PB PPGEE M Dreher, Jacson Rodrigo 2012

UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN
CAMPUS PATO BRANCO

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
PPGEE
JACSON RODRIGO DREHER
CONVERSORES BOOST-FLYBACK INTEGRADOS PARA

APLICAES COM ALTO GANHO DE TENSO
DISSERTAO DE MESTRADO
PATO BRANCO
2012
JACSON RODRIGO DREHER
CONVERSORES BOOST-FLYBACK INTEGRADOS PARA

APLICAES COM ALTO GANHO DE TENSO
Dissertao apresentada ao Programa de

Ps-Graduao em Engenharia Eltrica
da Universidade Tecnolgica Federal do
Paran como requisito parcial para
obteno do ttulo de Mestre em
Engenharia
Eltrica
rea
de
concentrao:
Sistemas
e
Processamento de Energia.
Orientador: Prof. Mrio Lcio da Silva
Martins, Dr.
PATO BRANCO
2012
Catalogao na Fonte por Elda Lopes Lira CRB9/1295
D771c
Dreher, Jacson Rodrigo

Conversores boost-flyback integrados para aplicaes com alto ganho de
tenso / Jacson Rodrigo Dreher 2012.
186 f. : il.; 30 cm.
Orientador: Mrio Lcio da Silva Martins
Dissertao (Mestrado) - Universidade Tecnolgica Federal do Paran.
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica. Pato Branco/PR, 2012.
Bibliografia: f. 182-186
1.Boost. 2.Flyback. 3.Ganho esttico. 4.Eficincia. 5.Clulas fotovoltaicas.
I.Martins, Mrio Lcio da Silva, orient. II.Universidade Tecnolgica Federal do
Paran. Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica. III. Ttulo.
CDD(22. ed.) 621.3
A minha esposa, aos meus filhos Isadora

e Heitor, que sempre foram minha
inspirao e fora.
AGRADECIMENTOS
Esta a hora de lembrar-se das pessoas que fizeram diferena durante a

realizao deste trabalho. Gostaria de agradecer a todos que de alguma forma
deram sua contribuio, mas principalmente:
Ao Prof. Dr. Mrio Lcio da Silva Martins que me orientou e no mediu
esforos nos momentos decisivos.
A minha me pelo auxlio fundamental durante a trajetria do trabalho.
Ao Instituto Federal de Santa Catarina pela liberao que permitiu a
realizao deste mestrado e por permitir a utilizao dos laboratrios.
Aos colegas do laboratrio e de trabalho que de alguma forma sempre
colaboraram.
A UTFPR pela oportunidade de aprofundar os meus estudos.
E a todos os demais que por algum motivo ajudaram na realizao desta
pesquisa.
Ao CNPq, CAPES, SETI, ao IFSC e a UTFPR pelo apoio financeiro.
RESUMO
DREHER, Jacson R. Conversores boost-flyback integrados para aplicaes

com alto ganho de tenso. 2012. 186. Dissertao (Mestrado em Engenharia
Eltrica) - Universidade Tecnolgica Federal do Paran. Pato Branco, 2012.
A crescente demanda energtica mundial um dos principais problemas a

ser enfrentado pela sociedade, uma vez que, a produo de energia eltrica na
atualidade tem sua base em combustveis fsseis, os quais possuem reservas no
perenes e seus efeitos malficos ao meio ambiente tem causado um impacto muito
grande na natureza. Estes fatores tm incentivado a busca por alternativas para
produo de energia eltrica a partir de fontes renovveis, principalmente em
unidades de Gerao Distribuda. A energia solar fotovoltaica se destaca neste
contexto principalmente por sua flexibilidade quanto potncia e o ponto de
conexo dos geradores, indo ao encontro do conceito de Gerao Distribuda.
Visando a expanso do emprego de geradores fotovoltaicos a reduo do custo da
energia gerada fundamental, para tanto se deve conceber conversores eletrnicos
capazes de adequar a energia CC produzida pelos geradores para que esta seja
diretamente injetada na rede eltrica CA. No caso de geradores com um nico
mdulo fotovoltaico, tem-se a oportunidade de extrair a mxima potncia gerada
pelo mesmo evitando-se problemas de sombreamento e dissimilaridades entre
mdulos, todavia o emprego de conversores eletrnicos com alto ganho de tenso
com a maior eficincia possvel imprescindvel. Nesta dissertao proposta uma
nova metodologia de integrao de conversores estticos, permitindo que novos
conversores estticos no isolados com alto ganho de tenso sejam derivados. Esta
metodologia baseia-se no emprego de indutores acoplados que so compartilhados
pelos conversores integrados e cujas sees e terminais so associados de modo
que a topologia resultante possua um ganho de tenso que corresponde a soma dos
ganhos individuais de cada conversor. Como exemplo e estudo de caso analisada
a integrao dos conversores boost e flyback. So apresentados os modos de
operao e as principais caractersticas dos conversores boost-flyback derivados
neste trabalho, bem como uma metodologia de projeto para os circuitos e resultados
experimentais. Os prottipos avaliados em laboratrio mostram que os conversores
boost-flyback derivados operando com ganho esttico de dez vezes podem obter
eficincia superior a 90% quando aplicados em um painel fotovoltaico de 200W.
Palavras-chave: Boost. Flyback. Ganho esttico. Eficincia. Clulas fotovoltaicas
ABSTRACT
DREHER, Jacson R. Integrated boost-flyback converters for applications with

high voltage gain. 2012. 186. Dissertation (Master in Electrical Engineering) Federal Technology University - Parana. Pato Branco, 2012.
World increasing demand for energy is one of the most challenging problems to be
faced by societies in the near future. And it is getting worst because the fossil fuels
retain the majority of the world energy share. Besides the risk of outage caused by
the depletion of fossil fuel sources, their side effects on the environment have
causing a huge impact on the environment. These issues have motivating the search
for renewable sources of energy, mainly in distributed generation units. In the
renewable resources scenario, the photovoltaic energy has a major role due to its
advantages, such as its power flexibility and easy on site placement of generators,
which is very favorable for Distributed Generators Systems. Aiming to ensure the
worldwide applications of PV systems, it is required to lower the PV energy cost per
watt, which can be achieved with more efficient power processing systems that are
used to convert the DC power produced by the PV modules in AC power to be
injected to the grid. In systems with a power converter per PV module the best
performance of the module is achieved in terms of energy efficiency, avoiding
shadowing and aging dissimilarity problems that may plague PV generators with a
large amount of PV modules. However, to achieve such benefits, power converters
with high efficiency and large conversion range are required. In this dissertation it is
proposed a novel methodology to synthesize integrated non-isolated DC/DC power
converters with wide conversion range. This methodology is based on the use of
coupled inductors to integrate the input sections of two power converters, meanwhile
their output sections are associated in either, series, parallel or cascade
configuration, yielding in a conversion ratio that is the sum of the individual integrated
converters. As a case study, the integrated boost-flyback topologies are analyzed.
Their modes of operation, chief characteristics as well as design rules are discussed.
The analyses are validated by means of experimental results obtained from three
laboratory prototypes. The prototypes operate with conversion ratio greater than ten
times and the efficiency achiever is higher than 90% when designed for a 200W PV
module.
Keywords: Boost. Flyback. Voltage conversion ratio. Efficiency. Photovoltaic Cells.
LISTA DE ILUSTRAES
Figura 1 - Cenrio energtico mundial. (a) Matriz energtica; (b) Curvas de depleo
das reservas energticas. Fonte: Adaptado de [5]. ................................................... 20
Figura 2 - Diagrama de uma microrrede tpica incluindo as cargas locais, os
geradores distribudos (GD) e os dispositivos de armazenamento de energia (AD).
Fonte: Adaptado de [8]. ............................................................................................. 21
Figura 3 Corrente versus tenso de uma clula fotovoltaica. (a) Para diferentes
valores de irradiao. (b) Para diferentes valores de temperatura. ........................... 23
Figura 4 Configuraes de sistemas fotovoltaicos. (a) Inversor central; (b) Inversor
multi-linhas; (c) Inversor linha; (d) Inversor integrado. .............................................. 25
Figura 5 Sistema fotovoltaico monofsico distribudo conectado a rede. ............... 26
Figura 6 Conversor boost. (a) Circuito equivalente com MOSFET em conduo; (b)
Circuito equivalente com MOSFET em bloqueio; (c) Modelo mdio [22]. ................. 27
Figura 7 Influncia do RSE no conversor boost, considerando uma razo terica
RSE/R = 0,028. (a) Ganho de tenso e (b) eficincia do conversor boost em funo
da razo cclica. ........................................................................................................ 29
Figura 8 Conversor CC-CC Boost com mltiplos estgios em cascata. ................. 38
Figura 9 Conversores boost com estgios em cascata integrados. (a) Conversor
com mltiplos estgios. (b) Boost quadrtico. ........................................................... 39
Figura 10 Conversores boost com estgios em srie. (a) Boost trs nveis. (b)
Boost trs nveis com um nico indutor de entrada................................................... 40
Figura 11 Retificador Cockcroft-Walton .................................................................. 40
Figura 12 Conversores boost com clulas dobradoras de tenso. (a) Adaptado de
[47]; (b) Ref. [33]; (c) Ref. [34]. .................................................................................. 41
Figura 13 Conversor SEPIC. (a) Topologia convencional. (b) Topologia com
circuito de elevao de tenso (self-lift). (c) Malha com tenso mdia nula. (d) N
com corrente mdia nula. .......................................................................................... 42
Figura 14 Clula super-elevadora para conversores CC-CC. (a) Tipo 1. (b)
Aplicada ao conversor SEPIC. (c) Mltiplas clulas elevadoras aplicadas ao SEPIC.
.................................................................................................................................. 43
Figura 15 Clula super-elevadora. (a) Aplicada individualmente. (b) Mltiplas
clulas integradas. .................................................................................................... 44
Figura 16 Conversores com indutor acoplado. (a) Conversor boost. (b) Conversor
boost-flyback. (c) Conversor boost-flyback com sada em ponte-completa. ............. 45
Figura 17 Conversores com indutor acoplado e grampeamento passivo. (a)
Conversor boost. (b) Conversor buckboost. .............................................................. 46
Figura 18 Conversores integrados. (a) Circuito dos conversores. (b) Circuito
integrado. .................................................................................................................. 46
Figura 19 Circuitos derivados da integrao. (a) Com retificador em ponte. (b) Com
mltiplas sadas......................................................................................................... 47
Figura 20 - Sees de um conversor CC-CC ............................................................ 48
Figura 21 - Conversores CC-CC bsicos: (a) buck, (b) boost, (c) buckboost, (d) Cuk,
(e) Zeta e (f) SEPIC................................................................................................... 49
Figura 22 - Configuraes permitidas para seo de entrada: (a) fonte de tenso em

srie com chave ou (b) fonte de corrente em paralelo com chave. ........................... 50
Figura 23 Derivao de fontes: (a) fontes de tenso e corrente em srie, (b) fontes
de tenso e corrente em paralelo. ............................................................................. 51
Figura 24 - Derivao da seo de entrada: (a) seo de entrada e intermediria, (b)
alterao da posio entre a fonte de corrente e chave e em (c) degenerao das
fontes. ....................................................................................................................... 51
Figura 25 Sees de um conversor isolado ........................................................... 53
Figura 26 - Conversor isolado com as sees de entrada em paralelo e de sada em
cascata ...................................................................................................................... 53
Figura 27 Fluxograma para aplicao da Metodologia de Integrao para obteno
de conversores com elevado ganho esttico. ........................................................... 55
Figura 28 Sees de entrada boost e flyback em paralelo ..................................... 56
Figura 29 Conversores Boost e Flyback: (a) e (d) etapa de magnetizao (t0-t1); (b)
e (e) etapa de desmagnetizao (t1-t2); (c) e (f) tenso sobre os indutores. ............. 58
Figura 30 Integrao das sees de entrada. (a) Ramo comum compartilhado. (b)
Ramo da chave e do indutor do flyback reorganizado. (c) Chaves em paralelo so
integradas.................................................................................................................. 59
Figura 31 Conversores boost e flyback integrados atravs da chave. (a) Etapa de
magnetizao (t0-t1). (b) Etapa de desmagnetizao (t1-t2). ...................................... 60
Figura 32 - Integrao dos indutores dos conversores boost e flyback: (a) indutores
em paralelo e (b) substitudos por um equivalente .................................................... 62
Figura 33 Principais formas de onda de corrente: (a) no conversor boost, (b) no
conversor flyback e (c) nos conversores integrados. ................................................ 63
Figura 34 Elementos ativos do conversor integrado atravs da seo de entrada
nas etapas de: (a) magnetizao (t0-t1) e (b) desmagnetizao (t1-t2). ..................... 63
Figura 35 - Sees de sada: (a) boost e (b) flyback. ................................................ 65
Figura 36 - Associao srie das portas de sadas. Fonte: Adaptada de [44]. ......... 66
Figura 37 - Integrao das sees de sada em paralelo. (a) Os capacitores das
sees de sada so associados em paralelo. (b) Os capacitores so substitudos
por um equivalente. ................................................................................................... 67
Figura 38 - Sees de sada em paralelo com conexo do n w ao: (a)n x , (b) n u
e (c) n y. .................................................................................................................. 68
Figura 39 - Associao de conversores em cascata. ................................................ 69
Figura 40 - Associao de sees de sada em cascata. ......................................... 69
Figura 41 - Integrao cascata das sees de sada. ............................................... 69
Figura 42 - Representao N-port: (a) seo intermediria e de sada do conversor
flyback e (b) conversor com as sees de sadas boost e flyback em cascata. ........ 70
Figura 43 Elementos ativos na Topologia Boost-Flyback Srie. (a) Etapa de
magnetizao. (b) Etapa de desmagnetizao. ....................................................... 74
Figura 44 Elementos ativos no conversor Boost-Flyback Paralelo wx. (a) Etapa de
magnetizao. (b) Epata de desmagnetizao. ........................................................ 76
Figura 45 - Diodo da seo flyback em conduo..................................................... 78
Figura 46 Condies de operao do conversor Boost-Flyback Paralelo wx. (a)

tenso sobre o diodo da seo de sada flyback. (b) tenso sobre o diodo da seo
de sada boost. (c) ganho esttico de tenso. ........................................................... 78
Figura 47 Elementos ativos no conversor Boost-Flyback Paralelo wu: (a) Etapa de
magnetizao, (b) Etapa de desmagnetizao. ........................................................ 80
Figura 48 - Diodos da seo flyback em conduo. (a) N>1. (b) N<1. ...................... 81
Figura 49 Conversor Boost-Flyback Paralelo wu. (a) tenso sobre o diodo da
seo de sada flyback. (b) tenso sobre o diodo da seo de sada boost. (c) ganho
esttico de tenso. .................................................................................................... 82
Figura 50 Elementos ativos na Topologia Boost-Flyback Paralela wy. (a) Etapa de
magnetizao. (b) Etapa de desmagnetizao. ........................................................ 82
Figura 51 - Relao de espiras e ganho esttico de tenso em funo da razo
cclica. ....................................................................................................................... 84
Figura 52 (a) diodo da seo flyback em conduo e (b) diodo da seo boost. ... 84
Figura 53 Conversor operando fora da restrio: (a), (c), (e) tenso nos diodos da
seo de sada e em (b), (d), (f) ganho do conversor comparado ao boost e flyback.
.................................................................................................................................. 86
Figura 54 Elementos ativos na Topologia Boost-Flyback Cascata. (a) Etapa de
magnetizao. (b) Etapa de desmagnetizao. ....................................................... 88
Figura 55 - Estados topolgicos durante o perodo de magnetizao do conversor
boost-flyback srie. (a) Etapa 1 (t0-t1), (b) Etapa 2 (t1-t2). .......................................... 93
Figura 56 - Estados topolgicos durante o intervalo de desmagnetizao do
conversor boost-flyback srie. (a) Etapa 3 (t2-t3); (b) Etapa 4 (t3-TS)......................... 97
Figura 57 - Principais formas de onda no conversor Boost-Flyback Srie durante um
perodo de chaveamento. .......................................................................................... 98
Figura 58 Ganho esttico. (a) Seo boost e Seo flyback (Lo2=0), (b) Seo
boost (N=10); (c) Seo flyback (N=10), (d) Conversor boost-flyback srie (N=10);
(e) Conversor boost-flyback srie (Lo2=0)................................................................ 102
Figura 59 - Limite de operao: (a) razo cclica em funo da relao de
transformao e (b) ganho em funo da razo-cclica. ......................................... 105
Figura 60 Esforos de corrente em funo de D e N: (a) corrente eficaz na chave,
(b) corrente eficaz no primrio do indutor acoplado, (c) corrente eficaz no secundrio
do indutor acoplado, (d) corrente mdia no diodo boost e (e) corrente mdia no diodo
flyback. .................................................................................................................... 113
Figura 61 Tenso mxima sobre os semicondutores em funo da razo cclica
para diferentes relaes de transformao do indutor acoplado: (a) na chave, (b) no
diodo da seo de sada boost e (c) no diodo da seo de sada flyback. ............. 115
Figura 62 - Estados topolgicos durante o intervalo de magnetizao do conversor
boost-flyback paralelo wx. (a) Etapa 1 (t0-t1). (b) Etapa 2 (t1-t2). ............................. 121
conversor boost-flyback paralelo wx. (a) Etapa 3 (t2-t3). (b) Etapa 4 (t3-TS). ........... 125
Figura 64 - Principais formas de onda no conversor boost-flyback paralelo xw
durante um perodo de chaveamento...................................................................... 126
Figura 65 Ganho esttico: (a) para N=10 e diferentes valores de Lo2, (b) para Lo2=0
e diferentes valores de N. ....................................................................................... 128
Figura 66 - Limite de operao: (a) razo cclica em funo da relao de

transformao e (b) ganho em funo da razo cclica. .......................................... 130
Figura 67 Esforos de corrente em funo de D e N: (a) corrente eficaz na chave,
(b) corrente eficaz no primrio do indutor acoplado, (c) corrente eficaz no secundrio
do indutor acoplado, (d) corrente mdia no diodo boost e (e) corrente mdia no diodo
flyback. .................................................................................................................... 137
Figura 68 Tenso mxima sobre os semicondutores em funo da razo-cclica
para diferentes relaes de transformao do indutor acoplado: (a) na chave, (b) no
diodo da seo de sada boost e (c) no diodo da seo de sada flyback. ............. 140
Figura 69 - Estados topolgicos durante o intervalo de magnetizao do conversor
boost-flyback cascata. (a) Etapa 1 (t0-t1). (b) Etapa 2 (t1-t2). ................................... 145
conversor boost-flyback cascata. (a) Etapa 3 (t2-t3). (b) Etapa 4 (t3-TS). ................. 149
Figura 71 - Principais formas de onda no conversor Boost-Flyback Cascata durante
um perodo de chaveamento. .................................................................................. 150
Figura 72 - Curva de Corrente e Tenso em funo da irradiao solar................. 152
Figura 73 - Grfico de projeto para o conversor Boost-flyback. (a) Srie e Cascata e
(b) Paralelo. ............................................................................................................. 154
Figura 74 Perdas em conduo nos conversores Boost-Flyback Srie e Cascata:
(a) relao de transformao em funo da razo cclica, (b) tenso da seo de
sada boost, flyback e do conversor para os pares N, D, (c) Tenso nos
semicondutores em funo dos pares N, D e (d) perdas em conduo para
diferentes dispositivos. ............................................................................................ 156
Figura 75 Perdas em conduo no conversor Boost-Flyback Paralelo: (a) relao
de transformao em funo da razo cclica, (b) tenso da seo de sada do
conversor para os pares N, D, (c) Tenso nos semicondutores em funo dos pares
N, D e (d) perdas em conduo para diferentes dispositivos. ................................. 157
Figura 75 - Formas de onda experimentais do conversor Boost-Flyback Srie. (a)
Principais formas de onda de corrente; (b) Principais formas de onda de tenso... 159
Figura 77 - Formas de onda experimentais do conversor Boost-Flyback Paralelo wx.
(a) Principais formas de onda de corrente; (b) Principais formas de onda de tenso.
................................................................................................................................ 161
Figura 77 - Formas de onda experimentais do conversor Boost-Flyback Cascata. (a)
Principais formas de onda de corrente; (b) Principais formas de onda de tenso... 162
Figura 78 - Tenso de sada e razo-cclica em funo da irradiao solar. (a)
Conversor Boost-Flyback Srie; (b) Conversor Boost-Flyback Paralelo wx; (c)
Conversor Boost-Flyback Cascata. ......................................................................... 164
Figura 79 Grfico comparativo de eficincia em funo da irradiao solar. ....... 165
Figura 80 - Grfico comparativo de eficincia em funo da potncia de sada. .... 166
Figura 81 (a) Eficincia e (b) ganho esttico em funo da razo-cclica. ........... 168
Figura 82 Conversor Boost-Flyback Srie: (a) uma sada flyback, (b) nk sadas
flyback. .................................................................................................................... 170
Figura 83 - Conversor Boost-Flyback Cascata: (a) uma sada flyback, (b) nk sadas.
................................................................................................................................ 171
Figura 84 - Conversor Boost-Flyback paralelo wx: (a) com uma sada flyback e em
(b) com mltiplas sadas.......................................................................................... 172
Figura 85 - Grfico comparativo de eficincia em funo da irradiao solar. ........ 175

Figura 86 - Grfico comparativo de eficincia em funo da potncia de sada. .... 176
Figura 87 - Eficincia em funo da razo cclica. .................................................. 176
Figura 88 - Ganho esttico em funo da razo cclica. ......................................... 177
LISTA DE TABELAS
Tabela 1 - Ganho de tenso do conversor CC-CC em funo do nmero de mdulos.

.................................................................................................................................. 26
Tabela 2 - Topologias e ganhos estticos para os conversores CC-CC bsicos ...... 35
Tabela 3 - Topologias e ganhos estticos para os conversores CC-CC bsicos
isolados ..................................................................................................................... 37
Tabela 4 Fontes de tenso ou corrente das sees dos conversores CC-CC
bsicos ...................................................................................................................... 50
Tabela 5 Seo de entrada dos conversores CC-CC bsicos e a possibilidade de
integrao.................................................................................................................. 52
Tabela 6 - Topologias do conversor Boost-Flyback. ................................................. 72
Tabela 7 Restries das Topologias do conversor Boost-Flyback. ........................ 89
Tabela 8 - Tenso sobre os semicondutores do conversor Boost-Flyback Srie .... 114
Tabela 9 Parmetros de simulao. ..................................................................... 116
Tabela 10 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso da
seo de sada boost (VoB)...................................................................................... 116
Tabela 11 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso da
seo de sada flyback. ........................................................................................... 116
Tabela 12 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso de
sada do conversor. ................................................................................................. 117
Tabela 13 Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente
eficaz na chave. ...................................................................................................... 117
mdia no diodo Boost. ............................................................................................. 117
Tabela 15 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente
mdia no diodo Flyback. ......................................................................................... 117
Tabela 16 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso
mxima sobre a chave. ........................................................................................... 118
mxima sobre o diodo boost. .................................................................................. 118
mxima sobre o diodo flyback. ................................................................................ 118
Tabela 19 - Tenso sobre os semicondutores do conversor Boost-Flyback Paralelo
................................................................................................................................ 139
Tabela 20 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso de
sada do conversor. ................................................................................................. 141
eficaz na chave. ...................................................................................................... 141
mdia no diodo Boost. ............................................................................................. 141
Tabela 23 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente
mdia no diodo Flyback. ......................................................................................... 141

mxima sobre a chave. ........................................................................................... 142
mxima sobre o diodo boost. .................................................................................. 142
mxima sobre o diodo flyback. ................................................................................ 142
Tabela 27 - Caractersticas eltricas do painel solar KC-200GT (1.000W/m2). ....... 152
Tabela 28 - Pontos de mxima potncia em funo da irradiao solar ................. 153
Tabela 29 - Parmetros nominais de projeto .......................................................... 153
Tabela 30 - Caractersticas dos MOSFET's utilizados para analisar as perdas em
conduo. ................................................................................................................ 155
Tabela 31 Parmetros de projeto dos conversores boost-flyback. ....................... 158
Tabela 32 - Pontos de mxima potncia em funo da irradiao solar ................. 163
Tabela 33 Parmetros de projeto do conversor boost.......................................... 167
LISTA DE SIGLAS E ACRNIMOS
AD
CA
CC
CO2
c-Si
GD
GDs
mc-Si
MPPT
PV
PWM
RMS
RSE
sc-Si
MOSFET
Armazenamento Disperso
Corrente Alternada
Corrente Contnua
Dixido de Carbono
Silcio Cristalino
Gerao Distribuda
Geradores Distribudos
Silcio Policristalino
Maximum Power Point Tracking Rastreamento do ponto de mxima
potncia
Photovoltaic - Fotovoltaico
Pulse-Width Modulation Modulao por largura de pulso
Root Mean Square Raiz mdia quadrada
Resistncia Srie Equivalente
Silcio Monocristalino
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Transistor de efeito
de campo semicondutor xido metlico
LISTA DE SMBOLOS
Cj
D
Dj
Ij
ij
Ij(M)
Ij(m)
Ij(RMS)
Impp
k
Lj
Lkj
Mj
Nj
nj
Pmax
Capacitor (j=oB, oF, o, 1,2,3...)

Razo cclica
Diodo (j=oB, oF,1,2,3...)
Corrente mdia em um elemento/seo (j=oB, oF, o, 1,2,3...)
Corrente instantnea em um elemento/seo (j=oB, oF, o, 1,2,3...)
Valor mximo de corrente em um elemento/seco (j=oB, oF, o, 1,2,3...)
Valor mnimo de corrente em um elemento/seco (j=oB, oF, o, 1,2,3...)
Corrente eficaz em um elemento/seo (j=oB, oF, o, 1,2,3...)
Corrente no ponto de mxima potncia
Nmero de seces de sada flyback
Indutor (j=B, F, eq, 1,2,3...)
Indutncia de disperso (j=1,2,3...)
Ganho esttico de tenso (j=boost, ser, cas, par, ideal, ser5w, cas5w)
Relao de espiras no indutor acoplado (j=1,2,3...)
Nmero de espiras no enrolamento (j=1,2,3...) do indutor acoplado
Potncia mxima
Pon
RDS(on)
Rj
Rk
Si
t
T
tj
VCA
VCC
VDS
VGS
Vj
VKA
Vmpp
Wp
tj
j
Perdas em conduo
Resistncia em conduo do MOSFET
Resistor (j=oB, oF, o)
Resistncia direta do diodo
Chave ativa do conversor
Tempo
Perodo de comutao
Instatante de tempo (j=1,2,3)
Tenso em corrente alternada
Tenso em corrente contnua
Tenso entre dreno e fonte
Tenso entre gate e fonte
Tenso em um elemento/seo do circuito (j=i, oB, oF, o, 1,2)
Tenso direta no diodo
Tenso no ponto de mxima potncia
Watts de pico
Intervalo de tempo (j=1,2,3...)
Eficincia do conversor (j=boost, ser, cas, par, ideal, ser5w, cas5w)
SUMRIO
1 INTRODUO PANORAMA ENERGTICO MUNDIAL ..................................19

1.1 A ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA .............................................................21
1.1.1 Sistemas fotovoltaicos descentralizados conectados a rede ..........................23
1.1.2 Ganho esttico de tenso do estgio CC-CC. ................................................25
1.1.3 Conversores CC-CC com ganho esttico de tenso elevado. ........................29
1.2 OBJETIVOS ......................................................................................................32
1.3 ESTRUTURA DA DISSERTAO....................................................................32
2 REVISO BIBLIOGRFICA ................................................................................34
2.1 CONVERSORES ESTTICOS BSICOS ........................................................34
2.1.1 Conversores estticos bsicos no isolados ..................................................34
2.1.2 Conversores estticos com isolao galvnica...............................................36
2.2 CONVERSORES COM ELEVADO GANHO DE TENSO ...............................37
2.2.1 Conversores estticos com estgios em cascata e em srie .........................38
2.2.2 Conversores estticos baseados em circuitos dobradores de tenso ............40
2.2.3 Conversores estticos com clulas para elevao de tenso (Voltage Lift) ...41
2.2.4 Conversores estticos com indutores acoplados ............................................44
2.2.5 Conversores estticos integrados ...................................................................46
3 CONCEITO DE INTEGRAO DE CONVERSORES CC-CC BSICOS ...........48
3.1 CONVERSORES BSICOS SUBDIVIDIDOS EM SEES ..........................48
3.2 INTEGRAO DAS SEES ..........................................................................48
3.2.1 Integrao das sees de entrada ..................................................................50
3.3 CONVERSORES BSICOS VISTOS COMO CIRCUITOS COM DUAS
PORTAS ................................................................................................................52
3.4 METODOLOGIA DE INTEGRAO .................................................................54
4 INTEGRAO BOOST E FLYBACK...................................................................56
4.1 INTEGRAO DOS ELEMENTOS DAS SEES DE ENTRADA ..................56
4.1.1 Nveis de tenso nos indutores .......................................................................56
4.1.2 Integrao da chave e da fonte de entrada ....................................................59
4.1.3 Integrao dos indutores ................................................................................61
4.1.4 Ganho esttico de tenso dos conversores integrados ..................................64
4.2 ASSOCIAO DAS SEES DE SADA ........................................................65
4.2.1 Associao das sees de sada em srie .....................................................66
4.2.2 Associao das sees de sada em paralelo ................................................66
4.2.3 Associao das sees de sada em cascata ................................................68
4.3 TOPOLOGIAS DERIVADAS DA INTEGRAO DOS CONVERSORES BOOST
E FLYBACK.............................................................................................................70
4.4 LIMITES DE OPERAO DAS TOPOLOGIAS BOOST-FLYBACK .................72
4.4.1 Topologia do conversor Boost-Flyback Srie .................................................73
4.4.2 Topologias do conversor Boost-Flyback Paralelo ...........................................75

4.4.2.1 Conversor Boost-Flyback Paralelo wx ........................................................75
4.4.2.2 Conversor Boost-Flyback Paralelo wu ........................................................79
4.4.2.3 Conversor Boost-Flyback Paralelo wy ........................................................82
4.4.3 Topologia do conversor Boost-Flyback Cascata .............................................87
4.4.4 Sntese das restries de operao para as topologias integradas ................88
5 ANLISE DAS TOPOLOGIAS DO CONVERSOR BOOST-FLYBACK
INTEGRADO ...........................................................................................................90
5.1 CONVERSOR BOOST-FLYBACK SRIE ........................................................90
5.1.1 Princpio de operao em modo de conduo contnua .................................90
5.1.2 Anlise do ganho esttico ...............................................................................99
5.1.3 Anlise dos esforos de correntes nos componentes .....................................106
5.1.3.1 Esforos de corrente nos enrolamentos do indutor acoplado .....................106
5.1.3.2 Esforos de corrente no MOSFET ..............................................................109
5.1.3.3 Esforos de corrente nos diodos .................................................................110
5.1.4 Esforos de tenso nos semicondutores ........................................................114
5.1.5 Simulao do conversor .................................................................................115
5.2 CONVERSOR BOOST-FLYBACK PARALELO WX .........................................118
5.2.2 Anlise do ganho esttico ...............................................................................127
5.2.3 Anlise dos esforos de correntes nos componentes .....................................130
5.2.3.1 Esforos de corrente nos enrolamentos do indutor acoplado .....................130
5.2.3.2 Esforos de corrente no MOSFET ..............................................................134
5.2.3.3 Esforos de corrente nos diodos .................................................................135
5.2.4 Esforos de tenso nos semicondutores ........................................................138
5.2.5 Simulao do conversor .................................................................................140
5.3 CONVERSOR BOOST-FLYBACK CASCATA ..................................................142
5.4 PROJETO E ANLISE EXPERIMENTAL DOS CONVERSORES BOOSTFLYBACK INTEGRADOS .......................................................................................151
5.4.1 Dados do painel (mdulo) PV .........................................................................152
5.4.2 Especificaes de projeto ...............................................................................153
5.4.3 Metodologia de projeto ...................................................................................153
5.4.4 Resultados experimentais ...............................................................................158
5.4.4.1 Conversor Srie ..........................................................................................158
5.4.4.2 Conversor Paralelo .....................................................................................160
5.4.4.3 Conversor Cascata .....................................................................................161
5.4.5 Resultados dos conversores para variao de irradiao solar ......................163
5.4.6 Variao da Potncia de sada .......................................................................165
5.4.6.1 Eficincia e ganho esttico em funo da razo-cclica ..............................166
6 CONVERSOR BOOST-FLYBACK COM MLTIPLAS SADAS .........................169
6.1 CONCEITO DA ASSOCIAO DAS MLTIPLAS SEES DE SADA ..........169
6.2 ANLISE EXPERIMENTAL DO CONVERSOR BOOST-FLYBACK INTEGRADO

COM MULTIPLAS SADAS .....................................................................................173
6.2.1 Indutncia de magnetizao ...........................................................................173
6.2.2 Projeto do conversor boost-flyback srie e boost-flyback cascata ..................174
6.2.3 Resultados dos conversores para variao de irradiao solar ......................174
6.2.4 Variao da potncia de sada........................................................................175
6.2.5 Eficincia e ganho esttico em funo da razo cclica ..................................176
7 CONCLUSES E TRABALHOS FUTUROS .......................................................178
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS .......................................................................182
INTRODUO
19
1 INTRODUO PANORAMA ENERGTICO MUNDIAL
Nos ltimos anos o mundo tem vivenciado um aumento crescente na

demanda energtica [1]. Esta demanda decorrente de diversos fatores tais como o
aumento populacional e o maior consumo de energia tanto da indstria quanto dos
setores comerciais e residenciais [2]. Em termos gerais pode se afirmar que o
consumo de energia est diretamente relacionado ao desenvolvimento econmico e
social de um pas, uma vez que quanto mais desenvolvida a nao, maior o seu
consumo per capita de energia [3]. Todavia, pases emergentes tais como a China e
a ndia, tm apresentado um grande crescimento mdio anual na demanda
energtica [4].
Se por um lado a demanda cresce, a oferta de energia baseada em grande
parte por fontes de energia derivadas de combustveis fsseis (carvo, petrleo,
etc.), como pode ser observado na Figura 1(a) [5]. Este perfil da matriz energtica
tem motivado inmeras discusses sobre o rumo a ser tomado, uma vez que as
reservas naturais destes combustveis no so perenes, o que levar ao
esgotamento das suas reservas em um perodo de tempo que pode abranger
algumas dezenas de anos ou, em perspectivas otimistas, algumas centenas, Figura
1(b) [5].
Devido a esta perspectiva, somados os efeitos ambientais que tm sido
revelados nos ltimos anos [5], vrios trabalhos tem sido realizados visando
utilizao, a viabilidade tcnica e econmica da introduo de fontes alternativas de
energia [5]. Muitos pases desenvolvidos tm diversificado sua matriz energtica,
investindo principalmente em fontes renovveis e reduzindo o consumo de
combustveis fsseis. Isto se deve principalmente s variaes de preo destes
combustveis e a necessidade de reduo de emisses de gases causadores do
efeito estufa devido a compromissos assumidos no protocolo de Kyoto em 1992 [4].
Por outro lado, em pases como a China e ndia a fonte primria mais consumida o
carvo, transformando a China em um dos maiores emissores mundiais de CO2 e
outros gases causadores do efeito estufa [6].
Dentre as fontes alternativas, aquelas cujo recurso primrio encontra-se
disponvel na natureza de forma renovvel, tm ganhado ateno especial. Pode-se
citar como as principais fontes renovveis, a energia elica, solar, biomassa, mars,
hidroeltrica, clulas de combustvel, entre outras [7] e [8]. As energias renovveis
INTRODUO
20
podem desempenhar um papel importante e estratgico para a diversificao e

ampliao da matriz energtica mundial, e tambm para reduo das emisses de
CO2. Devido s suas caractersticas, as fontes renovveis tm sido normalmente
empregadas diretamente nas redes de distribuio em potncias inferiores a 30 MW,
atravs de gerao fotovoltaica, biomassa, pequenas hidreltricas e elicas, indo ao
encontro do conceito de Gerao Distribuda, que o emprego de diversos
geradores dispersos no sistema eltrico.
(a)
(b)
Figura 1 - Cenrio energtico mundial. (a) Matriz energtica; (b) Curvas de depleo das
reservas energticas. Fonte: Adaptado de [5].
A Gerao Distribuda de diferentes tipos de sistemas de pequena

capacidade permite a integrao de sistemas renovveis e no convencionais de
energia,
onde
os
geradores
(GDs)
pequenos
sistemas
dispersos
de
armazenamento (ADs) encontram-se distribudos entre os consumidores, reduzindo

o custo de investimentos no sistema de transmisso e distribuio [9]. Fontes de
Gerao Distribuda (GD) podem ser renovveis tais como elica, fotovoltaica, clula
de combustvel, etc., ou no renovveis provenientes de motores de combusto
interna, motores de ciclo combinado, turbinas de combusto, entre outros. Unidades
de geradores distribudos dentro de um sistema eltrico de distribuio de uma
microrrede (Figura 2) oferecem vantagens tcnicas em termos de qualidade de
energia, confiabilidade, administrao do sistema e eficincia. No sistema mostrado
na Figura 2 as fontes distribudas e os dispositivos de armazenamento devem suprir
as cargas do sistema local (microrrede), mantendo a regulao de tenso e
frequncia da rede durante uma condio no aceitvel de qualidade de energia da
rede da concessionria. Quando a energia da concessionria restabelecida, a
chave seccionadora somente pode ser fechada quando o sincronismo entre a
microrrede e a rede garantido, o que requer o constante monitoramento da tenso
INTRODUO
21
em ambos os lados da conexo. Como a fonte existente em uma unidade geradora

