Dias de la Ciencia Aplicada

Septiembre , 2011 Medellin - Colombia

DESENVOLVIMENTO DE
SENSORES PIEZORESISTIVOS
Prof. Dr. Marcos Massi
Laboratrio de Plasmas e Processos
Instituto Tecnolgico de Aeronutica So Jos dos Campos - Brasil
massi@ita.br

SUMRIO

Tecnologia MEMS (conceito, histrico e aplicaes)

MEMS e Circuitos Integrados (CIs)
Etapas de desenvolvimento de sensores MEMS
Principais mecanismos de transduo usados em
MEMS
Vantagens e limitaes do uso de Si
Ambientes Agressivos
Principais materiais para desenvolvimento de
sensores MEMS para aplicaes em ambientes
agressivos
Desenvolvimento de um sensor de presso
piezoresistivos de SiC

Tecnologia MEMS (Micro-Electro-Mechanical

Systems)
Integrao de elementos mecnicos e eletrnicos em
um nico chip.
Tambm conhecida como MST Microsystems Technology
(Europa) e Micromachines ou Smart Sensors (Japo)

Escala e Dimenses

Tecnologias envolvidas e aplicaes

tpicas

Vantagens da tecnologia MEMS

Miniaturizao : tamanho e peso reduzidos;
Baixo custo de fabricao: produo em grande
escala com processos de fabricao bem
estabelecidos;
Reprodutibilidade e confiabilidade;
Flexibilidade
de
projeto:
solues
personalizadas e integrao com eletrnica.

Histrico da tecnologia MEMS

1948 Transistor (J. Bardeen,

W.H. Brattain, W. Shockley)
1954 Efeito Piezoresistivo em Si e
Ge (C.S. Smith)
1958 Primeiro circuito integrado
(IC) comercial (J.S. Kilby)
1962 Piezoatuadores integrados
de Si (O.N. Tufte et al.)
1971 A Intel desenvolveu o
processador
4004
com
200
transistores
1982 K. Petersen introduz
o
conceito do silcio como material
mecnico.

Histrico da tecnologia MEMS

1983 1 sensor de presso de Si

comercial (Honeywell)
1985-1992
Intensificao
nos
estudos de fabricao de sensores
1994
Ampla
disponibilidade
comercial de sensores de presso e
acelermetros
2000
Kulite
Semiconductor
comea a produzir sensores de
presso de SiC (substrato)
2002 A Universidade de Berlim em
parceria com a Daimler Benz
desenvolve um prottipo de sensor
de presso baseado em filme de
3C-SiC.

Estgio atual da tecnologia MEMS

baseada em Si
Tecnologia consolidada e amadurecida
Movimentou US$ 70 bilhes em 2007.

com mercado crescente.

(fonte The Economist, Janeiro 2008)

Estgio atual da tecnologia MEMS

Principais mecanismos de
transduo utilizados em MEMS

Entrada
P.Ex.:
Tenso mecnica

T
r
a
n
s
d
u
t
o
r
M
E
M
S

1. Variao de resistividade
(Efeito Piezoresistivo)
Sada

2. Variao de potencial
(Efeito Piezeltrico)
3. Variao de capacitncia
(Efeito Capacitivo)

Por que usar Si para fabricar MEMS?

Propriedades mecnicas e eltricas j so bem
conhecidas;
A tecnologia de CIs foi toda desenvolvida para o Si,
ou seja, as tcnicas de processamento esto
consolidadas;
Disponibilidade de substratos comerciais com alta
pureza (99.999%) e grandes dimetros (at 12 pol.);
possvel integrar eletrnica;
Ampla faixa de resistividade 230k.cm (intrnseco) e
pode chegar a 0.5 m.cm (altamente dopado);
A temperatura ambiente e at 125C dispositivos
eletrnicos baseados em Si apresentam desempenho
superior aos baseados em outros materiais.

