FSICA DEL ESTADO SLIDO

- CURSO 2014 -

TEMA 2: SEMICONDUCTORES EN
EQUILIBRIO
Una vista
previa.


A- La Naturaleza del estado slido.

B- Qu es un semiconductor?.
Revisin histrica.
Niveles de energa en tomos.
Niveles de energa en slidos.
Enlaces atmicos y bandas de energa.

C- Electrones y huecos en semiconductores.

El semiconductor intrnseco.
Donadores y aceptores.
Estadstica de portadores
Los experimentos de la Punta caliente
y Efecto Hall.

DConductividad
elctrica
en
metales
semiconductores.
Comentarios generales del comportamiento de la
movilidad de los portadores de cargas.
Conductividad en metales.
Conductividad en semiconductores extrnsecos.
Conductividad en semiconductores intrnsecos.

E- Absorcin ptica.

La naturaleza del estado slido

La definicin de slido
Dado que la asignatura se enfoca al estudio de los dispositivos semiconductores, de
estado slido, podemos comenzar definiendo este trmino.
Ciertamente que todos conocemos, al menos, alguna de las propiedades de los
materiales slidos pero, es tal conocimiento comn suficiente para permitirnos
formular una definicin precisa de la palabra Slido?.
Muchas personas, cuando se les pide que definan al slido, comienzan mencionando su
densidad, tambin se dan vagas ideas de dureza, peso y masa, las que son
asociadas al trmino Slido.

 Qu es un semiconductor?
Historia
Las primeras observaciones registradas de semiconductividad fueron realizadas por
Michael Faraday en 1834.
Lo que Faraday y otros experimentadores posteriores vieron fue que ciertos slidos
exhiban resistividades elctricas muy diferentes de la de los metales. Las diferencias
se pueden resumir en la siguiente Tabla:
Tabla 1
Comparacin de comportamientos experimentalmente observados de la
resistividad elctrica de metales y semiconductores.
METALES
SEMICONDUCTORES

1- La resistividad a temperatura
ambiente est en el rango de 10 6 a 10
4
cm.
2- La resistividad se incrementa casi
linealmente con el aumento de
temperatura.

1La
resistividad
a
temperatura
ambiente est en el rango de 10 3 a 10 8
cm.
2- La resistividad en un semiconductor se
decre-menta en forma prcticamente
exponencial con el aumento de la
temperatura.
3- La resistividad es insensible a la luz. 3- La resistividad decrece con la
exposicin a la luz.
4- La resistividad es levemente sensible 4- La resistividad es extremadamente
Por comparacin
de los
datos de la Tabla 1 la
resistividad
buenosdeaisladores
est en
al contenido
de impurezas.
sensible
a la de
presencia
ciertas
15
22
el orden de los 10 a 10 *cm. Entonces impurezas.
si nos basamos en las resistividades de los

slidos, los semiconductores aparecen como algo intermedio entre los metales y
aisladores teniendo una relacin ms cercana con los metales que con los aisladores.
Veremos ms adelante que estas observaciones cuantitativas son errneas y, de
hecho, totalmente equivocadas. Podemos buscar una distincin cualitativa basada en
la estructura atmica de la materia. A. H. Wilson en 1935 propuso esta distincin; Y
dado que el argumento de Wilson se basa en la naturaleza de los niveles de energa

Niveles de energa en tomos:

El tomo de Bohr
La fuerza centrfuga mev2/r debe estar balanceada
por una fuerza centrpeta provista por la atraccin
electrosttica entre el electrn y el ncleo:

Bohr postula la existencia de rbitas

estables en las cuales el electrn no
irradia con n entero y positivo:

Electrn en la rbita
La energa total es la suma de la energa cintica y potencial

1
Z * q2
En * me * v 2
2
4* * 0 * rn

Las ecuaciones anteriores pueden ser resueltas para rn y En

separadamente

En

1
Z 2 * q 4 * me
*
n 2 32* 2 * 0 * h

n 2 * 4* * 0 * h2
rn
Z * q 2 * me

el significado del signo negativo es simplemente que la energa

potencial negativa (atractiva) es mayor que la energa cintica positiva
y el electrn en consecuencia est ligado al tomo.

