Sensores de Imagens

UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA
Faculdade de Cincias e Tecnologia
Lus Miguel Tavares Fernandes
Sensores de Imagem de Grande rea em Tecnologia de

Silcio Amorfo
Dissertao apresentada para a obteno do

grau de Doutor em Cincia e Engenharia dos
Materiais, especialidade Microelectrnica e
Optoelectrnica pela Universidade Nova de
Lisboa, Faculdade de Cincias e Tecnologia
Lisboa 2009
N de arquivo:
Copyright:
Agradecimentos
Este trabalho s foi possvel graas colaborao de diversas pessoas, prestada de diferentes
modos. Como tal no podia deixar de agradecer a todas as pessoas que directa ou
indirectamente contriburam e participaram neste esforo. Comeo assim por agradecer aos
meus orientadores Dr. Rodrigo Martins e Dra. Manuela Vieira o facto de aceitarem a
orientao deste trabalho. Dra. Manuela Vieira devo um especial reconhecimento pelo
esforo empregue na criao de um grupo de investigao no ISEL, praticamente a partir do
zero, permitindo assim a realizao de diversos trabalhos de investigao, entre os quais este
que aqui apresentado. Ao Dr. Yuriy Vygranenko tenho a agradecer todas as discusses
bastante proveitosas sobre tpicos deste trabalho, bem como o fabrico de algumas das
estruturas utilizadas. Ao Dr. Carlos Nunes de Carvalho e ao Dr. Guilherme Lavareda tenho
tambm a agradecer a disponibilidade para o fabrico de diversas estruturas que permitiram a
optimizao dos dispositivos. A todos os meus colegas do ISEL, pelo seu apoio em geral,
nomeadamente Dra. Paula Louro pela colaborao na obteno de diversas medidas de
caracterizao das amostras.
Por fim, mas nunca em ltimo, tenho a agradecer Andreia toda a pacincia e apoio
durante todo este tempo.
II
Sumrio
Este trabalho apresenta os resultados da investigao e desenvolvimento de um novo tipo de
sensor de imagem de grande rea em tecnologia de silcio amorfo. Este tipo de sensor
apresenta um princpio de funcionamento completamente diferente dos sensores de estado
slido comuns. O endereamento elctrico dos pixels substitudo por um endereamento
ptico recorrendo a um feixe de luz de baixa intensidade. A geometria do sensor
simplificada, consistindo numa nica estrutura p-i-n de grande rea com contactos elctricos
transparentes. O princpio de funcionamento resume-se medida da fotocorrente gerada por
um feixe de luz de baixa intensidade enquanto este varre a superfcie activa do sensor. Esta
fotocorrente contm informao sobre as condies locais de iluminao pelo que ao
represent-la sob a forma de uma matriz de pontos, mapeada superfcie do sensor, obtm-se
a imagem projectada sobre esta.
So apresentadas duas abordagens para o sistema de endereamento ptico, e duas tcnicas
diferentes de aquisio de sinal, privilegiando a velocidade de aquisio ou a sensibilidade
dos sistema sensor.
Os trabalhos efectuados, com o intuito de optimizar caractersticas especificas do sensor,
conduziram ao desenvolvimento e caracterizao de diferentes estruturas. Alm da estrutura
p-i-n simples so tambm apresentados os resultados relativos a estruturas empilhadas com ou
sem blindagem ptica para sensores a cores ou preto e branco respectivamente.
III
Abstract
This work presents the results of the research and development of a new type of large area
image sensor in amorphous silicon technology. This type of sensor presents a working
principle completely different from the common solid state sensors. The electric addressing of
pixels is replaced by an optical addressing using a low intensity light beam. The geometry of
the sensor is simplified, consisting of a single large area p-i-n structure with transparent
electric contacts. The working principle can be summarized by the measurement of the
photocurrent generated by a low intensity light beam while it sweeps the active area of the
sensor in raster mode. This photocurrent carries information about the local illumination
conditions thus, plotting its values in a matrix mapped to the active area of the sensor, one
obtains the image projected on it.
Two approaches for optical scanning system and two different techniques of acquisition of the
signal are presented, privileging the speed of acquisition or the sensitivity of the sensory
system. The work carried out, in order to optimize the performance of the sensor, had lead to
the development and characterization of different structures. Beyond simple p-i-n structure,
results are also presented for stacked structures with or without an intermediate optical shield
working as colour or black and white sensors respectively.
IV
Rsum
Ce travail prsente les rsultats de la recherche et dveloppement d'un nouveau type de
capteur de image de grand surface en technologie de silicium amorphe. Ce type de capteur
prsente un principe de fonctionnement compltement diffrent des capteurs semiconducteur communes. L'adressage lectrique des Pixel est remplac par un adressage optique
utilisant un faisceau lumineux d'intensit rduite. La gomtrie du senseur est simplifie, se
composant d'une structure simple du tipe p-i-n de grand surface avec des contacts lectriques
transparents. Le principe de fonctionnement peut tre rcapitul par la mesure de la
photocourant produit par un faisceau lumineux d'intensit rduite tandis qu'il balaye le secteur
actif de la sonde en mode de trame. Ce photocourant porte des informations sur les conditions
d'illumination locale ainsi, traant ses valeurs dans une matrice correspondant a la surface
actif du capteur, une obtient l'image projete l-dessus.
Deux approches pour le systme de balayage optique et deux techniques diffrentes de
l'acquisition du signal sont prsentes, favorisant la vitesse de l'acquisition ou la sensibilit du
systme sensoriel. Les travaux mens bien, afin d'optimiser l'excution de le capteur, ont eu
conduit au dveloppement et la caractrisation de diffrentes structures. Au del de la
structure p-i-n simple, des rsultats sont galement prsents pour les structures empiles avec
ou sans une couche intermdiaire de occlusion optique en fonctionnant comme capteur a
couleur ou noire et blanche respectivement.
Lista de smbolos
A
rea
, cpm
Coeficiente de absoro
C, CJ
Capacidade
Dp, Dn
Coeficiente de difuso
d, l
Distncia
D*
Detectividade
Alcance dinmico
Permitividade elctrica
Eur
Energia de Urbach
E,EC,EV
Energia
EA, E
Energia de activao
EF, EFn, EFp
Energia de Fermi
Eop
Energia do hiato ptico
Frequncia
, 0, I ,L Fluxo de fotes
VI
Taxa de gerao
iac
Corrente
in
Corrente de rudo
Iph
Fotocorrente
j,jn,jp
Densidade de corrente
jph
Densidade de fotocorrente
jsc
Corrente de curto circuito
Coeficiente de extino
Comprimento de onda
Eficincia quntica
n, p
Mobilidade
Ln,Lp
Comprimento de difuso
ND
Densidade de defeitos
NC,NV,NL
Densidade de estados
p,n
Concentrao de portadores
Frequncia
Taxa de recombinao
RS,RP
Resistncia
Resistividade
Densidade de carga
Condutividade
Condutividade no escuro
ph
Condutividade sob iluminao
Temperatura
Transmitncia
t, t1, t2
Tempo
Reflectncia
V, VE, VF
Tenso aplicada
Voc
Tenso de circuito aberto
n,p
Tempo de vida dos portadores
Frequncia angular
x, y
Coordenada espacial
XC
Reactncia
Impedncia
Lista de constantes
Constante Descrio
Valor
Unidade
Permitividade do vazio
8.854187817 ....1012
F/m
Constante de Planck
6.6260755(40) 1034
Js
Constante de Boltzmann 1.380658(12) 1023
Carga elementar
1.60217733(49) 1019
J/K
C
Lista de acrnimos
AC
Corrente alternada
AM1.5
Air Mass 1.5
ASIC
Aplication Specific Integrated Circuit
BLDC
Brushless DC
CCD
Charge Coupled Device
CMOS
Complementary Metal Oxide Semiconductor

VII
CVD
Chemical Vapor Deposition
CPM
Constant Photocurrent Method
DC
Corrente contnua
DPSS
Diode Pumped Solid State
DLTS
Deep Level Transient Spectroscopy
FET
Field Effect Transistor
fr
frame rate
FWHM
Full Width at Half Maximum
FST
Flying Spot Technique
GPIB
General Purpose Interface Bus
IQE
Internal Quantum Efficiency
ITO
Indium Tin Oxide
PDS
Photothermal Deflection Spectroscopy
LBIC
Light Beam Induced Current
lsr
line scan rate
LSP
Laser Scanned Photodiode
MBP
Modulated Barrier Photodiode
MIS
Metal Insulator Semiconductor
NEP
Noise Equivalent Power
PC
Personal Computer
PET
Polyethylene terephthalate
PE-CVD
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
rms
Root Mean Square
RIE
Reactive Ion Etching
SCCM
Standard Cubic Centimeters per Minute
RS-232, RS-485
Ligao de comunicao srie com equipamentos
SMU
Source Measure Unit
TFT
Thin Film Transistor
TTL
Transistor Transistor Logic
VIII
ndice
1.
2.
3.
Conceitos gerais.................................................................................................................. 1
1.1.
Captao de imagem passado, presente e futuro ........................................................1
1.2.
A revoluo dos materiais semicondutores ................................................................6
1.3.
Silcio amorfo: passado, presente e futuro..................................................................7
1.4.
Motivao deste trabalho.......................................................................................... 11
1.5.
Referncias ............................................................................................................... 13
Estrutura p-i-n................................................................................................................... 15
2.1.
Introduo................................................................................................................. 15
2.2.
Silcio amorfo hidrogenado ...................................................................................... 16
2.3.
Fabrico dos sensores p-i-n ........................................................................................ 17
2.4.
Caractersticas do silcio amorfo .............................................................................. 21
2.5.
Absoro e gerao de portadores de carga..............................................................25
2.6.
Fotoconduo no silcio amorfo ...............................................................................33
2.7.
Modelao de sensores pticos de a-Si:H ................................................................ 35
2.8.
Caractersticas estacionrias dos sensores p-i-n ....................................................... 41
2.9.
Caractersticas transientes dos sensores p-i-n........................................................... 43
2.10.
Concluses............................................................................................................ 46
2.11.
Referncias ........................................................................................................... 47
Caracterizao de pelculas e dispositivos........................................................................ 53

3.1.
Introduo................................................................................................................. 53
3.2.
Caractersticas optoelectrnicas dos filmes.............................................................. 54
3.2.1.
Condutividade................................................................................................... 54
3.2.2.
Espectroscopia ptica de reflexo e transmisso..............................................56
3.2.3.
Mtodo da fotocorrente constante (CPM) ........................................................ 59
3.3.
4.
Caractersticas optolectrnicas dos dispositivos ...................................................... 63
3.3.1.
Caracterstica corrente-tenso .......................................................................... 64
3.3.2.
Resposta espectral ............................................................................................ 73
3.3.3.
Capacitncia ..................................................................................................... 81
3.3.4.
Modelo elctrico ............................................................................................... 86
3.4.
Concluses................................................................................................................ 89
3.5.
Referncias ............................................................................................................... 91
Sistema sensor LSP (Laser Scanned Photodiode)............................................................ 93

4.1.
Introduo................................................................................................................. 93
IX
4.2.
4.2.1.
Tcnica de varrimento lento............................................................................. 98
4.2.2.
Tcnica de varrimento rpido .......................................................................... 99
4.3.
5.
Sensor LSP............................................................................................................. 101
4.3.1.
Simulao....................................................................................................... 101
4.3.2.
Princpio de funcionamento do sensor do tipo LSP....................................... 108
4.3.3.
Modelo elctrico ............................................................................................ 111
4.3.4.
Influncia dos parmetros do feixe de prova ................................................. 114
4.3.5.
Parmetros do sensor ..................................................................................... 123
4.4.
Concluses ............................................................................................................. 133
4.5.
Referncias............................................................................................................. 135
Variantes de sensores do tipo LSP................................................................................. 137

5.1.
Introduo .............................................................................................................. 137
5.2.
Estruturas empilhadas com blindagem ptica........................................................ 138
5.2.1.
Estrutura ......................................................................................................... 138
5.2.2.
Princpio de operao..................................................................................... 139
5.2.3.
Resultados ...................................................................................................... 140
5.3.
Sensor LSP em substrato flexvel .......................................................................... 145
5.3.1.
Estrutura ......................................................................................................... 145
5.3.2.
5.3.3.
Resultados ...................................................................................................... 147
5.4.
CLSP (Colour Laser Scanned Photodiode)............................................................ 148
5.4.1.
Estrutura ......................................................................................................... 149
5.4.2.
5.4.3.
Resultados ...................................................................................................... 150
5.5.
D/CLSP (Double/Colour Laser Scanned Photodiode)........................................... 152
5.5.1.
Estrutura ......................................................................................................... 153
5.5.2.
5.5.3.
Resultados ...................................................................................................... 155
5.6.
Sistema varrimento laser (laser scanning) ............................................................... 94
Estruturas MIS (Metal Isolante Semicondutor) ..................................................... 160
5.6.1.
Estrutura ......................................................................................................... 161
5.6.2.
5.6.3.
Resultados ...................................................................................................... 162
5.7.
Trabalho em curso.................................................................................................. 163
5.8.
Concluses ............................................................................................................. 166
5.9.
6.
Referncias ............................................................................................................. 167
Concluses e perspectivas futuras .................................................................................. 171

6.1.
Concluses.............................................................................................................. 171
6.2.
Perspectivas futuras ................................................................................................ 182
{ RD "Captulo1-introduo.doc" \ff}
{ RD "Captulo2-pin.doc" \ff}
{ RD "Captulo3-Caracterizao.doc" \ff}
{ RD "Captulo4-LSP.doc" \f }
{ RD "Captulo5-variantes.doc" \f }
{ RD "Captulo6-Concluses.doc" \f }
XI
ndice de tabelas
Tabela 2.1 Parmetros de processo para o fabrico das pelculas de a-Si:H. ___________20
Tabela 2.2 Fluxos totais de gs utilizados para o fabrico das diferentes camadas. ______21
Tabela 3.1 Parmetros de deposio das estruturas p-i-n. _________________________54
Tabela 3.2 Propriedades optoelectrnicas das camadas individuais. _________________63
Tabela 3.3 Parmetros dos sensores extrados a partir das curvas J-V _______________67
Tabela 5.1 Caractersticas optoelectrnicas das camadas de semicondutor. __________146
Tabela 5.2 Caractersticas optoelectrnicas e composicionais das camadas intrnsecas. 154
XII
ndice de figuras
Figura 1.1 Esquema do sistema de Nipkow. _____________________________________ 2
Figura 1.2 Sensor de imagem do tipo vidicon (fonte: Encyclopaedia Britannica)________ 3
Figura 1.3 Sensores de imagem do tipo CCD e CMOS ____________________________ 5
Figura 1.4 Evoluo dos sensores de imagem. ___________________________________ 5
Figura 1.5 a) sensor de matriz activa, b) sensor do tipo Thin film on ASIC. _________ 9
Figura 1.6 Sensores de cor de 2 e 3 terminais do tipo estrutura empilhada em tecnologia de
silcio amorfo._________________________________________________________ 11
Figura 1.7 Imagens obtidas com diferentes geometrias de contactos, com o sensor
iluminado na parte central com padro rectangular. __________________________ 12
Figura 2.1 Representao esquematizada de um fotododo p-i-n. ___________________ 16
Figura 2.2 Esquema do reactor de PECVD utilizado para o fabrico das amostras utilizadas
neste trabalho. ________________________________________________________ 18
Figura 2.3 Vista esquemtica do sistema multicmara. ___________________________ 19
Figura 2.4 Esboo da estrutura do silcio amorfo mostrando ligaes incompletas e
passivadas com tomos de hidrognio. _____________________________________ 22
Figura 2.5 a) Distribuio da densidade de estados energticos no hiato; b) Representao
esquemtica da mobilidade dos portadores no silcio amorfo. ___________________ 24
Figura 2.6 Transies de electres entre estados por absoro de um foto com energia
(h). ________________________________________________________________ 27
Figura 2.7 Coeficiente de absoro para o silcio amorfo. ________________________ 29
Figura 2.8 Representao da penetrao da radiao num fotodiodo p-i-n para baixos (---)
e altos () comprimentos de onda. ________________________________________ 30
Figura 2.9 Profundidade de penetrao dos fotes num semicondutor em funo do seu
comprimento de onda. __________________________________________________ 31
Figura 2.10 Taxa de gerao ptica dependente da posio no silcio amorfo sobre
diferentes condies de iluminao monocromtica. A eficincia quntica foi
considerada unitria, =1. ______________________________________________ 32
Figura 2.11 Representao esquemtica a) de um fotododo p-i-n sob iluminao, b)
diagrama de bandas no caso de polarizao inversa, c) perfil do campo elctrico e d)
distribuio espacial do produto para electres (n) e lacunas (p). A tracejado
esboam-se as curvas reais no dodo estando representadas a cheio as aproximaes
usadas nos modelos analticos. ___________________________________________ 38
XIII
Figura 3.1 Condutividade no escuro para as diferentes camadas utilizadas em funo do

inverso da temperatura. __________________________________________________56
Figura 3.2 Espectro de transmisso para as pelculas de tipo p com e sem carbono._____57
Figura 3.3 Espectro de transmisso para as pelculas de tipo n com e sem carbono._____58
Figura 3.4 Diagrama de Tauc para pelculas de tipo p com e sem carbono e para
intrnsecas. ____________________________________________________________58
Figura 3.5 Diagrama de Tauc para pelculas de tipo n com sem carbono. _____________59
Figura 3.6 Espectro de absoro medido por CPM e por medida de transmisso (T) para
uma pelcula intrnseca.__________________________________________________61
uma pelcula de tipo p.___________________________________________________61
uma pelcula de tipo n.___________________________________________________62
Figura 3.9 Densidade de corrente no escuro em funo da tenso de polarizao para as
trs estruturas. _________________________________________________________65
Figura 3.10 Densidade de corrente em funo da tenso de polarizao para as trs
estruturas sob iluminao AM1.5. __________________________________________66
Figura 3.11 Diagrama de bandas de energia obtido por simulao para a homojuno e
para a heterojuno. ____________________________________________________68
Figura 3.12 Perfil da densidade de corrente de electres e de lacunas ao longo da
heterojuno em condies de iluminao AM1.5. _____________________________69
Figura 3.13 Caractersticas J-V para as estruturas #M006192 (homojuno) e #M006301
(heterojuno) e resultados da simulao nas condies de iluminao AM 1.5. _____69
Figura 3.14 a)Caracterstica J-V e b) dependncia da intensidade luminosa para a
estrutura #M006192. ____________________________________________________70
estrutura #M006301. ____________________________________________________71
Figura 3.16 a) Parmetro e b)derivada da densidade de corrente para a estrutura
#M006301. ____________________________________________________________71
estrutura #M007192. ____________________________________________________72
Figura 3.18 a) Parmetro e b) derivada da densidade de corrente para a estrutura
#M007192. ____________________________________________________________73
Figura 3.19 Esquema da montagem experimental para a determinao da resposta
espectral. _____________________________________________________________74
XIV
Figura 3.20 Resposta espectral em curto-circuito para as amostras em estudo. ________ 76

Figura 3.21 Resposta espectral em curto-circuito para as amostras em estudo para
diferentes fluxos luminosos da iluminao de fundo. a) homojuno, b) e c)
heterojuno. _________________________________________________________ 77
Figura 3.22 Resposta espectral em normalizada ao valor de curto-circuito para diferentes
tenses de polarizao, a) amostra #M006301, b) amostra #M007192 c) amostra
#M011101, d) amostra #M011102. ________________________________________ 79
Figura 3.23 Representao esquemtica da coleco de portadores com o aumento da
tenso de polarizao para um fotododo p-i-n para baixos () e altos comprimento de
onda (---). ____________________________________________________________ 79
Figura 3.24 Efeito combinado da polarizao elctrica e ptica na resposta espectral nos
dispositivos em estudo. a), b) e c) representam as curvas obtidas no escuro, com
iluminao de fundo verde e vermelha respectivamente.________________________ 80
Figura 3.25 Esquema elctrico do circuito utilizado para as medidas de capacidade em
funo da tenso aplicada._______________________________________________ 83
Figura 3.26 Capacidade em funo da tenso para a diferentes amostras no escuro. ___ 84
Figura 3.27 Capacidade em funo da tenso para a amostra #M006302 no escuro. ___ 84
Figura 3.28 Capacidade em funo da tenso para a amostra #M006302 sob diferentes
condies de iluminao. ________________________________________________ 85
Figura 3.29 Capacidade em funo da intensidade luminosa medida com a amostra em
curto-circuito. _________________________________________________________ 86
Figura 3.30 Caracterstica J-V experimental obtida sob diferentes condio de iluminao
com radiao de 450nm. ________________________________________________ 87
Figura 3.31 Modelo tpico para um fotododo.__________________________________ 87
Figura 3.32 a) Circuito equivalente do modelo macroscpico de dois dodos para uma
estrutura p-i-n com uma camada n de a-SiC:H fracamente dopada, b) Caractersticas IV tpicas para um fotododo tpico e para um MBP. ___________________________ 88
Figura 3.33 Caractersticas J-V experimental e simulada com o modelo sugerido. _____ 89
Figura 4.1 a) sistema de varrimento laser, b) efeito da projeco de um objecto (I) com um
sistema bidimensional do tipo indicado em a) atravs de uma lente F-Theta (II) e atravs
de uma lente normal. ___________________________________________________ 95
Figura 4.2 Lentes F-Theta para sistemas de deflexo laser em um eixo a) e dois eixos b). 96
Figura 4.3 Diagrama de blocos do sistema de teste e caracterizao dos dispositivos. __ 96
Figura 4.4 Fotografia da montagem utilizada para a tcnica de varrimento lento. _____ 98
Figura 4.5 a) Esquema do sistema de varrimento rpido, b) foto do sistema de teste. __ 100
XV
Figura 4.6 Exemplo de captura de imagem monocromtica, a) Imagem original, b) captura

com estrutura p-i-n e b) captura com estrutura p-i-n-p-i-n. _____________________101
Figura 4.7 Caractersticas J-V simuladas _____________________________________102
Figura 4.8 Densidade de corrente em curto-circuito (Jsc) e responsividade (R) do sensor em
funo da potncia ptica incidente. _______________________________________103
Figura 4.9 a) Dependncia da responsividade com a potncia ptica para heterojunes
com diferentes densidades de electres na camada n: (a) 1.2x107 cm-3 e (b) 5x108 cm-3;
b) resultado experimental. _______________________________________________103
Figura 4.10 a) Diagrama de bandas e b) perfil do campo elctrico para a juno e
heterojuno em curto-circuito obtidos por simulao. ________________________104
Figura 4.11 Concentrao de electres livres (n0, n) e lacunas (p0, p) numa homojuno a)
e numa heterojuno b) em equilbrio termodinmico e sob iluminao (1 mW/cm2)._105
Figura 4.12 Perfis da corrente de electres e lacunas na homojuno em curto-circuito. 106
Figura 4.13 Perfis da densidade de corrente de electres a), e lacunas b), na heterojuno
sob iluminao (1 mW/cm2). Componentes de deriva e difuso apresentadas
separadamente. _______________________________________________________106
Figura 4.14 a) e b) diagrama de bandas para heterojunes com carbono numa ou ambas
as camadas dopadas respectivamente, c) e d) campo elctrico interno nas estruturas, em
equilbrio dinmico e sob iluminao (1 mW/cm2).____________________________107
Figura 4.15 diagramas de bandas de energia para uma heteroestrutura com carbono em
ambas as camadas dopadas e baixo nvel de dopagem a) em polarizao inversa (Vr) e
b) em polarizao directa (Vf). ___________________________________________109
Figura 4.16 Diagramas de bandas de energia para uma heteroestrutura com carbono em
ambas as camadas dopadas e baixo nvel de dopagem a) com iluminao de baixa
intensidade e b) com iluminao de alta intensidade. __________________________110
Figura 4.17 Esboo do dispositivo sob iluminao no uniforme. __________________111
Figura 4.18 Modelo de um sensor LSP de grande rea, e modelo para cada n composto
por um dodo ideal, uma resistncia srie RS e uma resistncia paralela RP.________113
Figura 4.19 (topo) resultados experimentais e (baixo) resultados obtidos por simulao
para a) amostra #M006291 e b) amostra #M006301.__________________________114
Figura 4.20 a) esboo do processo de varrimento, b)sinal medido quando o feixe de prova
atravessa um regio iluminada do sensor, c) derivada do sinal, d) simulao. ______116
Figura 4.21 Sinal em funo do comprimento de onda do feixe de prova com luz de fundo
verde e vermelha. ______________________________________________________117
Figura 4.22 Resposta frequncia de modulao do feixe de prova. ________________118
XVI
Figura 4.23 a) Esboo do sistema para medida da velocidade de varrimento, b) circuito

elctrico do gerador de sincronismo, c) pormenor do espelho rotativo de 6 faces. __ 119
Figura 4.24 a) esboo da tcnica de medida utilizada para varrimentos de uma linha com
diferentes tenses aplicadas para: b) uma homojuno; c) estrutura p-i-n com carbono
na camada n e d) estrutura p-i-n com carbono nas camadas n e p. ______________ 121
Figura 4.25 Resposta transiente.____________________________________________ 122
Figura 4.26 Mdulo do sinal obtido na amostra #M006301 para diferentes intensidades da
imagem com luz verde (=550nm) e b) variao do sinal com a intensidade da imagem
para diferentes tenses de polarizao ____________________________________ 123
Figura 4.27 Mdulo do sinal medido na amostra #M007192 para diferentes intensidades da
imagem com luz verde (=550nm) e b) variao do sinal com a intensidade da imagem
para diferentes tenses de polarizao ____________________________________ 124
Figura 4.28 Diferena entre o sinal sob iluminao e o sinal no escuro para as duas
amostras em estudo. ___________________________________________________ 125
Figura 4.29 Sinal em funo da intensidade da imagem a) amostra #M006301 e b)
#M007192. __________________________________________________________ 126
Figura 4.30 Parmetros A e em funo da tenso para a amostra #M006301. ______ 126
Figura 4.31 Imagens obtidas para diferentes intensidades luminosas da imagem. _____ 127
Figura 4.32 Imagens capturadas com o sensor #M006301: a)imagem da palavra (ISEL), b)
imagem em tons de cinzento do autor. _____________________________________ 127
Figura 4.33 a) fotocorrente devida ao feixe de prova em funo do comprimento de onda da
imagem, e b) resposta espectral normalizada. _______________________________ 128
Figura 4.34 Circuito elctrico de um amplificador de fotododo. __________________ 131
Figura 4.35 a) Imagem no processada b) fundo c) diferena. ____________________ 132
Figura 4.36 a) Rudo de padro fixo devido a interferncia, b) esquema do percurso do
feixe de prova na estrutura. _____________________________________________ 133
Figura 5.1 Estrutura p-i-n-p-i-n com camada intermdia para isolamento ptico. _____ 139
Figura 5.2 Diagrama de blocos do sistema de varrimento para sensores de estrutura
empilhada com blindagem ptica. ________________________________________ 140
Figura 5.3 resposta variao do comprimento de onda da imagem para a amostra #Y01
a) e #Y02 b), c) e d) imagens a diferentes comprimentos de onda capturadas com os dois
sensores. ____________________________________________________________ 141
Figura 5.4 a)logotipo da conferncia ICAMS20, b)imagem capturada com o sensor #Y02.141
Figura 5.5 Sinal medido no escuro e com iluminao de fundo das trs cores primrias em
funo da tenso de polarizao para o sensor #Y02 (I =2 mWcm-2). ___________ 142
XVII
Figura 5.6 Sinal obtido para varrimentos de uma linha com feixe de prova verde ou
vermelho. ____________________________________________________________143
Figura 5.7 Estrutura com blindagem ptica melhorada (#Y03). ____________________144
Figura 5.8 Responsividade da amostra #Y03, (insero) imagem capturada.__________145
Figura 5.9 Estrutura dos dispositivos com referncias (#M0031212-G) e (#M0031212-G).146
Figura 5.10 Responsividade com (baixo) e sem (topo) polarizao ptica (=650nm) para
o sensor depositado sobre substrato de vidro a) ou PET b)._____________________147
Figura 5.11 Fotocorrente gerada pelo feixe de prova em funo da tenso de polarizao.
Inseres- imagens capturadas a -1V, 0V e 1V com imagem vermelha. ____________148
Figura 5.12 a) estrutura e b)foto do dispositivo com a referncia #M007192. _________149
Figura 5.13 Esquema do princpio de funcionamento de um sensor do tipo CLSP de
estrutura simples. ______________________________________________________150
Figura 5.14 a)imagem capturada a 0V, b) Visualizao dos dados em 3D e cor artificial, c)
imagens capturadas a 0.4V e 0.7V, d) imagem em cor reconstruda a partir dos dados de
c). __________________________________________________________________150
Figura 5.15 a)Sinal em funo da tenso de polarizao para iluminao de fundo
vermelha e verde, b)resposta espectral a diferentes tenses de polarizao. ________151
Figura 5.16 Mdulo da fotocorrente gerada pelo feixe de prova para diferentes tenses de
polarizao. __________________________________________________________152
Figura 5.17 Estrutura utilizada para sensores de cor do tipo LSP.__________________153
Figura 5.18 a) Distribuio interna do potencial e b) perfis de gerao e recombinao
obtidos por simulao para um dispositivo com a mesma estrutura da amostra #NC5.155
Figura 5.19 Fotocorrente gerada pelo feixe de prova para diferentes comprimentos de onda
da luz de polarizao para a amostra #NC5 a) medida em dc, b) medida em ac, c)
fotocorrente com iluminao frontal azul e posterior vermelha. _________________157
funo da tenso de polarizao para os sensores a)#NC4, b)#NC5 e c)#NC7 d) Esboo
da intensidade da radiao ao longo das amostras, para diferentes comprimentos de
onda.________________________________________________________________158
Figura 5.21 . resposta variao do comprimento de onda da imagem para a amostra
#NC5. _______________________________________________________________159
Figura 5.22 Imagens obtidas com a amostra #NC5 sob diferentes condies de iluminao.159
Figura 5.23 a)Estrutura do sensor de raios-X com endereamento ptico, b)fotografia do
dispositivo de testes encapsulado. _________________________________________161
XVIII
Figura 5.24 a)Circuito equivalente do sensor e b) diagramas temporais da operao do

mesmo. _____________________________________________________________ 162
Figura 5.25 Sinal obtido durante o varrimento de uma linha com uma tenso de 5V. __ 163
Figura 5.26 Estrutura do dispositivo proposto para sensor de raios-X. _____________ 164
Figura 5.27 a) Diagrama de blocos do sistema de caracterizao e medida utilizado, b)
temporizao dos diversos sinais. ________________________________________ 164
Figura 5.28 Resposta espectral da estrutura MIS com uma amplitude do impulso de
refrescamento de 4V. __________________________________________________ 165
Figura 5.29 Estrutura tpica para dispositivos p-i-n, TFT e MIS. __________________ 166
XIX
Captulo 1 - Conceitos gerais
Pormenor de uma pintura na caverna de Lascaux (Frana) datada de h 17 000 anos.

http://www.culture.fr/culture/arcnat/lascaux/en/
Captulo 1
1.
Conceitos gerais
1.1. Captao de imagem passado, presente e futuro

Desde sempre o Homem sentiu necessidade de guardar para a posteridade imagens do dia-adia. Exemplos desta tendncia podem ainda hoje ser observados nas paredes de grutas outrora
habitadas pelos nossos antepassados remotos (ver figura em cima).
A nica forma conhecida de transferir uma imagem para um suporte fsico que a poderia
guardar, continuaria a ser por muitos milhares de anos a da pintura, que devido ao facto de
usar um interlocutor humano a torna inexacta, irreprodutvel e altamente subjectiva.
Embora fosse do conhecimento de algumas pessoas que certos materiais possuam a
caracterstica de mudar de cor com a exposio luz, s em 1839 surgiu a primeira aplicao
prtica pela mo do Francs Louis Daguerre que a nomeou de Daguerreotipo [1]. Os anncios
da poca apresentavam a tcnica como no requer conhecimentos de desenho ... e qualquer
Sensores de Imagem de Grande rea em Tecnologia de Silcio Amorfo

pessoa pode utilizar e conseguir os mesmos resultados que o autor da inveno, o que a
tornaria um xito quase imediato.
O Daguerreotipo baseava-se no uso de placas cobertas com material sensvel luz e que
produziam uma imagem positiva, o que tornava impossvel a reproduo. Esta desvantagem
viria a ser ultrapassada pelo Ingls Henry Talbot com a inveno do caltipo [2] que seria o
percursor da fotografia moderna. Nos anos seguintes a fotografia continuou a desenvolver-se e
seria a nica forma de captar imagens por mais alguns anos.
A possibilidade de se transformar um sinal luminoso em elctrico s viria a ser descoberta em
1873, em Inglaterra, por Willoughby Smith e Joseph May que observaram o fenmeno
fotoelctrico no selnio. Esta descoberta juntamente com o conceito de scanning
da
imagem proposto pelo Ingls Alexander Bain em 1843 viria a revelar-se o impulso decisivo
para o desenvolvimento da televiso.
Em 1884, o conceito de scanning mecnico proposto por Bain viria a ser posto em prtica
pelo Alemo Paul Nipkow que desenvolveu o disco de Nipkow1, ver Figura 1.1, que permitiu
que em 1925 John Logie Baird (da Gr Bretanha) fabricasse a primeira cmara de televiso
com scanning mecnico. O conceito era bastante simples, a luz proveniente de uma
lmpada de descarga atravessava o disco de Nipkow em movimento, o que criava sobre o
objecto o efeito de scanning de um ponto de luz. A luz reflectida pelo objecto era ento
captada por uma clula de selnio, que permitia assim obter um impulso elctrico
correspondente imagem serializada pelo disco de Nipkow.
Figura 1.1 Esquema do sistema de Nipkow.