(GD) pode produzir eletricidade em corrente alternada com frequncia fixa, varivel,
ou em corrente contnua, torna-se necessrio existncia de um dispositivo de
interface com a rede. Esta interface pode ser um gerador sncrono, assncrono ou
um conversor esttico de potncia. Para fontes renovveis como geradores elicos
de velocidade varivel, micro turbinas e geradores fotovoltaicos, um conversor
esttico que tem como funes principais controlar a potncia ativa entregue a rede
da concessionria e tambm extrair a mxima potncia da fonte primria, usado
como dispositivo de interface com a rede.
Figura 2 - Diagrama de uma microrrede tpica incluindo as cargas locais, os geradores

distribudos (GD) e os dispositivos de armazenamento de energia (AD). Fonte: Adaptado de [8].
Dentre
as
fontes
renovveis
tecnologia
fotovoltaica
apresenta
caractersticas que favorecem a sua implantao em sistemas como o mostrado na

Figura 2. Alm de simples, pode ser instalada em qualquer lugar onde exista
irradiao solar de qualquer intensidade. Isso significa que existe um grande
potencial para a sua instalao em telhados e fachadas de edifcios pblicos e
privados, podendo ser facilmente incorporada arquitetura dos edifcios, o que
primordial para um sistema eltrico baseado em fontes distribudas aplicadas em
grandes centros urbanos.
1.1 A ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA
A energia solar o recurso de energia mais abundante da Terra. Apesar

disto, atualmente sua participao corresponde a menos de 1% da energia utilizada
para fins comerciais mundialmente [4]. Uma das maiores barreiras para a expanso
INTRODUO
22
dos sistemas fotovoltaicos o custo de implantao do sistema. A operao e

manuteno so muito menos significantes, em torno de 0,5% do capital investido
por ano. Atualmente, os mdulos fotovoltaicos representam 60% do custo total do
sistema incluindo montagem, estrutura, inversores, cabeamento e demais custos [4].
Esse custo relativamente elevado da implantao acarreta no maior custo da
energia produzida por estes sistemas quando comparado a outras fontes
renovveis. Este fator econmico torna de extrema importncia mxima eficincia
na gerao e na converso da energia eltrica produzida, fazendo com que seja
fundamental o contnuo investimento no desenvolvimento tecnolgico nos circuitos e
componentes eletrnicos destes sistemas de gerao [10].
A converso da energia solar em energia eltrica acontece por meio de uma
clula fotovoltaica. A tecnologia mais empregada na produo das clulas
fotovoltaicas o silcio cristalino. O silcio pode no ser o melhor material
semicondutor para a produo das clulas, mas o processo de fabricao
economicamente vivel em grande escala [11]. Basicamente a tecnologia do silcio
cristalino (c-Si) se subdivide em duas categorias: Silcio mono cristalino (Single
Crystalline sc-Si), que comercialmente apresentam eficincia em torno de 14 a 20%,
e silcio policristalino (multi-crystalline mc-Si) com eficincia na faixa de 13 a 15%
[12]. As clulas isoladas tm baixa capacidade de produo de energia, geralmente
apresentando tenso de 0,5V e corrente de 3A, o que resulta numa potncia de
1,5W. Estas clulas so associadas em arranjos integrados industrialmente
denominados de mdulos fotovoltaicos a fim de fornecer maior tenso (geralmente
entre 18 e 46V) e consequentemente maior potncia (geralmente entre 100 a 500
W) [13]. Como todo dispositivo feito com silcio, um mdulo fotovoltaico susceptvel
s variaes da temperatura e da irradiao solar, o que influencia nos valores de
tenso e de corrente do mdulo, conforme mostrado na Figura 3.
Com o intuito de maximizar a energia produzida e, desta forma, reduzir o
tempo de amortizao do investimento na implantao de um gerador fotovoltaico,
deve-se sempre buscar o ponto de maior potncia do mdulo, levando a uma maior
produo de energia [14]. Um circuito eletrnico (controlador) faz a busca do ponto
de mxima potncia de um mdulo ou conjunto de mdulos. Este circuito
conhecido como MPPT (Maximum Power Point Tracking). De acordo com as
mudanas climticas como irradiao solar, sombreamento ou temperatura, o
controlador deve mudar o ponto de operao do mdulo fotovoltaico para maximizar
INTRODUO
23
a energia produzida. Muitos mtodos de MPPT so mostrados na literatura, dentre

eles esto alguns como: mtodo de tenso constante, mtodo de corrente de curto
circuito, mtodo de tenso de circuito aberto, perturbao e observao,
condutncia incremental [15].
1
0.9
VARIAO DE IRRADIAO (25C)

2
1000W/m
2
0.8
VARIAO DE TEMPERATURA (1000W/m )

1
25C
0.9
90C
0.8
0.7
Corrente (A)
Corrente (A)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
2
200W/m
0.2
0.1
0
0
0.4
0.6
Tenso (V)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
2
200 W/m
0.2
0.6
0.8
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Tenso (V)
Figura 3 Corrente versus tenso de uma clula fotovoltaica. (a) Para diferentes valores de
irradiao. (b) Para diferentes valores de temperatura.
O mtodo de busca do ponto de mxima potncia de um arranjo de mdulos

pode ser comprometido caso exista a ao de sombreamento sobre o mesmo. Nesta
situao a mxima potncia do arranjo no alcanada, pois o mdulo sujeito a
menor irradiao ir limitar a potncia dos demais mdulos conectados em srie
com este [16], [17].
1.1.1 Sistemas fotovoltaicos descentralizados conectados a rede
O aumento massivo do mercado fotovoltaico no mundo se d principalmente

pelo crescimento dos sistemas conectados a rede, os quais muitas vezes no
necessitam de um sistema de armazenamento de energia, tornando o seu custo
mais atrativo e muitas vezes viabilizando a sua implantao [15].
Em meados da dcada de 1980 o mercado de sistemas fotovoltaicos
conectados a rede se desenvolveu com a tecnologia de inversor central com
aplicaes acima de 10 kW at vrios megawatts. A topologia dos inversores era
baseada em conversores para aplicaes industriais, cujos dispositivos e circuitos
INTRODUO
24
no eram otimizados para aplicaes fotovoltaicas. Em meados da dcada de 1990,

com o desenvolvimento de programas como o 1000 Roof Program na Alemanha, se
tornaram aparentes as deficincias de sistemas centralizados tais como: MPPT
centralizado reduzindo a eficincia de gerao em caso de sombreamento parcial do
arranjo; perdas e risco de arco em cabos no barramento CC; baixa expansibilidade e
capacidade de adaptao s necessidades dos clientes do sistema. Como forma de
resolver estes problemas, uma tecnologia modular foi desenvolvida com vantagens
como: reduo de custo atravs da utilizao de componentes similares; concepo
e instalao do sistema mais simples atravs da combinao de unidades padro.
Atualmente, os sistemas conectados a rede podem apresentar diferentes
configuraes. Estas configuraes podem ser comumente enquadradas em duas
categorias: os sistemas centralizados com um nico estgio de converso de
energia, denominado de inversor central, e os sistemas descentralizados os quais
empregam conversores estticos para um menor nmero de mdulos fotovoltaicos,
aumentando o nmero de circuitos e componentes eletrnicos, porm assegurando
um maior aproveitamento da energia gerada [18], [19].
Geralmente o que define a configurao a ser utilizada a potncia do
sistema de gerao. Para sistemas fotovoltaicos com gerao at 0,5kWp a
configurao utilizada inversor integrado (Module Integrated) (Figura 4(d)). Para
potncia entre 0,5kWp e 3kWp ento utilizada a configurao inversor linha (String
Inverter) (Figura 4(c)). Entre 3kWp e 10kWp a configurao inversor multi-linhas
(Multistring Inverter) (Figura 4(b)) e para potncia acima de 10kWp a configurao
inversor central (Central Inverter) (Figura 4(a)).
Em sistemas onde a tenso dos mdulos fotovoltaicos menor que o pico
da tenso da rede da concessionria necessrio que exista uma adequao dos
nveis de tenso. Esta compatibilizao pode ser feita com transformadores de linha
(60 Hz). Todavia, objetivando-se uma reduo volume e peso destes sistemas
prefervel o emprego de um estgio CC-CC para aumentar a tenso dos mdulos
fotovoltaicos, proporcionando um barramento CC com valor adequado para que o
estgio inversor seja conectado diretamente a rede. Assim, as configuraes de
inversores linha e inversores integrados podem apresentar um nico estgio de
converso de energia ou podem empregar um estgio CC-CC para elevao de
tenso e MPPT independente do estgio inversor. Os inversores multi-linhas sempre
empregam mltiplos estgios CC-CC. A utilizao de um estgio CC-CC permite
INTRODUO
25
uma melhor utilizao do estgio inversor que pode ter seus componentes
projetados de modo otimizado, uma vez que o valor da tenso do barramento CC de
um inversor tem influncia direta no projeto de seus componentes e de seu filtro.
(a)
(b)
(c)
(d)
Figura 4 Configuraes de sistemas fotovoltaicos. (a) Inversor central; (b) Inversor multilinhas; (c) Inversor linha; (d) Inversor integrado.
1.1.2 Ganho esttico de tenso do estgio CC-CC.
Um sistema fotovoltaico descentralizado conectado em uma rede de 127V

CA geralmente necessita que a tenso CC dos mdulos seja elevada para valores
em torno de 220 a 250V para a posterior converso em CA, como mostrado na
Figura 5. Os mdulos produzem tenses que se encontram entre dois intervalos
tpicos: mdulos de 36 clulas possuem tenso de sada de 18 a 26V e mdulos de
72 clulas possuem tenso de sada de 36 a 46V. Pode-se encontrar mdulos com
potncias entre 100 e 500W.
INTRODUO
26
Figura 5 Sistema fotovoltaico monofsico distribudo conectado a rede.
A Tabela 1 mostra o ganho de tenso necessrio para o conversor CC-CC

elevar a tenso dos mdulos para 250V, considerando arranjos com at trs
mdulos de 25V/200W em srie.
Analisando-se a Tabela 1 possvel inferir que maior deve ser o ganho de
tenso para um nmero menor de mdulos fotovoltaicos e que o caso mais crtico
para o arranjo com um mdulo (inversor integrado). Nestes casos, a utilizao de um
conversor boost convencional resulta em valores de razo-cclica muito elevados,
resultando em baixa eficincia na converso de energia, devido resistncia srie
equivalente (RSE) dos componentes do circuito [20].
Tabela 1 - Ganho de tenso do conversor CC-CC em funo do nmero de mdulos.
Nmero de
Tenso PV (V)
Tenso de sada do
Ganho de tenso
Potncia PV (W)
mdulos PV
conversor (V)
do conversor
1
25
250
10
200
2
50
250
5
400
3
75
250
3,42
600
A RSE funo da resistncia srie do indutor boost e das quedas de tenso

nos semicondutores, sendo que a maior contribuio ocorre no MOSFET, cuja
resistncia equivalente bastante significativa e aumenta proporcionalmente com a
tenso de ruptura que o dispositivo capaz de suportar [21]. Portanto, quanto maior
a razo-cclica, mais tempo o MOSFET permanece em conduo, elevando o valor
da RSE. Alm das perdas associadas RSE, a tenso equivalente sobre esta
resistncia acaba por reduzir a tenso de sada do conversor boost, o que
efetivamente limita o seu ganho esttico.
As perdas em conduo ( Pon ) no conversor boost podem ser estimadas
como sendo,
Pon = RSE.I RMS 2
(1)
Onde I R MS a componente eficaz da corrente I L no modelo mdio do

conversor [22], mostrado na Figura 6(c).
O valor de RSE definido como,
INTRODUO
27
RSE = RL + RDS (on) .D + RK (1 D)
(2)
Onde RL a resistncia srie do indutor, RDS (on ) a resistncia srie do

MOSFET, RK a resistncia srie do diodo e D a razo-cclica do conversor.
Portanto, substituindo-se a expresso (2) em (1) e ainda considerando-se
que o valor da razo-cclica aproxima-se da unidade tem-se,
Pon = ( RL + RDS ( on ) D ) I RMS 2 = RL I RMS 2 + RDS ( on ) DI RMS 2
(3)
A partir de (3) pode-se inferir que as perdas podem ser reduzidas se a

corrente eficaz for reduzida, o que sugere o paralelismo de estgios de converso
de energia. A conexo de conversores estticos em paralelo normalmente utilizada
em aplicaes tais como em fontes de telecomunicaes e servidores de rede de
computadores onde uma elevada densidade de potncia necessria. Com a
adoo desta tcnica os esforos de corrente e as perdas so distribudas entre os
conversores. Alm do paralelismo, a operao em modo intercalado (defasagem
entre as moduladoras PWM) permite uma reduo na ondulao de corrente sobre
os dispositivos [23], [24].
(a)
(b)
(c)
Figura 6 Conversor boost. (a) Circuito equivalente com MOSFET em conduo; (b) Circuito
equivalente com MOSFET em bloqueio; (c) Modelo mdio [22].
Por outro lado, a segunda parcela da expresso (3) funo da resistncia

do MOSFET e da razo-cclica do conversor. Para minimizar-se esta parcela podese empregar semicondutores com baixa resistncia de conduo tais como o
CoolMOSTM [25] [26], ou empregar um conversor CC-CC com ganho de tenso
elevado de tal forma que a razo-cclica mantenha-se em valores baixos [20].
Alm das perdas, o ganho esttico de tenso do conversor boost tambm
pode ser analisado atravs do circuito da Figura 6(c), de onde se tem,
INTRODUO
28
Vo
1 (1 D ) VKA
1
=
1
R
+
R
D
+
R
1
D
Vi 1 D
Vi
)
DS ( on )
K (
1+ L
2
R (1 D )
(4)
Onde VKA a queda de tenso do diodo em conduo.

Mais uma vez considerando-se que a razo-cclica aproxima-se da unidade,
pode-se simplificar a expresso (4) de modo que se obtm,
Vo
1
1
R
+
R
D
Vi 1 D
L
DS ( on )
1 +
2
R (1 D )
(5)
Em termos de RSE, o ganho esttico do conversor pode ser dado como,
Vo
1
1
=
1
Vi 1 D
RSE
1 +

2
R
D
1
(
)
(6)
A partir de (6) pode-se inferir que existe uma parcela que minimiza o ganho
de tenso. Esta parcela encontra-se multiplicada por um fator dado pela razo entre
o valor de RSE e da resistncia de carga R . Desta forma, fica evidente que se
reduzindo RSE a zero tem-se o valor do ganho esttico ideal (sem perdas) e, por
outro lado, para RSE > R tem-se uma rpida reduo do ganho esttico o qual tende
a zero quando RSE >> R .
A Figura 7 mostra a influncia da RSE no ganho esttico do conversor boost
e na sua eficincia. Observa-se que o ganho esttico ideal do conversor boost tende
a infinito quando a razo-cclica aproxima-se da unidade (Figura 7(a)). Todavia, para
uma relao de 0,028 entre a RSE e a resistncia de carga R , tem-se um ganho
esttico mximo limitado a sete para uma razo-cclica de aproximadamente 0,9.
Uma curva experimental mostra que este limite pode ser ainda mais restritivo ficando
em torno de cinco. Para a mesma relao RSE/R=0,028, a eficincia mxima de
aproximadamente 90% para uma razo-cclica de 0,6 (Figura 7(b)). Na prtica
observa-se que para valores de razo-cclica superiores a 0,5 a eficincia do
conversor decai significativamente.
INTRODUO
29
Ganho esttico
Eficincia
10
1
Experimental
Modelo Mdio
Ideal
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Razo cclica (D)
(a)
Experimental
Modelo Mdio
Ideal
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Razo cclica (D)
(b)
Figura 7 Influncia do RSE no conversor boost, considerando uma razo terica RSE/R =
0,028. (a) Ganho de tenso e (b) eficincia do conversor boost em funo da razo cclica.
1.1.3 Conversores CC-CC com ganho esttico de tenso elevado.
De um modo geral, existem diferentes abordagens que resultam em

conversores com ganho esttico elevado. Algumas destas abordagens consideram a
associao de conversores, outras a incluso de circuitos especficos para elevao
da tenso na sada do conversor e, outras fazem uso do ajuste dos nveis de tenso
atravs de elementos magnticos como o transformador. Vrias topologias so
oriundas de um nico mtodo para elevao do ganho esttico ou ainda de uma
combinao de dois ou mais deles. Para facilitar a compreenso de como funciona
cada um destes mtodos, buscou-se dividi-los de acordo com o modo em que o
ganho de tenso obtido. Desta forma, os conversores estticos com alto ganho de
tenso com valores reduzidos de razo-cclica foram separados em categorias, ou
abordagens, conforme est descrito abaixo:
a. Conversores baseados na conexo de estgios idnticos em cascata [27],
[28], [29], [30], [13] ou srie [31], [32].
b. Conversores baseados em circuitos dobradores de tenso [33], [34], [35], [36]
e capacitores chaveados [37].
c. Conversores com clula de elevao de tenso (Voltage Lift) [38], [39], [40].
d. Conversores baseados em Indutores Acoplados [41], [42], [43].
e. Conversores baseados na associao e integrao de conversores [44], [45],
[46].
INTRODUO
30
Os conversores com elevado ganho de tenso empregam algum tipo de

tcnica que permite a operao com valores menores de razo-cclica. Cada uma
destas tcnicas apresenta vantagens e desvantagens que podem ser exploradas em
diferentes aplicaes. A seguir tem-se uma descrio sucinta das principais
caractersticas de cada uma das abordagens.
Com relao s topologias baseadas na associao de conversores
idnticos pode-se afirmar que a conexo de conversores em cascata permite que o
ganho esttico total seja igual multiplicao dos ganhos de cada estgio
individualmente. Alm disto, a independncia entre as variveis de cada estgio
permite que estes sejam controlados de modo independente, i.e., podendo operar
com razes-cclicas distintas. A principal desvantagem de uma topologia com
mltiplos estgios em cascata que a energia proveniente da fonte processada
mltiplas vezes antes de ser entregue a carga, o que reduz a eficincia do sistema.
Por outro lado, os componentes do estgio de sada esto sujeitos a esforos de
tenso maiores, ao passo que os componentes do estgio de entrada esto sujeitos
a esforos de corrente maiores. O nmero de componentes tambm multiplicado
pelo nmero de estgios em cascata, o que muito maior do que uma topologia de
nico estgio. Para reduzir o nmero de componentes, a integrao de alguns
componentes redundantes d origem aos conversores quadrticos. Nestas
topologias o ganho de tenso total tambm o ganho de cada estgio multiplicado
entre si. Todavia, com um nico semicondutor ativo, a razo-cclica para ambos
idntica dando origem a sua denominao de conversor quadrtico. Tambm
baseada na associao de conversores idnticos, a conexo em srie de topologias
resulta em conversores cuja tenso de sada a soma da tenso de cada um dos
estgios. O conversor boost three-level e o conversor dual boost so exemplos
deste tipo de conversores. Nestes casos os conversores so arranjados de modo
que dois estgios de converso de energia so associados com suas sadas em
srie.
Relativo s topologias baseadas em dobradores de tenso pode-se afirmar
que estes fazem uso de clulas empregando capacitores e diodos que so
arranjadas de tal modo que a tenso nos capacitores duplicada a cada nova
clula. Ento, um conjunto de n clulas capaz de produzir uma tenso n vezes o
valor de sua tenso inicial. Estas clulas multiplicadoras de tenso so baseadas
na associao de capacitores como feito no retificador Cockcroft-Walton,
INTRODUO
31
empregado em circuitos de imagem [47]. Para se obter um ganho de tenso elevado

deve-se empregar um grande nmero de clulas multiplicadoras de tenso, o que
eleva o custo e as perdas em conduo do sistema.
Referente s topologias com elevao de tenso (Voltage Lift) pode-se dizer
que estas fazem uso de clulas multiplicadoras de tenso empregando indutores,
capacitores e diodos. Estas clulas produzem uma multiplicao do valor da tenso
nos capacitores de modo semelhante ao que ocorre nos circuitos dobradores de
tenso. Todavia, o uso de indutores reduz a taxa de variao de corrente atravs
dos semicondutores. Este fato pode aumentar o custo dos conversores, uma vez
que o nmero de indutores igual ao nmero de clulas. Os componentes
magnticos tm um custo elevado e uma maior complexidade de implementao se
comparados aos capacitores.
Em relao s topologias que empregam indutores acoplados pode-se dizer
que a razo de transformao destes usada para aumentar o ganho de tenso, tal
como nos transformadores nas topologias isoladas. Todavia, o ganho esttico
sempre maior do que o apresentado por topologias isoladas como o flyback e o
push-pull, uma vez que os enrolamentos esto dispostos de forma que a tenso no
enrolamento secundrio se soma a tenso refletida na sada do conversor.
Referente s topologias baseadas na integrao de conversores pode-se
afirmar que estas empregam normalmente dois conversores CC-CC associados em
um nico estgio de converso de energia. Alm disto, as partes redundantes aos
dois conversores so integradas, reduzindo o nmero de componentes do
conversor. As entradas ou sadas so conectadas de tal modo que a tenso ou a
corrente so somadas, contribuindo para o aumento do ganho de tenso ou corrente
do conversor.
Como pode ser visto, a literatura apresenta um grande nmero de
alternativas para se obter conversores com alto ganho esttico de tenso e alta
densidade de potncia. Dentre estas alternativas, a integrao de conversores
uma das abordagens que levam a conversores com circuitos com menos
componentes ativos e mais compactos. Esta tcnica baseia-se em um conceito
simples que permite que a topologia resultante apresente caractersticas
semelhantes aos conversores que lhe deram origem. Entretanto, at o momento, a
literatura apresenta conversores integrados de maneira individualizada, onde as
topologias so propostas como novos circuitos sem ou com muito pouca relao
INTRODUO
32
com as demais, ou seja, no existe nenhum trabalho que discuta o conceito de

integrao de conversores de uma maneira generalizada e aprofundada.
1.2 OBJETIVOS
Visando preencher esta lacuna presente na literatura esta dissertao busca

o desenvolvimento de uma metodologia para a integrao de dois conversores CCCC bsicos que resulte em uma topologia integrada com alto ganho esttico de
tenso em um nico estgio de converso de energia. Esta metodologia deve ser
simples e no deve alterar as caractersticas dos dois conversores estticos que
deram origem integrao. Para validar e avaliar a metodologia proposta, esta ser
aplicada em um estudo de caso. Os conversores escolhidos para este estudo de
caso so os conversores Boost e Flyback.
Para se conseguir atingir o objetivo principal deste trabalho devem-se
realizar alguns objetivos especficos, tais como:
Revisar os temas abordados;
Definir o conceito de integrao proposto;
Aplicar o conceito para as topologias boost e flyback;
Analisar o princpio de operao dos conversores integrados;
Analisar matematicamente o princpio de operao, ganho esttico e

os limites de operao destes conversores;
Definir uma metodologia de projeto dos conversores;
Desenvolver o projeto fsico e implementar os prottipos dos

conversores;
Obter os dados experimentais e analisar os resultados.
1.3 ESTRUTURA DA DISSERTAO
Esta dissertao est organizada como segue. O Captulo 1 consta de uma

introduo, na qual foi contextualizada a demanda energtica mundial, enfatizando a
necessidade
por
fontes
renovveis
de
energia.
Em
seguida,
devido
caractersticas das fontes renovveis foi enfatizada a questo da gerao distribuda

de energia atravs de um grande nmero de geradores de baixa potncia
INTRODUO
33
distribudos pelo sistema eltrico. Neste ponto discutiu-se a energia fotovoltaica

cujas caractersticas se encaixam neste conceito. Observou-se que a principal
barreira para a larga utilizao destes sistemas o seu custo inicial. Para amortizar
este custo deve-se utilizar conversores estticos que aproveitem a energia
produzida com a maior eficincia possvel. A literatura apresenta vrias abordagens
para realizao destes conversores, no entanto, no h uma metodologia formal
para realizao da integrao. No Captulo 2 apresentada uma reviso
bibliogrfica abordando dois assuntos principais, os conversores CC-CC bsicos,
cujas caractersticas so utilizadas para se derivar as caractersticas e limitaes
das topologias integradas; e os conversores e tcnicas para obteno de ganhos de
tenso elevados. O Captulo 3 dedicado definio da associao de conversores
CC-CC e a possibilidade de sua integrao por meio do emprego de indutores
acoplados. Neste captulo so apresentadas as regras e restries impostas para
associao dos circuitos que resultam em conversores integrados com elevado
ganho esttico de tenso. No Captulo 4 apresentada a integrao dos
conversores bsicos boost e flyback. Neste captulo so apresentados em detalhes
os passos para se associar as sees de sadas das topologias resultantes e os
requisitos para integrao das sees de entrada. Tambm so derivadas as
restries e limites de operao das topologias derivadas bem como o ganho
esttico de tenso das mesmas. No Captulo 5 so apresentados e analisados
matematicamente os conversores CC-CC boost-flyback srie, boost-flyback paralelo
e boost-flyback cascata, todos derivados da metodologia apresentada no Captulo 4.
A operao destas trs topologias em modo de conduo contnua descrita e suas
etapas, formas de ondas e esforos nos componentes so mostrados e discutidos.
No final deste captulo trs prottipos so implementados e os resultados
experimentais para cada um deles so apresentados e discutidos. O Captulo 6
mostra uma extenso da teoria da integrao com o emprego de indutores
acoplados com mltiplos enrolamentos, dando origem a topologias com associao
de mltiplas sees de sada. No final do captulo os resultados experimentais para
dois prottipos so apresentados e discutidos. No Captulo 7 so apresentadas as
principais concluses, bem como uma breve discusso sobre os objetivos que foram
alcanados e uma perspectiva de temas que podem ser abordados em trabalhos
futuros oriundos desta investigao.
REVISO BIBLIOGRFICA
34
2 REVISO BIBLIOGRFICA
Este captulo apresenta uma reviso bibliogrfica abordando dois assuntos

principais, os conversores CC-CC bsicos, cujas caractersticas so utilizadas para
se derivar as topologias integradas; e os conversores e tcnicas para obteno de
ganhos de tenso elevados a fim de se estabelecer o estado da arte deste tema.
2.1 CONVERSORES ESTTICOS BSICOS
Os conversores CC-CC so circuitos eletrnicos que convertem tenso CC

de entrada em outro valor de tenso CC regulada com magnitude maior ou menor,
possivelmente com polaridade oposta ou com isolamento entre as referncias de
entrada e sada [22]. Os conversores CC-CC diferem dos reguladores lineares, por
empregar interruptores de modo chaveado, evitando as perdas de polarizao
destes.
2.1.1 Conversores estticos bsicos no isolados
Existem diversas topologias de conversores CC-CC, sendo que as

topologias dos conversores bsicos empregam um nico par de chaves PWM, ou
seja, uma chave ativa e um diodo. Os conversores CC-CC bsicos no isolados
usam elementos armazenadores de energia como indutores e capacitores para
reduzir as variaes de tenso e/ou corrente em seus terminais de entrada e de
sada. Estes conversores podem ser classificados de diferentes formas. Uma delas
diz respeito ao seu ganho esttico. Deste modo os conversores so separados em
trs categorias:
conversores abaixadores de tenso, cuja tenso de sada regulada

em valores sempre inferiores a tenso de entrada, ou seja, o ganho
esttico sempre menor que um;
conversores elevadores de tenso, cuja tenso de sada regulada

em valores sempre superiores a tenso de entrada, ou seja, o ganho
esttico sempre maior que um; e.
REVISO BIBLIOGRFICA
35
conversores abaixadores/elevadores de tenso, cuja tenso de sada

regulada em valores que podem ser superiores ou inferiores a
tenso de entrada, ou seja, o ganho esttico pode ser maior ou menor
que um, dependendo do valor da razo-cclica do conversor.
A Tabela 2 mostra um resumo dos conversores CC-CC bsicos no isolados

e o seu ganho esttico para operao em modo de conduo contnua (CCM), [22].
Tabela 2 - Topologias e ganhos estticos para os conversores CC-CC bsicos
Conversor
Circuito
Ganho esttico em CCM
Buck
Vo
=D
Vi
(7)
Boost
Vo
1
=
Vi 1 D
(8)
Buckboost
Vo
D
=
Vi 1 D
(9)
Ck
Vo
D
=
Vi 1 D
(10)
SEPIC
Vo
D
=
Vi 1 D
(11)
Zeta
Vo
D
=
Vi 1 D
(12)
A partir da Tabela 2 pode-se concluir que as seis topologias bsicas tem o

ganho esttico em funo da razo-cclica (D) que varia de zero at a unidade.
Portanto, a topologia buck possui um ganho esttico sempre inferior a um (vide
REVISO BIBLIOGRFICA
36
expresso (7)), i.e., um conversor abaixador de tenso. Por outro lado, a topologia
boost possui um ganho esttico sempre superior unidade (vide expresso (8)). As
demais topologias possuem ganhos estticos que variam de zero a valores
superiores que a unidade, o que os torna conversores abaixadores/elevadores.
Com relao aos circuitos dos conversores tem-se que os conversores buck,
buckboost e Zeta possuem a chave S em srie com a fonte de tenso de entrada, o
que permite desconectar a fonte do conversor sempre que a chave estiver aberta.
Por outro lado, os conversores boost, Ck e SEPIC possuem o indutor em srie com
a fonte de entrada, o que permite uma corrente de entrada contnua. Do ponto de
vista da seo da sada, os conversores boost, buckboost e SEPIC possuem diodos
de sada que, quando reversamente polarizados, desconectam completamente a
sada do conversor. Por outro lado, os conversores buck, Ck e Zeta possuem um
indutor em sua seo de sada reduzindo a ondulao de corrente vista na sada.
2.1.2 Conversores estticos com isolao galvnica
Os conversores CC-CC com isolao galvnica diferem das demais

topologias bsicas por existir um elemento magntico que fornece isolao
galvnica entre os terminais da entrada e da sada do conversor. Este elemento
pode ser um transformador ou um indutor acoplado, [48].
A Tabela 3 mostra um resumo dos conversores CC-CC bsicos isolados e o
valor de seu ganho esttico para operao em modo de conduo contnua (CCM)
[22], onde se pode concluir que as cinco topologias bsicas tem o ganho esttico em
funo da razo-cclica (D) e da relao de espiras (N). A topologia forward
derivada da topologia buck e o seu ganho esttico normalmente inferior a um (vide
expresso (13)), i.e., um conversor abaixador de tenso. As demais topologias
possuem ganhos estticos que variam de zero a valores superiores que a unidade, o
que os torna conversores abaixadores/elevadores. Ento, o valor de N ir contribuir
com o ganho esttico dos conversores abaixadores quando for menor que a unidade
e com os conversores elevadores quando for superior a unidade. Para o caso em
que N igual unidade ento as expresses do ganho passam a ser idnticas ao do
conversor correspondente na Tabela 2.
REVISO BIBLIOGRFICA
37
Tabela 3 - Topologias e ganhos estticos para os conversores CC-CC bsicos isolados