Orbitas:
Orbitas permitidas

Capas, subcapas y orbitales

La estructura de subcapas y orbitales para las capas n = 1, 2
y 3:

Disposicin de electrones en el Si
Principio de exclusin de Pauli

El Silicio posee un ncleo de carga +14q

al que lo rodean dos capas electrnicas
completamente llenas que contienen un
total de 10 electrones conformando una
carga de 10q.
Los ltimos 4 electrones estn en rbitas
de mucho mayor dimetro en las
subcapas A y B; es de notar tambin
que, de acuerdo con las ecuaciones
vistas, para n creciendo los radios
crecen y las energas decrecen como n2.

Niveles de energa en slidos

Consideremos un modelo elctrico anlogo

N circuitos
independientes, N
frecuencias de
resonancia iguales

N
N circuitos
circuitos
acoplados
acoplados
N
N
frecuencias
frecuencias
de
de
resonancia
resonancia
diferentes.
diferentes.

Diagrama de frecuencias resonantes para N circuitos

acoplados

10

La Teora de Bandas
La formacin de Bandas de energa en slidos a partir de
niveles de energa en tomos aislados

11
Tres posibles diagramas de bandas de energa para
slidos.

Enlaces atmicos y bandas de energa.

La formacin de enlaces covalentes en el
Silicio slido.
Los qumicos distinguen cinco tipos
bsicos de enlaces, de los cuales nosotros

Enlaces atmicos y bandas

de energa en un
semiconductor tpico (Si) y
en un metal tpico (Na).

solamente mencionaremos dos: enlaces

covalentes y enlaces metlicos. En
nuestro caso, adems, solamente nos
referiremos a estos enlaces a travs de dos
ejemplos especficos: el Silicio (como enlace
covalente) y el Sodio (como enlace
metlico).
Cuando los tomos de Si se encuentran
muy juntos estos electrones interactan y
resultan compartidos entre los tomos
vecinos. Dado que hay 4 electrones
disponibles por cada tomo, este proceso
de comparticin funciona mejor si a cada
tomo lo rodean otros cuatro vecinos
cercanos. En este arreglo cada par de
tomos de Si se encuentra enlazado por un
puente de dos electrones.
Los electrones de estos enlaces se
denominan electrones de valencia y son los
mismos electrones que completan la banda

12

Electrones y huecos en semiconductores

El semiconductor intrnseco. Consideremos primero el caso

ideal de un semiconductor puro

(o intrnseco) y veamos luego
los efectos de agregar tomos
de impurezas.
Aunque los tomos en un slido
estn ubicados en posiciones
fijas dentro de la red cristalina,
ellos no estn perfectamente
estacionarios.
Proceso de generacin y
A cualquier temperatura por
recombinacin de pares de
encima del cero absoluto hay
electrones-huecos en un
una cierta energa trmica
semiconductor puro
(Calor) son
disponible
que causa
(intrnseco).
Si nosotros pensamos
que los enlaces interatmicos
como resortes
que
que
los
tomos
vibren.
mantienen a los tomos juntos, entonces, las vibraciones atmicas estiran y
comprimen alternadamente estos resortes. Si la temperatura aumenta,
tambin lo hacen la amplitud de estas vibraciones y ocasionalmente los
enlaces se rompen liberando electrones que pueden moverse libremente en
el cristal hasta que son recapturados en otros enlaces rotos.
Cuando un enlace se rompe, decimos que se ha generado un par electrnhueco y cuando un electrn es recapturado para completar un enlace roto
decimos que un electrn y un hueco se han recombinado o que se produjo

13

El semiconductor intrnseco.

Movimiento de un electrn perdido hacia el

Si volvemos a lo expuesto respecto de la
terminal negativo
inmovilidad de los electrones de la banda
de valencia, podemos decir que si se
produce una vacante en un enlace, los
niveles
de energa
disponibles (en
trminos del diagrama de bandas) o
lugares disponibles (en trminos del
diagrama de enlaces) proveen estados a
travs de los cuales los electrones de la
banda de valencia pueden moverse en
respuesta a un campo elctrico. En la
figura 14 vemos cmo la presencia de una
vacante pone en movimiento al resto de
los electrones en un cristal de Si. Cuando
se aplica un campo elctrico y los
electrones de enlaces adyacentes pasan a
ocupar los enlaces rotos adquiriendo un
movimiento neto hacia el terminal positivo.