MEMS E CIRCUITOS INTEGRADOS (CIs)

Tecnologia de fabricao
De CIs (estruturas 2D)

Microusinagem
(Micromachining)

Tecnologia MEMS
(estruturas 3D)

Os sensores MEMS so constitudos por estruturas

suspensas ( vigas, membranas.....).

3D

Alguns softwares usados para auxiliar o

desenvolvimento de sensores MEMS
Projeto: Cadence,
Spice, Matlab .......
Simulao: ANSYS,
COMSOL, NASTRAN....
Processo de
fabricao: SUPREM,
COVENTOR....

Etapas de desenvolvimento de
Sensores MEMS
Projeto: dimensionar o sensor
para uma determinada aplicao

Anlise do projeto: modelagem

e simulao do sensor

Confeccionar mscaras litogrficas

e definir seqncia de fabricao

Processos de microfabricao

Teste do sensor

Encapsulamento

Quando no utilizar Si como material

base para MEMS?
Ambientes Agressivos
So ambientes extremos de temperatura,
presso, radiao e ataque qumico.

Ambientes Agressivos
Principais aplicaes que necessitam de sensores capazes
de operar nesses ambientes:
Aplicaes espaciais
Aplicaes terrestres
Automotivas: monitoramento da
combusto do motor;
Aeronuticas: diversas aplicaes
na turbina a gs;
Petroqumicas: Explorao de
petrleo
combinao
alta
temperatura, alta presso e
presena de fludos corrosivos;

Principais materiais para desenvolvimento de

sensores MEMS para aplicaes em
ambientes agressivos

SiC
AlN
Si3N4
xidos semicondutores (ZnO, TiO2,
SiO2, ITO ....)
DLC (~at 300C)

 melhor usar filme fino ou substrato

(bulk)?
Desvantagens do substrato

Os substratos de SiC, AlN, ZnO disponveis

comercialmente tem dimetro de no mximo 3 pol. com
custo ~15x maior que o wafer de Si;
Os processos de corroso e metalizao ainda no esto
consolidados;

Desvantagens do filme fino

Difcil reprodutibilidade;
Propriedades eltricas e mecnicas inferiores as do
substrato.

DESENVOLVIMENTO DE UM SENSOR
DE PRESSO PIEZORESISTIVO
DE CARBETO DE SILCIO

Objetivos

Sntese, dopagem, caracterizao e corroso de

filmes de SiC

Estudo das propriedades piezoresistivas de filmes

de SiC produzidos
Fabricao e caracterizao de um prottipo

Por que usar o carbeto de silcio (SiC) ?

Excelente estabilidade trmica e qumica;
Excelentes propriedades mecnicas;
Compatibilidade com os processos de
microfabricao baseados em silcio.

Tcnicas para obteno do filme de SiC

PECVD e sputtering
Processo

Vantagens

Desvantagens

PECVD

baixa temperatura
alta taxa de deposio
boa adeso filme /substrato

geralmente, os filmes no so
estequiomtricos
h incorporao de
subprodutos da reao H, N e O .

Sputtering

Melhor controle da
composio do filme
boa adeso filme / substrato
alta taxa de deposio

baixa uniformidade

Desafios:
Tamanho dos substratos
Alta densidade de defeitos
Preo do substrato

Mtodos utilizados para dopagem de

filmes de SiC
Dopagem in situ

Implantao inica

Difuso trmica

tipo N : adio dos gases N2 ou PH3

tipo P: adio do gs B2H6
tipo P: implantao de Al ou B
tipo N: implantao de N ou P

tipo P: difuso de Al

Etapas de processamento para fabricao de

dispositivos baseados em SiC
Oxidao

Metalizao

Corroso

xido nativo o SiO2

Metais mais utilizados: Al ou Au

depositados sobre Ti
Resistente a corroso mida em solues
como KOH ou HF
Corroso por plasma utilizando gases
fluorados

