NDICE

1.- Estructura bsica, smbolo electrnico y operacin bsica.

2.- Caractersticas y parmetros de los JFET

Accin del JFET que produce la curva de caracterstica con V GS = 0 V.

Control de ID al variar VGS
JFET de Canal P
Ejemplo

3.- Caracterstica de transferencia universal de un JFET

Transconductancia en directa de un JFET
Resistencia y Capacitancia de entrada

4.- Polarizacin de un JFET

Autopolarizacin
Estableciendo del punto Q de un JFET autopolarizado
Polarizacin en el punto medio
Anlisis grfico de un JFET autopolarizado

Polarizacin con divisor de voltaje

Polarizacin mediante fuente de corriente
Problemas
5.- JFET en la REGIN HMICA

1.- Estructura bsica, smbolo electrnico y operacin bsica.

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Los JFET ( Junction field-effect transistor- Transistor de efecto de campo de unin) de canal N estn construidos a partir de
una barra de semiconductor tipo N. En una zona de la barra se realiza una difusin de impurezas tipo P originndose
un CANAL, por donde circula la corriente principal. De una forma anloga se construyen los JFET de canal P

El funcionamiento de este dispositivo se basa en la modulacin de la

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ANCHURA DEL CANAL mediante la POLARIZACIN INVERSA de la

unin PUERTA-FUENTE
Cuando VGS= 0, la anchura del canal es mxima, por lo que
la corriente de drenador ID es mxima (se denomina IDSS)
A medida que VGS se hace ms negativa (aumentando la polarizacin
inversa), el canal se estrecha reducindose la corriente de drenador,
hasta anularse cuando VGS = VGS (corte)

Con VDS = constante ID = funcin (VGS)

Greater VGG narrows the channel (between the white areas) which
increases the resistance of the channel and decreases ID.

Less VGG widens the channel (between the white areas) which
decreases the resistance of the channel and increases ID.

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2.- Caractersticas y parmetros de los JFET

Accin del JFET que produce la curva de caracterstica con VGS = 0 V.

(a) VP : (pinch-off voltage- voltaje de estrangulamiento):

Con VGS=0, es el valor de VDS para el cual la corriente de drenador (ID) se vuelve constante e igual a IDSS (drain to source with
gate shorted).
IDSS es la mxima corriente que un JFET especfico es capaz de producir sin importar el circuito externo.
VP es fijo y viene dada en las datasheets

(b) Breakdown - Ruptura

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La ruptura ocurre en el punto C cuando ID comienza a incrementarse muy rpido con cualquier incremento adicional de VDS. La ruptura puede daar
irreversiblemente el dispositivo

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Control de ID al variar VGS

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A medida que VGS se ajusta a valores cada vez ms negativos al ajustar V GG, se produce una familia de curvas

caractersticas.
ID se reduce a medida que se incrementa la magnitud de V GS a valores negativos ms grandes debido al estrechamiento
del canal.
Con cada incremento de VGS, el JFET llega al punto de estrangulamiento (donde comienza la corriente constante) con
valores de VDS menores que Vp. As que, aunque VP es una constante, el valor mnimo de V DS al cual ID se vuelve constante
vara con VGS.

(c) VGS(off) : (cutoff voltage- voltaje de corte):

-

Es el valor de VGS que que hace que ID = 0.

El JFET debe operar con voltajes VGS(off) < VGS 0
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Nota: VGS(off) = - VP .

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JFET de canal P
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La operacin bsica de un JFET de canal p es igual a la de un dispositivo de canal n excepto, porque un JFET de
canal p requiere un VDD negativo y un VGS positivo

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EJEMPLO:

Para el JFET mostrado en la figura, VGS(corte)= 4 V e IDSS = 12 mA. Determine el valor

mnimo de VDD requerido para situar el dispositivo en la regin de operacin de corriente
constante cuando VGS= 0 V.
Sol. VDD= 10.1 voltios

3.- Caracterstica de transferencia universal de un JFET

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(Curva de transconductancia)
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Es una curva que ilustra grficamente la relacin entre V GS e ID

Ecuacin de Shockley

Con esta ecuacin, podemos determinar el valor de I D para

cualquier VGS si VGS(corte) e IDSS se conocen. En general, estas
cantidades se encuentran en la hoja de datos de un JFET dado.

Ejercicio:
Buscar en la hoja de datos del JFET 2N5459 los valores de IDSS y VGS(corte) . Con estos valores, determine la corriente en el drenador
para los siguientes valores de VGS: 0 V, -1 V y -4 V.