Entonces, tenemos dos tipos de portadores

de cargas cuando un par electrn-hueco es
generado: electrones negativamente
cargados en la banda de conduccin y
huecos positivamente cargados en la banda
de valencia.
Tambin podemos describir este proceso diciendo que la vacante se desplaza hacia el
terminal negativo, y esto nos da un conveniente punto de vista porque cuando se
produce un estado vacante en la banda de valencia nosotros podemos tratar a los
electrones que quedan como si fuesen colectivamente equivalentes a un portador de
carga real +1q al que llamamos hueco. La justificacin matemtica para esta
aproximacin requiere de cierto clculo de mecnica cuntica que fue realizado por
Shockley quien mostr que est totalmente justificado el hecho de ignorar el proceso
complicado de reflujo de electrones a travs de la banda de valencia y concentrarnos
totalmente en el movimiento de los huecos.

14

Concentracin de portadores intrnsecos

Llamemos n a la concentracin de electrones y p a la de huecos en

#/cm3; entonces en un semiconductor intrnseco tendremos:
n = p = ni
donde ni es llamado concentracin de portadores intrnsecos.
ni es tambin dependiente de la misma y la relacin de dependencia
viene dada segn:

donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura y el

parmetro N, por s mismo, es levemente dependiente de la
temperatura aunque esa dependencia es muy pobre comparada con la
exponencial.

15

Efectos de Eg y ni como una funcin de los

parmetros ms relevantes.

16

Donadores y aceptores
Porcin de la tabla peridica en la que se observa los elementos
ubicados de acuerdo a su nmero atmico y valencia.

La valencia de un tomo es igual a la cantidad de electrones

externos de rbitas incompletas y la tabla peridica los
encolumna de esta manera indicando esta con nmeros
romanos.

17

Tabla peridica

18

Donadores y aceptores
Donadores y Aceptores esquematizados
en los diagramas de enlaces y de bandas.

19

Donadores y aceptores

En la tabla II se observa que la concentracin de portadores

intrnsecos en Si a 300K es de 1010 cm-3.
La concentracin de tomos de Si es de 5 * 1022 cm-3 entonces el Si
intrnseco tiene cerca de un electrn o hueco por cada 5 * 10 12
tomos.
Si la concentracin de Donadores o aceptores es solamente una parte
por mil millones, tendramos ND o NA de alrededor de 5 * 1013 tomos.
Lo que es 5000 veces ms grande que ni, entonces muy pequeas
concentraciones de impurezas son necesarias para que el mecanismo
de ruptura de enlaces provea grandes cantidades de electrones o
huecos.

20

Estadstica de los portadores carga.

Antes de iniciar este estudio haremos una pequea referencia a la
palabra equilibrio.
Si un sistema es aislado en el sentido de que no puede actuar sobre l
ninguna influencia externa (campos elctricos, fuerzas mecnicas, etc.)
y si la temperatura es constante en todo el sistema, entonces se llega
eventualmente a un tipo especial de estado estacionario conocido
como Equilibrio Termodinmico (o simplemente equilibrio).
En el estado de equilibrio, cada proceso que ocurre dentro del sistema
es balanceado por un proceso inverso; por ejemplo: en un contenedor
con gas en equilibrio no existe un flujo neto de molculas en alguna
direccin y, en el promedio cuando algunas molculas se mueven hacia
la derecha otras lo hacen hacia la izquierda. En un semiconductor en
equilibrio el proceso de generacin est exactamente balanceado por
el de recombinacin y la concentracin de huecos y electrones
permanece constante.
En un semiconductor tenemos cuatro tipos de especies cargadas:

Electrones.
Huecos.
Donadores ionizados

21

Claramente no existe una carga neta y podemos mostrar que la

neutralidad de las cargas prevalece en cualquier punto (macroscpico)
dentro del material (observemos que la palabra punto se utiliza para
denotar una muy pequea y localizada regin la que es an grande
comparada con las dimensiones atmicas. Dado que los slidos estn
compuestos por tomos y los tomos contienen distribuciones no
homogneas de cargas, la neutralidad de cargas no se aplica,
obviamente en la escala microscpica.
Consideremos un medio de conductividad y constante dielctrica , y
supongamos que una desviacin localizada de la neutralidad de cargas
ocurre en algn lugar del medio. Hagamos que la densidad de carga
r de rcarga para unr tiempo
inicial
sea (t).
r
r rsea (to) y la densidad
posterior
(t )
J dado por la Ley de
E un campo elctrico
densidad
E
Esta
de carga Jproducir
t

Gauss:
(8)

(9)

(10)

reducimos estas ecuaciones al problema unidimensional y resolvemos

para (t), el resultado es de la forma:

(t ) o e

El tiempo caracterstico, , es llamado Tiempo de relajacin

dielctrica y, para los semiconductores es del orden de 10-12 a 10-6
(11) donde
(12)
segundos. Podemos concluir, entonces, que si nosotros efectuamos una
desviacin localizada de la neutralidad de cargas mediante algn
estmulo externo, el exceso de cargas producido, decaer rpidamente
cuando la estimulacin externa sea removida. Este hecho nos posibilita
a escribir la primera ecuacin uniendo las concentraciones de carga en
semiconductores.

22

Ecuacin de neutralidad de cargas y

Ley de accin de masas
En equilibrio, la concentracin total de cargas negativas es igual a la concentracin
total de cargas positivas o:

(13)
Esta ecuacin es llamada Ecuacin de neutralidad de cargas y es una de las dos
ecuaciones importantes que se utilizan para resolver los problemas estadsticos de
semiconductores.
La segunda ecuacin viene dada por:

(14)
Esta ecuacin es conocida como Ley de accin de masas y la introducimos
simplemente como un postulado.
Lo que nos dice la ley de accin de masas es que el producto de las concentraciones
de electrones y huecos es una constante que depende solamente de la temperatura y
la constante de proporcionalidad es justamente ni2 .
Esta ecuacin es vlida
para semiconductores intrnsecos dado que bajo las
condiciones intrnsecas n = p = ni de modo que, trivialmente np = ni2. El hecho
destacable es que se aplica tambin a los semiconductores extrnsecos.
Dado que el producto np es una constante, si nosotros incrementamos la
concentracin de donadores, la concentracin de huecos se reducir automticamente
para mantener np constante. Similarmente al incrementa p, se decrementar n. En el
prximo tema se dar una explicacin ms detallada al respecto.

23

Debemos notar que si usamos la ecuacin 12 para calcular el tiempo de relajacin dielctrica en los
metales, las muy altas conductividades nos dan tiempos irrealmente cortos del orden de 10 -18 o 1019
. Tales resultados son no-fsicos, dado que son rdenes de magnitud ms pequeas que los
tiempos de colisin en los metales y son stas colisiones las que determinan la conductividad.
Esto es una reflexin del hecho que nuestra derivacin es invlida para los metales y debemos
razonar en forma muy cuidadosa en cuanto a lo que entendemos por conductividad y constante
dielctrica en la escala de tiempos muy pequeos.
Los tiempos de relajacin dielctrica en metales son muy pequeos pero nunca menores a los
tiempos de colisin tpicos (unos 10-14 segundos).

Un ejemplo numrico puede ser de ayuda para enfatizar las consecuencias de la

Ec. 14:
Consideremos una muestra de Si dopado con ND = 1016 cm-3 donadores y no
aceptores. Hemos buscado valores para n y p a temperatura ambiente. Como ni =
1.0 * 1010 cm-3, sabemos (de la ecuacin 14) que p ser < ni y por lo tanto
insignificante respecto de ND. Por consiguiente la ec. 13 nos da:

La Ecuac. 14 entonces nos da p como:

Es decir que sin impurezas en el semiconductor, tendremos n = p = 1,0*1010 cm-3,

mientras que si agregamos 1016 donadores * cm-3 tendremos n = 1016 y p = 104.
Es de notar que las Ecs. 13 y 14 representan dos ecuaciones con 5 variables pero
en cualquier problema solamente 2 pueden ser tratadas como desconocidas;
adems ND y NA aparecen juntas en solamente una de estas ecuaciones. Y por lo
tanto al menos una de estas variables debe ser conocida para obtener una nica

24

Si ND > NA entonces n > p y esto es conveniente para resolver las (13) y

(14) para n primero. (Ver el problema 8). Usando la Ec. 14 para eliminar p de
la Ec. 13, nos queda una ecuacin cuadrtica para n y la solucin ser:

(15)

Una vez que n fue determinado, podemos utilizarlo para calcular p de la

ecuacin (14) y ser:

(16)

Si NA es mayor que ND es posible resolver primero para p, el procedimiento

es el mismo y resultar:

(17)

(18)

Cando se nos presenta un problema de estadstica de semiconductores, es

siempre ms seguro comenzar con las ecuaciones (13) y (14) haciendo
algunas aproximaciones justificables y procedemos con la solucin de las
ecuaciones resultantes.

25

De todos modos, es frecuente el caso en que:

y, bajo estas circunstancias uno de los dos casos simples se presentan:

Tipo p

Tipo n

Estas aproximaciones nos dan un error de cerca del 1 % si es que:

26

Es conveniente aclarar que la concentracin de portadores libres en un

semiconductor
depende de dos factores:

-- El contenido de impurezas.
-- La concentracin de portadores intrnsecos.

Este ltimo es dependiente de la amplitud de la banda prohibida y de la

temperatura.
En un semiconductor intrnseco yaumenta exponencialmente con la
temperatura.
En un semiconductor extrnseco con tenemos que . A medida que la
temperatura aumenta en la muestra, se incrementa y, eventualmente y, en
estas condiciones las ecuaciones 13 y 14 nos dicen que y entonces la muestra
se comporta como si fuese intrnseca, lo que podemos ver en la figura 17 para
Fig.
el caso especfico de Si con y .
17: Dependencia de la
temperatura de portadores
n y p en Si
con y .

Evidentemente,
si ND fuese menor, el comportamiento como intrnseco

ocurrira a bajas temperaturas y si ND fuese mayor el caso ocurrira a altas

temperaturas.
Normalmente en un material de Si extrnseco tipo N es y podemos tomar para

27

4- La prueba de la punta caliente

y el experimento de Efecto Hall:
Por la medicin de la conductividad de un semiconductor, es posible determinar qu tipo
de portadores mviles de cargas estn presentes pero ello no nos permite obtener ni su
signo ni la concentracin de ellos.
La determinacin del tipo de conductividad (signo de los portadores mayoritarios) es
posible de realizar mediante la prueba de la Punta Caliente. La experiencia se efecta as:
Dos
puntas
de
prueba
son
conectadas a un voltmetro y
utilizadas para tocar una muestra
de conductividad desconocida. Una
de las puntas es calentada (se
puede usar un soldador comn
como punta caliente) mientras que
la otra se mantiene fra o a
temperatura ambiente.
En el equilibrio trmico, la distribucin de velocidades de los portadores es la misma en
cualquier punto del cristal (es decir: los portadores se estn moviendo aleatoriamente en
todas las direcciones sin que haya un flujo neto).
Cuando calentamos la regin de una de las puntas, logramos que haya un gradiente
trmico all, lo que aumenta la movilidad de los portadores al adquirir energa trmica.
Inicialmente esto produce un flujo neto de portadores fuera de la regin caliente.
Si el semiconductor es de tipo N, los portadores mayoritarios sern electrones y la punta
fra ser ms negativa que la caliente; en un semiconductor tipo P ser al revs y la
punta fra ser ms positiva ya que los portadores mayoritarios son los huecos.
Esta experiencia nos da una idea de qu tipo de portadores mayoritarios se encuentran
presentes en la muestra analizando la polaridad de la punta fra.

