Tema 5: Semiconductores no uniformes en equilibrio

FS IC A D EL ES TA D O
S LID O
C U R S O 2014

Eduardo J. Ricciardi

B IB LIO G R A FA

Apuntes de clases tericas Tema 5.

Gray and Searle pgs. 103 a 105.
Talley and Daugherty pgs. 130 150.
Adler Smith and Longini pgs. 130-138.

Indice
Tema 5 - Semiconductores no uniformes en equilibrio.A.
B.
C.
D.
E.

Introduccin y objetivos.
La Funcin Fermi.
Distribucin de los Niveles Permitidos en las Bandas.
Estadstica de Portadores y la Posicin de Ef.
Campos y Potenciales Internos
1. Potencial Electrosttico, Energa Potencial y Diagramas de Bandas
2. La Constancia de Ef en el Equilibrio
3. Expresiones Matemticas para Campos y Potenciales Internos en el
Equilibrio
F. Ejemplos de Estructuras No Uniformemente Dopadas.
1. Dopados Linealmente Graduados.
2. No Uniformidad Localizada.

Introduccin
En el Captulo 2 hemos discutido la naturaleza de los semiconductores y destacamos los
siguientes hechos importantes.
En los semiconductores, los niveles de energa de los electrones caen en bandas
permitidas separadas por bandas prohibidas.
En cualquier semiconductor, a una temperatura dada, algunos enlaces atmicos se
rompen y dan lugar a la aparicin de dos especies de portadores de carga mviles:
electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia. Las
concentraciones de estos electrones y huecos generados trmicamente son iguales
puesto que se producen de a pares.
Existen impurezas llamadas donadoras y aceptoras las que cuando se incorporan a la
red del semiconductor desequilibran el balance entre electrones y huecos agregando
electrones a la banda de conduccin o huecos a la banda de valencia, dando lugar a los
materiales llamados Tipo N y Tipo P. Los donadores y aceptores son inmviles y poseen
carga negativa y positiva respectivamente.

Introduccin
Aunque los hechos descriptos se han desarrollado para semiconductores homogneos,
tambin resultan ciertos para materiales no uniformes, es decir inhomogneos.
Dado que en el equilibrio, la temperatura debe ser constante en toda la muestra
semiconductora, la no-uniformidad a la que nos referimos es en su composicin.
Si, particularmente, nos restringimos a sistemas que estn compuestos solamente por un tipo
de semiconductor, es decir Si o Ge pero no mezclas de ellos, entonces la nica variable
restante es el nivel de dopado.
Existen dispositivos que tienen dos o ms tipos de semiconductores. Por ejemplo, se
podra depositar una capa de GaAs (Arseniuro de Galio) sobre un cristal de Ge y hacer un
dispositivo utilizando esta estructura compuesta. Tales dispositivos se denominan
heterojunturas y son muy importantes en los campos de la opto-electrnica y la ptica
integrada pero no se discutirn en este curso. De hecho, las heterojunturas dan lugar a un
grado de libertad adicional en el diseo de dispositivos ya que el ancho de la banda
prohibida puede variar con la posicin.

Introduccin
Entonces, cuando hablemos de un semiconductor no uniforme, estaremos refirindonos a un
semiconductor en el que las concentraciones de donadores y aceptores son funcin de la posicin.
En particular, independientemente de cualquier variacin de ND o NA la magnitud del salto de energa
Eg ser constante, sin importar la posicin en el material.
Esto es as porque el salto de energa entre bandas es una
propiedad fundamental del semiconductor y no cambia con la
concentracin del dopado.
Si permitimos que Nd y Na sean funcin de la posicin, es claro
que tambin n y p lo sern y los gradientes resultantes darn
lugar a corrientes de difusin, como se discuti en el Captulo III.
Antes de lanzarnos a la resolucin del problema matemtico es
til pensar simplemente acerca de esto e intentar comprender qu
deberamos esperar.
Supongamos, por ejemplo que tenemos una barra de semiconductor en la cual la concentracin de
donadores vara de un extremo a otro de una manera gradual, como se muestra en la Figura 1.

