EJEMPLO

Determine lo siguiente para la red de la figura:

a. VGSQ.

16 V

b. IDQ.
c. VDS.

2 k

d. VD.
e. VG.

f. VS.
G

I DSS = 10 mA
VP = 8 V

+
1 M

VGS

2V

Solucin:
Mtodo matemtico
a. VGSQ = - VGG = 2 V
b. IDQ = IDSS a1 -

c.
d.
e.

f.

VGS 2
-2 V 2
b = 10 mA a 1 b
VP
-8 V

= 10 mA11 - 0.2522 = 10 mA10.7522 = 10 mA10.56252

= 5.625 mA
VDS = VDD - ID RD = 16 V - 15.625 mA212 k2
= 16 V - 11.25 V = 4.75 V
VD = VDS = 4.75 V
VG = VGS = 2 V
VS = 0 V

Mtodo grfico La curva de Shockley resultante y la lnea vertical trazada por VGS  2 V se
dan en la figura. Ciertamente es difcil leer ms all de dos cifras despus del punto decimal
ID (mA)
IDSS = 10 mA
9
8
7
Punto Q

I D = 5.6 mA
Q

5
4
3
2

IDSS = 2.5 mA
4

1
8 7 6 5 4 3 2 1
0
VGS
VP = 8 V VP
V
=
V
=
2
V
GSQ
GG
= 4 V
2

FIG
Solucin grfica para la red de la figura

sin que se incremente significativamente el tamao de la figura, aunque una solucin de 5.6 mA
obtenida en la grfica de la figura es bastante aceptable.
a. Por consiguiente

VGSQ = - VGG = 2 V

b. IDQ = 5.6 mA

c. VDS = VDD - ID RD = 16 V - 15.6 mA212 k2

= 16 V - 11.2 V = 4.8 V

d. VD = VDS = 4.8 V
e. VG = VGS = 2 V
f. VS = 0 V
Los resultados confirman con claridad el hecho de que los mtodos matemtico y grfico generan soluciones muy parecidas.

EJEMPLO

Para el MOSFET tipo empobrecimiento de canal n de la figura, determine:

a. IDQ y VGSQ.
b. VDS.

Solucin:
a. Para las caractersticas de transferencia, ID  IDSS4  6 mA4  1.5 mA y VGS  VP2 
3V2  1.5V definen una grfica. Considerando el nivel de Vp y el hecho de que la
ecuacin de Shockley define una curva que se eleva con mayor rapidez a medida que VGS se
vuelve ms positivo, VGS  +1 V definir un punto de la grfica. Sustituyendo en la ecuacin de Shockley resulta

ID = IDSS a 1 -

VGS 2
b
VP
+1 V 2
1 2
b = 6 mA a 1 + b = 6 mA11.7782
= 6 mA a 1 -3 V
3
= 10.67 mA

La curva de transferencia resultante aparece en la figura. Procediendo como se descri-bi

para los JFET tenemos

Ec. (7.15):
Ec. (7.16):

10 M118 V2
= 1.5 V
10 M + 110 M
= VG - ID RS = 1.5 V - ID1750 2

VG =
VGS

Punto Q

FIG.
Determinacin del punto Q para la red de la figura.

Estableciendo ID  0 mA resulta

VGS = VG = 1.5 V
Estableciendo VGS  0 V resulta

ID =

VG
1.5 V
= 2 mA
=
RS
750

Los puntos de la grfica y la lnea de polarizacin resultante aparecen en la figura. El

punto de operacin es

IDQ = 3.1 mA
VGSQ = 0.8 V
b.

