UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

AV. TPAC AMARU 210 - RIMAC / LIMA 25 PER
1070

TELEFONO: 481 -

INFORME PREVIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL (ML-837)

CURSO:

ELECTRONICA INDUSTRIAL

TEMA:

RECTIFICACION Y FILTRO

ESTUDIANTE:

Gomez Reyes Carlos

20122065D

DOCENTE:

Ing. Edilberto Huamani Huamani

Lima, 26 de abril del 2016

Contenido
Pequea Resea Historia del Diodo.............................................................................. 1

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de ingeniera mecnica
En Facultad
la actualidad..........................................................................................................
3
Laboratorio de Electrnica Industrial

Como Funciona Fsicamente El Diodo...........................................................................5

QU ES EL NIVEL DE FERMI...................................................................................... 5
POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO........................................................................6
POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO........................................................................8
Diodo Ideal................................................................................................................... 9
Diodos de silicio....................................................................................................... 10
Diodos de germanio.................................................................................................. 11
Aplicaciones de los diodos......................................................................................... 14
rectificador de media onda......................................................................................... 14
Rectificador de media onda con filtro...........................................................................15

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Laboratorio de Electrnica
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Laboratorio de Electrnica Industrial

Pequea Resea Historia del Diodo

Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo

termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos.
Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente poda descargarse al
acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda
lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de
corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio.
A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las bombillas se
quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla con un
filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente
aislada del filamento. Cuando us este dispositivo, confirm que una corriente flua del
filamento incandescente a travs del vaco a la lmina metlica, pero esto slo suceda
cuando la lmina estaba conectada positivamente.

John Ambrose Fleming

Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro
de DC, y obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso
prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en
caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison.

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de ingeniera20
mecnica
Aproximadamente
aos despus,
John Ambrose Fleming (cientfico asesor
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Laboratorio
de
Electrnica
Industrial
de Marconi
Company
y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto
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Edison
podra usarse
como unIndustrial
radio detector de precisin. Fleming patent el primer
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de Electrnica
diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904.
Damos un salto aqui para explica que es el efecto edison

En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir

por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de
cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados
para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.
El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor
para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue
desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas
por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y
recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron
con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena.
Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el
que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de
la era de la radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable
(el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del
cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue
rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal

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semiconductor
volvi
a usarse
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DE frecuentemente
INGENIERA con la llegada de los econmicos
Laboratorio
de
Electrnica
Industrial
diodos de
en la dcada de 1950.
Facultad
de germanio
ingeniera mecnica
de invencin,
Electrnica estos
Industrial
En laLaboratorio
poca de su
dispositivos fueron conocidos como rectificadores.
En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa
separado, y ode (de ), que significa camino.

En la actualidad
Los japoneses Isamu Akasaki, Hiroshi Amano y Shuji Nakamura, este ltimo
nacionalizado estadounidense, han sido distinguidos hoy con el Premio Nobel de Fsica
2014 por descubrir el diodo emisor de luz, LED.

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Pocas veces los descubrimientos premiados con el Nobel de Fsica son tan familiares
para el comn de los mortales como este ao. La Real Academia de las Ciencias de
Suecia seal que el descubrimiento de los diodos emisores de luz se inscribe en "el
espritu de Alfred Nobel" de hacer inventos que generen un gran beneficio a la
humanidad. El comit subray que el LED, es "una nueva luz para iluminar el mundo",
ms eficiente y respetuosa con el medio ambiente al ahorrar energa.

