UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

CALLAO
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

E. P. INGENIERA ELECTRNICA

INVERSORES MONOFASICOS

PRE-INFORME N1
ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA II
PROFESOR: CORDOVA RUIZ RUSSEL
INTEGRANTES:
ALVARADO OYOLA JOSE

CDIGOS
1213220438

1) SIMULACIN:

R2

Q2

R1
2k

Q1

R3

PNP

1k

Q7

1k

Q5

BAT1

2k

R4

NPN

24V

D1

D4

DIODE

DIODE

Q3

PNP

Q4

R9

NPN

NPN

2k

Q8

Q6
NPN

R5
1k

R7

R6

NPN

D2

D3

DIODE

DIODE

1k

NPN

1k

R8
1k
R6(2)

U1:A
2
A
B
C
D

2.SENAL DE SALIDA:

1
7404

3. CUESTIONARIO:
1) inversor monofsico :
1.1) RESUMEN:
Un inversor permite la transformacin de corriente continua a alterna
cuando en el lado de alterna slo hayan receptores de energa
Inversor semi-puente:

Tpicamente se emplean seales de gobierno con ciclo de trabajo del

50% y complementarias en los dos interruptores

La tensin de salida es una onda cuadrada de amplitud V E/2

Inversor en puente completo

Permite manejar el doble de potencia que un medio puente para el

mismo esfuerzo en los interruptores

2) transistores como interruptores:

2.1) RESUMEN:
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base
debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que
entre en saturacin.
Su especificacin por perdidas :
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (

t on

t off

). Las causas fundamentales

de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y
los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto I C x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor.
Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin
lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro.

3) transistores como interruptores:

El control del valor eficaz de la tensin de salida se consigue fcilmente
mediante un control
PWM, que bsicamente consiste en la comparacin de una seal triangular
(Vtri) que llamaremos seal portadora, con una seal de control (Vcontrol) o
seal moduladora.

Vcarga=

V cont
V
V triang V cont DC

Donde el cociente

m=

V cont
V triang

recibe el nombre de ndice de modulacin en

amplitud.
cuya variacin permite controlar la ganancia de nuestro inversor y, por tanto,
la potencia en la carga (valor eficaz de la tensin aplicada a la salida).
El ndice de modulacin de frecuencias (N). El ndice de frecuencias N relaciona
la frecuencia de la seal portadora
moduladora

N=

fs

con la frecuencia de la seal

fm .

fs
fm

Normalmente, en accionamientos elctricos de velocidad variable

en funcin de la velocidad deseada mientras

fs

fm

vara

se mantiene constante. Esto

implica que el ndice de frecuencias N es variable.

Un alto ndice de frecuencias permite obtener gran nmero de pulsos por
periodo de la onda fundamental, ubicando a los armnicos indeseables en
frecuencias altas y asegurando que su presencia no afecte considerablemente
el comportamiento fundamental de la mquina; adicionalmente, al ubicar estos
armnicos en altas frecuencias se facilita el diseo de los circuitos encargados
de filtrarlos (Pardo, 2004) . Por otro lado, un alto ndice de frecuencias genera
gran cantidad de conmutaciones de los dispositivos semiconductores por

periodo fundamental incrementando las prdidas por conmutacin. Por lo

tanto, el valor que pueda tomar debe ser seleccionado cuidadosamente de
acuerdo a la aplicacin especfica.
Explicacin del funcionamiento del inversos tipo puente H de la figura 1
Al alimentar la fuente

V DC la seal de entrada produce cadas de voltaje en

dos transistores PNP y al transmitir seales cuadradas con un generador de

seales que excitan la base de dos transistores bipolares (NPN) de manera
complementaria, donde estos transistores permiten el paso de corriente por
otros transistores que protegidos por diodos en sus extremos contiene la carga
o seal de salida. Esta corriente pasa por los transistores de la derecha y con la
seal complementada del generador seguidamente sucede lo mismo por la
parte izquierda de la figura, que trayendo como consecuencia una direccin de
corriente por la carga desde la parte derecha y una direccin contraria de la
parte izquierda, produciendo en los bornes de la carga voltaje alterno debido al
movimiento que se produce de la corriente.
4) Perdida elctricas del circuito de la figura 1
Tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto I C x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor.

5) Modificaciones del circuito 1

Condiciones:
Reemplazar generador de seales por un reloj LM555 a 1KHz.
Remplazar la compuerta negadora por un transistor

2k
PNP

1k

Q7

1k

D1

D4

DIODE

DIODE

R9

NPN

2k

Q8

Q6
NPN

R5
R7
1k

D3

DIODE

DIODE
NPN

1k

R11

R8
1k

+5v

R6

NPN
+3.6v

D2

1k

R13
640

R12

470

Q9

DC
CV

6.9k

B
C

R10

U2

NPN

Q4

VCC

Q3

6
NPN

TH

GND

NPN

24V

PNP

Q5

BAT1

2k

R4

Q1

R3

1k

R2

Q2

R1

TR

2
555

C1
0.1u