncia e inexistncia de
corrente, (figura 28.1).
I mdia
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ENTRADA
CIRCUITO RETIFIDADOR
DE MEIA ONDA
TENSO NA
CARGA
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Funcionamento
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa pode ser
facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos da tenso de
entrada isoladamente, conforme mostra a figura 31.
Tenso na
entrada
Tenso no
Diodo D1
Tenso
no
Diodo D2
Tenso na
carga
Figura 31
Vcc = 2 . Vca .
2__ simplificando:
/ tm-se:
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Corrente de sada
A corrente mdia na sada da retificao de onda completa depende da tenso
mdia:
IDC = Vdc
RL
Relao entre freqncia de entrada e freqncia de sada:
Na retificao de onda completa cada ciclo da tenso CA de entrada
transformado em dois semiciclos de tenso sobre a carga. Desta forma, a
freqncia dos picos de tenso sobre a carga o dobro da freqncia da rede,
(figura 32).
Figura 32
Figura 33
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Funcionamento
Primeiro Semiciclo
Considerando a tenso positiva no terminal de entrada superior, teremos:
Diodo 1 anodo positivo em relao ao catodo = CONDUO
Diodo 2 catodo positivo em relao ao anodo = BLOQUEIO
Diodo 3 catodo negativo em relao ao anodo = CONDUO
Diodo 4 anodo negativo em relao ao catodo = BLOQUEIO
Segundo Semiciclo
No segundo semiciclo ocorre a intervenso da polaridade nos terminais de
entrada do circuito, onde teremos:
Diodo 1 = anodo negativo em relao ao catodo BLOQUEIO
Diodo 2 = catodo negativo em relao ao anodo CONDUO
Diodo 3 = catodo positivo em relao ao anodo BLOQUEIO
Diodo 4 = anodo positivo em relao ao catodo CONDUO
A ponte retificadora entrega carga, os dois semiciclos, da mesma forma que a
retificao de ponto central, com uma freqncia da CC pulsante igual ao dobro
da freqncia da rede.
A ponte retificadora tambm pode ser representada em esquema conforme
mostra a figura 34
Figura 34
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Eletrnica Industrial
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Vcc = 2 x Em 2Vd = 2 . Em
Para uma mesma tenso de sada, a retificao em ponte usa apenas uma
tenso no secundrio, enquanto que a retificao com derivao central,
necessita de duas tenses, com o terminal central comum. As figuras 36 e 37
mostram claramente o que foi descrito:
Figura 36
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Figura 37
Vdc
RL (carga)
3.4 FILTROS
Uma tenso alternada, aps ser retificada, reduz-se a uma tenso contnua
pulsativa, ou seja, ainda guarda em si as alternncias da CA. Contudo, a corrente
contnua CC que desejamos no pode conter oscilaes, e para evit-las usamos
um circuito de filtro, (figura 38).
Eletrnica Industrial
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Filtro capacitivo
Tanto o retificador de meia onda quanto o de onda completa, apresentam como
resultados, correntes contnuas, porm pulsantes, como mostra a figura 39.
Figura 40
Figura 41
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Eletrnica Industrial
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Durante o meio ciclo em que o anodo for positivo em relao ao catodo, do diodo,
o diodo conduz e o capacitor C se carrega simultaneamente com o valor da
tenso aplicada.
Durante o semiciclo seguinte, quando o anodo for negativo em relao ao catodo,
o diodo corta e o capacitor C descarrega-se atravs da resistncia de carga.
fcil notar que o tempo de descarga da associao RL x C que vai determinar
o valor da tenso mnima, Vpmin.
Quanto maior for o tempo de descarga da associao maior ser a constante de
tempo e, portanto, maior ser o valor mnimo e menor a ondulao. A figura 42,
mostra a tenso de sada com trs capacitores de filtro cujas capacitncias so
respectivamente C1 < C2 < C3.
Figura 42
Essa ondulao recebe o nome de tenso de ripple, e seu valor pico a pico
dado por:
Vrpp = Vp Vpmin.
As figuras 43 e 44 mostram respectivamente a tenso de sada na carga e a
tenso de ripple.
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Figura 43
Figura 44
Figura 45
Essa figura mostra um sinal contnuo e constante Vdc, somado a uma senoide.
Medindo esta tenso com o voltmetro DC, obteramos o valor mdio ou contnuo,
isto , Vdc; se medirmos essa mesma tenso com um voltmetro AC, mediramos
somente o valor eficaz da senide, que a ondulao indesejvel.
