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Mdulo 06
Prof. Lus Caldas
MDULO 6: RESPOSTA EM
PEQUENOS SINAIS A JFET.
FREQNCIA
DO
AMPLIFICADOR
DE
1. Introduo: O circuito amplificador de sinal a JFET possui ganho alto, uma impedncia alta de entrada
e ampla faixa de resposta em freqncia. So aplicados a circuitos com baixa corrente e diferente do
transistor bipolar, o qual controla uma corrente alta de coletor atravs de baixa potncia aplicada base.
Atravs da aplicao de baixssima tenso de entrada possvel controlar uma alta corrente de dreno. Pode
operar na regio linear ou em circuitos lgicos no corte e saturao. O circuito amplificador tem uma
limitao em alta freqncia e pode ser determinada realizando o modelo equivalente para alta freqncia
conforme a seguir.
2. MODELO EQIVALENTE CA PARA O CIRCUITO A JFET.
CIRCUITO AUTOPOLARIZAO Anlise do modelo equivalente para o circuito amplificador em
autopolarizao a JFET.
CONSIDERAES: Considerar para anlise em baixa freqncia as seguintes condies:
1. A fonte CC um curto para sinal;
2. O capacitor no terminal fonte em paralelo com RS um curto para sinal;
3. Os capacitores de acoplamento apresentam uma reatncia capacitiva igual a zero.
O circuito RC formado por Rg, RG e CGS e RD, RL e CGD combinados e por efeito Miller se comportam
como um circuito passa baixa e pode-se determinar a freqncia de corte do filtro. O circuito a seguir:
Vdd
Rd
C2
Vo
C1
RL
Rg
Vi
RG
Rs
Cs
Pg . 1
O modelo equivalente do circuito para anlise em freqncias altas onde h somente as capacitncias
parasitas do transistor JFET. Do modelo equivalente calcula-se o o resistor equivalente e a capacitncia de
efeito Miller CT.
f CS =
1
2R equival.CT
f C1 =
1
2(R G // R g )CT
DETERMINAO DA CAPACITNCIA CT
EFEITO DA CAPACITNCIA MILLER
As capacitncias parasitas, entre terminais, internas ao dispositivo e outras influenciam na resposta em alta
freqncia.
Estas capacitncias se multiplicam quando aplicadas amplificadores e a capacitncia de realimentao Cf
= CGD calculada, como :
Pg . 2
Vi
(1 AV) Vi
Vi
= +
Zi
Ri
XCf
1
1
1
= +
Zi
Ri
XCf/(1 AV)
XCf
1
Onde = = XCM, onde CT = (1 AV).Cf.
1 - AV
.(1 AV) Cf
1
1
1
= +
Zi
Ri
XCT
Para a sada, temos Cf = CDS:
Pg . 3
V0 Vi
e I2 =
XCf
f C2 =
1
2(R L // R D )CM
Obs.: Dentre as freqncias de corte inferiores fC1 e fC2 escolhe-se como freqncia de corte inferior a
freqncia de maior valor.
Pg . 4
Rd
RB1
C2
Vo
C1
RL
Rg
Vi
RB2
Rs
Cs
O modelo equivalente do circuito, anlise em freqncias mdias onde os capacitores apresentam uma
reatncia capacitiva igual a zero. Do modelo equivalente calcula-se o ganho AV.
Pg . 5
f CS =
1
2R equival.CT
Rg
RB
f C1 =
1
2(R B // R g )CT
2. Sada - O resistor equivalente da sada calculado pela resistncia equivalente vista por C2. O
Requivalente,2 = (RD // RL). A freqncia de corte fC2 ser dada por:
f C2 =
1
2(R D // R L )CM
Obs.: Dentre as freqncias de corte inferiores fC1 e fC2 escolhe-se como freqncia de corte inferior a
freqncia de maior valor.
2.6 DIAGRAMA DE BODE COM A RESPOSTA EM FREQNCIA DO AMPLIFICADOR A
JFET.
A seguir apresentamos o circuito passa baixa para a curva inicial do amplificador. Para freqncias acima
da freqncia de corte o circuito atenua e na freqncia infinito a sada zero.
Pg . 6
Pg . 7
1
AV = 20 log = - 20 log10[SQR(1 + (f/f2)2]1/2
SQR(12 + (f / f2)2
AV = - 10 log (f/f2)2, para f >> f2, da :
AV = - 20log10 f/f2, para f >> f2.