Introduccin
Ya que los coeficientes de difusin atmicos son muy pequeos a temperatura ambiente, el gradiente de
concentracin en ND no dar lugar a una difusin significativa de los tomos donadores. Esto es lo que
queremos decir cuando afirmamos que los donadores estn inmviles.
Pero ya que tenemos un gradiente de concentracin de electrones y
esto dar lugar a una difusin de electrones desde la izquierda a la
derecha (suponemos que ND >> ni y entonces podemos ignorar los
huecos).
Es en este punto en que la aplastante importancia del hecho de tener
portadores mviles e inmviles de carga se hace claro.
Adems
dejan
atrs
algunos
donadores cargados positivamente,
inmviles.
A medida que los electrones se
difunden hacia la derecha, entran a
una regin de bajo Nd y alteran la
neutralidad de cargas en esa regin
(hacindola ms negativa).
As la difusin conduce a la separacin de cargas y a la aparicin de un campo elctrico interno que est
orientado en forma tal que se opone a posteriores difusiones. Eventualmente este campo crecer hasta el
punto donde mover electrones de la derecha hacia la izquierda (por conduccin o arrastre) tan
rpidamente como se mueven de izquierda a derecha por difusin. Esto lo podemos observar en la Figura
2. De esta forma cuando se ha establecido el equilibrio no habr corriente neta en ninguna direccin.

B - La Funcin de Fermi
Dado cualquier sistema de niveles de energa electrnicos que contenga N electrones, una
pregunta muy importante es: Cmo estn distribuidos los electrones sobre los niveles permitidos,
si el sistema est en equilibrio termodinmico a la temperatura T?. Para T=0 esta es una pregunta
muy fcil de contestar.
Cada nivel permitido puede contener solamente hasta dos electrones y la configuracin de equilibrio
ser la de menor energa. De esta forma los niveles ms bajos se llenarn y todos los niveles ms
altos estarn vacos (obviamente, si N es impar el ms alto nivel ocupado ser llenado solamente
hasta la mitad).
Esto es as si consideramos que los niveles de energas permitidos forman un Contenedor y los
electrones forman un Fluido que llena este contenedor hasta un nivel distintivo llamado Energa
Fermi.
A T=0 todos los niveles de energas permitidos por debajo de Ef se
llenan y todos los niveles de energa por encima de Ef estn vacos.
Sin embargo, a medida que la temperatura aumenta, la energa
trmica puede llevar a algunos electrones con energas cercanas a Ef
a cruzar la barrera de Ef de manera que algunos niveles por encima
de Ef sean temporariamente ocupados mientras que algunos niveles
por debajo de Ef quedan vacos.
Puesto que este proceso es dinmico, con electrones saltando
continuamente a niveles superiores a Ef para caer luego a los
respectivos niveles inferiores solamente podemos hablar de la
ocupacin promedio o La Probabilidad de Ocupacin para un

B - La funcin de Fermi
Utilizando los mtodos de la Mecnica Estadstica, Fermi demostr que a una temperatura T, la probabilidad
de ocupacin para un nivel de energa, a la energa E, viene dada por:

f (E)

1
1 e

EE f
KT

(1)

El comportamiento de esta funcin es muy sencillo:

A muy bajas temperaturas, cerca del cero absoluto, el exponente en el denominador es un nmero negativo
muy grande o un numero positivo muy grande, dependiendo de si o si .
Si , cualquier nivel de energa o energa E es casi seguro que ser ocupado.
Si , cualquier nivel de energa o energa E se casi seguro que estar vacante.
Recordemos que es una probabilidad de ocupacin; significa
que el nivel definitivamente estar ocupado por un electrn y
implica que el nivel definitivamente no estar ocupado por un
electrn.
De este modo, cuando E pasa por el valor de , cae muy
abruptamente de 1 a 0.
A altas temperaturas ocurre la misma cada, pero es ms gradual
tal como se observa en la Figura 4.
Notemos tambin que a cualquier temperatura cuando .
Figura 4: El comportamiento de F(E)
con la temperatura

B - La funcin de Fermi
Podemos plantear ahora una definicin de la Energa Fermi:

La Energa Fermi es la energa a la cual un nivel de energa electrnico permitido,

tendra una probabilidad de ocupacin de .
El que un nivel de energa permitido est realmente ubicado o no en depende del sistema en
cuestin.
Para ilustrar esto, consideremos una vista ampliada de la regin de la Figura 3, cercana a como se
muestra en la Figura 5.