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Eletrnica Industrial
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% r = 100 . r
% r = 100 . Vref
Vdc
r = Vr eficaz
Vdc
Capacitor de filtro em onda completa:
Do mesmo modo que no circuito de meia onda, o capacitor de filtro vai ligado em
paralelo com a carga. A figura 47 mostra a forma de onda que resulta aps
conectarmos o capacitor de filtro em retificadores de onda completa. Deve-se
notar que o sinal filtrado apresenta um nvel DC e um sinal de ripple em cima.
Figura 46
Figura 47
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Eletrnica Industrial
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Analisando a figura 48, que mostra um retificador de onda completa com filtro e
sua forma de onda, podemos destacar dois tempos particulares.
Figura 48
(1)
(2)
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Eletrnica Industrial
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Eletrnica Industrial
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Figura 50
Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junes nas estruturas
cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre a base-emissor denominado diodo emissor e o outro, entre base-coletor,
diodo coletor. Como so dois diodos, temos quatro hipteses para polarizao
simultnea de todos eles. Veja o quadro a seguir:
Denominao do modo de
polarizao
Corte
No se aplica
Ativo
Saturao
Diodo emissor
Reverso
Reverso
Direto
Direto
Diodo coletor
Reverso
Direto
Reverso
Direto
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RE
RC
VBB
VCC
Figura 51
= Ic
Ib
Obs.:
freqente o uso de hfe (ndices maisculos) para representar o envolvendo Ic
e Ib contnuos. Muitos se referem a ele como cc. O ca representado por hfe
(ndices minsculos).
Simbologia
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN, na figura 52,
apresentamos a seguir os smbolos de ambos os tipos.
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Figura 52 Simbologias
Figura 53
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RC
RB
VCC1
P
VBB
Figura 54
Especificaes de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificaes teis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook de vital
importncia e que o aluno no deve se contentar em saber apenas as
especificaes que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
caractersticas de um TBJ com a descrio de cada uma.
Ib
Ic
Corrente de coletor
Ie
Corrente de emissor
Pd
Potencia dissipada
Vceo
Vcbo
Vebo
Parmetro
P
Rthj
Fator de degradao
Resistncia trmica da juno
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Figura 55
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VBE
RC
RB
D2
Figura 56
Obs.:
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas necessrio acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga est sendo acionada (transistor saturado) a indutncia da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inverso da tenso nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tenso pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D, faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutncia da carga, protegendo o transistor.
Outra aplicao importante do transistor, como fonte de corrente, pois nesta, o
transistor capaz de amplificar sinais CA, veremos um pouco frente, em nossos
estudos, como polarizar circuitos transistorizados na regio ativa e prepar-los
para a amplificao.
Outros transistores especiais
Fototransistor
um transistor otimizado para operar a partir da luz. Existe uma janela
transparente para incidncia de luz (ftons). A luz converge para a juno basecoletor reversa, diodo reverso, e quebra ligaes covalentes na banda de
valncia. Os eltrons so elevados banda de conduo e podem circular l
como intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo, aquela que
possui o comprimento de onda certo e pode ser visvel ou no. Veja na figura 57
sua simbologia.
Eletrnica Industrial
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Figura 58
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Eletrnica Industrial
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5. AMPLIFICADORES DE POTNCIA
Os estgios amplificadores, estudados at este ponto, tratam da amplificao de
sinais com maior nfase no ponto de vista de tenso. Porm, para que possamos
aplicar estes sinais carga, que geralmente tm valor de resistncia baixo, alguns
poucos Ohms, necessrio que eles sofram tambm uma amplificao de
corrente.
Do exposto, entende-se claramente que os sinais a serem amplificados passam
por estgios amplificadores de tenso e corrente, isto , so amplificadores em
potncia para acionar a carga. Os transistores do estgio final de amplificao
(potncia) dissipam grande quantidade de calor, visto que, neste, a potncia do
sinal elevada (acima de 0,5W).
Deve-se tomar cuidado de mont-los em irradiadores de calor (dissipadores), a
fim de que possam trocar de calor com o meio externo, evitando a sua destruio
por dissipao excessiva de potncia.
Os transistores dos estgios iniciais so de potncia inferior (abaixo de 0,5W) e
no necessitam de dissipadores. Estes estgios recebem a denominao de pramplificadores.
Os amplificadores de potncia que discutiremos operam em trs classes distintas,
que so: A, B e AB.
Definies
Ganho de tenso (Av)
Conforme j estudado, o ganho de tenso a relao entre a tenso de sada e a
tenso de entrada
Ganho de corrente (Ai)
O ganho de corrente a relao entre as correntes CAs de coletor e de base,
podendo ser aproximada ao com erro desprezvel.
Ganho de potncia (Ap)
O ganho de potncia a relao entre a potncia de sada (Po) e a potncia de
entrada (Pin) de um amplificador.
