Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
ELECTRNICA ANLOGA
Editado por:
IVAN CAMILO NIETO SNCHEZ
GUA DIDCTICA
ELECTRNICA ANLOGA
@Copyright
Universidad Nacional Abierta y a Distancia
ISBN
2009
Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje
Primera versin: febrero 7 de 2009
OMAR TOVAR TOVAR
NDICE
PRIMERA UNIDAD
FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES
CAPTULOS 1 GENERALIDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
1. Historia de los semiconductores
2. Conceptos y elementos de los semiconductores
3. Clases de semiconductores
CAPITULO 2 DIODOS SEMICONDUCTORES
1.
2.
3.
4.
5.
Smbolo de un Diodo
Clases de diodos
Polarizacin de un diodo
Curvas caractersticas del diodo.
Diodos de propsitos especial
Descripcin.
Tipos de transistores de unin bipolar.
Funcionamiento bsico.
Polarizacin de un transistor.
Zona de trabajo.
SEGUNDA UNIDAD
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
CAPITULO 4 TRANSISTORES FET
1.
2.
3.
4.
Tipo de FET.
Operacin y construccin de FET.
Caractersticas de funcionamiento.
Principales aplicaciones.
CAPITULO 5 MOSFET
1. Breve historia.
2. Funcionamiento.
3. Estado de funcionamiento de un transistor MOSFET.
4. Aplicaciones.
5. Ventajas.
CAPITULO 6 Amplificadores
1. Generalidades
2. Amplificadores de seal pequea
3. Amplificadores en Cascada
TERCERA UNIDAD
AMPLIFICADORES
CAPITULO 7 Amplificadores de Potencia
1. Generalidades
2. Clasificacin
CAPITULO 8 Amplificadores de tensin
1. Generalidades
2. Clasificacin
CAPITULO 9 Amplificadores Operacionales
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Generalidades
Comportamiento en continua (CD).
Comportamiento en Alterna (CA).
Tipos de circuitos.
Clasificaciones
Estructuras
UNIDAD No 1
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
CAPITULO 1
1. Generalidades De Los Semiconductores
1.1. Historia De Los Semiconductores
En los ltimos aos las investigaciones realizadas por un gran nmero de
cientficos, sobre el comportamiento al paso de la corriente elctrica en los
materiales llamados semiconductores, han dado por resultado una serie de
descubrimientos y adelantos de tal naturaleza que su desenlace es casi imposible
prever.
Desde que apareci la primera aplicacin en 1915 con el detector de galena, hasta
1939-40, se puede decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en 1948,
apareci el transistor de puntas; en 1950 el transistor de Shockley; en 1953 el
diodo de tnel; en 1958 el tecnetrn, y en 1960 los circuitos integrados, etc. .Quiz
ninguna tcnica ha hecho tan rpidos progresos como la de los semiconductores,
los cuales son capaces de representar los mismos papeles que los tubos de vaco,
pero con numerosas ventajas.
El ms conocido de estos elementos es el transistor que, sin embargo, no es ms
que un brillante representante de un grupo vastsimo.
Por medio de los mtodos qumicos y fsicos habituales, y la paciencia de grandes
cientficos es imposible descubrir estos residuos tan nimios de impurezas. Ha sido
necesario idear nuevos procedimientos de anlisis basados en los fenmenos
elctrico-magnticos, fotomagneto-elctricos, etc.
Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban en los semiconductores eran,
desde muchos puntos de vista, bastante misteriosos. La conductibilidad elctrica
de estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de los metales, no era
suficientemente alta para considerarlos como aislantes; adems, en muchos casos
aumentaba rpidamente la conductibilidad con la temperatura, lo que constitua un
fenmeno desconocido en los metales.
Elemento
Cd
(Cadmio)
Grupo
Electrones en
la ltima capa
II B
2 e-
Al, Ga, B, In
(Aluminio, Galio, Boro, Indio)
Si, Ge
(Silicio, Germanio)
P, As, Sb
(Fosforo, Arsnico, Antimonio)
Se, Te, (S)
(Selenio, Telurio, Asufre)
III A
3 e-
IV A
4 e-
VA
5 e-
VI A
6 e-
Semiconductores Extrnsecos
Semiconductor Tipo N
Semiconductor Tipo P
CAPITULO 2
2. DIODOS SEMICONDUCTORES
Presentacin fsica de los diodos semiconductores.
Smbolos grficos
El material tipo P recibe el nombre de nodo
El material tipo N recibe el nombre de ctodo.
2.2.
Clases De Diodos
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,
tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice
que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por
la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).
Existen tambin diodos de proteccin trmica los cuales son capaces de proteger
cables.
A (p)
C K (n)
Polarizacin directa
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
Donde:
2.4.
Proteccin
Fuentes de ruido de RF
conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
fotodetector
2.4.7. Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
2.4.10.