Conversor
Circuito
Ganho esttico
Forward
Vo
= ND
Vi
(13)
Flyback
Vo
D
=N
Vi
1 D
(14)
Ck isolado
Vo
D
=N
Vi
1 D
(15)
Vo
D
=N
Vi
1 D
(16)
Vo
D
=N
Vi
1 D
(17)
SEPIC
isolado
Zeta isolado
2.2 CONVERSORES COM ELEVADO GANHO DE TENSO
Em teoria um grande valor de ganho esttico pode ser alcanado atravs do

ajuste adequado na razo-cclica de um conversor elevador. Na prtica, os valores
mximo e mnimo para o ganho esttico esto limitados pelas caractersticas dos
dispositivos
eletrnicos
que
constituem
conversor,
principalmente
os
semicondutores. O principal limitador do ganho mximo so as resistncias srie dos

componentes, enquanto que o principal limitador do ganho mnimo so os tempos de
comutao dos semicondutores.
Para contornar estas limitaes, modificaes nos conversores bsicos so
realizadas. Nas sees seguintes sero descritas algumas abordagens para se obter
ganhos estticos muito elevados.
REVISO BIBLIOGRFICA
38
2.2.1 Conversores estticos com estgios em cascata e em srie
O uso de conversores CC-CC em cascata um modo eficaz de se conseguir

um elevado ganho de tenso, uma vez que os ganhos de cada estgio de converso
de energia so multiplicados [27], [28], [29]. Deste modo, cada estgio contribui com
o ganho total por meio de um fator multiplicativo correspondente ao valor do seu
ganho individual. Na Figura 8 tem-se um conversor boost com mltiplos estgios em
cascata. Com esta topologia consegue-se uma grande elevao na tenso de sada
do sistema.
Como cada conversor pode operar de modo independente o ganho de cada
estgio de conversor pode ser controlado individualmente permitindo uma maior
flexibilidade na operao do sistema.
Figura 8 Conversor CC-CC Boost com mltiplos estgios em cascata.
As principais limitaes deste sistema so o elevado nmero de

componentes e as perdas, uma vez que cada estgio de converso de energia
contribui com uma parcela de perdas em conduo. Esta situao se exacerba no
primeiro estgio, pois este apresenta nveis de tenso baixos (Vo1 a tenso de
ruptura para S1 e D1) e elevadas correntes, enquanto que no ltimo estgio, os
semicondutores devem suportar nveis de tenso elevados (Von a tenso de
ruptura para Sn e Dn) e suas resistncias srie equivalente (RSE) so maiores,
contribuindo para maiores perdas. Quando os semicondutores utilizados so do tipo
MOSFET, a resistncia srie destes aumenta exponencialmente com a sua tenso
de ruptura, tornando as perdas em conduo muito elevadas para dispositivos que
suportem tenses superiores a 500V [49].
Uma vez que os conversores sejam idnticos pode-se buscar a integrao
das partes comuns dos conversores. Para reduzir o nmero de chaves ativas se
pode integrar as chaves dos conversores boost, como mostrado na Figura 9(a). Esta
abordagem d origem aos conversores quadrticos, como a topologia conhecida
REVISO BIBLIOGRFICA
39
como boost quadrtico, mostrada na Figura 9(b) [30].
(a)
(b)
Figura 9 Conversores boost com estgios em cascata integrados. (a) Conversor com
mltiplos estgios. (b) Boost quadrtico.
Estes conversores so denominados de quadrticos, pois o seu ganho

esttico resultado da multiplicao do ganho esttico de dois conversores iguais
com razes-cclicas idnticas. Apesar de reduzir o nmero de chaves ativas, as
perdas em conduo no so reduzidas, pois a energia ainda processada por
cada estgio de converso.
Uma alternativa para se conectar os conversores atravs do arranjo srie
dos estgios de converso, como no conversor boost trs nveis, Figura 10, [31],
[32]. Um conversor boost trs nveis pode dobrar o ganho de tenso e reduzir pela
metade a tenso sobre os semicondutores, devido ao arranjo dos estgios de
converso de energia, onde se observa que os semicondutores S1 e D1 esto
submetidos tenso Vo1 enquanto que os semicondutores S2 e D2 esto sujeitos a
tenso Vo2. No entanto, esta topologia requer dois semicondutores ativos (S1 e S2).
Na Figura 10(a) ambos os conversores so representados com todos os seus
componentes. Na Figura 10(b) empregado um nico indutor boost, reduzindo o
nmero total de componentes.
Pode-se concluir que a associao de conversores resulta em um nmero
de semicondutores que sempre maior do que o dos conversores bsicos. Apesar
dos conversores quadrticos apresentarem somente uma chave ativa, as perdas em
REVISO BIBLIOGRFICA
40
conduo ainda so um fator limitador, pois toda a energia processada pelos

mltiplos estgios do conversor.
(a)
(b)
Figura 10 Conversores boost com estgios em srie. (a) Boost trs nveis. (b) Boost trs
nveis com um nico indutor de entrada.
2.2.2 Conversores estticos baseados em circuitos dobradores de tenso
Ao invs de associar mltiplos conversores (mltiplos estgios), outra

abordagem baseia-se no emprego de dobradores de tenso, como os circuitos
empregados para se obter elevados valores de tenso em circuitos de imagem [33]
[35]. Um destes circuitos o retificador Cockcroft-Walton [37].
Figura 11 Retificador Cockcroft-Walton
O circuito dobrador de tenso baseia-se em uma configurao em ponte

cujos braos constituem-se de diodos e capacitores. Os diodos so polarizados
alternadamente de modo que os capacitores so carregados com o dobro da tenso
aplicada entrada da ponte de modo sequencial. A carga conectada de maneira
que a tenso nos capacitores seja somada em seus terminais. Normalmente os
REVISO BIBLIOGRFICA
41
capacitores mantm-se com o dobro da tenso de entrada do conversor CC-CC que

corresponde tenso na entrada das clulas dobradoras de tenso. Isto leva a
necessidade de um nmero elevado de capacitores e diodos na ponte, quando
ganhos elevados de tenso so requeridos. A Figura 12 mostra alguns conversores
que empregam dobradores de tenso.
Em algumas topologias existe outro contratempo que o curto-circuito de
parte dos capacitores quando a chave do conversor CC-CC acionada. Esta
condio de curto-circuito produz esforos adicionais de corrente que so
absorvidos pela chave semicondutora do conversor. Uma alternativa para contornar
este problema o emprego de conversores multinveis [50].
(a)
(b)
(c)
Figura 12 Conversores boost com clulas dobradoras de tenso. (a) Adaptado de [47]; (b)
Ref. [33]; (c) Ref. [34].
2.2.3 Conversores estticos com clulas para elevao de tenso (Voltage Lift)
Diferentemente do circuito dobrador de tenso, a tcnica de elevao de

tenso
(Voltage
Lift)
consiste
em
empregar
um
elemento
adicional
de
REVISO BIBLIOGRFICA
42
armazenamento de energia, capacitivo, a fim de que os conversores Ck, SEPIC e

Zeta tenham caractersticas estticas de conversores elevadores de tenso, tal
como o conversor boost [39], [51], [52], [40], cujo ganho esttico dado por (8).
Na Figura 13 mostrada a tcnica de elevao de tenso para o conversor
SEPIC. Observa-se que ao circuito do conversor SEPIC convencional (Figura 13(a))
acrescentado um capacitor Cx e um diodo Dx, dispostos como mostrado na Figura
13(b).
Com a incluso dos elementos Cx e Dx, a corrente mdio no indutor L2 passa

a ser zero. Desta forma, o mdulo da tenso mdia armazenada em Cc e Cx deve
ser igual, i.e., a tenso Vzy zero. Deste modo no h contribuio da energia
armazenada em CC para o ganho de tenso. Isto significa que o indutor L2 no
armazena energia durante a operao do conversor SEPIC Voltage Lift.
(a)
(b)
(c)
(d)
Figura 13 Conversor SEPIC. (a) Topologia convencional. (b) Topologia com circuito de
elevao de tenso (self-lift). (c) Malha com tenso mdia nula. (d) N com corrente mdia
nula.
Uma vez que os conversores Ck, SEPIC e Zeta passem a apresentar

ganho esttico idntico ao de um conversor boost e que o nmero de componentes
no boost menor, no h justificativa para se empregar estas topologias.
Para incrementar o valor do ganho esttico uma clula denominada de
super-elevadora, proposta em [53] deve ser associada aos circuitos dos
conversores SEPIC e Ck. A Figura 14(a) mostra uma das configuraes da clula
super-elevadora a qual aplicada ao conversor SEPIC na Figura 14(b).
A clula super-elevadora composta por uma chave ativa (SSL), um indutor
(LSL), um capacitor (CSL) e dois diodos (D1SL e D2SL). Esta clula conectada ao
circuito do conversor atravs dos terminais a, b e c.
REVISO BIBLIOGRFICA
43
A clula super-elevadora pode ainda ser empregada como os circuitos

dobradores de tenso, isto , mltiplas vezes no mesmo circuito como mostrado na
Figura 14(c) para o conversor SEPIC.
Como a clula super-elevadora possui uma chave ativa (SSL) e um diodo de
sada (D2), ela pode ser utilizada individualmente como uma clula conversora de
energia. Na Figura 15(a) a clula super-elevadora empregada individualmente no
circuito como uma clula conversora. A Figura 15(b) mostra mltiplas clulas superelevadoras como um nico conversor de energia. Neste circuito observa-se que
todas as clulas empregam uma nica chave ativa (Si).
(a)
(b)
(c)
Figura 14 Clula super-elevadora para conversores CC-CC. (a) Tipo 1. (b) Aplicada ao
conversor SEPIC. (c) Mltiplas clulas elevadoras aplicadas ao SEPIC.
A Figura 15(b) assemelha-se a uma conexo de conversores CC-CC em

cascata, onde cada clula produz a energia para carga dos capacitores Vo1 a Von
respectivamente.
Se a clula super-elevadora for comparada aos circuitos dobradores de
tenso, observa-se que esta emprega um nmero maior de componentes, pois faz
uso de indutores (LSL). Os indutores alm do custo mais elevado possuem
implementao mais complexa. Alm disto, existe a necessidade de se utilizar uma
chave ativa adicional (SSL) ao conversor. A chave SSL sofre um surto de corrente
quando os capacitores estiverem descarregados, pois ao ser acionada fornece o
caminho para a corrente de carga destes capacitores. Dependendo do conversor ao
qual a clula super-elevadora empregada, a chave adicional deve empregar
circuito acionador isolado, o que aumenta o custo do circuito.
REVISO BIBLIOGRFICA
(a)
44
(b)
Figura 15 Clula super-elevadora. (a) Aplicada individualmente. (b) Mltiplas clulas

integradas.
2.2.4 Conversores estticos com indutores acoplados
Todas as tcnicas discutidas nas Sees anteriores fazem uso somente de

componentes eletrnicos para obter ganho esttico de tenso elevado, deste modo
estas tcnicas so conhecidas como tcnicas de elevao sem transformador.
Estas tcnicas se justificam pelo fato de que os componentes eletrnicos possuem
menor volume e peso, alm de, muitas vezes, terem um custo menor.
Por outro lado, um modo simples de se obter um ajuste entre valores de
tenso, bem como uma grande elevao de tenso o emprego de transformadores
ou outros componentes com dois enrolamentos, tais como o indutor acoplado. O
emprego de dois enrolamentos permite que a relao de espiras entre ambos seja
utilizada como meio para adequar os nveis de tenso. Neste caso o transformador
no usado para fornecer isolao galvnica, ao contrrio, os enrolamentos so
dispostos de tal forma que a diferena de tenso sobre os mesmos contribua para
que o conversor tenha um ganho esttico de tenso elevado. Na Figura 16 so
mostrados trs conversores com indutor acoplado com configuraes de sada
distintas. A Figura 16(a) conhecida como conversor boost com indutor acoplado
[54]. Observa-se que o indutor boost com enrolamento simples substitudo por um
indutor acoplado cujo enrolamento secundrio inserido em srie com o diodo
boost. Desta forma a tenso refletida neste enrolamento inserida no ganho esttico
do conversor. Como a tenso no enrolamento secundrio funo da relao de
espiras do indutor acoplado, tem-se que o ganho esttico de tenso passa a ser
funo da relao de espiras. Por este motivo o ganho esttico deste conversor
uma funo direta da relao de espiras.
REVISO BIBLIOGRFICA
45
Na Figura 16(b) o enrolamento secundrio associado a uma segunda

seo de sada com capacitor C2 e tenso Vo2 [44]. Nesta topologia o circuito do
conversor boost permanece inalterado mantendo a sada Vo1, enquanto a sada Vo2
comporta-se como um conversor flyback com relao entrada do conversor. Como
as duas sees de sadas encontram-se em srie, o ganho esttico do conversor a
soma de duas parcelas correspondentes ao conversor boost (tenso Vo1) e ao
conversor flyback (tenso Vo2).
A topologia mostrada na Figura 16(c) semelhante topologia boostflyback, todavia, a sada Vo3 acrescentada de modo que esta opera quando a
chave S encontra-se acionada, aumentando-se a capacidade do conversor, [55].
Como todas as sadas encontram-se em srie, o ganho esttico tambm ser maior
do que o do conversor boost-flyback.
(a)
(b)
(c)
Figura 16 Conversores com indutor acoplado. (a) Conversor boost. (b) Conversor boostflyback. (c) Conversor boost-flyback com sada em ponte-completa.
Apesar de simples, a topologia mostrada na Figura 16(a) est sujeita a

surtos de tenso devido energia armazenada na disperso do indutor acoplado,
cuja energia dissipada instantaneamente quando a chave aberta.
Para contornar este problema, circuitos grampeadores so normalmente
adicionados ao conversor, [41]. A Figura 17 mostra dois conversores com indutor
acoplado e grampeamento passivo. Na Figura 17(a) tem-se o conversor boost com
grampeamento passivo representado pelo diodo Dc e o capacitor Cc, [41]. Na Figura
17(b) tem-se o conversor buckboost com grampeamento passivo, [56]. O conversor
buckboost apresenta tenso de sada com polaridade invertida e com ganho esttico
menor que o do conversor boost, para o mesmo valor de relao de espiras.
REVISO BIBLIOGRFICA
(a)
46
(b)
Figura 17 Conversores com indutor acoplado e grampeamento passivo. (a) Conversor boost.
(b) Conversor buckboost.
2.2.5 Conversores estticos integrados
Uma abordagem que envolve a associao de diferentes conversores e a

sua integrao em uma nica topologia apresentada em [46]. A Figura 18
demonstra este conceito. Na Figura 18(a) esto representados os circuitos dos
conversores boost e SEPIC. Observa-se que a seo de entrada de ambos os
conversores apresenta uma malha que engloba a fonte de tenso Vi, um indutor e
uma chave ativa S. Pode-se afirmar que durante o intervalo em que a chave
encontra-se acionada os indutores so magnetizados pela fonte Vi. No intervalo em
que a chave encontra-se desligada os indutores so desmagnetizados. Deste modo,
esta malha comum a ambos os circuitos e pode ser compartilhada entre os
conversores, conforme mostrado na Figura 18(b). Neste caso a tenso aplicada
sobre o indutor permanece a mesma, porm a corrente deve ser a soma das
correntes de cada um dos conversores operando individualmente. Na prtica isto
deve ser levado em considerao para o projeto do indutor.
(a)
(b)
Figura 18 Conversores integrados. (a) Circuito dos conversores. (b) Circuito integrado.
Como o conversor SEPIC isolado possui uma sada single-ended, esta

seo de sada pode tambm apresentar uma variao com um retificador em ponte,
REVISO BIBLIOGRFICA
47
como mostrado na Figura 19(a). Desta forma a sada VoSP opera de forma idntica
ao conversor SEPIC da Figura 18(b), enquanto que a sada VoSN opera de modo
complementar.
A Figura 19(b) mostra um diagrama da integrao de um conversor boost e
um conversor SEPIC com mltiplos enrolamentos.
(a)
(b)
Figura 19 Circuitos derivados da integrao. (a) Com retificador em ponte. (b) Com mltiplas
sadas.
CONCEITO DE INTEGRAO DE CONVERSORES BSICOS
48
3 CONCEITO DE INTEGRAO DE CONVERSORES CC-CC BSICOS
Este captulo dedicado definio da associao de conversores CC-CC e

a possibilidade de sua integrao por meio do emprego de indutores acoplados.
Neste captulo so apresentadas as regras e restries impostas para integrao e
ganho de tenso.
3.1 CONVERSORES BSICOS SUBDIVIDIDOS EM SEES
Conversores CC-CC bsicos formados por apenas uma chave ativa, uma
chave passiva, com dois estados topolgicos definidos pelo estado fechado/aberto
da chave ativa podem ser divididos em trs sees: seo de entrada, seo
intermediria e seo de sada, como mostrado na Figura 20 [57].
Figura 20 - Sees de um conversor CC-CC
A seo de entrada consiste em uma fonte de tenso ou fonte de corrente e

uma chave. A seo intermediria consiste em indutores e capacitores para
armazenamento e transferncia de energia. A seo de sada formada por uma
chave passiva e uma fonte de corrente ou tenso. As sees dos circuitos formadas
por fontes de tenso ou corrente, chaves ativas e passivas e buffers de energia,
podem ser conectadas entre si desde que sigam restries topolgicas definidas em
[57].
3.2 INTEGRAO DAS SEES
A integrao das sees baseada na existncia de elementos comuns em

ambos os circuitos (sees). A integrao das sees de entrada pode ser realizada
49
por dois conversores que apresentem elementos comuns nas sees de entrada ou
sees de entrada e intermediria, assim como a integrao das sees de sada
em conversores que apresentem elementos comuns nas sees de sada ou sees
intermediria e de sada.
As fontes de corrente encontradas nas sees de entrada ou sada dos
conversores CC-CC bsicos geralmente so formadas por fontes de tenso em srie
com indutores. Buffers de corrente geralmente so encontrados nas sees
intermedirias dos conversores e so formados por indutores, transformadores ou
indutores acoplados [57].
Na Figura 21 esto os conversores CC-CC bsicos, onde so representadas
as fontes e buffers de tenso ou corrente nas sees de entrada, intermediria e
sada.
Figura 21 - Conversores CC-CC bsicos: (a) buck, (b) boost, (c) buckboost, (d) Cuk, (e) Zeta e
(f) SEPIC
A Tabela 4 apresenta uma sntese com as fontes e buffers de tenso ou

corrente de cada seo dos conversores CC-CC bsicos.
50
Tabela 4 Fontes de tenso ou corrente das sees dos conversores CC-CC bsicos
Conversores
Seo de entrada
Seo intermediria (Buffer)
Seo de Sada
CC-CC
(Fonte)
(Fonte)
Buck
Tenso
Corrente
Boost
Corrente
Tenso
Buckboost
Tenso
Corrente
Tenso
Ck
Corrente
Tenso
Corrente
Zeta
Tenso
Corrente e tenso
Corrente
SEPIC
Corrente
Tenso e Corrente
Tenso
3.2.1 Integrao das sees de entrada
Devido s restries impostas pelas leis de Kirchhoff estabelecido em [57]

que somente duas configuraes da seo de entrada so vlidas: uma fonte de
tenso (Vi) em srie com uma chave (Si), como mostra a Figura 22(a), ou uma fonte
de corrente (ii) em paralelo com uma chave (Si), conforme mostra Figura 22(b). Com
essa restrio, sabe-se que s so possveis estas duas configuraes nas sees
de entrada dos diversos conversores CC-CC bsicos, o que de certa forma facilita a
integrao destas sees de entrada.
Figura 22 - Configuraes permitidas para seo de entrada: (a) fonte de tenso em srie com
chave ou (b) fonte de corrente em paralelo com chave.
Considerando a integrao atravs de fontes ou buffers de corrente, a

integrao das sees de entrada fica restrita ainda aos conversores cujas sees
de entrada tenham a configurao mostrada na Figura 22(b). So eles os
conversores: boost, ck, SEPIC.
Outra considerao importante dada por [57] que no caso da existncia de
uma fonte de tenso em srie com uma fonte de corrente, estas derivam em uma
nica fonte de corrente, como mostrado na Figura 23(a). Uma fonte de tenso em
paralelo com uma fonte de corrente derivam uma nica fonte de tenso, como
mostrado na Figura 23(b).
51
Figura 23 Derivao de fontes: (a) fontes de tenso e corrente em srie, (b) fontes de tenso
e corrente em paralelo.
Nos conversores Zeta e buckboost a Seo de entrada do tipo fonte de

tenso encontra-se em srie com um buffer de corrente, como mostra a Figura
24(a). Nas verses isoladas destes conversores (Zeta isolado e flyback,
respectivamente) possvel alternar a posio entre a chave S e a fonte de corrente
na malha do enrolamento primrio, como mostrado na Figura 24(b), sem que isso
modifique o funcionamento do conversor. As fontes de tenso (Vi) e corrente (i) em
srie derivam em uma nica fonte de corrente, mostrado na Figura 24(c). Assim os
conversores Zeta isolado e flyback apresentam elementos comuns na seo de
entrada e intermediria que permitem a sua integrao com os conversores com
fonte de corrente na seo de entrada como os conversores boost, ck, SEPIC.
Figura 24 - Derivao da seo de entrada: (a) seo de entrada e intermediria, (b) alterao
da posio entre a fonte de corrente e chave e em (c) degenerao das fontes.
Qualquer fonte de corrente de entrada ou buffer de corrente compreende um

indutor. Desta forma h ainda a necessidade da existncia de intervalos de
magnetizao e desmagnetizao com mesmos nveis de tenso para que o mesmo
possa ser compartilhado por dois conversores.
A Tabela 5 apresenta uma sntese dos conversores CC-CC bsicos com a
caracterstica da seo de entrada e intermediria e a possibilidade de integrao
por meio dos buffers ou fontes de corrente. A integrao possvel entre dois
conversores com seo de entrada com fonte de corrente (idnticas) ou um destes
com outro conversor isolado em que a seo de entrada com a seo intermediria
derive em fonte de corrente.
52
Tabela 5 Seo de entrada dos conversores CC-CC bsicos e a possibilidade de integrao.

Conversores
Seo de entrada
Seo intermediria (buffer)
Integrao
CC-CC
(fonte)
Buck
Tenso
Boost
Corrente
Possvel
Buckboost
Tenso
Corrente
Ck
Corrente
Tenso
Possvel
SEPIC
Corrente
Tenso e Corrente
Possvel
Zeta Isolado
Tenso
Corrente e tenso
Possvel
Flyback
Tenso
Corrente
Possvel
3.3 CONVERSORES
PORTAS
BSICOS
VISTOS
COMO
CIRCUITOS
COM
DUAS
Em [58] uma nova abordagem para sintetizar conversores CC-CC baseada

na forma de combinaes de circuitos de duas portas (quadripolos) apresentada.
Os conversores CC-CC so representados como blocos com dois terminais de
entrada e sada e, apenas estes terminais so considerados, ou seja, onde as
variveis de interesse se restringem s tenses e correntes em seus terminais.
Como visto na Seo anterior, a integrao das sees de entrada de dois
conversores CC-CC representa, para seus terminais de entrada, numa associao
em paralelo, onde a tenso de entrada passa a ser comum aos conversores
associados, e por outro lado, a corrente de entrada dividida entre os conversores:
Vi = ViA = ViB
(18)
I i = I iA + I iB
(19)
Por outro lado, a associao das sees de sada dos conversores resulta em:
1 Sadas em paralelo;
2 Sadas em srie.
Esta associao de conversores CC-CC permite que as caractersticas de
cada conversor sejam resguardadas e as associaes so realizadas de acordo com
a finalidade do conversor derivado. Associando-se as sadas dos conversores em
paralelo tem-se a tenso de sada comum a ambos, porm, a corrente de sada igual
soma das correntes de cada conversor:
Vo = VoA = VoB
(20)
I o = I oA + I oB
(21)
53
Com a associao das sadas em srie, possvel obter tenso de sada

igual soma das tenses de sada de cada conversor e corrente mdia de sada
igual corrente mdia de cada conversor:
Vo = VoA + VoB
(22)
I o = I oA = I oB
(23)
As possibilidades de associao podem ser maiores quando considera-se

que um dos conversores CC-CC uma topologia isolada, como mostra a Figura
25(a).
Figura 25 Sees de um conversor isolado
O transformador ou indutor acoplado faz parte da seo intermediria deste

conversor. Esse fato facilita a manipulao do circuito, j que a seo intermediria
pode ser separada da seo de entrada, como mostra a Figura 25(b). Desta forma
existe a possibilidade de associar a seo intermediria e tambm a seo de sada
em cascata com a seo de sada de outro conversor, como mostrado na Figura
26. Assim, a associao das sees de sada tambm pode ser do tipo:
3 - Sadas em cascata.
Figura 26 - Conversor isolado com as sees de entrada em paralelo e de sada em cascata
A associao da seo de sada do conversor isolado em cascata com a

seo de sada do conversor no isolado passa a contribuir para o ganho de tenso
do conversor, como ser explorado posteriormente.
54
3.4 METODOLOGIA DE INTEGRAO
Nesta breve Seo apresentada a metodologia atravs dos passos a

serem seguidos para se obter conversores com elevado ganho esttico de tenso a
partir da integrao baseada nos conceitos apresentados anteriormente. Os passos
para a integrao so mostrados no fluxograma da Figura 27.
Para que se obtenha um conversor integrado com alto de ganho de tenso,
considera-se a integrao de um conversor no isolado A e um conversor isolado B.
No caso em que ambos os conversores apresentem sees de entrada idnticas,
formadas por fonte de corrente em paralelo com a chave ativa do circuito, os
conversores podem ser integrados atravs das suas seces de entrada
diretamente. Caso a seo de entrada do conversor no isolado A no seja fonte de
corrente, a integrao dos conversores no possvel.
Por outro lado, quando a seo de entrada do conversor isolado B no
uma fonte de corrente, mas quando observada juntamente com a seo
intermediria pode derivar em fonte de corrente atravs da reorganizao da chave
ativa e buffer, a integrao com o conversor no isolado A tambm pode ocorrer
atravs das entradas equivalentes. Entretanto, caso a seo de entrada juntamente
com intermediria do conversor isolado B no derive em fonte de corrente, a
integrao dos conversores no possvel.
Sendo possvel a integrao das sees de entrada, as sees de sada dos
conversores podem ser associadas em: srie, cascata e em paralelo. Feitas as
associaes, define-se as restries de operao em funo da razo cclica (D) e
relao de transformao do indutor acoplado (N). Caso as restries permitem a
construo fsica e operao do conversor, analisa-se ento o ganho esttico de
tenso do conversor integrado.
Esta metodologia de integrao de conversores atravs dos buffers de
corrente ser aplicada aos conversores boost e flyback nos prximos captulos a fim
de validar a mesma.
55
Figura 27 Fluxograma para aplicao da Metodologia de Integrao para obteno de

conversores com elevado ganho esttico.
INTEGRAO BOOST E FLYBACK
56
4 INTEGRAO BOOST E FLYBACK
Este captulo dedica-se a aplicar o conceito da integrao dos conversores

atravs de elementos indutivos mostrado, na Seo 3.2, aos conversores boost e
flyback. As sees de entrada dos conversores so integradas atravs dos principais
componentes - o indutor e a chave ativa - reduzindo o nmero de elementos do
circuito. As sees de sadas so associadas em srie, paralelo e cascata
resultando nas trs topologias de conversores boost-flyback analisados nesta
dissertao.
4.1 INTEGRAO DOS ELEMENTOS DAS SEES DE ENTRADA
Aplicando o conceito mostrado em [58], em que conversores so vistos

como blocos com Portas de Entrada e Sada, a associao das portas de entrada
em paralelo mais adequada para aplicaes com baixa tenso de entrada.
Estendendo para as sees de entrada dos conversores boost e flyback, parte-se
ento deste princpio de que elas devem ser configuradas em paralelo, como
mostrado na Figura 28.
Figura 28 Sees de entrada boost e flyback em paralelo
Uma condio necessria para integrao atravs dos indutores que estes
possuam intervalos de magnetizao e desmagnetizao com nveis de tenso
similares, que sero verificados a seguir.
4.1.1 Nveis de tenso nos indutores
Inicialmente so analisados os nveis de tenso nos indutores dos

conversores boost e flyback durante os intervalos de magnetizao ( Ton ) e de
57
desmagnetizao ( Toff ). Na Figura 29(a), so mostrados os elementos ativos do

conversor boost na etapa de magnetizao e na Figura 29(b) na etapa de
desmagnetizao. Na Figura 29(c) mostrada a tenso sobre a indutncia de
magnetizao durante os intervalos de magnetizao ( Ton ) e desmagnetizao ( Toff )
do conversor boost.
Os elementos ativos do conversor flyback durante a etapa de magnetizao
so mostrados na Figura 29(d), e na etapa de desmagnetizao na Figura 29(e). A
tenso sobre o indutor do conversor flyback durante os intervalos Ton e To ff
mostrada na Figura 29(f). O indutor acoplado representado atravs do modelo de
fontes dependentes N-port [59]. Nas anlises desta seo do trabalho no
considera-se a indutncia de disperso do indutor acoplado.
Desde que as chaves dos dois conversores so controladas pela mesma
razo-cclica D , ambos iro apresentar os mesmos intervalos de magnetizao e
desmagnetizao. Analisando-se os nveis de tenso nos indutores do conversor
boost ( LB ) e flyback ( LF ), temos:
a. Etapa de magnetizao ( t0 t1 ):
Na etapa de magnetizao a tenso nos indutores do conversor boost e do
conversor flyback so dadas por (24) e (25), respectivamente.
v LB = V i
(24)
vLF = Vi
(25)
Considerando as fontes de entrada Vi de mesmo valor, durante a

magnetizao tem-se,
vLB = vLF .
(26)
b. Etapa de desmagnetizao ( t1 t2 ):
Na etapa de desmagnetizao a tenso nos indutores do conversor boost e
do conversor flyback so dadas por (27) e (28), respectivamente.
vLB = Vi VoB
vLF =
VoF
N
(27)
(28)
58
Figura 29 Conversores Boost e Flyback: (a) e (d) etapa de magnetizao (t0-t1); (b) e (e) etapa
de desmagnetizao (t1-t2); (c) e (f) tenso sobre os indutores.
Como os ganhos estticos destes conversores para operao em modo

CCM so definidos por (8) e (14), pode-se definir a tenso de sada do conversor
boost e do conversor flyback atravs das expresses (29) e (30), respectivamente.
VoB =
Vi
1 D
VoF = Vi
ND
1 D
(29)
(30)
Onde N = n2 / n1 a relao de espiras do indutor acoplado. Substituindo (29) em

(27) e (30) em (28) tem-se,
vLB =
Vi D
1 D
(31)
vLF =
Vi D
1 D
(32)
Sendo
assim,
durante
59
desmagnetizao
os
indutores
tambm
compartilham a mesma tenso, estando de acordo com (26) tambm na etapa de

desmagnetizao.
4.1.2 Integrao da chave e da fonte de entrada
Considerando-se que as fontes de entrada possuam mesmo valor, pode-se

substituir as fontes de entrada por uma nica fonte Vi , como mostra a Figura 30(a).
Tambm possvel alterar a posio entre o indutor LF e a chave SF do conversor
flyback como mostrado na Figura 30(b) sem modificar o funcionamento do
conversor. Como os indutores dos conversores boost e flyback, LB e LF
compartilham mesmos nveis de tenso, possvel conect-los ao n x e substituir
as duas chaves SB e SF por uma nica chave Si , conforme Figura 30(c).
Figura 30 Integrao das sees de entrada. (a) Ramo comum compartilhado. (b) Ramo da
chave e do indutor do flyback reorganizado. (c) Chaves em paralelo so integradas.
A Figura 31 mostra os conversores boost e flyback integrados atravs da

chave, com os elementos ativos durante etapa de magnetizao, Figura 31(a), e
desmagnetizao, Figura 31(b).
As etapas de operao do conversor integrado atravs da chave so
analisadas como segue.
a. Etapa de magnetizao ( t0 t1 ):
Durante a etapa de magnetizao, tem-se o fechamento da chave ativa Si
conforme Figura 31(a). A corrente nos indutores do conversor boost ( iLB ) e do
conversor flyback (iLF) cresce linearmente com inclinao definida pela razo entre o
valor da fonte de tenso de entrada Vi pelo valor da respectiva indutncia, i.e., Vi /LB
e Vi /LF. Os diodos das sees de sada esto reversamente polarizados. As
correntes de magnetizao, sada e de entrada para o intervalo Ton so definidas
60
pelas seguintes equaes:

iLF =
Vi
t + I LF ( m )
LF
Onde I LF ( m ) a corrente inicial no indutor flyback.