Potncia de carga (Pl)
Correspondente ao valor de potncia CA na sada do amplificador, isto , sobre a
carga.
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Eletrnica Industrial
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5.1DISSIPADORES DE CALOR
A potncia desenvolvida sob forma de calor no coletor dos transistores de sada
muito alta, fazendo valer algumas consideraes importantes. Por exemplo,
temperatura ambiente (25C), a troca de calor entre o meio ambiente e a cpsula
(invlucro) do transistor, que poder ser metlica ou plstica, pode ser suficiente
para uma determinada condio de funcionamento do equipamento.
Porm, com o aumento desta temperatura, esta troca de calor para a mesma
condio anterior de trabalho poder no ser to eficiente, fazendo com que os
transistores permaneam quentes por uma faixa de tempo, tendo como
conseqncia o suprimento de uma corrente reversa nos terminais de coletor.
Esta corrente somada ao nvel quiescente, faz com que a dissipao de potncia
nos transistores seja ainda maior. Este efeito cumulativo e termina por levar os
transistores destruio. A este fenmeno denominamos deriva trmica.
Uma forma de minimizar este efeito fazer com que a rea de superfcie do
encapsulamento do transistor seja aumentada. Para isso utilizamos os
dissipadores de calor, que so massas metlicas (chapas de metal) de modelos
variados, podendo ou no ser alteradas, com o propsito de melhorar a
transferncia de calor do encapsulamento para o meio ambiente. Em alguns
casos, o terminal de coletor conectado a uma placa metlica ou carcaa do
encapsulamento, a fim de facilitar a conexo com o dissipador e melhorar a
dissipao de calor. Quando isso acontece, necessrio, s vezes, isolar o
terminal de coletor do terra do circuito. Para isso, so utilizados isoladores de
mica, por se tratar de um material que bom isolante eltrico e condutor trmico.
Outros acessrios so amplamente utilizados, como, por exemplo, isoladores
plsticos (buchas) para isolar terminais e/ou parafusos de fixao, pasta trmica
para reduzir a resistncia trmica entre o dissipador e o encapsulamento, entre
outros. A figura 59 a seguir ilustram alguns tipos de transistores e dissipadores de
comum utilizao.
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Eletrnica Industrial
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Eletrnica Industrial
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6. JFET
N
G
SUBSTRATO
P
CANAL
N
Figura 60
Polarizao de um FET
Normalmente o substrato conectado internamente ao terminal de porta. Como
veremos, isso aumenta o controle sobre o canal.
No h necessidade de resistncia na porta, pois em ambos os casos a juno
porta-canal deve estar reversamente polarizada. A polarizao direta na portacanal no tem significado, em termos de controle da corrente Ids, e deve ser
evitada para manuteno das caractersticas do JFET.
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Princpio de funcionamento
SUBSTRATO
Figura 61
Eletrnica Industrial
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D
G
S
CANAL N SIMTRICO
S
CANAL P SIMTRICO
Figura 62
Eletrnica Industrial
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7. ELETRNICA DE POTNCIA
LIGAMENTO
(DISPARO)
Espontneo
Comandado
Espontneo
Diodo
Comandado
SCR, TRIAC
Tiristor Dual
BJT, IGBT, GTO,
MCT
Tabela 7
Eletrnica Industrial
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7.1. DIODOS
Observe a figura seguinte.
iD
vD
0
No caso real, quando o diodo est diretamente polarizado, apenas uma pequena
queda de tenso direta fica sobre seus terminais (de 1V a 2V nos diodos de
potncia, aproximadamente). Quando o diodo est reversamente polarizado,
apenas uma pequena corrente de fuga flui de catodo para anodo. Em ambos os
casos ocorrem perdas por conduo e por corrente de fuga, respectivamente.
O processo de ligamento do diodo extremamente rpido e se aproxima do caso
ideal. Os manuais dificilmente trazem informaes sobre os tempos de ligamento.
A inevitvel presena de indutncias parasitas no circuito e da capacitncia de
juno provoca a gerao de oscilaes de tenso e corrente no circuito, devido
ao corte abrupto da corrente de recuperao IRRM . Estas oscilaes (ringing)
so prejudiciais, pois geram perdas nas resistncias srie do circuito e tambm
interferncia eletromagntica (EMI). Por isso, as indutncias parasitas devem ser
minimizadas, o que se obtm reduzindo ao mximo o comprimento das ligaes.
