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Index TermsDiodo, SCR, Triac, Cruce por cero, Circuito de disparo, Etapa de potencia.
ResumenEl siguiente documento muestra el anlisis,
simulacin e implementacin fsica de circuitos bsicos con
dispositivos semiconductores controlados y no controlados.
I.
I NTRODUCCIN
M ATERIALES Y MTODOS
II-B.
Herramientas Computacionales
Matlab/Simulink
Otro software de simulacin: Isis de Proteus, PSIM,
Circuit Maker.
II-C.
Adquiscin de datos
La adquisicin de datos se realiza usando el Osciloscopio HAMEG HM507 y el Software SP107E
V3.02.
Las formas del voltaje de salida para los distintos
ngulos de disparo se obtienen con una medida
diferencial usando las dos sondas del osciloscopio
, activando los dos canales realizando la inversin
de alguno de esto y sumandolos.
Las formas de Onda de corriente para distintos
angulos se obtienen conectando la pienza amperimtrica a una de las sondas del osciloscopio y
conectando un conductor en serie al elemento por
el que cruza la corriente que se quiere medir.
El THD y FFT de las formas de onda de corriente
se obtienen usando el Software SP107E V3.02.
Herramientas de Laboratorio
Fuente de tensin dc.
Transformador 12V.
Multmetro.
Osciloscopio.
III.
III-A.
Circuito de disparo
vref 180
3,6v
12v R2
10k
III-B.
Etapa de Aislamiento
IV.
P ROCEDIMIENTO
III-C.
Etapa de potencia
30
= 0,2A
150
Para un = 45
0
0 < t < 45
0
0 < t < 45
0,2 sin(t) 45 < t < 180
io =
0
180 < t < 225
Para un = 90
30 sin(t)
vo =
0
30 sin(t)
0,2 sin(t)
io =
0
0,2 sin(t)
Para un = 135
30 sin(t)
vo =
0
30 sin(t)
0,2 sin(t)
io =
0
0,2 sin(t)
0 < t < 90
90 < t < 180
180 < t < 270
270 < t < 360
0 < t < 90
90 < t < 180
180 < t < 270
270 < t < 360
0 < t < 135
135 < t < 180
180 < t < 315
315 < t < 360
0 < t < 135
135 < t < 180
180 < t < 315
315 < t < 360
0
0 < t < 45
0
180 < t < 360
0
0 < t < 45
0
180 < t < 360
Para un = 90
0
0 < t < 90
0
180 < t < 360
0
0 < t < 90
0
180 < t < 360
Para un = 135
0
0 < t < 135
0
180 < t < 360
0
0 < t < 135
0,2 sin(t) 135 < t < 180
io =
0
180 < t < 360
Irms =
0,0181831 = 0,1348
Para un = 90
v
1
u
120
u
R
t
Irms = 120 0,04sin2 (120t)dt
1
240
Irms =
0,01 = 0,1
135
Para un =
v
1
u
120
u
R
t
Irms = 120 0,04sin2 (120t)dt
1
160
Irms =
Para un = 135
p
Q = 0.9032 0.2722 = 0,861
Factor de potencia.
Para un = 45
FP =
0,0018169 = 0,0426
Para un = 90
FP =
1
120
P = 120
FP =
P = 120
1
240
135
1
Z120
P = 120
0.27
= 0,3
0.903
THD.
Para un = 45
Para un = 90
Z120
1.51
= 0,71
2.12
Para un = 135
1
480
Para un =
2.72
= 0,951
2.859
1
120
a1 = 240
1/480
a1 = 0,031831
1
120
R
b1 = 240
0,2 sin(120t) sin(120t)dt
1/480
b1 = 0,181831
0,0318312 +0,1818312
Irms1 =
1
160
Para un = 45
p
T HD =
Para un = 90
1
120
a1 = 240
a1 = 0,06366
1
120
R
b1 = 240
0,2 sin(120t) sin(120t)dt
1/240
b1 = 0,1
Irms1 =
p
T HD =
Para un = 135
S = 0,0426 21,21 = 0,9035
1/240
Para un = 90
= 0,1305
0,063662 +0,12
= 0,0838
Para un = 135
1
120
a1 = 240
1/160
a1 = 0,031
1
120
R
b1 = 240
0,2 sin(120t) sin(120t)dt
1/160
b1 = 0,01816
Irms1 =
0,0312 +0,018162
= 0,025
p
T HD =
Irms =
Para un = 90
S = 0,0707 21,21 = 1,5
Para un = 135
0,00909155 = 0,0953
Para un = 90
v
1
u
u 120
R
t
Irms = 60 0,04sin2 (120t)dt
1
240
Irms =
0,005 = 0,0707
Para un = 135
v
1
u
u 120
R
t
Irms = 60 0,04sin2 (120t)dt
Para un = 90
p
Q = 1.5112 0.752 = 1,3
Para un = 135
p
Q = 0.63632 0.13622 = 0,621
1
160
Irms =
0,000908451 = 0,03
Factor de potencia.
Para un = 45
FP =
Z120
P = 60
Para un = 90
6sin2 (120t)dt = 1,36
1
480
FP =
FP =
1
120
P = 60
1
240
Para un =
135
0.1362
= 0,21
0.63
THD.