VDS = VDD - ID1RD + RS2

= 18 V - 13.1 mA211.8 k + 750 2
 10.1 V

RESUMEN
Conclusiones y conceptos importantes

1. Un dispositivo controlado por corriente es aqul en el cual una corriente define las condiciones de operacin, en tanto que un dispositivo controlado por voltaje es aqul en el
cual un voltaje particular define sus condiciones de operacin.
2. El JFET en realidad puede ser utilizado como un resistor controlado por voltaje por su sensibilidad nica a la impedancia del drenaje a la fuente al voltaje de la compuerta a la fuente.
3. La corriente mxima para cualquier JFET se designa IDSS y ocurre cuando VGS  0 V.
4. La corriente mnima para un JFET ocurre en el momento en que se da el estrangulamiento definido por VGS  Vp.
5. La relacin entre la corriente de drenaje y el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET
es no lineal definida por la ecuacin de Shockley. A medida que el nivel de la corriente se
aproxima a IDSS, la sensibilidad de ID a cambio de VGS se incrementa significativamente.
6. Las caractersticas de transferencia (ID contra VGS) son caractersticas del dispositivo propiamente dicho y no son sensibles a la red en la cual se emplea el JFET.
7. Cuando VGS  Vp2, ID  IDSS4; y en un punto donde ID  IDSS2, VGS  0.3 V.
8. El producto del voltaje del drenaje a la fuente por la corriente de drenaje determina las condiciones mximas de operacin.
9. Los MOSFET estn disponibles en uno de dos tipos: empobrecimiento y enriquecimiento.
10. El MOSFET tipo empobrecimiento tiene las mismas caractersticas que un JFET con
corrientes de drenaje hasta el nivel de IDSS. En este punto las caractersticas de un MOSFET
tipo empobrecimiento continan elevndose a niveles por encima de IDSS, en tanto que las
del JFET se terminarn.
11. La flecha en el smbolo de los JFET o de los MOSFET de canal n siempre apunta hacia
el centro del smbolo, en tanto que la de un dispositivo de canal p siempre lo hace hacia
fuera del centro del smbolo.
12. Las caractersticas de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento no estn definidas por la ecuacin de Shockley sino por una ecuacin no lineal controlada por el voltaje
de la compuerta a la fuente, el voltaje de umbral, y una constante k definida por el dispositivo empleado. La grfica resultante ID contra VGS se eleva exponencialmente con los
valores crecientes de VGS.
13. Siempre maneje los MOSFET con un cuidado adicional debido a la electricidad esttica
que existe en lugares donde menos lo esperamos. No quite ningn mecanismo de cortocircuito entre los alambres de conexin del dispositivo hasta que est instalado.
14. Un dispositivo CMOS (MOSFET complementario) emplea una combinacin nica de un
MOSFET de canal p y uno de canal n con un solo conjunto de cables de conexin externos.
Ofrece las ventajas de una muy alta impedancia de entrada, rpidas velocidades de conmutacin y bajos niveles de potencia de operacin, por lo cual es muy til en circuitos lgicos.
15. Un MOSFET tipo empobrecimiento incluye una unin metal-semiconductor, que produce
caractersticas que concuerdan con las de un JFET tipo empobrecimiento de canal n.
Los MESFET tipo enriquecimiento tienen las mismas caractersticas que los MOSFET
tipo enriquecimiento. El resultado de esta semejanza es que se pueden aplicar a los
MESFET las mismas tcnicas de anlisis de cd y ca que se aplicaron a los JFET.

Ecuaciones:
JFET:

ID = IDSS a 1 -

VGS 2
b
VP

ID = IDSS VGS = 0 V,
VGS = VP a 1 -

ID = 0 mA VGS = VP,
ID
b
A IDSS

PD = VDSID
rd =

ro
11 - VGS >VP22

MOSFET: (enriquecimiento):

ID = k1VGS - VT22
k =

ID 1encendido2

1VGS1encendido2 - VT22

ID =

IDSS
`
,
4 VGS = VP>2

VGS  0.3VP ID = IDSS>2

RESUMEN
Conclusiones y conceptos importantes

1. Una configuracin de polarizacin fija tiene, como su nombre lo indica, un voltaje de cd fijo aplicado de la compuerta a la fuente para establecer un punto de operacin.
2. La relacin no lineal entre el voltaje de la compuerta a la fuente y de la corriente de drenaje de un JFET requiere que se utilice una solucin grfica o matemtica (que implique la
solucin de dos ecuaciones simultneas) para determinar el punto de operacin quiescente.
3. Todos los voltajes con un solo subndice definen un voltaje de un punto especificado a tierra.
4. La configuracin de autopolarizacin est determinada por una ecuacin de VGS que siempre pasa por el origen. Cualquier otro punto determinado por la ecuacin de polarizacin
establecer una lnea recta para representar la red de polarizacin.
5. Para la configuracin del divisor de voltaje siempre se puede suponer que la corriente de
compuerta es de 0 A para que asle la red del divisor de voltaje de la seccin de salida. El
voltaje de la compuerta a tierra resultante siempre ser positivo para un JFET de canal n
y negativo para uno de canal p. Los valores crecientes de RS producen valores quiescentes bajos de ID y valores ms negativos de VGS para un JFET de canal n.
6. El mtodo de anlisis aplicado a los MOSFET tipo empobrecimiento es igual al que se aplica a JFETs con la nica diferencia de un posible punto de operacin con un nivel de ID por
encima del valor de IDSS.
7. Las caractersticas y el mtodo de anlisis aplicado a los MOSFET tipo enriquecimiento
son totalmente diferentes de los de los JFET y los MOSFET tipo empobrecimiento. Para
valores de VGS menores que el valor de umbral, la corriente de drenaje es de 0 A.
8. Cuando analice redes con varios dispositivos, primero trabaje con la regin de la red que
proporcionar un nivel de voltaje o corriente mediante las relaciones bsicas asociadas
con esos dispositivos. Luego utilice ese nivel y las ecuaciones apropiadas para determinar
otros niveles de voltaje o corriente de la red en la regin circundante del sistema.
9. El proceso de diseo a menudo requiere encontrar un nivel de resistencia para establecer el
nivel de voltaje o corriente deseado. Con esto en mente, recuerde que el voltaje a travs de
un resistor dividido entre la corriente define un nivel de resistencia a travs de l. En el
proceso de diseo, estas dos cantidades a menudo estn disponibles para un elemento resistivo particular.
10. La habilidad de solucionar las fallas de una red requiere entender con claridad el comportamiento final de cada uno de los dispositivos que integran la red. Dicho conocimiento permitir estimar los niveles de voltaje de trabajo de puntos especficos de la red, los cuales
puede verificar con un voltmetro. La seccin ohmmetro de un multmetro es en particular
til para asegurarse de que haya una conexin real entre todos los elementos de la red.
11. El anlisis de los FET de canal p es igual al aplicado a los FET de canal n excepto que todos
los voltajes tendrn la polaridad opuesta y las corrientes la direccin contraria.