Do ponto de vista construtivo, h dois tipos de diodos de potncia: os diodos PN e
os diodos Schottky. Os diodos PN so constitudos pela juno de dois
____________________________________________________________57/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________58/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Cdigo
Diodos de linha
1N 5408
SKN100/12
SKN6000/06
Diodos Rpidos
SKN3F20/8
SKN340F/18
BY359-1500
Diodos Ultra-Rpidos
UF4007
MUR840
BYT16P-400
RHRG30120
Diodos Schottky
MBRD835L
IN5822
STPS12045TV
VRRM
IFAV
VF
Trr
800V
1200V
600V
3A
125 A
6000 A
1,2V
1,55V
1,3V
800V
1800V
1500V
20 A
400 A
6,5 A
2,15
1,9V
2,6V
250ns
2200ns
600ns
1000V
400V
400V
1200V
1A
8A
16 A
30 A
1,7V
1,25V
1,5V
2,25V
50ns
50ns
35ns
70ns
35V
40V
45V
8A
3A
60 A
0,41V
0.52V
0,67V
Tabela 7.1
VRSM
VR ou PIV
VF
IFSM
IFM ou IFRM
IF ou IFAV
IFRMS
i2 t
IR
trr
IRM
Qrr
____________________________________________________________59/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
PTOT
TJ
Rthjc ou RJC
rT
CT
LS
Capacitncia de juno.
Indutncia srie.
____________________________________________________________60/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
8. TIRISTORES
8.1 O SCR
O SCR Silicon Controled Rectifier o mais antigo dispositivo semicondutor de
potncia, possui construo simples, ainda hoje o dispositivo capaz de
manipular as mais altas potncias. possvel encontrar no mercado dispositivos
que podem suportar vrios Kilovolts e vrios Kiloampres. Entretanto, como
mencionado na tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.
A figura seguinte mostra o smbolo do SCR, juntamente com sua caracterstica
esttica (idealizada).
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________62/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Cdigo
VRRM /
VDRM
ITAV
VT
tq
Tiristores de linha
30TPS16
180RKI80
ST1230C16
1600V
800V
1600V
20 A
180 A
1745 A
1,3V
1,35V
1,62V
110 s
100 s
200 s
Tiristores Rpidos
IRFK7212
SKFH150/8
1200V
800V
71 A
150 A
2,40V
2,45V
25
20
Tabela 8.1
VRRM
VRSM
VR
VT
(dv/dt)cr
ITSM
ITM ou ITRM
IT ou ITAV
ITRMS
i2 t
____________________________________________________________64/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
IR
IRD
IL
IH
(di / dt) cr
tq
Tempo de comutao
tgr
td ou tgd
tr ou tgr
tON ou tgt
Tempo de ligamento
trr
IRM
Qrr
PTOT ou PD(AV)
Tj
rT
IGT
VGT
VGRM
Rthjc ou R
JC
IGD
VGD
PGM
PG(AV)
IGTM ou IGSM
Corrente de gate
____________________________________________________________65/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
8.2 TRIAC
O TRIAC Thyristor AC pode ser interpretado como a conexo de dois SCRs
em anti-paralelo. O componente bidirecional em corrente e tenso, possuindo
os terminais de carga MT1 e MT2 (MT = Main Terminal), bem como o terminal de
gate.
O maior problema do TRIAC que sua capacidade de dv/dt muito baixa,
tipicamente 5 a 20V / s, contra 100 a 1000 V/ s nos SCRs. Alm disso,
somente esto disponveis dispositivos para correntes de apenas
aproximadamente 40 Arms. Esses fatores seriamente limitam sua capacidade de
controle de potncia, mas no impedem sua ampla e difundida utilizao em
aplicaes CA de baixa potncia.
A figura seguinte mostra o smbolo do TRIAC, juntamente com sua caracterstica
esttica idealizada. Como pode ser observado, um dispositivo que opera em
todos os quadrantes do plano v x i. Sendo um tiristor, possui caracterstica de
travamento, isto , uma vez em conduo a corrente de gate pode ser retirada.
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
VRRM /
VDRM
400V
800V
600V
ITRMS
VT
dv/dt(cr)
6A
12 A
30 A
2v
1,55V
1,6V
10 V/ s
5V/ s
20V/ s
Tabela 9.2
____________________________________________________________67/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
9. CHAVES CONTROLVEIS
As chaves controlveis possuem o disparo e o bloqueio controlveis atravs de
um terminal apropriado. Na prtica, as chaves apresentam tempos de ligamento e
desligamento no nulos, quedas de tenso no estado de conduo e corrente de
fuga no estado de bloqueio. Esses fatores fazem com que ocorram perdas de
energia no dispositivo tanto no estado de conduo quanto durante as
comutaes. Normalmente, as perdas causadas pelas correntes de fuga so
pequenas e por isso desconsideradas. Outro aspecto no ideal que certa
potncia necessria para comandar o dispositivo, chegando a ser um problema
em certos dispositivos semicondutores.