Para un = 45
1
120
a1 = 120
1/480
Z120
P = 60
0.75
= 0,49
1.51
Para un = 135
90
Para un =
1.36
= 0,67
2.02
1
160
a1 = 0,0159
1
120
R
b1 = 120
0,2 sin(120t) sin(120t)dt
1/480
b1 = 0,09
Irms1 =
p
T HD =
0,01592 +0,092
= 0,0646
Para un = 90
Factor de potencia.
1
120
a1 = 120
FP =
1/240
THD.
a1 = 0,0318
1
120
R
b1 = 120
0,2 sin(120t) sin(120t)dt
1
120
1/240
b1 = 0,05
Irms1 =
p
T HD =
a1 = 120
0,03182 +0,052
a1 = 0
= 0,0419
1
120
b1 = 120
a1 = 120
b1 = 0,1
Irms1 =
p
T HD =
1/160
a1 = 0,0155
1
120
R
0,2 sin(120t) sin(120t)dt
b1 = 120
1/160
b1 = 0,00908
0,01552 +0,009082
T HD =
= 0,0127
Z120
IDC = 120
1/480
Para un = 90
1
Z120
Irms =
IDC = 120
0,01 = 0,1
P = 60
1/240
Para un = 135
1
Z120
= 0,223
rms
02 +0,12
1
120
Para un =
Irms1 =
1.51
= 0,71
2.12
Z120
6sin2 (120t)dt = 1,5
IDC = 120
1/160
Z120
P = 120
1
480
Para un = 90
1
Z120
P = 120
1
240
Para un = 135
1
120
P = 120
1
160
Factor de rizado.
Para un = 45
p
0,13482 0,10862
100 = 73,53 %
F RI =
0,1086
Para un = 90
p
0,12 0,06362
100 = 121 %
F RI =
0,0636
Para un = 135
p
0,04262 0,018642
F RI =
100 = 200 %
0,01864
PARA EL CIRCUITO CON SCR:
Valor promedio de corriente.
Para un = 45
Factor de rizado.
Para un = 45
p
0,09532 0,05432
F RI =
100 = 144 %
0,0543
Para un = 90
p
0,07072 0,03182
F RI =
100 = 198 %
0,0318
Para un = 135
p
0,032 0,009322
100 = 305 %
F RI =
0,00932
PARA EL CIRCUITO CON DIODO:
Valor promedio de corriente.
1
Z120
IDC = 60
Z120
Z120
IDC = 60
P = 60
0
1/480
90
Para un =
Factor de rizado.
Z120
0,2 sin(120t)dt = 0,0318
IDC = 60
1/240
Para un = 135
1
Z120
IDC = 60
F RI =
0,12 0,06362
100 = 121 %
0,0636
1/160
Z120
P = 60
1
480
Para un = 90
1
Z120
P = 60
1
240
Para un = 135
1
Z120
P = 60
1
160
10
11
12
Circuito con Diodo Las figuras 25 y 26 muestran las formas de onda de voltaje y corriente
respectivamente para el circuito con un diodo
13
= 90
72.2
= 135 106
14
THD SCR
Angulo
THD
= 45
111
= 90
133
= 135 NAN
La figura 30 muestra el THD para = 45
V.
A NLISIS DE RESULTADOS
15
C ONCLUSIONES
La distorsin armnica total de las ondas de corriente estan ligadas a la forma de la onda , esto
implica que a mayor ngulo de disparo mayor
distorisn.
El factor de rizado es alto en todas las configuraciones del circuito debido a que se presenta una
variacin de la forma de onda de la corriente y no
hay una rectificacin ideal de la forma de onda.
La obtencin de las formas de onda de voltaje se
deben realizar de manera diferencial usando los dos
canles del osciloscopio.
Para obtener un mayor control de la forma de onda
se deben implimentar elementos semiconductores
con un circuito de disparo adicional que debe
encontrarse sincronizado con la red.
La parte de potencia se debe aislar del resto del
circuito , las corrientes generadas pueden daar
los componentes que no pertenecen a la etapa de
potencia
El componente que suministra potencia al circuito
planteado es la fuente AC dado los resultados
obtenidos de potencia real positiva
En el circuito implementado, el rectificador semicontrolado solo tenia una carga resistiva,lo que
ocasiona que en este elemento no se almacene
energa,esto asegura que al rectificador no retornarian corrientes, sin embargo, si en la carga
se colocara un elemento almacenador de energa(Inductores,Condensadores), si es posible que
retornen corrientes que puedan daar el rectificador.
R EFERENCIAS
[1] Rashid, M.H., Fernandez, M.H.R.V.G.P.A.S., Pozo, V.G., Electronica de Potencia: Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones.
Pearson Educacin, 2004.
[2] Avendao, L., E., Sistemas Electrnicos Analgicos un Enfoque
Matricial. Publicaciones UTP, Pereira, Colombia, 2008.
[3] Sedra A., Smith K., Circuitos Microelectrnicos. Oxford University Press, Me xico D.F, 2002
[4] Help, MATLAB R2014a