Diodo Varicap
2.4.11.
Diodo Zener
2.5.
CAPITULO No 3
3.
TRANSISTORES BIPOLARES
3.1. Descripcin
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales.
Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica.
Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o
BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
3.2.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
Transistor NPN
Estructura de un
transistor NPN
Transistor
PNP
Estructura de un
transistor PNP
Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del
transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).
F.1
F.2
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura
2).
En general: IE > IC > IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
3.4.
Polarizacion De Un Transistor
Zonas De Trabajo
En resumen:
Saturacin
Corte
Activa
VCE
VCC
Variable
VRC
VCC
Variable
IC
Mxima
= ICEO 0
Variable
IB
Variable
=0
Variable
VBE
0,8v
< 0,7v
0,7v
UNIDAD No 2
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
CAPITULO 4
4.
Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero solo tiene una
unin Pn en vez de dos, como en el BJT. El JFET de canal n se construye
utilizando una cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo p difundidos
en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p
con dos materiales de tipo n difundidos en ella.
El FET es un dispositivo controlado por tensin y se controla mediante v GS. Antes
de analizar estas curvas, tmese nota de los smbolos para los JFET de canal n y
4.3.
Caracterstica De Funcionamiento.
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal
El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin
VGS.
Zona de saturacin
A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y
se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que
existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , V GS.
Zona de corte
La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor
comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la
de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores
bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la
amplificacin de seales dbiles.
Curva Caractersticas De Salida
Principales aplicaciones
PRINCIPAL VENTAJA
USOS
Aislador o
separador (buffer)
Impedancia de entrada
alta y de salida baja
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Amplificador con
CAG
Receptores, generadores de
seales
Amplificador
cascodo
Baja capacidad de
entrada
Troceador
Ausencia de deriva
Resistor variable
por voltaje
Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas de
tono
Amplificador de
baja frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Oscilador
Mnima variacin de
frecuencia
CAPITULO 5
5.
MOSFET
5.1.
Breve Historia
Fue ideado tericamente por el alemn Julius von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca
de cmo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y
el aislante debe ser perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es
algo que slo se pudo conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del
silicio.
5.2.
Funcionamiento
Estado de corte
Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en
estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque
se aplique una diferencia de potencial entre ambos. Tambin se llama mosfet a los
aislados por juntura de dos componentes..
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se
crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en
nMOS, huecos en pMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que
una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin
donde
en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los
electrones, es la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del
canal y W el espesor de capa de xido.
5.4.
Aplicaciones
5.5.
Ventajas
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, nmos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
CAPITULO 6
6.
AMPLIFICADORES
6.1. Generalidades
Un amplificador aumenta, o amplifica la magnitud de una seal elctrica, y es el
ms utilizado para la construccin de sistemas electrnicos, como elemento
individual.
Si el amplificador se optimiza para amplificar la seal de voltaje, se le conoce
como amplificador de voltaje.
En el caso de amplificacin de seal de corriente, se denomina amplificador de
corriente.
Y para el caso de proporcionar una seal de potencia, a este generalmente se le
clasifica como amplificador de potencia.
Para que un transistor opere como amplificador debe estar polarizado en la regin
activa. El problema de polarizacin es el de establecer una corriente de cd.
Constante en el emisor (o colector). Esta corriente debe ser predecible e
insensible a variaciones en temperatura.
6.2.
Caractersticas:
Para que una seal sea amplificada tiene que ser una seal de corriente alterna.
No tiene sentido amplificar una seal de corriente continua, porque sta no lleva
ninguna informacin.
En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de
corrientes (alterna y continua).
La seal alterna es la seal a amplificar y la continua sirve para establecer el
punto de operacin del amplificador.
Este punto de operacin permitir que la seal
amplificada no sea distorsionada.
En el diagrama se ve que la base del transistor est
conectada a dos resistores (R1 y R2).
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que
permite tener en la base del transistor un voltaje
Ro = Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]
Amplificadores En Cascada
Entrada
A1
A2
An
salida
UNIDAD No 3
AMPLIFICADORES
CAPITULO 7
7.
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
7.1. GENERALIDADES
La primera clasificacin que podemos hacer con los amplificadores viene
determinada por las frecuencias con las que van a trabajar.
Si las frecuencias estn comprendidas dentro de la banda audible los
amplificadores reciben el nombre de amplificadores de audio frecuencia o
amplificadores de Baja frecuencia. (amplificadores A.F. o amplificadores B.F.,
respectivamente).
