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Salvatore
S
Baglio
Microlavorazione
I processi di Etching
Il termine etching si riferisce ai processi di rimozione selettiva di materiale
dalla superficie o dal corpo del wafer di silicio.
Microlavorazione
I processi di Etching
Il termine etching si riferisce ai processi di rimozione selettiva di materiale
dalla superficie o dal corpo del wafer di silicio.
Selettivit
La selettivit relativamente alle regioni nelle quali eseguire il processo di
etching determinata dalluso di opportune maschere fotolitografiche insieme
con masking materials
La selettivit rispetto ai materiali caratterizzata dalletch-rate (velocit di
etching che, per una data sostanza etchant, caratteristico del materiale)
Classificazione dei processi di etching:
Surface etching
rimozione di film sottili dalla superficie del wafer
Bulk etching
rimozione di parte del substrato (lo stesso wafer)
Microlavorazione
I processi di Etching
Il termine etching si riferisce ai processi di rimozione selettiva di materiale
dalla superficie o dal corpo del wafer di silicio.
Anisotropia
La struttura cristallografica di alcuna materiali ed il conseguente diverso
numero di atomi nei diversi piani cristallografici risulta in velocit di etching
diverse nelle varie direzioni.
Classificazione dei processi di etching (cont.ed) :
Wet etching
rimozione per attacco chimico
in fase liquida
Dry etching
tipicamente plasma o vapore
Isotropic
Anisotropic
Microlavorazione
I processi di Etching
Il termine etching si riferisce ai processi di rimozione selettiva di materiale
dalla superficie o dal corpo del wafer di silicio.
Anisotropia
La struttura cristallografica di alcuna materiali ed il conseguente diverso
numero di atomi nei diversi piani cristallografici risulta in velocit di etching
diverse nelle varie direzioni.
Isotropic
Anisotropic
Microlavorazione
I processi di Etching
Definiamo alcuni parametri.
Undercut
Distanza
rimossa
sotto la
Di
i
l maschera
h
Bias B
B=dfilm-dmask B pari al doppio dellundercut
Etching Anisotropy A
A= 1 ERL/ERV
ERL: Etch
E h rate laterale,
l
l ERV: Etch
E h rate verticale
i l
Microlavorazione
I processi di Etching
Microlavorazione
I processi di Etching: Silicon
Microlavorazione
I processi di Etching: Silicon
Microlavorazione
I processi di Etching: Silicon
Microlavorazione
I processi di Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino con KOH
KOH
attacca rapidamente il Silicio monocristallino
attacca lentamente SiO2 e Si3N4 (materiali usati
per la passivazione e la protezione di IC)
attacca l'alluminio che deve invece essere
protetto
libera ioni K+ che possono alterare i livelli di
drogaggio
Surface (100)
Microlavorazione
I processi di Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino con KOH
KOH
attacca rapidamente il Silicio monocristallino
attacca lentamente SiO2 e Si3N4 (materiali usati
per la passivazione e la protezione di IC)
attacca l'alluminio che deve invece essere
protetto
libera ioni K+ che possono alterare i livelli di
drogaggio
Si ha dunque una nuova reazione con i gruppi OH-
La molecola neutra
abbandona la superficie
Si(OH)4
Microlavorazione
I processi di Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino con KOH
KOH
attacca rapidamente il Silicio monocristallino
attacca lentamente SiO2 e Si3N4 (materiali usati
per la passivazione e la protezione di IC)
attacca l'alluminio che deve invece essere
protetto
libera ioni K+ che possono alterare i livelli di
drogaggio
La molecola neutra Si(OH)4 abbandona la superficie
Si(OH)4 instabile in acqua
Reazione globale
Microlavorazione
I processi di Etching: Wet Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino con KOH
Microlavorazione
I processi di Etching: Wet Etching
Convex corners & Structures release
Microlavorazione
I processi di Etching: Wet Etching
Microlavorazione
I processi di Etching: Wet Etching
Microlavorazione
I processi di Etching: Wet Etching
Il quadrato principale
Microlavorazione
I processi di Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino con KOH
Relazione tra lapertura nella maschera e lapertura sul fondo della cavit
W0 Wm cotan( 54.74 ) z
W0 Wm 2 z
Microlavorazione
I processi di Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Etch rate - Legge di Arrhenius
RS i {hkl} R0 S {hkl}e
i
Ea {hkl }
Si
kT
= costante di Boltzmann
Microlavorazione
I processi di Etching
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Le varie forme
sono il risultato di
intersezioni tra i
piani <111> con i
piani sul fondo
dello
scavo
paralleli
alla
superficie
del
wafer:
- V-groove
V groove
-cavit piramidali
I piani <111>
sono solitamente
di stop per i
processi di etching
anisotropico
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Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
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Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Convex
Concave
Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
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Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Si vuole ottenere una forma convessa
convessa secondo la maschera A
A
Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Si vuole ottenere una forma convessa
convessa secondo la maschera A
A
Uso di maschera compensata
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Microlavorazione
I processi di Etching: compensazione convex corner
Etching anisotropico del silicio monocristallino
Microlavorazione
I processi di Etching: esempio
Rilascio di una membrana sospesa
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Microlavorazione
I processi di Etching: esempio
Rilascio di una membrana sospesa
Microlavorazione
I processi di Etching: Wet Etching
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Microlavorazione
I processi di Etching
Etch Stop
Nei processi di microlavorazione tramite etching richiesto il controllo
accurato delle dimensioni dei dispositivi e quindi necessario controllare
accuratamente la profondit di etching.