28

El Efecto Hall
Tomamos
una
barra

semiconductora de dimensiones L,
w, t y la colocamos en un campo
magntico uniforme de manera
que los lados mayores queden
perpendiculares a la orientacin
del campo.
Si hacemos circular por ella una
corriente en la direccin x, el
campo B causar una deflexin de
los portadores de carga y la fuerza
que causa tal deflexin vendr
(19)
dada por:
donde +q representa a los huecos presentes y q son los electrones.

Cuando los portadores se hayan desviado, no podrn trasladarse ya que no hay camino
externo y entonces las caras en Y estarn cargadas dando lugar a un campo elctrico
interno.
Este campo elctrico ejerce una fuerza sobre los portadores y entonces, en el estado
estacionario, quedando as balanceadas las fuerzas de Lorentz.
Una vez obtenido el estado estacionario, los portadores pasarn a travs de la muestra
sin sufrir desviacin y una tensin contnua aparecer sobre las caras Y que puede ser
medida.
Veamos, ahora, el signo de esta tensin:

29

En
la figura 20 vemos dos muestras, en ambos casos
en el sentido de las y.

est en el sentido del eje x y

En
el caso de la muestra tipo P los portadores son huecos movindose en la misma
direccin de .
En el caso de muestras tipo N los portadores son electrones movindose en direccin
opuesta a .
Hagamos que n sea la concentracin de electrones en la muestra N y p la
concentracin de huecos en
la muestra
P.
Tipo
N
Tipo P

Notemos
que , y son obtenidos experimentalmente y en consecuencia calculamos n o

p.
Definimos la Constante de Hall como:

(21)

30

y, en trminos de las cantidades medidas experimentalmente tenemos:

(22)

sando R en las ecuaciones (20) nos quedar:

Tipo N

Tipo P

Notemos que el signo de VH ha sido elegido para hacer que R sea negativa para
materiales tipo N y positiva para materiales tipo P entonces n y p son siempre positivos.
Si el experimento de efecto Hall es complementado con una medicin de conductividad
es posible deducir la movilidad de portadores de acuerdo con:

Tipo N

Tipo P

La medicin de Hall puede ser efectuada en muestras intrnsecas pero es ms

complicado ya que los electrones y huecos contribuyen a V H simultneamente. Si n = p y
si los electrones y huecos hacen la misma contribucin a J x (es decir si tienen igual
movilidad) entonces VH = 0. Normalmente los electrones y huecos no tienen la misma
movilidad y entonces V es distinto de 0 y puede ser usado para deducir la relacin de

31

D- Conductividad elctrica en
semiconductores y metales.

En
el tema anterior vimos que la conductividad elctrica de un slido depende de
dos importantes parmetros: la concentracin de portadores de carga y la
movilidad de los portadores; estamos en condiciones ahora de hacer algn
comentario especfico respecto de la conductividad de los semiconductores y
comparar y contrastar con la de los metales.
1- Comentario acerca del comportamiento de la llamada movilidad de
portadores de carga.
Ya conocemos el concepto de movilidad de portadores de carga y cmo se
relaciona con su dispersin segn:

(25)

donde m es la masa efectiva del portador dispersado, es el tiempo medio entre

dispersiones y cuando este tiempo es pequeo, es pequeo y podemos decir
que hay poca movilidad en cambio si es grande, los fenmenos de dispersin
son pobres y es elevado.

32

En
un metal puro o en un semiconductor intrnseco los portadores de carga son
dispersados principalmente por las vibraciones del cristal. Dado que las
vibraciones estn presentes ya sea que el material es puro o no, la adicin de
impurezas o defectos en la malla cristalina puede causar una mayor dispersin y
ms baja movilidad. De todos modos, la movilidad de portadores sigue siendo
elevada en los materiales puros y es llamada movilidad limitada de la malla
cristalina .
Dado que las vibraciones en el cristal aumentan con la temperatura aumentarn
las dispersiones tambin y por ende, se reducir el valor de .
La dependencia exacta es diferente para metales y semiconductores y viene dada
aproximadamente por:

(26)
Cuando las impurezas estn presentes, causan una dispersin adicional. Si la
malla cristalina no est vibrando, la vibracin de las impurezas producir una
movilidad adicional dada por:

(27)

donde Ni es la concentracin de impurezas. Es de notar que al aumentare la

concentracin, decrece la movilidad y en los metales la dispersin de las
impurezas es independiente de la temperatura.
La dispersin de impurezas en semiconductores se hace menos efectiva con la
temperatura y entonces se incrementa.

