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ELECTRNICA I
Ing. Adrian Mendoza Arriaga
AISLANTES, CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.
ELECTRNICA I
AISLANTES, CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.
ELECTRNICA I
AISLANTES, CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.
Silicio
Germanio
Carbn
ELECTRNICA I
BANDAS DE ENERGA.
ELECTRNICA I
BANDAS DE ENERGA.
Silicio
Germanio
Carbn
ELECTRNICA I
SILICIO Y GERMANIO.
El silicio es, por mucho, el material ms utilizado en diodos,
transistores, circuitos integrados y otros dispositivos semiconductores.
Observe que tanto el silicio como el germanio tienen los cuatro
electrones de valencia caractersticos.
ELECTRNICA I
SILICIO Y GERMANIO.
Los electrones de valencia del germanio residen en la cuarta capa,
mientras que los del silicio estn en la tercera, ms cerca al ncleo.
ELECTRNICA I
ELECTRNICA I
ELECTRNICA I
ELECTRNICA I
EL DIODO
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de l con una
impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma
un lmite llamado unin pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes
y se crea un diodo bsico.
Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en slo una
direccin. La unin pn es la caracterstica que permite funcionar a
diodos, ciertos transistores y otros dispositivos.
ELECTRNICA I
REGIO DE EMPOBRECIMIENTO
Cuando se forma la unin pn, la regin n pierde electrones libres a
medida que se difunden a travs de la unin. Esto crea una capa de
cargas positivas (iones pentavalentes) cerca de la unin.
A medida que los electrones se mueven a travs de sta, la regin p
pierde huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto
crea una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la
unin. Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la
regin de empobrecimiento.
ELECTRNICA I
POTENCIAL DE BARRERA.
En la regin de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y
muchas cargas negativas en los lados opuestos de la unin pn.
Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un campo elctrico, como
se indica en la figura 1-17(b) mediante flechas entre las cargas
positivas y las cargas negativas.
POTENCIAL DE BARRERA.
Expresado de otra manera, se debe aplicar una cierta cantidad de
voltaje igual al potencial de barrera y con la polaridad apropiada a
travs de una unin pn para que los electrones comiencen a fluir a
travs de la unin.
El potencial de barrera de una unin pn depende de varios factores,
incluido el tipo de material semiconductor, la cantidad de dopado y la
temperatura.
El potencial de barrera tpico es aproximadamente
de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para el germanio a 25C.
ELECTRNICA I
Atte. A. Mendoza A.
ELECTRNICA I