Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y

Telecomunicaciones

Informe Previo N 1
Curso: Electrnica de potencia.
Tema: El SCR
Profesor: Mg Celso Gernimo Huamn
Alumno: Mera Ibargen, Ivn Hermilio
Ciclo: 2016-1
Cdigo: 12190104
Ao: 2016
I. Objetivo:

Familiarizarse con el SCR (Rectificador de silicio).

Realizar un anlisis terico de ciertos circuitos con SCR para su

comprobacin en laboratorio.

II. Procedimiento:
CUESTIONARIO:
1. Haga una introduccin terica de los SCR.
SCR (Silicon Controled Rectifier)
SCR Smbolo y Estructura

A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

El SCR (Silicon

Controled

controlado

de

Rectifier

silicio)

Rectificador
es

un

dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona

como un conmutador casi ideal. El smbolo y estructura
del SCR se muestran en la figura.
Funcionamiento bsico del SCR
El

siguiente

grfico

muestra

un

circuito

equivalente

del SCR para

comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G

(base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es
la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2),
este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la
base de Q1, y este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y
Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)

IF: Mxima corriente directa permitida.

PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.

VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G)

para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado

el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.

di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir

el SCR.

Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua
Curva caracterstica del SCR
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de
conmutacin y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en
inversa se comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga
caracterstica que se muestra en el grfico). En la regin de polarizacin en
directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que
el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos
de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo
es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y

el voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de
compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que
el SCR conduzca (se ponga en On / est activo).
2. Identifique el modelo equivalente con transistores.

3. Qu es tensin de disparo y corriente de mantenimiento?

La tensin de disparo es el voltaje sobre el cual el SCR entra a

la regin de conduccin.

La corriente de mantenimiento IH es el valor de la corriente por

debajo del cual el SCR cambia del estado de conduccin a la
regin de bloqueo en directa en las condiciones establecidas.

III. Anlisis Terico

IV. SIMULACIN
Fig1:

Fig 2:

Simulando con la resistencia hallada tericamente R2= 36k

Fig 3:

Fig 4:

Observacin: A medida que aumentamos la capacitancia del capacitor

C1, Igt va disminuyendo.