33

Cuando
ambos tipos de movilidades actan en una red cristalina la movilidad total viene

dada por:

(28)
De manera que la movilidad se combina de la misma manera que las resistencias en
paralelo y la movilidad total est determinada por la ms pequea de las movilidades
parciales. La figura 21 nos muestra un comportamiento de los tres valores para
semiconductores y metales como funcin de la temperatura.

34

2- Conductividad en metales
Hemos
visto que los metales tienen una concentracin de electrones libres del

orden de 1022 cm-3, esto corresponde a un electrn por tomo y, para nuestra
inmediata discusin dejaremos establecido que la concentracin de electrones es
esencialmente independiente de la temperatura en metales. Tal conductividad
viene dada por:

Esto nos dice que solamente hay una fuente de variacin de y es .

(27)

En un metal puro decrece linealmente con el incremento de la temperatura

ocasionando que se comporte de igual manera.
En un metal impuro, la conductividad es aproximadamente constante a baja
temperatura (ver Fig 21(a).) pero tambin decrece al aumentar T.
En todos los casos la dependencia de en metales es pobre (solamente lineal) y
montonamente decreciente.

35

3 - Conductividad de
semiconductores extrnsecos.
En
semiconductores extrnsecos, los portadores libres dominantes pueden ser
electrones o huecos, dependiendo del tipo de material dopante. Como vimos, la
concentracin de electrones o huecos es independiente de T hasta que para T
suficientemente alta ocurre que:de manera que el semiconductor se comporta como
intrnseco.
En el rango de temperaturas en que n o p son constantes la conductividad del
semiconductor, como tambin la de los metales, est determinada por la dependencia
de con la temperatura:

Tipo n

Tipo p

Para muchos semiconductores extrnsecos a temperatura cercana a la del ambiente la

dispersin en la red cristalina es la dominante y decrece al aumentar T y lo hace
anlogamente. Notemos que este decremento es muy pequeo (de acuerdo a lo
expresado en la ec. 26.)

36

4 - Conductividad en
semiconductores intrnsecos.

En
un semiconductor intrnseco, los portadores de cargas son electrones y huecos en
igual cantidad y el nico proceso de dispersin es el de dispersin de la red cristalina,
de manera que podemos escribir que:

(29)
y como n = p = ni , entonces :

(30)

adems sabemos que ni es fuertemente dependiente de la temperatura:

(31)
de modo que la pequea contribucin de las movilidades resulta despreciable y
concluimos con que la conductividad de un semiconductor intrnseco se incrementa
exponencialmente con la temperatura.

37

Absorcin ptica
Hemos visto que Faraday y otros han observado una alta dependencia de la
conductividad con la luz en los semiconductores efecto que se ha dado en llamar
Fotoconductividad.
Sabemos que la luz de frecuencia f est cuantizada como unidades discretas llamados
fotones que transportan una energa:
Si un fotn incide sobre un semiconductor con energa prohibida E g pueden ocurrir dos
fenmenos:
Si
el fotn tiene suficiente energa para promover un electrn a la banda de conduccin
y entonces un par electrn hueco es fotogenerado y el fotn es absorbido. El proceso
inverso tambin es posible y ese aprovecha en la construccin de diodos emisores de
luz.
Si no se puede promover el electrn y entonces el fotn atraviesa el semiconductor sin
interactuar. De manera que podemos decir que el semiconductor es transparente para
tales fotones.

La absorcin de fotones y creacin de pares de electrones huecos es llamada absorcin

interbanda. Otros procesos de absorcin pueden ocurrir y en alguno de ellos la
absorcin es posible an para sin embargo el ms importante es el de absorcin
interbanda.
Es de notar que este proceso de absorcin interbanda nos permite experimentalmente
medir el valor de Eg por simple medicin de la cantidad de luz transmitida por un cristal
expuesto a una fuente monocromtica conocida.
Dado que la absorcin interbanda genera pares de electrones-huecos, queda claro cmo

38