9.1 GTO
O GTO um tiristor que possui capacidade de desligamento atravs do terminal
de gate. Seus smbolos mais comuns e sua caracterstica esttica v x i idealizada
esto mostrados na figura seguinte.
a) GTO
b) Caracterstica Esttica
Assim como o SCR, basta um pulso de corrente positiva em seu gate para o
ligamento, o qual mantido mesmo aps retirada a corrente de gate. O GTO
tambm desliga caso a corrente de anodo caia abaixo do valor mnimo de
manuteno (IH) .
Para efetuar o desligamento do GTO, um pulso de corrente negativa deve ser
aplicado no gate. Embora o GTO no necessite de circuitos de comutao
forada como os SCRs, a corrente que deve ser aplicada ao gate para efetuar o
desligamento grande, apenas de 2 a 5 vezes menor do que a corrente de anodo
a ser comutada. Isto faz com que os circuitos de acionamento de gate sejam
maiores, mais complexos e mais caros, o que uma sria desvantagem. Alm
disso, os GTOs no toleram altas taxas de crescimento de tenso (dv/dt), o que
traz a necessidade da utilizao obrigatria de circuitos snubbers de
desligamento. A partir de certo valor da corrente de anodo, o controle do
desligamento pelo gate perdido, portanto cuidados devem ser tomados para que
sobrecorrentes no estejam presentes. Em outras palavras: o GTO capaz de
suportar surtos de corrente mas no capaz de cort-los atravs do gate. A
capacidade de bloqueio de tenso no sentido reverso muito pequena, isto , o
GTO praticamente no capaz de bloquear tenses negativas.
____________________________________________________________68/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
A queda de tenso direta dos GTO ligeiramente maior do que a dos SCRs (de
2v a 3v), e a capacidade de controle de potncia quase to elevada quanto:
existem GTOs capazes de bloquear vrios Kilovolts e conduzir vrios
kiloampres. Os tempos de desligamento so menores do que o dos SCRs
(tipicamente de 5 a 25 s), de maneira que os GTOs podem operar em
freqncias maiores.
Devido a essas caractersticas, os GTOs somente so utilizados em aplicaes
de altssimas potncias (vrios MVA), como em choppers e inversores trifsicos
para trao eltrica, por exemplo.
A tabela seguinte ilustra resumidamente as caractersticas de alguns dispositivos.
Cdigo
FG1000BV-90BA
FG6000AU-120D
VDRM
4500V
6000V
ITAV
400 A
1500A
Tabela 9.1
VT
4V
6V
tq
20 s
30 s
dv/dt(cr)
1000V/ s
1000V/ s
Os terminais do IGBT so: gate, coletor e emissor. Como pode ser notado nos
smbolos, o IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de controle (gate)
____________________________________________________________69/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Figura 9.3
Cauda de
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
td(on)
tr
td (off)
tf
Qg
Qge
Carga gate-emissor
Qgc
Carga gate-coletor
Ciss
Capacitncia de entrada
Coss
Capacitncia de sada
Crss
LCE
Indutncia interna
Temperatura da pastilha
JC
TJ
IGBT
BIPOLAR
GTO
COMANDADO
POR:
TENSO
TENSO
CORRENTE
CORRENTE
POTNCIA
NECESSRIA
PARA
COMANDAR
MNIMA
MNIMA
ELEVADA
ELEVADA
COMPLEXO
elevadas
correntes de
base positivas e
negativas
COMPLEXO
elevados
pulsos de
corrente
positivas e
negativas
CIRCUITO DE
COMANDO
SIMPLES
SIMPLES
CAPACIDADE
DE CORRENTE
ELEVADA em
baixas tenses
BAIXA em altas
tenses
MDIA/ALTA
pequeno
compromisso com os
tempos de
comutao
PERDAS POR
COMUTAO
MUITO BAIXAS
BAIXA/MDIA
depende do
compromisso com as
perdas de conduo
MDIA
severo
compromisso
com os tempos
de comutao
MDIA/ALTA
depende do
compromisso
Com as perdas
de conduo
MUITO ALTA
____________________________________________________________72/142
ALTA
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
VELOCIDADE
DE
CHAVEAMENTO
MUITO ALTA
ALTA
MDIA/ALTA
Tabela 9.3
____________________________________________________________73/142
BAIXA
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
10. UJT
O transistor unijuno, ou diodo de dupla base, um dispositivo semicondutor
que possui uma juno PN com uma base de baixa dopagem e alta resistividade
como mostra a figura seguinte. Devido ao seu comportamento bi estvel,
utilizado com freqncia em circuitos geradores de pulso, sincronismo,
temporizadores, etc.