A inveno da primeira vlvula electrnica com capacidade de transformar uma imagem num
sinal elctrico com utilizao prtica deve-se a dois engenheiros Vladimir K. Zworykin e
Philo T. Farnsworth. O trabalho destes viria a evoluir de forma diferente, dando origem a dois
1
Disco com aberturas circulares dispostas ao longo de uma espiral.

tipos de dispositivos, o iconoscpio de Zworykin em 1923 e o dissector de imagem de
Farnsworth em 1927.
Com o apoio de uma grande empresa (RCA) o iconoscpio viria a evoluir aps a Segunda
Guerra Mundial para o orthicon, que por sua vez daria origem ao vidicon em 1954 [3] ver
Figura 1.2.
Figura 1.2 Sensor de imagem do tipo vidicon (fonte: Encyclopaedia Britannica)

O vidicon continuaria a ser desenvolvido devido utilizao massiva em cmaras de
televiso, dando origem a novas variantes como o Plumbicon (Philips. 1963) e o Saticon
(NHK, 1974). Todos estes dispositivos apresentavam princpios de funcionamento similares, a
imagem focada sobre uma superfcie fotosensivel que varrida por um feixe de electres. O
sinal gerado contem assim a informao da intensidade da imagem em formato srie.
Um grande passo do caminho da miniaturizao e baixo custo seria dado no incio dos anos
1980 com o aparecimento do CCD (Charge Coupled Device). Impulsionado pela gigantesca
indstria dos semicondutores as capacidades destes dispositivos avanaram de forma
extremamente rpida, dando origem s cmaras miniatura altamente sofisticadas que so
vulgarmente utilizadas nos nossos dias. O CCD possui uma estrutura bastante simples,
formado apenas por uma matriz de contactos condutores em cima de uma pastilha de silcio
dopada e com uma fina camada de xido de silcio entre ambos, formando uma matriz de
condensadores MOS (Metal Oxide Semiconductor). O seu princpio de funcionamento
tambm bastante simples, no entanto muito eficaz (ver Figura 1.3). Numa primeira fase o
sensor iluminado e so aplicadas tenses a todos os contactos por forma a criar na rea da
estrutura uma matriz de poos de potencial que armazenam a carga resultante da absoro dos
3

fotes em cada ponto. Numa segunda fase interrompido o fluxo luminoso e procede-se
medio da carga acumulada em cada ponto. Para tal so aplicados impulsos cclicos
desfasados a cada trs elctrodos contguos, fazendo com que a carga se desloque ao longo de
uma direco at atingir a periferia do sensor onde existe um conversor carga/tenso. A
principal desvantagem do CCD reside no facto de a tecnologia de fabrico no ser a CMOS
utilizada para os circuitos digitais standard o que implica que toda a electrnica de
amplificao/converso de sinal e de gerao dos sinais de relgio ter que ser realizada fora
do chip, pelo que alm do CCD so necessrios mais alguns circuitos integrados para
construir um sistema de aquisio de imagem CCD. Desta forma a complexidade do conjunto
aumenta, aumentando tambm o consumo e o custo de fabrico dos sistemas a CCD.
Ao contrrio do que seria de esperar as antigas tecnologias no deixaram de ser utilizadas com
o aparecimento do CCD, como aconteceu em outros casos, estas continuam a encontrar nichos
onde alguma das suas caractersticas permanece inultrapassada. o caso do tubo electrnico
de alta sensibilidade Super-HARP que devido sua extrema sensibilidade consegue produzir
imagens perfeitas no escuro [4].
A mesma indstria da microelectrnica que contribuiu para o desenvolvimento do CCD viria
tambm a ser a responsvel pela criao do seu mais directo concorrente, o sensor CMOS. O
sensor de imagem CMOS formado por uma matriz de fotododos que podem ser
seleccionados de forma aleatria por forma a medir a fotocorrente gerada em cada um a cada
instante (ver Figura 1.3). Os sensores de imagem CMOS so fabricados pelo mesmo processo
tecnolgico que os dispositivos lgicos, sendo ento possvel integrar todas as funes de
amplificao, converso e processamento de sinal no mesmo circuito integrado baixando o
consumo e a complexidade do sistema. Assim surge o conceito camera on chip (cmara
num nico circuito integrado) e que possibilitou o fabrico de cmaras de baixo consumo,
tamanho reduzido e baixo custo, sendo estas cmaras cada vez mais aplicadas em objectos
quotidianos como telemveis, automveis, etc.
Figura 1.3 Sensores de imagem do tipo CCD e CMOS

O grfico seguinte mostra a evoluo comparativa dos trs tipos de sensores de imagem sendo
previsvel a sua coexistncia pelo menos durante mais algum tempo. Devido s diferentes
caractersticas de custo e performance os campos de aplicao de cada um dos tipos de
sensores ser diferente tendendo os CCDs e Tubos Electrnicos a ser utilizados em aplicaes
extremamente exigentes em termos de performance.
Aplicaes
Performance
Alta performance
Baixo volume
CCD
Tubos
electrnicos
1960
1970
1980
Baixo Custo
Alto Volume
1990
CMOS
2000
Anlise de movimento
Mdicas
Radiologia
Endoscopia
Espaciais
Automotivas
Video em computador
Biomtricas
Ratos pticos
Telefones
Brinquedos
Segurana
...
2010
Figura 1.4 Evoluo dos sensores de imagem.

Como dita o progresso todas as tecnologias so ultrapassadas e substitudas por outras que
produzem dispositivos com melhores caractersticas. Ser portanto de prever num futuro mais
ou menos prximo a emergncia de novas tecnologias com a consequente alterao do
panorama presente.
5

O presente trabalho pretende ser mais uma contribuio para o desenvolvimento de uma rea
to importante que a da captao de imagens tanto estticas como em movimento.
1.2. A revoluo dos materiais semicondutores

Muito embora os semicondutores sejam de utilizao relativamente recente, a sua histria
comeou ainda antes das vlvulas electrnicas com a descoberta por Michael Faraday, em
1883, que o sulfato de prata, um semicondutor, apresentava um coeficiente de temperatura
negativo contrariamente aos materiais condutores.
Apenas dois anos depois, outra importante descoberta foi revelada por Munk A. Rosenshold.
Este descobriu que certos materiais exibiam propriedades de rectificao, mas estranhamente
seriam necessrios 39 anos para F. Braun redescobrir este efeito [5].
No final do sculo XIX, alguns experimentalistas observaram que o elemento selnio alm de
exibir propriedades rectificadoras, mostrava-se tambm sensvel luz, com a sua resistncia a
diminuir com o aumento da intensidade luminosa. Esta descoberta, como foi relatado na
seco 1.1, contribuiu para o aparecimento dos primeiros sistemas capazes de converter uma
imagem num sinal elctrico.
Depois das primeiras experincias muitos outros materiais foram investigados levando a que
em 1915 Carl Beredicks descobrisse que o germnio tambm possua propriedades
rectificadoras. Muito embora bastante investigao tenha sido devotada aos materiais
semicondutores, os dispositivos semicondutores no conseguiam igualar a performance das
vlvulas electrnicas, pelo que rapidamente foram relegados para segundo plano.
Seria necessrio o incio da Segunda Grande Guerra para renascer o interesse nos
semicondutores. Existia uma necessidade premente de dispositivos que funcionassem nas
frequncias de radar, uma vez que as vlvulas electrnicas exibiam uma capacidade interelctrodos demasiado elevada. O dodo semicondutor de contacto por ponto exibia uma
capacidade interna bastante baixa pelo que poderia ser usado nas aplicaes de radar onde a
utilizao de vlvulas electrnicas era impossvel.
Com o crescente grau de exigncia das aplicaes de radar depressa surgiu a necessidade de
obter dispositivos amplificadores de estado slido que superassem as at ento utilizadas
vlvulas electrnicas. A necessidade de um elemento amplificador de menor tamanho, mais
leve, mais eficiente e capaz de funcionar a altas frequncias fez com que se iniciasse um
estudo exaustivo dos materiais semicondutores, desde ento continuado.
6

Os resultados da investigao no tardaram. Em 1948 Walter Brattain e John Bardeen
publicavam a descoberta do primeiro dispositivo amplificador de estado slido, o transstor de
contacto por ponto, point-contact transistor [6]. Um anos mais tarde seriam desenvolvidos
por William Shockley dodos e transstores bipolares de juno [7]. Comparativamente o
transstor de juno era superior ao de contacto em muitos aspectos. Era mais fivel, gerava
menos rudo, e suportava maiores potncias. O transstor de juno tornou-se assim um rival
das vlvulas electrnicas em muitas aplicaes at ento incontestadas. Os trabalhos de
Bardeen, Brattain e Schockley seriam reconhecidos em 1956 com a atribuio do prmio
Nobel da Fsica.
Uma nova revoluo teria incio em 1960 com a apresentao do processo planar de fabrico
de dispositivos semicondutores [8]. Segundo este processo, o fabrico de qualquer tipo de
dispositivo semicondutor envolve apenas operaes sobre um dos lados do substrato, pelo que
vrios dispositivos podem ser fabricados lado a lado e formar um nico circuito com uma
funo definida, o Circuito Integrado (CI).
Desde o fabrico do primeiro circuito integrado em integrao em pequena escala (SSI menos
de 100 componentes por CI) o nmero de componentes nunca mais parou de aumentar, e
rapidamente se passou para integrao em mdia escala (MSI 100-1000 componentes). A
evoluo do nmero de componentes por circuito segue um curva exponencial mais conhecida
por lei de Moore [9] enunciada por um dos co-fundadores da INTEL, Gordon Moore.
Presentemente vivemos a fase ULSI (Ultra Large Scale Integration, >1 000 000 componentes)
em que o mais recente processador INTEL de produo em grande escala (Core 2 Extreme)
composto por cerca de 291 000 000 transstores.
1.3. Silcio amorfo: passado, presente e futuro

No desenvolvimento dos dispositivos semicondutores cedo se optou pela utilizao de
estruturas cristalinas, devido s suas caractersticas electrnicas. Esta tecnologia apresenta
algumas limitaes especialmente no que se refere ao tamanho do substrato (300 mm) e
elevado custo, pelo que aplicaes que envolvam dispositivos de grande rea esto
severamente limitadas.
A forma de ultrapassar estes problemas seria a deposio de silcio amorfo (a-Si) sobre
diversos tipos de substratos de grande rea como o vidro ou mesmo chapas de ao. Spear e Le

Comber apresentaram pela primeira vez em 1976 silcio amorfo dopado com fsforo e boro
[10], sendo seguidos por Carlson e Wronski [11] que fabricaram a primeira juno em a-Si.
Este tipo de tecnologia atraiu de imediato a ateno de vrios grupos de investigao em todo
o mundo, por apresentar baixos custos de produo, quando comparado com a tecnologia de
silcio cristalino, e principalmente porque a rea dos dispositivos seria apenas, teoricamente,
limitada pelo tamanho do substrato utilizado.
A aplicao natural desta tecnologia seria na produo de energia elctrica directamente a
partir da luz solar. As vantagens face ao silcio cristalino so evidentes: Menor custo de
produo, clulas de grande rea, menor incorporao de energia, menor incorporao de
material semicondutor, sensibilidade adaptada ao espectro de radiao solar terrestre. Devido
aos factores atrs enunciados durante os anos 80 foi devotado um grande investimento
intelectual e monetrio ao desenvolvimento de clulas solares de silcio amorfo, resultando na
formao de empresas cuja actividade principal seria a produo de mdulos usando a referida
tecnologia nomeadamente a United Solar nos EUA, e a Kaneka no Japo. Devido ao efeito de
degradao do material induzida pela luz, conhecido como efeito de Staebler-Wronski [12], as
atenes viraram-se para uso de silcio micro cristalino c-Si:H que no sofre do referido
efeito. A primeira referncia deposio de pelculas de c-Si:H data j de 1968 [13], tendo
sido recentemente apresentados resultados de clulas solares constitudas por silcio
microcristalino com eficincia elevada [14].
Consoante o grau de cristalinidade e tamanho de gro apresentados pelas pelculas de silcio
este material pode assumir diferentes tipos de denominao, que vo desde o j citado c-Si:H
ao silcio nano-cristalino ou nano-estruturado em que os gros de material cristalino so de
menor dimenso, e passando por outras denominaes no to sugestivas como polimorfo [15,
16].
Embora grande parte do desenvolvimento da tecnologia de silcio amorfo se deva a aplicaes
fotovoltaicas, a publicao em 1979 do primeiro desenho e caractersticas de um transstor de
efeito de campo (FET) em tecnologia de silcio amorfo por LeComber et al. [17] veio abrir
caminho a outras aplicaes no menos importantes nos campos dos crans planos (utilizao
de transstores de pelcula fina, TFT) e nos sensores pticos, nomeadamente sensores de
imagem, ver Figura 1.5 a). A utilizao de transstores de pelcula fina est perfeitamente
industrializada, como prova a crescente proliferao de ecrs planos de matriz activa, sendo
possvel encontrar dispositivos com 55 polegadas de diagonal.
No campo dos sensores de imagem existe um interesse crescente com grande diversidade de
campos de aplicao. Uma caracterstica bastante interessante do silcio amorfo a sua
8

resistncia intrnseca radiao. Esta caracterstica torna esta tecnologia ideal para a
substituio das chapas fotogrficas ainda hoje utilizadas em grande parte dos equipamentos
mdicos de radiologia. Neste campo foram j apresentados sensores de matriz activa de
grande rea (29,2 x 40,6 cm2) em substrato nico e de elevada resoluo (2304x3200 pixels)
[18], existindo mesmo mdulos em produo que permitem substituir directamente os filmes
fotogrficos. As vantagens deste tipo de sensores so inmeras, de onde se destacam:
diminuio da dose de raios-X a que o paciente est sujeito devido alta sensibilidade do
sensor, simplicidade de operao, menor poluio ambiental devido aos qumicos utilizados
nos filmes, menores custos de operao, facilidade de armazenamento e manipulao das
imagens, etc.
Figura 1.5 a) sensor de matriz activa, b) sensor do tipo Thin film on ASIC.
Um outro campo de aplicao do silcio amorfo em sensores de imagem o chamado Thin
film on ASIC (Figura 1.5 b)) , em que as excelentes propriedades pticas do silcio amorfo se
aliam muito desenvolvida tecnologia de silcio cristalino. Um exemplo a substituio do
elemento sensor numa cmara CMOS por uma estrutura p-i-n de silcio amorfo [19]. Esta
tcnica, possvel devido ao facto de a deposio dos filmes de silcio amorfo ser feita a baixa
temperatura, permite aumentar a sensibilidade do sensor devido no s utilizao de pixels
com um fill-factor prximo de 100%, mas tambm utilizao de um material com uma
resposta ajustada ao espectro da luz visvel.
A tecnologia de silcio amorfo veio ainda revolucionar o processo de deteco de cor.
Usualmente a deteco de cor feita com recurso utilizao de filtros pticos que
seleccionam determinados comprimentos de onda que so depois detectados por um sensor.
Este processo implica que para obter uma imagem de cor integral seja necessrio usar trs
sensores e respectivos filtros para as trs cores principais (Vermelho, Verde e Azul), o que
aumenta a complexidade e o custo dos sensores de imagem a cores. O a-Si:H e as suas ligas
com o hiato ptico modificado permitem a deteco de todo o espectro visvel desde o
ultravioleta (UV) at ao infravermelho (IV) [20]. Diversos trabalhos de investigao
realizados com base nesta caracterstica levaram ao desenvolvimento de inmeras estruturas,
9

mais ou menos complexas, em que a seleco de comprimento de onda da radiao incidente
controlada pela polarizao elctrica, o que torna a deteco de cor um processo simples, e
utilizando apenas um elemento sensor.
Na prtica estes sensores dividem-se em dois grupos consoante o nmero de terminais (dois
ou trs terminais) mas funcionam todos segundo o princpio enunciado anteriormente. A
estrutura de dois terminais mais simples a p-i-n em que a aplicao de diferentes
polarizaes permite colectar preferencialmente as cargas geradas junto da interface p-i ou da
i-n e que so relativas absoro de fotes de menor e maior comprimento de onda
respectivamente. A selectividade apresentada por este tipo de sensor bastante baixa, pelo
que se recorreu a outro tipo de estruturas por forma a conseguir uma melhor separao de cor.
Utilizando dois dodos ligados em oposio, segundo a sequncia p-i-n-i-p [21] ou n-i-p-i-n
[22], e com diferentes hiatos pticos obtemos um sensor de duas cores. O princpio de
operao bastante simples. Quando aplicada uma tenso suficientemente elevada para
polarizar um dos dodos directamente o outro permanece polarizado inversamente. Como a
fotocorrente maioritariamente controlada pelo dodo que est polarizado inversamente, e
tendo estes hiatos pticos diferentes, obtemos sensibilidade a dois comprimentos de onda
diferentes com a aplicao de tenses positivas ou negativas.
Estruturas mais complexas permitem optimizar a separao de cor obtendo sensores de cor
integral. Exemplo destas estruturas so a p-i-i-i-n [23] e p-i-n-i-p-i-n-i-p [24] em que o hiato
ptico das vrias camadas de a-Si:H controlado pela incorporao de carbono durante o
processo de deposio.
Os sensores de trs terminais so simplesmente dois sensores de dois terminais empilhados,
com uma pelcula intermdia de material condutor transparente. O terceiro terminal fornece
alguma flexibilidade por permitir controlar a polarizao de cada um dos blocos
independentemente. Um exemplo deste tipo de sensor a estrutura TCO/p-i-n/TCO/p-i-n-ip/Metal (Figura 1.6)[25] mas as configuraes so quase ilimitadas, podendo mesmo ser
utilizados mais contactos intermdios.
10
Figura 1.6 Sensores de cor de 2 e 3 terminais do tipo estrutura empilhada em tecnologia de

silcio amorfo.
O silcio amorfo apresenta-se assim como um material bastante verstil permitindo o ajuste
das suas caractersticas optoelectrnicas de forma simples. A grande diversidade de campos
de aplicao em conjunto com a simplicidade e baixo custo do processo de fabrico e a
possibilidade de deposio em grandes reas auguram uma crescente utilizao e
desenvolvimento de novas aplicaes.
1.4. Motivao deste trabalho

O trabalho desenvolvido nesta tese resulta de uma pesquisa, iniciada pelos elementos do
grupo de M. Vieira et al. no ano de 1998, de um novo tipo de sensor de imagem baseado em
estruturas de filmes finos de silcio amorfo hidrogenado a-Si:H. Os primeiros dispositivos
testados possuam uma estrutura simples formada por um fotododo de grande rea em silcio
microcristalino hidrogenado com contactos metlicos resultantes de evaporao trmica de
alumnio. A ideia inicial consistia em conjugar um sistema de varrimento ptico a laser com
um gnero de sensor de posio a uma dimenso, cujo princpio de funcionamento foi
extensivamente investigado e aplicado tanto em dispositivos de silcio cristalino [26], como
de silcio amorfo [27]. Os primeiros resultados [28], embora promissores, revelaram a
impossibilidade de aquisio de imagens complexas em que no interior existissem zonas com
intensidade luminosa diferente.
11
Rectangular (2x6 mm2)
Rectangular (6x2 mm2)
Em L (6x6 mm2)
Figura 1.7 Imagens obtidas com diferentes geometrias de contactos, com o sensor iluminado
na parte central com padro rectangular.
Aps diversas tentativas com alterao da geometria dos contactos (ver Figura 1.7) dispostos
na periferia do dispositivo, o que se conseguiu foi um sensor que conseguia detectar apenas os
contornos de uma regio iluminada do sensor, e em que uma espcie de efeito de sombra
impedia a deteco de zonas de baixa intensidade luminosa, no caso de existir uma zona de
maior intensidade entre esta e o contacto elctrico [29]. No ano 2000, e aps a anlise dos
resultados obtidos at ento, surgiram algumas ideias que mudaram o rumo da investigao, e
posteriormente dariam origem a este trabalho. Nomeadamente, utilizar um contacto nico
cobrindo toda a superfcie activa do sensor e utilizar material amorfo em vez de
microcristalino [30]. O desafio estava lanado, desenvolver um sensor de imagem de grande
rea utilizando silcio amorfo. Desde o incio se tornou evidente que em alguns campos de
aplicao, nomeadamente em sensores de grande rea, este dispositivo poderia concorrer com
os tipos convencionais de sensores de imagem (CCD e CMOS) podendo mesmo suplant-los
em parte devido ao baixo custo de produo e desenvolvimento previstos.
12
1.5. Referncias
[1]
New York American, Vol. XXI. No. 7275, (1839).
[2]
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Daguerreotype, Calotype & Chrysotype (London: H. Renshaw, 1842, 2nd edition).
[3]
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[4]
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Makishima, T. Tsuji, K. Hirai, T. Yoshida, T. Ultrahigh-sensitivity New SuperHARP camera, IEEE Transactions on Broadcasting, Vol. 42, p.251-258 (1996).
[5]
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[8]
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[9]
G. Moore, Electronics, Vol. 38, Number 8, April 19, (1965).
[10]
W. E. Spear e P. G. Le Comber, Philosophical Magazine, Vol. 33, p. 671 (1976).
[11]
D. E. Carlson e C. R. Wronski, Applied Physics Letters, Vol. 33, p. 935 (1976).
[12]
D. L. Staebler and C. R. Wronski, Applied Physics Letters, Vol.31, p. 92 (1977).
[13]
S. Veprek and V. Marecek, Solid State Electronics, Vol. 11, p. 683 (1968).
[14]
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[15]
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[16]
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14
Captulo 2 - Estrutura p-i-n
IMAGEM
MEDICINA
ENERGIA
Silcio amorfo - Uma tecnologia, muitas aplicaes
Captulo 2
2.
Estrutura p-i-n
2.1. Introduo
Um dos tipos de fotododos mais utilizados composto por uma estrutura p-i-n em que uma
regio espessa de semicondutor intrnseco crescida entre as regies dopadas n e p. Uma vez
que existem muito poucos portadores livres na regio intrnseca, a regio de depleco
estende-se desde a zona dopada tipo n at zona tipo p. Este facto resulta em grandes
vantagens em comparao com os fotododos baseados em junes p-n simples,
nomeadamente:
(1)
aumento da regio activa do dispositivo devido regio de depleco

aumentada;
(2)
capacidade da juno reduzida devido extenso da regio de depleco;
(3)
aumento da corrente gerada na regio de depleco, face gerada nas regies

dopadas, melhorando o tempo de resposta do fotododo.
15

A Figura 2.1 mostra de forma esquematizada uma configurao possvel para um fotododo pi-n. Alm das regies de material semicondutor esto tambm representados os outros
componentes estruturais do dispositivo, nomeadamente os contactos metlicos, um dos quais
transparente, e o substrato sobre o qual o dispositivo fabricado e que serve de suporte a toda
Substrato
transparente
Metal
Fotes
TCO
a estrutura.
Figura 2.1 Representao esquematizada de um fotododo p-i-n.
2.2. Silcio amorfo hidrogenado

O material de base para a construo de sensores pticos de grande rea o silcio amorfo
hidrogenado, que foi pela primeira vez obtido sob forma utilizvel na electrnica por W.E.
Spear e P.G. LeComber em 1975 [1]. A obteno de silcio na sua forma amorfa tinha j sido
conseguida anteriormente usando as tcnicas de evaporao trmica em vcuo e sputtering.
No entanto a elevada densidade de defeitos do material impedia a sua aplicao prtica em
dispositivos. A possibilidade de passivao dos defeitos pela introduo de hidrognio
durante o processo de fabrico por deposio qumica de vapor assistida por plasma (PECVD,
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) veio fornecer o impulso que faltava a este tipo
de material. Embora estejam documentadas desde 1965 tentativas nesta direco [2,3] e sendo
conhecida a baixa condutividade das pelculas fabricadas por evaporao trmica e sputtering,
atribuda elevada densidade de defeitos [4], apenas no ano 1975 pela primeira vez se provou
que o silcio amorfo poderia ser dopado. A possibilidade de dopagem, i.e. a capacidade de
ajustar a posio do nvel de Fermi na banda proibida, est por um lado ligada a uma baixa
densidade de defeitos, e por outro lado representa uma condio essencial para a
implementao de dispositivos electrnicos.
16
2.3. Fabrico dos sensores p-i-n

De acordo com o exposto anteriormente existem vrias tcnicas de fabrico de pelculas de aSi:H dopadas e intrnsecas, tais como a evaporao trmica, sputtering e vrias variantes de
CVD (Chemical Vapor Deposition). Para o fabrico dos sensores utilizados neste trabalho foi
utilizada a tcnica PECVD, que tem a vantagem de permitir a compensao de ligaes
flutuantes (dangling bonds), pelo hidrognio resultante da decomposio do silano (SiH4),
desde que o substrato seja aquecido [5]. Esta tcnica permite fabricar filmes e dispositivos
com as melhores caractersticas pticas e electrnicas, indispensveis para o fabrico de
diferentes tipos de dispositivos electrnicos e optoelectrnicos.
A tcnica PECVD consiste na separao da espcie de interesse na fase gasosa por
decomposio de um gs ou mistura contendo silcio, por aco de um sinal de rdiofrequncia, que origina um plasma de baixa densidade, a partir das espcies decompostas. E
na posterior imobilizao dos tomos de silcio sobre um substrato, devido mais baixa
temperatura deste, formando uma pelcula de material amorfo que cresce constantemente.
Uma das configuraes possveis para este tipo de reactor utiliza acoplamento capacitivo do
plasma. O reactor consiste em dois elctrodos planos paralelos, entre os quais aplicada uma
tenso DC ou radio-frequncia numa cmara de vcuo, onde a presso mantida entre 0,1 e
10 torr. O Substrato onde ser depositada a pelcula montado sobre um dos elctrodos
(geralmente o de massa), que funciona tambm como forno, e aquecido a uma temperatura
entre 100 e 300 C. A Figura 2.2 mostra uma representao esquemtica deste tipo de reactor.
A deposio das pelculas de a-Si:H processa-se em diferentes fases que podem ser
resumidamente descritas pelos seguintes passos. Primeiro o gs contendo silcio, normalmente
silano (SiH4), decomposto formando um plasma contendo electres e diversos radicais e
ies resultantes da dissociao por ex. SiH, SiH2, SiH3, H, H2, SiH+, SiH2+, SiH3+. Estas
partculas difundem-se ou derivam em direco ao substrato, podendo ainda ocorrer algumas
reaces secundrias entre elas. Finalmente algumas partculas atingem o substrato e reagem
com este e com o material j depositado, dando origem ao crescimento da camada amorfa. O
processo fsico de criao do plasma e as reaces que nele ocorrem so extremamente
complexas e no do mbito deste trabalho a sua descrio. Mais informao pode ser obtida
noutros trabalhos nomeadamente de Gallagher [6], Perrin et al. [7] e Matsuda et al. [8]. Para
obter material de qualidade electrnica necessrio que as ligaes no saturadas dos tomos
de silcio sejam passivadas por ligao de tomos de hidrognio [9], o que reduz
17

consideravelmente a densidade de defeitos do material. Este processo ocorre naturalmente
devido elevada percentagem atmica de hidrognio no plasma.
A dopagem do material semicondutor, que essencial para o fabrico de dispositivos,
facilmente conseguida na tecnologia PECVD com a mistura de diferentes gases. Para
dopagem tipo p normalmente usado a fosfina (PH3) e para tipo n o diborano (B2H6).
Alterando a proporo da mistura entre o gs dopante e o silano o teor de dopagem pode ser
variado num grande intervalo de valores, o que permite o ajuste da posio do nvel de Fermi
do material dentro do hiato. Alm do referido, este processo pode ainda ser utilizado para a
formao de semicondutores compostos utilizando outros elementos tetravalentes como por
exemplo o germnio e o carbono que podem ser utilizados nos dispositivos optoelectrnicos
com o fim de alterar o hiato ptico ou controlar o processo de gerao/recombinao dos
portadores de carga. A formao destas ligas conseguida pela introduo de outros gases no
processo como por exemplo o metano (CH4) dando origem ao material a-SiC:H ou o germano
(GeH4) para ligas silcio/germnio. De notar que com a introduo deste tipo de impurezas
no so apenas alteradas as caractersticas individuais do semicondutor. Adicionalmente so
tambm alterados outros parmetros, como por exemplo, a densidade de defeitos, a
mobilidade e o tempo de vida dos portadores, a condutividade, etc.
Vlvulas de controlo de gs
Controlador de
temperatura
CH4
B2H6
PH3
SiH4
Forno
Termopar
Substrato
Plasma
Controladores
de fluxo de gs
Rede de adaptao
de impedncia
Bomba
Bomba
turbomolecular rotatria
Exausto
Gerador de
radiofreqncia
Elctrodo de rf
(13,56 MHz)
Figura 2.2 Esquema do reactor de PECVD utilizado para o fabrico das amostras utilizadas
neste trabalho.
O equipamento fundamental para o fabrico de sensores o sistema de deposio de pelculas
finas de silcio e suas ligas, dopadas ou no dopadas. Os sensores utilizados neste trabalho
foram na sua maioria fabricados utilizando o sistema de PECVD do IPE (Institute of Physics
18

and Electronics) da Universidade de Estugarda. Este sistema apresenta uma configurao
multicmara com antecmara para introduo de amostras. composto por quatro cmaras de
vcuo configuradas para diferentes processos de deposio (PE-CVD, Hot-Wire, Sputtering),
A Figura 2.3 apresenta um esquema do sistema multicmara. Todo o sistema evacuado por
grupos de bombas turbomoleculares assistidas por bombas rotatrias por forma a manter uma
presso alvo abaixo de 10-6 Torr. Controlando de forma adequada as diversas vlvulas podem
ser realizados diferentes processos de deposio simultaneamente, garantindo que no existe
intercontaminao. Antes de transferir o substrato de ou para cada uma das cmaras esta
evacuada para minimizar a possvel contaminao do sistema de transferncia. O sistema
suporta substratos com uma rea mxima de 4x4. Nos dois reactores de PE-CVD so
depositados os filmes intrnsecos (cmara 1) e os dopados (cmara 2). A cmara 3 utilizada
para a deposio dos contactos transparentes por rf-sputering. Na cmara 4 podem ser
depositadas pelculas de a-Si:H pela tcnica de filamento quente (Hot Wire). Com este
sistema assim possvel fabricar as estruturas utilizadas neste trabalho sem expor a amostra
atmosfera, logo melhorando as caractersticas das diferentes interfaces uma vez que se reduz a
possvel oxidao por contacto com a atmosfera.
Figura 2.3 Vista esquemtica do sistema multicmara.