V
iLB = i t + I LB ( m )
LB
(33)
(34)
E I LB ( m ) a corrente inicial no indutor boost.
ioF = 0
(35)
ioB = 0
(36)
i1 = iLB + iLF .
(37)
E,
Figura 31 Conversores boost e flyback integrados atravs da chave. (a) Etapa de

magnetizao (t0-t1). (b) Etapa de desmagnetizao (t1-t2).
b. Etapa de desmagnetizao ( t1 t2 ):
Durante a etapa de desmagnetizao as sees de sada de ambos os
conversores so ativas, como mostrado na Figura 31(b). As correntes de
magnetizao, sada e de entrada, para o intervalo Toff so definidas pelas seguintes
equaes:
iLF =
Vi VoB
t + I LF ( M )
LF
(38)
iLB =
Vi VoB
t + I LB ( M )
LB
(39)
61
iL F
N
(40)
ioB = iLB
(41)
i1 = iLB .
(42)
ioF =
E,
As formas de onda de corrente nos indutores dos conversores boost ( LB ) e

flyback ( LF ), bem como a corrente de entrada ( i1 ) e da seo de sada ( ioB , ioF ) so
mostradas na Figura 33(a) para o conversor boost e na Figura 33(b) para o flyback.
4.1.3 Integrao dos indutores
Considerando o circuito com as entradas integradas atravs da utilizao de

uma nica chave mostrado na Figura 32(a), onde as indutncias de magnetizao
dos conversores boost e flyback, LB e LF encontram-se em paralelo analisar-se- a
possibilidade da substituio dos indutores por um nico equivalente, como mostra
Figura 32(b).
Durante o intervalo Ton , a corrente de entrada definida por (37), onde se
pode substituir (33) e (34). A corrente de entrada expressa ento da seguinte
forma:
1
1
i1 = Vi
+
t + ( I LF ( m ) + I LB ( m ) )
LF LB
(43)
Sendo que:
1
1
+
LF LB
1
=
Leq
(44)
Sendo L eq o equivalente paralelo das indutncias LB e LF. No equivalente

paralelo, a condio inicial dada pela soma das condies iniciais em cada indutor,
I LB ( m ) + I LF ( m ) = I Leq ( m )
(45)
Sendo iLeq ( 0 ) a corrente inicial na indutncia equivalente. Substituindo (44) e (45) em

(43), obtm-se:
i1 =
1
Vi t + I Leq ( m)
Leq
62
(46)
Figura 32 - Integrao dos indutores dos conversores boost e flyback: (a) indutores em
paralelo e (b) substitudos por um equivalente
No intervalo Toff , as correntes iLB e iLF so definidas por (38) e (39). A tenso
de sada do conversor boost definida em (29). Substituindo em (38) e (39):
iLF =
Vi D
t + I LF ( M )
LF 1 D
(47)
iLB =
Vi D
t + I LB ( M )
LB 1 D
(48)
Substituindo (47), (48), (44) e (45) em (42):
i1 =
Vi D
t NioF + I Leq ( M )
Leq 1 D
(49)
63
Figura 33 Principais formas de onda de corrente: (a) no conversor boost, (b) no conversor
flyback e (c) nos conversores integrados.
O circuito com a integrao da seo de entrada e os elementos ativos

durante o intervalo Ton mostrado na Figura 34(a) e durante o intervalo Toff na
Figura 34(b). As formas de onda de corrente utilizando um indutor equivalente so
mostradas na Figura 33(c). A corrente de entrada do circuito integrado atravs de
uma nica chave a mesma que se os indutores fossem substitudos pelo
equivalente paralelo dos indutores boost e flyback. Observa-se que a corrente no
indutor equivalente a soma das correntes dos indutores boost e flyback. As
correntes das sees de sada boost e flyback permanecem as mesmas.
Figura 34 Elementos ativos do conversor integrado atravs da seo de entrada nas etapas
de: (a) magnetizao (t0-t1) e (b) desmagnetizao (t1-t2).
64
4.1.4 Ganho esttico de tenso dos conversores integrados
Conforme Seo 4.1.1, os conversores compartilham os mesmos nveis de

tenso no indutor. A integrao tambm no altera as etapas de operao. Em
regime permanente, a integral da tenso durante um perodo de chaveamento Ts
deve ser igual zero, isto ,
Ts
Leq
dt = 0
(50)
Durante o intervalo de magnetizao ( Ton ), conforme circuito na Figura 34(a):
vLeq = Vi
(51)
E durante o intervalo de desmagnetizao ( Toff ), conforme circuito na Figura 34(b),

em funo da tenso de sada do conversor boost:
vLeq = Vi VoB
(52)
Em funo da tenso de sada do conversor flyback:
VoF
N
(53)
VoB
1
=
Vi 1 D
(54)
VoF
D
=N
Vi
1 D
(55)
vLeq =
Substituindo (51) e (52) em (50):
Desconsiderando-se as perdas associadas aos elementos dos circuitos, a

potncia de entrada dos conversores deve ser igual potncia de sada, de onde se
obtm a relao entre as correntes de entrada e sada dos conversores:
IoB
= 1 D
I1B
(56)
IoF 1 D
=
I1F
ND
(57)
65
No conversor integrado, a corrente de entrada passa a ser igual soma das

correntes de entrada de cada conversor. Em termos de valores mdios:
I1 = I1B + I1F
(58)
Onde se substitui I1B e I1F respectivamente por (56) e (57):

I1 =
I oB
I ND
+ oF
(1 D ) 1 D
(59)
As correntes mdias de sada dependero da resistncia da carga de cada

conversor. Essas correntes podem ser determinadas por:
IoB =
VoB
RoB
(60)
I oF =
VoF
RoF
(61)
Conclui-se que com a integrao das sees de entrada, o ganho esttico dos
conversores boost e flyback no modificado. So mantidas as caractersticas das
correntes de sada e a corrente de entrada do conversor integrado passa a ser igual
soma das correntes de cada conversor.
4.2 ASSOCIAO DAS SEES DE SADA
Partindo das sees de entrada integradas, se analisa as possibilidades de

associao da seo de sada do conversor boost (Figura 35(a)) com a seo
intermediria mais seo de sada do conversor flyback mostrada na Figura 35(b)
em srie, paralelo e cascata.
Figura 35 - Sees de sada: (a) boost e (b) flyback.
66
4.2.1 Associao das sees de sada em srie
O objetivo da associao das sees de sada dos conversores boost e

flyback em srie obter topologias com alto ganho de tenso, atravs da soma das
tenses de sada destes conversores ( VoB e VoF ). Por definio, uma associao
entre elementos de circuitos eltricos considerada srie se, e somente se, a
corrente que passa por estes elementos for a mesma [60]. A associao das sees
de sada em srie possvel atravs dos capacitores de sada C oB e C oF , como
mostrado na Figura 36.
Considerando que em regime permanente a corrente mdia nos capacitores
das sees de sada dos conversores boost e flyback devem ser iguais a zero, podese concluir que nesta configurao:
I oB = I oF = I o
(62)
Vo = VoB + VoF
(63)
A topologia obtida a partir da integrao e associao dos conversores boost flyback

no indita. apresentada na literatura por [44]. A anlise detalhada das
topologias ser apresentada posteriormente, nas Sees 4.4.1 e 5.1.
Figura 36 - Associao srie das portas de sadas. Fonte: Adaptada de [44].
4.2.2 Associao das sees de sada em paralelo
Por definio elementos de circuitos eltricos esto em paralelo quando

submetidos mesma tenso e conectados nos mesmos ns [60]. Isso implica em
que os capacitores das sees de sada (fontes de tenso) devem ser conectados
aos mesmos ns conforme Figura 37(a). No A conexo das sees de sada em
67
paralelo implica em que a corrente fornecida para a carga pode ser dividida entre as
sees de sada dos conversores boost e flyback.
Figura 37 - Integrao das sees de sada em paralelo. (a) Os capacitores das sees de sada
so associados em paralelo. (b) Os capacitores so substitudos por um equivalente.
A conexo pode ser considerada paralela, desde que a tenso de sada dos
dois conversores seja a mesma, i.e.:
VoB = VoF
(64)
Sendo assim os capacitores das sees de sada podem ser substitudos por
um nico capacitor equivalente, denominado Co , como mostrado na Figura 37(b). A
tenso de sada passa a ser denominada Vo , e
Vo = VoB = VoF .
(65)
O n w ' pode ser conectado ao conversor boost em diferentes pontos do

circuito, uma vez que a corrente que circula por este ramo seja sempre IoF. Assim os
pontos de conexo so: ponto x (enrolamento flyback em paralelo com diodo boost),
ponto u (enrolamento flyback em paralelo com realimentao da fonte de entrada) e
ponto y (enrolamento flyback em paralelo com a carga). Os circuitos oriundos destas
conexes so mostrados respectivamente na Figura 38(a), Figura 38(b) e Figura
38(c).
68
Figura 38 - Sees de sada em paralelo com conexo do n w ao: (a)n x , (b) n u e (c) n y.
Em regime permanente, a corrente mdia no capacitor de sada Co igual

zero, o que permite definir a corrente mdia de sada I o como sendo:
I o = I oB + I oF
(66)
Conforme citado anteriormente a integrao das sees de sada dos

conversores boost e flyback em paralelo ser vlida desde que as tenses de sada
dos conversores boost e flyback, VoB e VoF sejam iguais, conforme definido em (64).
Apesar de resultar de uma integrao das sees de sada em paralelo, a topologia
mostrada na Figura 38 apresentada na literatura como conversor CC-CC com alto
ganho de tenso por [43]. A anlise detalhada das topologias ser apresentada
posteriormente, nas Sees 4.4.2 e 5.2, onde suas vantagens e restries sero
exploradas.
4.2.3 Associao das sees de sada em cascata
A associao de conversores em cascata, como a mostrada na Figura 39

definida em [22] como aquela em que a sada de um conversor A, VoA , aplicada a
entrada do conversor B, ViB . O ganho esttico de tenso M =Vo / Vi do conversor
69
derivado da associao passa a ser o produto do ganho esttico do conversor A
( M A ) pelo ganho esttico do conversor B ( M B ) , isto ,
M = M A .M B .
Figura 39 - Associao de conversores em cascata.
No caso da integrao dos conversores, em que se considera que as sees

de entrada esto associadas compartilhando a mesma chave e mesmo indutor de
entrada, a associao em cascata somente aplicada nas sees de sada, como
mostra a Figura 40.
Figura 40 - Associao de sees de sada em cascata.
O circuito com as sadas associadas em cascata mostrado na Figura 41. A

seo intermediria e a seo de sada do conversor flyback so colocadas aps a
seo de sada do conversor boost, caracterizando a conexo em cascata dos
circuitos.
A fim de se analisar o conversor em termos de valores mdios de correntes e
tenses de sada, a seo de sada do conversor flyback mostrada na Figura 42(a)
atravs do seu modelo N-port [59]. Na etapa de desmagnetizao:
VoF = NV1
(67)
No circuito da Figura 42(b), tem-se:
VoB + NV1 + Vo = 0
Figura 41 - Integrao cascata das sees de sada.
(68)
70
Se mantidas as caractersticas de ganho esttico do conversor flyback,

substituindo (67) em (68), pode-se definir a tenso de sada como,
Vo = VoB + VoF
(69)
Figura 42 - Representao N-port: (a) seo intermediria e de sada do conversor flyback e (b)
conversor com as sees de sadas boost e flyback em cascata.
Diferentemente da associao cascata de conversores, o ganho de tenso

do conversor integrado, cujas sees de sada so associadas em cascata a soma
e no o produto dos ganhos individuais dos conversores.
Considerando operao do conversor em regime permanente, a corrente
mdia nos capacitores das sees boost e flyback deve ser zero. Portanto, pode-se
definir a relao entre as correntes das sees de sada boost e flyback como:
I oB = I oF
(70)
Bem como a relao entre a corrente da seo de sada flyback com a corrente de
sada:
I oF = I o
(71)
I oB = I oF = I o
(72)
E portanto,
A anlise detalhada das topologias ser apresentada posteriormente, nas Sees

4.4.2 e 5.2.
4.3 TOPOLOGIAS DERIVADAS DA INTEGRAO DOS CONVERSORES BOOST

E FLYBACK
A Tabela 6 apresenta a sntese das cinco topologias resultantes da

integrao das sees de entrada e da associao das sees de sada dos
conversores boost e flyback e suas principais caractersticas. A partir da Tabela 6
71
pode-se dizer que existe apenas uma topologia com as sees de sada em srie.
Nesta topologia fora a integrao das sees de entrada no h nenhuma
redundncia que leve a uma reduo dos componentes das sees de sada. Uma
vantagem desta topologia que os componentes de cada uma das sees de sada
esto sujeitos somente s tenses da sada de sua respectiva seo. Por outro lado,
existem trs possveis topologias derivadas da associao paralelo das sees de
sada dos conversores boost e flyback. Em todas estas topologias a principal
vantagem o emprego de um nico capacitor de sada, o que vm ao encontro da
simplicidade e do baixo custo do conversor. Finalmente, existe apenas uma
topologia oriunda da associao em cascata das sees de sada dos conversores
boost e flyback. Apesar de topologicamente diferente, este circuito guarda muitas
caractersticas idnticas topologia com as sees de sada em srie. Pode-se citar
o uso de capacitores de sada individuais e esforos de tenso nos componentes
idnticos.
Tabela 6 - Topologias do conversor Boost-Flyback.

Associao
Topologia
72
Variveis de sada
Vo = VoB + VoF
Srie
I oB = I oF = I o
Paralela wx
Paralela wu
Vo = VoB = VoF
I oB + I oF = I o
Paralela wy
Cascata
Vo = VoB + VoF
I oB = I oF = I o
4.4 LIMITES DE OPERAO DAS TOPOLOGIAS BOOST-FLYBACK
Como visto na Tabela 6 atravs da integrao das sees de entrada e

associao das sees de sada dos conversores boost e flyback encontram-se a
cinco topologias diferentes. Para as topologias do conversor boost-flyback srie e
73
cascata, a tenso de sada definida pelas expresses (63) e (69), respectivamente,

como Vo = VoB + VoF . Para as topologias do conversor boost-flyback paralelo a tenso
de sada definida em (65) como Vo = VoB = VoF .
As tenses de sada dos conversores boost ( VoB ) e flyback ( VoF ) operando
em modo de conduo contnua so definidas a partir de (29) como VoB = Vi / (1 D) e
a partir de (30) como VoF = (Vi ND) / (1 D) .
Desta forma, o objetivo desta seo analisar as topologias do conversor
boost-flyback a fim de verificar se as caractersticas de ganho esttico individuais
dos conversores CC-CC boost e flyback so mantidas. Alm de se determinar quais
as condies que devem ser respeitadas para que isto ocorra, ou seja, definir quais
limites os conversores podem operar.
Tendo em vista que durante a integrao das sees de entrada se comprova
que os nveis de tenso no indutor so compartilhados pelos circuitos das duas
sees de entrada boost e flyback, o objetivo principal verificar a existncia da
etapa de desmagnetizao. Mais precisamente, verificar se existem limites de
operao para que ambos os diodos das sees de sada sejam polarizados
diretamente durante a desmagnetizao e que as tenses de sada sejam VoB e VoF ,
conforme definidas em (29) e (30).
4.4.1 Topologia do conversor Boost-Flyback Srie
Para que ocorra desmagnetizao (intervalo Toff ) nas sees de sada Boost
e Flyback, considerando-se diodos ideais, necessrio que:
VDoB = VDoF = 0
(73)
As etapas de operao do conversor boost-flyback srie nos intervalos de

magnetizao ( Ton ) e de desmagnetizao ( Toff ) so mostradas na Figura 43(a) e
Figura 43(b) respectivamente. Observando o circuito na etapa de desmagnetizao
(Figura 43(b)), pode-se definir a tenso sobre os diodos como:
VDoB = Vxy VoB
(74)
VDoF = Vx ' y VoF
(75)
74
Onde se conhece como VoB de (29) e VoF de (30). Portanto,
VDoB = Vxy
Vi
1 D
(76)
VDoF = Vx ' y
NDVi
1 D
(77)
As tenses Vxy e V x ' y podem ser obtidas aplicando o balano de energia no

indutor L1 .
Figura 43 Elementos ativos na Topologia Boost-Flyback Srie. (a) Etapa de magnetizao.

(b) Etapa de desmagnetizao.
Aplicando o balano de energia no indutor em funo da tenso Vxy :

Ts
DTs
Ts
V dt = V dt + (V V
1
xy
)dt = 0
(78)
DTs
Resolvendo para Vxy :
Vxy =
Vi
1 D
(79)
Aplicando o balano de energia no indutor em funo de Vx ' y ' :

Ts
DTs
V1dt = Vi dt +
Vx ' y '
N dt = 0
DTs
Ts
(80)
Resolvendo para V x ' y :
Vx ' y = Vi
ND
1 D
Substituindo-se (79) em (74), obtm-se:
(81)
VDoB = 0
75
(82)
E substituindo (81) em (75), onde obtemos:
VDoF = 0
(83)
Pode-se concluir que os ganhos estticos individuais dos conversores boost

e flyback so mantidos e que existem condies de polarizao dos diodos das
sees de sada sem restries de operao do circuito.
4.4.2 Topologias do conversor Boost-Flyback Paralelo
Como visto na Tabela 6, so trs topologias obtidas a partir da associao

das sees de sada dos conversores boost e flyback em paralelo. Elas so
identificadas pela conexo do n w, aos ns x, u e y. Para a existncia da etapa de
desmagnetizao ( Toff ) nas sees de sada dos conversores boost e flyback, a
tenso nos diodos DoB e DoF deve ser igual a zero, como definido em (73). Nas
topologias do conversor Boost-Flyback Paralelo, a tenso nos diodos das sees de
sada pode ser determinada por:
VDoB = Vxy Vo = 0
(84)
VDoF = Vx' y Vo = 0
(85)
Portanto, a condio de paralelismo dos conversores, substituindo (84) em

(85), que:
Vxy = V x ' y
(86)
Nas sees seguintes so verificadas as condies de operao para os trs

conversores da topologia Boost-Flyback Paralelo.
4.4.2.1 Conversor Boost-Flyback Paralelo wx
As etapas de operao do conversor nos intervalos de magnetizao ( Ton ) e

de desmagnetizao ( Toff ) so mostradas na Figura 44(a) e na Figura 44(b)
respectivamente.
76
Figura 44 Elementos ativos no conversor Boost-Flyback Paralelo wx. (a) Etapa de

magnetizao. (b) Epata de desmagnetizao.
Aplicando o balano de energia no indutor em funo da tenso Vxy:

Ts
DTs
Ts
V .dt = V .dt + (V V
1
xy
).dt = 0
(87)
DTs
Resolvendo para Vxy:
Vxy =
Vi
1 D
(88)
De modo anlogo, aplicando o balano de energia em funo de Vxy:

Ts
DTs
Vi Vx ' y
dt = 0
1+ N
DTs
Ts
V dt = V dt +
i
(89)
Resolvendo para Vxy:

ND + 1
Vx ' y = Vi
1 D
(90)
Substituindo-se (88) e (90) em (86), obtm-se a seguinte expresso:

ND=0
(91)
Ou seja, para que Vxy = Vx' y e o conversor opere em paralelo necessrio

que obedea ao limite de operao onde N = 0 ou D = 0 .
Fazendo N D = 0 temos,
Vx ' y =
Vi
1 D
E, portanto Vx' y = Vxy , conforme (86).

Para o caso em que N D > 0 tem-se,
(92)
77
ND
1
Vi
+
> Vxy
1 D 1 D
(93)
Desta forma, Vx' y > Vxy . Assim somente o diodo da seo de sada flyback
entra em conduo, como mostra a Figura 45. O diodo da seo de sada boost
polarizado reversamente. A tenso de sada passa a ser definida unicamente por:
Vo = Vx ' y
(94)
A tenso sobre o diodo boost pode ser obtida como,
VDoB = Vxy Vx ' y
(95)
As tenses Vxy e V x ' y so definidas em (88) e (90). Substituindo em (95) e

normalizando por Vi :
VDoB
ND
=
Vi
1 D
(96)
Como o diodo DoF est em conduo:
VDoF
=0
Vi
(97)
Em (94), substituindo V x ' y por (90), define-se o ganho esttico do conversor

(M) operando fora da condio de paralelismo como sendo,
M=
Vo
1
ND
=
+
, ND > 0
Vi 1 D 1 D
(98)
Conhecidos o ganho esttico do conversor boost, o qual ser denominado
M B , e o ganho esttico do conversor flyback, denominado M F , pode-se expressar o

ganho esttico do conversor integrado da seguinte forma:
M = MB + MF ,
ND > 0
(99)
E, portanto, apesar de derivar de uma topologia cuja associao das sees

de sada encontra-se em paralelo, a tenso de sada resultante definida como,
Vo = VoB + VoF ,
ND > 0
(100)
Ou seja, matematicamente a tenso de sada corresponde ao somatrio da

tenso de sada de cada um dos conversores empregados na integrao.
78
Figura 45 - Diodo da seo flyback em conduo.
A Figura 46(a) mostra a tenso sobre o diodo flyback normalizada pela

tenso de entrada ( VDoF /Vi ) em funo da razo-cclica D para relaes de espiras
N = (1, 2, 3) . Observa-se que a tenso no diodo flyback igual zero para qualquer
valor de razo-cclica ou de relao de espiras.

Tenso no diodo Flyback
Tenso no diodo Boost
2
VDoF/Vi (N=1)
VDoF/Vi (N=2)
VDoF/Vi (N=3)
0.25
0.5
0.75
Razo cclica (D)
(a)
20
VDoB/Vi (N=0)
VDoB/Vi (N=0,01)
VDoB/Vi (N=0,1)
VDoB/Vi (N=1)
Ganho do conversor (N=2)
M
MB
MF
MB+MF
15
10
0.25
0.5
0.75
Razo cclica (D)
(b)
0.25
0.5
0.75
Razo cclica (D)
(c)
Figura 46 Condies de operao do conversor Boost-Flyback Paralelo wx. (a) tenso sobre
o diodo da seo de sada flyback. (b) tenso sobre o diodo da seo de sada boost. (c) ganho
esttico de tenso.
No grfico da Figura 46(b) est tenso sobre o diodo boost tambm

normalizada pela tenso de entrada ( VDoB /Vi ). Neste caso para qualquer N > 0 a
tenso sobre o diodo negativa, i.e., o diodo DoB esta reversamente polarizando.
No grfico da Figura 46(c), o ganho esttico de tenso do conversor
integrado (M) para a relao de espiras N = 2 . O ganho esttico comparado ao
ganho esttico do conversor boost (MB), e do conversor flyback ( MF ). Observa-se
que o ganho esttico do conversor integrado igual soma do ganho dos
conversores boost e flyback ( MB+MF ), para qualquer razo-cclica D .
79
4.4.2.2Conversor Boost-Flyback Paralelo wu
As etapas de operao do conversor Boost-Flyback Paralelo wu nos

intervalos de magnetizao ( Ton ) e de desmagnetizao ( Toff ) so mostradas na
Figura 47(a,b), respectivamente. A tenso Vxy
definida por (88) como
Vxy = Vi / (1 D) . Aplicando o balano de energia no indutor em funo de V x ' y :
Ts
V1dt =
DTs
Vi dt +
Vi Vx ' y
N dt = 0
DTs
Ts
(101)
Resolvendo para Vx ' y :
ND
Vx ' y = Vi
+ 1
1 D
(102)
De acordo com (86) as tenses Vxy e Vx ' y devem ser iguais, onde
substituindo (88) e (102), se obtm a condio de paralelismo,
N =1
(103)
A relao de espiras altera diretamente a tenso Vx ' y , porm no altera Vxy .

Para o caso de N > 1 :
Vx' y > Vxy
(104)
Neste caso somente o diodo da seo de sada flyback est em conduo,

como mostra a Figura 48(a). Assim a tenso de sada passa a ser definida como,
Vo = Vx ' y
(105)
O diodo da seo de sada boost bloqueado (VDoB), cuja tenso pode ser
obtida atravs da diferena entre as tenses Vxy e Vx ' y :
VDoB = Vxy Vx ' y
(106)
Substituindo (88) e (102) em (106) obtm-se a tenso sobre o diodo boost

normalizada pela tenso de entrada:
VDoB D(1 + N )
=
Vi
1 D
(107)
80
Figura 47 Elementos ativos no conversor Boost-Flyback Paralelo wu: (a) Etapa de

magnetizao, (b) Etapa de desmagnetizao.
O diodo DoF est em conduo, portanto:
VDoF
=0
Vi
(108)
Vx' y < Vxy
(109)
Para o caso de N < 1 :
Neste caso somente o diodo da seo de sada boost conduz enquanto o

diodo da seo de sada flyback bloqueado, como mostrado na Figura 48(b). A
tenso de sada passa a ser definida por:
Vo =Vxy
(110)
A tenso sobre o diodo da seo de sada flyback obtida pela diferena

entre as tenses Vxy e Vx ' y :
VDoF = Vx' y Vxy
(111)
Atravs da substituio de (88) e (102) em (111), obtm-se a tenso sobre o

diodo flyback, normalizada pela tenso de entrada:
VDoF
D(1 N )
=
Vi
1 D
(112)
O diodo da seo de sada boost conduz, e, portanto:
VDoB = 0
(113)
81
Figura 48 - Diodos da seo flyback em conduo. (a) N>1. (b) N<1.
Os grficos mostrados na Figura 49(a) e Figura 49(b) mostram a tenso sobre

o diodo da seo de sada flyback ( VDoF /Vi ) e boost ( VDoB /Vi ) normalizadas pela
tenso de entrada, em funo da relao de espiras do indutor acoplado N, para
diferentes valores de razo-cclica D. Para N > 1 a tenso sobre o diodo flyback
zero, no importando o valor de D, o que indica o estado de conduo deste diodo.
Por outro lado, a tenso sempre menor que zero no diodo boost, indicando que
este diodo encontra-se em polarizao reversa. Para N = 1 , a tenso sobre ambos
os diodos zero, i.e., ambos conduzem, caracterizando operao em paralelo das
sees de sada dos conversores boost e flyback. Para N < 1 o diodo da seo de
sada flyback reversamente polarizado, enquanto que o diodo da seo de sada
boost encontra-se em conduo.
No grfico da Figura 49(c), o ganho esttico de tenso do conversor integrado
( M ) comparado ao ganho esttico do conversor boost ( MB ), ao ganho esttico do
conversor flyback ( MF ) e tambm com a soma destes ( MB+MF ). Observa-se que
para 0 N 1 , o conversor integrado apresenta ganho esttico igual ao ganho de
um conversor boost. Porm, para N > 1 , o ganho passa a ser maior que o do
conversor boost e tambm do conversor flyback, mas no chega a ser igual soma
de ambos. Fora da condio de operao de paralelismo N = 1 , o conversor no
atua em paralelo e nem apresenta ganho de tenso maior ou igual ao conversor
Boost-Flyback Srie.
Tenso no diodo Flyback
82
Tenso no diodo Boost
Ganho esttico (D=0,5)
2
VDoF/Vi (D=0,25)
VDoF/Vi (D=0,5)
VDoF/Vi (D=0,75)
6
VDoB/Vi (D=0,25)
VDoB/Vi (D=0,5)
VDoB/Vi (D=0,75)
4.5
1.5
M
MB
MF
MB+MF
0
0
Relao de transformao (N)
(a)
(b)
(c)
Figura 49 Conversor Boost-Flyback Paralelo wu. (a) tenso sobre o diodo da seo de sada
flyback. (b) tenso sobre o diodo da seo de sada boost. (c) ganho esttico de tenso.
4.4.2.3Conversor Boost-Flyback Paralelo wy
As etapas de operao do conversor Boost-Flyback Paralelo wy nos

intervalos Ton e Toff so mostradas na Figura 50(a) e Figura 50(b), respectivamente.
A tenso Vxy definida por (88) como sendo V xy = Vi / (1 D ) .
Figura 50 Elementos ativos na Topologia Boost-Flyback Paralela wy. (a) Etapa de

magnetizao. (b) Etapa de desmagnetizao.
Aplicando o balano de energia no indutor em funo da tenso V x ' y :

DTs
Ts
V1dt = Vi dt +
Resolvendo para V x ' y :
Vi Vx ' y
N dt = 0
DTs
Ts
(114)
83
ND
Vx ' y = Vi
1 D
(115)
Substituindo-se (88) e (102) em (86), obtm-se a condio de operao em

paralelo das sees de sada do conversor integrado como sendo,
N=
1
D
(116)
Sendo que 0 < D 1 , e, portanto N 1 .

A condio de operao exige razo-cclica D fixa, j que esta dada em
funo da relao do nmero de espiras dos enrolamentos primrio e secundrio do
indutor acoplado N , como mostrado do grfico da Figura 51. No eixo vertical
esquerdo do grfico, a relao de espiras N uma funo da razo-cclica D . No
eixo vertical direito o ganho esttico do conversor M que funo da relao de
espiras e razo cclica. Sendo N = 1 / D , V xy = V x ' y e a tenso de sada igual a estas,
podendo ser representada por (88) ou por (115).
A tenso V x ' y funo da razo-cclica (D) e tambm da relao de
transformao do indutor acoplado (N). Pode-se analisar o comportamento do
conversor fora da condio de paralelismo.
Para o caso de N > 1/ D :
V x ' y > V xy
(117)
Somente o diodo da seo de sada flyback est em conduo, como mostra

a Figura 52(a). A tenso de sada passa a ser
Vo = Vx ' y
(118)
O diodo da seo boost bloqueado, cuja tenso reversa pode ser obtida
atravs da diferena entre Vxy e Vx ' y :
V DoB = V xy V x ' y
(119)
Substituindo (88) e (115) em (119) obtm-se a tenso sobre o diodo boost

normalizada pela tenso de entrada.
VDoB 1 ND
=
Vi
1 D
O diodo DoF est em conduo, portanto:
(120)
84
VDoF
=0
Vi
(121)
NxD
12
12
0.25
0.5
0.75
Ganho Esttico (M)
Relao de transf (N)
N{D}
M{N,D}
0
1
Razo cclica (D)
Figura 51 - Relao de espiras e ganho esttico de tenso em funo da razo cclica.
Para o caso de N < 1 / D :

Vx ' y < Vxy
(122)
Neste caso somente o diodo boost (VDoB) conduz enquanto o diodo flyback
(VDoF) polarizado reversamente, como mostrado na Figura 52(b). A tenso de
sada passa a ser,
Vo = Vxy
(123)
Figura 52 (a) diodo da seo flyback em conduo e (b) diodo da seo boost.
A tenso sobre o diodo DoF a diferena entre Vxy e V x ' y :

VDoF = V x ' y V xy
(124)
Atravs da substituio de (88) e (102) em (111), obtm-se a tenso reversa

sobre o diodo flyback normalizada pela tenso de entrada:
VDoF ND 1
=
Vi
1 D
85
(125)
O diodo boost conduz, e, portanto:
VDoB = 0
(126)
Na Figura 53(a), Figura 53(c) e Figura 53(e) mostrado a tenso sobre os

diodos das sees de sada boost ( VDoB /Vi ) e flyback ( VDoF /Vi ) normalizadas pela
tenso de entrada, em funo da relao de espiras do indutor acoplado ( N ) para
razes cclicas D = 0, 25 , D = 0, 5 e D = 0, 75 respectivamente. Para N = 1 / D , a
tenso sobre ambos os diodos das sees de sada igual a zero, e ambos
conduzem. Para N > 1 / D a tenso sobre o diodo da seo de sada flyback vale
zero, enquanto que no diodo da seo de sada boost a tenso menor que zero,
indicando polarizao reversa. Para N < 1 / D a tenso sobre o diodo da seo de
sada boost vale zero, indicando conduo, enquanto que a tenso sobre o diodo da
seo de sada flyback menor que zero, indicando bloqueio.
Na Figura 53(b), Figura 53(d) e Figura 53(f) mostrado o ganho esttico de
tenso do conversor integrado ( M ), comparado ao ganho esttico de tenso do
conversor boost ( MB ) e ao ganho esttico de tenso do conversor flyback ( MF ), em
funo da relao de espiras do indutor acoplado ( N ) para os valores pr-definidos
de razes-cclicas D = 0, 25 , D = 0, 5 e D = 0, 75 .
O ganho esttico do conversor integrado igual ao ganho esttico de tenso
do conversor boost e tambm ao ganho esttico de tenso do conversor flyback
quando N = 1 / D . Para N < 1 / D o ganho esttico torna-se igual ao ganho do
conversor boost. J para N > 1 / D o ganho esttico igual ao ganho do conversor
flyback. Fora dos limites de operao as sees de sada boost e flyback no atuam
em paralelo j que um dos diodos destas sees de sada bloqueia. O ganho
esttico de tenso do conversor integrado igual ao conversor boost ou ao flyback.
86
Tenso nos diodos (D=0,25)
Ganho do conversor (D=0,25)
6
VDoF/Vi
VDoB/Vi
4.5
1.5
1.5
4.5
M
MB
MF
Relao de transf (N)
1.5
4.5
Relao de transf (N)
(a)
(b)
6
VDoF/Vi
VDoB/Vi
4.5
1.5
1.5
4.5
M
MB
MF
Relao de transf (N)
1.5
4.5
Relao de transf (N)
(c)
(d)
6
VDoF/Vi
VDoB/Vi
4.5
1.5
1.5
4.5
Relao de transf (N)
M
MB
MF
0
1.5
4.5
Relao de transf (N)
(e)
(f)
Figura 53 Conversor operando fora da restrio: (a), (c), (e) tenso nos diodos da seo de
sada e em (b), (d), (f) ganho do conversor comparado ao boost e flyback.
87
4.4.3 Topologia do conversor Boost-Flyback Cascata
As etapas de operao do conversor Boost-Flyback Cascata nos intervalos

de magnetizao ( Ton ) e desmagnetizao ( Toff ) so mostradas na Figura 54(a,b),
respectivamente. Considerando-se a existncia da etapa de desmagnetizao nas
sees de sada dos Boost e Flyback, como definido em (73) VDoB = VDoF = 0 , tem-se
as tenses nos diodos de sada como:
VDoB = Vxy VoB
(127)
VDoF = Vx ' y Vo
(128)
As tenses VoB e Vo so definidas em (29) e em (69). Assim, substituindo

(29) e (69) em (127) e em (128), respectivamente, tem-se:
VDoB = Vxy
VDoF = Vx ' y
Vi
1 D
(129)
ND + 1
1 D
(130)
A tenso Vxy definida em (79) como sendo Vxy = Vi / (1 D) . Aplicando o balano de

energia no indutor em funo de Vx ' y :
Ts
V1dt =
0
DTs
Vi dt +
Vi Vx ' y
DT 1 + N dt = 0
s
Ts
(131)
Resolvendo para Vx ' y :
Vx ' y = Vi
ND + 1
1 D
(132)
Substituindo (79) em (129), obtm-se:
VDoB = 0
(133)
Substituindo (132) em (130):
VDoF = 0
(134)
Assim sendo, Vxy = VoB e Vx' y = Vo = VoB +VoF o que est de acordo com as
caractersticas definidas na Seo 4.2.3 Associao das sees de sada em
88
cascata. As etapas de transferncia existem nas sees de sada boost e flyback

aps a integrao das sees de entrada e associao das sees de sada em
cascata, sem nenhuma restrio de operao.
Figura 54 Elementos ativos na Topologia Boost-Flyback Cascata. (a) Etapa de magnetizao.

(b) Etapa de desmagnetizao.
4.4.4 Sntese das restries de operao para as topologias integradas
A Tabela 7 mostra uma sntese com as topologias do conversor BoostFlyback, apresentando tambm as condies para a operao dos circuitos e as
tenses e correntes de sada.
Os conversores Boost-Flyback Srie e Cascata podem operar sem
restries com caractersticas de tenso e corrente de sada definidas.
O conversor Boost-Flyback Paralelo wu e o conversor Boost-Flyback
Paralelo wy operam com restries. Para o conversor Boost-Flyback Paralelo wu a
condio de paralelismo que a relao de espiras no indutor acoplado seja
unitria, no importando a razo-cclica.
Para o conversor Boost-Flyback Paralelo wy, a condio de paralelismo
D = 1 / N , fixando a razo cclica em funo da relao de espiras do indutor
acoplado. J as condies impostas ao conversor Boost-Flyback Paralelo wx

inviabilizam seu funcionamento na condio de paralelismo. Fora das condies de
89
paralelismo possui o mesmo ganho esttico de tenso que os conversores srie e

cascata, apesar do diodo da seo boost no conduzir.
Tabela 7 Restries das Topologias do conversor Boost-Flyback.
Associao
Srie
Topologia
Condies
Variveis de
de operao
sada
Sem
Vo = VoB + VoF
restrio
I oB = I oF = I o
Vo = VoB + VoF
ND>0
IoB = 0
IoF = Io
Paralela wx
ND=0
Paralela wu
N =1
Vo = VoB = VoF
I oB + I oF = I o
Paralela wy
Cascata
N=
1
D
Sem
Vo = VoB + VoF
restrio
I oB = I oF = I o
ANLISE DAS TOPOLOGIAS DO CONVERSOR INTEGRADO
5 ANLISE DAS
INTEGRADO
TOPOLOGIAS
DO
CONVERSOR
90
BOOST-FLYBACK
Neste captulo so abordadas as principais topologias com alto ganho

esttico de tenso que foram derivadas em captulos anteriores. As topologias em
anlise so: o conversor Boost-Flyback Srie, o conversor Boost-Flyback Paralelo
wx e o conversor Boost-Flyback Cascata. Faz-se uma anlise da operao do
circuito de cada um dos conversores, derivando-se o seu ganho esttico. So
mostradas e discutidas as principais formas de onda e, posteriormente, determinamse os esforos nos principais elementos do circuito.
A anlise do princpio de operao das topologias baseada na operao
em modo de conduo de corrente contnua (CCM). Os elementos dos circuitos so
considerados ideais, ou seja, sem perdas. Para as anlises do circuito, considera-se
no modelo do indutor acoplado sua indutncia de disperso L o2 , cuja representao
feita de acordo com o modelo N-port [59]. Visando tornar a anlise matemtica do
circuito do conversor mais simples, considera-se que os capacitores de sada Co ,
C oB e C oF so grandes o suficiente para que a tenso em seus terminais seja

considerada constante durante um perodo de chaveamento Ts .
Cada um dos trs conversores analisados possui quatro etapas de
operao. Inicialmente considera-se que o diodo da seo de sada flyback D oF
encontra-se em conduo e a chave S est bloqueada. A corrente da seo de
sada flyback ioF e a corrente de magnetizao iL1 so positivas, enquanto que a
corrente na seo de sada boost ioB e a corrente de entrada i1 so nulas no instante
t0 .
5.1 CONVERSOR BOOST-FLYBACK SRIE
5.1.1 Princpio de operao em modo de conduo contnua
As etapas de operao do conversor para o intervalo de conduo da chave

Si so mostradas na Figura 55. As etapas de operao do conversor para o intervalo
91
de bloqueio da chave Si na Figura 56. As principais formas de onda do conversor so

mostradas na Figura 57.
Intervalo de conduo da chave Si:

Etapa 1 (t0-t1): no instante t0 a chave Si acionada. A partir deste instante a
corrente de magnetizao iL1 cresce linearmente com taxa de variao limitada pelo
valor de L1 . A corrente i1 cresce com taxa de variao limitada por Lo 2 atravs da
chave Si. Por outro lado a corrente da seo de sada flyback ioF decresce com
. i )/ Lo2 . Esta etapa dura at o instante em que ioF

inclinao definida por (VoF + NV
alcance zero. Neste instante ( t1) o diodo DoF bloqueia. O circuito equivalente desta
etapa mostrado na Figura 55(a). As principais variveis que governam o circuito
durante esta etapa de operao so determinadas a seguir.
A corrente de magnetizao definida como,
iL1 =
Vi
t + I L1( m)
L1
.
(135)
Onde I L1( m ) = iL1 (t 0 ) e o valor mnimo da corrente de magnetizao.