Materiais e Mtodos
Deposio de filmes de SiC por PECVD
Substrato: Si (100) tipo P
Limpeza: RCA
Parmetros de deposio constantes:
Fluxo de CH4: 20 sccm
Fluxo de Ar : 20 sccm
Tempo: 20 min

Presso: 0,2 Torr

Amostra

Fluxo de SiH4
(sccm)

Fluxo de N2
(sccm)

P1

P2

P3

P4

P5

Materiais e Mtodos
Deposio de filmes de SiC por sputtering

Alvo: SiC (99,5% de pureza)

Substrato: Si (100) tipo-P
Limpeza: RCA
Fluxo de Ar : 7 sccm
Potncia: 200W
Tempo: 120 min

Amostra

Fluxo de N2
(sccm)

M0

M1

0,7

M2

1,4

M3

2,1

M4

2,8

M5

3,5

Materiais e Mtodos
Processo de Recozimento Trmico
Temperatura: 1000C
Ambiente: Argnio
Tempo: 1h

Materiais e Mtodos
Corroso RIE dos filmes de SiC

SF6 + O2

Parmetro

Valor

Temperatura do
substrato (C)

20

Presso (mTorr)

25

Potncia (W)

50

Tempo (min.)

Fluxo total dos

gases (sccm)

12

Concentrao
de O2 (%)

20 ou 80

Materiais e Mtodos
Fabricao de resistores de SiC

Materiais e Mtodos
Fabricao de resistores de SiC

Materiais e Mtodos Caracterizao

eltrica dos resistores de SiC fabricados

Materiais e Mtodos
Caracterizao piezoresistiva dos resistores de SiC

Dimenses da viga: 120 mm x 25 mm x 1,2 mm

Materiais e Mtodos
Caracterizao piezoresistiva dos resistores de SiC
Procedimento experimental:
- A resistncia do resistor sem tenso
mecnica aplicada (R0) foi medida;

- Um bloco com massa de 20 g foi

colocado na extremidade livre da viga.
- A resistncia do resistor (Rf) quando a
viga est submetida a essa tenso
mecnica foi medida;
- Determinou-se a variao da resistncia
eltrica R/R;

- O procedimento foi repetido para blocos

com 40, 60, 80 e 100g.

Resultados e Discusses Caracterizao

dos filmes de SiC depositados por PECVD
Composio

Taxa de deposio

Amostra

Fluxo
SiH4
(sccm)

Si
C
O
(at. %) (at. %) (at. %)

P1

9,0

82,0

5,0

P2

14,0

86,0

4,5

P3

18,0

73,0

5,0

P4

25,0

68,0

4,8

Amostra P5 (dopada): 31% de Si, 56% de C, 7% de N e 3% de O

Resultados e Discusses Caracterizao

dos filmes de SiC depositados por PECVD
Ligaes Qumicas Espectros XRD
Antes do recozimento

Aps recozimento

Resultados e Discusses Caracterizao

dos filmes de SiC depositados por PECVD
Resistividade
Amostra

Espessura
(nm)

Resistividade
(.cm)

P1

500

12,5

P2

580

10,4

P3

640

12,8

P4

720

12,3

P5

480

1,3 x10-2

Mdulo de Elasticidade

Resultados e Discusses Caracterizao

dos filmes de SiC depositados por PECVD

* Amostra P4
Taxa de corroso
(nm /min)
Concentrao
de O2 na
mistura

Filme
como
depositado

Aps
recozimento

20

145,0

30,0

80

160,0

12,5

Resultados e Discusses Caracterizao dos

filmes de SiC depositados por sputtering
Composio

Taxa de deposio

N2/Ar

Amostra

Si
C
N
O
(%) (%) (%) (%)

M0

48

48

0,1

M1

28

24

46

1,5

0,2

M2

28

22

48

1,5

0,3

M3

27

20

51

0,4

M4

27

18

52

0,5

M5

25

20

53

1,5

Resultados e Discusses Caracterizao dos

filmes de SiC depositados por RF magnetron
sputtering
Ligaes Qumicas Espectros XRD
Antes do recozimento