Antes de iniciar o crescimento do filme por PE-CVD a amostra previamente aquecida em
vcuo, o que permite eliminar possveis contaminantes existentes superfcie. De seguida so
19

introduzidos os gases de processo, mantendo a amostra protegida por um obturador mecnico
at esta atingir a temperatura de processo definida, abrindo depois o obturador para iniciar o
crescimento do filme. Os gases de processo (SiH4, B2H6, PH3) j se encontram diludos em
hidrognio, sendo no entanto possvel alguma variao da diluio por introduo de
hidrognio molecular. Caso seja necessrio proceder caracterizao dos filmes por tcnicas
de espectroscopia so introduzidos substratos de silcio cristalino polido em simultneo com o
substrato de vidro do dispositivo.
Os dispositivos utilizados neste trabalho foram fabricados usando a tcnica PECVD (Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition) anteriormente descrita, sobre um substrato de vidro
(Corning AF45) [10]. A primeira etapa do fabrico do dispositivo consiste na deposio de
uma pelcula fina de material condutor transparente. A funo desta primeira camada a de
garantir um bom contacto elctrico com a camada dopada seguinte, mas ao mesmo tempo
permitir a passagem da luz para a zona activa do dodo. Devido s suas propriedades pticas e
elctricas, o material escolhido para esta camada foi o xido de zinco dopado com alumnio
(ZnO:Al) depositado por rf-sputtering que apresenta uma condutividade na ordem de 30
/ e adicionalmente uma transmissividade ptica na regio visvel superior a 95%.
A etapa seguinte consiste na deposio das vrias camadas de material semicondutor por
PECVD. Controlando os diversos parmetros de deposio das diferentes camadas possvel
ajustar caractersticas como o hiato ptico, a dopagem, a espessura da pelcula, etc. Desta
forma consegue-se uma optimizao das caractersticas do dispositivo, optimizando cada uma
das camadas em separado. Os parmetros tpicos de processo utilizados, esto sumariados na
Tabela 2.1.
Tabela 2.1 Parmetros de processo para o fabrico das pelculas de a-Si:H.
Frequncia RF
13.56 MHz
Presso de processo
200 mTorrr
Temperatura do substrato
110 C
Potncia de RF
4W
Para o fabrico da camada intrnseca utilizada nos dispositivos em estudo foram utilizados os
parmetros de deposio previamente optimizados no IPE para dispositivos fotovoltaicos.
parte dos parmetros de processo atrs referidos, foi utilizado como gs de processo silano
(SiH4) diludo em hidrognio (H2). Os fluxos totais utilizados durante o fabrico das diferentes
camadas so apresentados na Tabela 2.2. Para o fabrico das camadas dopadas foram
introduzidos na cmara diborano (B2H6) ou fosfina (PH3) (2%) previamente diludos em
20

silano (98%) juntamente com silano com concentraes relativas que permitem obter material
pouco dopado. Adicionalmente, em algumas das amostras foi tambm utilizado metano (CH4)
no fabrico de uma ou ambas as camadas dopadas, por forma a aumentar o hiato ptico e a
resistividade do material. Foi assim criada uma srie de amostras por forma a aferir a
influncia da composio das camadas dopadas nas propriedades optoelectrnicas dos
dispositivos.
Tabela 2.2 Fluxos totais de gs utilizados para o fabrico das diferentes camadas.
Ref. Filme
Tipo
SiH4
H2
PH3
B2H6
CH4
(sccm)
(sccm)
(sccm)
(sccm)
(sccm)
#M009291
20
10
#M002153
11.98
0.02
#M002154
11.98
0.02
20
#M011103
11.98
0.02
40
11.96
0.04
#M009283
11.96
0.04
#M001112
11.96
0.04
20
#M011104
11.96
0.04
40
#M002151
A etapa final do fabrico da estrutura consiste na formao do contacto metlico superior. Este
contacto alm servir de interface elctrica vai tambm definir a rea activa do fotododo.
Neste trabalho foi utilizado alumnio depositado por evaporao trmica [11, 12, 13] atravs
de uma mscara que define a rea activa do sensor. Foi escolhido alumnio uma vez que este
apresenta uma funo de trabalho apropriada para a formao de contactos hmicos com o
material tipo n e alm disso um material de baixo custo e perfeitamente adaptado ao
processo de evaporao trmica.
2.4. Caractersticas do silcio amorfo

A principal caracterstica que distingue o silcio amorfo do cristalino a inexistncia de uma
distribuio uniforme dos tomos sob a forma de uma rede cristalina. No entanto continua a
existir alguma ordem que se pode estender por maior ou menor distncia, consoante o grau de
21

cristalinidade do material, mas que se estende apenas por algumas distncias interatmicas.
Como consequncia desta estrutura microscpica irregular, a estrutura do material afasta-se
da estrutura cristalina tpica dos elementos do quarto grupo da tabela peridica (estrutura
tetradrica) com a existncia de ligaes interatmicas com ngulos diferentes das usuais
nessa estrutura. Como consequncia desta desordem estrutural, no existe uma delimitao
precisa das bandas de conduo e valncia. Desta forma existem penetraes das bandas para
o interior da banda proibida com uma inclinao finita. A estes estados fora dos limites
normais das bandas de conduo e valncia d-se o nome de tail-states. O seu nmero
depende principalmente das condies de fabrico do material e da qualidade electrnica do
semicondutor e influencia o processo de transporte de carga no semicondutor, devido a
servirem de centros de armadilhamento de carga (trapping).
Como consequncia das ligaes irregulares entre tomos e das tenses internas, alguns dos
electres de valncia destes no encontram parceiro dando origem a uma ligao incompleta,
e criao de novos estados de energia possveis, localizados entre os limiares das bandas de
conduo e de valncia. Estes estados adicionais podem ser ocupados por um ou dois
electres ou ficar livres. Consoante o tipo de ocupao existe a diferenciao entre estados
tipo-aceitador (D-), tipo-dador (D+) ou neutro (D0). Os estados a meio da banda proibida
funcionam como centros de recombinao exercendo uma grande influncia no tempo de vida
dos portadores e no processo de recombinao. Estes estados bem como os tail-states,
contrariamente aos estados extensos, apresentam uma pequena mobilidade.
tomo de hidrognio
tomo de silcio
Ligaes incompletas
Ligaes incompletas
passivadas
Figura 2.4 Esboo da estrutura do silcio amorfo mostrando ligaes incompletas e

passivadas com tomos de hidrognio.
22

Para que o material possa ser utilizado em dispositivos electrnicos necessrio que as
ligaes incompletas sejam passivadas pela introduo de tomos de hidrognio, caso
contrrio a elevada concentrao de defeitos afecta de tal forma as propriedades electrnicas
do material que torna geralmente impraticvel o fabrico de dispositivos com caractersticas
aceitveis. O processo de passivao das ligaes flutuantes dos tomos de silcio ocorre
durante a fase de deposio do material atravs da incorporao dos tomos de hidrognio
presentes no plasma resultantes da decomposio do gs utilizado, silano (SiH4), ou da
diluio em hidrognio (H2). A ocorrncia natural de passivao das ligaes flutuantes dos
tomos de silcio durante a deposio torna a tecnologia PECVD uma alternativa vantajosa
aos processos anteriormente enunciados. Tipicamente a incorporao de hidrognio no silcio
amorfo fabricado por PECVD varia entre 8 e 16 % de tomos, pelo que apenas uma pequena
fraco do hidrognio presente utilizado para a passivao das ligaes livres.
A distribuio da densidade de estados presentes no hiato apresentada de forma esquemtica
na Figura 2.5 a). A representao mostra os estados de cauda das bandas de conduo e
valncia, bem como os estados presentes sensivelmente a meio da banda relativos s ligaes
flutuantes, que so apelidados de estados profundos. A distribuio de estados profundos foi
no passado bastante investigada e vrios modelos foram propostos por diferentes autores. De
acordo com o modelo proposto independentemente por Mott e Cohen, Fritzsche, e Ovshinsky
e geralmente referido por modelo Mott-CFO [14, 15] a distribuio de estados segue uma
distribuio Gaussiana com diferenciao entre estados dadores (D) e aceitadores (A). Uma
viso diferente apresentada pelo modelo defect-pool [16, 17, 18], segundo o qual todos os
nveis de energia possveis esto agrupados num conjunto, no qual qualquer um dos nveis de
energia relativos aos diferentes estados de carga pode ocorrer. A distribuio da densidade de
estados na piscina de defeitos determinada pela seco eficaz de rotura e restabelecimento
das ligaes atmicas de acordo com a condio fronteira de minimizao da energia do
sistema de tomos do silcio amorfo hidrogenado (a-Si:H) [8, 19].
23
Ligaes
flutuantes
Estados de
cauda B.V.
Energia
Energia
Estados de
cauda B.C.
EC
Gap de mobilidades
EV
Banda de conduo
Estados localizados
EC
EV
Banda de valncia
Mobilidade dos
portadores
Figura 2.5 a) Distribuio da densidade de estados energticos no hiato; b) Representao

esquemtica da mobilidade dos portadores no silcio amorfo.
Devido existncia de estados de energia possveis entre as bandas de valncia e conduo, a
definio de banda proibida ou hiato (gap) de acordo com o valor da densidade de estados,
usual no silcio cristalino, no pode ser utilizada. Em substituio dever ser utilizada a
definio de banda proibida de mobilidades (mobility gap) representada na Figura 2.5 b) [20].
Uma consequncia da estrutura amorfa do silcio amorfo com as propriedades anteriormente
descritas a existncia de metaestabilidade, que baseada num aumento reversvel da
densidade de defeitos causado pela injeco de portadores. Este efeito foi observada pela
primeira vez por D. L. Staebler and C. R. Wronski e, segundo os autores, o referido efeito de
degradao da corrente no escuro e da fotoconduo [21], devido criao de novas
ligaes flutuantes na estrutura do silcio amorfo induzidas pela radiao luminosa [22]. De
igual modo devido injeco de portadores, por exemplo em dodos polarizados
directamente, a concentrao de defeitos tambm aumenta [23]. Estes defeitos adicionais
afectam o processo de recombinao e o tempo de vida dos portadores, e levam a uma
degradao das caractersticas electrnicas do silcio amorfo, bem como dos dispositivos
baseados neste [24, 25, 26]. Os efeitos de envelhecimento relatados podem ser em larga
escala recuperados submetendo o material amorfo a um tratamento trmico, a uma
temperatura de cerca de 150C por determinado perodo de tempo [27, 28]. Com o decorrer
dos anos surgiu um conjunto de modelos para a criao de defeitos, por exemplo a rotura de
ligaes fracas do silcio [29, 30], neste caso a energia necessria para a formao das
ligaes flutuantes provm do processo de recombinao banda a banda dos portadores de
carga injectados. A descrio da densidade de estados, no contexto do modelo deffect pool,
24

implica que a concentrao de defeitos em equilbrio, e adicionalmente os produzidos pela
incidncia de radiao e/ou injeco de portadores tenham origem nas mesmas reaces
qumicas no grupo de tomos de hidrognio do silcio amorfo [31, 32]. Embora o silcio
amorfo apresente a desvantagem, comparativamente ao seu congnere cristalino, de possuir
menor mobilidade dos portadores (aproximadamente 1 cm2V-1s-1 por oposio a 103 cm2V-1s-1
no caso dos electres) apresenta tambm relativamente a este um conjunto de vantagens
importantes, como por exemplo o valor do coeficiente de absoro na gama visvel do
espectro electromagntico, que cerca de uma ordem de grandeza superior ao do c-Si [33].
Deste modo conseguem-se elevadas fotosensibilidades mesmo com pelculas de pequena
espessura. Adicionalmente, devido baixa temperatura do processo existe ainda a
possibilidade de deposio dos filmes numa diversidade de substratos de grande rea, o que
torna este material muito atractivo para aplicaes nos campos da optoelectrnica, dos
sensores, dos displays e do fotovoltaico.
2.5. Absoro e gerao de portadores de carga

O processo fundamental de operao dos sensores pticos consiste na absoro de fotes
resultando na gerao de portadores de carga (electres e lacunas) que posteriormente so
colectados, dando origem a uma corrente elctrica. Nos materiais semicondutores a absoro
de fotes apresenta uma dependncia espectral acentuada, relacionada com as caractersticas
do prprio material, a qual se traduz na dependncia da gerao de portadores com o
comprimento de onda da radiao incidente, devido diferente profundidade de penetrao da
radiao. Esta caracterstica observa-se como uma reduo do coeficiente de absoro do
material com o aumento do comprimento de onda da radiao, significando que a radiao de
baixo comprimento de onda mais fortemente absorvida do que a de elevado comprimento de
onda. Correspondentemente, a concentrao dos portadores fotogerados no semicondutor
depende no s da intensidade da radiao incidente, mas tambm do seu comprimento de
onda. Este fenmeno, juntamente com a possibilidade de ajuste das propriedades do
semicondutor (por ex. hiato ptico), a base de operao dos sensores optoelectrnicos.
A gerao ptica de portadores de carga baseia-se no efeito da interaco entre uma onda
electromagntica e um electro que ocupa um determinado estado de energia na banda de
valncia e/ou estado de cauda. Devido a esta interaco, o electro excitado para um estado
com energia mais elevada, deixando atrs uma posio desocupada (lacuna) que passa
25

tambm a poder funcionar como portador de carga. Desta forma a gerao fotoelctrica de
portadores d sempre origem a um par electro/lacuna. O valor do coeficiente de absoro
representa basicamente uma medida da probabilidade de um determinado foto ser ou no
absorvido.
A absoro relaciona assim a absoro de um foto com a promoo de um electro de um
estado ocupado para um estado desocupado de mais alta energia correspondente energia do
foto absorvido, de acordo com o princpio de conservao de energia. A Figura 2.6
representa este processo. A probabilidade de um foto de energia h ser absorvido no
semicondutor, assim proporcional ao valor do integral do produto entre a funo de
ocupao e a densidade de estados [34, 35].
P 2 (h )
(h )
NV (E ) f n (E ) N C (E + h ) 1 f n (E + h ) dE
(2.1)
onde NV (E ) e N C (E ) representam as densidades de estados das bandas de valncia e

conduo respectivamente e f n (E ) a funo de Fermi, que indica a probabilidade de
ocupao dos estados. A integrao estende-se por todos os pares de nveis de energia
possveis que se encontrem afastados pela energia do foto absorvido (h). O termo P 2 (h )
representa o elemento de matriz do momento ptico, que representa a conservao de
momento requerida para o salto do electro. A considerao da conservao do momento nas
transies electrnicas de capital importncia no caso dos semicondutores de hiato indirecto,
como o caso do silcio cristalino, em que o mximo da banda de valncia e o mnimo da
banda de conduo no ocorrem para o mesmo valor do momento. O baixo coeficiente de
absoro apresentado pelo silcio cristalino deve-se, entre outros factores, necessidade de
alterao do momento dos electres excitados para nveis superiores de energia atravs da
troca de energia com a rede cristalina (fones). Devido em parte sua desordem estrutural, o
silcio amorfo pode ser visto como um semicondutor com hiato quasi-directo, pelo que o
elemento de matriz P2(hv) considerado constante [36].
26
h
EF
Energia
EC
EV
Figura 2.6 Transies de electres entre estados por absoro de um foto com energia (h).
Para a determinao do integral (2.1) geralmente aceite que a distribuio das densidades de
estados dada por:
NV ( C )
E EV ( C )
(2.2)
para E > EV e E < EC. Esta concluso, que no caso do silcio cristalino resulta da soluo da
equao de Schroedinger, pode numa primeira aproximao ser tambm utilizado para o
silcio amorfo se a influncia dos centros de aprisionamento for ignorada.
Quando a temperatura se aproxima de 0K, todos os estados da banda de conduo se
encontram vagos e os da banda de valncia ocupados, pelo que a funo de Fermi assume
valores constantes prximos de 0 ou 1. Neste caso o integral pode ser resolvido analiticamente
obtendo para energias superiores ao hiato de energias (EC-EV) a seguinte relao1:
(h )
1
(h (EC EV ))2
h
(2.3)
De acordo com esta relao o coeficiente de absoro aumenta com a energia dos fotes
incidentes, i.e. diminui com o comprimento de onda, anulando-se quando a energia inferior
energia do hiato, visto neste caso a energia de um s foto j no ser suficiente para
promover um electro da banda de valncia para a de conduo. Na proximidade do hiato
O expoente 2 vlido apenas para semicondutores amorfos onde apenas tem que ser respeitado o princpio de
conservao de energia. Se for necessrio, como no caso dos semicondutores cristalinos, considerar a
preservao dos nmeros qunticos teremos diferentes expoentes por ex. 0.5 ou 1.5. Para transies indirectas,
onde so tambm importantes as trocas de energia com a rede (fones), esta relao simples no suficiente para
a descrio da absoro .
27

observa-se assim uma variao brusca da absoro. Fala-se assim de absoro fundamental,
em referncia energia do hiato.
No a-Si:H existem estados no interior do hiato associados prpria estrutura amorfa do
material, nomeadamente os estados de cauda, pelo que o processo de absoro espectral j
no varia to abruptamente nas imediaes da banda proibida. Em vez disto existe uma
transio gradual de forte absoro para fraca absoro na regio imediatamente abaixo do
hiato (absoro sub-bandgap) com um gradiente finito dependente da densidade de estados
de cauda. No caso do silcio amorfo a dependncia energtica expressa na equao anterior
vlida apenas para energias suficientemente grandes; para energias inferiores ao hiato
observa-se uma absoro remanescente, que reflecte o efeito dos estados energticos
existentes na banda proibida.
Como foi expresso anteriormente a banda proibida dos semicondutores amorfos no
delimitada por uma variao abrupta da densidade de estados, pelo que o coeficiente de
absoro no convenientemente representado pela equao (2.3), uma vez que desta forma a
relao entre
(h ) h e h para energias inferiores absoro fundamental expressa
por uma recta que cruza o eixo das energias [37]. Neste grfico de Tauc o valor da energia no
ponto de interseco com o eixo das abcissas denominado de hiato ptico Eop ou de Tauc.
Este valor normalmente inferior ao hiato de mobilidades [38] referido na seco 2.5.
Na Figura 2.7 est representada a variao do coeficiente de absoro com a energia dos
fotes. Neste grfico possvel reconhecer diferentes zonas dadas por diferentes andamentos
da curva. Para energias muito pequenas, at cerca de 1.3 eV na regio do infravermelho, a
absoro determinada por transies de electres ligados s ligaes flutuantes (dangling
bonds) do meio da banda para a banda de conduo, e/ou da banda de valncia para as
ligaes flutuantes. O cotovelo observado nas baixas energias fotnicas est relacionado com
a densidade de defeitos do material semicondutor discutida anteriormente. Com o aumento da
energia observa-se um aumento quase exponencial do coeficiente de absoro. Este processo
devido a transies dos estados de cauda de valncia para a banda de conduo2 e estende-se
por vrias ordens de grandeza, at cerca de 1.8 eV aps o qual o processo de absoro
aumenta apenas moderadamente. Nesta zona dominam as transies directas entre a banda de
A cauda da banda de conduo possui um gradiente bastante mais acentuado que a da banda de valncia. Desta
forma a variao mais acentuada junto banda de conduo mascarada pela variao lenta junto banda de
valncia. Esta zona do espectro de absoro denominada de Urbach Tail o gradiente caracterstico de
energia de Urbach.
28

conduo e valncia. Esta zona do espectro de absoro utilizado para a determinao do
hiato ptico atravs da equao (2.3).
Comprimento de onda (nm)
7
14001200 1000
800
600
400
10
-1
Coeficiente de absoro (cm )
10
10
10
10
10
10
10
10
-1
Energia (eV)
Figura 2.7 Coeficiente de absoro para o silcio amorfo [39].

Esta regio acima da energia fundamental de especial interesse no tpico deste trabalho
sobre sensores de imagem, bem como para outros dispositivos optoelectrnicos baseados em
silcio amorfo. O comportamento de absoro, nesta gama de energias, a base de
funcionamento dos diferentes tipos de sensores pticos. Na Figura 2.7 evidente que o
coeficiente de absoro na regio espectral do visvel de 1.7 eV (~750nm) at 3.2 eV
(~380nm) aumenta mais que duas ordens de grandeza. Este facto justifica que os pequenos
comprimentos de onda, luz azul, sejam absorvidos fortemente principalmente junto da
superfcie, enquanto a radiao de maior comprimento de onda penetra mais profundamente
no material semicondutor. Abaixo do hiato a absoro devida a estados no hiato de tal
maneira fraca que a fotosensibilidade nula ou muito baixa.
Fazendo ligas de silcio com elementos do grupo IV da tabela peridica, por ex. carbono ou
germnio, o hiato do semicondutor composto pode ser alterado, como foi j referido
anteriormente. O valor do hiato ptico pode ser variado desta forma entre aproximadamente
1.1 eV (a-Ge:H puro) at cerca de 2.5 eV (a-SiC:H). No espectro de absoro a formao de
liga indicada por um desalinhamento da posio espectral do limiar de absoro que nos
extremos referidos toma o valor de 1100 nm ou 550 nm aproximadamente.
O hiato do silcio amorfo diminui com a temperatura e de uma forma geral pode ser calculado
empiricamente atravs do traado de Tauc para temperaturas superiores a 200 K, observando-
29

se uma variao de 0.5 meVK-1 como proposto por Cody [40]. Isto conduz a uma ligeira
deformao da curva no limiar de absoro, que implica uma alterao da zona de elevada
sensibilidade com o aumento da temperatura.
Depois da descrio anterior em que relacionamos a absoro de fotes com o esquema de
bandas de energia do semicondutor, consideremos o caso (Figura 2.8) em que um
semicondutor iluminado por radiao homognea de intensidade (x) incidente na normal
superfcie, em que no ponto x =0 a radiao penetrante dada por 0, e a coordenada x
representa o sentido de deslocao da luz. Designando a densidade de potncia luminosa
(em Wcm-2) e que est relacionada com a densidade do fluxo de fotes Nph (em cm-2 s-1)
atravs da energia h do foto correspondente pela seguinte relao.
= h .N ph
(2.4)
Fotes
Figura 2.8 Representao da penetrao da radiao num fotodiodo p-i-n para baixos (---) e
altos () comprimentos de onda.
A reduo da potncia, causada pela absoro, observada num determinado intervalo (x)
pode ser considerada linear em relao potncia. Da integrao da equao diferencial
obtida resulta:
( x) = 0 e x
(2.5)
Esta relao tambm conhecida como lei de Lambert. De acordo com esta atenuao
exponencial regular da luz no material semicondutor, podemos definir a profundidade de
penetrao ld como sendo a distncia qual a intensidade da radiao diminuiu de e-1 vezes
em relao radiao incidente na superfcie do semicondutor. A profundidade de penetrao
o reciproco do coeficiente de absoro:
ld =
30
(2.6)

Com base na dependncia espectral do coeficiente de absoro do silcio amorfo expresso na
Figura 2.7 pode ser obtida a relao entre o comprimento de onda da radiao e a
Penetrao (m)
profundidade de penetrao no semicondutor, que apresentada na Figura 2.9.
Comprimento de onda (m)
Figura 2.9 Profundidade de penetrao dos fotes num semicondutor em funo do seu
comprimento de onda.
Desta figura evidente que a radiao de pequeno comprimento de onda (azul, =450 nm)
penetra apenas cerca de 10 nm no silcio amorfo, enquanto a profundidade de penetrao
aumenta com o comprimento de onda cerca de duas ordens de grandeza para a regio final do
espectro visvel (vermelho, =630 nm), at que na regio do infravermelho, mesmo para
espessuras de mais de 1 mm, o material pode ser considerado transparente. A relao
existente entre o comprimento de onda da radiao incidente e a profundidade de absoro no
semicondutor uma caracterstica fulcral utilizada no projecto de sensores de cor.
A taxa de gerao de portadores G em excesso pode ser determinada de acordo com a relao
entre a gerao fotoelctrica de carga e a absoro de fotes, apresentada no incio deste
captulo. O nmero de portadores foto-gerados num determinado intervalo proporcional ao
nmero de fotes absorvidos nesse mesmo intervalo, pelo que a taxa de gerao pode ser
descrita por:
N ph
G =
(2.7)
onde a quantidade 1 representa a eficincia quntica, que indica o nmero de pares

electro/lacuna gerados por cada foto absorvido. Na prtica e numa primeira aproximao
pode ser assumido 1 para a regio acima da absoro fundamental [41]. Utilizando a lei de
Lambert obtemos finalmente:
31
G ( x ) = N ph ( x = 0 )e x = 0
x
e
h
(2.8)
A taxa de gerao exibe assim uma dependncia espacial exponencial. A gerao est no
entanto linearmente relacionada com o valor do coeficiente de absoro, de forma que para
grandes (por ex. para iluminao com radiao de baixos comprimentos de onda) resulta
num decrscimo abrupto da taxa de gerao, enquanto que com a diminuio do coeficiente
de absoro (i.e. com o aumento do comprimento de onda), a taxa de gerao aplana e
menor em valores absolutos. A Figura 2.10 apresenta a taxa de gerao em funo da
profundidade para alguns valores do comprimento de onda.
3,0
5
-1
= 450 nm, =2,8 10 cm

4
-1
= 550 nm, =7,9 10 cm
4
-1
= 650 nm, =1,3 10 cm
2,0
-1
G/NPh(0) [10 cm ]
2,5
1,5
1,0
0,5
0,0
200
400
600
800
1000
x [nm]
Figura 2.10 Taxa de gerao ptica dependente da posio no silcio amorfo sobre
diferentes condies de iluminao monocromtica. A eficincia quntica foi considerada
unitria, =1.
Como uma aproximao podemos considerar que a fotogerao ocorre desde a superfcie do
semicondutor at profundidade definida pela equao (2.6). Esta caracterstica de especial
importncia para o dimensionamento da espessura da camada activa dos dispositivos podendo
esta ser optimizada para a deteco de uma determinada gama de comprimentos de onda.
Uma tcnica utilizada para a discriminao da cor recorre a esta propriedade, utilizando
estruturas empilhadas de materiais com diferentes coeficientes de absoro, sendo a espessura
de cada camada optimizada de acordo com a gama de comprimentos de onda a detectar.
As relaes expostas anteriormente, referem-se a uma camada homognea de material
semicondutor absorvente (ex. a-Si:H). Para a caracterizao de estruturas multicamada mais
complexas com variao das propriedades dos materiais, como o caso dos sensores de
imagem estudados neste trabalho, necessrio tomar em conta tambm as propriedades
32

pticas das interfaces. A simulao do comportamento ptico da sequncia de camadas
importante, uma vez que permite o clculo numrico da taxa de gerao pela incluso dos
coeficientes de Fresnel de transmisso e reflexo para as vrias interfaces, bem como no
interior das camadas.
2.6. Fotoconduo no silcio amorfo

A estrutura amorfa do semicondutor tem efeito directo sobre as propriedades de transporte,
pelo que importante focar alguns efeitos relacionados com o processo de fotoconduo.
Devido alta densidade de estados presentes no hiato existem normalmente mais portadores
aprisionados nos estados de cauda que nas respectivas bandas. Devido menor inclinao da
cauda da banda de valncia, este facto mais importante no que diz respeito s lacunas. Desta
forma existe uma grande quantidade de carga que no est disponvel, por exemplo por
gerao ptica, para a conduo de corrente. Esta reduo da fotoconduo causada pelo
aprisionamento dos portadores de carga, pode ser considerada como uma correco
introduzida no conceito de deriva [42, 43]. Aqui existe a diferenciao entre as mobilidades
nas bandas n e p e as mobilidades de deriva nD e pD para electres e lacunas
respectivamente, expressas por:
nD =
pD =
nf
n f + nt
pf
p f + pt
(2.9)
(2.10)
onde os factores de proporcionalidade so dados pela relao entre o nmero de portadores

livres (nf) e o total composto pelos portadores livres (nf) mais os aprisionados (nt). Na
literatura estes valores so tipicamente tomados entre 10-1 e 10-4, pelo que a mobilidade de
deriva entre 10 a 10000 vezes menor que a respectiva mobilidade na banda [44, 45].
Adicionalmente, o aprisionamento dos portadores nos estados de cauda o principal
responsvel pela resposta transiente mais lenta dos dispositivos baseados em silcio amorfo,
quando comparado com o seu congnere cristalino.
O papel dos portadores presentes nas bandas de energia no mecanismo de transferncia de
carga pode ser descrito recorrendo ao modelo multiple trapping [46]. De acordo com este
modelo o transporte de corrente devido apenas aos portadores presentes nas bandas. Os
estados de cauda so vistos apenas como centros de aprisionamento, onde as cargas so
33

aprisionadas e libertadas, aps um tempo de reteno, novamente para as bandas. As cargas
aprisionadas junto aos limites das bandas s contribuem para o transporte de corrente aps
excitao trmica. As transies directas entre os estados profundos no hiato (dangling bonds)
so ignoradas para efeitos de fotoconduo, uma vez que normalmente esto associadas a
baixas densidades de defeitos.
A influncia das ligaes flutuantes na fotoconduo resulta principalmente da recombinao,
que ao aumentar provoca uma diminuio da fotocondutividade. Neste contexto, referida na
literatura a diferenciao entre os estados de energia responsveis pelo armadilhamento de
carga, e os centros de recombinao, aos quais se d o nome de nveis de demarcao [47] e
que est relacionada com os quasi-nveis de Fermi. Os estados entre os limiares das bandas e
os respectivos nveis de demarcao afectam principalmente o armadilhamento, enquanto para
estados entre os nveis de demarcao predomina a recombinao. O nmero de centros de
recombinao depende assim da fragmentao dos quasi-nveis de Fermi, i.e. da intensidade
de injeco de carga, logo tambm da intensidade da radiao absorvida.
Geralmente no silcio amorfo os processos de difuso no transporte de carga so negligveis
face aos de deriva, uma vez que devido elevada desordem estrutural o comprimento de
difuso dos portadores bastante pequeno. O comprimento de difuso para o a-Si:H ronda
100 nm[48, 49], enquanto as distncias de deriva dependentes da intensidade do campo
elctrico podem ser bastante superiores a 10 m. Excepes a este ponto de vista simplificado
devero ser consideradas em situaes de pequenas distncias de deriva devidas baixa
intensidade do campo elctrico, nas proximidades das regies dopadas, bem como em
situaes de elevada absoro ptica e dos altos gradientes de concentrao de portadores
gerados por esta.
Nas estruturas utilizadas em sensores optoelectrnicos o mecanismo de funcionamento
baseia-se na coleco assistida por campo elctrico. Nestas estruturas a corrente gerada na
camada de absoro extrada pelo campo elctrico existente.
A fotocondutividade est associada a dois mecanismos distintos e designada como
fotocondutividade primria e fotocondutividade secundria [50]. A fotocondutividade
primria est presente quando os portadores gerados numa camada absorvente so colectados
por meio de contactos e injectados num circuito elctrico exterior. Estes contactos so
referidos como contactos bloqueantes, uma vez impedem a injeco externa de electres.
Como exemplo de fotoconduo primria temos o caso da fotocorrente atravs de um dodo
p-i-n quando operado em polarizao inversa. Neste caso os electres e as lacunas gerados
opticamente derivam sob a aco de um campo elctrico aplicado em direco aos contactos,
34

onde so colectados e entregues ao circuito elctrico exterior. Dentro da camada intrnseca a
fotocorrente passa de uma corrente de lacunas nas imediaes da camada p, para um fluxo de
electres no contacto n. Cada portador de carga gerado contribui para a fotocorrente se este
for colectado antes de se recombinar, pelo que este processo depende da espessura da camada
intrnseca, que condiciona o campo elctrico interno E. Desta forma os comprimentos de
deriva lp e ln assumem um papel crucial e so expressos por:
l n = nD n E e l p = pD p E
(2.11)
sendo o comprimento de coleco lc dado por:
lc = l p + l n
(2.12)
onde n e p representam, respectivamente, o tempo de vida dos electres e das lacunas.

O regime de fotocondutividade primria largamente utilizado nos sensores pticos devido
baixa corrente de escuro, consequncia da existncia de contactos bloqueantes, e alta gama
dinmica. Parte do trabalho aqui apresentado recai sobre este tipo de operao,
nomeadamente no caso da deteco de imagem a preto e branco.
No caso da fotocondutividade secundria, os contactos podem injectar portadores de carga em
nmero arbitrrio. Isto acontece em contactos hmicos ou em fotododos operados em
polarizao directa, acima da tenso de circuito aberto. Nesta situao ocorre um reforo da
fotocorrente (a eficincia quntica pode ser superior unidade), no entanto isto no significa
que um foto pode excitar mais que um electro, mas sim que as cargas injectadas pelo
contacto atravessam o dispositivo e so novamente colectadas no outro contacto. Assim, um
portador pode atravessar o semicondutor vrias vezes, enquanto com contactos bloqueantes
cada portador s atravessa a zona de absoro uma vez. A eficincia de coleco no caso de
fotocondutividade primria est limitada ao valor mximo de 1.
2.7. Modelao de sensores pticos de a-Si:H

Muito embora o presente trabalho tenha nfase principalmente na rea experimental, so
tambm discutidos alguns aspectos fundamentais da modelao elctrica de elementos
fotosensveis baseados em silcio amorfo. Tendo em considerao os objectivos do trabalho, e
a limitao de espao e tempo no ser efectuada uma exposio exaustiva deste tpico, sendo
apenas apresentadas algumas noes introdutrias importantes.
35

A simulao do funcionamento de dispositivos semicondutores pode ser efectuada recorrendo
a modelos analticos ou numricos, com o fim de determinar alguns parmetros
caractersticos, como por exemplo: corrente de escuro, fotocorrente e outras grandezas delas
dependentes como a sensibilidade espectral.
A base do processo de modelao o sistema de equaes fundamentais dos semicondutores
[51]:
Densidade de corrente:
dn
jn = q n n E + Dn
dx
dp
j p = q p p E D p
dx
(2.13)
Continuidade:
dn 1 djn
=
+G R
dt q dx
dp
1 dj p
=
+G R
dt
q dx
(2.14)
Poisson:
2 dE
=
=
x 2 dx
(2.15)
A simulao numrica apropriada para resolver o sistema de equaes diferenciais

acopladas ajustando as condies fronteira. Desta forma podem-se obter solues precisas,
tanto em condies estacionrias como em regime transiente, no s para grandezas acessveis
experimentalmente (corrente, tenso, capacidade) mas tambm para caractersticas internas
(concentrao de portadores de carga, distribuio de campo elctrico e potencial, etc.) e que
permitem um conhecimento mais aprofundado do modo de funcionamento dos dispositivos.
A simulao numrica til no caso dos dispositivos baseados em silcio amorfo e suas ligas,
devido distribuio contnua da densidade de estados no hiato, a qual responsvel pela
taxa de recombinao e pelo aprisionamento de cargas com o aparecimento de zonas de carga
espacial.
Adicionalmente, esta tcnica permite a considerao de uma taxa de gerao dependente da
posio num dispositivo multicamada, a qual pode ser obtida atravs de simulao ptica. No
entanto, a elevada potncia de clculo e tempo necessrios limitam a utilizao desta tcnica
no desenvolvimento de dispositivos complexos. A simulao analtica utiliza simplificaes
apropriadas das equaes dos semicondutores (por ex. desprezar as correntes de difuso ou a
36

carga espacial), por forma a que o conjunto de equaes possa ser resolvido analiticamente. A
acuidade dos resultados fortemente dependente da validade das simplificaes utilizadas.
Tendo em conta as caractersticas do silcio amorfo, difcil resolver rapidamente o sistema
de equaes analiticamente, pelo que estes modelos geralmente no permitem uma descrio
precisa
das
propriedades
do
material.
De
qualquer
forma
estes
modelos
so
predominantemente utilizados para optimizao de elementos pelo estudo dos seus

parmetros, e para integrao em programas de simulao de circuitos.
A literatura apresenta aproximaes simulao numrica e analtica de dispositivos baseados
em a-Si:H, na sua maioria referentes descrio de dodos p-i-n sob a forma de clulas
solares ou fotodetectores. Como exemplo de modelos numricos [52, 53, 54, 55] e tambm de
modelos analticos [56, 57, 58, 59].
No contexto do presente trabalho, os sensores de imagem estudados utilizam uma estrutura de
dodo, onde uma camada de silcio amorfo intrnseco utilizada para a absoro da radiao
est entre duas camadas dopadas, que funcionam como contactos bloqueantes, impedindo a
injeco de portadores de carga vindos do exterior.
Quando esta estrutura sujeita a iluminao a corrente no dispositivo devida fotocorrente
primria, uma vez que os portadores fotogerados so colectados pelas camadas dopadas sob o
efeito do campo elctrico interno associado a estas. Desta forma a estrutura utilizada para o
sensor de imagem simplesmente um fotododo p-i-n como os utilizados em clulas solares e
fotodetectores, pelo que de seguida sero introduzidos alguns conceitos principais para a
descrio analtica desta estrutura, que permitem explicar o modo de funcionamento da
estrutura como sensor de imagem.
A Figura 2.11 representa a estrutura, o diagrama de bandas, o perfil do campo elctrico para
um dodo p-i-n sobre iluminao, e que servem de base para discusso que se segue. As
figuras apresentadas relativas s grandezas elctricas so relativas situao de polarizao
inversa da juno, o que corresponde ao modo de funcionamento normal do dispositivo. Neste
caso o campo elctrico interno fortalecido pela tenso V<0 aplicada externamente, pelo que
a queda de tenso efectiva atravs da regio intrnseca dada por:
Vi=V0+V
(2.16)
Onde V0 representa o potencial de contacto da juno, dependente do hiato do semicondutor e

da posio no nvel de Fermi nas camadas dopadas.
O campo elctrico devido tenso aplicada atravs da zona i apresenta normalmente uma
distribuio no homognea ao longo desta como est representado ao tracejado na Figura
2.11-b). Este facto uma consequncia da acumulao de cargas na camada intrnseca,
37

preferencialmente na proximidade das camadas dopadas, devido existncia de contactos
bloqueantes.
A variao espacial da posio do nvel de Fermi favorece a criao de estados no hiato
carregados negativamente (D-) na proximidade da camada n, e de estados carregados
positivamente (D+) prximo da camada p. Esta carga espacial causa um aumento do campo
elctrico nas interfaces p-i e i-n e uma atenuao no centro da camada intrnseca, pelo que o
contributo dos portadores a gerados para a fotocorrente decresce devido ao aumento da taxa
de recombinao. Como a extenso das regies de carga espacial dependente da gerao de
portadores, i.e. da separao dos quasi-nveis de Fermi, a atenuao do campo elctrico mais
evidenciada pelo aumento da intensidade luminosa.
Figura 2.11 Representao esquemtica a) de um fotododo p-i-n sob iluminao, b)

diagrama de bandas no caso de polarizao inversa, c) perfil do campo elctrico e d)
distribuio espacial do produto para electres (n) e lacunas (p). A tracejado esboamse as curvas reais no dodo estando representadas a cheio as aproximaes usadas nos
modelos analticos.
38