A corrente no enrolamento secundrio expressa por,
ioF =
I
NVi + VoF
t + L1( m )
Lo 2
N .
(136)
A corrente no enrolamento primrio dada por,
i1 = iL1 NioF .
(137)
Portanto, substituindo-se (135) e (136) em (137) obtem-se,
L
V
NVoF
i1 = o 2 + N 2 i +
Lo 2
Lo 2
L1
t .
(138)
A corrente na chave igual a corrente de entrada, portanto,
iSi = i1 .
(139)
V L
NVoF
iSi = i o 2 + N 2 +
t .
Lo 2
Lo 2 L1
(140)
Assim,
92
A corrente no diodo boost nesta etapa zero.
ioB = 0
(141)
O tempo de durao desta etapa definido como,

t1 0 = D1Ts =
I L1( m ) Lo 2
N ( NVi + VoF ) .
(142)
A tenso nos semicondutores definida na sequncia. A tenso na chave Si

nula, pois esta se encontra em conduo.
VDS = 0
(143)
Como a chave encontra-se em conduo e o diodo boost, a tenso sobre

este dada por,
VDoB = VoB .
(144)
Uma vez que o diodo flyback esta em conduo a tenso sobre este nula.
VDoF = 0
(145)
Etapa 2 (t1-t2): no instante t1 a corrente ioF alcana zero. Assim, ambos os

diodos das sees de sada ( DoB e D oF ) encontram-se bloqueados e a carga
alimentada somente pelos capacitores de sada C oB e CoF . Nesta etapa a indutncia
magnetizante do indutor acoplado acumula energia. A etapa chega ao fim quando a
chave Si bloqueada. O circuito equivalente mostrado na Figura 55(b). As
principais variveis que governam o circuito durante esta etapa de operao so
determinadas a seguir.
iL1 =
Vi
t + iL1 ( t1 )
L1
.
(146)
Onde,
Vi
iL1 ( t1 ) = I L1( m ) 1 + o 2
L1 N ( NVi + VoF ) .
(147)
A corrente no secundrio expressa por,
ioF = 0 .
A corrente no primrio dada por,
(148)
i1 = iL1 .
93
(149)
Assim, substituindo-se (146) em (149) tem-se,
i1 =
Vi
Vi
t + I L1( m ) 1 + o 2
.
L1
L
N
NV
+
V
(
)
1
i
oF
(150)
A corrente na chave ,
iSi = i1 .
(151)
A corrente no diodo boost zero.
ioB = 0 .
(152)
Figura 55 - Estados topolgicos durante o perodo de magnetizao do conversor boostflyback srie. (a) Etapa 1 (t0-t1), (b) Etapa 2 (t1-t2).

t2 t1 = D2Ts =
(I
L1( M )
I L1( m ) ) L1
Vi
I L1( m ) Lo 2
N ( NVi + VoF ) .
(153)
A tenso na chave Si ainda nula.
VDS = 0
(154)
Como a chave ainda conduz e o diodo boost permanece bloqueado, a sua

tenso ,
VDoB = VoB .
(155)
A tenso sobre o diodo flyback dada por,
VDoF = (VoF + NVi )
(156)
94
Intervalo de bloqueio da chave Si:

Etapa 3 (t2-t3): no instante t2 a chave bloqueada. Neste instante os diodos
das sees de sada boost e flyback ( DoB e D oF ) so polarizados diretamente. O
diodo boost ( DoB ) assume integralmente a corrente de magnetizao iL1 no instante
t2 , j que a corrente da seo de sada flyback ioF tem crescimento limitado pela
indutncia de disperso Lo 2 . Durante esta etapa a tenso sobre a chave Si limitada
a tenso de sada do boost VoB . A corrente ioF cresce linearmente enquanto que a
corrente ioB decresce linearmente. No instante t3 a corrente de magnetizao
transferida totalmente para o secundrio do indutor acoplado ( ioF ) e a corrente da
seo de sada boost ( ioB ) vai zero. O circuito equivalente mostrado na Figura
56(a). As principais variveis que governam o circuito durante esta etapa de
operao so determinadas a seguir.
iL1 =
Vi VoB
t + I L1( M )
L1
.
(157)
Onde I L1( M ) o valor mximo da corrente de magnetizao.

N (Vi VoB ) + VoF

ioF =
t
Lo 2
(158)
i1 = iL1 NioF .
(159)
Substituindo-se (157) e (158) em (159) tem-se,

Lo 2
+ N 2 (Vi VoB ) + NVoF
i1 = 1
t + I L1( M ) .
Lo 2
(160)
iSi = 0 .
(161)
A corrente no diodo boost a prpria corrente de entrada.
ioB = i1 .
(162)
95
Portanto,
Lo 2
ioB = 1
t + I L1( M )
Lo 2
.
(163)
t3 t2 = D3Ts =
I L1( M ) Lo 2
Lo2
L1
(164)
A tenso nos semicondutores definida na sequncia. Como o diodo boost

encontra-se em conduo e a chave Si esta bloqueada, a tenso sobre esta pode ser
dada como,
VDS = VoB .
(165)
O diodo boost esta conduzindo, assim,
VDoB = 0 .
(166)
O diodo flyback tambm esta conduzindo, portanto,
VDoF = 0 .
(167)
Etapa 4 (t3-t0): no instante t3 o diodo DoB bloqueado, fazendo com que a

seo de sada boost deixe de transferir energia para o capacitor C oB . Com o
bloqueio deste diodo a corrente de entrada i1 chega zero. A corrente da seo de
sada flyback ( ioF ) decresce linearmente sendo definida como a razo da corrente de
magnetizao ( iL1 ) pela relao de transformao do indutor acoplado ( N ). Esta
etapa finda quando a chave Si acionada novamente, iniciando um novo perodo de
chaveamento Ts . O circuito equivalente mostrado na Figura 56(b). As principais
variveis que governam o circuito durante esta etapa de operao so determinadas
a seguir:
iL1 =
VoF
Lo 2
L
+ N2 1
L1
N
t + iL1 ( t3 )
(168)
.
96
Onde,
I L1( M ) Lo 2
Vi VoB
iL1 ( t3 ) =
L1 Lo 2

L1
+ I
L1( M )
.
(169)
ioF =
VoF
Lo 2
+ N 2 L1
L1
t + ioF ( t3 ) .
(170)
Onde,
ioF ( t3 ) = I L1( M )
N (Vi VoB ) + VoF

.
Lo 2
L
1
(171)
i1 = 0 .
(172)
iSi = 0 .
(173)
A corrente na chave zero,
A corrente no diodo boost tambm nula,
ioB = 0 .
(174)
Ts t3 = D4Ts = Ts ( DT
1 s + D2Ts + D3Ts )
(175)
Substituindo-se (164), (153) e (142) em (175) tem-se,
Lo 2
L
Ts t3 = D4Ts = Ts I L1( M ) 1
Vi L
o2
L1
L1
I
L1( m) Vi .
(176)
A tenso nos semicondutores definida na sequncia. Como a chave e o

diodo boost encontram-se a tenso sobre estes dispositivos dada como,
NVoF
VDS = Vi +
Lo 2
+ N2
L1
97
(177)
e,
VDoB = Vi +
NVoF
Lo 2
+ N2
L1
VoB .
(178)
O diodo flyback esta conduzindo, portanto,
VDoF = 0 .
(179)
Figura 56 - Estados topolgicos durante o intervalo de desmagnetizao do conversor boostflyback srie. (a) Etapa 3 (t2-t3); (b) Etapa 4 (t3-TS).
Na Figura 57, podem ser vistas as principais formas de onda do conversor

durante um perodo de chaveamento Ts .
98
Figura 57 - Principais formas de onda no conversor Boost-Flyback Srie durante um perodo

de chaveamento.
99
5.1.2 Anlise do ganho esttico
Para encontrar o ganho esttico do conversor parte-se do princpio que o

conversor opera em regime permanente. Com isto, pode-se afirmar que a energia
armazenada na indutncia de magnetizao ( L1 ) durante um perodo de
chaveamento nula. Isto implica em,
Ts
V dt = 0
(180)
Como o conversor apresenta quatro etapas de operao expresso (180)

pode ser escrita como:
Ts
t2
t3
Ts
t2
t3
V1dt = V1dt + V1dt + V1dt = 0
(181)
Onde se pode encontrar:

t2
V dt = V ( t
1
0 ) = Vi DT
(182)
Lo 2
t3
V dt = (V V ) L
1
t2
oB
+ N (Vi VoB ) + NVoF
L1
o2
I L1( M )
Lo 2
N
I L1( M )
t V1dt = Lo 2 2 VoF Ts DTs + Lo 2 2
3
+N
L1
L1
(183)
Ts
(184)
Substituindo as expresses (182), (183) e (184) em (181), pode-se encontrar

a tenso de sada da seo flyback,
VoF = Vi
I L1( M )
Lo 2
Lo 2
ND
1 + 2
(1 D ) N L1 N Vi (1 D )Ts
(185)
Observa-se que, para o caso ideal em que a disperso nula (Lo2=0), a

expresso idntica a tenso de sada de um conversor flyback ideal (sem perdas).
VoF = Vi
ND
(1 D )
(186)
100
Para encontrar a tenso na sada da seo boost deve-se considerar que,

para o conversor srie, a corrente mdia da seo de sada boost e da seo de
sada flyback so iguais a corrente de sada do conversor. Portanto pode-se definir:
IoB = Io
(187)
Onde a corrente mdia da seo da sada boost pode ser calculada a partir das
formas de onda do conversor. Portanto,
I oB =
t
1 3
1 I L1( M )
ioB dt =
(t3 t2 )
Ts t2
Ts 2
(188)
Substituindo (188) em (187) tem-se
1 I L1( M )
(t3 t2 ) = I o
Ts 2
.
(189)
Considerando-se que no h perdas no conversor, i.e., a potncia de

entrada do conversor seja igual potncia de sada, pode-se obter a corrente de
sada em funo da corrente de entrada substituindo (62) em (59). Portanto (189)
pode ser reescrita como:
(t3 t2 ) =
2 I1Ts 1 D
I L1( M ) ND + 1
(190)
Substituindo-se (185) e (190) em (164) a tenso de sada da seo boost

pode ser definida como:
Vi I L1( M ) Lo 2
1+
VoB =
1 D
VT
i s
I L1M ( ND + 1)
1
I
2
1
Lo 2
+ N2
L1
(191)
Observa-se que, para o caso ideal em que a disperso nula (Lo2=0), a

expresso idntica a tenso de sada de um conversor boost ideal (sem perdas).
VoB =
Vi
1 D .
(192)
Uma vez que, para o conversor srie a tenso de sada igual soma das
tenses das sees boost e flyback, pode-se escrev-la como,
Vo = VoB + VoF .
Substituindo-se (191) e (185) em (193):
(193)
I L1M ( ND + 1)
1
Vi I L1( M ) Lo 2 I1
1
+ Vi ND 1 + Lo 2 I L1( M ) Lo 2
Vo =
1+
D
V
T
1
D
N
L
V
T
(1
D
)
N
(
)
Lo 2
(
)
2
i s
1
i s
+
N
L1
101
(194)
Atravs da simulao numrica da expresso (194) pode-se traar o grfico

para o ganho esttico do conversor. Para obter as curvas foram considerados os
seguintes parmetros: Vi= 25V; I1=7,35A; L1 = 40uH e Ts=10us. Na Figura 58(a) temse o ganho esttico para as sees de sada boost e flyback em curvas separadas,
sendo que foi adotado Lo2 = 0, e para a relao de espiras do indutor acoplado, N =
0,1; N =0,5; N =1; N =2; N =10. Observa-se que o ganho esttico para as sees
boost e flyback cresce de forma quadrtica em funo da razo-cclica. O ganho
esttico da seo flyback pode ser elevado atravs do ajuste da relao de
transformao N do indutor acoplado.
A influncia de Lo2 no ganho esttico pode ser observada na Figura 58(b)
para a seo boost e na Figura 58(c) para a seo flyback. A relao de espiras do
indutor acoplado foi adotada como sendo N=10. Observa-se que o ganho da seo
boost aumenta com o valor de Lo2, pois a energia armazenada nesta indutncia
transferida para a sada boost. Por outro lado, o ganho esttico da seo flyback
decresce com o aumento do valor de Lo2, pois a impedncia desta indutncia
representa uma queda de tenso para a energia que entregue a carga. Para os
parmetros adotados, o aumento do valor de Lo2 causa uma reduo no ganho
esttico do conversor, como pode ser verificado na Figura 58(e). Percebe-se
tambm que maior a influncia da disperso em valores menores de razo-cclica.
Por fim, o ganho esttico do conversor para Lo2 = 0 mostrado na Figura
58(d).
Os grficos da Figura 58 foram traados considerando-se as expresses
numricas encontradas nesta seo para Vo, VoF e VoB. Para uma anlise mais
precisa, deve-se garantir a operao do conversor srie tal como foi descrito na
seo anterior. Isto , deve-se assegurar a existncia das etapas de operao.
Assim, durante o intervalo de magnetizao do indutor acoplado, para que
as etapas 1 e 2 existam, necessrio assegurar que a etapa 1 se extinga antes do
instante t2, i.e.:
DT
1 s < ( D1 + D2 )Ts .
(195)
102
Ganho esttico - Seces Flyback e Boost

32
MF (N=0.1)
MF (N=0.5)
MF (N=1)
MF (N=2)
MF (N=10)
MB
28
24
20
16
12
8
4
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Razo cclica (D)
(a)
Ganho esttico - Seco Boost
32
28
24
20
MB (Lo2=0 )
MB (Lo2=100uH)
MB (Lo2=200uH)
MB (Lo2=300uH)
Ganho esttico - Seco Flyback

32
28
24
20
16
16
12
12
4
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Razo cclica (D)
Razo cclica (D)
(c)
(b)
Ganho esttico do conversor

32
32
28
24
20
MF (Lo2=0)
MF (Lo2=100uH)
MF (Lo2=200uH)
MF (Lo2=300uH)
M (N=0.1)
M (N=0.5)
M (N=1)
M (N=2)
M (N=10)
28
24
20
M (Lo2=0)
M (Lo2=100uH)
M (Lo2=200uH)
M (Lo2=300uH)
16
16
12
12
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Razo cclica (D)
Razo cclica (D)
(d)
(e)
Figura 58 Ganho esttico. (a) Seo boost e Seo flyback (Lo2=0), (b) Seo boost (N=10); (c)
Seo flyback (N=10), (d) Conversor boost-flyback srie (N=10); (e) Conversor boost-flyback
srie (Lo2=0).
103
Pode-se definir o intervalo o de conduo da chave (D) como,
DTs = ( D1 + D2 )Ts .
(196)
Substituindo (142) e (196) em (195)

I L1( m ) Lo 2
N ( NVi + VoF )
< DTs .
(197)
O valor mnimo da corrente magnetizante pode ser definido como:
I L1( m) = I L1 IL1 = I1
( N + 1) Vi DTs
ND + 1 2L1 .
(198)
Substituindo-se (185) e (198) em (197), se obtm a restrio para a

existncia da etapa 2:
Lo 2
L
8I L
+ 2 N 2 o 2 + 2 N 2 + 1 o 2 N (1 + N )
L
L1
L1
VT
i s
o2
+ N2
2L1
2
DCrit1 >
.
L
N 2N 2 + o2
L1
(199)
A segunda restrio refere-se existncia das etapas 3 e 4 durante o

intervalo de desmagnetizao. Para que a etapa 4 exista, a etapa 3 deve se
extinguir antes do trmino do perodo de chaveamento Ts, i.e.:
( D1 + D2 + D3 )Ts < Ts .
(200)
Substituindo-se (196) em (200),
D3Ts < Ts (1 D) .
(201)
Substituindo (164) em (201):

I L1( M ) Lo 2
Lo 2
L1
< Ts (1 D) .
(202)
O valor mximo da corrente magnetizante pode ser definido como:
I L1( M ) = I L1 + IL1 = I1
( N + 1) Vi DTs
+
ND + 1 2L1 .
(203)
Substituindo (185), (191) e (203) em (202), se obtm a restrio para a

existncia da etapa 4:
1 1 +
DCrit 2 >
8I1L1
N (1 N )
VT
i s
.
2N
104
(204)
Resolvendo (204) para N:
Vi DTs
2I1L1
N>
Vi D2Ts .
1+
2I1L1
1
(205)
Na Figura 59 so traadas curvas nos limites da existncia das etapas 2 e 4

considerando-se os seguintes parmetros: Vi = 25V; I1 = 7,35A; L1 = 40uH e Ts =
10us. Conforme o modelo Cantilever em sua representao N-port [59], a indutncia
de disperso do indutor acoplado pode ser obtida por:
Lo 2 = N 2 Lk 1
(206)
Onde Lk1 indutncia de disperso refletida para o primrio.

Na Figura 59(a) so representadas as duas restries, para existncia da
etapa 2 (Limite 1, (199)) e para existncia da etapa 4 (Limite 2, (204)). Neste caso
considerou-se uma indutncia de disperso refletida para o primrio Lk1=2H, que
corresponde a 5% de L1 .
Com relao restrio para existncia da etapa 2 (Limite 1) pode-se
concluir que para valores de razo-cclica (D) acima desta linha, asseguram que
durante o processo de magnetizao do indutor acoplado existiro as etapas 1 e 2, o
que indica que na Regio x1 a restrio obedecida e na Regio y1 a restrio no
atendida.
concluir que para valores de razo-cclica (D) acima desta linha, asseguram que no
processo de desmagnetizao do indutor acoplado existiro as etapas 3 e 4.,
indicando que na Regio x2 a restrio obedecida e na Regio y2 a restrio no
atendida.
Assim, ambas as restries so atendidas na interseco da Regio x1 com
a Regio x2, i.e., na rea cinza.
105
Na Figura 59(b) mostrado o grfico do ganho esttico do conversor em

funo da razo-cclica, para Lk1 = 2 H , I1 = 7,3A e diferentes valores de relao de
transformao no indutor acoplado: N = 0,1 , N = 1, N = 2 , N = 4 , N = 8 , N = 12 .
Sobre as curvas do ganho, so traadas duas curvas pontilhadas: uma no limite da
existncia da etapa 2 (Limite 1) e outra no limite da existncia da etapa 4 (Limite 2).
A regio onde existem as quatro etapas de operao a regio acima dos limites 1
e 2, i.e, na rea cinza.
(a)
(b)
Figura 59 - Limite de operao: (a) razo cclica em funo da relao de transformao e (b)
ganho em funo da razo-cclica.
Portanto, existe um conjunto de valores de ganhos estticos que pode ser

obtido por diferentes pares de valores de N e D, dentro da regio de operao do
conversor. Por exemplo, para se obter um ganho esttico igual a quatro, pode-se
utilizar um valor de relao de transformao N=8 e uma razo-cclica D=0,3 ou um
valor de relao de transformao N=1 e uma razo-cclica D=0,6. Todavia, se a
razo-cclica for reduzida durante a operao do conversor, a escolha de N=8 e
D=0,3, permite que o conversor opere dentro das restries at uma razo-cclica de
aproximadamente D=0,2. Isto significa que a faixa de operao do conversor de
D=0,3 (no ponto nominal) a D=0,2 (para o limite da restrio). Por outro lado, se a
escolha for por N=1 e D=0,6, o conversor pode reduzir a razo-cclica at D =0,3
onde alcana o limite da restrio. Isto significa que a faixa de operao do
conversor de D=0,6 (no ponto nominal) a D=0,3 (para o limite da restrio). Para
valores nominais de D=0,5 e N=2, a faixa de operao maior.
106
5.1.3 Anlise dos esforos de correntes nos componentes
Nesta seo so determinados os esforos de corrente nos principais

componentes do circuito em modo de conduo contnua (CCM). A determinao
dos esforos auxilia no dimensionamento dos componentes do circuito quanto aos
esforos de corrente.
5.1.3.1Esforos de corrente nos enrolamentos do indutor acoplado
Enrolamento primrio:
O valor mximo da corrente de entrada que a corrente do enrolamento
primrio do indutor acoplado pode ser definido atravs da substituio de (160) em
(157), resultando em:
I1( M ) = I L1( M ) .
(207)
O valor mdio da corrente de entrada pode ser definido como,

I1( avg )
1
=
Ts
Ts
i dt
(208)
Como o conversor apresenta quatro etapas de operao equao (208)

pode ser reescrita como,
t
I1( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
+
+
+
i
dt
i
dt
i
dt
i1dt
1
1
1
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(209)
Assim,
I1( avg )
1
=
Ts
k
Vi t 2
1 + 1
Lo 2 L1 2
1
+
Ts
V ( t2 t1 )2
i
+ k2 I L1( m ) ( t2 t1 )
L1
t3 t 2 )
(
1
+ ( k3 + k 4 )
+ I L1M ( t3 t2 )
Ts
2
(210)
Onde,
k1 = N ( NVi + VoF )
k2 = 1 +
Lo2 Vi
L1 k1
(211)
(212)
L
(V VoB )
k3 = o 2 + N 2 i
Lo 2
L1
k4 = N
107
(213)
VoF
Lo2
(214)
O valor eficaz pode ser definido como:

T
1 s 2
i1 dt
Ts 0
I1( rms ) =
(215)
Como o conversor apresenta quatro etapas de operao a equao (215)

t
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
+
+
+
i
dt
i
dt
i
dt
i1 dt
1
1
1
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
I1( rms ) =
(216)
Onde se pode definir:

2
k1 Vi 3
+ t1
t1
Lo 2 L1
1 2
i1 dt =
3
Ts 0
(217)
Vi (t2 t1 )3
V
1 2 2
i
dt
=
+ k2 I L1( m ) ( t2 t1 ) i ( t2 t1 ) + k 2 I L1( m )

1
Ts t1
3
L1
L1
(218)
( k3 + k4 ) 2 (t3 t2 )3
1 3 2
i
dt
=
+ I L1( M ) ( t3 t2 ) ( (k3 + k4 ) ( t3 t2 ) + I L1( M ) )
1
Ts t2
3
(219)
1
Ts
Ts
dt = 0
(220)
t4
Por fim, substituindo-se (217) a (220) em (216) encontra-se o valor eficaz da

corrente de entrada, i.e., do enrolamento primrio do indutor acoplado.
Enrolamento secundrio:
A corrente no enrolamento secundrio do indutor acoplado igual a corrente
da seo sada flyback ioF . O valor mximo da corrente na seo de sada flyback
pode ser definido por:
I oF ( M ) = ioF (t3 )
(221)
108
Sendo ioF (t3 ) definido na expresso (171).

O valor mdio da corrente do enrolamento secundrio pode ser definido
como,
1
=
Ts
I oF ( avg )
Ts
oF
(222)
dt

t
I oF ( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
i
dt
i
dt
i
dt
ioF dt
+
+
+
oF
oF
oF
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(223)
Assim,
I oF ( avg )
1
=
Ts
+
k1t1
t
+ I L1( m ) 1

N
2 Lo 2
1
+
Ts
t3 t 2 )
(
k5
1 k6 (TS t3 ) k5 I L1M
+
(TS t3 )
2
Ts
k3 + k 4
(224)
Onde,
k5 =
N (Vi + VoB ) + VoF
k6 =
(225)
Lo 2
VoF
(226)
L1 o 2 + N 2
L1

T
I oF ( rms )
1 s 2
=
ioF dt
Ts 0
(227)

t
I oF ( rms )
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
=
ioF dt + ioF dt + ioF dt + ioF dt
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(228)

2
t
k1 t13 k1I L1mt1
1 1 2
k1t1
i
dt
=
+
1 +
oF
Ts 0
NLo 2 Lo 2 N
NLo 2 3
(229)
109
1 2 2
i1 dt = 0
Ts t1
(230)
3
1 3 2
2 (t3 t 2 )
i
dt
=
k
1
5
3
Ts t2
(231)
1
Ts
Ts
dt = k6
(TS t3 )
3
t4
k 5 I L1 M
kI
(TS t3 ) k6 (TS t3 ) + 5 L1M
k3 + k 4
k3 + k 4
(232)

corrente no enrolamento secundrio.
5.1.3.2Esforos de corrente no MOSFET
O valor mximo da corrente no MOSFET definido como:

I Si ( M ) = I L1( M )
(233)
A expresso (234) determina o valor mdio da corrente no MOSFET.

I Si ( avg ) =
1
Ts
Ts
Si
(234)
dt

t
I Si ( avg )
1 1
1 2
1 3
1 s
= iSi dt + iSi dt + iSi dt + iSi dt
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(235)
Assim,
I Si ( avg )
1
=
Ts
k1 Vi t12 1
+ +

L
L1 2 Ts
o
2
V ( t2 t1 )2
i
+ k2 I L1( m ) ( t2 t1 )
L1
(236)

T
I Si ( rms )
1 s 2
=
iSi dt
Ts 0
(237)

I Si ( rms )
110
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
=
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
iSi dt
Si
Si
Si
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(238)

2
t
k1 Vi t13
1 1 2
i
dt
=
+
Si
Ts 0
Lo 2 L1 3
(239)
Vi (t2 t1 )3
V
1 2 2
iSi dt =
+ k2 I L1( m ) ( t2 t1 ) i ( t2 t1 ) + k 2 I L1( m )
Ts t1
3
L1
L1
(240)
1 3 2
i1 dt = 0
Ts t2
1
Ts
(241)
Ts
dt = 0
(242)
t4

corrente na chave.
5.1.3.3 Esforos de corrente nos diodos
Diodo da seo de sada Flyback:

A corrente no diodo da seo de sada flyback a mesma que a corrente de
sada do enrolamento secundrio do indutor acoplado. Portanto, o valor mximo,
mdio e eficaz da corrente neste diodo pode ser definido respectivamente por: (221),
(224) e (228).
Diodo da seo de sada Boost:

O valor mximo da corrente no diodo boost pode ser definido como:
I oB ( M ) = I L1( M )
(243)
O valor mdio da corrente no diodo da seo de sada boost pode ser

definido como,
I oB ( avg ) =
1
Ts
Ts
oB
(244)
dt
111

t
I oB ( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
ioB dt
oB
oB
oB
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(245)
.
Assim,
I oB ( avg )
t3 t 2 )
(
1
= ( k3 + k 4 )
+ I L1M ( t3 t2 )
Ts
2
(246)

T
IoB ( rms )
1 s 2
=
ioB dt
Ts 0
(247)
.

t
I oB ( rms ) =
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
ioB dt
oB
oB
oB
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(248)
.

t
1 1 2
ioB dt = 0
Ts 0
(249)
1 2 2
ioB dt = 0
Ts t1
(250)
( k3 + k4 ) 2 (t3 t2 )3
1 3 2
i
dt
=
+ I L1( M ) ( t3 t2 ) ( (k3 + k4 ) ( t3 t2 ) + I L1( M ) )
1
Ts t2
3
(251)
1
Ts
Ts
dt = 0
t4
(252)
.

corrente no diodo da seo de sada boost,
(k3 + k4 ) 2 (t3 t2 )3
1 3 2
=
i
dt
=
+ I L1( M ) ( t3 t2 ) ( (k3 + k4 ) ( t3 t2 ) + I L1( M ) )
1
Ts t2
3
t
I oB ( rms )
(253)
.
A Figura 60 mostra os esforos de corrente nos componentes do conversor.
112
Foram considerados os seguintes parmetros: Vi=25V; I1=7,35A; L1=40H, Lk1 = 2 H

e Ts=10s.
A corrente eficaz na chave apresentada na Figura 60(a) em funo da
razo-cclica para diferentes valores de relao de transformao do indutor
acoplado (acoplado N = 2 , N = 4 , N = 6 , N = 8 , N = 10 e N = 12 ). Percebe-se que
o valor mximo da corrente eficaz na chave fica aproximadamente entre as razes
cclicas 0,25 e 0,6. Para valores de relao de transformao do indutor acoplado N
menores, o valor mximo da corrente eficaz na chave ocorre para valores de razocclica mais altos, como o caso de N = 2 que tem valor mximo em D = 0, 6 . Para
valores de relao de transformao mais altos, como o caso de N = 12 o valor
mximo da corrente eficaz ocorre na razo cclica D = 0, 25 .
A corrente eficaz no enrolamento primrio do indutor acoplado mostrada
na Figura 60(b) em funo da razo-cclica para o mesmo conjunto de valores de N.
No enrolamento primrio do indutor acoplado a corrente eficaz inversamente
proporcional a
razo-cclica,
diretamente proporcional a
relao de
transformao utilizada.
A corrente eficaz no enrolamento secundrio do indutor acoplado mostrada
na Figura 60(c) em funo da razo-cclica para o mesmo conjunto de valores de N.
Observa-se que a corrente eficaz no enrolamento secundrio possui comportamento
semelhante ao do enrolamento primrio, ou seja, a corrente eficaz inversamente
proporcional ao valor da razo-cclica e a relao de transformao do indutor
acoplado. Todavia, a influncia do valor da relao de transformao do indutor
acoplado se reduz para valores de razo-cclica elevados.
A corrente mdia no diodo de sada da seo boost representada na
Figura 60(d) e para o diodo de sada da seo flyback mostrada na Figura 60(e),
ambos os parmetros esto traados em funo da razo-cclica para o mesmo
conjunto de valores de N. Observa-se que em ambos os diodos a corrente mdia
decai com o aumento da razo-cclica e do valor da relao de transformao do
indutor acoplado.
Observa-se que para todos os grficos, quanto maior o valor da razocclica, menores sero os esforos de corrente. Por outro lado, os esforos de
corrente no primrio so proporcionais ao valor de N, ao passo que no secundrio
so inversamente proporcionais a N. Considerando-se que o MOSFET possui uma
113
RSE mais significativa que a dos diodos, plausvel considerar que uma reduo
nos esforos neste semicondutor produz um efeito maior na eficincia do conversor.
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
Figura 60 Esforos de corrente em funo de D e N: (a) corrente eficaz na chave, (b) corrente
eficaz no primrio do indutor acoplado, (c) corrente eficaz no secundrio do indutor acoplado,
(d) corrente mdia no diodo boost e (e) corrente mdia no diodo flyback.
114
5.1.4 Esforos de tenso nos semicondutores
A Tabela 8 mostra a tenso sobre os semicondutores durante as quatro

etapas de operao do conversor. A mxima tenso sobre a chave e sobre o diodo
da seo de sada boost igual tenso da sada boost VoB , ocorrendo na chave
na etapa 3, e no diodo da seo de sada boost durante as etapas 1 e 2. O diodo
flyback fica polarizado reversamente somente na etapa 2, cuja tenso funo da
tenso de sada flyback.
Tabela 8 - Tenso sobre os semicondutores do conversor Boost-Flyback Srie
Tenso sobre a chave
Tenso sobre o diodo boost
Tenso sobre o diodo
Etapa
VDS
VDoB
flyback VDoF
Etapa 1
VoB *
Etapa 2
VoB
(VoF + N.Vi ) *
Etapa 3
VoB *
VoF
Vi +
VoB
Lo 2
N+
NL1
Etapa 4
VDoB = Vi +
VoF
VoB 0
Lo 2
N+
NL1
* Valor mximo
Na Figura 61 mostrada a tenso mxima na chave, no diodo da seo de

sada boost e no diodo da seo de sada flyback em funo da razo-cclica para
as relaes de transformao do indutor acoplado N = 2 , N = 4 , N = 6 , N = 8 ,
N = 10 e N = 12 . So considerados os seguintes parmetros: Vi=25V; I1=7,35A;

L1=40H, Lk1 = 2 H e Ts=10s.
Observa-se na Figura 61(a) que os esforos de tenso na chave crescem
com o aumento da razo-cclica e com o aumento de N. Uma vez que o RSE do
MOSFET diretamente proporcional a sua tenso de ruptura interessante manter
estes esforos em valores no muito elevados, uma vez que isto reflete na eficincia
do conversor.
Do mesmo modo, pode se perceber que os esforos de tenso sobre o
diodo da seo de sada boost (Figura 61(b)) e sobre o diodo da seo de sada
flyback (Figura 61(c)) tambm tendem a crescer com o aumento da razo-cclica.
115
Entretanto, a tenso reversa sobre o diodo flyback fortemente afetada pela relao
de transformao ( N ) do indutor acoplado.
(a)
(b)
(c)
Figura 61 Tenso mxima sobre os semicondutores em funo da razo cclica para

diferentes relaes de transformao do indutor acoplado: (a) na chave, (b) no diodo da seo
de sada boost e (c) no diodo da seo de sada flyback.
5.1.5 Simulao do conversor
Nesta Seo so realizadas simulaes computacionais com o software

PSIM no intuito de validar os grficos dos esforos obtidos na Seo anterior. O
circuito simulado considera os componentes do conversor sem perdas, ou seja, a
resistncia srie equivalente (SER) desprezada. A Tabela 9 mostra os principais
parmetros da simulao realizada em programa computacional (PSIM).
Parmetro
Time Step
Total Time
Print Time
Print Step
Ii
Vi
D
N
Fs
L1
Lk1
Tabela 9 Parmetros de simulao.