Para f2 igual a :
a) f, temos : AV = 20 log 1 = 0dB.
b) 0,5f, temos : AV = 20 log 2 = - 6dB.
c) 0,25f, temos: AV = 20 log 4 = - 12dB
d) 0,1f, temos : AV = 20 log 10 = - 20dB
O grfico de resposta em freqncia do passa-baixa, ser:
A fase ser :
1.0k
1V
1.0nF
1.0k
1.0k
1.0M
Pelo clculo,
f = 1/(2 PI. 2. 103 . 10-9) = 79.617Hz.
O ganho na freqncia acima da freqncia de corte inferior igual a:
Clculo do gerador equivalente de Thevenin.
Pg . 9
1.0k
1.0k
1.0M
Pg . 10
CENT
CSADA
CS
SOLUO :
Utilizando-se dos exemplos anteriores, ID = 2,26mA e VGS = - 2,26V.
Pode-se calcular outros parmetros como gm e AV.
ID
2.IDSS
gm = ()1/2 = 2,61mS.
VP IDSS
RG
RL
O ganho ser : AV = . -gmRD. = = - 4,91
Rf + RG
RD + RL
a) Resposta em freqncia de corte inferior.
Considerar para a anlise em freqncia, as fontes de tenses e de sinal um curto e o circuito fonte comum
(CS muito grande, apresenta reatncia muito baixa para a freqncia).
1
1
fINFA = = = 7,88 Hz
2. 3,14 . (106 + 104) . 0,02.10-6
2.(RG + Rf).CENT
1
1
fINFB = = = 189,56 Hz
2. 3,14 . (40.103 + 2.102) . 0,02.10-6
2.(RD + RL).CSADA
Entre as freqncias de corte inferior, escolhe-se a maior freqncia, ou seja
fINFB = 189 Hz.
Pg . 11
Pg . 12
ZO = RD = 2K.
Antes por efeito Miller, a capacitncia refletida ser:
CTA = CGS + CGD(1 AV) = 1pF + 2[1 ( - 1,36)] = 5,72pF
CTB = CDS + CGD(1 1/AV) = 0,5pF + 2[1 (1/- 1,36)] = 3,97pF.
1
1
fSUPA = = 2,80 MHz
2.(RG // Rf).CTA
2. 3,14 . (106 // 104) . 5,72.10-12
1
1
fSUPB = = 21MHz
2. 3,14 . (40.103 // 2.103) . 3,97.10-12
2.(RD // RL).CTB
Entre as freqncias de corte superior, escolhe-se a menor freqncia, ou seja fSUPA = 2,80MHz.
Exerccio: Para o amplificador de pequeno sinal a MOSFET, conforme o circuito a seguir pede-se:
a) O ponto de polarizao do circuito
b) A resistncia de entrada
c) O ganho de tenso do circuito
d) A resposta em freqncia do circuito
So dados: VDD = 20V, R1 = 4,7M, R2 = 2,2M, RS = 560, RD = 2,2K, CENT = 0,1F,
CSADA = 0,1F, RG = 10K, CS = 100F.
Exerccio: Para o circuito a seguir, pede-se:
a) A freqncia de corte.
b) Fazer o levantamento da curva de resposta em freqncia da amplitude em Volts.
c) Repetir o item b) em decibeis.
d) Repetir o item b) com a fase do circuito.
300nF
1,0V
1.0k
Pg . 13
Pg . 14
EXERCCIOS PROPOSTOS
Os exerccios de 1 a 4 referem-se aos dados e figura a seguir: Dados Vdd = 20V, C1 = C2 = 0,47F,
RL = 40K, Rd = 1K, RG = 1M, Rg = 1K, CS = 470F, CGS = 2pF, CGD = 3pF e CDS = 1pF.
Vdd
Rd
C2
Vo
C1
RL
Rg
Vi
RG
Rs
Cs
Pg . 15
Pg . 16
BIBLIOGRAFIA
Referncia: Livro Texto: Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos.
Autores: Robert Boylestad e Louis Nashelsky, editora Pearson, Prentice Hall, 11.a edio, ano 2013.
OUTRAS REFERNCIAS
1. Microeletrnica Sedra, A.S e Smith, K,C 5.a edio Pearson.
2. Eletrnica Vol.1 Malvino, A.P 14.a edio, Editora Makron,
3. Circuitos Eltricos - Nilsson, J. W. / Riedel, S. A. / Marques, A. S., ano de 2008 Prentice Hall
Brasil.
4. Circuitos com transistores Bipolares e MOS - Silva, M. M./Calouste, G., ano de 2010.
5. Dispositivos e Circuitos Eletrnicos, V.1 Bogart, J. - ano de 2000 - Editora MAKRON.
6. Dispositivos e Circuitos Eletrnicos, V.2 Bogart, J. - ano de 2000 - Editora MAKRON.
Pg . 18