O modelo analtico mais citado para estruturas p-i-n de silcio amorfo sob iluminao
constante foi proposto por R. S. Crandall [60]. De acordo com este modelo a distribuio do
campo elctrico na zona intrnseca, Ei, considerada constante e o seu valor mdio dado por:
Ei =
VI
di
(2.17)
onde di representa a espessura da camada intrnseca. O mesmo acontecendo para os produtos
dos electres e lacunas. Este modelo pretende simplificar a dependncia espacial destas
grandezas considerando os produtos constantes. Adicionalmente o processo de difuso dos
portadores desprezado face sua deriva, pelo que a corrente sob iluminao pode ser
considerada como corrente de deriva em toda a camada i. Uma vez que este modelo pressupe
absoro de radiao homognea, no pode ser aplicado a estruturas de deteco de imagem
em cor sem algumas alteraes. Introduzindo o simples conceito de absoro de cargas e
gerao exponencial ao modelo de Crandall este uma base de trabalho para o estudo das
estruturas. Considerando a difuso negligvel (Dn=Dp=0), as equaes da densidade de
corrente (2.13) podem ser introduzidas nas equaes de continuidade (2.14), pelo que no caso
estacionrio (d/dt=0) ser apenas necessrio resolver as seguintes equaes:
dn
1
=
(G R )
dx
n E
dp
1
(G R )
=
dx p E
(2.18)
A gerao de portadores ao longo da estrutura processa-se exponencialmente, de acordo com

a lei de Lambert, sendo os efeitos de interferncia devido a reflexes mltiplas desprezados:
G ( x) = G0 e x
(2.19)
G0 = N ph ( x = 0)
(2.20)
com
A concentrao de portadores obtida por integrao das equaes (2.18), sendo numa
primeira etapa desprezada a taxa de recombinao dentro da regio i, (R=0). Considerando
interfaces ideais do ponto de vista da recombinao, poderemos considerar que a
concentrao de portadores minoritrios junto destas nula:
n(0)=0
p(di)=0
(2.21)
considerando estas condies fronteira a concentrao de portadores ser dada por:
39
n( x) =
p( x) =
G0
G0
p E
(1 e )
x
n E
(e
(2.22)
x
d i
De acordo com esta soluo, a taxa de recombinao pode ser determinada segundo a
formulao de Crandall num segundo passo.
R(x ) =
n( x ) p ( x )
n( x) p + p( x) n
(2.23)
Que pode agora ser introduzida na equao da continuidade. As concentraes de portadores

finais n(x) e p(x) so obtidas por integrao numrica, considerando as taxas de gerao e
recombinao indicadas. Desta forma as solues podem ser introduzidas novamente nas
equaes simplificadas da corrente, obtendo-se as equaes para a dependncia espacial das
componentes da fotocorrente para electres e lacunas.
jn = qn n E
(2.24)
j p = qp p E
sendo a fotocorrente (constante) dada pela soma das duas componentes:
(2.25)
j ph = jn + j p
Tendo em conta as consideraes tecidas anteriormente, este modelo simples permite obter
resultados aproximados para a fotocorrente atravs do fotododo iluminado. Ainda assim a sua
utilizao deve ser efectuada com algum cuidado, uma vez que no so por exemplo
consideradas as perdas por recombinao na camada dopada frontal quando o dispositivo
iluminado
por
radiao
fortemente
absorvida
(baixos
comprimentos
de
onda).
Adicionalmente, uma desvantagem significativa deste modelo o facto de considerar o

produto constante, quando na realidade as variaes internas do campo elctrico,
especialmente nas zonas prximas das interfaces p-i e i-n, podem induzir variaes no
produto de vrias ordens de grandeza [61]. No caso de iluminao com luz de elevado
comprimento de onda, a baixa absoro destes fotes faz com que, num dispositivo real,
possam existir mltiplas reflexes internas, desta forma a fotocorrente observada no ser a
prevista por este modelo. No obstante as restries indicadas este modelo simples permite
aferir de forma aceitvel a dependncia do campo elctrico interno com a fotocorrente.
de referir ainda que existem disponveis vrias ferramentas de simulao, na sua grande
maioria de utilizao gratuita, com diferentes abordagens ao problema da simulao numrica
40

de dispositivos optoelectrnicos baseados em a-Si:H. De entre outros h a destacar alguns
programas que foram utilizadas em diferentes situaes no decorrer deste trabalho
nomeadamente ASCA [62], Afors-Het [63], AMPS [64].
2.8. Caractersticas estacionrias dos sensores p-i-n

Antes de estudar os sensores p-i-n torna-se necessrio definir as principais caractersticas dos
sensores pticos.
Quando se fala em sensores pticos um dos parmetros mais importantes a sua
responsividade espectral R, que quando o sinal do dispositivo medido em corrente,
representa a relao entre a densidade de corrente que percorre o sensor (em A/cm2) e a
potncia ptica incidente (em W/cm2) desta forma vem:
R ( ) =
j ph
( )
(2.26)
A responsividade espectral depende da tenso aplicada ao sensor, e pode ser relacionada com
a eficincia quntica que representa o nmero de portadores gerados e colectados por cada
foto absorvido.
QE =
h
hc
R
R=
R = 1240
q
q
(2.27)
Muito embora a responsividade espectral efectivamente defina a sensibilidade do dispositivo,

ela no d nenhuma indicao do mnimo fluxo radiante que pode ser detectado. Este fluxo
mnimo normalmente definido como o valor RMS de potncia radiante necessrio para
produzir um sinal igual ao nvel de rudo do sensor, ou seja uma relao sinal-rudo unitria, e
conhecido como potncia equivalente ao rudo (NEP) noise equivalent power.
NEP =
P
V s Vn
(2.28)
Da exposio anterior evidente que quanto menor o NEP melhor ser a performance de um
sensor ptico. Para evitar esta aparente incoerncia em 1953 Jones [65] definiu a
detectividade como sendo o inverso do NEP.
D* =
1
W 1
NEP
(2.29)
Quando a detectividade D* utilizada para caracterizar um determinado sensor necessrio

definir tambm o comprimento de onda da radiao, a frequncia de modulao, a polarizao
41

aplicada, a rea do sensor e a largura de banda do amplificador utilizado para efectuar a
medida do rudo do detector.
Outro parmetro importante em sensores pticos o alcance dinmico. O alcance dinmico
normalmente definido como a relao entre a mxima fotocorrente, medida na zona de
funcionamento linear do sensor, e a corrente de rudo correspondente. Esta definio
normalmente equivalente relao entre a intensidade da luz na saturao e a mnima
intensidade detectvel. No caso de sensores discretos em que tipicamente no se observa
saturao considervel para valores de iluminao superiores a 100000 lx3 prefervel
recorrer a uma definio que relaciona a fotocorrente medida com uma intensidade de luz e
espectro definidos com a corrente de escuro do dispositivo, que vista como sendo o limite
inferior do alcance dinmico. Escolhendo para o valor limite superior 1000 lx a expresso
para o alcance dinmico toma ento a forma:
D = 20 log
j ph ,1000lx
jD
(dB )
(2.30)
Tipicamente o valor do alcance dinmico varia com a tenso de polarizao do dispositivo,

uma vez que tanto o numerador como o denominador da fraco so dependentes da tenso.
Tambm de especial importncia nomeadamente nos sensores de imagem a sua linearidade,
isto , a proporcionalidade entre a intensidade da luz incidente e fotocorrente medida com
uma determinada tenso de polarizao. Tipicamente, como se pode encontrar na bibliografia
[66], esta relao toma a forma:
j ph
(2.31)
Onde o expoente toma um valor entre 0,5 e 1. Sendo um parmetro de especial importncia,
a linearidade dos dispositivos estudados ser determinada para diferentes condies de
operao num captulo posterior.
Mesmo na ausncia de iluminao um fotododo polarizado inversamente percorrido por
uma determinada corrente. Esta corrente, denominada corrente no escuro dark current,
principalmente resultado da gerao trmica e apresenta portanto uma forte dependncia da
temperatura. Como os portadores gerados termicamente ou pela luz no podem ser
distinguidos, esta corrente estabelece a mnima fotocorrente que se pode detectar. A origem
desta corrente est nos estados existentes na banda proibida da camada i, e resulta da
excitao sequencial de electres e lacunas. A excitao de electres e lacunas fixa os quasi-
Uma intensidade de 100000 lx corresponde por exemplo intensidade da radiao solar que atinge o solo no
vero (AM 1.5).
42

nveis de Fermi em polarizao inversa junto do centro da banda proibida. Quando se aplica
uma determinada polarizao a corrente imediatamente maior, porque o nvel de Fermi
deslocado do centro da banda proibida fazendo com que a excitao ocorra a uma maior taxa.
Passado o tempo de transio atinge-se novamente a corrente mnima devida a gerao
trmica. Assumindo o formalismo Schockley-Read-Hall e assumindo depleco completa e
coleco total de electres e lacunas excitados, o valor da corrente de gerao trmica dada
por [67]:
E E FD
jth 0 = qN ( E FD )kT 0 exp C
kT
(2.32)
Onde 0 o factor de taxa de excitao, e EFD uma energia de quasi-Fermi definindo a

ocupao dos estados localizados prximos do centro da banda proibida.
Alm desta origem a corrente de escuro pode ainda ser o resultado de diferentes processos,
alguns mais difceis de contabilizar, nomeadamente fuga superficial e injeco pelos
contactos.
2.9. Caractersticas transientes dos sensores p-i-n

Na seco anterior foram focados diversos tipos de caractersticas estacionrias dos sensores
de pticos de imagem, mas a caracterizao destes s fica completa com uma anlise do seu
comportamento transiente. Nas seces seguintes avaliaremos as caractersticas capacitivas e
transientes dos sensores de imagem baseados em a-Si:H, que se revestem de especial
importncia para aplicaes em tempo real dos referidos sensores.
Desta forma so especialmente importantes duas situaes. A primeira relativa ao regime
transiente que se estabelece quando se alteram as condies de iluminao. Adicionalmente
tambm importante estudar o regime que se estabelece quando a tenso de polarizao do
sensor alterada. Esta tcnica tem especial interesse na resposta selectiva cor, onde podem
ser realizados vrios varrimentos sob diferentes polarizaes elctricas, por forma a
reconstruir a imagem de cor a partir de trs imagens monocromticas.
Antes de iniciarmos a anlise dos dados relativos s estruturas em causa importante
identificar algumas caractersticas transientes fundamentais relacionadas com as estruturas pi-n, com base em numerosos resultados publicados.
Um dos processos mais importantes que influenciam as caractersticas transientes dos
dispositivos baseados em a-Si:H prende-se com o facto de alguns dos portadores gerados por
43

absoro de fotes com energias superiores energia do hiato serem aprisionados ou se
recombinarem atravs de estados de energia localizados.
Um fenmeno observado nos fotododos de a-Si:H (ex. Schottky ou p-i-n) o facto de aps se
iluminar o dispositivo a corrente no aumentar imediatamente para o seu valor estacionrio,
mas sim de uma forma gradual com uma taxa de subida finita que pode variar, de acordo com
as condies de operao, de alguns s at a alguns segundos. Este comportamento pode ser
atribudo ao facto de os portadores fotogerados ocuparem primeiro os estados profundos e os
estados do hiato e portanto no esto disponveis para o transporte de corrente. Depois de se
extinguir a iluminao, estes portadores voltam novamente para os estados extensos por
emisso trmica, onde so acelerados pelo campo elctrico existente e eventualmente
colectados, pelo que a corrente se mantm durante mais algum tempo. Por integrao do
transiente que se estabelece quando se inicia e se interrompe o fluxo luminoso possvel
demonstrar que a quantidade de carga envolvida em ambas as situaes igual e esta pode ser
identificada com a carga armadilhada nos estados de cauda e nos defeitos profundos. O valor
da corrente aumenta com o aumento da intensidade luminosa e com a sua durao, at atingir
a saturao, que ser certamente devida ao esgotamento dos estados localizados.
Este efeito pode ser descrito de acordo com o conceito de Multiple Trapping Model [68].
Assim a taxa de aprisionamento rt(Et) a um determinado nvel de energia Et pode ser
relacionada com a densidade de estados livres correspondente a essa energia e a densidade de
electres livres n de acordo com a expresso [69]:
rt (Et ) = 0
n
N t (Et )(1 f (Et ))
NL
(2.33)
onde NL representa a densidade de estados efectiva no limiar da banda de conduo, Nt(Et)

representa a densidade de estados e f(Et) a funo de ocupao dos estados localizados a uma
energia Et. O factor v0 denominado de frequncia de tentativa de fuga Atempt to escape
frequency [70] e varia entre 1011 e 1013 s-1. Desta forma ocorre um deslocamento dos quasinveis de Fermi dos defeitos que causado no caso do aumento da intensidade luminosa pela
captura de portadores das bandas, que portanto no participam no transporte de corrente.
A taxa de emisso de electres re(Et) a um determinado nvel de energia Et do hiato dada
pela seguinte equao [72]:
re (Et ) = 0 e
EL Et
kT
N t (Et ) f (E t )
O tempo caracterstico de emisso (Et) ser dado por
44
(2.34)
E L Et
1 kT
( Et ) = 0 e
(2.35)
Assim existe uma correlao entre a energia dos estados localizados e o tempo mdio de
emisso das cargas a aprisionadas. Este processo activado termicamente, pelo que os
centros de aprisionamento mais prximos da banda de conduo sero esvaziados primeiro,
enquanto os mais profundos permanecem ocupados por mais tempo. A durao da emisso
dos centros de aprisionamento profundos pode atingir a ordem de grandeza de 1000 s [71, 72].
Durante o processo de emisso o quasi-nvel de Fermi dos defeitos para os electres deslocase em direco ao centro do hiato. Os portadores emitidos para as bandas so acelerados pelo
campo elctrico interno em direco s camadas dopadas onde so colectados, produzindo um
fluxo de corrente que vai decrescendo depois de retirada a iluminao. A razo a que a
corrente decresce depende consideravelmente do comprimento de difuso dos portadores,
logo influenciada pela magnitude da tenso inversa aplicada ao dodo. Para valores
suficientemente elevados do campo elctrico interno a fotocorrente decresce usualmente de
forma rpida, enquanto na situao de curto-circuito ou polarizao inversa ligeira
observado um prolongamento do transiente.
De acordo com as equaes (2.34) e (2.35) o regime transiente fortemente dependente da
temperatura. Como est expresso nas equaes (2.33) e (2.34) a densidade de estados
disponveis tem grande influncia neste processo, pelo que se conclui que a densidade de
defeitos e de estados de cauda afectam o regime transiente. ainda de realar que devido ao
fenmeno de degradao induzida pela luz Staebler Wronsky Effect, segundo o qual a
densidade de defeitos aumenta aps exposio luz, o tempo transiente tem tendncia a
aumentar aps alguns ciclos com luz/sem luz [72]. Quando se liga a luz o preenchimento dos
centros de aprisionamento com os portadores gerados pela luz processa-se de acordo com o
desvio dos quasi-nveis de Fermi para os defeitos, cuja disperso est relacionada com a
intensidade da radiao absorvida. A posio dos quasi-nveis de Fermi para os defeitos
indicam os nveis de energia at aos quais os portadores esto armadilhados. O transiente que
se estabelece ao desligar a luz depende da distncias dos nveis de quasi-Fermi s bandas
(2.35), pelo que para altas intensidades luminosas observado um decaimento mais abrupto
do que nas situaes de pequeno desvio dos mesmos.
Factores muito importantes para o comportamento transiente dos sensores so a sua estrutura
e o modo de operao. Por exemplo a posio do nvel de Fermi geralmente causa uma
distribuio espacial no homognea dos centros de aprisionamento ao longo da estrutura. A
zona intrnseca na proximidade das camadas dopadas apresenta uma elevada densidade destes
45

centros, de forma que nas proximidade da camada n existem estados carregados
negativamente abaixo do meio da banda, que funcionam como armadilhas interfaciais para as
lacunas, enquanto na vizinhana da camada p existem estados carregados positivamente
acima do meio da banda, resultando num aumento da probabilidade de aprisionamento dos
electres [73, 74]. Devido a este efeito os portadores aprisionados concentram-se
maioritariamente nas vizinhanas das camadas dopadas. Este facto tem influncia na
distribuio interna do campo elctrico devido variao da densidade de carga, o que por
sua vez afecta a taxa de aprisionamento e recombinao dos portadores nas zonas de baixo
campo. Adicionalmente h ainda a ter em conta a direco e a profundidade de penetrao da
luz, pelo que devido distribuio espacial dos centros de aprisionamento no homognea a
contribuio para a corrente transiente que se estabelece aps o desligar da luz pode ser
maioritariamente dos electres ou das lacunas. Devido aos perfis diferentes dos estados de
cauda das bandas de valncia (mais gradual) e de conduo (mais abrupto) os regimes
transientes controlados por lacunas so geralmente mais lentos que os devidos aos electres.
Deveremos de qualquer forma ter em considerao que no caso estacionrio (iluminao
constante) existe constantemente aprisionamento e emisso de portadores. As taxas de
emisso e aprisionamento devero estar obviamente balanceadas para que se estabelea uma
situao de equilbrio quasi-estacionrio.
A exposio anterior deixa antever que as caractersticas transientes dos dispositivos baseados
em a-Si:H apresentam uma multiplicidade de dependncias dos parmetros do material ainda
maior do que as estticas, resultando num elevado grau de complexidade especialmente se
aplicadas ao estudo de heteroestruturas ou dispositivos multicamada mais complexos (ex. p-in-p-i-n). O contexto em que se desenvolve este trabalho impede o desenvolvimento detalhado
da teoria por detrs da resposta transiente dos sensores p-i-n, pelo que sero apenas
apresentados e discutidos resultados considerados essenciais.
2.10. Concluses
Neste captulo foram discutidas as caractersticas gerais das estruturas p-i-n em tecnologia de
silcio amorfo hidrogenado que so a base dos dispositivos utilizados neste trabalho. Foram
abordados os aspectos principais da fsica do dispositivo, evidenciando as vantagens de
utilizao de programas para simulao numrica para um mais rpido desenvolvimento da
tecnologia.
46

O processo de fabrico das amostras utilizadas foi descrito em detalhe, indicando os principais
parmetros de deposio utilizados.
2.11. Referncias
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51
52
Captulo 3 - Caracterizao de pelculas e dispositivos
IAMO
Laboratrio de caracterizao @ISEL
Captulo 3
3.
Caracterizao de pelculas e dispositivos

3.1. Introduo
Antes de podermos comear a explorar uma nova tcnica de utilizao de um determinado

dispositivo necessrio conhecer em detalhe todas as suas caractersticas. A caracterizao
dos dispositivos utilizados neste trabalho ser apresentada neste captulo. Por uma questo de
clareza este captulo est dividido em duas partes. Na primeira sero apresentados os
resultados da caracterizao ptica e elctrica dos diferentes filmes finos que compem os
dispositivos. Na segunda parte sero abordados os aspectos relativos caracterizao dos
dispositivos completos. Por uma questo de convenincia as tcnicas utilizadas, standard ou
desenvolvidas para o efeito, sero descritas antes da apresentao dos resultados obtidos e da
sua interpretao. Este captulo termina com a apresentao e validao do modelo elctrico
proposto para os dispositivos em estudo.
53
3.2. Caractersticas optoelectrnicas dos filmes

Por forma a caracterizar e optimizar o sensor foram fabricados dispositivos com diferentes
caractersticas. Com o conjunto de amostras referido ser estudado o efeito da espessura da
camada intrnseca e da presena de carbono nas camadas dopadas, nas caractersticas pticas
e electrnicas dos dispositivos. Os parmetros de deposio das diferentes camadas de
material semicondutor esto sumariados na Tabela 3.1.
Tabela 3.1 Parmetros de deposio das estruturas p-i-n.

Amostra
#M006291/2
#M006301/2
#M007192
#M011101/2
Camada SiH4
H2
PH3
B2H6
CH4
Espessura
(sccm)
(sccm)
(sccm)
(sccm)
(sccm)
()
11.96
0.04
500
20.00
10
5000/2500
11.98
0.02
500
11.96
0.04
500
20.00
10
5000/2500
11.98
0.02
20
500
11.96
0.04
20
500
20.00
10
5000
11.98
0.02
20
500
11.96
0.04
40
500
20.00
10
5000
11.98
0.02
20/
500
Para avaliar as propriedades optoelectrnicas de cada uma das camadas isoladamente foram
tambm depositadas pelculas finas individuais sobre vidro Corning AF45 utilizando as
mesmas condies de processo das estruturas p-i-n.
3.2.1. Condutividade
A condutividade elctrica foi medida utilizando contactos metlicos coplanares de alumnio
depositados sobre os filmes finos. O substrato utilizado foi vidro Corning AF45. Foram
54

realizadas medidas da condutividade no escuro (d) e da fotocondutividade (ph) sob
iluminao AM1.5 (100 mW cm-2) [1] com a amostra em vcuo para eliminar a possibilidade
de condensao do vapor de gua para as baixas temperaturas, e para impedir a oxidao
quando a amostra aquecida. Antes de iniciar a medida a amostra foi aquecida a 380 K
durante cerca de 30 minutos para garantir a eliminao da humidade eventualmente existente.
Utilizando a geometria de contactos usual, a condutividade dos filmes pode ser determinada,
para qualquer temperatura ou condies de iluminao, aplicando uma tenso fixa (V) entre os
contactos e medindo a corrente (I) que percorre a amostra. Desta forma a condutividade
dada pela expresso:
I l
V wd
(3.1)
onde l representa a distncia entre contactos, w a sua largura e d a espessura do filme.

A energia de activao foi determinada atravs do declive de ln(d) em funo do inverso da
temperatura (Traado de Arrhenius), durante a etapa de arrefecimento. A relao entre a
condutividade no escuro e a energia de activao E dada pela seguinte expresso:
d = 0 e
E
K T
(3.2)
onde d representa um factor pr-exponencial, K a constante de Boltzmann e T a temperatura.

Uma vez determinados os valores da condutividade no escuro e sob iluminao para os vrios
filmes, podemos inferir para cada um a sua fotosensibilidade, ph/d.
A Figura 3.1 o traado de Arrhenius para pelculas com as mesmas caractersticas das
utilizadas nos dispositivos em estudo neste trabalho. Analisando a curva correspondente ao
filme intrnseco, podemos verificar que na gama de temperaturas analisada o andamento do
grfico linear, o que indica uma variao exponencial da condutividade com o recproco da
temperatura, tal como previsto pela equao. A partir desta curva foram extrados os valores
da condutividade no escuro e da energia de activao de 7.610-11 (.cm)-1 e 0.739 eV
respectivamente.
No grfico evidente a diminuio da condutividade provocada pela incorporao de carbono.
A diminuio da condutividade verifica-se tanto para o material tipo p como tipo n, tornandose esta, inclusive, inferior do material intrnseco, para a concentrao de carbono
considerada. tambm perceptvel neste grfico a diferena entre as energias de activao dos
materiais dopados sem incorporao de carbono.
55
-4
10
(p) a-Si:H
(n) a-Si:H
-5
10
-6
10
-7
(.cm)
-1
10
(i) a-Si:H
-8
10
-9
10
10
-10
10
-11
10
-12
(p) a-SiC:H
2,6
2,7
2,8
(n) a-SiC:H
2,9
3,0
3,1
3,2
3,3
-1
1000/T (K )
Figura 3.1 Condutividade no escuro para as diferentes camadas utilizadas em funo do

inverso da temperatura.
3.2.2. Espectroscopia ptica de reflexo e transmisso

A espessura e os parmetros pticos dos filmes foram obtidos atravs da anlise da
reflectncia e transmitncia espectral na gama de comprimentos de onda entre 400 e 2000 nm
(3.1eV 0.62eV), com a luz a entrar pelo lado da interface substrato/filme. Quando a radiao
se propaga num meio absorvente, o ndice de refraco tem que ser considerado na sua forma
complexa. Desta forma, a soluo das equaes de Fresnel para a reflexo e transmisso em
funo da energia dos fotes (h) permite obter o ndice de refraco n(h), e o coeficiente de
extino k(h). Para materiais absorventes geralmente mais utilizado o coeficiente de
absoro, , obtido atravs do coeficiente de extino pela seguinte expresso:
4k
hc
(3.3)
onde h a constante de Plank e c a velocidade da luz.

Uma vez medidos os espectros de reflexo e transmisso podemos assim obter os valores de
e n considerando para tal as zonas do espectro de forte e fraca absoro respectivamente,

atravs das seguintes expresses [2]:
T = (1 R )e d
56
(3.4)
n n0
R =
n + n0
(3.5)
Onde T e R representam respectivamente a transmitncia e a reflectncia da pelcula, d a sua

espessura e n0 o ndice de refraco do ar.
O hiato ptico, Eg, pode ser obtido pela dependncia de com a energia dos fotes, (h), de
acordo com a seguinte expresso:
h = a (h E g ) p +q +1
(3.6)
nesta expresso a uma constante relacionada com as caractersticas do material e os

parmetros p e q esto relacionados com a forma dos limiares das bandas. De acordo com
Tauc [3] existe uma relao linear entre (E )1 2 e a energia dos fotes, sendo o valor mais
usual para p e q de , o que corresponde a considerar os limiares das bandas com uma
distribuio parablica. O hiato obtido pela resoluo da equao anterior com estes valores
chamado de hiato de Tauc, ETauc.
Nas figuras seguintes so apresentados os dados experimentais da transmitncia medida em
funo do comprimento de onda da radiao incidente para pelculas intrnsecas (figura), tipo
n (figura) e tipo p (figura), idnticas s utilizadas nos dispositivos. [4]
100
90
Transmitncia (%)
80
70
60
50
40
30
M002151 (p-aSi:H)
M001212 (p-aSiC:H)
M009291 (i-aSi:H)
20
10
0
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Figura 3.2 Espectro de transmisso para as pelculas de tipo p com e sem carbono.
57

100
90
Transmitncia (%)
80
70
60
50
40
30
M002153 (n-aSi:H)
M002154 (n-aSiC:H)
M009291 (i-aSi:H)
20
10
0
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Figura 3.3 Espectro de transmisso para as pelculas de tipo n com e sem carbono.
1000
600
(cm
-1/2
1/2
eV )
800
M002151 (p-aSi:H)
M001212 (p-aSiC:H)
M009291 (i-aSi:H)
( E)
1/2
400
200
0
1,5
2,0
2,5
3,0
Energia (eV)
Figura 3.4 Diagrama de Tauc para pelculas de tipo p com e sem carbono e para intrnsecas.
58

1400
M002153 (n a-Si:H)
M002154 (n a-SiC:H)
1/2
eV )
1200
( E)
1/2
(cm
-1/2
1000
800
600
400
200
0
1,5
2,0
2,5
3,0
Energia (eV)
Figura 3.5 Diagrama de Tauc para pelculas de tipo n com sem carbono.
3.2.3. Mtodo da fotocorrente constante (CPM)

Devido fraca absoro do a-Si:H para baixas energias a determinao do valor de para
filmes finos (<1m) para energias abaixo de cerca de 1.2eV no pode ser conseguida pela
tcnica Reflexo/Transmisso. O espectro de absoro abaixo do hiato (onde inferior a 103
cm-1) tem ento de ser determinado por outras tcnicas, como a fotocondutividade de feixe
duplo (DBP) [5], a espectroscopia por defleco fototrmica (PDS) [6] ou o mtodo da
fotocorrente constante (CPM) [7].
A fotocorrente secundria gerada por um fluxo de fotes, , incidentes numa amostra de
espessura d, sujeita a um campo elctrico E dada por:
I ph = q (1 R )[1 exp(d )] e e
E
d
(3.7)
onde q representa a carga elementar, (1 R)[1 exp(d )] o nmero de fotes absorvidos

na amostra com coeficiente de reflexo R e coeficiente de absoro (no considerando o
efeito de mltiplas reflexes internas), a eficincia quntica, e a mobilidade de deriva dos
electres e e o seu tempo mdio de vida.
Esta equao pode ser simplificada para a regio abaixo do hiato onde, para uma pelcula fina,
a condio d << 1 se verifica sempre, vindo ento:
I ph (h ) = q (h )(1 R ) (h ) e e E
(3.8)
59

A obteno da dependncia espectral do coeficiente de absoro a partir da fotocorrente
medida no uma tarefa simples, uma vez que temos tambm de tomar em considerao que
podero existir outros parmetros do material, tambm dependentes do espectro da radiao
incidente. Felizmente, se existir informao independente adicional acerca dos parmetros do
material e se as condies experimentais forem cuidadosamente escolhidas, a informao
correcta do espectro de absoro pode ser obtida. Desta forma o tempo de vida dos portadores
dever ser mantido constante, o que conseguido assegurando que a corrente que percorre a
amostra se mantm constante ao longo de todo o espectro, o que na prtica conseguido
ajustando a intensidade da luz incidente na amostra.
Assim, tendo em considerao o atrs exposto e supondo uma dependncia da reflexo face
energia dos fotes negligencivel podemos escrever uma relao simplificada:
cpm (h ) =
Bcal
( h )
(3.9)
Onde, a constante de calibrao, Bcal, obtida por comparao com os dados da medida de
transmisso no regime de alta absoro.
Pela anlise de (h) podem ser extrados dois parmetros importantes:
A energia de Urbach, Eur, que est relacionada com a desordem do material, e depende
do nmero de ligaes Si-Si fracas [8], o seu valor dado pelo declive da zona linear
do espectro log ((h)) vs. h.
A densidade de defeitos a meio da banda, ND, a qual pode ser estimada pelo ponto
onde ocorre o desvio do andamento puramente exponencial da cauda de Urbach. A
densidade de defeitos dada por:
N D = 1016 k
(3.10)
A constante de proporcionalidade foi obtida na literatura [9].