A T=0 los niveles E1 y E2 estn totalmente ocupados, entonces: . Los niveles E3 y E4 estn
totalmente vacos de manera que .
Claramente se observa que la energa Fermi debera ubicarse entre
E2 y E3 y, de hecho, por simetra, deber situarse exactamente a
mitad de camino entre ambas energas, como se ve en la Fig.: 5.
As pues, en este caso, Ef se ubica en una energa que no coincide
con ningn nivel de energa permitido del sistema.
Si le agregramos un electrn ms al sistema, el nivel 3 se llenara a
medias y tendramos, entonces, una Ef = E3.

B - La funcin de Fermi
A temperaturas por encima del cero absoluto no es posible, en general, determinar la posicin
exacta de Ef por razonamientos cualitativos solamente, ya que Ef es funcin de la
temperatura (sumado esto al hecho de ser una funcin del particular esquema de niveles de
energa y del nmero de electrones del sistema).
Independientemente de eso, siempre hay una nica posicin para Ef, y en el caso de la mayor
parte de los semiconductores esta posicin siempre puede ser obtenida por la aplicacin de
la condicin de neutralidad de cargas. Ms adelante, en la seccin D, discutiremos esto con
ms detalle.
Ya que la nos da la probabilidad que un nivel de energa permitido, E, est ocupado; nos
dar la probabilidad de que ese nivel No est ocupado. De esta manera podemos decir que
es la probabilidad de que un nivel de energa, E, contenga un hueco.
Ejercicio: Haga un boceto de en funcin de la energa, E, para varios valores de T, tal y
como se hizo para en la Figura 4.

C - La Distribucin de
niveles
de energa permitidos en
bandas
Resulta que la mayora de los niveles de energa permitidos se sitan cerca del medio de las bandas y slo
unos pocos cerca de los extremos superior e inferior. Esto lo podemos ver esquematizado en la Figura 6.
De modo que si nos preguntamos cuntos niveles permitidos se encuentran en el intervalo de energa dE, a
una energa E, encontramos que el nmero es cero fuera de las bandas permitidas, pequeo cerca de los
extremos de una banda y grande cerca del medio de la banda. Para hacer esto ms concreto introduciremos
un concepto muy til: La Funcin de Densidad de Estados
Sea g(E) el nmero de niveles de energa permitidos por unidad
de volumen y por unidad de energa, a una energa E.
Basados en nuestra discusin anterior , g(E) debe verse
cualitativamente como se observa en la Figura 7. Ntese que
como fue definida, g(E) es una densidad en dos sentidos: Es un
Nmero por Unidad de Volumen y por Unidad de Energa.
As, por ejemplo, el nmero total de estados permitidos por
unidad de volumen entre las energas E y E+dE es: g(E)dE.
Normalmente trataremos solamente con electrones cerca del
fondo de la banda de conduccin y con huecos situados cerca
de la parte superior de la banda de valencia.

C - La Distribucin de
niveles
de energa permitidos en
bandas
Entonces, la forma exacta de g(E) en inmediaciones del centro
de la banda no nos interesa y podremos dibujar las partes
relevantes de g(E) para un semiconductor como se muestra
en la Fig.: 8.
La razn para esta simplificacin se har clara en la prxima
seccin. En general gc(E) y gv(E) tienen la misma forma pero
tamaos levemente diferentes. Ya que estas pequeas
diferencias no sern importantes para nuestros fines las
tomaremos como idnticas (imgenes especulares).

Figura 8: Bandas de energa y densidad

de estados para un semiconductor.