Questa una operazione non facile quando sono richieste elevate accuratezze.
Al fine di controllare la profondit di etching possono essere utilizzati degli
strati etch stop: i materiali adottati hanno un etch rate molto inferiore
rispetto al Silicio.
Microlavorazione
I processi di Etching
Etch Stop
Strati con elevati drogaggi di Boro possono essere utilizzati come etch stop.
Per uno strato con drogaggio di Boro e concentrazione >1020 cm-3
KOH - letch rate diminusce di un fattore 20 (rispetto al Silicio)
TMAH - letch rate diminusce di un fattore 10 (rispetto al Silicio)
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Microlavorazione
I processi di Etching
KOH Etching del Silicio
Sostanza molto largamente usata per la microlavorazione del Silicio
Proporzioni tipiche:
250 g KOH
200 g Propanol
800 g H2O
Utilizzo ad 80 C con agitatore e condensatore per la raccolta dei vapori di
Propanol
Anisotropia:
<111>:<110>:<100> 1:600:400
La presenza di potassio (K) rende tale processo incompatibile con i dispositivi CMOS
Microlavorazione
I processi di Etching
TMAH Etching del Silicio
Tetra Methyl Ammonium Hydroxide
Sostanza compatibile con CMOS
Non sono presenti metalli alcalini disciolti (Li, Na, K, ... )
Se opportunamente corretto (Si) non attacca significativamente SiO2 ed Alluminio
(Al) e quindi non danneggia i contatti elettrici (bonding pad)
Proporzioni tipiche:
250 ml TMAH (25%)
800 ml H2O
22 g di Si in polvere disciolto nella soluzione
Utilizzo ad 90 C con agitatore
E necessario compensare la soluzione per ridurre la volatilit dellammoniaca
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Microlavorazione
I processi di Etching: Dry and Plasma Etching
In questo caso la rimozione di materiale avviene per reazione
con un gas.
E possibile
ibil avere vapor-phase
h e plasma-phase
l
h etching
hi
Vapor-phase etching
I gas tipicamente utilizzati sono i vari composti del Fluoro che attacca
rapidamente il Silicio (XeF2)
Si ottiene un attacco isotropico ed abbastanza selettivo
Le superfici
L
fi i ottenute
tt
t sono, per,
non sufficientemente
ffi i t
t lisce
li
per alcune
l
applicazioni (ottica)
Tali processi sono altamente controllabili
Maschere: SiO2 , PR, Al, Si3N4
Microlavorazione
I processi di Etching: Dry and Plasma Etching
Plasma-phase etching
Tramite lutilizzo di campi RF viene prodotto plasma nella camera di
etching.
etching
Plasma: gas parzialmente ionizzato (SF6, CF4, NF3) composto da elementi
neutri, cariche positive (ioni+) e negative (elettroni) in equilibrio dinamico.
Il plasma pu reagire con il substrato per puro effetto chimico (plasma
etching) oppure per un effetto meccanico combinato grazie ad una
accelerazione delle particelle libere dovuta ad una differenza di potenziale
(reactive ion etching RIE)
Nei processi RIE il percorso degli ioni (SFx+) pressoch verticale.
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Microlavorazione
I processi di Etching: Dry Plasma Etching
Microlavorazione
I processi di Etching: Dry Plasma Etching
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Microlavorazione
I processi di Etching: Dry Plasma Etching
Esempi di processo
Examples
DRIE with SOI substrate
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Microlavorazione
Confronto tra i processi di etching
Microlavorazione
Confronto tra i processi di etching
I processi di dry etching
Caratteristiche
Riduce luso di soluzioni potenzialmente pericolose
Attacchi isotropici ed anisotropici
Attacchi direzionali non legati ai piani cristallografici
Elevata risoluzione spaziale
Ottimo controllo delle profondit di etching
Minore undercutting
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Microlavorazione
Confronto tra i processi di etching
Wet etching: Realizzazione di probe tip per AFM
Microlavorazione
Confronto tra i processi di etching
Dry etching: Realizzazione di una molla di forma complessa
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Microlavorazione
Esempio di microfabbricazione
Microlavorazione
Esempio di microfabbricazione
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Microlavorazione
Esempio di microfabbricazione
Microlavorazione
Esempio di microfabbricazione
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