Para este trabalho foram analisadas pelculas de a-Si:H intrnsecas e dopadas, semelhantes s
utilizadas nos dispositivos, pela tcnica de CPM variando a energia dos fotes entre 1 e 2.5
eV. A anlise das pelculas baseadas em a-SiC:H por esta tcnica no foi possvel devido aos
baixos valores de condutividade apresentados por este material.
As figuras seguintes mostram os espectros de (h) obtidos por medidas de transmisso e por
CPM para as diferentes amostras.
60

5
10
#M009291
CPM
-1
(cm )
10
Eur = 72 meV
10
10
10
1,0
1,5
2,0
2,5
h (eV)
uma pelcula intrnseca.
10
#M002151
CPM
10
-1
(cm )
Eur = 140 meV

10
10
10
1,0
1,5
2,0
2,5
h (eV)
uma pelcula de tipo p.
61

10
-1
(cm )
#M002153
10
10
10
10
CPM
Eur = 100 meV
1,0
1,5
2,0
2,5
h (eV)
uma pelcula de tipo n.
Pela anlise dos valores de Eur e ND obtidos por CPM para os diferentes materiais podemos
concluir que o material intrnseco de melhor qualidade do que os extrnsecos, uma vez que
apresenta menor o valor de Eur, que est directamente relacionado com a desordem estrutural
do material. A Tabela 3.2 sumaria as propriedades optoelectrnicas de cada uma das pelculas
individuais obtidas a partir dos resultados anteriormente apresentados.
O sensor #M006291 uma estrutura tpica de a-Si:H optimizada para a utilizao como clula
solar em que as camadas dopadas apresentam uma condutividade elevada. Nas restantes
estruturas uma ou ambas as camadas dopadas apresentam condutividades entre 2 a 5 ordens
de grandeza inferiores. Os baixos nveis de dopagem utilizados so responsveis pelos
elevados valores da energia de activao (E) e pelos baixos valores da condutividade no
escuro (d). A incorporao de carbono durante a deposio das camadas dopadas leva a uma
diminuio da condutividade no escuro. No caso das camadas p o aumento do hiato ptico
conduz a uma diminuio do valor de ph/d como seria de esperar, j no caso das camadas n
regista-se um aumento da fotosensibilidade em consequncia provavelmente da baixa
condutividade no escuro devida incorporao de carbono.
62

Tabela 3.2 Propriedades optoelectrnicas das camadas individuais.
Amostra
Camada
E
(eV)
0.499
Eop
(eV)
d
( cm-1)
8.210-7
Eur
(meV)
1.80
ph/d
(-)
7.3
7.610-11
0.739
1.79
7.1104
72
7.810-7
0.426
1.82
1.2
100
8.210-7
0.499
1.80
7.3
140
7.610-11
0.739
1.79
7.1104
72
1.910-12
0.834
2.10
21
200
2.510-9
0.649
2.06
4.5
-1
#M006291
#M006301
#M007192
#M011101
#M011102
140
7.610-11
0.739
1.79
7.110
1.910-12
0.834
2.10
21
200
1.610-12
0.766
2.23
7.610-11
0.739
1.79
7.1104
72
1.910-12
0.834
2.10
21
200
8.210-7
0.499
1.80
7.3
7.610-11
0.739
1.79
7.1104
72
7.410-11
0.224
2.04
72
3.3. Caractersticas optolectrnicas dos dispositivos

Por forma a caracterizar convenientemente os dispositivos em estudo foram efectuadas
medidas das suas caractersticas terminais sob diferentes condies de iluminao e de
polarizao. Desta forma foram efectuadas medidas das caractersticas corrente-tenso, no
escuro e sob diferentes condies de iluminao, resposta espectral sob diferentes condies
de polarizao elctrica e caracterstica capacidade-tenso. Este conjunto de tcnicas de
caracterizao constitui um auxiliar muito importante para a compreenso dos mecanismos
fsicos presentes nos dispositivos em causa, nomeadamente a gerao e transporte de
portadores atravs do dispositivo e a distribuio interna de carga. Em algumas situaes
recorreu-se ainda utilizao de ferramentas de simulao numrica apropriadas para os
dispositivos em causa, sendo neste caso necessrio recorrer a um conjunto de parmetros dos
63

materiais/dispositivos obtidos a partir da literatura ou extrados de medidas experimentais
apresentadas nesta ou noutras seces deste trabalho.
Nesta seco apresentam-se os resultados obtidos pelas tcnicas atrs indicadas considerados
mais relevantes. Outros tipos de tcnicas experimentais derivadas destas foram ainda
utilizadas para a determinao de diversas propriedades optoelectrnicas dos sensores de
imagem resultantes, mas a sua descrio e discusso foi deixada para o captulo seguinte por
uma questo de enquadramento. Os resultados foram divididos de acordo com a tcnica
experimental utilizada apenas por uma questo de organizao, sendo importante considerlos como um todo para a discusso do princpio de funcionamento dos dispositivos.
3.3.1. Caracterstica corrente-tenso

Uma forma simples de descrever a caracterstica J-V de uma juno ideal, resulta da aplicao
do teorema da sobreposio. De acordo com este princpio a resposta sob iluminao o
resultado da translao vertical da resposta J-V no escuro, dada por
j D = j rec + j dif ,
(3.11)
de uma quantidade correspondente corrente gerada pela luz incidente. Onde jdif e jrec
representam as correntes de difuso e recombinao/gerao dadas por:
Dp
Dn
qV
jdif = qni2
+
exp D 1
L N
kT
p D Ln N A
jrec =
(3.12)
qniWD
qV
exp D 1
2
2kT
Onde VD representa a tenso de polarizao externa aplicada e WD o comprimento da regio

de depleco.
No entanto, nas junes reais existem perdas devido resistncia existente entre as vrias
interfaces, ou mesmo devido resistncia do prprio material. A caracterstica pode assim ser
corrigida incorporando o efeito das resistncias srie (Rs) e paralela (Rp). A soluo do
circuito elctrico resultante d ento para a densidade de corrente total atravs do dispositivo
(jD), a seguinte expresso
q(V R S j D ) V R S j D
j D = j 0 exp
1 +
+ j ph
kT
RP
(3.13)
onde j0 representa a densidade de corrente inversa de saturao, kT a energia trmica, q a

carga do electro, o factor de idealidade, V a tenso aos terminais do dispositivo e jph a
densidade da fotocorrente. O factor de idealidade tipicamente toma um valor prximo de 1
64

para o caso de a corrente ser maioritariamente devida difuso dos portadores, ou 2 no caso
de recombinao. Os valores de J0 e podem ser determinados a partir de caracterstica J-V
no escuro. Uma descrio detalhada da origem destes parmetros pode ser encontrada na
literatura [10].
A caracterstica corrente tenso dos sensores p-i-n foi avaliada de forma quasi-esttica
utilizando uma unidade SMU (Source Measure Unit) Keithley modelo 2400. O processo de
medida consiste em aplicar uma tenso ao sensor e efectuar a medida da corrente que o
percorre aps um tempo de estabilizao programvel. Este processo totalmente
automatizado e controlado por computador atravs de uma ligao rs232 ou GPIB. O
processo de leitura repetido o nmero de vezes necessrio para o intervalo de tenses
requerido e os dados registados em ficheiro para tratamento posterior. Adicionalmente o
software permite efectuar medidas aplicando tenses crescentes ou decrescentes, o que
interessante para avaliar caractersticas especficas do dispositivo em termos de acumulao e
aprisionamento dos portadores de carga.
3.3.1.1 Resposta no escuro

A Figura 3.9 mostra a densidade de corrente, medida no escuro, em funo da tenso de
polarizao para as amostras em estudo. Para tenses de polarizao superiores a cerca de 0,5
V a densidade de corrente nas estruturas com carbono uma ou ambas as camadas dopadas
significativamente inferior da amostra sem carbono. Tal facto deve-se diminuio da
condutividade das camadas dopadas com o consequente aumento da resistncia srie cujos
Densidade de corrente J (A/cm )
valores se encontram indicados na figura.
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
#M006291
#M006301
#M007192
Rs= 1230 cm
-2
Rs= 400 kcm
-2
Rs= 700 kcm
-2
-10
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
Tenso (V)
Figura 3.9 Densidade de corrente no escuro em funo da tenso de polarizao para as trs
estruturas.
65

Contrariamente ao que acontece numa juno ideal, em polarizao inversa a corrente no
escuro no tende para um valor constante, as curvas J-V em polarizao inversa mostram uma
variao da corrente, o que indica um valor relativamente baixo para a resistncia paralela.
3.3.1.2 Resposta sob iluminao

No grfico da Figura 3.10 so apresentadas as curvas da densidade de corrente em funo da
tenso, medidas em condies de iluminao AM1.5. Analisando o comportamento em
polarizao inversa verifica-se que a fotocorrente mxima para a amostra sem carbono nas
camadas dopadas (#M006291), diminuindo uma ordem de grandeza no caso da amostra com
carbono na camada n (#M006301) e sendo ainda inferior quando ambas as camadas dopadas
incorporam carbono (#M007192). A diminuio da densidade de corrente quando uma ou
ambas as camadas dopadas contm carbono atribuda a uma redistribuio do campo
elctrico atravs do dispositivo causada pela diminuio da condutividade das camadas
dopadas. Num dispositivo sem carbono incorporado o campo elctrico aproximadamente
nulo nas camadas dopadas, pelo que queda de potencial d-se atravs da zona intrnseca. Com
a introduo de carbono juntamente com o dopante o campo elctrico deixa de ser nulo nessa
camada, dando-se uma redistribuio do mesmo, o que conduz um abaixamento do seu valor
na zona intrnseca. Desta forma, diminuindo o campo elctrico que responsvel pela
separao dos portadores de esperar que o numero destes que efectivamente colectado nos
contactos diminua. Quanto variao da tenso de circuito aberto a sua diminuio pode ser
relacionada com o aumento do hiato ptico provocado pela incorporao de carbono e do
Densidade de corrente (A/cm )
desalinhamento de bandas.
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
#M006291
#M006301
#M007192
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
Tenso (V)
Figura 3.10 Densidade de corrente em funo da tenso de polarizao para as trs
estruturas sob iluminao AM1.5.
66
A partir das medidas anteriormente apresentadas foram extrados os principais parmetros que
permitem descrever um dodo p-i-n em termos das suas caractersticas DC, os seus valores so
indicados na Tabela 3.3. Esta tabela reflecte o efeito da incorporao de carbono nas camadas
dopadas: aumento da resistncia srie (Rs), diminuio da tenso de circuito aberto (Voc),
diminuio da corrente de curto-circuito (Jsc), diminuio da corrente de saturao (J0) e
aumento do factor de idealidade ().
Tabela 3.3 Parmetros dos sensores extrados a partir das curvas J-V
Sensor
-2
-2
Rs (k cm-2) Voc(V) Jsc(mA cm ) J0(mA cm )
#M006291
1.2
0.84
2.12
6.0x10-12 1.8
#M006301
400
0.70
0.20
1.0x10-10 2.9
#M007192
700
0.59
0.04
1.5x10-10 3.5
#M011102
0.52
#M011101
0.59
Para melhor compreender o efeito da incorporao de carbono nas caractersticas

optoelectrnicas dos dispositivos usual recorrer a ferramentas de simulao numrica. Neste
caso foi utilizado o programa de simulao AMPS [11] para obter diagramas do potencial
elctrico e da densidade de corrente para electres e lacunas atravs de todo o comprimento
da amostra. O resultado da simulao para as amostras #M006291 (sem carbono) e
#M006301 (com carbono na camada n) est expresso nas figuras seguintes. A simulao foi
realizada considerando uma estrutura com as dimenses iguais s das amostras, sob
iluminao AM1.5. As propriedades dos materiais das diferentes camadas foram extradas dos
dados anteriormente apresentados.
A Figura 3.11 mostra o diagrama de bandas de energia para as duas amostras obtido por
simulao em curto-circuito e sob iluminao AM1.5 para uma homo e para uma hetrojuno.
67
1,5
1,0
Ec
E (eV)
0,5
300 K AM1.5 V=0 V

p a-Si:H/ i a-Si:H / n a-Si:H
p a-Si:H/ i a-Si:H / n a-SiC:H
0,0
-0,5
-1,0
-1,5
Ev
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
X(m)
Figura 3.11 Diagrama de bandas de energia obtido por simulao para a homojuno e para
a heterojuno.
Na homojuno a maior variao do potencial ocorre ao longo da camada intrnseca, pelo que
os portadores a gerados so prontamente separados e acelerados pelo campo elctrico em
direco aos contactos onde so colectados, dando origem a uma corrente de curto-circuito
elevada e proporcional ao fluxo luminoso incidente.
A introduo de carbono na camada n, aumenta o hiato ptico e diminui a condutividade, o
que altera completamente a distribuio do campo elctrico. Nesta situao vemos que o
campo elctrico elevado na camada n (onde a fotogerao baixa) e na camada intrnseca
nas imediaes da interface p-i, sendo baixo na restante extenso da camada i (potencial
constante). A consequncia directa da diminuio do campo elctrico na camada i a
diminuio da eficincia de coleco e portanto tambm da corrente de curto-circuito.
No grfico da Figura 3.12 podemos observar como evoluem as duas componentes da corrente
ao longo do dispositivo. Junto interface p-i ambas as componentes da corrente, de electres
e de lacunas, apresentam valores elevados devido ao campo elctrico forte nesta zona.
medida que nos afastamos desta interface a diminuio do campo elctrico provoca a
diminuio da magnitude das correntes, passando estas a ter origem no processo de difuso
dos portadores em vez de deriva, predominante na zona anterior. No interior do filme
intrnseco (x > 0,17 m) tanto os electres como as lacunas tm tendncia a difundir-se para a
interface i-n, dado que o campo elctrico bastante baixo nesta zona. Ao chegarem interface
68

i-n as lacunas recombinam-se pelo que na camada n apenas existir corrente devida aos
electres.
Densidade de corrente (mA/cm )
i
1,5
n
Corrente de electres
Corrente de lacunas
Corrente total
1,0
0,5
0,0
-0,5
-1,0
-1,5
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
X, m
X, m
Figura 3.12 Perfil da densidade de corrente de electres e de lacunas ao longo da
heterojuno em condies de iluminao AM1.5.
Como concluso podemos afirmar que devido ao facto de a coleco de portadores estar
condicionada pelo campo elctrico existe uma reduo da fotocorrente nas estruturas em que
uma ou ambas as camadas dopadas possuem carbono.
A Figura 3.13 mostra que existe uma boa concordncia entre os dados experimentais e os
Densidade de corrente(mA/cm )
provenientes da simulao.
0
-2
-4
T=300 K AM1.5 V=0 V
p a-Si:H/ i a-Si:H/ n a-Si:H
#M006291
p a-Si:H/ i a-Si:H/ n a-SiC:H
#M006301
-6
-8
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
Tenso (V)
Figura 3.13 Caractersticas J-V para as estruturas #M006192 (homojuno) e #M006301

(heterojuno) e resultados da simulao nas condies de iluminao AM 1.5.
69
3.3.1.3 Dependncia da intensidade luminosa

De acordo com o expresso no captulo 2 Eq. 2.311 (linearidade) quando um fotododo p-i-n
iluminado com luz de um determinado comprimento de onda a densidade de corrente varia de
forma geralmente linear com a potncia ptica incidente. No entanto, esta tendncia pode ser
fortemente dependente da tenso de polarizao inversa no caso de baixa dopagem e incluso
de carbono nas camadas dopadas. Para a determinao da influncia da composio das
camadas dopadas na linearidade dos dispositivos, estes foram iluminados com radiao de
comprimento de onda fixo e intensidade varivel sendo depois obtidas experimentalmente as
caractersticas J-V. A Figura 3.14 a) apresenta a caracterstica J-V para a homojuno
iluminada com diferentes potncias pticas. Como se pode observar na Figura 3.14 b), em
polarizao inversa e na gama de intensidades pticas apresentadas a fotocorrente varia de
forma aproximadamente linear com a potncia ptica (=0.97). Estes resultados confirmam
que esta estrutura est optimizada em termos de eficincia quntica sendo portanto apropriada
para utilizao como clula solar.
0,0
141
70
-2
Densidade de corrente (A.cm )
(W.cm )
-2
-2
517
326
207
52
-70
-141
-1,0
-0,5
0,0
Tenso (V)
a)
0,5
1,0
-28,2
-56,3
-84,5
-112,7
-140,8
0,0
Tenso
-0,5V
0V
80,6
161,3
241,9
322,6
403,2
483,9
-2
Irradincia (W.cm )
b)
Figura 3.14 a)Caracterstica J-V e b) dependncia da intensidade luminosa para a estrutura

#M006192.
No caso da amostra #M006301 (Figura 3.15 a)) a caracterstica J-V apresenta uma forma
bastante diferente de um dodo p-i-n normal. Em polarizao directa a fotocorrente
praticamente nula e em polarizao inversa atinge a saturao apenas para valores de tenso
superiores a 2V. A diminuio da fotocorrente observada com tenses de polarizao de baixo
valor significa que a fotocorrente varia com a intensidade luminosa de uma forma sublinear,
como pode ser observado na Figura 3.15 b). Calculando o parmetro para cada uma das
1
j ph com entre 0.5 e 1.
70

curvas referidas observamos (Figura 3.16 a)) que este apresenta um valor prximo da unidade
para polarizaes inversas elevadas, correspondente a uma relao linear entre a fotocorrente
e a potncia ptica, decrescendo depois medida que a tenso se aproxima de zero indicando
uma variao fortemente no linear. Este comportamento indica uma diminuio da eficincia
de coleco para tenses de polarizao baixas. Esta causada pela elevada recombinao
interna devida ao baixo campo elctrico na parte central da camada intrnseca. Este efeito
explicado em maior detalhe na seco 3.3.4 recorrendo a simulao elctrica com um modelo
elctrico proposto.
0,0
-2
37
-2
55
18
0
-18
-2
(Wcm )
-37
517
326
207
52
5
-55
-73
-92
-110
-2
-1
-1,8x10
-5
-3,7x10
-5
-5,5x10
-5
-7,3x10
-5
-9,2x10
-5
Tenso
-2 V
-1 V
-0.5 V
0V
0,0
80,6
161,3
241,9
322,6
403,2
483,9
-2
Tenso (V)
Irradincia (W.cm )
a)
b)

#M006301.
1,00
0,95
0 ,2 9
0,90
0,85
0 ,2 2
R (u.a.)
0,80
0,75
T enso
-2 V
-1 V
-0 .5 V
0 V
0 ,1 5
0,70
0,65
0 ,0 7
0,60
0,55
0 ,0 0
-2,0
-1,5
-1,0
-0,5
Tenso de polarizao (V)
a)
100
200
300
0,0
400
500
-2
irra d i n c ia ( W .c m )
b)
Figura 3.16 a) Parmetro e b)derivada da densidade de corrente para a estrutura

#M006301.
Como o princpio subjacente a este trabalho a determinao das condies de iluminao
locais por meio de um feixe de prova de baixa intensidade, a resposta do dispositivo pode ser
obtida derivando a fotocorrente em relao potncia ptica incidente. Os resultados obtidos
para a amostra #M006301 so apresentados na Figura 3.16 b). A variao observada indica
71

que a tenso de polarizao tem uma influncia considervel na resposta do dispositivo. Para
polarizaes inversas a responsividade elevada e apresenta uma variao pouco acentuada
com a intensidade luminosa. Para tenses inversas mais baixas observa-se uma diminuio
acentuada e no linear da responsividade com a intensidade luminosa, tendendo a saturar para
polarizaes pticas elevadas. Desta forma, a gama dinmica do dispositivo ser menor para
tenses de polarizao inversas mais baixas.
Quando o dispositivo tem ambas as camadas dopadas baseadas em a-SiC:H (amostra
#M007192) observa-se um comportamento semelhante ao observado para a amostra anterior,
como pode ser observado na Figura 3.17. No caso da curva J-V ocorre uma diminuio ainda
mais acentuada da eficincia de coleco para baixas tenses de polarizao, o que no de
estranhar, uma vez que neste caso as zonas de campo elctrico elevado confinam-se ainda
mais s proximidades das interfaces p-i e i-n. A saturao da fotocorrente s observada para
tenses inversas mais elevadas, necessrias para repor um campo elctrico elevado atravs de
toda a camada intrnseca.
As restantes curvas apresentam um andamento semelhante s observadas anteriormente,
sendo de realar a variao mais acentuada do parmetro , e a variao da responsividade
com a potncia ptica incidente. Este ltimo significa que o dispositivo apresentar uma
sensibilidade mais elevada para potncias pticas baixas, mas atingir a saturao mais
rapidamente. No entanto, como a responsividade depende da tenso de polarizao, com a
correcta escolha desta pode favorecer-se um parmetro em detrimento do outro. Resumindo,
podemos concluir que a utilizao de ambas as camadas dopadas baseadas em a-SiC:H
aumenta a sensibilidade do sensor de imagem quando utilizada a tcnica apresentada neste
trabalho (LSP).
0,0
-5
-2
-2
1,5x10
0,0
-1,5x10
-5
-3,1x10
-5
-2
-4,6x10
( Wcm )
517,4
326
207
51,7
5,2
-5
-6,2x10
-5
-7,7x10
-5
-9,3x10
-5
-2
-1
Tenso (V)
a)
-1,5x10
-5
-3,1x10
-5
-4,6x10
-5
-6,2x10
-5
-7,7x10
-5
-9,3x10
-5
Tenso
-2V
-1V
-0,5V
0V
100
200
300
400
500
-2
Irradincia (W.cm )
b)

#M007192.
72

1,0
0,19
0,9
0,15
0,8
Tenso
-2 V
-1 V
-0.5 V
0V
R (u.a.)
0,12
0,7
0,6
0,09
0,06
0,5
0,03
0,4
0,00
-2,0
-1,5
-1,0
-0,5
0,0
100
200
300
400
500
-2
Irradincia ( Wcm )
a)
b)
Figura 3.18 a) Parmetro e b) derivada da densidade de corrente para a estrutura

#M007192.
Comparando as curvas J-V das heterojunes e da homojuno, nas primeiras observa-se um
cruzamento entre as curvas iluminadas com diferentes intensidades e no escuro. Este efeito
semelhante ao observado em clulas solares formadas por elementos dos grupos II-VI (CdSCu2S) [12] e pode ser atribudo passagem de uma estrutura de tipo p-i-n no escuro para tipo
p-n sob iluminao. Com efeito, para a heterojuno na maior parte da zona intrnseca o
campo elctrico muito baixo, pelo que a sua contribuio para a corrente total desprezvel
devido recombinao dos portadores gerados.
3.3.2. Resposta espectral

Quando um fotododo polarizado com uma certa tenso V iluminado por luz monocromtica
de comprimento de onda , o nmero de portadores colectados por cada foto incidente pode
ser obtido da expresso
col ( , V ) =
J ph ( , V )
q 0
(3.14)
onde 0 representa o nmero de fotes incidentes por unidade de rea por segundo e q a carga
elementar.
O parmetro col conhecido como a eficincia de coleco externa, ou resposta espectral. A
taxa de gerao de pares electro-lacuna (G) apresenta uma dependncia exponencial inversa
de e da profundidade de penetrao da luz (Ge-x). Devido a esta propriedade, a resposta
espectral permite distinguir a contribuio de cada regio do dispositivo para a coleco dos
portadores gerados opticamente. Os baixos comprimentos de onda so absorvidos mais
73

fortemente do que os altos, e geram portadores mais superfcie ou no volume
respectivamente.
O estudo da resposta espectral para fotes de alta energia, que no atingem a parte de trs do
dispositivo, fornece informao sobre o comprimento de difuso efectivo, Leff. Para investigar
estes processos internos a resposta espectral deve ser corrigida dos efeitos pticos externos
(como por exemplo a reflexo nas interfaces), levando fraco de fotes absorvidos e
portadores colectados em curto-circuito. resposta espectral corrigida d-se o nome de
eficincia quntica interna referida por IQE (Internal Quantum Efficiency). O inverso da IQE
apresenta uma relao linear com o inverso de , com declive proporcional ao valor de Leff.
IQE 1 = 1 + 1
cos( )
Leff
(3.15)
A constante de proporcionalidade depende da rugosidade da superfcie, definida como o valor

mdio do angulo de incidncia dos fotes em relao incidncia normal superfcie [13].
Para avaliar a resposta dos sensores aos diferentes comprimentos de onda da luz incidente
foram determinadas experimentalmente as suas respostas espectrais. A figura seguinte
apresenta de forma esquemtica a montagem experimental utilizada para a determinao
destas caractersticas.
Figura 3.19 Esquema da montagem experimental para a determinao da resposta espectral.

Dado pretender-se analisar a resposta luz visvel foram utilizadas duas fontes de luz de
banda larga, cada uma delas constituda por uma lmpada de tungstnio-halognio de 150 W
74

montada num compartimento com ventilao forada e um espelho reflector parablico. Para
alimentao foram usadas duas fontes de alimentao DC reguladas por forma a garantir uma
elevada estabilidade do feixe de luz emitido. Para obter luz monocromtica (ou pelo menos
com uma largura de banda de alguns nm) utilizou-se um monocromador Jobin Yvon (modelo
H20). Este monocromador possui fendas intermutveis manualmente, e foi adaptado para
permitir o controlo por computador possibilitando efectuar medidas de forma automtica.
A fotocorrente gerada no sensor foi medida utilizando um amplificador lock-in digital modelo
SR830, sendo a luz proveniente do monocromador modulada a uma frequncia baixa por um
modulador mecnico. Salvo indicao em contrrio todas as medidas foram efectuadas a 74
Hz para evitar o rudo de 50Hz e harmnicas proveniente da rede elctrica. Para a calibrao
do sistema (nonocromador/fonte de luz) foi utilizado um fotododo com resposta espectral
conhecida. Medindo a fotocorrente gerada no fotododo pela luz proveniente do
monocromador para os diferentes comprimentos de onda calcula-se o fluxo luminoso da
fonte, sendo estes dados posteriormente utilizados para a determinao da resposta espectral
das amostras em estudo.
Para permitir a polarizao da amostra com luz de diferentes comprimentos de onda o feixe de
luz proveniente de uma fonte secundria filtrado, utilizando filtros de interferncia com 40
nm de largura a meia altura (FWHM), e combinado com o feixe proveniente do
monocromador atravs de um beamsplitter. Este sistema de medida permite assim determinar
a influncia da luz de fundo na resposta espectral das amostras.
excepo dos filtros de cor, o sistema de medida totalmente automatizado, permitindo
medir a resposta espectral de sensores pticos variando a polarizao elctrica e ptica.
As diferentes amostras em estudo foram caracterizadas utilizando o sistema anteriormente
descrito, sendo os dados apresentados e discutidos de seguida. A Figura 3.20 apresenta as
respostas espectrais da amostra sem carbono (#M006291), com carbono na camada n
(#M006301) e com carbono em ambas as camadas dopadas (#M007192). Em todos os casos
as amostras foram iluminadas pelo lado p (lado do vidro). De referir que as bandas de
interferncia observadas, nesta e noutras curvas de resposta espectral, para os altos
comprimentos de onda da radiao se devem ao fenmeno de interferncia causado por
mltiplas reflexes internas da luz nas interfaces entre o material semicondutor e os contactos
elctricos. Este efeito pode inclusive ser utilizado para a determinao da espessura do
material, conhecido o seu ndice de refraco, uma vez que a separao entre mximos, ou
mnimos, est relacionada com este parmetro.
75
0.20
#M006291
#M006301
#M007192
0.18
0.16
R (A/W)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
400
450
500
550
600
650
700
750
800
(nm)
Figura 3.20 Resposta espectral em curto-circuito para as amostras em estudo.

A homojuno apresenta a resposta tpica de uma clula solar, com um mximo prximo de
600 nm. Com a introduo de carbono na camada n (#M006301) a responsividade nos altos
comprimentos de onda diminui e praticamente no sofre alterao abaixo de 500 nm. Este
efeito era esperado, uma vez que como foi visto na seco anterior, a introduo de carbono
na regio n faz diminuir o campo elctrico na zona i na proximidade da interface com a zona
n. Na ausncia de campo elctrico os portadores gerados prximo da interface com a zona n
no so separados, pelo que em mdia se recombinam ao fim de um tempo , no

contribuindo para a fotocorrente. Quando se introduz carbono na camada p (#M007192),
verifica-se um aumento da eficincia quntica na regio dos baixos comprimentos de onda
que se deve ao aumento do hiato ptico. Com o aumento do hiato ptico da camada p, esta
passa a funcionar como uma janela, deixando passar os fotes de alta energia que vo ser
absorvidos na zona i, junto interface, gerando portadores que depois de colectados
contribuem para a corrente do dispositivo. A diminuio da eficincia quntica para os altos
comprimentos de onda deve-se utilizao de uma camada n com carbono, como foi
explicado anteriormente.
3.3.2.1 Influncia da iluminao de fundo

Tipicamente a resposta espectral de um dodo p-i-n de boa qualidade no sofre grandes
alteraes na presena de iluminao de fundo (Figura 3.21-a). Os dados abaixo indicados
foram obtidos com a mesma configurao experimental e parmetros que os anteriores,
apenas adicionando iluminao de fundo proveniente de uma fonte de luz secundria, filtrada
76

com filtros neutros para obter diferentes fluxos pticos (L). As respostas foram normalizadas
para serem mais facilmente relacionadas. Quando se introduz carbono em uma (Figura 3.21b) ou ambas (Figura 3.21-c) as camadas dopadas, a iluminao de fundo provoca uma
diminuio da responsividade do dispositivo proporcional ao fluxo luminoso.
1,0
#M006291
L=0
0,8
RN
0,6
0,4
L=4 mWcm
0,2
-2
0,0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
(nm)
a)
1,0
#M006301
L=0
0,8
RN
0,6
L=1 mWcm
-2
0,4
0,2
L=2 mWcm
-2
0,0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
(nm)
1,0
#M007192
L=0
0,8
RN
0,6
b)
-2
L=1 mWcm
0,4
0,2
-2
L=2 mWcm
0,0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
(nm)
c)
Figura 3.21 Resposta espectral em curto-circuito para as amostras em estudo para diferentes
fluxos luminosos da iluminao de fundo. a) homojuno, b) e c) heterojuno.
77

Analisando as curvas relativas s heterojunes (Figura 3.21 b e c) so visveis dois efeitos: a
diminuio da responsividade com o aumento da intensidade da iluminao de fundo, de
acordo com uma relao no linear; e o desvio do mximo da responsividade para os baixos
comprimentos de onda para fluxos luminosos baixos.
Quando um fotododo p-i-n tpico iluminado com luz policromtica os fotes so absorvidos
ao longo de toda a camada i provocando uma alterao da curvatura das bandas de energia
fazendo com que o campo elctrico no centro desta regio diminua aumentando a a
recombinao, logo levando a uma diminuio dos portadores colectados. Num fotododo
tpico (amostra
#M006291) este efeito s evidente para elevados fluxos luminosos,
enquanto que no caso das restantes amostras aparece para fluxos mais baixos, sendo mais
pronunciado no caso da amostra com ambas as camadas baseadas em a-SiC:H devido maior
curvatura das bandas de energia neste dispositivo.
3.3.2.2 Influncia da tenso de polarizao.

Tanto a polarizao ptica como a elctrica provocam alteraes no diagrama de bandas de
energia de um dodo p-i-n, logo de esperar uma alterao significativa da resposta espectral
dos dispositivos quando sujeitos a tenses de polarizao diferentes. Na Figura 3.22 esto
representadas as respostas espectrais para as diferentes amostras polarizadas directamente.
Como se pode observar as caractersticas abarcam dois quadrantes indicando uma mudana
de regime da fotocorrente. Esta mudana de regime acontece na condio de bandas planas,
que definida tanto pela polarizao ptica como elctrica, o que explica que a transio
possa acontecer a diferentes tenses de polarizao, dependendo do comprimento de onda da
radiao. Em todas as amostras estudadas a mudana de regime acontece para uma tenso
prxima do potencial embutido da juno.
Para melhor compreender a variao observada na resposta espectral com a tenso aplicada
podemos recorrer representao esquemtica apresentada na Figura 3.23. Para tenses
abaixo da condio de bandas planas os portadores gerados no volume da zona i recombinamse, sendo que apenas os gerados prximo da interface (zona //) so colectados. Com o
aumento da tenso inversa esta zona estende-se mais na zona intrnseca aumentando a
coleco dos portadores gerados pela radiao de comprimento de onda mais elevado. Desta
forma quando a tenso de polarizao aumenta o mximo da resposta espectral desloca-se no
sentido dos baixos comprimentos de onda.
78
Responsividade (u.a.)
0,5
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
-0,1
-0,2
-0,3
-0,4
-0,5
-0,6
-0,7
400
Responsividade (a.u.)
V=0 V
V=0.2 V
V=0.4 V
V=0.6 V
V=0.8 V
V=1 V
V=1.2 V
V=1.4 V
1,0
0,0
-0,5
-1,0
400
450
500
550
600
650
700
750
800
V=0 V
V=0.2 V
V=0.4 V
V=0.6 V
V=0.8 V
V=1 V
V=1.2 V
V=1.4 V
450
500
550
a)
0,7
0,5
0,2
V=0 V
V=0.2 V
V=0.4 V
V=0.6 V
V=0.8 V
V=1 V
V=1.2 V
V=1.4 V
1,0
0,0
-0,2
-0,5
-0,7
450
500
550
600
650
700
750
800
b)
1,2
-1,0
400
600
650
700
750
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
-0,1
-0,2
-0,3
-0,4
-0,5
-0,6
-0,7
-0,8
400
800
V=0 V
V=0.2 V
V=0.4 V
V=0.6 V
V=0.8 V
V=1 V
V=1.2 V
V=1.4 V
450
500
comprimento de onda (nm)
550
600
650
700
750
800
c)
d)
Figura 3.22 Resposta espectral em normalizada ao valor de curto-circuito para diferentes

tenses de polarizao, a) amostra #M006301, b) amostra #M007192 c) amostra #M011101,
d) amostra #M011102.
Fotes
Vinv
Figura 3.23 Representao esquemtica da coleco de portadores com o aumento da tenso

de polarizao para um fotododo p-i-n para baixos () e altos comprimento de onda (---).
Podemos observar na Figura 3.24 o efeito combinado da polarizao elctrica e ptica nos
diferentes dispositivos. A dependncia da responsividade com a tenso de polarizao
evidente em todos os dispositivos, muito embora se manifeste com magnitude diferente.
79

Os dados mostram ainda que a responsividade espectral est relacionada com incorporao de
carbono nas camadas dopadas, aumentado o teor de carbono diminui a responsividade. Com a
presena de carbono em ambas as camadas dopadas (amostras #M007192 e #M011101) a
variao da responsividade com a tenso menos acentuada. Este efeito pode ser atribudo ao
aumento da resistncia srie do dispositivo provocando uma diferente distribuio interna do
potencial elctrico.
Nestas amostras, a diminuio da responsividade mais acentuada
quando iluminadas com luz de fundo verde, enquanto que nas que apresentam apenas uma das
camadas dopadas baseadas em a-SiC:H isto acontece com luz de fundo vermelha.
0,25
0.30
#M006301
#M007192
0.25
0,20
0,15
0,10
a)
0,05
0,00
b)
c)
0,2
)
(V
0,0
500
400 450
650
550 600
700 750
0.20
0.15
800
a)
0.10
c)
0.05
b)
0.00
0.8
0.6
0.4
)
(V
ge
lta
Vo
o
ns
Te
0,8
0,6
0,4
Responsivity (A/W)
(A/W)
Responsividade
0,30
)
(nm
0.2
0.0
400 450
500
650
550 600
800
700 750
(nm)
0.4
#M011102
#M011101
0.20
0.15
0.10
a)
0.05
c)
0.00
0.8
0.6
0.4
lta
Vo
b)
)
(V
ge
0.2
0.0
500
400 450
650
550 600
700 750
800
(nm)
Responsivity (A/W)
0.25
Responsivity (A/W
0.30
0.3
a)
0.2
b)
c)
0.1
0.0
1.0
0.8
Vo 0.6
lt a
g 0.4
(V 0.2
)
0.0
400
450
500
550
600
800
750
700
650
)
(nm
Figura 3.24 Efeito combinado da polarizao elctrica e ptica na resposta espectral nos
dispositivos em estudo. a), b) e c) representam as curvas obtidas no escuro, com iluminao
de fundo verde e vermelha respectivamente.
80
3.3.3. Capacitncia
As medidas de capacitncia aplicadas a dispositivos semicondutores permitem aferir diversas
propriedades dos mesmos, e constituem uma importante ferramenta para o estudo de
processos fsicos relacionados com acumulao e movimentao interna de carga.
Adicionalmente so tambm a base de tcnicas avanadas de caracterizao de
semicondutores como DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) [14] que uma tcnica
poderosa de estudo dos defeitos electricamente activos (armadilhas) nos semicondutores.
Neste trabalho foram efectuadas medidas de capacidade em funo da tenso aplicada
temperatura ambiente utilizando um amplificador lock-in e uma montagem experimental
propositadamente desenvolvida para o efeito.
A tcnica de medida utilizada baseia-se na determinao da impedncia (Z) do dispositivo em
teste atravs da medida da corrente que o percorre quando aos seus terminais aplicada uma
tenso sinusoidal de teste de baixa amplitude (~20mV). O sistema permite ainda a aplicao
de uma tenso constante para polarizao. Caso a impedncia tenha uma componente reactiva
vai existir uma desfasagem entre a tenso aplicada e a corrente medida, tomando ento a lei
de Ohm a seguinte forma:
Z=
V
I
com
V = V0 e j (t +V ) e
I = I 0 e j (t +I )
(3.16)
onde V0,V e I0,I representam respectivamente a amplitude/fase da tenso e da corrente e a

frequncia angular.
A tenso e corrente no dispositivo so ento dadas por nmeros complexos, que podem
alternativamente
ser
representados
na
forma
cartesiana,
V = Re(V ) + j Im(V ) ,
I = Re( I ) + j Im( I ) , que como se ver adiante mais conveniente para a tcnica de medida
utilizada.
Determinando experimentalmente a amplitude e fase da corrente e da tenso no dispositivo, a
capacidade equivalente, C, e a resistncia equivalente, R, podem ser ento ser calculadas,
considerando para a impedncia um modelo paralelo como indicado na Figura 3.25, pela
seguinte expresso:
Z=
R ( jX C )
R jX C
(3.17)
em que XC representa a reactncia da capacidade e dada por:

XC =
1
2fC
(3.18)
81

Por forma a poder polarizar o dispositivo em tenso foi desenvolvido e implementado o
circuito auxiliar indicado na Figura 3.25. Neste circuito o amplificador operacional U1 soma
tenso de polarizao (VDC) uma tenso sinusoidal de baixa amplitude (vac) que vai funcionar
como tenso de teste. O dispositivo ento ligado em srie entre a sada deste amplificador e
a entrada de um conversor corrente-tenso (U2). Como a entrada deste amplificador funciona
como uma massa virtual, a tenso de sada de U1 aparece na totalidade aos terminais do
dispositivo em teste, pelo que partida, sabemos o seu valor de acordo com R1,R2 e R3, e os
valores de vac e VDC aplicados. A desfasagem da tenso imposta por U1 anulada por
calibrao do sistema, medindo a diferena de fase na sada do amplificador com o circuito
em aberto.
Conhecendo partida a amplitude e fase da tenso aplicada, ento necessrio obter
experimentalmente o valor da amplitude e fase da corrente que percorre o dispositivo. Esta
tarefa bastante simples se utilizarmos um amplificador lock-in de fase dupla, visto que este
permite obter simultaneamente o valor do sinal em fase e quadratura. Neste trabalho foi
utilizado um amplificador lock-in de fase dupla digital (modelo SR830). Este amplificador
possui uma entrada em que corrente com ganho seleccionvel entre de 106 V/A e 109 V/A, o
que limita a gama de impedncias determinvel. Tal limitao pode ser eliminada recorrendo
a um conversor corrente-tenso externo, como indicado na Figura 3.25. No caso, foi utilizado
o amplificador de corrente de baixo rudo modelo SR570.
Uma vez obtidos os valores da corrente em fase (Re(is)) e quadratura (Im(is)), e de acordo
com o exposto anteriormente, os valores de C e R sero dados por.
C=
Im(is )
2 f vT
R=
vT
Re(is )
(3.19)
Para automatizar o processo foi desenvolvido um programa de computador que comanda os

equipamentos, calcula o valor de C e R a partir dos valores lidos, e apresenta os resultados
graficamente em funo da tenso de polarizao aplicada ou do tempo. Este programa alm
de permitir a variao dos parmetros pode ser configurado para a utilizao do conversor
corrente-tenso interno, externo ou at a utilizao de uma resistncia de valor conhecido em
srie com o dispositivo. No ltimo mtodo a corrente obtida atravs da medida a tenso aos
terminais da resistncia e requer algum cuidado na seleco da resistncia apropriada
medida e ao dispositivo em causa.
82
Figura 3.25 Esquema elctrico do circuito utilizado para as medidas de capacidade em

funo da tenso aplicada.
3.3.3.1 Resultados
As medidas de capacidade em funo da tenso aplicada foram efectuadas para as amostras
em estudo no escuro e para diferentes condies de iluminao, seguindo-se a apresentao e
discusso dos resultados mais significativos. Todas as medidas foram efectuadas utilizando
um sinal de teste sinusoidal com uma amplitude de 20mV e uma frequncia de 100kHz.
A Figura 3.26 apresenta as medidas da capacidade em funo da tenso aplicada no escuro.
Como se pode observar, a amostra #M006302 apresenta um valor da capacidade cerca de duas
vezes maior que as restantes o que um factor indicativo da origem da capacidade, uma vez
que a espessura da camada i desta amostra metade das restantes. De uma forma geral, para
as estruturas p-i-n, em polarizao inversa, a capacidade (por unidade de rea) total
composta pela srie das capacidades relativas s diferentes regies do dispositivo:
Cj =
s
xn + x p + d
s
xd
(3.20)
onde xn e xp e representam a extenso da regio de depleco em cada uma das camadas

dopadas e d a espessura da camada i. Como d>> xn, xp, uma vez que a extenso da regio de
depleco nas zonas dopadas muito pequena, o valor da capacidade no escuro definida
pela espessura da camada intrnseca. Como tambm se pode observar no grfico, a capacidade
das amostras estudadas no apresenta uma variao muito acentuada com a tenso aplicada.
Este resultado est de acordo com o esperado, uma vez que a variao da tenso de
polarizao vai alterar o encurvamento das bandas junto das interfaces i-n e p-i fazendo variar
apenas ligeiramente a extenso da regio de depleco, e como tal tem pouca influncia no
83

valor da capacidade. Os dados da #M006291 apenas foram registados at 0,5 V uma vez que
o aumento da corrente em polarizao directa impede a medida da capacidade pelo processo
Capacidade (nF/cm )
utilizado.
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-1,0
#M006291
#M006301
#M007192
#M006302
-0,5
0,0
0,5
1,0
Tenso (V)
Figura 3.26 Capacidade em funo da tenso para a diferentes amostras no escuro.
Observando em maior detalhe a caracterstica da amostra #M006302 (Figura 3.27) podemos
verificar mais claramente a dependncia da capacidade face tenso de polarizao. O
andamento da curva est de acordo com o usual para uma estrutura p-i-n, observando-se um
aumento da capacidade atingindo o valor mximo para uma tenso prxima da tenso Voc.
No se observa um aumento significativo da capacidade para tenses directas (devida a
correntes de difuso) pois as correntes directas so bastante baixas devido ao elevado valor da
resistncia srie.
15
1,18x10
#M006302
30,2
15
1,16x10
30,0
15
1,14x10
29,8
15
29,6
1,12x10
29,4
1,10x10
15
29,2
-1,0
1/C
Capacidade (nF/cm )
30,4
15
-0,5
0,0
0,5
1,08x10
1,0
Tenso (V)
Figura 3.27 Capacidade em funo da tenso para a amostra #M006302 no escuro.
84

Contrariamente ao que foi observado no escuro, sob iluminao a caracterstica C-V das
amostras em estudo apresenta um comportamento bastante diferente do de um dodo p-i-n
tpico. A Figura 3.28 apresenta as curvas da capacidade equivalente em funo da tenso
aplicada para a amostra #M006302 sob diferentes condies de iluminao. Como se pode
observar na figura, quando a amostra polarizada inversamente a capacidade sob iluminao
tende para o valor observado no escuro, enquanto que com o aumento da tenso a capacidade
aumenta at atingir um valor de saturao dependente do fluxo luminoso.
A explicao para as caractersticas observadas surge naturalmente se pensarmos em termos
da influncia da iluminao na extenso da regio de carga espacial da estrutura. Com a
amostra no escuro e em curto circuito a regio de carga espacial estende-se por toda a regio i
pelo que a capacidade equivalente ter um valor baixo uma vez que esta varia inversamente
com a dimenso da regio de carga espacial. Quando a amostra iluminada a gerao
fotoelctrica na regio i faz com que a regio de carga espacial se confine s regies prximas
das interfaces p-i e i-n estendendo-se inclusive pela camada n baseada em a-SiC:H, pelo que a
capacidade aumenta. O aumento da capacidade com a intensidade luminosa segue um
andamento no linear, uma vez que medida que esta aumenta a extenso da regio de carga
espacial na regio i cada vez menor, pelo que para que continue a variar necessrio ter
cada vez um fluxo luminoso maior. Quando a regio de carga espacial estiver confinada s
regies prximas das interfaces o valor da capacidade atinge a saturao como pode ser
observado na Figura 3.29.
#M006302
16
16
16
16
120
5.0x10 ph/cm
100
2.5x10 ph/cm
Capacidade (nF/cm )
140
80
1.0x10 ph/cm
60
40
0.5x10 ph/cm
20
Escuro
0
-1.0
-0.5
0.0
Tenso (V)
0.5
1.0
Figura 3.28 Capacidade em funo da tenso para a amostra #M006302 sob diferentes
condies de iluminao.
85
VPol.=0 V
120
Capacidade (nF/cm )
400
300
100
80
200
60
100
40
20
0
12
16
0
20
Regio de carga espacial (nm)
140
L (mW/cm )
Figura 3.29 Capacidade em funo da intensidade luminosa medida com a amostra em
curto-circuito.
A extenso da zona de carga espacial foi calculada de acordo com a equao (3.20) estando o
seu valor indicado na Figura 3.29 considerando para o a-Si:H uma permitividade relativa de
11.9. Como se pode observar o valor mximo da regio de carga espacial de ~350nm
correspondente dimenso da amostra.
3.3.4. Modelo elctrico

Como apresentado anteriormente, os dispositivos estudados neste trabalho apresentam uma
caracterstica J-V em forma de S quando iluminados. Como o modelo elctrico tpico para um
fotododo p-i-n no prev este comportamento desta forma, este modelo ser expandido para
incorporar este efeito com base em resultados obtidos por simulao numrica.
Tomando por base a amostra #M06301 foram obtidas as caractersticas J-V sob iluminao
para diferentes intensidades luminosas. O dispositivo foi iluminado pelo lado p com luz
filtrada proveniente de uma lmpada de halogneo de 150W. As condies de iluminao
foram controladas inserindo entre a lmpada e o sensor um sistema ptico composto de filtros
neutros e de cor (filtros de interferncia com 50nm FWHM) intermutveis, a uniformidade de
iluminao da superfcie activa da amostra garantida pela utilizao de ptica de colimao
e homogeneizao. A caracterstica J-V obtida com iluminao azul (L =450 nm) com
86

diferentes intensidades apresentada na Figura 3.30. Como se pode observar, esta
caracterstica desvia-se bastante da curva standard de um dodo [15], apresentando uma
diminuio acentuada da corrente de curto-circuito, observando-se ainda o cruzamento entre
as diferentes curvas numa tenso prxima de VOC . Esta caracterstica dita em forma de S
-2
semelhante observada em heterojunes a-Si/c-Si [16].

2,0x10
-5
1,0x10
-5
0,0
-1,0x10
-5
-2,0x10
-5
-3,0x10
-5
-4,0x10
-5
-5,0x10
-5
Irradincia (W/Cm )
1.2
12.1
48.5
76.4
121.3
-2
-1
Tenso (V)
Figura 3.30 Caracterstica J-V experimental obtida sob diferentes condio de iluminao
com radiao de 450nm.
O modelo tpico para um fotododo apresentado na Figura 3.31 e descrito analiticamente
pela expresso:
q (V RS I ) V Rs I
I = I ph + I 0 exp
1 +
kT
Rp
(3.21)
Figura 3.31 Modelo tpico para um fotododo.

Onde q representa a carga do electro, I0 representa a corrente de saturao do dodo, k a
constante de Boltzman, T a temperatura em Kelvin, V a tenso aplicada externamente, o
factor de idealidade do dodo, Rs a sua resistncia srie, e Rp sua resistncia paralela. Este
modelo descreve com acuidade o comportamento de clulas solares tpicas e de fotododos,
com a correcta escolha dos parmetros indicados, e pode tambm ser aplicado aos
dispositivos em estudo no regime de polarizao inversa elevada.
87

Um dos factores condicionantes do transporte de carga numa heterojuno a existncia de
descontinuidades das bandas de conduo e valncia provocadas pela diferena de hiatos
entre os diversos materiais. Estas descontinuidades criam barreiras de potencial para os
portadores, levando a que estes se acumulem junto das interfaces entre os materiais, onde so
aprisionados ou se recombinam. Quando o dispositivo iluminado as camadas dopadas (n ou
p) de a-SiC:H funcionam como camadas de bloqueio (para electres ou lacunas
respectivamente), o que, juntamente com o baixo campo elctrico atravs da camada i, limita
a coleco dos portadores para baixos valores de polarizao inversa resultando numa baixa
eficincia de coleco e justificando o baixo valor da fotocorrente observado. Para
polarizaes inversas mais elevadas a barreira de potencial baixa levando ao aumento da
eficincia de coleco com o consequente aumento da fotocorrente.
A discusso anterior sugere a ampliao do modelo standard por incluso de um fotododo de
barreira modulada MBP (Modulated Barrier Photodiode) [17] em srie. O novo modelo
apresentado na Figura 3.32 a) sendo a sua caracterstica I-V dada pela equao 2 a que
corresponde a curva a pontilhado da Figura 3.32 b).
q b
I = A*T 2 exp
kT
qVMBP
qV
exp MBP exp

n f kT
nr kT
(3.22)
onde A* representa a constante efectiva de Richardson, T a temperatura em Kelvin, VMBP a

tenso atravs do dodo, b a altura da barreira de potencial, e nr e nf os factores de idealidade
para polarizao inversa e directa respectivamente. O valor da constante de Richardson foi
obtido na literatura [6], enquanto que o valor da barreira de potencial verificou-se ser igual ao
desnvel das bandas na interface a-SiC:H/a-Si:H. Os restantes parmetros foram ajustados por
forma a ajustar a curva aos dados experimentais.
a)
b)
Figura 3.32 a) Circuito equivalente do modelo macroscpico de dois dodos para uma
estrutura p-i-n com uma camada n de a-SiC:H fracamente dopada, b) Caractersticas I-V
tpicas para um fotododo tpico e para um MBP.
88
Tendo em ateno a figura anterior a explicao fsica deste modelo evidente. Uma vez que
os dois dodos esto em srie a corrente que os percorre ser a mesma, enquanto a tenso
aplicada externamente aparece distribuda por ambos. A corrente atravs do dispositivo
ento limitada por um ou outro dodo, dependendo da polarizao aplicada. Para tenses de
polarizao baixas (regio b) a corrente limitada pelo MBP, enquanto para polarizaes
elevadas (directa ou inversa) a corrente definida pelo fotododo.
Foram efectuadas simulaes a nvel de circuito com o simulador pSpice utilizando o modelo
apresentado, sendo os resultados apresentados na Figura 3.33, mais detalhes podem ser
encontrados na bibliografia [18].
-6
6,0x10
-2
-6
4,0x10
Experimental
Simulada
-6
2,0x10
0,0
-6
-2,0x10
-6
-4,0x10
-6
-6,0x10
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
Tenso (V)
Figura 3.33 Caractersticas J-V experimental e simulada com o modelo sugerido.

De uma forma geral os resultados obtidos foram satisfatrios, nomeadamente na regio de
interesse (abaixo de VOC). No regime de polarizao directa o desvio observado pode ser
atribudo no optimizao do conjunto de parmetros utilizado.
89
3.4. Concluses
Neste captulo foram abordadas diversas tcnicas de caracterizao de filmes finos de
materiais semicondutores, tendo sido apresentados e discutidos os resultados relativos a
amostras dos filmes finos que constituem os dispositivos em anlise neste trabalho. Uma
caracterstica de especial importncia a condutividade das camadas dopadas para diferentes
composies das mesmas. Foi tambm estudado o efeito da incorporao de carbono nos
filmes, observando-se um aumento do hiato ptico e uma diminuio da condutividade. Como
ser aprofundado num capitulo posterior esta uma caracterstica essencial para a tcnica
desenvolvida neste trabalho.
As sries de dispositivos com diferentes composies das camadas dopadas foram
caracterizados por medidas das caractersticas corrente-tenso, resposta espectral e
capacitncia. Os resultados obtidos so o ponto de partida para o desenvolvimento da teoria
subjacente ao funcionamento do dispositivo, a apresentar no captulo seguinte.
O modelo usual para um fotododo foi expandido pela incorporao de um fotododo de
barreira modulada para modelar o processo de recombinao interna observado para baixas
tenses de polarizao. Os resultados de simulao mostram que o modelo adequado aos
dispositivos em estudo. Desta forma a sua utilizao permite a simulao baseada em
circuitos elctricos de sensores do tipo LSP, com a consequente simplificao da optimizao
dos sensores de imagem de grande rea baseados nesta tecnologia.
90
3.5. Referncias
[1]
ASTM G173-03e1, Standard tables for reference solar spectral irradiance: direct
normal and hemispherical on 37 tilted surface, ASTM International
[2]
E. Freeman, W. Paul, Phys. Rev. B 20 (1979) 719.
[3]
J. Tauc, Amorphous and liquid semiconductors (Plenum Press, London, 1974).
[4]
P. Louro, M. Vieira, Y. Vygranenko, M. Fernandes, R. Schwarz, M. Schubert, Sensors

and Actuators A, 97-98 (2002) 221-226
[5]
C. R. Wronski, B. Abeles, T. Tiedje, and G. D. Cody, Solid State Commun. 44, 617,
1982.
[6]
A. C. Boccara, D. Fournier, W. B. Jackson, and N. M. Amer, Opt. <Lett. 5, 377 (1980).
[7]
M. Vanecek, J. Kocka, J. Stuchlik, Z. Kozisek, O. Stika and A. Triska, Solar Energy

Materials 8, 411 (1983)
[8]
R. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
[9]
K. Pierz, W. Fuhs, and H. Mell, Phil. Mag. B 63, 123 (1991).
[10] S. M. SZE, Physics of semiconductor devices (John Wiley & Sons, New York, 1981)
[11] http://www.psu.edu/dept/AMPS/amps1d/index.html
[12] K.W. Boer, The CdS/Cu2S heterojunction in steady state, international workshop on
sulfide solar cells and other abrupt heterojunctions, Delaware University, October,
1975.
[13] P. BASORE, IEEE Trans. Electron Devices 37, 337 (1990).
[14] D.V. Lang, "Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in
semiconductors", J. Appl. Phys., vol. 45, no. 7, pp. 3023-3032, July 1974.
[15] S. M. Sze, Semiconductor Devices -Wiley, New York, (1985).
[16] M.W.M. van Cleef, F.A. Rubinelli, J.K. Rath, R.E.I. Schropp, W.F. van der Weg, R.
Rizzoli, C. Summonte, R. Pinghini, E. Centurioni, R. Galloni, J. Non-Crystalline Solids,
227-230 (1998) 1291-1294.
[17] Kwok K. Ng, The Complete Guide to Semiconductor Devices, Mc Graw Hill, New
York, (1995).
91
[18] Miguel Fernandes, Manuela Vieira, Rodrigo Martins; Amorphous and Polycrystalline
Thin-Film Silicon Science and Technology-2007, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., S.
Francisco (USA), Vol. 989 (2007).
92
Captulo 4 - Sistema sensor LSP
Sistema LSP
Captulo 4
4.
Sistema
sensor
Photodiode)
LSP
(Laser
Scanned
4.1. Introduo
Neste captulo sero abordados os aspectos principais dos sensores de imagem do tipo LSP.
A primeira parte focar os aspectos principais do sistema opto-mecnico associado tcnica
base deste trabalho. Sero apresentadas duas solues tecnolgicas privilegiando a
sensibilidade ou a velocidade de operao do sistema sensor.
A parte seguinte ir focar-se na explicao do princpio fsico de funcionamento do sensor.
Seguir-se- o estudo da influncia de diversos parmetros de funcionamento nas
caractersticas do sensor, em que sero focados aspectos como a resposta espectral,
responsividade, resoluo, etc. Sero abordados os principais aspectos relativos s fontes de
rudo que afectam os dispositivos, sendo apresentadas as tcnicas de supresso ou
minimizao do efeito dos mesmos.
93

Com base nas caractersticas experimentais ser proposto um modelo elctrico que permitir a
simulao do comportamento do dispositivo recorrendo a um programa de simulao de
circuitos elctricos convencional (por ex. pSpice).
4.2. Sistema varrimento laser (laser scanning)

A tcnica de varrimento laser laser scanning extensivamente utilizada em diversas reas
como a impresso, o corte e gravao de materiais, a projeco de imagens, a caracterizao
de materiais, etc. Na caracterizao de materiais utilizada como uma tcnica de anlise no
destrutiva de painis solares e de dispositivos semicondutores integrados ou discretos sob o
nome de LBIC (Light Beam Induced Current). Uma das primeiras referncias a este mtodo
data dos anos 80 [1], onde os autores utilizaram esta tcnica para analisar clulas e painis
solares fotovoltaicos de silcio cristalino. Esta tcnica consiste em varrer a superfcie da clula
com um feixe laser registando continuamente a corrente gerada com a clula polarizada
directamente. Segundo os autores, pela interpretao dos mapas de resposta obtidos pode ser
obtida informao acerca de zonas onde existem curtos-circuitos, contactos hmicos
defeituosos, zonas com defeitos como fissuras, e de um modo geral acerca da eficcia do
design e construo da clula solar.
O principio bsico do laser scanning aparece descrito em diversos trabalhos [2, 3, 4] de um
modo geral um ponto de luz, gerado por um laser, movido sobre a superfcie do dispositivo
sendo a fotocorrente gerada medida em funo da posio do feixe. O resultado um mapa
bidimensional do dispositivo que contm informao combinada acerca da gerao de
portadores e eficincia de coleco pontuais, onde a variao de qualquer um destes
parmetros aparece como uma alterao da corrente. Nos trabalhos referidos a tcnica usual
consiste em manter a fonte de luz fixa e mover a amostra segundo dois eixos ortogonais. No
entanto, nos trabalhos desenvolvidos nesta tese este mtodo no se mostra adequado uma vez
que tal conduziria a uma complexidade acrescida do sistema mecnico de varrimento, ou at
mesmo, no caso de varrimento rpido, sua completa desadequao aplicao em causa.
Como tal optou-se por manter a amostra (sensor) fixa e deflectir o feixe laser utilizando dois
espelhos, um para cada eixo.
Uma das dificuldades associada a este tipo de sistema a focagem do laser sobre o plano da
imagem. Como indicado na Figura 4.1, quando o feixe deflectido pelo espelho sobre uma
superfcie a condio de igual percurso ptico dita que este fique focado sobre uma superfcie
94

curva (linha a). Se a superfcie de projeco for plana (linha b), alm do efeito na focagem do
laser, devido variao do percurso ptico, existe ainda um problema de distoro geomtrica
uma vez que a relao entre o ngulo de deflexo e a altura da imagem dada por:
y ' = f tan
(4.1)
Esta distoro conhecida por distoro de tipo barril e est representada na Figura 4.1 b).
Por forma a corrigir estes problemas recorre-se a uma lente especialmente desenhada, cuja
curvatura ajustada por forma a provocar uma distoro do mesmo tipo mas de efeito
contrrio. Este tipo de lentes conhecido por lente F-Theta uma vez que a altura da imagem
passa a ser proporcional ao ngulo de varrimento ( y' = f ) e no tangente desse mesmo
ngulo como normalmente acontece.
Figura 4.1 a) sistema de varrimento laser, b) efeito da projeco de um objecto (I) com um
sistema bidimensional do tipo indicado em a) atravs de uma lente F-Theta (II) e atravs de
uma lente normal.
As lentes F-Theta podem assumir variadas formas dependendo da aplicao em causa. Na
Figura seguinte podemos ver o exemplo de uma lente unidimensional muito utilizada em
impressoras a laser e uma lente para sistemas bidimensionais como por exemplo para corte ou
marcao a laser.
Alm de assegurar o varrimento da rea activa do dispositivo com o feixe laser, o sistema
dever ainda permitir a variao de outros parmetros como a polarizao ptica e elctrica, a
intensidade e comprimento de onda do feixe de prova bem como da iluminao de fundo
(imagem).
95
Figura 4.2 Lentes F-Theta para sistemas de deflexo laser em um eixo a) e dois eixos b).
Para responder a todas estas exigncias foi desenvolvido o sistema para teste e caracterizao
dos dispositivos cujo diagrama de blocos indicado na figura seguinte:
Figura 4.3 Diagrama de blocos do sistema de teste e caracterizao dos dispositivos.

Alm do controlo e do armazenamento de dados executados por um computador pessoal,
podemos subdividir o sistema em trs blocos fundamentais conforme a sua funo: Deflexo e
controlo do feixe de prova; Projeco da imagem; Polarizao elctrica e acondicionamento
de sinal.
O primeiro composto por um laser de classe IIIa/b potncia <5/10 mW, um
modulador de luz mecnico chopper, um colimador, um filtro neutro de densidade varivel,
96

uma lente de focagem e um sistema de espelhos ortogonais controlados por computador por
meio de uma ligao RS232. No presente trabalho foi usada radiao laser de dois
comprimentos de onda, He-Ne de 633 nm e um de estado slido de 532 nm. Em algumas
situaes, para manter o sistema simples optou-se por omitir a lente F-Theta. A distoro
observada no foi significativa, uma vez que nestas situaes o ngulo de varrimento era
bastante reduzido, pelo que tan . Ao longo dos trabalhos foram utilizadas duas tcnicas
de varrimento, dito lento e rpido em que este bloco apresenta diferenas significativas ao
nvel da estrutura, pelo que a sua descrio mais detalhada ser feita mais adiante.
O segundo bloco permite ter um controlo preciso sobre as caractersticas da imagem,
ou iluminao de fundo, utilizadas na caracterizao dos sensores. Para tal foi construdo um
sistema ptico com diversas lentes e filtros que, recorrendo a uma fonte de luz de halogneo e
uma mscara, permite a projeco sobre a superfcie do sensor de diversas imagens de teste.
Devido estrutura de alguns sensores a imagem e o feixe de prova tm que incidir sobre o
mesmo lado do dispositivo, pelo que nesta situao utilizado um prisma combinador, como
indicado no diagrama. Caso imagem e feixe de varrimento ptico possam incidir sobre
superfcies opostas do dispositivo este prisma omitido, o que permite simplificar bastante o
sistema quer a nvel ptico quer mesmo mecnico.
A polarizao elctrica do sensor e o acondicionamento e aquisio de sinal esto a
cargo de um terceiro bloco que pode ser composto por diverso equipamento. A funo deste
bloco consiste em polarizar electricamente o dispositivo e medir a corrente aos seus terminais.
Esta corrente pode ser decomposta na soma de vrias componentes, nomeadamente: a
corrente gerada pontualmente pelo feixe laser, a corrente de escuro da juno, a corrente
devida polarizao elctrica e s resistncias srie e paralelo e a fotocorrente devida
iluminao de fundo. De todas estas correntes apenas a primeira parcela nos interessa, uma
vez que a que contm informao acerca das condies de iluminao local, pelo que ser
esta que o sistema de medida dever detectar. O equipamento de medida varia conforme a
tcnica de varrimento utilizada, logo a sua descrio ser feita em mais detalhe apenas nas
subseces seguintes.
Podendo ser seguidas vrias aproximaes para a construo do bloco de deflexo do feixe,
neste trabalho foram usadas duas com caractersticas que permitem um varrimento lento ou
rpido mantendo o sistema o mais simples possvel.
97
4.2.1. Tcnica de varrimento lento

Nesta tcnica a luz proveniente do laser modulada por um obturador mecnico que permite a
utilizao de um amplificador lock-in para a medida da corrente. Este dispositivo pode ser
dispensado se no for utilizado o referido amplificador. A modulao do feixe foi realizada
mecanicamente pois nenhum dos lasers utilizados (He-Ne, DPSS) permitia modulao
elctrica. O bloco seguinte encarrega-se de expandir e colimar o feixe que passa depois por
um filtro neutro que permite variar a sua intensidade e por uma lente de distncia focal
adaptada ao sistema para focagem do feixe sobre a superfcie do sensor.
Para o sistema de deflexo do feixe laser foram utilizados dois motores do tipo passo-apasso com espelhos acoplados por via de um redutor para aumentar a resoluo angular. Os
dois conjuntos motor/espelho foram montados ortogonalmente num suporte especialmente
construdo para o efeito (ver pormenor na Figura 4.4) e que permite o acoplamento ao sistema
de acondicionamento do feixe laser. Para controlar os motores foi desenvolvido um mdulo
de comando baseado num microcontrolador que comunica com o computador pessoal por
meio de uma ligao RS-485/RS-232.
Este ltimo bloco , digamos, o corao de todo o sistema, uma vez que permite controlar
com exactido a posio do feixe e possibilita a reconstruo do mapa da corrente gerada pelo
laser na superfcie do sensor. A Figura 4.4 apresenta um pormenor deste sistema.
Laser de He-Ne
Chopper
ptica para focagem e

controlo de intensidade
Sistema de deflexo XY
Prisma combinador
Feixe
Espelhos
(simulado)
Sistema de projeco de imagem
(fonte de luz + mascara + lentes)
Sensor
Suporte do sensor
Figura 4.4 Fotografia da montagem utilizada para a tcnica de varrimento lento.
98

Como indicado anteriormente, e por forma a permitir que a caracterizao
optoelectrnica dos dispositivos possa ser feita de forma simples e precisa sob diferentes
condies de polarizao ptica e elctrica, feixe laser pulsado, usualmente por meios
mecnicos, e a corrente gerada pelo feixe de prova medida atravs de amplificao sncrona
(amplificador lock-in). Esta tcnica de medida apresenta evidentes vantagens ao nvel da
sensibilidade e imunidade ao rudo, mas tem como inconveniente o facto de poder apenas ser
aplicada para velocidades de varrimento relativamente baixas.
O amplificador lock-in comunica com o computador pessoal atravs de um ligao
GPIB e permite polarizar o sensor atravs de uma das sadas de tenso DC programveis que
dispe, e da utilizao de um porta amostras especialmente desenvolvido para o efeito. O
sinal de referncia para a medida fornecido pelo controlador do chopper. Desta forma o
amplificador permite medir directamente a corrente gerada pelo feixe, uma vez que as
restantes, por terem frequncias muito diferentes da referncia, ficam fora da banda de
medida. Uma vez que o ganho mnimo que a entrada de corrente de que o referido
amplificador dispe de 1 V/A, em situaes de elevada intensidade da iluminao da
imagem o amplificador satura, pelo que se torna necessrio utilizar a entrada de tenso e
recorrer a um conversor corrente/tenso externo (modelo SR570) o qual apresenta uma maior
gama de variao do ganho de transimpedncia.
4.2.2. Tcnica de varrimento rpido