D - Estadstica de portadores y la
posicin de Ef.
Vamos a reconsiderar el tema de la estadstica del semiconductor a la luz del nuevo material introducido en
las dos ltimas secciones.
Consideremos primero un semiconductor intrnseco a la temperatura T. Sabemos que habr
concentraciones de electrones (n) en la banda de conduccin y de huecos (p) en la banda de valencia y que
n = p = ni(T).
De las definiciones de f(E) y gc(E) podemos escribir que:

g E f E dE
c

Ec

(2)

para la concentracin de electrones. (El motivo de que usemos como lmite superior en la integracin es
debido a que f(E) cae muy rpidamente a cero para E>>Ef. Esto lo aclararemos en breve).
Ev
Similarmente para la concentracin de huecos podemos escribir:

g E 1 f E
v

dE

Para evaluar estas ecuaciones, debemos conocer (adems de las formas de g c(E) y gv(E)), la posicin de Ef,
ya que este valor se utiliza en f(E).
La posicin de f(E) puede determinarse notando que cualesquiera que sean los valores de n y p, ellos son

D - Estadstica de portadores y la
posicin de Ef.
Entonces tenemos la condicin de neutralidad de cargas:
Ev

g E f E dE g E 1 f E
c

Ec

dE

(4)

Dadas gc(E) y gv(E) y la temperatura T, queda solamente un solo valor desconocido en la Ecuacin 4: la
energa Fermi, Ef. Suponiendo que se puedan efectuar todas las integraciones, podemos entonces resolver
para el nico valor de Ef que satisface la ecuacin 5.4.
En vez de dar ecuaciones explcitas para gc(E) y gv(E) y hacer las integraciones directamente, podemos
hacerlas grficamente, ya que el mtodo grfico proporciona mayor penetracin intuitiva al problema.
La ecuacin 5.2 nos dice que para calcular n deberamos multiplicar la curva gc(E) por la curva f(E) y luego
calcular el rea bajo la curva resultante de ese producto.
Similarmente para p debemos multiplicar gv por 1-f(E) y calcular el rea debajo de esta curva producto. La
ecuacin 5.4 tambin nos dice que las reas bajo estas curvas deben ser iguales.
Si decimos que gc(E) y gv(E) tienen la misma forma y magnitud y si tenemos en cuenta que f(E) y 1-f(E) son
simtricas respecto de Ef entonces solamente pueden ser iguales si Ef est en el centro de la banda
prohibida. Esto lo ilustramos en la Figura 9.

D - Estadstica de portadores y la
posicin de Ef.
Notemos que para los efectos de la ilustracin, la curva de f(E) ha sido rotada para que los ejes de las
escalas de energas coincidan en el sentido vertical. Esto demostrar ser muy conveniente a travs del
resto del curso.
Tambin se ve ms claro en esta figura el hecho de porqu usamos como lmite de integracin de la
ecuacin (5.2). f(E) tiende a cero muy rpidamente en inmediaciones de Ec entonces, el producto del
integrando tambin tiende a cero.
Por lo tanto, si el integrando es cero, resulta irrelevante el lmite superior de integracin. Un comentario
anlogo se puede hacer respecto del lmite inferior que se toma como - para la ecuacin (3).

D - Estadstica de portadores y la
posicin de Ef.
La Fig. 9 ha sido dibujada para una temperatura en particular. Y podemos, ahora, utilizar la Fig. 4 para
visualizar lo que ocurre a temperaturas mayores o menores.
En primer lugar, Ef se mantiene en el centro de la banda prohibida para mantener iguales las reas de n y p.
Pero las magnitudes de estas reas se vern radicalmente afectadas. Si T disminuye, por ejemplo, las partes
de f(E) y 1-(f(E) que se superponen en las bandas de conduccin y de valencia, se harn mucho ms
pequeas (exponencialmente ms pequeas ver el problema 2) y n y p debern reducirse.
De igual modo, cuando T aumente n y p debern aumentar. Esto se explica por la dependencia exponencial
de ni con la temperatura, establecida en la Ecuacin 7 del Captulo 2.
Eg

ni Ne 2 kT

Ecuacin 7

D - Estadstica de portadores y la
posicin de Ef.
Si el material extrnseco es levemente tipo n entonces Ef estar apenas por encima de Efi. Si, en cambio, es
fuertemente tipo n, Ef estar muy cerca del borde de la banda de conduccin. Un razonamiento anlogo se
plantea para los materiales semiconductores extrnsecos tipo p, tal como se muestra en la Figura 11.

