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AS ENERGY-EFFICIENT ELECTRONIC
SWITCHES
Jorge Lourenci
Rafael Deschamps Rosa
● Introdução
● TFET x MOSFET
● Eficiência energética
● Conclusões
● A miniaturização dos transistores CMOS trouxe grandes avanços para os
microprocessadores
o Velocidade de chaveamento
o Densidade
o Funcionalidade
o Custo
● Mas tem-se agora dois grandes problemas para esta tecnologia
○ Dificuldade na redução da tensão de alimentação
○ Parar o aumento na corrente de fuga que degrada a taxa de
corrente 'on' e 'off' (Ion/Ioff)
● Juntos estes problemas são responsáveis por um elevado consumo de
potência
● Dispositivo de baixo consumo estático e subthreshold swing reduzido
● Pode trazer os níveis de tensão de alimentação para baixo dos 0.5V
● Integração entre FETs de tunelamentos com a tecnologia CMOS pode
melhorar circuitos integrados de baixo consumo
● Conforme o tamanho do gate é reduzido, melhora-se o desempenho,
mas requer uma diminuição em Vdd e Vt simultaneamente (mantendo
o fator Vdd - Vt alto)
● Ioff aumenta exponencialmente pois S do MOSFET tem valor mínimo
de 60mV/déc
● Uma maneira de reduzir a tensão de alimentação sem perda de
performance é diminuir o subthreshold swing médio
➔ Característica Jd-V
➔ As altas densidades de corrente
de tunelamento requiridas são
alcançadas com alto nível de
dopagem
➔ Cores diferentes se referem a
diferentes densidades de
dopagem
➔ O nanofio de InAs tem 100nm de
diâmetro
➔ O canal de Si não dopado no
substrato tipo p tem um tamanho
de 150nm
➔ Características de transferência
● Nanotubos de carbono e nanofitas de grafeno
o Leve massa efetiva dos portadores
o Bandgap pequeno e direto
o Excelente controle eletrostático