Dentro de las dos gamas de amplificadores vistas, tambin, podemos hacer una
clasificacin atendiendo a su forma de trabajo:
a) Amplificadores de tensin: son los que su principal misin es suministrar
una tensin mayor en su salida que en su entrada
b) Amplificadores de potencia: aquellos que, aparte de suministrar una mayor
tensin, suministran tambin un mayor corriente (amplificacin de tensin y
amplificacin de corriente y, por ende, amplificacin de potencia)
Podemos, segn esto, tener: amplificadores de tensin (tanto para B.F. como
para R.F.) y amplificadores de potencia (tambin, para ambas gamas de
frecuencias). En este tema nicamente vamos a entrar en los amplificadores de
potencia, que son los que nos interesan para iniciar el campo de las R.F., el resto
los damos por estudiados y aprendidos (porque son los montajes de
amplificadores que se estudian en los principios bsicos).
7.2.
Alguien puede que haya visto, en algn libro o manual de reparacin, una
notacin tipo a esto: Amplificador clase AB1 o tambin amplificador clase B2;
estas notaciones vienen de los antiguos amplificadores con vlvulas.
Los subndices 1 y 2 indicaban que no exista corriente de reja (el 1) o que si
exista (el 2), esto era debido a que en la polarizacin de la vlvula, la reja se
haca positiva con respecto al ctodo (para los que nunca hayan odo hablar de
las vlvulas, diremos, que la reja se correspondera con la base de un transistor y
el ctodo con el terminal de salida, que en los transistores, dependiendo del tipo
de conexin, puede ser el emisor o el colector).
En los amplificadores de clase A no hay nunca corriente de reja (base) por lo que
es indiferente decir que el amplificador es de clase A1 o de clase A. Lo contrario
ocurre en los amplificadores de clase C donde siempre va a existir corriente de
reja (base), en este caso es indiferente decir que el amplificador es de clase C2 o
de clase C (a secas). En los amplificadores de clase B y AB, puede que exista o
no la corriente de base (o reja) por lo que s es importante que nos especifiquen
el tipo de amplificador del que se trata (AB1 dira que no tiene corriente de base y
B2 indicara que s hay corriente de base). Este tipo de notacin tambin
podemos encontrarla en los amplificadores transistorizados.
CAPITULO 8
8.
EL AMPLIFICADOR DE TENSIN
8.1. Generalidades
Nos centrarnos en un nico montaje: el amplificador de tensin clase A con
conexin emisor comn.
En este tipo de montaje, para que el
amplificador nos entregue en su salida la
seal
de
entrada
convenientemente
amplificada, y sin recortes de esta seal,
debemos polarizar el transistor de forma que
en reposo la tensin de polarizacin de la
base (Vb) lleve a ste, al transistor, a un
punto medio, aproximadamente, de su curva
caracterstica esttica (grfico inferior).
Estas curvas del transistor son diferentes para cada carga conectada a la salida
del transistor y junto con la recta de carga nos sirven para determinar la
caracterstica de transferencia dinmica del transistor, es decir, la relacin entre
la corriente de colector y la corriente de base (en el tipo de montaje que estamos
examinando).
Otra caracterstica, de este tipo de amplificadores, era que la seal de salida sale
invertida con respecto a la seal de entrada (por eso se le denomina, tambin,
"amplificador inversor de fase"), es decir cuando la seal de entrada se
encuentra en el valor de pico del semiciclo negativo, en la salida nos
encontraremos en el pico del semiciclo positivo.
8.2. Clasificacin
8.2.1. Amplificadores clase B
Uno de los principales inconvenientes de los amplificadores en clase A es que, en
reposo, estn consumiendo corriente por lo que el rendimiento de conversin se
hace bastante bajo.
Para mejorar este rendimiento, y por tanto aprovechar al mximo la potencia
entregada por la fuente de alimentacin, los amplificadores se suelen construir en
clase B
Por norma general, los amplificadores que se van a hacer trabajar en clase B, se
montan con transistores que trabajen en contrafase (push-pull); con el fin de
minimizar los armnicos que se pueden generar en este tipo de montajes, estos
amplificadores adoptan una serie de montajes determinados.
CAPITULO 9
9.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.1. Generalidades
El extraordinario desarrollo de la tecnologa de los CI monolticos ha hecho que el
amplificador operacional (amp op) sea tal vez el componente con mayor
flexibilidad en electrnica. Con una adecuada seleccin de los elementos de
retroalimentacin, el amplificador operacional se puede utilizar como amplificador
de ganancia variable de precisin, como amortiguador, sumador, fuente de
corriente, convertidor, oscilador y en otras muchas aplicaciones ms. Por lo
general su campo se encuentra limitado por la ingenuidad y falta de imaginacin
con que se utilicen.
Un amplificador operacional (A.O., habitualmente llamado op-amp) es un
circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene
dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G(V+ V)
El primer amplificador operacional monoltico data de los aos 1960, era el
Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild A709
(1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms tarde
sera sustituido por el popular Fairchild A741(1968), de David Fullagar, y
fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar.
Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemticas (suma, resta,
multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, etc) en calculadoras analgicas.
De ah su nombre.
El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un
ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de
respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin
se dice que las corrientes de entrada son cero.
Notacin
Lazo abierto
Si no existe realimentacin la salida del A.O. ser la resta de sus dos entradas
multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100.000 (que se
considerar infinito en clculos con el componente ideal). Por lo tanto si la
diferencia entre las dos tensiones es de 1V la salida debera ser 100.000V. Debido
a la limitacin que supone no poder entregar ms tensin de la que hay en la
alimentacin, el A.O. estar saturado si se da este caso. Si la tensin ms alta es
la aplicada a la patilla + la salida ser la que corresponde a la alimentacin V S+,
mientras que si la tensin ms alta es la del pin - la salida ser la alimentacin VS-.
Lazo cerrado
Se conoce como lazo a la realimentacin en un circuito. Aqu se supondr
realimentacin negativa. Para conocer el funcionamiento de esta configuracin
se parte de las tensiones en las dos entradas exactamente iguales, se supone que
la tensin en la patilla + sube y, por tanto, la tensin en la salida tambin se eleva.
Como existe la realimentacin entre la salida y la patilla -, la tensin en esta patilla
tambin se eleva, por tanto la diferencia entre las dos entradas se reduce,
disminuyndose tambin la salida. Este proceso pronto se estabiliza, y se tiene
que la salida es la necesaria para mantener las dos entradas, idealmente, con el
mismo valor.
Siempre que hay realimentacin negativa se aplican estas dos aproximaciones
para analizar el circuito:
V+ = VI+ = I - = 0
9.3.
En principio la ganancia calculada para continua puede ser aplicada para alterna,
pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones. (Ver seccin de
limitaciones)
Un ejemplo de amplificador operacional es el 741op
Anlisis
Para analizar un circuito en el que haya A.O. puede usarse cualquier mtodo, pero
uno habitual es:
1. Comprobar si tiene realimentacin negativa
2. Si tiene realimentacin negativa se pueden aplicar las reglas del apartado
anterior
3. Definir las corrientes en cada una de las ramas del circuito
4. Aplicar el mtodo de los nodos en todos los nodos del circuito excepto en
los de salida de los amplificadores (porque en principio no se puede saber
la corriente que sale de ellos)
5. Aplicando las reglas del apartado 2 resolver las ecuaciones para despejar la
tensin en los nodos donde no se conozca.
Configuraciones
Zin =
9.4.2. Inversor
Definiendo corrientes:
y de aqu se despeja
Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como
conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje
en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo, conociendo el voltaje en el
pin negativo podemos calcular, la relacin que existe entre el voltaje de salida con
el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin.
Zin =
Igual que antes esta expresin puede simplificarse con resistencias iguales
La impedancia diferencial entre dos entradas es Z in = R1 + R2
9.4.6. Integrador ideal
Integra e invierte la seal (Vin y Vout son funciones dependientes del tiempo)
definen el estado actual del sistema) donde el integrador conserva una variable de
estado en el voltaje de su capacitor.
9.4.7. Derivador ideal
9.5.
Aplicaciones
Calculadoras analgicas
Filtros
Preamplificadores y buffers de audio y video
Reguladores
Conversores
Evitar el efecto de carga
Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)
9.6.
Estructura
Aunque es usual presentar al A.O. como una caja negra con caractersticas
ideales es importante entender la forma en que funciona, de esta forma se podr
entender mejor las limitaciones que presenta.
Los diseos varan entre cada fabricante y cada producto, pero todos los A.O.
tienen bsicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:
1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja
amplificacin del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una
salida diferencial.
2. Amplificador de tensin: proporciona una ganancia de tensin.
3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente
necesaria, tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, proteccin
frente a cortocircuitos.
Ejemplo del 741
Limitaciones
Saturacin
Un A.O.L tpico no puede suministrar ms de la tensin a la que se alimenta,
normalmente algunos voltios menos. Cuando se da este valor se dice que satura,
pues ya no est amplificando. La saturacin puede ser aprovechada por ejemplo
en circuitos comparadores.
Un concepto asociado a ste es el Slew rate (analisis bsico de bajo flujo recoltor).
Tensin de offset
Es la diferencia de tensin que se obtiene entre los dos pines de entrada cuando
la tensin de salida es nula, este votltaje es cero en un amplificador ideal lo cual
no se obtiene en un amplificador real. Esta tensin puede ajustarse a cero por
medio del uso de las entradas de offset (solo en algunos modelos de
operacionales) en caso de querer precisin. El offset puede variar dependiendo de
la temperatura (T) del operacional como sigue:
Corrientes
Aqu hay dos tipos de corrientes que considerar y que los fabricantes suelen
proporcionar:
IOFFSET = | I + I |