Transconductancia en directa de un JFET

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La transconductancia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el cambio de la corriente en el

drenaje (ID) correspondiente a un cambio dado el voltaje entre puerta-fuente (V GS) con el voltaje entre
drenador-fuente constante. Su unidad es el siemens (S)

con VDS=constante

Otras designaciones comunes para este parmetro son gfs

y yfs (admitancia de transferencia en directa).
Este parmetro es importante en amplificadores con
FET como factor importante al determinar la ganancia
de voltaje
El valor de gm es ms grande cerca del extremo
superior de la curva (cerca de V GS0) que cerca del
extremo inferior (casi VGS(corte))

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EJEMPLO:

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Resistencia y Capacitancia de entrada

Como se sabe, un JFET opera con su unin puerta-fuente polarizada en inversa, lo que hace que la resistencia de
entrada en la puerta sea muy alta. La alta resistencia de entrada es una ventaja del JFET sobre el BJT (recuerde que
un transistor de unin bipolar opera con la unin base-emisor polarizada en directa).
Las hojas de datos de JFET con frecuencia especifican la resistencia de entrada dando un valor para la corriente en
inversa de la compuerta, IGSS, a un cierto voltaje puerta-fuente. La resistencia de entrada se puede determinar
entonces utilizando la siguiente ecuacin:

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4.- Polarizacin de un JFET

Utilizando algunos de los parmetros del JFET previamente analizados, ahora se ver como se polarizan los JFET con voltaje de cd. Al
igual que con el BJT, el propsito de la polarizacin es seleccionar el voltaje de continua VGS apropiado para establecer un valor
deseado de la corriente de drenador y, por consiguiente, un punto Q (ID, VGS) apropiado.
Existen tres tipos de polarizacin:

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AUTOPOLARIZACIN
El voltaje de puerta a fuente es

El voltaje de drenador a masa es :

De esta forma, el voltaje drenador- fuente es:

RG se requiere slo para hacer que la puerta est a 0 V y aislar una seal de ca de la tierra en aplicacin de amplificador, como ms
adelante se ver

Ejemplo:
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Calcular los valores de VDS y VGS

Sol. VDS= 8.9 voltios y VGS= -1.1voltios
Nota: Los valores de parmetros tales como VGS(corte) e IDSS son tales que se produce una corriente en el
drenaje (ID) de aproximadamente 5 mA. Otro JFET, incluso del mismo tipo, puede no producir los mismos
resultados cuando se conecta en este circuito, debido a la variacin de los valores de los parmetros.

Estableciendo del punto Q de un JFET autopolarizado

El mtodo bsico para establecer el punto de polarizacin de un JFET es determinar I D para un

valor deseado de VGS o viceversa; luego se calcula el valor requerido de R S con las siguientes relaciones.

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Para un valor deseado de VGS, ID se determina en una de dos maneras:

(a) Con la curva de transferencia para el JFET particular

Determine el valor de RS requerido para autopolarizar un JFET de canal n con V GS=5V. Se proporciona la curva de transferencia

(b) Con la ecuacin utilizando IDSS y VGS(corte) de la hoja de datos del JFET.
Determine el valor de RS requerido para autopolarizar un JFET de canal n con valores tomados de la hoja de datos de
IDSS = 25 mA y VGS(corte) = -15 V. VGS tiene que ser de 5 V.
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Polarizacin en el punto medio

Normalmente es deseable polarizar un JFET cerca del punto medio de su curva de transferencia donde
ID = IDSS/2. Se demuestra que ID es aproximadamente la mitad de IDSS cuando VGS = VGS(corte) /3.425
En condiciones de seal, la polarizacin en el punto medio permite que la cantidad mxima de corriente en el
drenador oscile entre IDSS y 0.
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Para situar el voltaje de drenaje en el punto medio (V D = VDD/2), seleccione un valor de RD para producir la
cada de voltaje deseada. Seleccione un RG arbitrariamente grande para evitar que se cargue la etapa de
mando en una configuracin de amplificadores en cascada
Anlisis grfico de un JFET autopolarizado
Se puede utilizar la curva caracterstica de transferencia de un JFET y ciertos parmetros para determinar el
punto Q (ID y VGS) de un circuito autopolarizado

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La curva de transferencia puede ser trazada conociendo los valores

de IDSS y VGS(corte) dados en la hoja de datos.

Para determinar el punto Q del circuito se establece una recta de

carga de cd de autopolarizacin en la grfica de la forma descrita a
continuacin

Con los dos puntos, se puede trazar la recta de carga sobre la curva de transferencia . El punto donde la recta corta la curva de
transferencia es el punto Q del circuito.

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POLARIZACIN POR DIVISIN DE VOLTAJE

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Ejemplo:
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28

Determine ID y VGS para el JFET con polarizacin mediante divisor de voltaje de la figura dado que para este JFET
particular los valores de parmetro son tales que V D = 7 V.

POLARIZACIN MEDIANTE FUENTE DE CORRIENTE

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5.- JFET en la REGIN HMICA

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30

Problemas polarizacin
1

4
Realizar hoja de clculo para VGS= { -6,-5,-4,...,-1,0}

Para cada uno de los circuitos de la figura determine VDS y VGS.

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31

Con la curva que aparece en la figura, determine el valor de R S requerido para una corriente en el drenador de 9.5 mA.

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32

Determine grficamente el punto Q para el circuito de la figura con la curva de la caracterstica de transferencia mostrada

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33

Dado que el voltaje de drenador a tierra es de 5 V, determine el punto Q del circuito

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34

Determine los valores del punto Q para el JFET con polarizacin mediante divisor de voltaje en la figura

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