O sistema de varrimento rpido desenvolvido neste trabalho formado por dois espelhos que
rodam sobre eixos ortogonais. A Figura 4.5 mostra um esquema detalhado do sistema e uma
fotografia da montagem utilizada para teste dos diversos sensores. A deflexo de cada um dos
espelhos faz deslocar o feixe de prova segundo cada um dos eixos da imagem. Para a
aquisio de uma imagem o feixe varre a rea activa do sensor de uma forma progressiva,
linha por linha. Devido tcnica de varrimento utilizada os dois espelhos tm de se
movimentar a uma velocidade bastante diferente. Como tal optou-se por utilizar para o
varrimento horizontal um motor DC de velocidade varivel acoplado a um espelho poligonal
de 6 faces, por forma a permitir uma velocidade de varrimento elevada, e para o varrimento
vertical um motor do tipo voice coil acoplado a um espelho plano. Este motor alimentado
por um sinal em forma de rampa em que o tempo de subida da rampa o tempo de aquisio
de uma imagem.
A corrente proveniente do sensor convertida num sinal de tenso e amplificada antes de ser
armazenada pelo comutador pessoal. Para este efeito utilizou-se apenas o conversor
99

corrente/tenso de ganho programvel (SR570) uma vez que a tcnica lock-in no pode ser
utilizada devido ao curto intervalo de tempo disponvel para a medio da corrente em cada
ponto. Neste caso medida a corrente total no dispositivo pelo que necessrio proceder
subtraco da corrente de escuro e das outras componentes indesejveis para obter a corrente
gerada pelo feixe. Este mtodo de medida muito menos sensvel do que o utilizado com o
varrimento lento, pelo que para manter uma relao sinal/rudo apropriada necessrio, em
algumas situaes, aumentar a intensidade do laser. O sinal depois aplicado na entrada de
uma placa de aquisio de dados (modelo KPCI1601) instalada num PC, em que um software
propositadamente desenvolvido para o efeito converte e armazena o sinal medido sobre cada
ponto do varrimento. Para efeitos de sincronismo, sinais provenientes do gerador de rampa
(sincronismo de quadro) e do gerador de sincronismo (sincronismo de linha) so tambm
aplicados em diferentes canais da placa de aquisio permitindo assim a determinao por
parte do software da localizao de cada pixel na matriz da imagem.
Sensor
ptica prara
projeco da imagem
ptica para focagem e

controlo de intensidade do
laser
Feixe simulado
LASER (He-Ne)
Espelho rotativo
Figura 4.5 a) Esquema do sistema de varrimento rpido, b) foto do sistema de teste.
100
A titulo de verificao das prestaes do sensor e do sistema de varrimento podemos observar

na Figura 4.6 imagens capturadas com o primeiro b) e segundo c) prottipos do sistema de
varrimento. De notar que as imagens foram obtidas com diferentes tipos de sensor o que
justifica algumas diferenas observadas.
a)
b)
c)
Figura 4.6 Exemplo de captura de imagem monocromtica, a) Imagem original, b) captura

com estrutura p-i-n e b) captura com estrutura p-i-n-p-i-n.
4.3. Sensor LSP

Nesta seco ser apresentado o princpio de funcionamento do sensor LSP baseado numa
estrutura p-i-n com uma das camadas dopadas de alta resistividade. Para fundamentar a teoria
desenvolvida na seco 4.3.2 que aborda o princpio de funcionamento do sensor do tipo LSP
sero primeiro discutidos em detalhe os resultado obtidos por simulao numrica de
estruturas idnticas s utilizadas experimentalmente.
4.3.1. Simulao
Foram efectuadas diversas simulaes numricas a uma dimenso, utilizando o software
AMPS-1D, de estruturas similares s utilizadas experimentalmente sob diferentes condies
de polarizao elctrica e ptica [5]. Desta forma foram obtidos os perfis de fotogerao e
carga no interior de uma homojuno p-i-n (a-Si:H) e uma heterojuno p-(a-SiC:H)/i-(aSi:H)/n-(a-SiC:H) com baixa dopagem, que so apresentados e discutidos de seguida. As
estruturas consideradas para simulao tinham as mesmas dimenses das existentes, sendo os
valores das densidades de estados no hiato e nas band tails os tpicos para o silcio amorfo.
O nvel de dopagem das camadas n e p foi ajustado por forma a obter uma condutividade
aproximadamente igual das amostras em estudo. Para os filmes de a-SiC:H foi considerado
um hiato ptico de 2.1 eV, de acordo com o determinado experimentalmente, sendo a
101

diferena para o hiato do a-Si:H igualmente distribuda pelas bandas de conduo e valncia
(Ev=Ec=0.15 eV). Para as simulaes sob iluminao foi considerada uma distribuio
espectral da radiao igual ao espectro solar normal.
A Figura 4.7 apresenta as caractersticas corrente-tenso obtidas por simulao para a
homojuno e para a heterojuno considerando a mesma densidade de electres na camada n
(1,2x107 cm-3). Enquanto a homojuno apresenta um comportamento semelhante ao de uma
clula solar de silcio amorfo no optimizada, a heterojuno apresenta uma quebra acentuada
na eficincia de coleco. Os resultados obtidos por simulao esto em concordncia com as
caractersticas experimentais anteriormente apresentadas para as amostras #M006291
(homojuno) e #M007192 (heterojuno). Na Figura 4.8 so apresentados os resultados de
simulao sob iluminao com uma intensidade de 1mW/cm2. Como se pode observar, a
responsividade da homojuno apresenta uma pequena variao (aproximadamente linear)
com o fluxo luminoso, enquanto a da heterojuno varia de forma acentuada e no linear. A
Densidade de Corrente (A/cm )
mesma tendncia foi observada nas medidas experimentais apresentadas no captulo anterior.
20
2
300 K L=1 mW/cm
-20
-40
-60
heterojuno
homojuno
-80
-100
-1.0
-0.5
0.0
Tenso (V)
Figura 4.7 Caractersticas J-V simuladas
102
0.5
1.0
-3
10
-4
homojuno
heterojuno
100
80
Jsc (A/cm )
60
10
-5
40
10
-6
20
0
-2
10
-7
10 -6
10
10
-5
10
-4
10
Responsividade (mA/W)
10
-3
L (W/cm )
Figura 4.8 Densidade de corrente em curto-circuito (Jsc) e responsividade (R) do sensor em

funo da potncia ptica incidente.
Para determinar a influncia do nvel de dopagem na responsividade da heterojuno foram
simuladas estruturas com diferentes densidades de electres na camada n. A Figura 4.9
apresenta a dependncia da responsividade com o fluxo luminoso para densidades de: (a)
1.2x107 cm-3 e (b) 5x108 cm-3. Os resultados obtidos mostram uma boa concordncia com os
experimentais apresentados anteriormente. Como se pode observar, a diminuio da dopagem
0V
-0.3 V
0.3 V
120
80
(a)
10
(b)
40
6
4
2
0 -6
10
1x10
-5
1x10
-4
10
2
L (W/cm )
-3
10
0V
-0.3 V
0.3 V
R (u.a.)
provoca uma diminuio da responsividade.
-2
#M007192
-6
10
-5
L (W/cm )
10
Figura 4.9 a) Dependncia da responsividade com a potncia ptica para heterojunes com
diferentes densidades de electres na camada n: (a) 1.2x107 cm-3 e (b) 5x108 cm-3; b)
resultado experimental.
103

Por forma a clarificar as diferenas nas caractersticas fotoelctricas da homo e heterojuno
com camadas n fracamente dopadas procedeu-se anlise do fluxo de portadores no
dispositivo recorrendo aos resultados da simulao.
i
n
5
10
300 K 1mW/cm 2 V=0 V
Campo elctrico V/cm

(V/cm)
E(eV)
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
homojuno
heterojuno
homojuno
heterojuno
10
Campo invertido
10
Ec
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

Posio ( m)
10
a)
0,1
0,2
0,3
0,4
Posio ( m)
0,5
b)
Figura 4.10 a) Diagrama de bandas e b) perfil do campo elctrico para a juno e

heterojuno em curto-circuito obtidos por simulao.
A Figura 4.10 apresenta os diagramas de bandas e os perfis do campo elctrico interno para as
duas estruturas. Com o aumento da intensidade da iluminao observa-se um aumento da
queda de potencial na camada n de a-SiC:H, levando a uma inverso do campo elctrico na
camada i. No caso da homojuno a queda de potencial nas camadas dopadas pouco
acentuada pelo que o campo elctrico na camada intrnseca se mantm elevado.
Quando observamos a variao espacial da concentrao de portadores em equilbrio
termodinmico e sob iluminao, Figura 4.11, notam-se diferenas significativas entre as duas
estruturas. Na heterojuno observa-se a acumulao de lacunas e electres nas interfaces p-i
e i-n respectivamente, e uma diminuio da concentrao de electres e lacunas livres. Sob
iluminao a concentrao de portadores livres na regio intrnseca ultrapassa a densidade de
electres na camada n (a-SiC:H) causando uma redistribuio do potencial interno, e
diminuindo a eficincia de coleco. No caso da homojuno a concentrao de electres na
camada n da mesma ordem de grandeza da camada i, pelo que o potencial fica distribudo
atravs da juno.
104

i
p
-3
Concentrao (cm )
-3
Concentrao (cm )
T=300 K V=0 V
12
10
11
10
10
10
10
10
(a)
10
0,0
0,1
n0
p0
10
13
13
10
0,2
0,3
0,4
Posio (m)
0,5
10
12
T=300 K V=0 V
10
11
10
10
10
10
p0
10
10
n0
(b)
0,6
10
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Posio (m)
Figura 4.11 Concentrao de electres livres (n0, n) e lacunas (p0, p) numa homojuno a) e
numa heterojuno b) em equilbrio termodinmico e sob iluminao (1 mW/cm2).
Na Figura 4.12 podemos observar a densidade de corrente interna (para electres e lacunas)
na homojuno em curto-circuito. Como a figura indica ambas as componentes da
fotocorrente so negativas. A componente devida s lacunas dominante apenas na regio
prxima da interface p-i, onde a concentrao de lacunas livres muito mais elevada do que a
de electres. O mecanismo de transporte na homojuno dominado pelo movimento de
deriva causado pelo elevado campo elctrico na regio activa. Quando estudada a
heterojuno, e para melhor compreender o seu funcionamento, as densidades de corrente
internas de electres e lacunas foram ainda separadas nas suas componentes de deriva e
difuso, sendo o resultado apresentado na Figura 4.13. O perfil de corrente na heterojuno,
sob as mesmas condies de iluminao, apresenta uma alterao significativa no balano
deriva-difuso, quando comparado com a homojuno. Na regio de inverso do campo
elctrico (ver Figura 4.10) a componente de difuso dominante, no entanto, nas regies
prximas das interfaces p-i e i-n o processo de transporte continua a ser dominado pela deriva.
Nesta situao a taxa de recombinao bastante elevada, o que leva a uma diminuio da
eficincia de coleco.
105
Densidade de Corrente(A/cm )
0
-20
300 K V=0 V 1 mW/cm
-40
Jp
Jn
Jtotal
-60
-80
0,1
0,2
0,3
0,4
Posio (m)
0,5
50
deriva
Jn
total
Jn
-50
Jn
(a)
-100
Figura 4.12 Perfis da corrente de electres e lacunas na homojuno em curto-circuito.
0,1
0,2
0,3
Posio (m)
difuso
0,4
0,5
50
Jp
0
difuso
Jp
total
deriva
Jp
-50
(b)
-100
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
Posio (m)
Figura 4.13 Perfis da densidade de corrente de electres a), e lacunas b), na heterojuno
sob iluminao (1 mW/cm2). Componentes de deriva e difuso apresentadas separadamente.
De acordo com o exposto, e com a concordncia entre os resultados experimentais e os
obtidos por simulao, podemos concluir que o nvel de dopagem das camadas dopadas e os
desnveis das bandas devidos diferena de hiato ptico entre os materiais assumem especial
importncia na definio da eficincia de coleco das heteroestruturas e na sua relao com
as condies de iluminao. Este efeito torna estas estruturas adequadas para a utilizao do
principio LSP.
Na hetroestrutura em estudo anteriormente ambas as camadas dopadas continham carbono.
Colocou-se ento a questo do que aconteceria s caractersticas do dispositivo se apenas uma
das camadas dopadas contivesse carbono. Os resultados de simulao em termos de
diagramas de bandas e distribuio interna do campo elctrico so apresentados na Figura
4.14.
106

0,6
0,6
L = 1 mW/cm
0,4
p a-SiC:H/i a-Si:H/n a-SiC:H
0,2
E(eV)
E (eV)
0,4
Escuro
0,2
0,0
-0,2
p a-Si:H/i a-Si:H/n a-SiC:H

0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
-0,2
0,6
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Position (m)
a)
b)
10
10
p a-Si:H/i a-Si:H/n a-SiC:H
Electric Field (V/cm)
Electric Field (V/cm)
Dark
0,0
Posio (m)
10
Dark
10
inverted field
10
L = 1 mW/cm
10
L = 1 mW/cm
0,1
0,2
0,3
0,4
Position (m)
p a-SiC:H/i a-Si:H/n a-SiC:H

4
10
Dark
10
inverted field
10
L = 1 mW/cm
10
0,5
c)
0,1
0,2
0,3
0,4
Position (m)
0,5
d)
Figura 4.14 a) e b) diagrama de bandas para heterojunes com carbono numa ou ambas as
camadas dopadas respectivamente, c) e d) campo elctrico interno nas estruturas, em
equilbrio dinmico e sob iluminao (1 mW/cm2).
Como pode ser observado, no escuro ambas as estruturas apresentam um comportamento
semelhante, com o potencial principalmente distribudo atravs da camada intrnseca. Quando
iluminadas a 1mW/cm2, com uma distribuio espectral equivalente da luz solar, so
observadas algumas diferenas. Em ambas as estruturas o balano de distribuio do potencial
interno muda radicalmente, ocorrendo agora a maior variao do potencial atravs das
camadas dopadas e junto s interfaces com a camada intrnseca. Na estrutura com carbono em
ambas as camadas dopadas a zona de inverso de campo elctrico apresenta uma maior
extenso devido existncia de descontinuidades nas bandas em ambas as interfaces. O
aumento da extenso da zona de inverso de campo elctrico leva a um aumento da
recombinao dos portadores nesta zona, com a consequente diminuio da eficincia de
coleco. De acordo com o exposto, de esperar uma diminuio da fotocorrente nas
amostras com carbono em ambas as camadas dopadas.
107
4.3.2. Princpio de funcionamento do sensor do tipo LSP

Para melhor descrever o princpio de funcionamentos dos sensores em estudo, a discusso
seguinte vai ser dividida em duas partes: na primeira ser descrito o comportamento em
regime transverso (normal superfcie do dispositivo), isto , atravs da juno; na segunda
ser apresentado o regime lateral atravs das restantes duas dimenses.
4.3.2.1 Regime transverso

De acordo com as simulaes numricas anteriormente apresentadas para o comportamento
das estruturas em estudo possvel descrever os aspectos principais do sensor LSP.
Como ir tornar-se evidente na discusso seguinte, a caracterstica fundamental para que uma
estrutura p-i-n possa ser utilizada com a tcnica LSP ter uma ou ambas as camadas dopadas
com uma baixa concentrao de dopante e um hiato ptico elevado. Considerando uma
estrutura com estas caractersticas o seu diagrama de bandas de energia apresentado na
Figura 4.15 em polarizao inversa a) e directa b) com a amostra no escuro. Por uma questo
de simplicidade da figura no so representadas as ligeiras curvaturas das bandas, que neste
caso no so importantes para a explicao. Os desalinhamentos das bandas observados nas
interfaces p-i e i-n devem-se diferena de hiato provocado pela incorporao de carbono.
Em polarizao inversa o diagrama semelhante ao tpico para uma estrutura p-i-n
optimizada, a variao de potencial ocorre atravs da camada intrnseca. Desta forma a
corrente de escuro do dispositivo tem origem na gerao trmica na camada i. em
polarizao directa que so observadas as maiores diferenas, devido baixa dopagem das
zonas n e p as correntes de difuso so limitadas e o potencial atravs destas deixa de ser
constante. Este fenmeno responsvel pelas baixas correntes de escuro observadas em
polarizao directa, e pela elevada resistncia srie do dispositivo.
a)
b)
Figura 4.15 diagramas de bandas de energia para uma heteroestrutura com carbono em
ambas as camadas dopadas e baixo nvel de dopagem a) em polarizao inversa (Vr) e b) em
polarizao directa (Vf).
108

Quando o dispositivo iluminado consideram-se duas situaes distintas, intensidade
luminosa baixa (Figura 4.16 a)) e alta (Figura 4.16 b)). Em ambos os casos a tenso atravs do
dispositivo nula e o comprimento de onda da radiao utilizada suficientemente elevado
para a gerao se estender por toda a camada i. Se a intensidade luminosa for suficientemente
baixa a gerao fotoelctrica atravs da juno no provoca uma alterao significativa do
diagrama de bandas, pelo que os pares electro/lacuna gerados so separados pelo campo
elctrico atravs da camada i e na sua maioria colectados dando origem fotocorrente. Nesta
situao a fotocorrente varia de forma aproximadamente linear com a intensidade luminosa.
Com o aumento da intensidade luminosa a disperso dos quasi-nveis de Fermi para electres
e lacunas acentua-se, devido elevada gerao fotoelctrica na zona i, e o potencial
redistribui-se atravs da estrutura. A fotogerao nas camadas dopadas nula devido ao
elevado hiato ptico destas camadas. A curvatura das bandas observada na camada i tem um
papel crucial no funcionamento do dispositivo. Esta faz com que o potencial nas camadas
dopadas deixe de ser constante, salientando a sua elevada resistividade, e com que o potencial
na parte central da camada i se torne constante. Potencial constante numa zona da camada i
implica campo elctrico nulo nessa regio (indicada na figura entre rectas a tracejado) pelo
que a velocidade de deriva dos portadores gerados tende para zero, logo, ao fim de um tempo
mdio r os portadores recombinam-se. Desta forma os portadores fotogerados na zona (b)
no so colectados, pelo que eficincia de coleco ser inferior observada na situao de
iluminao de baixa intensidade. Nas zonas (a) e (c) (onde a curvatura de bandas mais
acentuada) o campo elctrico ser elevado, pelo que os portadores a gerados so varridos
pelo campo elctrico sendo colectados os electres na zona (c) e as lacunas na zona (a). Como
indicado na figura a extenso da zona (b) varia com a intensidade da iluminao, aumentando
duma forma no linear com o aumento do fluxo de fotes, tendo a fotocorrente uma variao
inversa.
Assim, se simultaneamente com um feixe de luz de intensidade elevada (imagem) fizermos
incidir sobre o dispositivo um feixe de intensidade baixa (feixe de prova) a fotocorrente
gerada por este diminuir em proporo intensidade do primeiro, logo o sinal da
fotocorrente gerada pelo feixe de prova contm tambm a informao sobre as condies de
iluminao locais. Este o princpio bsico subjacente tcnica LSP. Obviamente, para que
esta tcnica possa ser utilizada para a determinao das condies de iluminao necessrio
distinguir os portadores gerados pela imagem e pelo feixe de prova. Isto pode ser conseguido
de duas formas diferentes que devido sua gnese daro origem a duas tcnicas (varrimento
lento e rpido) descritas mais frente: a primeira consiste em modular o feixe de prova
109

(elctrica ou mecanicamente) utilizando depois deteco sncrona com um amplificador lock-
in; a segunda consiste em subtrair o sinal medido sem o feixe de prova (apenas com a
imagem) ao sinal medido com ambos. Ambas as tcnicas indicadas anteriormente tm
vantagens e desvantagens, pelo que sero apropriadas para aplicaes diferentes deste tipo de
sensor em que seja privilegiada a sensibilidade ou a velocidade. Estas questes so abordadas
em detalhe nas seces onde so descritas as duas tcnicas.
a)
b)
Figura 4.16 Diagramas de bandas de energia para uma heteroestrutura com carbono em
ambas as camadas dopadas e baixo nvel de dopagem a) com iluminao de baixa intensidade
e b) com iluminao de alta intensidade.
4.3.2.2 Regime lateral

A discusso anterior referia-se apenas ao comportamento pontual do dispositivo. Obviamente
para obtermos uma imagem precisamos de informao relativa a uma rea e no apenas um
ponto. Iremos agora discutir o comportamento segundo os eixos paralelos superfcie. Uma
vez que o dispositivo tem uma estrutura isotrpica em relao a estes dois eixos, denominados
X e Y, bastar descrever o comportamento segundo um destes. A Figura 4.17 apresenta um

diagrama explicativo do comportamento do dispositivo em condies de iluminao no
uniforme. Na figura so consideradas duas zonas iluminadas com luz de fundo de diferentes
intensidades (ii) moderada e (iii) alta, estando a restante rea do sensor (i) no iluminada.
Como vimos anteriormente a informao sobre as condies de iluminao local pode ser
obtida medindo a fotocorrente gerada por um feixe de prova de baixa intensidade, (na figura
representado na zona (i)). Na zona onde o feixe se encontra no existe iluminao de fundo
logo a curvatura de bandas na zona i bastante reduzida e o campo elctrico atravs desta
elevado, desta forma os portadores gerados pelo feixe so na sua maioria colectados dando
origem a um sinal de valor elevado. Deslocando o feixe atravs da superfcie do sensor,
quando este atravessa a regio (ii) a amplitude do sinal decresce, uma vez que a recombinao
110

na zona central da camada i aumenta sendo este efeito ainda mais pronunciado na regio (iii).
Como indicado na figura, dependendo da zona onde os portadores so gerados estes vo
estar sujeitos a diferentes tipos de foras causando a sua movimentao por efeito de deriva
ou difuso. Nas zonas de campo elctrico elevado predomina o efeito de deriva, enquanto nas
zonas de campo baixo predomina o de difuso. Devido ao princpio da difuso os portadores
deslocam-se por forma a aumentar a entropia do sistema no havendo uma direco
preferencial do movimento, pelo que de esperar um alargamento da zona de campo elctrico
nulo para alm da zona iluminada (como indicado na figura) devido difuso lateral. Em
consequncia deste processo ser observada uma variao gradual do sinal na vizinhana da
zona iluminada, que na prtica provocar um efeito semelhante interferncia entre pixels
(pixel cross talk) observada nos sensores do tipo CCD e CMOS. Em ltima anlise este efeito
ir limitar a resoluo espacial do dispositivo. O baixo nvel de dopagem nas camadas n e p
limita tambm as correntes laterais nestas camadas e uma condio essencial para permitir
as variaes de potencial na interface com a camada i que ocorrem entre zonas iluminadas
com diferentes intensidades luminosas.
Figura 4.17 Esboo do dispositivo sob iluminao no uniforme.
4.3.3. Modelo elctrico

Uma ferramenta importante para o desenvolvimento de dispositivos complexos consiste em
desenvolver um modelo elctrico com base nas caractersticas obtidas experimentalmente.
Este modelo pode posteriormente ser utilizado para efectuar simulaes recorrendo a um
programa de simulao de circuitos elctricos facilitando a optimizao das caractersticas do
dispositivo sem ser necessrio proceder ao seu fabrico e caracterizao [6].
111

O modelo elctrico proposto para o sensor LSP est apresentado em esquema na Figura 4.18 e
corresponde estrutura p-i-n com uma das camadas dopadas baseada em a-SiC:H apresentada
anteriormente. Na prtica, o fotododo de grande rea pode ser visto como uma matriz de
fotododos, representados pelo modelo equivalente descrito na figura, interligados por uma
estrutura de resistncias dispostas sobre as arestas de um paraleleppedo, representando a
resistncia apresentada pela camada n segundo as direces lateral RL e transversa RT. No
modelo do fotododo em paralelo com o dodo convencional aparecem mais dois
componentes: a resistncia rd representando a resistncia dinmica do dodo quando
iluminado; e uma fonte de corrente alternada representando a gerao fotoelctrica devida ao
feixe de prova.
Para a simulao do comportamento do dispositivo foi desenhado um circuito elctrico para
uma matriz de 20x20 dodos. Este valor poderia ser aumentado, custa de um maior tempo de
simulao, mas para o efeito em vista este um nmero suficiente. Os valores atribudos a RT
e RL foram escolhidos com base nas propriedades fsicas e dimensionais da camada n em
questo. O valor da resistncia dinmica rd definida pelas condies de iluminao locais de
cada fotododo (imagem), correspondendo um valor baixo para regies fortemente
iluminadas. No limite, nas regies no iluminadas o valor de rd corresponder resistncia
paralela do dodo. Para efectuar as simulaes foram utilizadas as caractersticas de
automao do programa pSpice, pois, na prtica, para obter os resultados para uma situao
de iluminao especifica necessrio aplicar o sinal iac a cada dodo medindo depois o sinal
aos terminais do dispositivo (iS). No final obtida uma matriz de 20x20 valores que contm a
informao da imagem.
Figura 4.18 Modelo de um sensor LSP de grande rea, e modelo para cada n composto por
um dodo ideal, uma resistncia srie RS e uma resistncia paralela RP.
112

Para testar o modelo proposto foram efectuadas simulaes com parmetros correspondentes
s estruturas #M006291 e #M006301 que apresentam condutividades diferentes na camada n.
Os resultados da simulao foram depois comparados com os obtidos experimentalmente. Nas
medidas experimentais foi utilizado como imagem um padro composto por dois semicrculos
(dimetro 6mm) iluminados I =12 mW/cm2 separados por uma zona escura de 2mm sendo
a imagem depois obtida pela tcnica LSP com os seguintes parmetros para o feixe de prova:
S=633nm; S=2.5x10-2 mW/cm2. A Figura 4.19 apresenta os resultados experimentais (topo)

e os obtidos por simulao (baixo) para os dois dispositivos.
Os parmetros para o modelo elctrico foram extrados das caractersticas experimentais,
considerando-se rd/RL= 10-1 (a) e rd/RL= 10-2 (b). Como se pode observar os resultados de
simulao esto de acordo com os experimentais indicando que o modelo proposto
adequado para a representao do dispositivo.
M006302
M006291
.u.)
tensity (a
Image In
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
35
30
25
20
15
10
.u.)
tensity (a
Image In
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
35
30
25
20
15
10
5
a)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
35
30
25
15
10
b)
2x10 -3
1x10-3
0
14 12
10
8
n
16
14
12
10
3x10 -3
2x10 -3
16
14
12
10
8
6
4
2
1x10 -3
3x10 -3
(a. u.)
Image Intensity
4x10 -3
Image Intensity
(a. u.)
4x10-3
40
20
14 12 10
Figura 4.19 (topo) resultados experimentais e (baixo) resultados obtidos por simulao para
a) amostra #M006291 e b) amostra #M006301.
113
4.3.4. Influncia dos parmetros do feixe de prova

Durante a caracterizao experimental das amostras em estudo tornou-se evidente a influncia
dos parmetros do feixe de prova no sinal de sada. Desta forma foram realizados diversos
testes variando parmetros como intensidade, dimenso, frequncia de modulao e
comprimento de onda, sendo os resultados obtidos apresentados nas subseces seguintes.
4.3.4.1 Intensidade
As medidas foram executadas com luz modulada a uma frequncia de 74 Hz sendo o
comprimento de onda da radiao do feixe de prova de 633 nm (laser de He-Ne). A corrente
induzida pelo feixe de prova para diferentes fluxos foi medida por um amplificador lock-in,
com e sem iluminao de fundo. Considerando um feixe de prova de seco circular, a
corrente gerada por este dada pela seguinte expresso analtica:
i ac = R ( I ). S
d 2
4
(4.2)
onde R(I) representa a responsividade incremental para uma determinada irradincia de

fundo I, S a irradincia do feixe de prova (em W/m2) e d o seu dimetro. No entanto,
alm desta componente varivel no tempo a fotocorrente total contm ainda uma componente
contnua (IDC) devida iluminao constante da imagem [7]. Desta forma a intensidade do
sinal estar directamente relacionada com a intensidade do feixe de prova, ao passo que o
rudo depende da corrente total no dispositivo [8]. Considerando o regime de aplicabilidade
da tcnica LSP (S << I) a relao sinal rudo ser ento dada pela expresso
i ac2
(4kT R0 + 2q.I DC )f
(4.3)
onde f =1/(2) a largura de banda do sinal, e R0, a resistncia equivalente do sensor para
tenso de polarizao nula.
4.3.4.2 Dimetro
Nos sensores de imagem de estado slido convencionais a resoluo espacial definida pelo
nmero e dimenso dos pixels do dispositivo. Nos sensores do tipo LSP este parmetro no
pode ser avaliado da mesma forma, uma vez que o dispositivo no apresenta uma estrutura de
pixels fisicamente definida. Deste modo, a resoluo espacial influenciada por um
conjunto de factores, de entre os quais se pode destacar a dimenso do feixe de prova.
114

Para a determinao da influncia do dimetro do feixe de prova na resoluo espacial, foi
utilizada a amostra com #M006301. A rea activa do sensor foi iluminada com um padro
rectangular e foram realizados vrios varrimentos alterando o dimetro do feixe de prova. Os
resultados so apresentados na Figura 4.20 b). Derivando o sinal obtemos uma indicao mais
precisa do dimetro do feixe de prova. A Figura 4.20 c) mostra o resultado da derivada do
sinal no flanco descendente, isto na transio da zona escura para a zona iluminada.
O efeito do dimetro do feixe de prova pode ser explicado recorrendo ao esboo do processo
mostrado na Figura 4.20 a). Como a corrente gerada pelo feixe de prova depende das
condies de iluminao de toda a rea de incidncia do mesmo, resulta que se este se
encontrar na zona de transio entre uma zona iluminada e uma zona escura, como
exemplificado, teremos de considerar a contribuio de duas zonas distintas de reas A1 e A2.
A expresso analtica para a corrente ser ento dada por:
iac = A1 * Rescuro + A2 * Rilum
(4.4)
com,
A1 ( x) =
r 2
rx
2
2
+ r 2 arcsin
+ (x r ) r (x r )
2
r
(4.5)
A2 ( x) =
r 2
r x
2
2
r 2 arcsin
+ (x r ) r (x r )
2
r
(4.6)
onde Rescuro e Rilum e representam a responsividade ao feixe de prova quando numa zona
escura e quando numa zona iluminada respectivamente. Com o avano do feixe existir um
aumento da rea A2 e a consequente diminuio da rea A1. Considerando a teoria anterior foi
determinado o sinal por simulao para um dimetro de feixe de 2 mm considerando os
valores mximos e mnimos do mesmo de acordo com os dados experimentais. O resultado
est expresso na Figura 4.20 d). A diferena observada entre a curva simulada e a
experimental pode ser atribuda distribuio espacial no homognea da luz do feixe,
apresentando este tipicamente um perfil Gaussiano.
115

10
Dimetro do feixe
2mm
1mm
0.5mm
9
8
Sinal (u.a.)
7
6
5
Iluminado
4
3
Escuro
2
1
Posio (mm)
a)
b)
0,0
-0,2
Amplitude do sinal (u.a.)
Derivada do sinal (u.a.)
0,0
-0,4
Dimetro do feixe
2mm
1mm
0.5mm
-0,6
Experimental
Simulado
-0,2
-0,4
-0,6
-0,8
-1,0
-0,8
0
posio (mm)
-0,4 -0,2 0,0
c)
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
Posio (mm)
1,6
1,8
2,0
2,2
d)
Figura 4.20 a) esboo do processo de varrimento, b)sinal medido quando o feixe de prova
atravessa um regio iluminada do sensor, c) derivada do sinal, d) simulao.
Como indicado anteriormente, a resoluo do sensor LSP varia inversamente com o dimetro
do feixe de prova. No entanto existem limites para a reduo do dimetro do feixe, sendo que
a principal est relacionada com a diminuio da intensidade do sinal indicada na equao
(4.2), que implica uma reduo da relao sinal/rudo [9].
4.3.4.3 Comprimento de onda

Nesta seco ser focada a influncia do comprimento de onda da luz utilizada como feixe de
prova no comportamento do sensor do tipo LSP. O mtodo utilizado para as medidas foi o
mesmo utilizado na seco 3.3.2 (resposta espectral) [10]. O grfico da Figura 4.21 apresenta
a diferena entre a corrente ac medida no escuro (sem luz de fundo) e sob iluminao com luz
vermelha (650 nm) e verde (550 nm) em funo do comprimento de onda do feixe de prova.
Durante as medidas o dispositivo foi polarizado com -0.5 V. Como indicado na figura, a
resposta aos diferentes comprimentos de onda da luz da imagem fortemente influenciada
pelo comprimento de onda do feixe de prova. Para 550 nm diminui a resposta aos baixos
comprimentos de onda (<550nm) e para 650 nm diminui a resposta aos altos comprimentos de
116

onda (>650nm). Este efeito pode ser explicado tendo em conta o comprimento de penetrao
das diferentes radiaes, que funo do comprimento de onda das mesmas. Quando o feixe
de prova tem o mesmo comprimento de onda da luz de fundo a absoro da radiao e a
consequente gerao de pares electro-lacuna ocorre na mesma regio, o que leva
diminuio da eficincia de coleco dos portadores gerados pelo feixe de prova. Se, por
outro lado, a luz de fundo e o feixe de prova tiverem comprimentos de onda diferentes, a
gerao ocorre em zonas diferentes da camada activa, diminuindo a recombinao dos
portadores, logo no se verificando a diminuio da corrente ac medida externamente.
-2
3x10
Iluminao
de fundo
Verde
Vermelho
-2
iescuro-iilum (a.u.)
2x10
-2
1x10
0
-2
-1x10
-2
-2x10
400
450
500
550
600
650
700
750
800
Comprimento de onda do feixe de prova (nm)
Figura 4.21 Sinal em funo do comprimento de onda do feixe de prova com luz de fundo
verde e vermelha.
A caracterstica observada na figura anterior sugere a aplicao do sensor LSP como sensor
de cor. Neste caso o comprimento de onda da radiao da imagem pode ser determinado
atravs de dois sinais obtidos com feixes de prova de comprimentos de onda diferentes por
exemplo verde e vermelho.
4.3.4.4 Frequncia de modulao

Uma das formas de distinguir a corrente gerada pelo feixe de prova da corrente gerada pela
iluminao de fundo consiste em modular o feixe e fazer a leitura da corrente utilizando um
amplificador lock-in. Como numa juno p-n normal tambm nos dispositivos em causa
existem efeitos capacitivos associados que afectam a resposta em frequncia.
Para as medidas da dependncia do sinal com a frequncia de modulao foi utilizado laser
He-Ne de 10mW atenuado com um filtro neutro e modulado por um chopper mecnico
(modelo SR540). O sinal foi medido com um amplificador lock-in (modelo SR830), com a
amostra no escuro ou sob iluminao proveniente de uma lmpada de halognio atenuada e
filtrada por filtros neutros e de cor. A frequncia de modulao foi variada desde 65 Hz at 6
117

oitavas acima em passos de 1 oitava, sendo evitadas as frequncias mltiplas de 50Hz
(frequncia da rede) para reduo da interferncia da rede no sinal. Como se pode observar
pelo grfico da Figura 4.22 a amplitude do sinal no escuro e sob iluminao registam um
andamento semelhante, aumentando com a frequncia at a uma frequncia prxima de 1 kHz
e diminuindo da em diante. No entanto, a corrente sob iluminao cresce mais rapidamente
do que a corrente no escuro, pelo que o sinal de imagem, que dado pela diferena
claro/escuro, regista uma diminuio progressiva com a frequncia.
Desta forma, a aquisio de sinal com um amplificador lock-in oferece melhores resultados
para baixas taxas de aquisio de imagem, devido intrnseca imunidade ao rudo,
sensibilidade e rejeio da corrente de escuro e da gerada pela imagem (no modulada).
No escuro
Sob iluminao
Diferena
Sinal (nA)
4
3
2
1
0
100
1000
Frequncia de modulao (Hz)
10000
Figura 4.22 Resposta frequncia de modulao do feixe de prova.
4.3.4.5 Velocidade de varrimento

Em aplicaes de imagem em movimento uma das caractersticas mais importantes do sensor
utilizado a velocidade a que a informao relativa a uma imagem pode ser capturada pelo
sensor e transferida para o circuito de processamento. Esta velocidade vai definir o nmero
mximo de fotogramas por segundo (fr) que o sensor pode adquirir sendo o termo frame
rate utilizado para definir este parmetro.