1
Figura 10.1 1 = Estrutura 2 = Smbolo
A base, de material N, tem dois terminais (B1 E B2) e que, por estar pouco
dopada, apresenta uma alta resistncia (de 5 a 10k). Aplica-se, normalmente,
entre B2 E B1 uma polarizao VBB. A camada P chamada de emissor (E) e o
circuito equivalente deste dispositivo est mostrado na figura seguinte.
Com o emissor aberto, temos uma tenso V1 sobre RB1, dada por:
____________________________________________________________74/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
V1 = RB1/ RB1 + RB2 . VBB; onde = RB1 /RB1 + RB2 . ou, V1 = VBB.
O parmetro caracterstico do UJT e tem seu valor normalmente prximo de
0,5. Aplicando-se agora uma tenso positiva no emissor, o diodo permanecer
cortado at um valor mximo VE = VP = VI + Vf . A partir deste valor o diodo
comea a conduzir e a injetar corrente na regio de base. Isto faz com que sejam
criados portadores (lacunas e eltrons) nesta regio e seja reduzida a resistncia
RB1. Esta reduo de RB1 ser tanto maior quanto maior for a corrente injetada na
regio da base.
Estando o diodo injetando corrente na regio de base a tenso VE pode ser
reduzida sem que o mesmo pare de conduzir. Ao menor valor de VE que ainda
mantm a injeo de corrente chamamos Vmin. Tenses de emissor inferiores a
Vmin, levam interrupo da corrente e, conseqentemente, cortam a conduo
do UJT.
Resumindo, o UJT possui dois estados distintos: CONDUO e CORTE. Para
cada um destes estados podemos construir um circuito equivalente.
____________________________________________________________75/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________76/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
f = _________1_________
1_
RVC ln
1-
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
O pulso de curta durao que aparece em B1, pode ser ligado diretamente no
gatilho do tiristor a ser disparado, ou ento atravs de um transformador de
pulsos, como mostrado a seguir.
Figura 11.8
10.2 GERADOR
ALIMENTAO
DE
PULSOS
SINCRONIZADO
COM
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________79/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Figura 10.10 - Formas de onda sobre Vz, VE, no tiristor (TH) e na carga, RL
____________________________________________________________80/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________81/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________82/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Pelo grfico da figura, quando a variao de tempo for de 0,1s (por exemplo, de
0s a 0,1s ou de 0,2s a 0,3s), a variao de tenso ser sempre a mesma (0,1V).
Um capacitor regido pela expresso:
iC = C. _dv_
dt
____________________________________________________________84/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
6
IC = 1x10 x 100x100,1x10-3
IC = C. dv
dt
Ic = 1mA
De tudo isso, conclui-se que, se a corrente que flui pelo capacitor for constante, a
variao de tenso ser proporcional variao do tempo, ou seja:
IC = C. dv
dt
dv = IC . dt
C
VCCint . K
RR
ICR
.t
CR
e CR = 0,1 F, tem-se:
ICR = 3,1 x 1,1
3
100 x 10
ICR = 34,1 A
____________________________________________________________85/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
VCR = ICR . t
CR
VCR = 34,1x10 . t
6
0,1x10-
VCR = 341.t
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
C12
= 620 s/nF 30 s
93 s
180 -
Tabela 11.1
Com o pino 12 aberto, assim que a rampa se igualar tenso de controle (pino
11), ser acoplado um pulso de durao
= 30 s na sada Q 2 (pino 15), se a
tenso da rede estiver no semiciclo positivo. Caso a tenso da rede esteja no
semiciclo negativo, o pulso ser acoplado na sada Q1 (pino14).
Se o pino 12 estiver curto-circuitado terra, a largura dos pulsos ser fixa,
estendendo-se do instante do disparo at o incio do prximo semiciclo. Com isso,
consegue-se um pulso longo, de durao 180 - , que utilizado para garantir o
disparo do tiristor em aplicaes com carga indutiva.
Para cada valor de C12 mostrado na tabela, tem-se pulsos com outras duraes,
dadas pelo parmetro .
A figura seguinte mostra a formao dos pulsos em duas opes de durao dos
mesmos.
____________________________________________________________87/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Exemplo
____________________________________________________________88/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
.t
VCRmax = 177234.ICR
Mas,
ICR = VCCint . K
RR
ICR = 34,1A
Assim:
VCRmax = 177234.ICR
VCRmax = 6V
t0 = 3,5x47x10-9
34,1X10-6
t0 = 4,82ms
____________________________________________________________89/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________90/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
A idia que um alarme, que indique uma condio defeituosa, possa atuar no
pino 6 do TCA785, evitando causar maiores danos ao equipamento ou ao
sistema.