Descrio
Passo de simulao
Tempo total da simulao
Tempo inicial para exibio das formas
de onda
Passo de exibio das formas de onda
Corrente de entrada
Tenso de entrada
Razo cclica
Relao do indutor acoplado
Frequncia de chaveamento
Indutncia magnetizante
Indutncia de disperso refletida para o
primrio
116
Valor
10ns
10ms
9,99ms
1
7,35A
25V
{ 0,25 0,5 0,75 }
{ 2 10 }
100kHz
40H
2uH
Nas Erro! Fonte de referncia no encontrada. a Tabela 18 mostrado um

comparativo entre os valores obtidos pela simulao e calculados para as razes
cclicas D={0,25 0,5 0,75} e para as relaes de transformao do indutor acoplado
N={2 10}. Pode-se considerar satisfatrios os resultados obtidos, tanto para a tenso
de sada do conversor com diferena entre os valores calculados e simulados, tanto
para os esforos de corrente e tenso que esto dentro de uma tolerncia aceitvel.
Tabela 10 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso da seo de
sada boost (VoB).
RazoRelao de
Ganho de tenso Tenso VoB
Tenso VoB
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
(VoB/Vi)
Simulao
Calculado
(N)
D = 0,25
2
1,42
35,37V
35,5V
0,37%
D = 0,5
2
2,13
53,17V
53,25V
0,15%
D = 0,75
2
4,32
107,50V
108,00V
0,47%
D = 0,25
10
2,45
59,57V
61,25V
2,82%
D = 0,5
10
3,17
77,60V
79,25V
2,13%
D = 0,75
10
6,13
150,34V
153,25V
1,94%
Tabela 11 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso da seo de

sada flyback.
RazoRelao de
Ganho de
Tenso VoF
Tenso VoF
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
Tenso (VoF/Vi)
Simulao
Calculado
(N)
D = 0,25
2
0,37
8,58V
9,25V
7,81%
D = 0,5
2
1,72
42,36V
42,53V
0,33%
D = 0,75
2
5,61
139,62V
140,01V
0,29%
D = 0,25
10
1,11
23,58V
25,22V
6,02%
D = 0,5
10
8,14
203,73V
203,55V
0,10%
D = 0,75
10
27,82
695,22V
695,33V
0,00%
117
Tabela 12 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso de sada do

conversor.
RazoRelao de
Ganho de
Tenso Vo
Tenso Vo
Erro (%)
cclica (D)
Transformao (N) Tenso (Vo/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
1,80
43,95V
45,00V
2,39%
D = 0,5
2
3,84
95,54V
96,00V
0,48%
D = 0,75
2
9,91
247,19V
247,75V
0,23%
D = 0,25
10
3,45
83,15V
86,25V
3,73%
D = 0,5
10
11,32
281,30V
283,00V
0,60%
D = 0,75
10
33,93
845,40V
848,25V
0,34%
Tabela 13 Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente eficaz na

chave.
RazoRelao de
Corrente
Corrente IS(rms) Corrente IS(rms) Erro (%)
cclica (D)
Transformao (N) normalizada
Simulao
Calculado
(IS(rms)/I1(avg))
D = 0,25
2
0,96
6,98A
7,05A
1,09%
D = 0,5
2
1,01
7,65A
7,35A
3,92%
D = 0,75
2
1,02
7,69A
7,35A
4,42%
D = 0,25
10
1,61
11,72A
11,76A
0,34%
D = 0,5
10
1,31
9,48A
9,62A
1,48%
D = 0,75
10
1,13
8,34A
8,30A
0,48%
Tabela 14 Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente mdia no

diodo Boost.
RazoRelao de
Corrente
Corrente
Corrente
Erro (%)
cclica (D)
IoB(avg)
IoB(avg)
(IoB(avg)/I1(avg))
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
0,54
4,10A
3,969A
3,20%
D = 0,5
2
0,25
1,94A
1,837A
3,29%
D = 0,75
2
0,11
0,744A
0,735A
1,21%
D = 0,25
10
0,28
2,21A
2,058A
6,88%
D = 0,5
10
0,086
0,633A
0,632A
0,16%
D = 0,75
10
0,025
0,210A
0,183A
12,86%
Tabela 15 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente mdia no diodo
Flyback.
RazoRelao de
Corrente
Corrente
Corrente
Erro (%)
cclica (D)
IoF(avg)
IoF(avg)
(IoF(avg)/I1(avg))
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
0,58
4,11A
4,263A
3,98%
D = 0,5
2
0,26
1,94A
1,911A
0,58%
D = 0,75
2
0,10
0,744A
0,735A
1,21%
D = 0,25
10
0,30
2,21A
2,205A
0,23%
D = 0,5
10
0,08
0,633A
0,588A
7,11%
D = 0,75
10
0,025
0,210A
0,183A
12,86%
118
Tabela 16 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso mxima sobre a
chave.
RazoRelao de
Tenso
Tenso
Tenso
Erro (%)
cclica (D)
VDS(max)
VDS(max)
(VDS(max)/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
1,42
35,80V
35,50V
0,84%
D = 0,5
2
2,13
53,15V
53,25V
0,19%
D = 0,75
2
4,31
107,42V
107,75V
0,31%
D = 0,25
10
2,45
59,97V
61,25V
2,13%
D = 0,5
10
3,17
77,70V
79,25V
1,99%
D = 0,75
10
6,13
150,37V
153,25V
1,92%
Tabela 17 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso mxima sobre o
diodo boost.
RazoRelao de
Tenso
Tenso
Tenso
Erro (%)
cclica (D)
VDoB(max)
VDoB(max)
(VDoB(max)/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
-1,40
-34,80V
-35,22V
0,57%
D = 0,5
2
-2,13
-52,86V
-53,25V
0,74%
D = 0,75
2
-4,31
-107,42V
-107,75V
0,31%
D = 0,25
10
-2,45
-58,97V
-61,25V
3,87%
D = 0,5
10
-3,17
-77,74V
-79,25V
1,99%
D = 0,75
10
-6,13
-150,31V
-153,25V
1,96%
diodo flyback.
RazoRelao de
Tenso
Tenso
Tenso
Erro (%)
cclica (D)
VDoF(max)
VDoF(max)
(VDoF(max)/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
-2,36
-58,70V
-59,00V
0,51%
D = 0,5
2
-3,70
-92,26V
-92,50V
0,26%
D = 0,75
2
-7,60
-189,64V
-190,00V
0,19%
D = 0,25
10
-11,09
-273,54V
-275,00V
0,53%
D = 0,5
10
-18,02
-453,68V
-450,00V
0,81%
D = 0,75
10
-38,82
-945,02V
-970,00V
2,64%
5.2 CONVERSOR BOOST-FLYBACK PARALELO WX

de bloqueio da chave so mostradas na Figura 63. As principais formas de onda do
conversor so mostradas na Figura 64.
119

inclinao definida por (NVi +Vo ) / Lo2 . Esta etapa dura at o instante em que ioF
etapa mostrado na Figura 62(a). As principais variveis que governam o circuito
durante esta etapa de operao so determinadas a seguir. A corrente de
magnetizao definida como,
iL1 =
Vi
t + I L1( m)
L1
.
(254)
Onde I L1( m ) = iL1 (t0 ) e o valor mnimo da corrente de magnetizao.

ioF =
I
NVi + Vo
t + L1( m )
Lo 2
N +1 .
(255)
i1 = iL1 NioF .
(256)
Lo 2
+ N 2 Vi + NVoF
i1 = 1
Lo 2
t + I L1( m) .
N +1
(257)
iSi = iL1 ioF ( N + 1) .

Assim,
(258)
Lo 2
+ N ( N + 1) Vi + ( N + 1)VoF
iSi = 1
Lo 2
t .
120
(259)
ioB = 0
(260)
t1 0 = D1Ts =
I L1( m) Lo 2
( N + 1)( NVi + Vo ) .
(261)

nula, pois esta se encontra em conduo.
VDS = 0 .
(262)

este dada por,
VDoB = Vo .
(263)
VDoF = 0 .
(264)

alimentada somente pelo capacitor de sada Co . Nesta etapa a indutncia
chave Si bloqueada. O circuito equivalente mostrado na Figura 62(b). As
determinadas a seguir. A corrente de magnetizao definida como,
iL1 =
Vi
t + iL1 ( t1 )
L1
.
(265)
Onde,
Vi
iL1 ( t1 ) = I L1( m) 1 + o 2
L
(
N
+
1)
NV
+
V
(
)
1
i
o
(266)
121
ioF = 0 .
(267)
i1 = iL1 .
(268)
i1 =
Vi
Vi
t + I L1( m) 1 + o 2
.
L1
L1 ( N + 1) ( NVi + Vo )
(269)
iSi = i1 .
(270)
ioB = 0 .
(271)

t2 t1 = D2Ts =
(I
L1( M )
I L1( m ) ) L1
Vi
I L1( m ) Lo 2
( N + 1)( NVi + Vo ) .
(272)

ainda nula.
VDS = 0 .
(273)
Figura 62 - Estados topolgicos durante o intervalo de magnetizao do conversor boostflyback paralelo wx. (a) Etapa 1 (t0-t1). (b) Etapa 2 (t1-t2).

tenso ,
VDoB = Vo .
122
(274)
VDoF = (VoF + NVi )
(275)

das sees de sada boost e flyback ( DoB e D oF ) so polarizados diretamente. O
a tenso de sada Vo . A corrente ioF cresce linearmente enquanto que a corrente ioB
decresce linearmente. No instante t3 a corrente de magnetizao transferida
totalmente para o secundrio do indutor acoplado ( ioF ) e a corrente da seo de
sada boost ( ioB ) vai zero. O circuito equivalente mostrado na Figura 63(a). As
determinadas a seguir. A corrente de magnetizao definida como,
iL1 =
Vi Vo
t + I L1( M )
L1
.
(276)
Onde I L1( M ) o valor mximo da corrente de magnetizao.

N (Vi Vo )
ioF =
t
Lo 2
(277)
i1 = iL1 NioF .
(278)
L
(V V )
i1 = o 2 + N 2 i o t + I L1( M ) .
Lo 2
L1
(279)
iSi = 0 .
123
(280)
ioB = iL1 ( N + 1)ioF .
(281)
L
(V V )
ioB = o 2 + N ( N + 1) i o t + I L1( M )
Lo 2
L1
.
(282)
Portanto,
t3 t2 = D3Ts =
I L1( M ) Lo 2
.
Lo 2
+ N ( N + 1) (Vi Vo )
L1
(283)
A tenso nos semicondutores definida na sequncia. Como o diodo boost

encontra-se em conduo e a chave Si esta bloqueada, a tenso sobre esta pode ser
dada como,
VDS = Vo .
(284)
O diodo boost esta conduzindo, assim,
VDoB = 0 .
(285)
O diodo flyback tambm esta conduzindo, portanto,
VDoF = 0 .
(286)
Etapa 4 (t3-t0): no instante t3 o diodo DoB bloqueado, fazendo com que a

seo de sada boost deixe de transferir energia para o capacitor C oB . Com o
bloqueio deste diodo a corrente de entrada i1 igual a corrente de sada flyback ioF .
A corrente da seo de sada flyback ( ioF ) decresce linearmente sendo definida
como a razo da corrente de magnetizao ( iL1 ) pela relao de transformao do
indutor acoplado ( N ). Esta etapa finda quando a chave Si acionada novamente,
iniciando um novo perodo de chaveamento Ts . O circuito equivalente mostrado na
Figura 63(b). As principais variveis que governam o circuito durante esta etapa de
operao so determinadas a seguir. A corrente de magnetizao definida como:
iL1 =
Vi Vo
t + iL1 ( t3 )
Lo 2 L1
2
.
( N + 1) +
L
N
+
(
1)
1
124
(287)
Onde,
I L1( M )
iL1 ( t3 ) = I L1( M ) 1
1 + L1 N ( N + 1) .
Lo
(288)
ioF
2
Vi Vo )
N + 1)
(
(
1
=
Lo 2
2
Lo 2
( N + 1) + L
1
t + ioF ( t3 ) .
(289)
Onde,
ioF ( t3 ) =
N
I L1( M ) .
Lo 2
+ N ( N + 1)
L1
(290)
i1 = ioF .
(291)
iSi = 0 .
(292)
A corrente no diodo boost tambm nula,
ioB = 0 .
(293)
Ts t3 = D4Ts = Ts ( DT
1 s + D2Ts + D3Ts )
(294)
I L1( M ) Lo 2
L1
D4Ts = Ts ( I L1( M ) I L1(m) )
.
Vi Lo 2
(
1)
+
N
N
+
V
(
)
i o
L1
(295)
125
A tenso nos semicondutores definida na sequncia. Como a chave e o

diodo da seo boost encontram-se bloqueados a tenso sobre estes dispositivos
dada como,
VDS = Vi
(Vi Vo )
Lo 2 1
2
( N + 1) +
L1 ( N + 1) .
(296)
e,
VDoB
1
= (Vi Vo ) 1

L
2
( N + 1) + o 2
L1

1 .
( N + 1)
(297)
O diodo da seo flyback esta conduzindo, portanto,
VDoF = 0 .
(298)
Figura 63 - Estados topolgicos durante o intervalo de desmagnetizao do conversor boostflyback paralelo wx. (a) Etapa 3 (t2-t3). (b) Etapa 4 (t3-TS).

126
Figura 64 - Principais formas de onda no conversor boost-flyback paralelo xw durante um

perodo de chaveamento.
127
5.2.2 Anlise do ganho esttico
Para encontrar o ganho esttico parte-se do princpio que o conversor opera

em regime permanente. Com isto, pode-se afirmar que a energia armazenada na
indutncia de magnetizao ( L1 ) durante um perodo de chaveamento nula. Isto
implica em,
T
V dt = 0
(299)
Como o conversor apresenta quatro etapas de operao a expresso (180)

pode ser escrita como:
t3
t2
V dt = V dt + V dt + V dt = 0
1
t2
(300)
t3
Onde:
t2
V dt = V ( t
1
0 ) = Vi DT
t3
V dt = (V V ) L
1
t2
(301)
Lo 2
o2
+ N ( N + 1) (Vi Vo )
L1
I L1( M )
(302)
T
Lo 2
( N + 1)
(Vi Vo ) Ts DTs +
I L1( M )
t V1dt = Lo 2
Lo 2
3
+ ( N + 1) 2
+
N
(
N
+
1)
V
(
)

i
o
L
L1
(303)
Substituindo (182) a (184) em (181), pode-se encontrar a tenso de sada do

conversor,
Lo 2 I L1( M )
Lo 2
Vi
Lo 2
ND + 1
Vo = Vi
+
+ ( N + 1)( N + 2)
1 D (1 D)( N + 1) L1
Lo 2
L1
ViTs
+ N ( N + 1)
L1
(304)
Atravs da expresso (304) pode-se traar o grfico para o ganho esttico

do conversor atravs de simulao numrica. Para obter as curvas foram
considerados os seguintes parmetros: Vi= 25V; I1=7,35A; L1=40H e Ts=10s. Na
Figura 65(a) tem-se o ganho esttico do conversor em curvas separadas para
128
diferentes valores de Lo2. Para este grfico a relao de transformao do indutor

acoplado foi adotada como sendo N=10. Para os parmetros adotados, o aumento
do valor de Lo2 causa uma reduo no ganho esttico do conversor. Percebe-se
tambm que maior a influncia da disperso em valores menores de razo-cclica.
Na Figura 65(b) tem-se o ganho esttico em curvas separadas para a relao de
transformao do indutor acoplado, N = 0,1; N =0,5; N=1; N=2; N=10, sendo que foi
adotado Lo2=0. Observa-se que o ganho esttico cresce de forma quadrtica em
funo da razo-cclica.
32
28
24
32
M (Lo2=0)
M (Lo2=100uH)
M (Lo2=200uH)
M (Lo2=300uH)
28
24
M (N=0.1)
M (N=0.5)
M (N=1)
M (N=2)
M (N=10)
20
20
16
16
12
12
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Razo cclica (D)
Razo cclica (D)
(a)
(b)
Figura 65 Ganho esttico: (a) para N=10 e diferentes valores de Lo2, (b) para Lo2=0 e
diferentes valores de N.
Para que o conversor opere com as quatro etapas previstas necessrio

que respeite duas restries. Durante o intervalo de conduo da chave, para que as
etapas 1 e 2 existam necessrio que a etapa 1 se extinga antes do instante t2, i.e.:
DT
1 s < ( D1 + D2 )Ts .
(305)
Pode-se definir o intervalo o de conduo da chave D como,
DTs = ( D1 + D2 )Ts .
(306)

I L1( m ) Lo 2
( N + 1) ( NVi + Vo )
< DTs .
(307)
A segunda restrio refere-se existncia das etapas 3 e 4 durante o

intervalo de desmagnetizao do indutor acoplado. Para que a etapa 4 exista, a
etapa 3 deve se extinguir antes do trmino do perodo de chaveamento Ts, i.e.:
( D1 + D2 + D3 )Ts < Ts .
129
(308)
Substituindo-se (306) em (308),
D3Ts < Ts (1 D) .
(309)
E ainda, substituindo (283) em (309):
I L1( M ) Lo 2
Lo 2
+ N ( N + 1) (Vi Vo )
L1
< Ts (1 D)
(310)
Na Figura 66(a) so traadas curvas nos limites da existncia das etapas 2 e

4 considerando-se os seguintes parmetros: Vi = 25V; I1 = 7,35A; L1 = 40uH e Ts =
10us. Conforme o modelo Cantilever em sua representao N-port [59], a indutncia
de disperso do indutor acoplado pode ser obtida por:
Lo 2 = N 2 Lk 1
(311)
Onde Lk1 indutncia de disperso refletida para o primrio.

Na Figura 66(a) encontram-se representadas as duas restries, para
existncia da etapa 2 (Limite 1) e para existncia da etapa 4 (Limite 2). Considerouse uma indutncia de disperso refletida para o primrio Lk1=2H (5% de L1 ).
concluir que para valores de razo-cclica (D) acima desta linha, asseguram que o
processo de magnetizao do indutor acoplado apresenta as etapas 1 e 2. Em
outras palavras, na Regio x1 a restrio obedecida e na Regio y1 a restrio
no atendida.
concluir que para valores de razo-cclica (D) acima desta linha, asseguram que o
processo de desmagnetizao do indutor acoplado apresenta as etapas 3 e 4. Em
outras palavras, na Regio x2 obedecida a restrio e na Regio y2 no. Na
interseco entre as Regies x1 e x2 representam a rea onde ambas as restries
so obedecidas (rea cinza).
Na Figura 66(b) mostrado o grfico do ganho do conversor em funo da
razo-cclica, para
Lk1 = 2 H , I1 = 7,3A e diferentes valores de relao de
transformao no indutor acoplado: N = 0,1 , N = 1, N = 2 , N = 4 , N = 8 , N = 12 .

Sobre as curvas do ganho, so traadas duas as curvas pontilhadas: uma no limite
130
da existncia da etapa 2 (Limite 1) e outra no limite da existncia da etapa 4 (Limite

2). A regio onde existem as quatro etapas de operao a em cinza.
(a)
(b)
Figura 66 - Limite de operao: (a) razo cclica em funo da relao de transformao e (b)
ganho em funo da razo cclica.
5.2.3 Anlise dos esforos de correntes nos componentes
A seguir so apresentados os esforos de corrente nos principais

componentes do circuito em modo de conduo contnua, considerando-se
componentes ideais, i.e., sem perdas. A determinao dos esforos auxilia no
dimensionamento dos componentes do circuito.
5.2.3.1Esforos de corrente nos enrolamentos do indutor acoplado
Enrolamento primrio:
O valor mximo da corrente de entrada que a corrente do enrolamento
primrio do indutor acoplado pode ser definido atravs da substituio de (283) em
(279), resultando em:
I1( M ) = I L1( M ) .
(312)
O valor mdio da corrente de entrada pode ser definido como,

I1( avg ) =
1
Ts
Ts
i dt
1
(313)
131

t
I1( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
i1dt
1
1
1
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(314)
.
Onde se define,
I
1 1
1 k 7Vi + NVoF t12
i
dt
=
+ L1 m
2 N +1
Ts 0
Ts
Lo 2
t
1 2
1
i1dt =
Ts t1
Ts
V ( t2 t1 )2
i
+ I L1( m ) k10 ( t2 t1 )
L1
1 3
1 (Vi Vo ) (t3 t2 ) 2
i
dt
=
+ I L1M (t3 t2 )
k7
1
Ts t2
Ts
Lo 2
2
(315)
(316)
1
Ts
TS
1
t i1dt = Ts
3
Vi Vo
1 (Ts t2 )2
+ ioF (t3 )(Ts t3 )
1
2
Lo 2 k11
.
(317)
(318)
Onde,
Lo 2
+ N2
L1
(319)
Lo 2
+ N ( N + 1)
L1
(320)
k7 =
k8 =
k9 =
( N + 1) ( NVi + Vo )
Vi
L V2
k10 = 1 + o 2 i
L1 k 9
k11 = ( N + 1)2 +
(321)
(322)
Lo2
L1 .
(323)
Por fim, substituindo-se (315) a (318) em (314) encontra-se o valor mdio da

T
I1( rms ) =
1 s 2
i1 dt
Ts 0
(324)
.
132

t
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
+
+
+
i
dt
i
dt
i
dt
i1 dt
1
1
1
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
I1( rms ) =
(325)
.

2
t
k7Vi + NVoF t13 I L1m I L1m k7Vi + NVoF
1 1 2
=
+
+
i
dt
t1
t1
1
Ts 0
Lo 2
Lo 2
3 N +1 N +1

(326)
Vi (t2 t1 )3
V
1 2 2
=
+ I L1( m) k10 ( t2 t1 ) I L1( m ) k10 + i ( t2 t1 )
i
dt

1
3
Ts t1
L1
L1
(327)
(Vi Vo ) (t3 t2 )3
(V Vo )
1 3 2
i
dt
=
+ I L1( M ) ( t3 t2 ) I L1( M ) + k7 i
( t3 t 2 )
k7
Ts t2
Lo 2
Lo 2
3
(328)
1
Ts
Ts
1
t i1 dt = Ts
4
2
Vi Vo
Lo 2
1 (Ts t3 )3
1

3
k11
V Vo
1
+ ioF (t3 )(Ts t3 ) ioF (t3 ) + i
Ts
Lo 2
1
1
(Ts t3 )
k11
.
(329)

Enrolamento secundrio:
A corrente no enrolamento secundrio do indutor acoplado igual a corrente
da seo sada flyback ioF . O valor mximo da corrente na seo de sada flyback
pode ser definido por:
I oF ( M ) = ioF (t3 )
(330)
Sendo ioF (t3 ) definido na expresso (290).

O valor mdio da corrente do enrolamento secundrio pode ser definido
como,
I oF ( avg )
1
=
Ts
Ts
oF
(331)
dt
133

t
I oF ( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
ioF dt
oF
oF
oF
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(332)
.
Onde,
t
1 1
1 NVi + Vo t12 I L1( m )
i
dt
=
+
t1
oF
Ts 0
Ts
Lo 2
2 N +1
(333)
1 2
ioF dt = 0
Ts t1
(334)
2
t
1 3
1 N (Vi Vo ) ( t3 t2 )
ioF dt =
2
Ts t2
Ts
Lo 2
(335)
2
T
( N + 1) 2 (TS t3 )
1 s
1
=
(
)
1
+
(
)
i
dt
V
V
i
t
T
t
(
)
3
oF
i
o
oF 3
S
2
Ts t3
Ts
k11
(336)
Por fim, substituindo-se (333) a (336) em (332) encontra-se o valor mdio da

corrente no enrolamento secundrio do indutor acoplado.
T
I oF ( rms )
1 s 2
=
ioF dt
Ts 0
(337)
.

t
I oF ( rms ) =
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
ioF dt
oF
oF
oF
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(338)
.

2
t
NVi + Vo t13 I L1m I L1m NVi + Vo
1 1 2
ioF dt =
+
t1
t1
Ts 0
Lo 2
Lo 2 3 N + 1 N + 1
(339)
.
1 2 2
i1 dt = 0
Ts t1
(340)
.
N (Vi Vo ) (t3 t2 )3
1 3 2
i
dt
=
1
3
Ts t2
Lo 2
1
Ts
134
( N + 1) 2
i
dt
(
V
V
)
=
1 i o 1 k11
t4
Ts
(TS t3 )
(341)
.
( N + 1) 2
+ ioF (t3 ) (TS t3 ) ioF (t3 ) + (Vi Vo ) 1
k11
(TS t3 )
(342)

corrente do enrolamento secundrio.
5.2.3.2Esforos de corrente no MOSFET
O valor mximo da corrente no MOSFET pode ser definido como:

I Si ( M ) = I L1( M )
(343)
O valor mdio da corrente no MOSFET pode ser definido como,

I Si ( avg ) =
1
Ts
Ts
Si
(344)
dt

t
I Si ( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
iSi dt
Si
Si
Si
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(345)
.
Assim,
I Si ( avg )
1
=
Ts
k8Vi + ( N + 1)VoF t12 1

+
Lo 2
2 Ts
V ( t2 t1 )2
i
+ I L1m k10 ( t2 t1 )
L1
(346)

T
I Si ( rms ) =
1 s 2
iSi dt
Ts 0
(347)
.

I Si ( rms )
135
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
=
+
+
+
i
dt
i
dt
i
dt
iSi dt
Si
Si
Si
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(348)
.

2
t
k8Vi + ( N + 1)VoF t13
1 1 2
=
i
dt
Si
Ts 0
Lo 2
3 .
(349)
t
V
Vi (t2 t1 )3
1 2 2
i
dt
=
+ I L1m k10 ( t2 t1 ) i ( t2 t1 ) + I L1m k10

Si
3
Ts t1
L1
1
(350)
.
1 3 2
i1 dt = 0
Ts t2
1
Ts
(351)
.
Ts
dt = 0
(352)
.
t4

corrente na chave.
5.2.3.3Esforos de corrente nos diodos
Diodo da seo de sada Flyback:

A corrente no diodo da seo de sada flyback a mesma que a corrente de
sada do enrolamento secundrio do indutor acoplado. Portanto, o valor mximo,
mdio e eficaz da corrente neste diodo pode ser definido respectivamente por: (330),
(333) e (338).
Diodo da seo de sada Boost:

O valor mximo da corrente no diodo boost pode ser definido como:
I oB ( M ) = I L1( M )
(353)
O valor mdio da corrente no diodo da seo de sada boost pode ser

definido como,
I oB ( avg ) =
1
Ts
Ts
oB
(354)
dt
136

t
I oB ( avg ) =
1 1
1 2
1 3
1 s
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
ioB dt
oB
oB
oB
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(355)
.
Assim,
I oB ( avg )
1
=
Ts
(V V ) ( t3 t2 )2
o
k8 i
+ I L1M . ( t3 t2 )
Lo
2
(356)

T
1 s 2
=
ioB dt
Ts 0
IoB ( rms )
(357)
.
Como o conversor apresenta quatro etapas de operao, a equao (357)

t
I oB ( rms ) =
1 1 2
1 2 2
1 3 2
1 s 2
i
dt
+
i
dt
+
i
dt
+
ioB dt
oB
oB
oB
Ts 0
Ts t1
Ts t2
Ts t3
(358)
.

t
1 1 2
ioB dt = 0
Ts 0
(359)
.
1 2 2
ioB dt = 0
Ts t1
(360)
.
t
(Vi Vo )
(Vi Vo ) (t3 t2 )3
1 3 2
i
dt
=
k
+
I
t
t
k
t
t
+
I
(
)
(
)
1
8
L
1(
M
)
3
2
8
3
2
L
1(
M
)
Ts t2
Lo
3
Lo
1
Ts
(361)
.
Ts
dt = 0
t4
(362)
.

corrente no diodo da seo de sada boost.
A Figura 67 mostra os esforos de corrente nos componentes do conversor.
Foram considerados os seguintes parmetros: Vi=25V; I1=7,35A; L1=40H, Lk1 = 2 H
(5% de L1 ) e Ts=10s.
137
A corrente eficaz na chave apresentada na Figura 67(a) em funo da

razo-cclica para diferentes valores de relao de transformao do indutor
acoplado (acoplado N = 2 , N = 4 , N = 6 , N = 8 , N = 10 e N = 12 ).
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
Figura 67 Esforos de corrente em funo de D e N: (a) corrente eficaz na chave, (b) corrente
eficaz no primrio do indutor acoplado, (c) corrente eficaz no secundrio do indutor acoplado,
(d) corrente mdia no diodo boost e (e) corrente mdia no diodo flyback.
Percebe-se que o valor mximo da corrente eficaz na chave fica
138
aproximadamente entre as razes cclicas 0,3 e 0,6. Para relaes de transformao

do indutor acoplado ( N ) menores, o valor mximo da corrente eficaz na chave
ocorre para valores mais altos de razo-cclica, como o caso de N = 2 que tem
valor mximo em D = 0, 6 . Para relaes de transformao mais altas, como o
caso de N = 12 o valor mximo da corrente eficaz ocorre na razo-cclica D = 0,3 .
A corrente eficaz no enrolamento primrio do indutor acoplado mostrada
na (Figura 67(b)) em funo da razo-cclica para o mesmo conjunto de valores de
N. Para o enrolamento primrio do indutor acoplado, observa-se que, para valores
de D acima de 0,15 a corrente eficaz cresce chegando ao valor mximo em D = 0,3 e
volta a decair com o aumento da razo-cclica.
A corrente eficaz no enrolamento secundrio do indutor acoplado mostrada
na Figura 67(c) em funo da razo-cclica para o mesmo conjunto de valores de N.
Observa-se que a corrente eficaz no enrolamento secundrio possui
comportamento semelhante ao enrolamento primrio. Para valores menores da
relao de transformao do indutor acoplado, como o caso de N = 2 , a corrente
eficaz no enrolamento secundrio ocorre para
D = 0, 21 . Para relaes de
transformao mais elevadas, como o caso de N = 12 o valor mximo da corrente

eficaz ocorre em razo-cclica igual a D = 0, 25 .
A corrente mdia no diodo de sada da seo boost e a corrente mdia no
diodo de sada da seo flyback so mostradas na Figura 67(d) e Figura 67(e),
respectivamente. Pode se observar a corrente mdia mxima na razo-cclica
aproximada a 0,25, decrescendo para valores maiores ou menores que esta (Figura
67(b)). Por outro lado o diodo da seo de sada boost passa a ter maior
participao na corrente mdia de sada ao passo que a razo-cclica reduz,
apresentando crescimento exponencial para razo-cclica menor que 0,25.
5.2.4 Esforos de tenso nos semicondutores
A Tabela 19 mostra a tenso sobre os semicondutores durante as quatro

etapas de operao do circuito. A mxima tenso sobre a chave e sobre o diodo da
seo de sada boost igual tenso da sada boost VoB , ocorrendo na chave na
etapa 3, e no diodo boost durante as etapas 1 e 2. O diodo flyback fica polarizado
139
reversamente somente na etapa 2, cuja tenso reversa funo da tenso de sada.

Tabela 19 - Tenso sobre os semicondutores do conversor Boost-Flyback Paralelo
Etapa
VDS
VDoB
VDoF
Etapa 1
Vo *
Etapa 2
Vo
Vo N .Vi *
Etapa 3
Vo *
Vi
Etapa 4
(Vi Vo )
VoB
1
Lo 2
(Vi Vo ) 1
( N + 1) +
( N + 1) + Lo 2
( N + 1) L1
( N + 1) L1
VoF
* Valor mximo
A Figura 68 mostra a tenso mxima na chave, no diodo da seo de sada

boost e no diodo da seo de sada flyback em funo da razo cclica para as
relaes de transformao do indutor acoplado N = 2 , N = 4 , N = 6 , N = 8 , N = 10
e N = 12 .
Para traar as curvas foram considerados os se parmetros: Vi=25V;
I1=7,35A; L1=40H, Lk1 = 2 H e Ts=10s. Observa-se na Figura 68(a) que a tenso
na chave cresce com o aumento da razo-cclica. Do mesmo modo, pode-se
perceber que a tenso reversa sobre o diodo da seo de sada boost (Figura 68(b))
e sobre o diodo da seo de sada flyback (Figura 68(c)) tambm tendem a crescer
com o aumento da razo-cclica.
140
(a)
(b)
(c)
Figura 68 Tenso mxima sobre os semicondutores em funo da razo-cclica para

diferentes relaes de transformao do indutor acoplado: (a) na chave, (b) no diodo da seo
de sada boost e (c) no diodo da seo de sada flyback.
5.2.5 Simulao do conversor
Nesta Seo so realizadas simulaes computacionais com o software

PSIM no intuito de validar os grficos dos esforos obtidos na Seo anterior. O
circuito simulado considera os componentes do conversor sem perdas, ou seja, a
resistncia srie equivalente (SER) desprezada. A Tabela 9 mostra os principais
parmetros da simulao realizada em programa computacional (PSIM).
Nas Tabela 20 a Tabela 18 mostrado um comparativo entre os valores

obtidos pela simulao e calculados para as razes cclicas D={0,25 0,5 0,75} e para
141
as relaes de transformao do indutor acoplado N={2 10}. Pode-se considerar

satisfatrios os resultados obtidos, tanto para a tenso de sada do conversor com
diferena entre os valores calculados e simulados, tanto para os esforos de
corrente e tenso que esto dentro de uma tolerncia aceitvel.
Tabela 20 Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso de sada do
conversor.
RazoRelao de
Ganho de
Tenso Vo
Tenso Vo
Erro (%)
cclica (D)
Transformao (N) Tenso (Vo/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
1,65
44,15V
41,39V
6,25%
D = 0,5
2
3,60
95,22V
90,12V
5,14%
D = 0,75
2
9,32
239,83V
233,23V
2,74%
D = 0,25
10
2,51
62,77V
62,84V
0,22%
D = 0,5
10
10,30
255,58V
257,58V
0,81%
D = 0,75
10
31,70
797,42V
792,73V
0,59%
Tabela 21 Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente eficaz na

chave.
RazoRelao de
Corrente
Corrente IS(rms) Corrente IS(rms) Erro (%)
cclica (D)
Transformao
normalizada
Simulao
Calculado
(N)
(IS(rms)/I1(avg))
D = 0,25
2
0,897
6,81A
6,98A
2,50%
D = 0,5
2
1,04
7,65A
7,75A
1,31%
D = 0,75
2
1,04
7,66A
7,71A
0,65%
D = 0,25
10
1,31
9,44A
9,46A
0,21%
D = 0,5
10
1,29
9,47A
9,33A
1,48%
D = 0,75
10
1,13
8,35A
8,29A
0,72%
Tabela 22 Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente mdia no
diodo Boost.
RazoRelao de
Corrente
Corrente
Corrente
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
normalizada
IoB(avg)
IoB(avg)
(N)
(IoB(avg)/I1(avg))
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
0,121
0,831A
0,943A
13,51%
D = 0,5
2
0,021
0,135A
0,157A
16,30%
D = 0,75
2
0,005
0,044A
0,038A
12,27%
D = 0,25
10
0,182
1,29A
1,310A
1,57%
D = 0,5
10
0,011
0,081A
0,084A
4,32%
D = 0,75
10
0,002
0,014A
0,015A
13,57%
Tabela 23 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para corrente mdia no diodo
Flyback.
RazoRelao de
Corrente
Corrente
Corrente
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
normalizada
IoF(avg)
IoF(avg)
(N)
(IoF(avg)/I1(avg))
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
0,241
3,04A
1,981A
33,94%
D = 0,5
2
0,183
1,55A
1,355A
12,57%
D = 0,75
2
0,116
0,795A
0,856A
7,75%
D = 0,25
10
0,180
1,49A
1,300A
12,72%
D = 0,5
10
0,111
0,73A
0,798A
9,38%
D = 0,75
10
0,063
0,294A
0,326A
11,16%
142
Tabela 24 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso mxima sobre a
chave.
RazoRelao de
Tenso
Tenso
Tenso
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
normalizada
VDS(max)
VDS(max)
(N)
(VDS(max)/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
1,65
44,18V
41,39V
6,31%
D = 0,5
2
3,60
94,62V
90,12V
4,75%
D = 0,75
2
9,32
239,68V
233,23V
2,66%
D = 0,25
10
2,51
62,75V
62,84V
0,24%
D = 0,5
10
10,30
255,32V
257,58V
0,90%
D = 0,75
10
31,70
797,37V
792,73V
0,57%
diodo boost.
RazoRelao de
Tenso
Tenso
Tenso
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
normalizada
VDoB(max)
VDoB(max)
(N)
(VDoB(max)/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
-1,6556
-44,9
-41,3910
7,82%
D = 0,5
2
-3,6049
-94,63
-90,1234
4,76%
D = 0,75
2
-9,3294
-239,6
-233,2350
2,66%
D = 0,25
10
-2,5140
-62,11
-62,8497
1,19%
D = 0,5
10
-10,3034
-255,3
-257,5853
0,90%
D = 0,75
10
-31,7096
-797,3
-792,7390
0,57%
diodo flyback.
RazoRelao de
Tenso
Tenso
Tenso
Erro (%)
cclica (D)
Transformao
normalizada
VDoF(max)
VDoF(max)
(N)
(VDoF(max)/Vi)
Simulao
Calculado
D = 0,25
2
-3,65
-94,90V
-91,39V
3,70%
D = 0,5
2
-5,60
-144,87V
-140,12V
3,28%
D = 0,75
2
-11,32
-289,62V
-283,23V
2,20%
D = 0,25
10
-12,51
-312,65V
-312,84V
0,06%
D = 0,5
10
-20,30
-505,24V
-507,63V
0,47%
D = 0,75
10
-41,70
-1047,3V
-1042,76V
0,44%
5.3 CONVERSOR BOOST-FLYBACK CASCATA

de bloqueio da chave na Si Figura 70. As principais formas de onda do conversor so
mostradas na Figura 71.
143

inclinao definida por (VoF + NVi )/ Lo2 . Esta etapa dura at o instante em que ioF
etapa mostrado na Figura 69(a).
As variveis que governam o circuito durante esta etapa de operao do
conversor podem ser encontradas como segue.
iL1 =
Vi
t + I L1( m)
L1
.
(363)
Onde I L1( m ) = iL1 (t0 ) e o valor mnimo da corrente de magnetizao.

ioF =
I
NVi + VoF
t + L1( m )
Lo 2
N .
(364)
i1 = iL1 NioF .
(365)
L
V
NV
i1 = o2 + N 2 i + oF
Lo 2
Lo2
L1
t .
(366)
iSi = i1 .
(367)
Assim,
V L
NV
iSi = i o 2 + N 2 + oF
Lo 2
Lo 2 L1
t .
(368)
ioB = 0 .
(369)
144

t1 0 = D1Ts =
I L1( m ) Lo 2
N ( NVi + VoF ) .
(370)
Ainda pode-se definir as tenses nos semicondutores como segue.