Por supuesto, no estamos en libertad de mover simplemente la Energa de Fermi como nos plazca. Para
cualquier sistema, dado, en equilibrio la Energa de Fermi tiene una posicin definida, que no es ajustable.
Debemos, por lo tanto demostrar que es razonable y consistente decir que Ef estar por encima de Ef i para
semiconductores tipo n y se ubicar por debajo de Efi para semiconductores tipo p.

D - Estadstica de portadores y la posicin de E f.

Para hacer esto recordemos que un material tipo n o p se obtiene mediante su dopado con una
predominancia de donadores o aceptores. Vimos en el Captulo II que los donadores proporcionan niveles de
energas permitidos adicionales en la banda prohibida, justo por debajo del borde de la banda de conduccin.
A T 0 estos niveles estn completos con electrones (la energa trmica es insuficiente para separar estos
electrones libres de los tomos donadores y causa que ellos sean donados a la banda de conduccin.
Puesto que Ef est, por definicin, a mitad de camino entre el estado lleno ms alto y el estado vaco ms
bajo, deber ubicarse entre los niveles de donadores y el borde de la banda de conduccin a bajas
temperaturas.
Ejercicio: Repase la naturaleza de los niveles aceptores en el Captulo II y presente un argumento para la
conclusin de que Ef debe estar cerca del borde de la banda de valencia a bajas temperaturas, para
materiales tipo p.
Podemos plantear las siguientes conclusiones:
1) Existe una relacin biunvoca entre la posicin de Ef y la concentracin de portadores n y p.
2) Ef quedar ms cerca del borde de la banda de conduccin cuanto ms grande se haga n y ms pequeo
p.
3) Ef quedar ms cerca del borde de la banda de valencia cuanto ms grande se haga p y ms pequeo n.
4) en un material intrnseco n = p = ni2 y Ef queda en el medio de la banda prohibida y se denota por Efi. An
en materiales extrnsecos podemos utilizar Efi como un nivel de referencia demarcando la mitad de la banda
prohibida.

E - Campos internos y Potenciales.

1 - Potencial Electrosttico, Energa Potencial y Diagramas de Bandas:
El Potencial Electrosttico, (x) en un punto x se define como el trabajo por unidad de carga necesario
para mover una carga de prueba positiva desde el hasta el punto x.
As, si consideramos una barra con un extremo cargado positivamente y el otro con carga negativa, el
potencial electrosttico cerca del extremo positivo es, sin ninguna ambigedad, mayor que el del extremo
negativo.
El Campo Elctrico, es una magnitud vectorial relacionada con (x) por:

r
E x x

(5.5)

d x
dx

(5.6)

o para el problema unidimensional:

E x

Cuando una partcula cargada con carga q se encuentra en un campo elctrico, acta sobre ella una
fuerza dada por:
r
qE x
Para cargas
r
(5.7)
F x
r
positivas
Para cargas negativas
qE x

E - Campos internos y Potenciales.

Esta fuerza, a su vez, est relacionada con la energa potencial de la partcula, E(x), por:
o, para el caso unidimensional:

r
r
F x E x
F x

(5.8)

dE x
dx

(5.9)

Claramente se ve que para una partcula cargada situada en un campo elctrico existe una estrecha
interrelacin entre la energa potencial y el potencial electrosttico. Combinando las ecuaciones (5.6),
(5.7) y (5.9) nos queda:

E x q x K
E x q x K

Para cargas positivas

Para cargas negativas

(5.10)

donde K es simplemente una constante de integracin que nos da cuenta del hecho de que podemos
mover libremente el nivel cero desde donde medimos E o mediante un factor constante. Este
corrimiento del cero no nos cambia la forma de las curvas, solamente mueve el nivel cero.
Las relaciones y definiciones expuestas deberan serle familiares, por lo estudiado en Fsica General, y
solamente las exponemos por conveniencia.