A condio de bloqueio no pino 6 pode ser feita com uma chave de operao
manual, comum contato de rel ou ainda, usando a sada de um transistor NPN.
Exemplo
A figura seguinte mostra um circuito para o bloqueio das sadas do TCA785 com
transistor NPN.
BC547
min = 125
VCEsat 0,25
IB = 5 - 0,7
RB
IB = 4,3
RB
min
. IB
ICmin = 125x11x10-6
ICmin = 1,38mA
RCmin = 5 0,25
1,38x10-3
RCmin = 3.442
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
12. RETIFICADORES
Desta forma, a tenso sobre a carga composta por pores das tenses faseneutro. Como os catodos dos diodos esto unidos, ou seja, esto no mesmo
potencial, conduzir aquele que tiver a maior tenso em seu anodo,
conseqentemente colocando este potencial em seu catodo e forando os outros
dois diodos a se bloquearem.
A figura seguinte mostra as formas de onda das tenses trIfsicas RN,SN,TN
juntamente com a tenso de sada do retificador. Como as tenses trifsicas so
defasadas entre si 120, a cada instante apenas uma delas mais positiva do que
as outras. Por exemplo: quando a tenso da fase R a mais positiva, o diodo D1
conduz. No instante em que a tenso da fase S supera a amplitude da tenso RN,
D2 entra em conduo forando D1 ao corte, e assim por diante.
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
5
/6
V FN max sen(
t)dt
/6
Que resulta em :
VOmed = 1,17 . V FNrms
____________________________________________________________95/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
2 . VFFrms
3 . VFNrms.
____________________________________________________________96/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________97/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Figura 12.5 Formas de onda do circuito da figura anterior
2 . VFFrms
V Omed
R
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________99/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Conduo Descontnua
Conduo Contnua
____________________________________________________________100/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
12.2.2 RETIFICADOR
CONTROLADO
TRIFSICO
ONDA
COMPLETA
TOTALMENTE
____________________________________________________________101/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________102/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
policatdico
poliandico
____________________________________________________________103/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________104/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Figura 12.14 - Pulsos de disparo dos tiristores
____________________________________________________________105/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
13. INVERSORES
Os conversores CC - CA ou Inversores so utilizados para obter em sua sada
uma tenso CA varivel e/ou regulada a partir de uma fonte CC de entrada, como
ilustrado na figura seguinte.
____________________________________________________________106/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________107/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Quadrantes de Operao
De um modo geral, a corrente de sada de um inversor VSI no estar em fase
com a tenso gerada, possivelmente pela carga possuir uma parcela indutiva ou
caractersticas no lineares.
b) Quadrantes de operao
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________109/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________110/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________111/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
vo
io
Chaves em
Conduo
Fluxo de Energia
____________________________________________________________112/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
1
+E
T1, T4
Fonte Carga
+E
D1, D4
Carga Fonte
-E
T2, T3
Fonte Carga
-E
D2, D3
Carga Fonte
Recirculando
Recirculando
Tabela 13.1
F
Figura 13.9 Tenso e corrente na carga
Operao em Phase-Shift
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
A figura a mostra a forma de onda da tenso PWM (3 nveis), juntamente com sua
componente fundamental. A figura b mostra a forma de onda de corrente para
uma freqncia de chaveamento maior.
As configuraes assumidas so as indicadas na tabela 13.1. Sendo a freqncia
de chaveamento maior, essas configuraes se alternaro tambm com maior
freqncia.