A tenso na chave Si nula, pois esta se encontra em conduo.
VDS = 0 .
(371)

este dada por,
VDoB = VoB .
(372)
VDoF = 0 .
(373)

alimentada somente pelos capacitores de sada C oB e CoF . Nesta etapa a indutncia
chave Si bloqueada. O circuito equivalente mostrado na Figura 69(b).
iL1 =
Vi
t + iL1 ( t1 )
L1
.
(374)
Onde,
Vi
iL1 ( t1 ) = I L1( m) 1 + o 2
L1 N ( NVi + VoF ) .
(375)
ioF = 0 .
(376)
i1 = iL1 .
(377)
i1 =
Vi
Vi
t + I L1( m) 1 + o 2
.
L1
L1 N ( NVi + VoF )
145
(378)
iSi = i1 .
(379)
ioB = 0 .
(380)
Figura 69 - Estados topolgicos durante o intervalo de magnetizao do conversor boostflyback cascata. (a) Etapa 1 (t0-t1). (b) Etapa 2 (t1-t2).

t2 t1 = D2Ts =
(I
L1( M )
I L1( m ) ) L1
Vi
I L1( m ) Lo 2
N ( NVi + VoF ) .
(381)
Ainda pode-se definir as tenses nos semicondutores como segue. A tenso

na chave Si ainda nula.
VDS = 0 .
(382)

tenso ,
VDoB = VoB .
(383)
VDoF = (VoF + NVi )
(384)
146

das sees de sada boost e flyback ( DoB e DoF ) so polarizados diretamente. O
a tenso de sada do boost VoB . A corrente ioF cresce linearmente enquanto que a
corrente ioB decresce linearmente. No instante t3 a corrente de magnetizao
transferida totalmente para o secundrio do indutor acoplado ( ioF ) e a corrente da
seo de sada boost ( ioB ) vai zero. O circuito equivalente mostrado na Figura
70(a). As variveis que governam o circuito durante esta etapa de operao do
iL1 =
Vi VoB
t + I L1( M )
L1
.
(385)
Onde I L1( M ) o valor mximo da corrente de magnetizao. A corrente no

enrolamento secundrio expressa por,
N (Vi VoB ) + VoF

ioF =
Lo 2
t
.
(386)
i1 = iL1 NioF .
(387)

Lo 2
i1 = 1
t + I L1( M ) .
Lo 2
(388)
iSi = 0 .
(389)
ioB = i1 .
147
(390)
Portanto,
Lo 2
ioB = 1
t + I L1( M )
Lo 2
.
(391)
t3 t2 = D3Ts =
I L1( M ) Lo 2
Lo2
L1
(392)
.
Pode-se definir ainda as tenses nos semicondutores como segue.

Como o diodo da seo boost encontra-se em conduo e a chave Si esta
bloqueada, a tenso sobre esta pode ser dada como,
VDS = VoB .
(393)
O diodo da seo boost esta conduzindo, assim,
VDoB = 0 .
(394)
O diodo da seo flyback tambm esta conduzindo, portanto:
VDoF = 0 .
(395)
Etapa 4 (t3-TS): no instante t3 o diodo DoB bloqueado, fazendo com que a

seo de sada boost deixe de transferir energia para o capacitor CoB . Com o
bloqueio deste diodo a corrente de entrada i1 chega zero. A corrente da seo de
sada flyback ( ioF ) decresce linearmente sendo definida como a razo da corrente de
magnetizao ( iL1 ) pela relao de transformao do indutor acoplado ( N ). Esta
etapa finda quando a chave Si acionada novamente, iniciando um novo perodo de
chaveamento Ts . O circuito equivalente mostrado na Figura 70(b).
iL1 =
VoF
Lo 2
L
+ N2 1
L1
N
t + iL1 ( t3 )
148
(396)
.
Onde,
I L1( M ) Lo 2
Vi VoB
iL1 ( t3 ) =
L1 Lo 2

L1
+ I
L1( M )
.
(397)
ioF =
VoF
Lo 2
+ N 2 L1
L1
t + ioF ( t3 ) .
(398)
Onde,
ioF ( t3 ) = I L1( M )
N (Vi VoB ) + VoF

.
Lo 2
2
L1
(399)
i1 = 0 .
(400)
iSi = 0 .
(401)
A corrente no diodo da seo boost tambm nula,
ioB = 0 .
(402)
Ts t3 = D4Ts = Ts ( D1Ts + D2Ts + D3Ts ) .
(403)
149
Figura 70 - Estados topolgicos durante o intervalo de desmagnetizao do conversor boostflyback cascata. (a) Etapa 3 (t2-t3). (b) Etapa 4 (t3-TS).
Lo 2
L
Ts t3 = D4Ts = Ts I L1( M ) 1
Vi L
o2
L1
L
I
1
L1( m) Vi .
(404)
Pode-se definir ainda as tenses nos semicondutores como segue. Como a

chave e o diodo boost encontram-se a tenso sobre estes dispositivos dada como,
NVoF
VDS = Vi +
(405)
Lo 2
+ N2
L1
e,
VDoB = Vi +
NVoF
Lo 2
+ N2
L1
VoB
(406)
O diodo flyback esta conduzindo, portanto,
VDoF = 0 .
(407)

150
Figura 71 - Principais formas de onda no conversor Boost-Flyback Cascata durante um

perodo de chaveamento.
As variveis que governam o circuito durante as quatro etapas de operao

do conversor, a durao das etapas e a tenso sobre os semicondutores so
151
determinadas por expresses matemticas iguais ao conversor Boost-Flyback Srie.

Desta forma, torna-se dispensvel as anlises dos esforos de corrente e tenso
nos elementos do circuito. Os esforos de corrente nos enrolamentos do indutor
acoplado podem ser obtidos na Seo 5.1.3.1. No enrolamento primrio, a corrente
mxima, a corrente mdia e corrente eficaz so definidas respectivamente por (207),
(210) e (216). No enrolamento secundrio, a corrente mxima definida por (221), a
corrente mdia por (224) e a corrente eficaz por (228). No MOSFET, a corrente
mxima definida por (233), a corrente mdia por (236) e a corrente eficaz por (238)
. No diodo flyback, a corrente mxima definida por (221), a corrente mdia
definida por (224) e a corrente eficaz definida por (228). No diodo boost, a corrente
mxima definida por (243), a corrente mdia definida por (246) e a corrente
eficaz definida por (253). A tenso sobre os semicondutores definida na Tabela
8.
5.4 PROJETO E ANLISE EXPERIMENTAL DOS CONVERSORES BOOSTFLYBACK INTEGRADOS
Nesta seo ser mostrada uma metodologia de projeto para os conversores

boost-flyback e ser desenvolvido um exemplo de projeto. A anlise experimental
das trs principais topologias boost-flyback, que so: o Conversor Boost-Flyback
Srie (Topologia 1); o Conversor Boost-Flyback Cascata (Topologia 2); e o
Conversor Boost-Flyback Paralelo wx (Topologia 3) ser realizada para validar os
estudos tericos realizados.
Estas topologias so aplicadas a um sistema de gerao fotovoltaica
denominado de mdulo integrado com estgio CC-CC independente do estgio CCCA. Deste modo os parmetros de entrada do conversor Boost-Flyback integrado
so definidos pelo mdulo PV, enquanto que os parmetros de sada so definidos
pelo barramento CC que alimenta o estgio CC-CA.
152
5.4.1 Dados do painel (mdulo) PV
Para a anlise experimental, considera-se a aplicao de um painel

fotovoltaico modelo KC-200GT cujas caractersticas so descritas a seguir,
considerando-se irradiao de 1000W/m2:
2
Tabela 27 - Caractersticas eltricas do painel solar KC-200GT (1.000W/m ).

Smbolo
Significado
Valor
Pmax
Potncia mxima
200W (+10% / -5%)
Vmpp
Tenso no ponto de mxima potncia
26,3V
Impp
Corrente no ponto de mxima potncia
7,61A
Voc
Tenso de circuito aberto
32,9V
Isc
Corrente de curto circuito
8,21A
A partir do modelo eltrico descrito em [61] e de simulao em programa

computacional Matlab as curvas de corrente de sada em funo da tenso de
sada para variao de irradiao entre 100 e 1.000W/m2 foram obtidas para uma
temperatura de 25C conforme pode ser observado na Figura 72. Para cada
irradiao foi definido o ponto de mxima potncia o qual identificado por um
circulo sobre a respectiva curva. A linha pontilhada identifica o lcus dos pontos de
mxima potncia do painel. Observa-se que cada ponto apresenta valores distintos
para tenso e corrente. Isto indica que cada ensaio deve levar em considerao
estes valores como sendo a tenso e a corrente de entrada do conversor.
Figura 72 - Curva de Corrente e Tenso em funo da irradiao solar
Para facilitar a identificao destes valores, os pontos de mxima potncia

so mostrados na Tabela 28.
153
Tabela 28 - Pontos de mxima potncia em funo da irradiao solar

2
Irradiao (W/m )
Vmpp(V)
Impp(A)
Pmax(W)
1000
26,30
7,61
200,14
900
800
26,17
25,99
6,94
6,17
160,35
700
25,77
5,93
152,81
600
25,53
4,62
117,94
500
25,25
3,85
97,21
400
24,95
3,07
76,59
300
24,72
2,3
56,85
200
24,04
1,53
36,78
181,61
5.4.2 Especificaes de projeto
A partir destes dados, definem-se as especificaes de projeto para os

conversores, os quais so descritos na Tabela 29. Observa-se que foi adotada a
temperatura de 25 para operao do painel e sua fa ixa de irradiao foi definida
como sendo entre 200 e 1000 W/m2.
Tabela 29 - Parmetros nominais de projeto
Smbolo
Significado
Vi(m)
Tenso mnima de entrada
Vi(M)
Tenso mxima de entrada
Pi(m)
Potncia mnima de entrada
Pi(M)
Potncia mxima de entrada
Vo
Tenso de sada
Fs
Frequncia de comutao
Valor
24,04V
26,30V
36,78W
200W
250V
100kHz
5.4.3 Metodologia de projeto
A fim de conhecer a regio na qual o conversor pode operar necessrio

determinar inicialmente alguns parmetros de projeto como: ganho esttico, corrente
magnetizante mdia, ondulao da corrente magnetizante, indutncia magnetizante
e disperso magntica. Considerando que alguns dados no so conhecidos nesta
fase de projeto, ser necessrio estima-los.
Considerando-se que a tenso de entrada mxima Vi(M)=26,30V pode-se
obter o ganho esttico do conversor como sendo,
M=
Vo
= 9,5
Vi( M )
Para a determinao da corrente magnetizante mdia, assim como a
154
indutncia magnetizante necessrio conhecer a razo-cclica de operao do

conversor. Neste caso, no se conhecendo o melhor ponto de operao do
conversor estipula-se uma razo-cclica inicial. O valor adotado de D=0,5. Portanto
a corrente de magnetizao mdia ser,
M D
I L1 = I1
= 13,60 A
MD
.
Considerando-se uma ondulao de corrente de magnetizao de 10%,
IL1 = 10%I L1 = 1,36 A .

A indutncia magnetizante pode ser obtida atravs da ondulao de
corrente,
L1 =
Vi( M ) DTs
2 IL1
= 48,3 H
.
Com as especificaes de projeto e as definies iniciais pode-se utilizar a

expresso (194) para traar o ganho esttico em funo da razo-cclica, como
mostrado na Figura 73(a), para o conversor boost-flyback srie e cascata. De modo
anlogo, pode-se utilizar a expresso (304) para traar o ganho esttico em funo
da razo-cclica para o conversor boost-flyback paralelo, como mostrado na Figura
73(b). Considera-se a indutncia de disperso refletida para o primrio de
Lk1 = 2,4uH , o que corresponde a 5% de L1 .
(a)
(b)
Figura 73 - Grfico de projeto para o conversor Boost-flyback. (a) Srie e Cascata e (b)
Paralelo.
155
A linha horizontal nos grficos da Figura 73 indicando M=9,5 indica diferentes

valores de relao de transformao N e de razo cclica que atendem os requisitos
de projeto. Isto significa que qualquer par de valores de N e D sobre esta linha, i.e.,
que resultem em ganho esttico M=9,5, podem ser usados para esta aplicao.
Entretanto, no intuito de reduzir as perdas em conduo, pode-se buscar um ponto
de operao mais apropriado. Desta forma, determinou-se as perdas em conduo
para diferentes pares N e D que resultam na tenso de sada de 250V.
O grfico da Figura 74(a) mostra a relao de transformao (N) em funo
da razo-cclica do conversor boost-flyback srie para uma tenso de sada de
250V, uma tenso de entrada de 26,3V e uma potncia de 200W. Para o mesmo
conversor, a Figura 74(b) mostra as tenses individuais de cada seo de sada em
funo da razo-cclica e das relaes de transformao obtidas na Figura 74(a). A
partir das tenses obtidas na Figura 74(b) possvel determinar os esforos de
tenso nos semicondutores, os quais so mostrados na Figura 74 (c).
De posse dos esforos de tenso (Figura 74 (c)) e de corrente (Figura 60)
define-se os dispositivos comerciais que atendem as necessidades do projeto. Como
as perdas em conduo so dominantes nos MOSFETs, obteve-se as perdas em
conduo para diferentes dispositivos, selecionados de acordo com as faixas de
tenso que atendem. Os dispositivos bem como suas principais caractersticas so
mostrados na Tabela 30.
Tabela 30 - Caractersticas dos MOSFET's utilizados para analisar as perdas em conduo.
Dispositivo
VDS
ID
RDON
IRF540
100V
22A
0,077
IRLI3615
150V
14A
0,085
IRF644B
250V
14A
0,28
A Figura 74(d) mostra as perdas em conduo totais (MOSFET e

diodos) em funo da razo-cclica para diferentes valores de relao de
transformao, tal como determinado na Figura 74(a). No conversor boost-flyback
srie, a tenso sobre a chave prpria tenso da seo de sada boost. Pode-se
observar pela Figura 74(b) que os dispositivos para tenses inferiores a 250V
resultam em uma faixa de operao do conversor com valores de razo-cclica
limitados. Isto faz com que as curvas no grfico da Figura 74(d) apresentem
diferentes extenses. Sendo assim o dispositivo que atende a maior faixa de razocclica o IRF644B cujo VDS=250V. Entretanto, com este dispositivo o conversor
156
apresenta as maiores perdas em conduo. J MOSFET IRLI3615, cujo VDS=150V,

atende as condies do projeto desde que opere as razes cclicas (D) 0,28 e 0,81.
O MOSFET IRF540 com VDS=100V deve operar com maiores restries, i.e, entre as
razes cclicas 0,32 e 0,70, apesar disto, este dispositivo possibilita as menores
perdas em conduo do conversor. Pode-se definir desta forma, que o conversor
opera com menores perdas entre as razes-cclicas entre 0,5 e 0,6, relao de
transformao entre 4,8 e 8 e utilizando como chave o MOSFET IRF540.
(a)
(b)
(c)
(d)
Figura 74 Perdas em conduo nos conversores Boost-Flyback Srie e Cascata: (a) relao
de transformao em funo da razo cclica, (b) tenso da seo de sada boost, flyback e do
conversor para os pares N, D, (c) Tenso nos semicondutores em funo dos pares N, D e (d)
perdas em conduo para diferentes dispositivos.
A mesma anlise pode ser realizada para o conversor boost-flyback paralelo.

A Figura 75(a) mostra a relao de transformao (N) em funo da razo cclica (D)
para uma tenso de sada constante de 250V. A Figura 75(b) mostra a tenso de
sada do conversor em funo da razo cclica (D) para as relaes de
157
transformao obtidas no grfico da Figura 75(a). Na Figura 75(c) so mostrados os

esforos de tenso sobre os semicondutores em funo da razo cclica. Percebe-se
que diferentemente do conversor boost-flyback srie e cascata, o conversor boostflyback paralelo apresenta tenso sobre a chave e sobre o diodo boost constante,
i.e, indiferente aos valores de N e D o que impossibilita a utilizao de MOSFETs de
diferentes nveis de tenso. Desta forma, na Figura 75(d) mostra as perdas em
conduo totais (chave e diodos) para um nico MOSFET que atende os esforos
de tenso para o conversor nesta aplicao.
(a)
(b)
(c)
(d)
Figura 75 Perdas em conduo no conversor Boost-Flyback Paralelo: (a) relao de

transformao em funo da razo cclica, (b) tenso da seo de sada do conversor para os
pares N, D, (c) Tenso nos semicondutores em funo dos pares N, D e (d) perdas em
conduo para diferentes dispositivos.
O conversor paralelo apresenta menores perdas em conduo entre as

razes cclicas entre 0,7 e 0,77 e relaes de transformao (N) entre 2,9 e 1. O que
158
demonstra ser um comportamento diferente do apresentado pelo conversor boostflyback srie e cascata.
Na prtica deve-se levar em considerao a existncia da RSE, que causa
reduo do ganho esttico. Portanto, um fator de segurana em torno de 20% pode
ser considerado. Desta forma, para manter a operao do conversor boost-flyback
srie em D=0,5, o valor da relao de transformao foi escolhido como, N = 10 .
Para fins comparativos, a mesma regio de operao ser adotada para o conversor
boost-flyback paralelo.
A Tabela 31 mostra um resumo dos parmetros dos componentes definidos
para este projeto a partir das expresses dos esforos de tenso e corrente.
Tabela 31 Parmetros de projeto dos conversores boost-flyback.
Parmetro
Srie/Cascata
Paralelo
Pi(M)
200W
200W
Vi(M)
26,30V
26,30V
Fs
100kHz
100kHz
Vo
250V
250V
M
9,5
9,5
D
0,5
0,5
N
10
10
L1
48,3H
48,3H
IL1
13,6A
13,6A
1,36A
1,36A
IL1
VDS(Max)
85,5V (IRF540N)
257V (IRF740N)
ID(Max)
9,6A (IRF540N)
9,57A (IRF740N)
VR_boost(Max)
85,5V (UF4002)
257V (UF4004)
IF_boost(Max)
694mA (UF4002)
111mA (UF4004)
VR_fly(Max)
433,9V (BYV26C)
520,9V (BYV26C)
IF_fly(Max)
694mA (BYV26C)
641mA (BYV26C)
5.4.4 Resultados experimentais
As
principais
formas
de
onda
de
tenso
corrente
obtidas
experimentalmente so mostradas nas sees a seguir. Para os conversores BoostFlyback Srie, Paralelo wx e Cascata.
5.4.4.1Conversor Srie
As formas de onda de corrente para o prottipo do conversor boost-flyback

srie so mostradas na Figura 76(a), obtidas nas seguintes condies: Vi=26,3V,
Pi=196W, Vo=250V. So elas: tenso porta-fonte VGS (canal R1), corrente no
159
enrolamento primrio do indutor acoplado (canal R2), e corrente no enrolamento

secundrio do indutor acoplado (canal R3).
As formas de onda de tenso so mostradas na Figura 76(b), que so:
tenso porta-fonte VGS (canal R1), tenso dreno-fonte do MOSFET VDS (canal R2),
tenso sobre o diodo boost VDoB (canal R3) e tenso sobre o diodo flyback VDoF
(canal R4).
vGS
iL1
ioF
(a) Escalas: R1 20V/div; R2 10A/div; R3 1A/div; Tempo - 2s/div.
vGS
vDS
vDoB
vDoF
(b) Escalas: R1 20V/div; R2 50V/div; R3 50V/div; R4 500V/div; Tempo - 2s/div.

Figura 76 - Formas de onda experimentais do conversor Boost-Flyback Srie. (a) Principais
formas de onda de corrente; (b) Principais formas de onda de tenso.
Pode-se perceber que no acionamento da chave, a corrente de entrada

cresce linearmente, e por outro lado a corrente da seo de sada boost descreve
linearmente devido a indutncia de disperso. A tenso no diodo flyback (canal R4)
durante este perodo de transio vale zero, indicando a conduo. Na abertura da
chave, a tenso sobre os dois diodos vai zero. A tenso sobre a chave (canal R2)
neste momento grampeada na tenso de sada boost ( VoB 50V ). O diodo boost
160
(canal R3) conduz at que a seo de sada flyback assuma a corrente de

magnetizao.
5.4.4.2 Conversor Paralelo
As formas de onda para o prottipo do conversor boost-flyback paralelo

foram obtidas nas seguintes condies: Vi=26,3V, Pi=107W, Vo=126V. Para tenses
e potncias superiores, se atinge o limite trmico do MOSFET, danificando-o
permanentemente. As formas de onda de corrente so exibidas na Figura 77(a):
tenso porta-fonte VGS (canal R1), corrente no enrolamento primrio do indutor
acoplado (canal R2), e corrente no enrolamento secundrio do indutor (canal R3).
As formas de onda de tenso para este prottipo so mostradas na Figura

77(b). So elas: tenso porta-fonte VGS (canal R1), tenso dreno-fonte do MOSFET
VDS (canal R2), tenso sobre o diodo boost VDoB (canal R3), e a tenso sobre o diodo
flyback VDoF (canal R4).
Pode-se perceber que no acionamento da chave, a corrente de entrada
cresce linearmente, enquanto que a corrente da seo de sada boost decresce
linearmente devido indutncia de disperso. A tenso no diodo flyback (canal R4)
durante este intervalo vale zero. Na abertura da chave, a tenso sobre os dois
diodos vai a zero (canal R3 e canal R4). A tenso sobre o diodo boost (canal R3) vai
a zero durante um curto intervalo (etapa 3), indicando conduo somente durante o
grampeamento da tenso da chave (canal R2) na tenso de sada ( Vo 126V ).
161
vGS
iL1
ioF
(a) Escalas: R1 20V/div; R2 10A/div; R3 1A/div; Tempo - 2s/div.
vGS
vDS
vDoB
vDoF
(b) Escalas: R1 20V/div; R2 100V/div; R3 100V/div; R4 250V/div; Tempo - 2s/div.

Figura 77 - Formas de onda experimentais do conversor Boost-Flyback Paralelo wx. (a)
Principais formas de onda de corrente; (b) Principais formas de onda de tenso.
5.4.4.3 Conversor Cascata
As formas de onda de corrente para o prottipo do conversor boost-flyback

cascata so mostradas na Figura 78(a), obtidas nas seguintes condies: Vi=26,3V,
Pi=196W, Vo=250V. So elas: tenso porta-fonte VGS (canal R1), corrente no
enrolamento primrio do indutor acoplado (canal R2), e corrente no enrolamento
secundrio do indutor acoplado (canal R3).
As formas de onda de tenso para este prottipo so mostradas na Figura
78(b). So elas: tenso porta-fonte VGS (canal R1), tenso dreno-fonte do MOSFET
VDS (canal R2), tenso sobre o diodo boost VDoB (canal R3), e a tenso sobre o diodo
flyback VDoF (canal R4).
162
Verifica-se que no acionamento da chave, a corrente de entrada cresce

linearmente, e por outro lado a corrente da seo de sada boost descreve
linearmente devido a indutncia de disperso. A tenso no diodo flyback (canal R4)
durante este perodo de transio vale zero, indicando a conduo. Na abertura da
chave, a tenso sobre os dois diodos vai a zero (canais R3 e R4) indicando entrada
de conduo. A tenso sobre a chave (canal R2) neste momento grampeada para
tenso de sada boost ( VoB 50V ). O diodo boost (canal R3) conduz at que a seo
de sada flyback assuma a corrente de magnetizao. Posteriormente polarizado
reversamente, mas com tenso prxima a 10V.
vGS
iL1
ioF
(a)
vGS
vDS
vDoB
vDoF
(b)
Figura 78 - Formas de onda experimentais do conversor Boost-Flyback Cascata. (a) Principais
formas de onda de corrente; (b) Principais formas de onda de tenso.
163
5.4.5 Resultados dos conversores para variao de irradiao solar
Os pontos de mxima potncia do painel solar fotovoltaico foram emulados

atravs de fontes de tenso controladas e cargas variveis. A Tabela 32 mostra os
pontos de mxima potncia em funo da irradiao solar e as cargas que foram
utilizadas, sendo que a tenso de sada foi mantida constante em 250V.
Ro =
Vo 2
PMax .
Tabela 32 - Pontos de mxima potncia em funo da irradiao solar

2
Irradiao (W/m )
Vmpp(V)
Impp(A)
Pmax(W)
Ro()
1000
26,30
7,61
200,14
312,3
900
26,17
6,94
181,61
344,1
800
25,99
6,17
160,35
389,8
700
25,77
5,93
152,81
409,0
600
25,53
4,62
117,94
529,9
500
25,25
3,85
97,21
642,9
400
24,95
3,07
76,59
816,0
300
24,72
2,3
56,85
1099,3
200
24,04
1,53
36,78
1699,2
Na Figura 79(a), (b) e (c) so mostrados grficos com a tenso de sada e a

razo-cclica em funo da irradiao solar para os conversores Boost-Flyback
Srie, Paralelo wx e Cascata respectivamente.
Observa-se que os conversores Srie e Cascata mantm a tenso de sada
em aproximadamente 250V com pouca variao no valor da razo-cclica, a qual fica
em torno de 0,4 a 0,45, mesmo com aumento da potncia de entrada. J no
conversor Boost-Flyback paralelo wx, o aumento da irradiao e consequentemente
da potncia de entrada provoca reduo da tenso de sada, mesmo com aumento
da razo-cclica.
Tenso de Sada x Irradiao

300
250

1
300
0.8
250
200
0.8
200
0.6
Vi
Vo
164
0.6
Vi
D
150
Vo
0.4
150
0.4
100
100
0.2
50
0
200
400
600
0
3
110
800
0.2
50
0
200
400
600
800
Ir
Ir
Irradio (W/m^2)
(a)
Irradiao (W/m^2)
(b)
0
3
1 10

300
250
0.8
200
0.6
Vi
Vo
150
0.4
100
0.2
50
0
200
400
600
800
0
3
1 10
Ir
Irradiao (W/m^2)
(c)
Figura 79 - Tenso de sada e razo-cclica em funo da irradiao solar. (a) Conversor BoostFlyback Srie; (b) Conversor Boost-Flyback Paralelo wx; (c) Conversor Boost-Flyback Cascata.
Na Figura 80 mostrado o grfico comparativo da eficincia dos

conversores em funo da irradiao solar. mostrada a eficincia do conversor
Boost-Flyback Srie ( ser ),Boost-Flyback Cascata ( cas ) e Boost-Flyback Paralelo wx
( par ) para variao da irradiao de 200 a 1000W/m2. percebido que a eficincia
dos conversores Boost-Flyback Srie e Cascata so muito semelhantes, ficando em
torno de 80% em toda a faixa de variao. O conversor Boost-Flyback paralelo
165
apresenta eficincia em torno 75% para irradiao de 200W/m2 e esta eficincia se

reduz com o aumento da irradiao, chegando a 40% na irradiao de 1000W/m2.
Eficincia x Irradiao
1
0.9
0.8
ser 0.7
0.6
cas
0.5
par 0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
400
600
800
1 10
Ir
Irradiao (W/m^2)
Figura 80 Grfico comparativo de eficincia em funo da irradiao solar.
Pode-se atribuir o baixo desempenho do conversor Boost-Flyback Paralelo

wx atuando como conversor de alto ganho de tenso quando comparado aos
conversores Boost-Flyback Srie e Cascata devido a sua maior resistncia srie
equivalente. Nos conversores Boost-Flyback Srie e Cascata, a tenso mxima
sobre a chave (MOSFET) fica limitada a tenso de sada boost VoB. J no conversor
paralelo, a tenso mxima sobre a chave (MOSFET) fica limitada a tenso de sada
do conversor Vo. Desta forma, a tenso mxima sobre a chave dos conversores
Srie e Cascata menor, permitindo o uso de dispositivos com menor resistncia
em conduo RDS(on).O aumento da razo cclica implica em um aumento da
resistncia srie do conversor, que bastante influenciada pela resistncia em
conduo do MOSFET, reduzindo seu desempenho. Isso pode ser visualizado nos
resultados seguintes, de eficincia em funo da potncia de sada, mas
principalmente, de eficincia em funo da razo cclica.
5.4.6 Variao da Potncia de sada
Na Figura 81 mostrado um grfico comparativo das curvas de eficincia

dos conversores Boost-Flyback Srie ser , Boost-Flyback Cascata cas e Boost-
166
Flyback Paralelo par em funo da potncia de sada que varia em uma faixa entre
20 e 160W. O comportamento das curvas de eficincia para variao de potncia de
sada semelhante variao de irradiao. A eficincia dos conversores BoostFlyback Srie e Boost-Flyback Cascata muito prxima, ficando em torno de 80%. A
eficincia no conversor Boost-Flyback Srie um pouco maior que a eficincia do
conversor Boost-Flyback Cascata para potncias de 40W a 100W. Acima de 100W a
eficincia do conversor Boost-Flyback Srie e Boost-Flyback Cascata so muito
similares. O conversor Boost-Flyback Paralelo wx apresenta eficincia bem inferior,
em torno 73% para a potncia de sada de 20W, reduzindo com o aumento da
mesma. Em 100W o conversor Boost-Flyback Paralelo wx alcana o limite trmico e
danificado permanentemente.
Eficincia x Potncia de sada
1
0.9
0.8
ser 0.7
0.6
cas
0.5
par 0.4
0.3
0.2
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Po
Po (W)
Figura 81 - Grfico comparativo de eficincia em funo da potncia de sada.
5.4.6.1 Eficincia e ganho esttico em funo da razo-cclica
Na Figura 82 so mostrados grficos de eficincia e ganho esttico em

funo da razo-cclica para os conversores Boost-Flyback Srie, Boost-Flyback
Cascata e Boost-Flyback Paralelo wx. Tambm so traadas as curvas de eficincia
e ganho esttico para um conversor boost.
O objetivo comparar o limite de ganho esttico entre os conversores, mas
principalmente com o limite de ganho esttico do conversor boost. Tambm se
deseja verifica a partir de quais razes cclicas a eficincia reduz mais rapidamente.
167
Logicamente, para obteno das curvas, foi preciso respeitar os limites de operao
dos componentes. Para tal, utilizaram-se os seguintes parmetros: Vi = 8V e
Ro = 60 . No conversor boost bsico, utilizou-se o mesmo diodo boost DoB e a

mesma chave Si utilizada no conversor Boost-Flyback Paralelo, devido aos nveis de
tenso e corrente. Os parmetros de projeto do conversor boost podem ser vistos na
Tabela 33.
Tabela 33 Parmetros de projeto do conversor boost.
Parmetro
Valor
Pi(M)
200W
Vi(M)
26,30V
Fs
100kHz
Vo
250V
M
9,5
D
0,895
L1
48,3H
VDS(Max)
250V (IRF740N)
ID(Max)
7,15A (IRF740N)
VR_boost(Max)
250V (UF4004)
IF_boost(Max)
800mA (UF4004)
Na Figura 82(a) mostrada a eficincia dos conversores Boost-Flyback

Srie ser , Boost-Flyback Cascata cas , Boost-Flyback Paralelo wx par e boost boost .
Para razo-cclica abaixo de 0,55 o conversor boost apresenta eficincia superior
aos demais por ser um conversor simples com poucos componentes. A eficincia
dos
conversores
Boost-Flyback
at
esta
razo-cclica
apresenta
valores
semelhantes, ficando prximo a 80%, mas com o conversor Boost-Flyback Paralelo

wx apresentando a partir desta razo-cclica uma queda acentuada. Os conversores
Boost-Flyback Srie e Boost-Flyback Cascata e tambm o conversor boost
apresentam queda acentuada na eficincia para valores de razo-cclica acima de
0,7, chegando a ter eficincia de 20% para a razo-cclica de 0,9.
Na Figura 82(b) mostrado o ganho esttico dos conversores Boost-Flyback
Srie ( Mser ), Boost-Flyback Cascata ( Mcas ), Boost-Flyback Paralelo wx ( Mpar ), boost (
Mboost ) e tambm o ganho ideal das topologias Boost-Flyback integradas ( Mideal ).

Os conversores Boost-Flyback Srie e Cascata apresentam ganho esttico
que se torna menor que o ganho esttico ideal quando a razo cclica aumenta. Na
razo-cclica D=0,8 estes conversores alcanam o limite de ganho esttico pouco
superior a 40. O conversor Boost-Flyback Paralelo apresenta ganho esttico bem
abaixo do ideal para razes cclicas acima de 0,2. Na razo cclica D=0,8 chega-se
168
ao limite de ganho esttico deste conversor, que pouco maior que 20. Para valores
acima de D=0,8 o ganho esttico e a eficincia caem acentuadamente. O conversor
boost apresenta limite de ganho esttico prximo a 5 na razo-cclica D=0,9.
Eficincia x Razo cclica
1
0.9
0.8
ser
0.7
cas
0.6
par
0.5
boost
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
(a)
Ganho Esttico x Razo cclica

50
45
40
M ser
M cas
35
30
M par
25
M boost
20
M ideal ( D)
15
10
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
(b)
Figura 82 (a) Eficincia e (b) ganho esttico em funo da razo-cclica.
CONVERSOR BOOST-FLYBACK COM MLTIPLAS SADAS
169
6 CONVERSOR BOOST-FLYBACK COM MLTIPLAS SADAS
Para a operao do conversor com altas tenses de sada, pode-se utilizar

mltiplas sees de sada flyback, a fim de possibilitar a utilizao de componentes
como capacitores e diodos de mais baixa tenso, possibilitando a obteno de
tenses muito elevadas e ainda, a utilizao de componentes com RSE menores.
6.1 CONCEITO DA ASSOCIAO DAS MLTIPLAS SEES DE SADA
Para introduzir o conceito de mltiplas sadas leva-se em considerao,

inicialmente, o conversor Boost-flyback Srie mostrando na Figura 83(a) com duas
sees de sada flyback. Sabe-se que no conversor srie, Vo = VoB + VoF e, portanto,
que o ganho esttico do conversor ,
M=
Vo 1+ ND
=
.
Vi 1 D
Assim, adicionando-se outras sees de sada flyback, como mostrado na

Figura 83(b), tem-se Vo = VoB + VoF 1 + VoF 2 + ... . Com isto, o ganho esttico do conversor
ento passa a ser:
M=
1 + D ( N 2 + N3 + ...)
Vo
ND ND
1
=
+ 2 + 3 + ... =
Vi 1 D 1 D 1 D
1 D
.
(408)
Onde N 2 = n2 / n1 , N3 = n3 / n1 , e assim sucessivamente.