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Como Funciona Fsicamente El Diodo

Comenzamos por preguntarnos que es el nivel fermi concepto clase en el

entendimiento del diodo

QU ES EL NIVEL DE FERMI
El nivel de fermi es un trmino empleado para describir la mayor concentracin de
niveles de energa que, tericamente, pueden alcanzar los electrones a una
temperatura, tambin terica, de 0 K (cero grado Kelvin o cero absoluto). A dicha
temperatura se supone que cesa completamente todo el movimiento electrnico en los
tomos que componen las molculas de un cuerpo cualquiera.
En un semiconductor diodo sin energizar, el nivel de fermi se opone a que los
electrones libres que se encuentran presentes en la parte negativa (N) puedan
atravesar la barrera de potencial formada en el punto de unin p-n, lo que les impide
saltar a la parte positiva (P) hasta tanto no reciban la suficiente carga energtica que
normalmente procede de una fuente de fuerza electromotriz externa, como una batera,
por ejemplo. Una vez que los electrones reciban la energa necesaria podrn superar el
nivel de fermi y atravesar la barrera de potencial para unirse a los huecos existentes
en la parte positiva (P) del diodo.
Un smil entre lo que ocurre con un semiconductor diodo sin energizar y el nivel de
fermi sera algo as como tener sumergido en un mar cubierto de hielo un cuerpo
cualquiera carente de la suficiente energa como para poder ascender, romper la capa
de hielo y salir a la superficie.

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El nivel de fermi recibe ese nombre en honor al destacado fsico italiano Enrico Fermi
(Roma, Italia, 1901 Chicago, EE.UU., 1954).

Cuando la unin positiva-negativa p-n de un semiconductor diodo se encuentra en

equilibrio por no encontrarse energizado, los niveles de fermi se igualan o
emparejan a ambos lados de la unin. Bajo esas condiciones los electrones y los
huecos alcanzan un equilibrio prximo a ese punto y a su alrededor se crea una zona
de deplexin.
Para que se pueda establecer un flujo electrnico a travs del diodo, ser necesario
suministrarles energa a los electrones que se encuentran debajo de la lnea del nivel
de fermi para que se puedan mover hacia arriba y pasar a la banda de
conduccin y unirse a los huecos.

POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO

Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa conectndole una
fuente de fuerza electromotriz o suministro elctrico (como una batera, por ejemplo),

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su lado de
P
se vuelve
ms positivo,
lo que ocasiona que se cree una diferencia
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Industrial
en alturadedel
nivel de
fermi en la parte negativa del diodo. Esto facilita que los
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electrones
libres
esa parteIndustrial
alcancen la banda de conduccin y puedan atravesar
Laboratorio
deen
Electrnica
la unin o juntura p-n pasando a llenar los huecos presentes al otro lado de la
unin. De esa forma los electrones alcanzarn la banda de conduccin, atravesarn
la unin p-n y saltarn de un hueco a otro en la parte positiva (P) hasta concluir
finalmente su recorrido en el polo positivo de la fuente de suministro elctrico. La
situacin que se produce se puede interpretar como: electrones movindose en un
sentido y huecos movindose en sentido opuesto.

En la ilustracin se puede apreciar que la direccin de conduccin de los electrones se

establece desde la parte derecha o negativa del diodo hacia su parte izquierda o
positiva. El movimiento que se observa hacia arriba de los electrones para alcanzar
la banda de conduccin, viene dado por el incremento de energa que les
suministra la batera o fuente de energa electromotriz conectada al diodo.
Por tanto, en un diodo polarizado de forma directa, los electrones de la parte

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ingeniera
negativade(N)
que
hanmecnica
sido elevados
a la banda de conduccin, as como los que
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de
Electrnica
Industrial
se han difundido
a travs
de la unin p-n, poseen ms energa que los huecos
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mecnica
presentes
en la parte
positiva Industrial
(P). De esa forma los electrones se combinan sin
Laboratorio
de Electrnica
esfuerzo con esos huecos, establecindose un flujo de corriente electrnica a travs de
la unin p-n, en direccin al polo positivo de la batera.

POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado positivo P de la

unin p-n se vuelve negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la
batera). En esas condiciones el nivel de fermicorrespondiente a esa parte positiva
crece en altura, impidiendo as que los electrones se puedan mover a travs del cristal
semiconductor. En la ilustracin se pueden observar unas flechas indicando la direccin
correspondiente al flujo electrnico tratando de acceder aldiodo por su parte positiva sin
lograrlo, pues al estar polarizado de forma inversa la zona de deplexin se ampla.
Adems, como se puede ver tambin, la diferencia de altura del nivel de fermi en la
parte positiva P del diodo aumenta, mientras que en la parte negativa Ndisminuye.
Por tanto, bajo esas circunstancias los electrones presentes en la parte negativa

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carecern
de laNACIONAL
suficiente
energa
para poder atravesar la unin p-n.
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Diodo Ideal
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han
atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La
miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la
actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que
el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los

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ingeniera mecnica
sistemasdesemiconductores
en
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NACIONAL
DEcomparacin
INGENIERAcon las redes con tubos de los aos
Laboratorio
de
Electrnica
Industrial
anteriores
son , en su
mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren
Facultad
de ingeniera
mecnica
calentamiento
seElectrnica
producen Industrial
prdidas trmicas (lo que s sucede en el caso de los
Laboratorionide
tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan
pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente
algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones
permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los
lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica del
diseo de la red y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms
sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los
sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las
de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se
extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de
su construccin y caractersticas, los datos y grficas muy importantes que se
encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se estudiarn para asegurar el
entendimiento de la terminologa empleada y para poner de manifiesto la abundancia
de informacin de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes.
Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real,
consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El
diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas
que se muestran en la figura

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En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el

smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer
corriente en la direccin opuesta. En esencia.
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola direccin.
Diosos de Silicio Y germanio
Los diodos rectificadores son dispositivos electrnicos que se utilizan para controlar
ladireccin del flujo de corriente en un circuito elctrico. Dos materiales comnmente
utilizados para los diodos son el germanio y el silicio. Mientras que ambos diodos
realizan funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser
tomadas en consideracin antes de instalar uno u otro en un circuito electrnico.

Diodos de silicio
La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del
diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el
lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn".
Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez
que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo
empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el
diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de
la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a
que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio
son ms frecuentes que los diodos de germanio.

Diodos de germanio

Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una

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tensin de
de ingeniera
polarizacin
directa
0,3 voltios. El germanio es un material poco
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Electrnica
Industrial
comn que
se encuentra
generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o
Facultad
de ingeniera
mecnica
de plata.
Debidode
a Electrnica
su rareza, el
germanio es ms caro, por lo que los diodos de
Laboratorio
Industrial
germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.

Como vemos la grafica I vs V del diodo real no es nada parecio a la grafica del diodo
ideal para eso tenemos entonces que usar otros modelos que aqui presentaremos

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Tambin se puede usar el Modelo matemtico

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de
potencial es:

Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente

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n es el coeficiente
emisin,
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DE dependiente
INGENIERAdel proceso de fabricacin del diodo y
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Industrial
que suele
entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para
Facultad
de adoptar
ingenieravalores
mecnica
el silicio).
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El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura
cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de
circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn,

y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental).
La ecuacin de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo
los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico),
difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin
en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de
Shockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e
induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en
polarizacin activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la
corriente es una constante negativa del valor de I s. La regin de ruptura no est
modelada en la ecuacin de diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la
ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos an

ms simples, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos;
son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es
el diodo ideal.

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Aplicaciones de los diodos

rectificador de media onda

En el grafico mostrado podemos ver un diodo si el diodo los consideramos ideal a la

salida de la resistencia podemos notar la siguiente curva

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Si no consideramos un diodo ideal a la salida tendremos

se crea un pequeo desfase entre la onda de entrada y la media onda esto es

debido al voltaje de corte

Rectificador de media onda con filtro

tenemos que definir el factor rizo
es llamado tambin factor de ondulacin es una medida de la ondulacin y rizado de la
corriente o tensin esto es de la ondulacin o carencia de lisura de la forma de onda
r=

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Valor eficaz de latension alterna

Valor continuo o medio de latension

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El experimento lo haremos de acuerda a una media onda aunque el factor de rizado de
Laboratorio
una media
ondade
esElectrnica
mayor queIndustrial
la de una onda completa pro ende la onda completa es
aun mejor para filtrarlo mediante un condensador

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