____________________________________________________________114/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Configurao
vo
io
Chaves em
Conduo
Fluxo de Energia
+E/2
T1
Fonte Carga
+E/2
D1
Carga Fonte
-E/2
T2
Fonte Carga
-E/2
D2
Carga Fonte
Tabela 13.2
____________________________________________________________115/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Configurao
vo
io
Chaves em Conduo
Fluxo de Energia
+n.E
T1
Fonte Carga
+n.E
D1
Carga Fonte
-n.E
T2
Fonte Carga
-n.E
D2
Carga Fonte
Tabela 14.3
____________________________________________________________116/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________117/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________118/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Caractersticas
Motor
assncrono
Motor DC
Motor
sncrono
____________________________________________________________119/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
CA
CA
Potncia [kW]
7,5
8,3
7,5
Rotao [rpm]
2900
3200
3000
Tipo/Tamanho
DFV132M2
GFVN 160N
DFY 112ML
Proteo
IP 54
IP 44
IP 65
Ventilao
Ventilador
Ventilador
Superfcie
Comprimento[mm]
400
625
390
Peso Total[Kg]
66
105
38,6
Peso do rotor[kg]
17
29
8,2
Jmot[10 kgm ]
280
496
87,4
Torque Nominal[Nm]
24,7
24,7
24
Torque mximo
2,6.MN/1,8.MN
1,6.MN
3.MN
Acel. Ang.Max.[1/s ]
1588
797
8238
Mx.Perf.Din.[%]
20
10
100
Tempo de Acel.[ms]
191
420
38
-4
Tabela 14.1
Figura 14.1
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
____________________________________________________________121/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Figura 14.3 Descrio do processo PWM senoidal
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
P = M(Nm) x n(rpm)
9550
P = 13 x 2100/9550
P = 2,9kW
Cn/Cmx = 3
Cmx = 51Nm
____________________________________________________________123/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Cn = 17Nm
Portanto, na faixa de100 a 1700 rpm o motor pode fornecer Cn = 17Nm e Cmx =
51Nm, satisfazendo a aplicao.
Para 60Hz:
Cn = 17Nm e Cmx = 51Nm
Para 74Hz,
Cn = Cn(60Hz) x 60/74
Cn = 17 x 0,81
Cn = 14Nm
Cmx = Cmx(60Hz) x (60/74)2
Cmx = 51 x 0,65574
Cmx = 34
Portanto, o conversor pode fornecer, na faixa de trabalho de3,5 a 60 Hz e de 60 a
74Hz, o conjugado exigido pela carga que de 13Nm.
aproximadamente 2 ms
____________________________________________________________124/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Caractersticas
Preciso de rotao
muito bom
Controle de torque
no
Sim
Tipos de acionamentos
individual ou em grupo
acionamentos individuais
Conversores MOVIDRIVE
e MOVIDRIVE Compact
MDF, MDV
MCF, MCV
MDV, MDS
MCV, MCS
Tabela 14.2
____________________________________________________________125/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Figura 14.5
____________________________________________________________126/142
Eletrnica Industrial
____________________________________________________________
Num comparativo entre os dois modos de controle (VFC & CFC) ambos vetoriais
em malha fechada (com realimentao atravs de enconder) pode-se notar
claramente a evoluo em dinmica proporcionada pelo modo de controle CFC
(Controle de Fluxo por Corrente).
Figura 14.6 Tempo de resposta de torque no motor modo VFC x modo CFC
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Eletrnica Industrial
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e motores SEW-EURODRIVE
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Eletrnica Industrial
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____________________________________________________________129/142
Eletrnica Industrial
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166
A( )
12V
100
C( )
4,5V
DISC
MEN
DISC
MEN
12V
DZ1
5,2V
1W
84
78
B( )
D( )
12V
4,5V
DISC
MEN
100
12V
DZ1
3.9V
1W
DISC
MEN
D1 1N4001
Eletrnica Industrial
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4 : 1
120V
60 Hz
200
DZ1
12V
100
VAC
chave
Motor
universal
Analise o circuito e tente entender como este circuito controla a potncia entregue
ao motor, ou a outra carga qualquer?
Ser que este circuito simples pode controlar a velocidade de um motor de
corrente contnua?
Por que este circuito no funciona se o motor for do tipo de induo?
Eletrnica Industrial
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Vcc
3
Q1
rel
A) IGBT
B) GTO
C) TRIAC
D) FET DE POTNCIA
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Eletrnica Industrial
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T1
R
____________________________________________________________133/142
Eletrnica Industrial
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T1
R
Th
Eletrodo
+
Th
Th
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Eletrnica Industrial
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12V 6W
CH1
12V
5K6
Q1
CH2
3,3 F
TIC 106
Q2
5K6
TIC 106
1K
1K
____________________________________________________________135/142
Eletrnica Industrial
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127V/100w
Rede
127Vac
CH1
TIC106
220
1k
127V/100w
CH1
D1
Rede
127Vac
TIC106B
220
1k
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Eletrnica Industrial
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D2
127V/100w
F = 2A
Rede
127Vac
CH1
TIC106B
180
D4
D3
1k
D1
D2
CH1
F = 2A
Rede
127Vac
TIC106B
180
127V/100W
D4
D3
1k
____________________________________________________________137/142
Eletrnica Industrial
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127V/100W
1K
D1
180
TIC106B
Rede
127Vac
Q2
TIC106B
Q1
D2
1K
127V/100W
CH
Rede
127Vac
Q1
TIC226B
100
100
0,1 F
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Eletrnica Industrial
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220V
M
OSCILADOR
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Eletrnica Industrial
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Referncias
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