Considerando que as relaes de transformao N 2 , N3 , sejam iguais,
podemos defini-las simplesmente como:
N = N 2 = N3 = N k .
(409)
Deste modo a expresso (408) pode se escrita como,
M=
Vo 1 + kND
=
1 D .
Vi
(410)
Onde k representa o nmero de enrolamentos secundrios que o indutor acoplado

possui.
170
Figura 83 Conversor Boost-Flyback Srie: (a) uma sada flyback, (b) nk sadas flyback.
A corrente mdia nos capacitores de sada deve ser igual a zero. Portanto as
correntes mdias so definidas como:
I oB = I oF1 = ... = I oFk = I o .
(411)
No caso do conversor Boost-flyback Cascata, o ganho esttico tambm

conhecido, sendo,
M=
Vo
ND ND
ND
1
=
+ 2 + 3 + ... + k
Vi 1 D 1 D 1 D
1 D .
Onde,
Vo = Vo3 = Vo 2 + VoF 2 .
(412)
Vo2 = Vo1 + VoF1 = VoB + VoF1 .
(413)
Vo 2 = VoB + VoF1 + VoF 2 .
(414)
E,
Portanto:
Do mesmo modo que no conversor srie, considerando que as relaes de

transformao
sejam
iguais,
definido-as
como
N = N 2 = N3 = N k +1 ,
generalizar o ganho esttico para k sees de sada flyback como sendo:
pode-se
M=
Vo 1 + kND
=
Vi
1 D .
171
(415)
Figura 84 - Conversor Boost-Flyback Cascata: (a) uma sada flyback, (b) nk sadas.
A tenso de sada do conversor a tenso sobre capacitor da ltima seo

flyback,
Vo = Vo ( k +1)
(416)
Sendo todas as relaes de transformao iguais a N , pode-se generalizar

a tenso sobre cada capacitor da seo de sada flyback como sendo igual a tenso
do capacitor da seo anterior, mais a tenso equivalente ao conversor flyback.
Vo (k ) = Vo( k 1) + VoF , 2 k < k + 1
(417)
Onde se sabe que,

VoF = Vi
N .D
1 D .
Em regime permanente, a corrente mdia nos capacitores igual a zero.

Portanto:
I oB = IoF1 = ... = I oF ( k ) = I o
(418)
O conversor Boost-flyback Paralelo wx com uma seo de sada flyback

como mostra a Figura 85(a), operando fora da condio de paralelismo ( N D = 0 ),
possui ganho de tenso esttico igual ao conversor boost-flyback srie e cascata
com uma nica seo de sada flyback, j que apresenta tenso de sada
equivalente a Vo = VoB + VoF .
172
Adicionando mais uma seo flyback como mostrado na Figura 85(b), ao

contrrio dos conversores boost-flyback srie e cascata, a tenso de sada no
alterada, mas sim a corrente mdia de sada Io passa a ser igual a soma das
correntes mdias I oF1 e IoF 2 .
Desde que N = N2 = N3 = ... = N k +1 , as tenses de sada das sees flyback
sero iguais:
Vo = VoB + VoF1 = VoB + VoF 2 = ... = VoB + VoF ( k )
(419)
Sendo que o ganho esttico de tenso do conversor conhecido,
M=
Vo 1+ ND
=
Vi 1 D .
Figura 85 - Conversor Boost-Flyback paralelo wx: (a) com uma sada flyback e em (b) com
mltiplas sadas.
A corrente de sada ser igual ao somatrio das correntes das sees

flyback, j que fora da restrio o diodo da seo de sada boost atua somente no
grampeamento da tenso sobre a chave. Portanto:
I o = I oF1 + IoF 2 + ... + IoF ( k )
(420)
Assim a principal caracterstica do conversor com mltiplas sees de sada

flyback a operao em paralelo destas sees e no o aumento da tenso de
sada.
A seguir so analisados experimentalmente os conversores boost-flyback
srie e cascata, os quais podem obter elevado ganho de tenso e utilizar
componentes de baixa tenso, sendo mais adequados para a aplicao fotovoltaica.
173
Nestas anlises considera-se que as relaes de transformao dos

enrolamentos do indutor acoplado so iguais. Define-se as relaes de
transformao como,
N = N2 = N3 = ... = Nk +1 .
Onde k
(421)
o nmero de sees de sada flyback. J que as relaes de
transformao so iguais, as indutncias de disperso tambm so consideradas

iguais. Ento se define as indutncias de disperso como
Lo = Lo 2 = Lo3 = ... = Lo( k +1)
(422)
6.2 ANLISE EXPERIMENTAL DO CONVERSOR BOOST-FLYBACK INTEGRADO

COM MULTIPLAS SADAS
As anlises experimentais para os conversores com mltiplas sadas foram

realizadas a partir dos mesmos parmetros de projeto dos prottipos do Captulo 5.
A relao de transformao N foi obtida para a mesma razo-cclica utilizada no
conversor Boost-Flyback com uma sada, i.e., para a razo-cclica D igual a 0,5.
Optou-se por utilizar cinco sadas flyback k = 5 a fim de reduzir a tenso sobre os
diodos das sees de sada e possibilitar a utilizao de diodos Schottky. Desta
forma as tenses de sada flyback tambm ficam muito prximas da tenso de sada
boost, possibilitando utilizar capacitores de sada idnticos para todas as sadas em
srie.
Desta forma, a relao de espiras N de cada um dos cinco enrolamentos do
indutor acoplado obtida por:
kN =
Vo 1 D 1
= 10
Vi D
D
.
(423)
Sendo k = 5 ,
N = N2 = ... = N5 = 2 .
(424)
6.2.1 Indutncia de magnetizao
O valor da indutncia de magnetizao no modificada com a utilizao de

mltiplas sees de sada flyback. Utilizou-se L1 = 48,3uH .
174
6.2.2 Projeto do conversor boost-flyback srie e boost-flyback cascata
Os esforos de tenso e corrente no so alterados com a utilizao de

mltiplas sadas flyback. Utilizou-se VDS(Max)=85,5V, ID(Max)=9,6A, VR_boost(Max)=85,5V,
IF_boost(Max)=694mA, IF_fly(Max)=694mA.
A tenso mxima sobre o diodo da seo de sada flyback calculada por,
VDoF = VoF NVi =
NVi
= 107V
1 D
.
Onde N = N 2 = ... = N6 = 2 . Desta forma define-se VDoF(Max)=107V (Shottky SB1150).
6.2.3 Resultados dos conversores para variao de irradiao solar
A Figura 86 mostra o grfico com a eficincia dos conversores em funo da

irradiao solar. mostrada a eficincia do conversor Boost-Flyback Srie ( ser ),
Cascata ( cas ), Srie com cinco enrolamentos secundrios ( ser5w ) e Cascata com
cinco enrolamentos secundrios ( cas5w ) para variao da irradiao de 200 a
1000W/m2. Pode-se perceber uma maior eficincia dos conversores com cinco
enrolamentos secundrios quando comparados aos conversores com uma sada
flyback, o que se atribui principalmente pela utilizao de diodos Schottky, os quais
no apresentam corrente de recuperao reversa e possuem tenso direta menor.
Os conversores Boost-Flyback com cinco sadas flyback apresentam eficincia
prxima a 98% para irradiaes de 200W/m2, o que representa uma potncia de
entrada de 36W. Com o aumento da irradiao e consequentemente da potncia de
entrada, a eficincia se reduz quase linearmente. Para irradiao de 600W/m2 que
corresponde a potncia de entrada de aproximadamente 120W, a eficincia de
90% e para irradiao de 1.000W/m2, potncia de entrada de 200W, a eficincia
de aproximadamente 83%. Em toda a faixa de variao de irradiao os conversores
com cinco sadas flyback apresentaram eficincia maior que os conversores com
uma sada flyback.
175
Eficincia x Irradiao
1
0.9
ser
cas
ser5w
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
cas5w
0.3
0.2
0.1
0
200
400
600
800
1 10
Ir
Irradiao (W/m^2)
Figura 86 - Grfico comparativo de eficincia em funo da irradiao solar.
6.2.4 Variao da potncia de sada
A Figura 87 mostra um grfico com a eficincia dos conversores em funo

da variao da potncia de sada. mostrada a eficincia do conversor BoostFlyback Srie ( ser ), Cascata ( cas ), Srie com cinco enrolamentos secundrios (
ser5w ) e Cascata tambm com cinco enrolamentos secundrios ( cas5w ). O

comportamento para variao de potncia de sada um pouco diferente se
comparado a variao de irradiao, i.e., de potncia de entrada. Para potncias de
sada entre 40 e 120W a eficincia dos conversores com cinco sadas flyback fica
acima dos 90%, sendo que o conversor cascata apresenta maior eficincia nesse
intervalo. Para potncias de sada entre 120 e 160W, a eficincia decai de 90% para
prximo de 85%, e nesta faixa, a eficincia maior do conversor srie. Durante toda
a faixa de variao de potncia de sada, a eficincia dos conversores com cinco
sadas flyback maior quando comparado a eficincia dos conversores BoostFlyback com uma sada flyback.
176
Eficincia x Potncia de sada

1
0.9
ser
cas
0.8
0.7
0.6
ser5w 0.5
0.4
cas5w
0.3
0.2
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Po
Po(W)
Figura 87 - Grfico comparativo de eficincia em funo da potncia de sada.
6.2.5 Eficincia e ganho esttico em funo da razo cclica
Na Figura 88 e na Figura 89 so mostrados grficos de eficincia e ganho

esttico em funo da razo cclica para os conversores Boost-Flyback Srie,
Cascata e para suas variaes com cinco sadas flyback.
Eficincia x Razo cclica
1
0.9
0.8
ser
0.7
cas
0.6
ser5w
0.5
0.4
cas5w
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Figura 88 - Eficincia em funo da razo cclica.
0.9
177
Ganho Esttico x Razo cclica

50
45
40
35
M ser5w
30
M cas5w
25
M ideal( D)20
15
10
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Figura 89 - Ganho esttico em funo da razo cclica.
O objetivo verificar o limite de ganho esttico dos conversores e a partir de

quais razes cclicas a eficincia reduz mais rapidamente. Respeitando os limites
dos conversores, os parmetros so os mesmos utilizados nos conversores BoostFlyback com uma sada flyback.
Na Figura 88 mostrada a eficincia dos conversores Boost-Flyback Srie (
ser ), Cascata ( cas ), Srie com cinco sadas flyback ou cinco enrolamentos ( ser5w ) e
Cascata com cinco sada flyback ( cas5w ). Os conversores com cinco sadas flyback
apresentam maior eficincia comparados aos conversores com uma sada flyback.
Entretanto todos apresentam uma reduo mais acentuada na eficincia para razes
cclicas maiores que 0,7.
Na Figura 89 mostrado o ganho esttico dos conversores Boost-Flyback
Srie ( Mser5w ) e Cascata ( M cas5w ) com cinco sadas flyback e tambm o ganho ideal
dos conversores ( Mideal ). O ganho esttico dos conversores fica um pouco abaixo do
ideal, acentuando a diferena com o aumento da razo cclica. Na razo cclica
D =0,8 estes conversores alcanam o limite de ganho esttico um pouco acima de
40. Para razes cclicas acima de 0,8 o ganho esttico cai assim como a eficincia
reduz drasticamente.
CONCLUSES E TRABALHOS FUTUROS
178
7 CONCLUSES E TRABALHOS FUTUROS
Este trabalho abordou os conversores estticos com elevado ganho de

tenso, aplicados em geradores fotovoltaicos descentralizados do tipo mdulo
integrado. Este tema foi escolhido devido iminente necessidade de se introduzir e
expandir o uso de fontes renovveis na matriz energtica mundial, na qual
predominam as fontes com base em combustveis fsseis. Tambm se optou pela
tecnologia de geradores fotovoltaicos por estes possurem caractersticas que
privilegiam a sua proliferao em um cenrio de gerao distribuda onde a conexo
dos geradores rede eltrica monofsica elimina os gastos com sistemas de
armazenamento de energia. Visando a reduo do seu custo, o emprego de
sistemas de processamento com elevada eficincia e baixo custo resulta no
desenvolvimento de topologias com alto ganho de tenso em um nico estgio. A
literatura apresenta vrias abordagens para realizao destes conversores, muitas
das quais, levam a circuitos complexos com um elevado nmero de componentes.
Foram estudadas topologias de conversores com alto ganho esttico, cujas
caractersticas so utilizadas para se derivar as caractersticas e limitaes das
topologias integradas; e os conversores e tcnicas para obteno de ganhos de
tenso elevados.
Na sequncia definiu-se formalmente a integrao de conversores CC-CC
bsicos e a associao de suas sees de sada. Para tanto se utilizou o conceito
da definio de sees de entrada, intermediria e de sada, alm de se abordar as
associaes em termos de terminais de entrada e sada. A partir destas definies
pode-se definir restries e regras requeridas para realizao da integrao e
ganho esttico de tenso.
Todos estes conceitos foram aplicados na integrao dos conversores boost
e flyback como um estudo de caso. Foram derivadas e apresentadas
detalhadamente as etapas para se obter a associao das sees de sadas das
topologias resultantes e os requisitos para integrao das sees de entrada.
Tambm so derivadas as restries e limites de operao das topologias derivadas
bem como o ganho esttico de tenso das mesmas.
179
Os conversores Boost-flyback foram analisados em termos de princpios de

operao, formas de onda e ganho esttico, considerando sua operao em regime
permanente. Trs prottipos foram implementados, apresentando resultados
experimentais para cada um deles. Pode ser observado que, com relao variao
da potncia de entrada em aplicaes fotovoltaicas a eficincia do conversor BoostFlyback Srie e Boost-Flyback Cascata ficam em torno de 80% para toda faixa de
valores de irradiao solar, enquanto que a eficincia do conversor Boost-Flyback
Paralelo inferior alcanando 75% para menor irradiao e degradando at 40% na
irradiao de 1000W/m2. Por outro lado, para uma larga variao de razo-cclica
constatou-se que para valores abaixo de 0,55, quando comparados a um conversor
boost, os conversores integrados tm uma eficincia inferior. Entretanto, para
valores de razo-cclica maiores, os conversores Boost-Flyback Srie e BoostFlyback Cascata apresentam eficincia compatvel com a eficincia do conversor
boost. Mas deve-se considerar que o ganho esttico dos conversores Boost-Flyback
Srie e Boost-Flyback Cascata at oito vezes maior que o ganho do boost,
enquanto que o conversor Boost-Flyback Paralelo alcana at quatro vezes o ganho
do conversor boost. Analisando a potncia de sada dos conversores observa-se
que, a eficincia dos conversores Boost-Flyback Srie e Boost-Flyback Cascata
muito prxima, ficando em torno de 80%. A eficincia no conversor Boost-Flyback
Srie um pouco maior que a eficincia do conversor Boost-Flyback Cascata para
potncias de 40W a 100W. Acima de 100W a eficincia do conversor Boost-Flyback
Srie e Boost-Flyback Cascata praticamente igual. O conversor Boost-Flyback
Paralelo apresenta eficincia bem inferior, em torno 73% para a potncia de sada
de 20W, reduzindo com o aumento da potncia. Em 100W o conversor BoostFlyback Paralelo alcana o limite trmico antes de alcanar a potncia mxima.
Foi proposta a extenso da teoria da integrao com o emprego de indutores
acoplados com mltiplos enrolamentos, dando origem a topologias com associao
de mltiplas sees de sada. Nos conversores Boost-Flyback Srie e Boost-Flyback
Cascata a tenso sobre os diodos das sees de sada reduzida, permitindo o
emprego de semicondutores com valores de RSE menores, melhorando a eficincia
destes conversores. Os prottipos dos conversores Boost-Flyback Srie e BoostFlyback Cascata possuam cinco enrolamentos secundrios, possibilitando o
emprego de diodos Schottky em suas sees de sada. Os resultados experimentais
obtidos mostraram uma eficincia acima de 90%, melhorando significativamente
180
quando comparados aos conversores Boost-Flyback Srie e Boost-Flyback Cascata

com somente uma seo de sada flyback. Conclui-se desta forma que para
aplicaes de alto ganho de tenso como o caso do sistema fotovoltaico inversor
integrado, as topologias com maior eficincia so as topologias Boost-Flyback Srie
e Boost-Flyback Cascata. A topologia Boost-Flyback Paralelo wx apresenta baixa
eficincia em aplicaes de alto ganho de tenso, principalmente, devido tenso
mxima sobre a chave (MOSFET) ter o mesmo valor da tenso de sada do
conversor, resultando em dispositivos com RSE maiores.
Os resultados experimentais confirmaram a possibilidade de se desenvolver
conversores com alto ganho de tenso e alta eficincia atravs do uso da
metodologia proposta. Uma das contribuies deste trabalho o desenvolvimento
de uma metodologia simples para obteno dos conversores integrados. Atravs
desta metodologia pode-se facilmente estender a integrao para outras topologias,
alm de permitir uma definio imediata das restries e caractersticas das
topologias integradas.
As principais limitaes encontradas neste trabalho com relao aos
conversores integrados obtidos pode-se salientar a maior complexidade matemtica
para se obter o ganho esttico e as variveis do circuito, tais como as componentes
mdia e eficaz das correntes. Isto torna o projeto dos componentes mais demorado.
Outra concluso que pode ser inferida diz respeito modelagem destas topologias
que deve resultar em funes mais complexas.
Como perspectivas de temas futuros para continuidade deste trabalho podese citar:
Investigao do ponto timo de operao dos conversores integrados

em funo da razo cclica D, relao de transformao N e nmero
de sees de sada flyback k.
Investigao de tecnologias de componentes magnticos que

permita o emprego de mltiplos enrolamentos com baixa indutncia
de disperso.
A aplicao da metodologia de integrao em outros conversores

bsicos como buckboost, Ck, SEPIC e Zeta, os quais podem ser
integrados a outras topologias isoladas tais como, Ck, SEPIC e Zeta
isolados;
181
A aplicao da metodologia para conversores empregados em outras

aplicaes, tais como sistemas de armazenamento de energia,
sistemas que necessitem de grandes valores de ganho esttico;
O desenvolvimento e aplicao de mtodos para reduo das perdas

por chaveamento nestes conversores.
Definir os limites de operao em modo de conduo contnua e

explorar a operao dos conversores Boost-Flyback Srie, Cascata e
paralelo em modo de conduo descontnua (DCM).
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
182
1. INTERNATIONAL ENERGY AGENCY. Key World Energy Statistics. Internat

ional Energy Agency ( IEA). Paris, p. 75. 2010.
2. MARTINOT, E. Renewable energy markets in developing countries. Annual
Revenue on Energy and Environment, Palo Alto, 2002 (27). Vol. 27, p. 309348.
3. INTERNATIONAL ENERGY AGENCY. EarthTrends Data Tables: Energy and
Resources. World Resources Institute. [S.l.]. 2005.
4. INTERNATIONAL ENERGY AGENCY. Energy Technology Perspectives.
OECD/IEA. [S.l.], p. 11. 2010.
5. BOSE, B. K. Global Warming Energy, Environmental Pollution, and the Impacto
of Power Electronics. IEEE Industrial Electronics Magazine, Maro 2010. vol.
4, no. 1, p. 6-17.
6. INTERNATIONAL ENERGY AGENCY. CO Emissions from Fuel Combustion.
OECD/IEA. [S.l.], p. 542. 2010. (ISBN).
7. FARRET, F. A.; SIMES, G. M. Integration of Alternative Sources of Energy.
1. ed. [S.l.]: IEEE Press, 2006.
8. RAHMAN, S. Green Power: What Is It and Where Can We Find It? IEEE Power
and Energy Magazine, Janeiro 2003. vol. 1, no. 1, p. 30-37.
9. GUERRERO, J. M. Distributed Generation Toward a New Energy Paradigm.
IEEE Industrial Electronics Magazine, Maro 2010. vol. 4, no. 1, p. 52-64.
10. CARRASCO, J. M. et al. Power-electronic systems for the grid integration of
renewable energy sources: A survey. IEEE Transactions on Industrial
Eletronics, Agosto 2006. vol. 53, no. 54, p. 1002-1016.
11. EUROPEAN PHOTOVOLTAIC INDUSTRY ASSOCIATION. EPIA Roadmap.
EPIA. [S.l.], p. 51. 2004.
12. INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC
OECD/IEA. Paris, p. 43. 2010.
AGENCY.
Technology
Roadmap.
13. LEYVA-RAMOS, J. et al. Switching regulator using a quadratic boost converter

for wide DC conversion ratios. IET Power Eletronics, Setembro 2009. vol. 2, p.
605-613.
14. RASHID, M. H. Power Electronics Handbook: Devices, Circuits and
Applications. 2. ed. New York: Academic Press, 2001.
15. FARANDA, R.; LEVA, S.; MAUGERI, V. MPPT techniques for PV Systems:
Energetic and cost comparison. IEEE Power and Energy Society General
Meeting - Conversion and Delivery of Electrical Energy in the 21st Century.
Pittsburgh: [s.n.]. 2008. p. 1-6.
183
16. WEIDONG, X.; OZOG, N.; DUNFORD, W. G. Topology Study of Photovoltaic

Interface for Maximum Power Point Tracking. IEEE Transactions on Industrial
Electronics, June 2007. Vol. 54, No. 3, p. 1696-1704.
17. PATEL, H.; AGARWAL, V. MATLAB-Based Modeling to Study the Effects of
Partial Shading on PV Array Characteristics. IEEE Transactions on Energy
Conversion, March 2008. Vol. 23, No. 1, p. 302-310.
18. CALAIS, M. et al. Inverters for Single-Phase Grid Connected Photovoltaic
Systems An Overview. IEEE Power Electronics Specialists Conference,
Cairns, Junho 2002. 1995-2000.
19. MYRZIK, J. M. A.; CALAIS, M. A Review of Single-Phase Grid-Connected
Inverters for Photovoltaics Modules. IEEE Transactions on Industry
Applications, Setembro 2005. vol. 41, no. 5, p.1292-1305.
20. LIANG, T. J.; TSENG, K. C. Analysis of integrated boost-flyback step-up
converter. IEE Proceedings of Electric Power Applications, Maro 2005. vol.
152, no. 2, p. 217-225.
21. MOHAN, N.; UNDERLAND, T. M.; ROBBINS, W. P. Power Eletronics
Converters, Application and Design. 2.ed. ed. Nova York: John Wiley & Sons,
1989.
22. ERICKSON, R. W.; MAKSINMOVIC, D. Fundamentals of Power Eletronics. 2.
ed. New York: Kluwer Academic Publishers, 2004.
23. PINHEIRO, J. R. et al. Control strategy of an interleaved boost power factor
correction converter. IEEE Power Electronics Specialists Conference, Agosto
1999. vol. 1, p. 137-142.
24. BROECK, H.; TEZCAN, I. 1 KW Dual Interleaved Boost Converter for Low
Voltage Applications. IEEE Power Electronics and Motion Control
Conference, Shanghai, Agosto 2006. vol. 3, p. 1-5.
25. LORENZ, L. et al. CoolMOS A new approach towards system miniaturization
and energy saving. IEEE Industry Applications Conference, Roma, Outubro
2000. vol. 5, p. 2974-2981.
26. LORENZ, L. et al. Matched pair of CoolMOS transistor with SiC-Schottky diode
Advantages in Application. IEEE Industry Applications, Setembro 2004. vol. 40,
no. 5, p.1265 - 1272.
27. MORALES-SALDANA, J. A.; GUTIERREZ, E. E. C.; LEYVA-RAMOS, J.
Modeling of Switch-Mode DC-DC Cascade Converters. IEEE Transactions on
Aerospace and Electronic Systems, Janeiro 2002. vol. 38, no.1, p. 295 - 299.
28. GRAGGER, J. V.; HIMMELSTOSS, F. A.; PIRKER, F. Analysis and Control of a
Bidirectional Two-Stage Boost Converter. International Symposium on Power
Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion, 2008. SPEEDAM
2008., Ischia, Junho 2008. 667 - 673.
29. AAMIR, M.; SHINWARI, M. Y. Design. Implementation and Experimental Analysis
of Two-Stage Boost Converter for Grid Connected Photovoltaic System. IEEE
184
Computer Science and Information Technology (ICCSIT), Chengdu, Julho

2010. vol. 5, p. 194-199.
30. MAKSIMOVIC, D.; CUK, S. Switching Converters with Wide DC Conversion
Range. IEEE Power Electronics, Janeiro 1991. vol. 6, no. 1, p. 151-157.
31. LIN, B.-R.; LU, H.-H. Single-phase Three-level PWM Rectifier. Power
Electronics and Drive Systems, Julho 1999. vol. 1, p. 63-68.
32. EIMENI, S. N. H.; RADAN, A.; MEHRASA, M. The single-phase single-switch
PWM three-level high power factor rectifier for DC network application. ICIEA
2009. 4th IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications, Xi'an,
Maio 2009. 1419-1424.
33. PRUDENTE, M. et al. Voltage Multiplier Cells Applied to Non-Isolated DCDC
Converters. IEEE Power Electronics, Maro 2008. vol. 23, no. 2, p. 871-887.
34. BERKOVICH, Y.; AXELROD, B.; SHENKMAN, A. A Novel Diode-capacitor
Voltage Multiplier for Increasing the Voltage of Photovoltaic Cells. 11th
Workshop on IEEE Control and Modeling for Power Electronics, 2008.,
Zurich, Agosto 2008. 1-5.
35. DUPONT, F. H. et al. Analysis and Design of a Control Approach for a Boost
Converter with Voltage Multiplier Cell. 2011 Brazilian Power Electronics
Conference (COBEP), Natal, Setembro 2011. 444-450.
36. WU, X. et al. A novel control method for light-loaded multiphase boost converter
with voltage multiplier used as a front-end of a grid-connected fuel-cell
generation. IEEE Energy Conversion Congress and Exposition , Phoenix,
Setembro 2011. 413 - 420.
37. CHUNG, H. S.; IOINOVICI, A.; CHEUNG, W. Generalized Structure of BiDirectional Switched-Capacitor DC/DC Converters. IEEE Circuits and Systems
I: Fundamental Theory and Applications, Junho 2003. Vol. 50, no. 6, p. 743 753.
38. LUO, F. L. Seven self-lift DC-DC converters, voltage lift technique. IEEE Electric
Power Applications, Julho 2001. Vol. 148, no. 4, p. 329 - 338.
39. LUO, F. L. Positive output Luo converters: voltage lift technique. IEEE
Proceedings of Electric Power Applications, Julho 1999. Vol. 146, no. 4, p.
415 - 432.
40. ZHU, M.; LUO, F. L. Series SEPIC implementing voltage-lift technique for DCDC
power conversion. IET Power Electronics, Maro 2008. vol. 1, no. 1, p. 109 121.
41. ZHAO, Q.; TAO, F.; LEE, F. C. A Front-end DC/DC Converter for Network Server
Applications. IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver,
Junho 2001. Vol. 3, p. 1535-1539.
42. LI, W.; HE, X. A Family of Interleaved DC/DC Converters Deduced from a Basic
Cell with Winding-Cross-Coupled Inductors (WCCIs) for High Step-Up or StepDown Conversions. IEEE Trans. on Power Electronics, Julho 2008. 1791 -
185
1801.
43. AXELROD, B.; BERKOVICH, Y.; IOINOVICI, A. Switched-coupled inductor cell
for DCDC converters with very large conversion ratio. IEEE Industrial
Electronics, Paris, Novembro 2006. 2366-2371.
44. TSENG, K. C.; LIANG, T. J. Novel high-efficiency step-up converter. IEEE
Electric Power Applications, Maro 2004. Vol. 151, no. 2, p. 182 - 190.
45. JANG, S. J. et al. A New Active Clamp SEPIC-Flyback Converter for A Fuel Cell
Generation System. IEEE Industrial Electronics Society, Novembro 2005.
2538-2542.
46. PARK, K. B. et al. Integrated Boost-Sepic Converter for High Step-up
Applications. IEEE Power Electronics Specialists Conference, 2008. PESC
2008., Rhodes, Junho 2008. 944-950.
47. BELLAR, M. D.; WATANABE, E. H.; MESQUITA, A. C. Analysis of the Dynamic
and Steady-State Performance of Cockcroft-Walton Cascade Rectifiers. 21st
Annual IEEEs Power Electronics Specialists Conference, 1990. , Junho 1992.
526-534.
48. WITULSKI, A. F. Introduction to Modeling of Transformers and Coupled
Inductors. IEEE Transactions on Power Electronics, 1995. Vol. 10, no. 3, p.
349-357.
49. VREJ BARKHORDARIAN - INTERNATIONAL RECTIFIER. Power MOSFET
Basics. International Rectifier, Inc. El Segundo, CA, p. 1-13.
(http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf).
50. PENG, F. Z.; ZHANG, F.; QIAN, Z. A magnetic-less DC-DC converter for dual
voltage automotive systems. Industry Applications Conference, Dezembro
2002. Vol. 2, p. 1303-10.
51. HE, Y.; LUO, F. L. Analysis of Luo converters with voltage-lift circuit. IEEE
Electric Power Applications, Setembro 2005. Vol. 152, no.5, p.1239 - 1252.
52. ZHU, M.; LUO, F. L. Voltage-lift-type cuk converters: topology and analysis. IET
Power Electronics, Maro 2009. Vol. 2, no. 2, p. 178 - 191.
53. LUO, F. L. Analysis of Super-Lift Luo-Converters with capacitor voltage drop. 3rd
IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications, 2008. ICIEA
2008. , Singapura, Junho 2008. 417-22.
54. BENTO, A. A. M.; SILVA, E. R. C. DC-DC Converter with Large Conversion
Ratio. VIII Conferncia Internacional de Aplicaes Industrial, INDUSCON,
Poos de Caldas, MG, Agosto 2008. 1-7.
55. SPIAZZI, G.; MATTAVELLI, P.; COSTABEBER, A. Effect of Parasitic
Components in the Integrated Boost-Flyback High Step-Up Converter. 35th
Annual Conference of IEEE Industrial Electronics, 2009. IECON '09.,
Novembro 2009. 420-425.
56. ZHAO, Q. et al. A high efficiency DC/DC converter as the front-end stage of high
intensity discharge lamp ballasts for automobiles. Power Electronics and
186
Motion Control Conference, Agosto 2000. Vol. 2, p. 752-56.

57. LIU, K.; LEE, F. C. Topological constraints on basic PWM converters. 19th
Annual IEEE PESC '88 Record. Power Electronics Specialists Conference,
1988., Kyoto, Abril 1988. Vol. 1, p. 164-172.
58. PURWADI, A. et al. A New Approach to Synthesis of Static Power Converters.
International Conference on Electrical Engineering and Informatics, 2009.
ICEEI '09. , Selangor, Agosto 2009. Vol. 2, p. 627-633.
59. ERICKSON, R. W.; MAKSIMOVIC, D. A Multiple-Winding Magnetics Model
Having Directly Measurable Parameters. 29th Annual IEEE Power Electronics
Specialists Conference, 1998. PESC 98 Record., Fukuoka, Maio 1998. Vol. 2,
p. 1472-1478.
60. SADIKU, M. N. O.; ALEXANDER, C. Fundamentos de Circuitos Eltricos.
[S.l.]: BOOKMAN, v. nico, 2003.
61. VILLALVA, M. G.; GAZOLI, J. R.; FILHO, E. R. Comprehensive Approach to
Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays. IEEE Transactions on Power
Eletronics, Maio 2009. Vol. 24, no.5, p. 1198 - 1208.

PB PPGEE M Dreher, Jacson Rodrigo 2012

Caricato da

Informazioni sul documento

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

PB PPGEE M Dreher, Jacson Rodrigo 2012

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

CAMPUS PATO BRANCO

JACSON RODRIGO DREHER

CONVERSORES BOOST-FLYBACK INTEGRADOS PARA

JACSON RODRIGO DREHER

CONVERSORES BOOST-FLYBACK INTEGRADOS PARA

Dissertao apresentada ao Programa de

Catalogao na Fonte por Elda Lopes Lira CRB9/1295

Dreher, Jacson Rodrigo

A minha esposa, aos meus filhos Isadora

Esta a hora de lembrar-se das pessoas que fizeram diferena durante a

DREHER, Jacson R. Conversores boost-flyback integrados para aplicaes

A crescente demanda energtica mundial um dos principais problemas a

DREHER, Jacson R. Integrated boost-flyback converters for applications with

Figura 22 - Configuraes permitidas para seo de entrada: (a) fonte de tenso em

Figura 46 Condies de operao do conversor Boost-Flyback Paralelo wx. (a)

Figura 66 - Limite de operao: (a) razo cclica em funo da relao de

Figura 85 - Grfico comparativo de eficincia em funo da irradiao solar. ........ 175

Tabela 1 - Ganho de tenso do conversor CC-CC em funo do nmero de mdulos.

Tabela 24 - Comparativo entre valores de simulao e calculados para tenso

LISTA DE SIGLAS E ACRNIMOS

Capacitor (j=oB, oF, o, 1,2,3...)

1 INTRODUO PANORAMA ENERGTICO MUNDIAL ..................................19

4.4.2 Topologias do conversor Boost-Flyback Paralelo ...........................................75

6.2 ANLISE EXPERIMENTAL DO CONVERSOR BOOST-FLYBACK INTEGRADO

1 INTRODUO PANORAMA ENERGTICO MUNDIAL

Nos ltimos anos o mundo tem vivenciado um aumento crescente na

podem desempenhar um papel importante e estratgico para a diversificao e

A Gerao Distribuda de diferentes tipos de sistemas de pequena

armazenamento (ADs) encontram-se distribudos entre os consumidores, reduzindo

em ambos os lados da conexo. Como a fonte existente em uma unidade geradora

Figura 2 - Diagrama de uma microrrede tpica incluindo as cargas locais, os geradores

caractersticas que favorecem a sua implantao em sistemas como o mostrado na

1.1 A ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA

A energia solar o recurso de energia mais abundante da Terra. Apesar

dos sistemas fotovoltaicos o custo de implantao do sistema. A operao e

a energia produzida. Muitos mtodos de MPPT so mostrados na literatura, dentre

VARIAO DE IRRADIAO (25C)

VARIAO DE TEMPERATURA (1000W/m )

O mtodo de busca do ponto de mxima potncia de um arranjo de mdulos

1.1.1 Sistemas fotovoltaicos descentralizados conectados a rede

O aumento massivo do mercado fotovoltaico no mundo se d principalmente

no eram otimizados para aplicaes fotovoltaicas. Em meados da dcada de 1990,

1.1.2 Ganho esttico de tenso do estgio CC-CC.

Um sistema fotovoltaico descentralizado conectado em uma rede de 127V

Figura 5 Sistema fotovoltaico monofsico distribudo conectado a rede.

A Tabela 1 mostra o ganho de tenso necessrio para o conversor CC-CC

A RSE funo da resistncia srie do indutor boost e das quedas de tenso

Pon = RSE.I RMS 2

Onde I R MS a componente eficaz da corrente I L no modelo mdio do

RSE = RL + RDS (on) .D + RK (1 D)

Onde RL a resistncia srie do indutor, RDS (on ) a resistncia srie do

A partir de (3) pode-se inferir que as perdas podem ser reduzidas se a

Por outro lado, a segunda parcela da expresso (3) funo da resistncia

Onde VKA a queda de tenso do diodo em conduo.

Em termos de RSE, o ganho esttico do conversor pode ser dado como,

Razo cclica (D)

Razo cclica (D)

1.1.3 Conversores CC-CC com ganho esttico de tenso elevado.

De um modo geral, existem diferentes abordagens que resultam em

Os conversores com elevado ganho de tenso empregam algum tipo de

empregado em circuitos de imagem [47]. Para se obter um ganho de tenso elevado

com as demais, ou seja, no existe nenhum trabalho que discuta o conceito de

Visando preencher esta lacuna presente na literatura esta dissertao busca