E - Campos internos y Potenciales.

Demostraremos, ahora, cmo estas ideas se relacionen con los diagramas de bandas de
energa en los semiconductores.
La Figura 12 nos muestra nuestro diagrama de bandas de energa estndar.
Recordemos que este diagrama nos muestra los niveles de energa electrnicos permitidos,
como una funcin de su posicin en el cristal.
Cuando se aumenta la energa total de un electrn, este se mueve hacia arriba en el diagrama
de bandas de energa. Un electrn situado en el fondo de la banda de conduccin est sin
movimiento y su energa es, por lo tanto, energa potencial.
Por lo tanto la energa potencial de electrones de la banda de conduccin est indicada
por el borde inferior de la banda E c(x).
Cuando un electrn est ms arriba en la banda de conduccin (como por ejemplo cuando se
le est dando algo de energa mediante un campo elctrico aplicado y est por lo tanto
participando de la conduccin) Tiene, adems, algo de energa cintica agregada a su energa
potencial.
Similarmente un hueco en la parte superior de la banda de valencia no tiene movimiento y la
energa potencial del hueco viene dada por Ev(x).
La energa de los huecos se incrementa hacia abajo en el diagrama de bandas de energa
electrnica.
Consideremos ahora qu ocurrira si un campo elctrico fuese aplicado en la direccin +x (es
decir: con el extremo derecho del cristal ms negativo que el extremo izquierdo). La Fig. 13 nos
muestra el campo elctrico resultante , el potencial (x) y la energa potencial E(x) para
electrones.
Ejercicio: Verifique la Fig. 13 detalladamente utilizando las ecuaciones (5.6) y (5.10).
Convnzase usted mismo que el diagrama es cualitativamente razonable en todos los
aspectos.

E - Campos internos y Potenciales.

A la luz de nuestra discusin sobre el significado del diagrama de bandas de energa,
nos es fcil, ahora, dibujar un diagrama de bandas para la muestra polarizada de la
Fig. 13.
Ya que el fondo de la banda de conduccin es la energa potencial electrnica, la Fig.
13 nos dice que la banda de conduccin tiene una pendiente hacia arriba. Adems ya
que Eg debe ser igual en cualquier parte del cristal y que Efi est siempre a mitad de
camino, estas curvas deben seguir la pendiente de la banda de conduccin. Por lo
tanto el diagrama de bandas de energas queda como se observa en la Figura 14.
Podemos describir los resultados mostrados en la Figura 14 diciendo que el campo
elctrico ha causado que se curven las bandas de energa (en este caso la curvatura es
de pendiente constante). Siempre que est presente un campo elctrico en el
semiconductor se producir la curvatura de las bandas de energa. Inversamente:
siempre que las bandas estn curvadas podemos afirmar que se halla presente un
campo elctrico (ver Nota) y su magnitud y direccin son calculables directamente de
Ec(x):

r
1
E x x Ec x
q

(5.11)

(5.10)
Figura 14: Diagrama de Bandas
de Energas ara la muestra
polarizada de la Figura 13

o, en una dimensin:

E x

1 dEc x
q dx

(5.12)

Ya que Ev(x) y Efi(x) tienen las mismas formas que Ec(x) (es decir: solamente difieren
de Ec(x) en una constante) podramos sustituir Ec(x) con cualquiera de ellas en la
Ecuacin (5-2) y obtendramos el campo .

Nota: Los campos magnticos y gravitacionales

tambin pueden alterar las energas potenciales
de los electrones y causar el curvado de las
bandas, pero estos efectos son muy pequeos
(por varios rdenes de magnitud) comparados
con los efectos de los campos elctricos y
directamente los ignoraremos en este curso.

E - Campos internos y Potenciales.

