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TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

AS ENERGY-EFFICIENT ELECTRONIC
SWITCHES
Jorge Lourenci
Rafael Deschamps Rosa
● Introdução

● TFET x MOSFET

● Física dos TFETs

● Tunelamento de banda a banda

● Eficiência energética

● Conclusões
● A miniaturização dos transistores CMOS trouxe grandes avanços para os
microprocessadores
o Velocidade de chaveamento
o Densidade
o Funcionalidade
o Custo
● Mas tem-se agora dois grandes problemas para esta tecnologia
○ Dificuldade na redução da tensão de alimentação
○ Parar o aumento na corrente de fuga que degrada a taxa de
corrente 'on' e 'off' (Ion/Ioff)
● Juntos estes problemas são responsáveis por um elevado consumo de
potência
● Dispositivo de baixo consumo estático e subthreshold swing reduzido
● Pode trazer os níveis de tensão de alimentação para baixo dos 0.5V
● Integração entre FETs de tunelamentos com a tecnologia CMOS pode
melhorar circuitos integrados de baixo consumo
● Conforme o tamanho do gate é reduzido, melhora-se o desempenho,
mas requer uma diminuição em Vdd e Vt simultaneamente (mantendo
o fator Vdd - Vt alto)
● Ioff aumenta exponencialmente pois S do MOSFET tem valor mínimo
de 60mV/déc
● Uma maneira de reduzir a tensão de alimentação sem perda de
performance é diminuir o subthreshold swing médio

● Espera-se que dispositivos com S íngrime permitam a escala de Vdd


➔ Performance moderada (A), TFET apresenta maior Ion
para a mesma tensão, ou menor tensão para mesmo
Ion

➔ Alta performance (B), MOSFET oferece a melhor


solução

➔ Nota-se que os TFETs são menos eficientes que os


MOSFETs para alta performance
● Inovações para diminuir S abaixo do limite térmico do MOSFET
o Redução do n (modificação no mecanismo de injeção de
portadores)
§ Impact ionization
§ Quantum-mechanical band-to-band tunnelling (BTBT)
o Reduzir m para valores menores que 1
§ Negative-capacitance FET (NC-FET)
§ Micro- or nano-electromechanical (M/NEM) movable
electrodes in M/NEMFET or NEM relay devices
➔ Off State: o limite da banda de
valência está abaixo do limite da
banda de condução, resultando em
baixas correntes de estado off.
➔ Com um tensão de gate negativa, a
banda de energia sobe.
➔ Um canal condutivo se abre assim
que a banda de valência do canal
estiver acima da banda de
condução da fonte pois agora
portadores podem tunelar para
estados vazios do canal.
➔ Pelo fato de somente os portadores
que estiverem dentro de ∆𝜙 serem
capazes de tunelar, a energia de
distribuição de portadores pela
fonte é limitada.
➔ a parte de alta energia da
distribuição de Fermi na fonte é
efetivamente cortada, fazendo com
que o sistema eletrônico "esfrie",
agindo como um MOSFET
convencional a uma temperatura
baixa.
§ Um dos desafios nos TFETs é realizar altas correntes on

§ Ion depende criticamente da probabilidade de transmissão T

§ T pode ser calculado usando a aproximação de Wentzel-Kramer-Brillouin (WKB)


● TFETs têm potencial para baixa Ioff e pequeno S

● Geralmente possuem Ion menor que nos MOSFETs

● Design com pequeno S médio, alto Ion e sem alterar Ioff


o Constante dielétrica κ alta
o Perfil de dopagem mais abrupto na junção de tunelamento
o Corpo fino
o Alta dopagem da fonte
o Gate duplo
o Oxido do gate alinhado com a região intrínseca
o Menor comprimento da região intrínseca (e gate)
● Gate de 100 nm
● Apresenta Ioff ~10–100 fAμm^(–1)
● Ion menor que 0.1 μA mm^(–1)

● Curva característica Id-Vg


● Subthreshold swing de 42mV/déc
● Como melhorar Ion?
o Aplicando o mesmo design e fabricação do TFET em frações
molares de x= 0,15 % e 30 % de Si(1–x)Ge(x) sobre isolante (OI)

● Em otimizações recentes, valores de Ion perto de 100μAμm^(–1) são


obtidos
● Outra estratégia de melhorar Ion é usar materiais com pequena massa
efetiva
o Materiais do grupo III - V
§ Pouca massa de tunelamento e
propiciam diferentes alinhamentos
de banda
Group  III–V-­semiconductor-­based  TFETs
● Resultados experimentais indicam para InGaAs TFETs maiores Ion com
menores Vg do que com Si TEFTs são possíveis

● O primeiro InGaAs TFET alcançou Ion= 20μAμm^(–1) com S=250mV


/déc (Mookerjea)

● Melhor resultado obtido: Ion=50μAμm^(–1) com S=90mV/déc (Zhao)

● Resultados ainda acima dos limites térmicos do MOSFET


➔ Esquemático de uma
heteroestrutura InAs–Si de um
nanofio de diodo

➔ Característica Jd-V
➔ As altas densidades de corrente
de tunelamento requiridas são
alcançadas com alto nível de
dopagem
➔ Cores diferentes se referem a
diferentes densidades de
dopagem
➔ O nanofio de InAs tem 100nm de
diâmetro
➔ O canal de Si não dopado no
substrato tipo p tem um tamanho
de 150nm

➔ Características de transferência
● Nanotubos de carbono e nanofitas de grafeno
o Leve massa efetiva dos portadores
o Bandgap pequeno e direto
o Excelente controle eletrostático

● O primeiro TFET com S < 60mV/déc foi alcançado com estruturas de


nanotubos de carbono (Appenzeller, 2004)

● Teoricamente o grafeno oferece os mesmos benefícios que os TFETs de


nanotubos de carbono
o Melhorando Ion de centenas de μAμm^(–1)
o Ioff de poucos pAμm^(–1)
o S < 20mV/déc
➢ Ge/InAs TFET transição mais abrupta do estado 1 para o
estado 0
➢ Melhor ganho diferencial dVout/dVin
➢ Melhores margens de ruído

➔ Nível de energia de Fermi na fonte (Ve), largura e


design foram otimizados para maximizar a frequência
do clock

● TFETs mantém suas características mesmo em altas


temperaturas, pois o tunelamento faz com que sejam
menos sensíveis a mudança de temperatura
● TFETs oferecem solução para economia de energia em
SRAM
o 700 vezes menos fuga de energia em TFET em
relação ao CMOS (Vdd=0,3V)
● TFETs representam o candidato mais promissor para um steep-slope
switch, com potencial para uso com alimentação abaixo de 0.5V
o oferecem redução significante na dissipação de potência
● Designado para aplicações de baixa potência (low-power)
● O desafio é atingir alta performance (Ion elevador) sem degradar Ioff,
combinado com um S menor que 60mV por década por mais de 4
décadas de corrente de dreno
● Nanotubos de carbono e grafeno tem potencial para uso em TFETs de
alta performance (largura de corpo ultrafina e características de
transporte unidimensional)
o Existem desafios no uso de carbono em TFETs
o TFETs de hetero-estrutura