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Programa del curso EL-3212

Circuitos Discretos
Escuela de Ingeniera en Electrnica.
Carrera/programa de Ingeniera en Electrnica e Ingeniera en Computadores.

1 Datos generales
Nombre del curso:

Circuitos Discretos

Cdigo:

EL-3212

Tipo de curso:

Terico

Electivo o no:

No

N de crditos:

4 crditos

N horas de clase por semana:

4 horas

N horas extraclase por semana:

8 horas

Ubicacin en el plan de estudios:

Curso del 5to semestre de la Carrera Ingeniera en Electrnica.

Requisitos:

EL-2104, EL-2202 y EL-2206

Correquisitos:

EL-3307, EL-3308 y EL-3212

El curso es requisito de:

EL-3213 y EL-3214

Asistencia:

Obligatoria

Suficiencia:
Si
Posibilidad de reconocimiento:

Si

Vigencia del programa:

I Semestre 2016

Escuela de Ingeniera en Electrnica Ingeniera en Electrnica

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2 Descripcin
general

Se estudian los conceptos de amplificacin electrnica y procesamiento de seales


utilizando transistores BJT y MOSFET. Se definen los parmetros tpicos que
caracterizan a un amplificador en distintas condiciones de trabajo, y se ofrecen las
herramientas bsicas de dimensionamiento para construir amplificadores de pequea y
gran seal de pequea y mediana complejidad. Adems, se estudian los conceptos de
respuesta en frecuencia, realimentacin y estabilidad y la aplicacin de los mismos en el
desarrollo de circuitos analgicos avanzados.

3 Objetivos
generales

Al terminar este curso, el estudiante debe ser capaz de definir y evaluar un amplificador
electrnico y sus parmetros caractersticos, utilizando los modelos compactos de
primer y segundo orden de los transistores BJT y MOSFET, apoyndose en mtodos de
anlisis de circuitos para aplicar dichos parmetros en un rango determinado de
operacin. Esta capacidad deber a su vez generar criterios bsicos de diseo y
evaluacin de amplificadores electrnicos para aplicaciones avanzadas en sistemas
complejos de control, comunicaciones y adquisicin y procesamiento de seales.

4 Contenidos

1) Definiciones generales de los amplificadores electrnicos y de los parmetros de


caracterizacin de un amplificador (1 semana)
2) Amplificadores electrnicos bsicos con transistores de silicio (BJT y
MOSFET) (4 semanas)
Introduccin a los amplificadores de seal.
Repaso de polarizacin.
Modelos compactos para pequea y gran seal.
Estudio de configuraciones bsicas de amplificadores BJT: emisor, colector
y base comn.
Configuracin bsica de amplificadores MOSFET: fuente, drenaje y
compuerta comn
3) Amplificadores avanzados y otras estructuras (3 semanas)
Espejos de corriente.
Amplificador cascodo.
Amplificador diferencial.
4) Respuesta de frecuencia (3 semanas)
Conceptos fundamentales de respuesta de frecuencia y teorema de Miller.
Modelos de alta frecuencia de los transistores BJT y MOSFET y frecuencia
de trnsito.
Respuesta de frecuencia de configuraciones bsicas.
Respuesta de etapas cascodo y pares diferenciales.
5) Realimentacin negativa (3 semanas)
Consideraciones generales y propiedades bsicas de la realimentacin
negativa.
Efectos de la realimentacin sobre las caractersticas bsicas de un
amplificador.
Tcnicas de sensado y retorno.

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Topologas de realimentacin y problemas de estabilidad


6) Etapas de salida y amplificadores de potencia (1,5 semanas)
Etapa push-pull.
Consideraciones de gran seal.
Disipacin de calor y eficiencia
7) Circuitos de realimentacin positiva (1/2 semana)
Multivibradores.
Osciladores.

5 Metodologa
de enseanza y
aprendizaje

Se seguir un modelo de charlas magistrales y discusin y resolucin de problemas en


clase. Cada unidad temtica ser introducida por charlas magistrales segn el
cronograma detallado adjunto. Se recomienda como libro de texto del curso el [1], si
bien los dems de la bibliografa adjunta pueden usarse tambin. Los estudiantes
sern evaluados por medio de tres exmenes a lo largo del semestre, que cubrirn la
materia estudiada durante las clases.

6 Evaluacin

Tareas 10%
I Examen parcial 30% Sbado 19 de Marzo
II Examen parcial 30% Sbado 14 de Mayo
Examen final 30% Sbado 11 de Junio 9:00am
Las fechas de los exmenes parciales, se indican en el cronograma detallado adjunto.
La fecha del examen final ser la definida por la oficina de Admisin y Registro. Los
exmenes son colegiados. En caso de que la nota final de la evaluacin sea inferior a
67.5 pero superior a 57.4, el estudiante tendr derecho a un examen de reposicin, en
la fecha indicada por Admisin y Registro. Para los estudiantes en calidad RN2 o
superior se les dar la posibilidad de ser evaluados de manera alternativa.

7 Bibliografa

[1] Behzad Razavi. Fundamentals of Microelectronics. Wiley, 1 edition, 2008.


[2] Paul R. Gray. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. Wiley, 5
edition, 2009.
[3] Behzad Razavi. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. McGraw Hill
Higher Education, October 2003.
[4] Adel S. Sedra. Circuitos microelectrnicos 4a edicin. Con CD-ROM incluido.
Oxford University Press, September 1999.
[5] Paul Horowitz and Wineld Hill. The Art of Electronics. Cambridge University
Press, 2 edition, July 1989.
[6] Donald L. Schilling and Charles Belove. Circuitos Electrnicos Discretos e
Integrados. McGraw-Hill, 3 edition, 1993.

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[7] H. Muhammad Rashid. Circuitos microelectrnicos anlisis y diseo. Editorial


Thompson, 3 edition, 2000.
[8] Mark Horenstein. Microelectrnica: Circuitos y dispositivos. Prentice Hall, 2
edition, 1997.
[9] Donald Neamen. Anlisis y diseo de circuitos electrnicos. Tomos I y II.
McGraw-Hill, 1 edition, 1999.

8 Profesor

MSc. Ing. Ronny Garca Ramrez.

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