Consideremos, ahora el problema planteado en la Seccin A, e ilustrado en la Figura 1: Una barra de
semiconductor con una concentracin no uniforme de donadores que disminuye de izquierda a derecha. Se
vio en la seccin A que el dopado no uniforme produce un campo elctrico interno en la direccin de las x
positivas.
Por ahora debera estar claro que el diagrama de bandas correspondiente a la muestra de las Figuras 1 y 2
debiera ser cualitativamente el mismo que el que se mostr en la Figura 14. La nica diferencia es que la
curvatura podra no ser lineal (y eso depende del perfil de dopado Nd(x)) y la curvatura total mxima no ser
qVB puesto que no hay batera externa.
En vez de ese valor, ser donde corresponde a un potencial interno determinado por el cambio total del
dopado entre los extremos de la barra.
En la Seccin E-3 desarrollaremos las herramientas necesarias para calcular el valor de

2 La constancia de Ef en el equilibrio

En la Seccin B se introdujo el concepto de Energa Fermi, Ef, y en la Seccin D

mostramos cmo la posicin de Ef, relativa a los extremos de bandas determina las
concentraciones relativas de electrones y huecos.
En esta seccin mostraremos que para cualquier sistema en equilibrio, la
energa Fermi es constante (es decir independiente de la posicin) en todo el
sistema.
Esta es una propiedad muy potente e importante de la energa Fermi y ser
fundamental para todo nuestro trabajo en el resto del curso.

Consideremos primero los diagramas de bandas de energa para dos metales

diferentes (digamos cobre y aluminio) los que inicialmente estn separados, luego
se los pone en contacto y se permite llegar a un equilibrio de uno con el otro.
Recordemos del Captulo II que la estructura de bandas de un metal es como se
muestra en la Figura 15 (ver Figura 12(b) del Captulo II). En general las energas
Fermi de metales diferentes se sitan a diferentes alturas.
Sin embargo hay algunos niveles sin llenar en el metal B que estn por debajo de
algunos de los niveles llenos del metal A. Cuando los dos metales son puestos en
contacto no hay nada que impida que algunos electrones en A difundan a travs del
contacto y caigan en los niveles sin llenar de B ms bajos. De hecho, esto es
precisamente lo que ocurre, como se muestra en la Figura 16.
Pero notemos que los metales A y B eran elctricamente neutros antes del contacto. Sin embargo cuando los
electrones fluyen de A hacia B hacen que B se cargue negativamente con respecto de A.
Queda claro que esto nos dice que el potencial electrosttico de B es menor que el de A y en consecuencia las
energas potenciales de los electrones en B son mas elevadas que en A.

E - Campos internos y Potenciales.

Por cada electrn que se transfiere desde A hacia B el diagrama de bandas de B
se desplaza hacia arriba, en direccin al de A. Claramente, el proceso de
transferencia continuar hasta que no haya ninguna diferencia entre los niveles
de Fermi en ambos lados y Ef(A)=Ef(B)=Ef Tal y como se observa en la Figura
17.
De esta manera, la nica configuracin estable (la configuracin de equilibrio) es
aquella en la que Ef es constante en todo el sistema. Notemos que en el
equilibrio existe una diferencia entre las posiciones de los extremos de banda y
esto es porque hay una diferencia de energa potencial y una diferencia de
potencial electrosttico entre A y B.

Si llamamos Vbi a la diferencia de potencial electrosttica para tensiones internas, la diferencia de energa
potencial ser: qVbi. En el caso de los metales, se denomina comnmente a V bi Potencial de Contacto.
Cuando dos materiales dismiles son puestos en contacto, una vez establecido el equilibrio aparece un
potencial de contacto entre ambos materiales.
Este proceso se realiza de manera muy similar al ponerse en contacto dos piezas de semiconductores, un
semiconductor y un metal, un semiconductor y un aislador, etc. Todos estos casos se ilustrarn
adecuadamente durante este curso.

E - Campos internos y Potenciales.