Aps recozimento

Resultados e Discusses Caracterizao dos

filmes de SiC depositados por RF magnetron
sputtering
Mdulo de Elasticidade

Resistividade
* Aps recozimento
Amostra

Espessura
(nm)

Resistividade
(M.cm)

M0

816

0,25

M1

756

2,27

M2

608

4,87

M3

577

2,9

Resultados e Discusses Comparao entre

as propriedades dos filmes obtidos com os
apresentados na literatura
Este trabalho

Literatura

a-SixCy

a-SixCy
tipo N

a-SiC

a-SiCxNy

3C-SiC

a-SiC:H

a-C:H

Tcnica de
deposio

PECVD

PECVD

sputtering

sputtering

CVD

PECVD

PECVD

Estrutura

amorfa

amorfa

amorfa

amorfa

cristalina

amorfa

amorfa

Mdulo de
elasticidade
(GPa)

Resistividade
(.cm)

72 a 65

12,5
a
10,4

57

1,3 x 10-2

17

28 a 88

359,5

150

21,5
a
26

0,25 x 106

2,27x 106
a
4,87x 106

0,18

1 x 103

1,8 x 106

Resultados e Discusses Caracterizao

eltrica dos resistores de SiC fabricados
Amostra P4

Resultados e Discusses Caracterizao

eltrica dos resistores de SiC fabricados
Amostra P5

Resultados e Discusses Caracterizao

piezoresistiva dos resistores de SiC
Variao da resistncia eltrica

Coeficiente Piezoresistivo

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Estrutura proposta
Presso aplicada
Diafragma de Si
Piezoresistores de SiC
Ponte de Wheatstone
Tenso de sada

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Dimensionamento do
Diafragma
Dimenses otimizadas: 1800 x 1800 x 30 m

Ldm = 2500 x 2500 m

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Dimensionamento dos Piezoresistores

O comprimento do piezoresistor ( Lr), a

largura do piezoresistor (W) e a distncia
entre a borda e o piezoresistor (d) so as
variveis do projeto, pois a espessura do
piezoresistor a espessura do filme de SiC;
O valor de Lr deve ser o menor possvel
para que os piezoresistores perpendiculares
s bordas no fiquem prximos ao centro do
diafragma que a regio de mnimo stress;
As mscaras que sero utilizadas para
fabricao do sensor sero impressas em
fotolitos, ento, o comprimento e a largura
do resistor devem ser maiores que 50 m;

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Projeto das Mscaras

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Etapas de Fabricao

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Imagens MEV

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Encapsulamento

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Fotografias do sensor

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Fotografias do sensor

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Teste

Desenvolvimento de um Sensor de Presso

Piezoresistivo Caracterizao

Concluses
Filmes produzidos
Sputtering

O filme depositado sem N2 um

composto estequiomtrico SiC;
O processo de dopagem in situ foi
ineficiente, pois promoveu a
formao de filmes SiCxNy;
Baixo grau de cristalizao
Alta resistividade e baixo mdulo de
elasticidade

PECVD

Os filmes depositados so
compostos no-estequiomtricos
de Si e C (SixCy);
O processo de dopagem in situ
por adio de N2 foi eficiente;
Os espectros XRD mostraram
que os filmes apresentam baixo
grau de cristalizao.

Concluses
Principal diferencial piezoresistores
fabricados em filme amorfo de SiC

Prottipo de sensor de presso

de SiC desenvolvido

Boa sensibilidade ~2,7 mV/psi

Problemas de repetibilidade

Trabalhos Futuros
Caracterizao do prottipo desenvolvido
em altas temperaturas.
Aprimoramento das etapas de fabricao
e encapsulamento do sensor.
Otimizao dos processos de deposio
dos filmes.
Aplicao dos filmes de SiC produzidos
em outros tipos de dispositivos.

Agradecimentos

Gracias !