Ahora daremos simplemente un ejemplo ms y es el del contacto de dos
semiconductores de tipo n.
La Figura 18 nos muestra el diagrama de bandas para dos muestras
semiconductoras tipo n llamadas A y B, se reconoce inmediatamente que la
muestra A est ms fuertemente dopada que la B puesto que Ef est ms cerca
de la banda de conduccin en A que en B. Claramente se ve que ambas piezas
estn hechas con el mismo tipo de semiconductor ya que la banda prohibida Eg
tiene el mismo ancho en ambos casos. Como A est ms dopado que B, tiene
una mayor concentracin de electrones y por lo tanto, cuando se pongan en
contacto A con B se producir un flujo de electrones de A a B. Esto causar que
B se cargue ms negativamente en las cercanas de la interfase y quedarn
algunos donadores positivos no neutralizados en A, tambin en inmediaciones
de la interfase. Como ocurri en nuestro primer caso, aqu tambin las bandas
de B se desplazarn hacia arriba respecto de las de A hasta que se equilibren
las energas Fermi lo que se puede ver como resultado final en la Figura 19.
En este caso hay una regin de transicin cercana a la interfase que requiere
un poco ms de explicacin. Los electrones que se transfieren hacia B son
atrados por los donadores positivos que quedaron en A y entonces
permanecen en las cercanas de la interfase. Entonces el exceso de cargas
negativas en B se ubica muy cerca de la interfase de manera que el total de B
permanece elctricamente neutro. Similarmente los donadores no neutralizados
de A se ubican muy cerca de la interfase, de manera que el resto de A mantiene
la neutralidad de cargas. De esto resulta una pequea regin de carga espacial
positiva en A y una pequea regin de carga espacial negativa en B, como se
ve en la figura 20. Luego, en el Captulo 6, consideraremos detalladamente
esta regin de carga espacial.

E - Campos internos y Potenciales.

Aqu, es suficiente, ahora, notar que la forma de las bandas en la zona de
transicin y el ancho de la regin de carga espacial dependen
exclusivamente de los niveles de dopado de A y B. Notemos, adems,
que se establece un campo elctrico en la regin de carga espacial y
podemos ver esto de dos maneras: Claramente la separacin de las
cargas mostrada en la Figura 20 origina un campo elctrico en la
direccin positiva de las x dentro de la regin de carga espacial y ningn
campo fuera de esta regin. Podramos haber deducido lo mismo
analizando la Ecuacin (5-12) y la Figura 19. (Convnzase usted mismo
de que esto es verdad !!!).
Una consideracin final respecto de los campos y potenciales internos: Hemos visto que en el equilibrio
aparece una diferencia de potencial en la regin de la interfase entre dos materiales dismiles. Esto no quiere
decir que hayamos descubierto lo ltimo en bateras de estado slido y adems baratas.
El potencial interno es la forma automtica y de magnitud exacta para reducir a cero la corriente neta a travs
de la interfase. Mientras el sistema permanezca en equilibrio el nivel Fermi se mantendr constante y no
circular corriente neta. Evidentemente necesitamos una diferencia de niveles Fermi para extraer corriente y
por lo tanto efectuar un trabajo til. Lo nico que nos podra proveer de esta diferencia sera alguna especie
de generador interno o externo (una reaccin qumica en una batera, por ejemplo, o portadores libres
fotogenerados, como en una celda solar) que debera suministrar los nuevos portadores y mantener as la
corriente. Cualquier generador de ese tipo causara una diferencia de E f en la interfase y en consecuencia una
desviacin de la condicin de equilibrio. Cualquier batera u otra fuente de energa es inherentemente un
dispositivo en desequilibrio. Veremos ms adelante que si intentamos conectar un voltmetro entre los
extremos de la juntura para medir la diferencia de potencial V bi veremos que el instrumento marca cero!!!.
Como el nivel Fermi es constante, no existe fuerza motriz que haga que los electrones fluyan por el
instrumento de medicin y entonces no se mide nada. De manera que una vez alcanzado el equilibrio no es
posible medir Vbi con un voltmetro comn. Esto no quiere decir que esa diferencia de potencial interna sea
imposible de medir.

Apuntes de clases tericas Tema 5.

Gray and Searle pgs. 103 a 105.
Talley and Daugherty pgs. 130 150.
Adler Smith and Longini pgs. 130-138.

Gracias por la atencin.

FIN