Devido ao processo de varrimento utilizado nos sensores do tipo LSP, captura linha a linha,
torna-se mais importante caracterizar o sensor quanto ao nmero de linhas de imagem que
podem ser adquiridas num segundo, (lsr) line scan rate. De qualquer forma, estes
parmetros esto relacionados de acordo com a dimenso vertical da imagem, sendo a relao
dada pela expresso:
118
fr = lsr * y
onde y representa a dimenso vertical da imagem em pixels.
Para caracterizar o sensor quanto ao lsr foi construdo um sistema de varrimento rpido em
que o feixe laser deflectido por meio de um espelho de seis faces acoplado a um motor de
velocidade varivel. O bloco fundamental deste sistema o polygon mirror scanner
Figura 4.23 b)). Este dispositivo muito utilizado em diversas aplicaes, nomeadamente na
leitura de cdigos de barras, impresso a laser, projeco de imagem, etc., e permite elevadas
velocidades de varrimento ( 2 k linhas por segundo). Para gerar o feixe de varrimento foi
utilizado um laser de estado slido de =633 nm e potncia <1mW. O sistema de
acondicionamento e aquisio de sinal composto por um conversor corrente/tenso de baixo
rudo (SR570) que converte a corrente gerada no sensor numa tenso registada depois por um
osciloscpio digital (TDS360). Para o sincronismo do sistema foi desenhado um circuito
electrnico que gera um impulso compatvel com nveis TTL a cada passagem do feixe de
varrimento.
Figura 4.23 a) Esboo do sistema para medida da velocidade de varrimento, b) circuito

elctrico do gerador de sincronismo, c) pormenor do espelho rotativo de 6 faces.
A tcnica de aquisio de sinal utilizada nas medidas anteriores, amplificador lock-in,
apresenta a vantagem de permitir a medida da fotocorrente gerada pelo feixe de prova
directamente, mas devido limitao da frequncia de modulao, apresentada na seco
119

anterior, ela no pode ser utilizada para velocidades de varrimento elevadas. Neste caso, e
uma vez que o conversor corrente/tenso amplifica toda a corrente gerada, (corrente de
escuro, corrente da imagem e corrente do feixe de prova) a corrente gerada pelo feixe de
prova pode ser obtida subtraindo a corrente de escuro e da imagem ao valor medido. Deve no
entanto ser controlada a intensidade da imagem para evitar a saturao do amplificador.
A Figura 4.24 mostra o sinal obtido no varrimento de uma linha sob diferentes condies de
polarizao elctrica do sensor, estando a zona central da rea activa do sensor iluminada por
luz monocromtica (630 nm) como indicado no esboo
da Figura 4.24 a) [11,12]. A
velocidade de varrimento foi mantida constante nas diversas amostras, mas as dimenses da
rea activa de cada amostra e a posio relativa eram diferentes, o que evidente nos
resultados.
A Figura 4.24 b) apresenta dois varrimentos para a homojuno, um no escuro e outro sob
iluminao, sendo evidente que a corrente gerada pelo feixe de prova no influenciada
pelas condies de iluminao local. Apenas so apresentados resultados medidos em curtocircuito, uma vez que no observada nenhuma alterao significativa do sinal quando o
dispositivo polarizado inversamente. A variao do sinal observada ao longo da rea activa
do dispositivo pode ser atribuda no uniformidade das pelculas de material semicondutor.
Este efeito tambm observado, embora em menor escala, nas outras estruturas e d origem a
um rudo de padro fixo na imagem, que pode ser anulado subtraindo ao sinal da imagem o
sinal medido no escuro. Este efeito ser discutido em maior detalhe numa seco posterior.
Quando utilizado material semicondutor com maior hiato ptico e mais baixa condutividade,
como o conseguido pela incorporao de carbono nos filmes de silcio amorfo hidrogenado,
na camada n (Figura 4.24 c)) a corrente induzida pelo feixe de prova torna-se dependente das
condies de iluminao locais. A diminuio do sinal medido nas regies iluminadas pode
ser atribuda reduo da coleco de portadores localmente causada pela modulao espacial
do campo elctrico interno devida iluminao de fundo no uniforme (imagem), como
descrito anteriormente.
120
2,5
rea activa
# m6291cz
regio
iluminada
sensor
Sinal (u.a.)
2,0
Zona iluminada
laser
He-Ne
Velocidade
1000 linhas sec-1
1,5
Iluminado
Escuro
1,0
0,5
0,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
Tempo (ms)
a)
b)
4
rea activa
Sinal (u.a.)
Tenso de
polarizao (V)
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
0.7
regio
iluminada
0
0,0
0,5
1,0
rea activa
# m6301cw
Sinal (u.a.)
1,5
2,0
0
0,0
Tenso de
polarizao (V)
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
0.7
0,5
Tempo (ms)
c)
# m7192by
regio
iluminada
1,0
1,5
2,0
Tempo (ms)
d)
Figura 4.24 a) esboo da tcnica de medida utilizada para varrimentos de uma linha com
diferentes tenses aplicadas para: b) uma homojuno; c) estrutura p-i-n com carbono na
camada n e d) estrutura p-i-n com carbono nas camadas n e p.
A estrutura com carbono incorporado em ambas as camadas dopadas (Figura 4.24 d)) a que
apresenta a sensibilidade mais elevada. Em ambas as heteroestruturas observa-se um aumento
monotnico da corrente medida com o aumento da tenso de polarizao inversa devido ao
aumento da eficincia de coleco resultante do aumento do campo elctrico interno. Como
observado nas caractersticas J/V apresentadas na seco 3.3.1 a saturao da corrente nestes
dispositivos s atingida para tenses inversas relativamente elevadas, dependendo tambm
das condies de iluminao.
121
Resposta transiente (ms)
0,20
#M6301cw
#M7192by
0,16
0,12
0,08
0,04
0,00
-1,5
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
Tenso (V)
Figura 4.25 Resposta transiente.

Outro efeito observado, e que limita a velocidade de varrimento, a rapidez com que o sinal
varia quando o feixe de prova passa de uma zona iluminada para uma zona escura e viceversa. Para caracterizar este efeito foi medido o tempo necessrio para que o sinal diminua
para 10% do seu mximo quando o feixe de prova passa de uma zona escura para uma zona
iluminada.
A Figura 4.25 representa os resultados para as amostras #M007192by e #M006301cw. As
curvas apresentam o mesmo andamento para tenses directas mas magnitude diferente.
O tempo de resposta do sensor influenciado no s pelas suas capacidade e resistncia
internas, que dependem das condies de iluminao, mas tambm pela impedncia do
amplificador utilizado na medida do sinal. Esta ltima foi mantida constante em 10 k para
todas as medidas efectuadas. Quando a juno polarizada inversamente a sua capacidade
equivalente diminui, o que leva diminuio do tempo de resposta do dispositivo. Ambas as
curvas mostram esta tendncia. A curva para a amostra #M006301cw apresenta um valor
constante para polarizao inversa, mas este efeito uma consequncia da tcnica utilizada
para a determinao do tempo de resposta. So ainda de considerar outros factores como a
existncia de correntes laterais nas camadas dopadas, o dimetro do feixe de prova, e a
prpria qualidade de iluminao na transio escuro/iluminado. A diferena de valores
observada entre as duas amostras para a mesma tenso de polarizao atribuda diferena
das resistncias srie, a qual apresenta um valor mais elevado na amostra #M007192by
devido utilizao de material com maior resistividade de ambas as camadas dopadas.
122
4.3.5. Parmetros do sensor

A caracterizao mais importante ao nvel de um sensor de imagem tem a ver obviamente
com a resposta do sensor s diferentes caractersticas da imagem, nomeadamente intensidade,
comprimento de onda da luz, etc. Esta seco apresenta os resultados da caracterizao de
diversos parmetros funcionais do sensor. Salvo indicao em contrrio as medidas foram
executadas com luz modulada a uma frequncia <1 kHz com um comprimento de onda da
radiao do feixe de prova de 633 nm (laser de He-Ne), sendo a corrente induzida pelo feixe
de prova medida por um amplificador lock-in.
4.3.5.1 Intensidade da imagem

Para determinar a resposta do sensor variao de intensidade da imagem foi medido o sinal
com um amplificador lock-in sob diferentes condies de iluminao, com uma frequncia de
modulao de 75Hz. Durante as medidas, o comprimento de onda e a intensidade do feixe de
prova foram mantidos constantes, sendo de 633nm e 41.8 W/cm2 respectivamente. Para a
imagem foi utilizada luz filtrada monocromtica (=55010nm) proveniente de uma lmpada
de halogneo. A Figura 4.26 a) apresenta o sinal medido na amostra #M006301 em funo da
tenso de polarizao, sob diferentes condies de iluminao. Observando o andamento das
diferentes curvas do grfico a) possvel constatar que a variao do sinal com a intensidade
da luz da imagem no linear, apresentando ainda uma dependncia acentuada da tenso de
polarizao do sensor. Este comportamento mais claro no grfico da Figura 4.26 b) onde se
observa que para as diferentes tenses o sinal apresenta uma variao logartmica com a
intensidade da imagem.
25
24
2
[W/cm ]:
15
10
iac (nA)
iac (nA)
20
0
3.6
10.7
18
36
53
71
107
20
Tenso de polarizao:
#006301
V=-0.3 V
=550 nm
V=0 V
V=0.3 V
16
12
8
4
5
#M006301
0
-1.0
0
-0.5
0.0
0.5
Tenso(V)
1.0
a)
10
100
2
I (W/cm )
b)
Figura 4.26 Mdulo do sinal obtido na amostra #M006301 para diferentes intensidades da
imagem com luz verde (=550nm) e b) variao do sinal com a intensidade da imagem para
diferentes tenses de polarizao
123

Para polarizao inversa a fotocorrente aumenta tendendo para um valor de saturao cuja
magnitude depende da intensidade do feixe de prova, o qual foi mantido constante nas
medidas apresentadas. A saturao corresponde situao de mxima eficincia de coleco,
onde o campo elctrico permanece elevado atravs de toda a camada i, sendo maximizada a
coleco dos portadores gerados pelo feixe. Sob iluminao de fundo (imagem) a
redistribuio do campo elctrico interno altera-se fazendo com que a saturao seja atingida
para um valor mais elevado de polarizao inversa. A tenso qual se atinge a saturao est
assim relacionada com a intensidade da iluminao de fundo e com a estrutura, sendo mais
elevada no caso da heteroestrutura em que ambas as camadas dopadas so baseadas em aSiC:H.
A amostra #M007192 apresenta um comportamento semelhante, parte da diminuio da
magnitude do sinal Figura 4.27 a) e do aumento da responsividade, definida como a variao
do sinal AC com a intensidade luminosa Figura 4.27 b). Em ambos os casos observada uma
saturao da variao do sinal para elevados fluxos luminosos, dependente da tenso de
polarizao. Com o aumento da responsividade na amostra #M007192 observa-se tambm
uma diminuio de cerca de uma ordem de grandeza da gama dinmica.
14
12
= 55 0 n m
2
[ W /cm ]
12
8
6
4
iac (nA)
iac(nA)
10
8
6
4
2
0
2
# M 00 71 92
0
-1.0
-0 .5
0 .0
T e n so (V )
0 .5
V= -0.3 V
V= 0 V
V= 0.3 V
10
d a rk
0 .7 1
1 .1 4
1 .7 8
3 .1 7
3 .5 6
5 .3 4
7 .1 2
1 0 .7
17
#M007192
1
1.0
a)
10
L (W/cm )
b)
Figura 4.27 Mdulo do sinal medido na amostra #M007192 para diferentes intensidades da
imagem com luz verde (=550nm) e b) variao do sinal com a intensidade da imagem para
diferentes tenses de polarizao
Como observado anteriormente o sinal no escuro e sob iluminao apresenta uma
dependncia acentuada com a tenso de polarizao. De acordo com a tcnica utilizada para
obter o sinal relativo intensidade da imagem necessrio subtrair o sinal referente ao
escuro. Estes dados podem ser observados na Figura 4.28 para os dispositivos em anlise.
124
0,8
0,6
1,0
#M006301
=550 nm
I [W/cm ]:
3.6
10.7
18
36
53
71
107
iac(0)-iac(L) (a.u.)
iac(0)-iac(I) (a.u.)
1,0
0,4
0,2
0,0
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0
Tenso (V)
0,2
17 W/cm
2
11 W/cm
0,8
#M007192
=550 nm
2
5.3 W/cm
0,6
3.2 W/cm
1.8 W/cm
0,4
0.7 W/cm
0,2
0,0
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0
0,4
0,2
0,4
Tenso (V)
a)
b)
Figura 4.28 Diferena entre o sinal sob iluminao e o sinal no escuro para as duas amostras
em estudo.
As duas heteroestruturas apresentam uma variao do sinal de imagem (diferena entre a
fotocorrente gerada pelo feixe de prova sob iluminao e no escuro) com a tenso de
polarizao e com a intensidade da imagem, como mostra a Figura 4.28. No so
apresentados dados relativos amostra #M006192, devido sua muito baixa responsividade
(a corrente gerada pelo feixe de prova praticamente no depende das condies locais de
iluminao). Em ambas as amostras o mximo do sinal ocorre para uma tenso prxima de
0V. No entanto, a posio deste mximo depende tambm da intensidade da iluminao da
imagem. Com o aumento da intensidade da imagem o mximo desloca-se para tenses
negativas sendo este efeito mais pronunciado no caso do dispositivo em que ambas as
camadas so baseadas em a-SiC:H. A maior variao observada nesta amostra deve-se
diferente distribuio do campo elctrico interno como discutido na seco 4.3.1.
A relao entre a fotocorrente e a intensidade da imagem pode ser obtida empiricamente
atravs da anlise dos dados experimentais Figura 4.29 e dada por:
iac ( I ) = i ac , sat + A e
(4.7)
Onde iac,sat representa o valor de saturao do sinal para elevadas fluxos luminosos da
imagem, A a amplitude do sinal (claro-escuro) e a constante de decaimento do sinal. Todos
estes parmetros so funo da tenso de polarizao.
125

12
160
#006301 Tenso (V)

-0.3 V
=535 nm
10
0V
0.3 V
fit
120
iac (nA)
iac (nA)
200
80
40
0
#M007192
=550nm
Tenso
V= -0.3 V
V= 0 V
V= 0.3 V
fit
6
4
2
0
20
40
60
80
100
I (W/cm )
10
I (W/cm )
a)
15
b)
Figura 4.29 Sinal em funo da intensidade da imagem a) amostra #M006301 e b)

#M007192.
Ambos os parmetros A e decrescem com a tenso de polarizao de uma forma no linear
como indicado na Figura 4.30. A amplitude A apresenta variaes distintas em polarizao
directa e inversa. Para tenses negativas regista-se um aumento ligeiro com a tenso inversa,
enquanto que para tenses positivas a variao bastante acentuada. Este andamento deve-se
rpida diminuio da fotocorrente que se observa quando a tenso aplicada se aproxima da
tenso de circuito aberto da juno.
O parmetro est directamente relacionado com o alcance dinmico do sensor: a um valor
elevado de corresponde um maior alcance dinmico. O aumento da tenso de polarizao
conduz a uma diminuio exponencial deste parmetro, pelo que as prestaes do sensor
sero melhores para tenso inversa, onde a amplitude do sinal e o alcance dinmico sero
mais elevados, muito embora nesta zona a responsividade do sensor seja inferior. As
condies ptimas para operao podem assim ser optimizadas de acordo com os parmetros
da imagem [13].
80
1,4
70
1,3
50
1,2
40
1,1
30
A (a.u.)
(a.u.)
60
1,0
20
0,9
10
-0,3 -0,2 -0,1
0,0
0,1
0,2
0,3
Voltage (V)
Figura 4.30 Parmetros A e em funo da tenso para a amostra #M006301.

126

Para testar a resposta do sensor #M006301 foi projectada sobre a sua superfcie activa uma
imagem em forma de coroa circular iluminada, com um dimetro exterior de 7,5 mm e
interior de 2,5 mm. A Figura 4.31 a) e b) apresenta as imagens capturadas para intensidades
luminosas da imagem de I=5 mW/cm2 e I =0.5 mW/cm2 respectivamente, mantendo
constante a intensidade do feixe de prova, S=2.5x10-2 mW/cm2.
L=0.5mW/cm2
.u.)
tensity (a
Image In
7
6
5
4
3
2
1
0
Image In
.u
tensity (a
.)
L=5mW/cm2
10
20
30
30
20
10
7
6
5
4
3
2
1
0
10
20
30
30
20
10
40
40
Figura 4.31 Imagens obtidas para diferentes intensidades luminosas da imagem.

A ttulo de exemplo de aplicao apresentam-se na Figura 4.32 duas imagens capturadas com
o sensor #M006301. Nenhum algoritmo de processamento de imagem foi utilizado. visvel
nas imagens alguma distoro geomtrica. Esta distoro teve origem em deficincias no
sistema de varrimento mecnico que se verificaram no primeiro prottipo. O desenvolvimento
posterior do prottipo de varrimento lento apresentado na seco 4.2 permitiu eliminar em
grande medida este problema.
Figura 4.32 Imagens capturadas com o sensor #M006301: a)imagem da palavra (ISEL), b)
imagem em tons de cinzento do autor.
127
4.3.5.2 Comprimento de onda da radiao da imagem

Uma caracterstica importante de todos os sensores pticos (e no apenas dos sensores de cor)
a resposta espectral do dispositivo, pois indica a gama de comprimentos de onda onde este
apresenta responsividade elevada. A tcnica experimental tpica para obteno da resposta
espectral teve de ser adaptada tcnica do LSP, e consiste em medir apenas a fotocorrente
gerada por um feixe de prova de comprimento de onda e intensidade constantes, e no a
corrente total do dispositivo, enquanto se varia o comprimento de onda da iluminao de
fundo. Foram efectuadas medidas a diferentes tenses de polarizao que so apresentadas na
Figura 4.33. Como se pode observar a resposta do sensor aos diferentes comprimentos de
onda varia consideravelmente com a tenso aplicada. Para tenso inversa a resposta espectral
aproxima-se resposta tpica dos sensores de silcio amorfo, apresentando o mximo prximo
dos 600 nm. Contrariamente a uma resposta espectral tpica a do sensor LSP apresenta valores
positivos e negativos. Tal fica a dever-se ao princpio de funcionamento do sensor, em que a
fotocorrente gerada pelo feixe de prova com iluminao de fundo pode ser superior ou
inferior observada no escuro dependendo do comprimento de onda e da tenso aplicada.
Para tenses inversas a resposta espectral no sofre grandes alteraes existindo apenas um
desvio do mximo da responsividade para os baixos comprimentos de onda. Quando o
dispositivo polarizado directamente a resposta inverte novamente, sendo bastante elevada
para os altos comprimentos de onda (vermelho) e praticamente nula para a regio baixa do
espectro (azul/verde). Esta caracterstica reveste-se de especial importncia, e ser explorada
em maior profundidade no prximo captulo, uma vez que possibilita a selectividade cor,
logo a construo de sensores de imagem do tipo LSP a cores.
-8
3x10
-8
2x10
-8
1x10
-0.5 V
0.4 V
0.5 V
0.6 V
0.7 V
0.8 V
0.9 V
-8
0
-1x10
0,75
0,50
iac (A)
1,00
4x10
0,25
0,00
-0,25
Tenso:
-0.5 V
0.4 V
0.5 V
0.6 V
0.7 V
0.8 V
0.9 V
-0,50
-0,75
-1,00
-1,25
-1,50
-8
400 450 500 550 600 650 700 750 800

400
450
500
550
600
650
700
750
800
a)
b)
Figura 4.33 a) fotocorrente devida ao feixe de prova em funo do comprimento de onda da
imagem, e b) resposta espectral normalizada.
128
4.3.5.3 Rudo
Alm da informao de interesse no sinal de sada do sensor esto tambm presentes outras
componentes indesejveis, genericamente denominadas como rudo. Este tem diversas origens
e afecta de forma diferenciada as caractersticas de sada do sensor. Nesta seco sero
abordadas as fontes de rudo mais importantes, distinguindo as fontes de rudo inerentes ao
detector das relativas ao sistema de aquisio.
No que diz respeito aos sensores de imagem convm distinguir duas definies bsicas de
rudo: o rudo espacial e o rudo temporal. Na realidade no se trata de tipos diferentes de
rudo, mas sim da forma como este se manifesta na caracterstica de sada do sensor. O rudo
espacial definido como sendo a variao aleatria do sinal em muitos pixels de uma imagem
nica com o sensor uniformemente iluminado. O rudo temporal descreve a variao do sinal
observado num determinado pixel com iluminao constante em imagens sucessivas.
Quantitativamente, o rudo N definido como a varincia do sinal, i.e. o valor quadrtico
mdio (rms), ou valor eficaz, do desvio em relao ao seu valor mdio S:
1 k
( ni S ) 2
k i =1
N=
(4.8)
com
k
S = ni / k
(4.9)
i =1
onde k = nmero de pixels, e os ni representam os valores individuais do sinal (numa

determinada rea ou tempo, para o rudo espacial ou temporal respectivamente).
As principais fontes de rudo devem-se: (i) a estatsticas de fotes, (ii) a excitao trmica de
portadores, (iii) ao sistema de leitura e (iv) a tolerncias de fabrico.
Apenas o (i) limitado pelas leis fundamentais da fsica. Os restantes podem ser reduzidos
por optimizao dos processos de fabrico e avanos da tecnologia. Os de tipo (i)-(iii)
contribuem para ambos rudo temporal e espacial enquanto o (iv) gera o chamado rudo de
padro fixo contribuindo apenas para o rudo espacial.
Rudo quntico (Shot Noise) Ns

O rudo num detector p-i-n polarizado inversamente composto por uma combinao de
rudo trmico e quntico (shot noise). O rudo quntico (i) produzido por variaes
aleatrias da corrente atravs do dispositivo, que pode ser a corrente de escuro ou a
129

fotocorrente, devido natureza quntica dos portadores. A expresso para este rudo relativo
s correntes de escuro e fotocorrente a seguinte.
A
in ( shot ) = 2q (id + i ph )f
Hz
(4.10)
Onde q representa a carga do electro, id e iph as correntes de escuro e fotocorrente,

respectivamente e f a largura de banda.
Rudo de escuro (Dark Noise) Nd

Os pares electro lacuna gerados por excitao trmica (ii) do origem chamada corrente de
escuro id. Isto representa uma contribuio considervel para o sinal total, particularmente a
baixos nveis de iluminao e em reas escuras da imagem. Este tipo de rudo representa um
desvio constante em mdia, que pode ser electronicamente subtrado ao sinal de sada mas que
aparece na expresso do rudo como indicado em (4.10). Com base na corrente de rudo
observada no escuro inD definido o NEP (noise equivalent power) uma figura de mrito para
o fotododo que como o nome indica correspondente potncia de iluminao necessria
para gerar um sinal com a mesma amplitude do rudo, e dado por:
NEP ( , f , f ) =
inD
R ( )
W
Hz
(4.11)
Onde inD representa a corrente de rudo do detector no escuro e R() a responsividade para o
comprimento de onda .
O nmero de electres da corrente de escuro depende exponencialmente da temperatura,
aumentando um factor de 2 a cada aumento de temperatura de 8-10 K. Uma forma de reduzir
este rudo consiste em arrefecer o dispositivo. Esta uma tcnica muito utilizada
especialmente quando so necessrios tempos de exposio muito elevados, como por
exemplo em astronomia.
Rudo trmico
O rudo trmico ou de Johnson gerado por agitao trmica dos portadores (geralmente
electres) no interior de um condutor elctrico. Como tal, ele funo da resistncia
equivalente de carga, a qual composta pelas resistncias srie e paralelo do sensor e a
resistncia de carga externa.
in ( shunt ) =
130
4kTf
Rshunt
A
Hz
(4.12)

Tipicamente, o factor limitativo a resistncia paralela do detector [14] por ser esta que
apresenta o valor mais elevado das trs.
Rudo de leitura (Readout noise) Nr

A acrescentar ao rudo gerado no detector temos ento o rudo inerente ao sistema de
amplificao (ii). Antes do sinal proveniente do detector poder ser convertido e armazenado
em formato digital tem de ser amplificado. O circuito da Figura 4.34 representa o esquema
elctrico de um amplificador de transcondutncia geralmente utilizado com um fotododo no
modo fotocondutor.
Figura 4.34 Circuito elctrico de um amplificador de fotododo.

Teremos ento de acrescentar ao rudo gerado no fotododo e na resistncia, j abordados
anteriormente, o rudo inerente ao prprio amplificador, dado por:
in ( amp ) = < iamp > 2 + < Vamp CT > 2
(4.13)
Hz
Onde Vamp e iamp representam tenso de rudo e a corrente de fuga na entrada do amplificador
respectivamente, a frequncia angular e CT a capacidade total vista pelo amplificador.
O rudo total ser ento dado pela raiz da soma dos quadrados das vrias componentes.
in (total ) = < in ( D ) > 2 + < i n ( feedback ) > 2 + < in ( amp ) > 2
A
Hz
(4.14)
Outras fontes de rudo podero ainda aparecer ao longo da cadeia de processamento e

aquisio de sinal, nomeadamente o rudo de quantificao do conversor analgico/digital no
caso de a imagem ser armazenada em suporte digital.
Rudo de padro fixo (Fixed pattern noise) Nf

O rudo de padro fixo (iv) devido a variaes espaciais das propriedades dos materiais e da
espessura das diferentes camadas. Uma vez que estas condies no variam de imagem para
imagem, este rudo pode ser removido por calibrao e computao, utilizando uma imagem
131

de referncia previamente obtida. Como exemplo da aplicao desta tcnica podemos
observar na Figura 4.35 a) ,b e c) as vrias etapas do processo iluminando o sensor com um
padro em forma de duas meias luas. Em a) temos uma imagem de 40x40 pixels, no
processada, capturada com o sensor #M006301. Como se pode observar o sinal varia de
forma irregular em toda a rea no iluminada, indicando a presena de rudo de padro fixo.
Tal mais evidente se capturarmos uma nova imagem com o sensor no escuro b),
observando-se uma variao acentuada do sinal em algumas reas do sensor, nomeadamente
junto periferia da rea activa. Efectuando a subtraco de b) a a) obtemos a imagem em c)
que contm apenas a informao relativa s condies de iluminao locais, ou seja a
imagem, eliminando o rudo de padro fixo.
35
0
40
15
35
30
10
25
20
15
15
0
35
5
10
25
4
2
30
10
25
20
15
5
10
20
0
-2
-4
-6
-8
a)
b)
Figura 4.35 a) Imagem no processada b) fundo c) diferena.
20
25
10
8
20
l
na
Si
l
na
Si
30
30
l
na
Si
25
10
35
35
30
15
35
30
10
25
20
15
5
10
c)
Outra fonte de rudo de padro fixo est associada tcnica de captura de imagem utilizada e
estrutura do sensor. A Figura 4.35 a) mostra o sinal correspondente a uma imagem
capturada no escuro (sem iluminao de fundo) num sensor com um contacto frontal
transparente e um posterior reflector. Esta imagem apresenta um padro tpico de
interferncia, cuja origem pode ser facilmente explicada recorrendo ao esquema da Figura
4.36 b). Quando o feixe de prova tiver uma incidncia normal superfcie este interfere com o
feixe reflectido definindo um nvel de sinal que depende do comprimento de onda da radiao
e da distncia d entre as duas superfcies S1 e S2. Quando o ngulo de incidncia se afasta da
normal o percurso efectivo l do feixe aumenta, sendo dado por:
l=
d
cos
(4.15)
pelo que a diferena de fase entre os dois feixes se altera, fazendo variar o valor do sinal. Ao
nvel da imagem este efeito aparece como uma srie de anis concntricos em que o sinal
atinge mximos e mnimos sucessivos. Uma vez que o padro gerado no depende das
condies de iluminao pode facilmente ser removido da imagem por subtraco do sinal de
fundo. Outras formas de evitar o aparecimento deste efeito consistem em diminuir a reflexo
132

na superfcie S2, utilizando por exemplo um contacto semitransparente, ou diminuir o
comprimento de onda da radiao do feixe de prova diminuindo assim a intensidade do feixe
reflectido e minimizando a interferncia.
55
50
3e-9
20
30
3e-9
40
2e-9
50
2e-9
60
1e-9
5e-10
5,6
5,4
5,2
5,0
4,8
4,6
4,4
4,2
4,0
70
10
20
30
40
50
60
45
40
70
35
30
24
22
10
al
Sin
4e-9
Sinal
4e-9
25
20
18
16
20
14
12
15
10
10
4
a)
b)
Figura 4.36 a) Rudo de padro fixo devido a interferncia, b) esquema do percurso do feixe
de prova na estrutura.
Como foi exposto anteriormente existem muitas fontes de rudo associadas captao de
imagem. No entanto, para aplicaes de imagem em movimento o rudo pode ser considerado
uma quantidade subjectiva, pelo que a sua avaliao por um observador humano vai depender
fortemente de outras caractersticas da imagem como o seu brilho. Como regra neste caso
pode considerar-se que para uma imagem brilhante e subjectivamente sem rudo necessria
uma relao sinal rudo de pelo menos 300 [15].
4.4. Concluses
Neste captulo apresentou-se o princpio bsico de funcionamento dos sensores do tipo LSP.
A fsica de funcionamento interno do dispositivo foi apresentada e fundamentada recorrendo
a simulaes numricas de estruturas idnticas s utilizadas. Os resultados indicam que a
utilizao de uma ou ambas as camadas dopadas baseadas em a-SiC:H fundamental para o
funcionamento do dispositivo. Mostrou-se ainda que a estrutura do dispositivo pode ser
afinada tendo em conta a aplicao em causa. Com efeito, para aplicaes de deteco de
radiao de intensidade elevada a incorporao de carbono deve restringir-se apenas a uma
133

das camadas dopadas, ao passo que para deteco de baixos nveis de radiao esta se deve
estender a ambas.
Foi proposto um modelo elctrico para o dispositivo, tendo sido a sua aplicabilidade
comprovada por comparao com os resultados experimentais.
Os dispositivos e tcnicas alvo deste trabalho foram caracterizados em profundidade, tendo
sido apresentados os dados mais importantes relativos influncia de diversos parmetros nas
caractersticas dos sensores de imagem.
A componente opto-mecnica do sistema foi apresentada e descrita, tendo sido demonstradas
duas solues tecnolgicas (tcnica de varrimento lento e rpido). Muito embora o princpio
fsico seja o mesmo, a tcnica de medida do sinal difere bastante, apresentando tambm
(estas) mbitos de aplicao distintos. No caso da tcnica de varrimento lento consegue-se
uma elevada sensibilidade e relao sinal/rudo, em virtude da utilizao de um amplificador
lock-in. Na tcnica de varrimento rpido a falta de sensibilidade compensada pela elevada
velocidade de aquisio possibilitando a captura de imagem em tempo real.
134
4.5. Referncias
[1] D. E. Sawyer and H. K. Kessler, IEEE Transactions of Electron Devices 27 (1980) 864.
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Photovoltaic Solar Energy Conference, Amsterdam, The Netherlands.
[3] I. L. Eisgruber, R. J. Matson, and T. J. McMahon, Proc. 26th IEEE Photovoltaic Solar
Energy Conference, Anaheim, California, USA, 1997, pp. 727-730.
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[9] M. Fernandes, Yu. Vygranenko, J. Martins and M. Vieira, Image Acquisition Using
Non-Pixeled Amorphous Silicon Based Sensors, Advanced Materials and Devices for
Large-Area Electronics, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., S. Francisco (USA), Vol. 685E
(2001).
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based color sensors, European Materials Research Society Symposium, (Strasburg,
France, 18-21, June, 2002). Physics E. 16/3-4 (2003) pp.563-567.
135
[11] M. Fernandes, M. Vieira, R. Martins, Dynamic Characterization of Large Area Image

Sensing Structures Based on a-SiC:H; MATERIALS SCIENCE FORUM (2004), VOL
455/456, pages 86-90.
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Subjective Evaluation, IEEE Trans. Electron Devices, ED-36 (1989), 360-366.
136
Captulo 5 Variantes de sensores do tipo LSP
laser
6 nm Cr
290 m
a-Si:H
30 nm
500 nm
a-SiC:H
a-Si:H
a-SiC:H
30 nm
30 nm
500 nm
40 nm
n
i
p
n
i
p
40 m
20 nm ITO
90 nm Cr
Vidro
imagem
Diferentes estruturas propostas para sensores LSP
Captulo 5
5.
Variantes de sensores do tipo LSP

5.1. Introduo
A tcnica apresentada neste trabalho permite a utilizao de diferentes estruturas como

sensores de imagem com diferentes caractersticas. Durante os trabalhos de investigao
foram testadas diversas estruturas mais complexas do que o simples fotododo p-i-n por forma
a tentar optimizar parmetros como a sensibilidade, a resposta espectral, etc. Os dispositivos
desenvolvidos vo desde as estruturas empilhadas, onde a tcnica directamente aplicvel,
at s estruturas MIS (Metal Isolante Semicondutor) em que necessrio variar a polarizao
elctrica sequencialmente devido existncia da camada isolante. Nas subseces seguintes
sero apresentados os resultados mais significativos obtidos com algumas das estruturas
estudadas. Para mais detalhes podero ser consultadas as referncias bibliogrficas
apresentadas.
137
5.2. Estruturas empilhadas com blindagem ptica

A utilizao de estruturas empilhadas, apresentada anteriormente, permitiu melhorar
significativamente a sensibilidade dos sensores de imagem do tipo LSP luz de baixo
comprimento de onda (azul), mantendo a absoro da luz do feixe de prova e da imagem em
dodos diferentes. No que concerne aos elevados comprimentos de onda (vermelho), no
foram observadas melhorias. A explicao para este facto prende-se com o funcionamento de
janela (para a radiao de elevado comprimento de onda) da juno frontal, causado pelo seu
elevado hiato ptico (2 eV), levando a que a radiao da imagem e do feixe de prova sejam
absorvidos apenas na juno posterior. Se os fotes originados pela imagem e pelo feixe de
prova tiverem caminhos pticos diferentes, sendo absorvidos em zonas diferentes, de
esperar um incremento da fotocorrente, gerada pelo feixe de prova e medida externamente,
sempre que a sua posio corresponda a uma zona iluminada da imagem. Para comprovar esta
teoria foram fabricados dispositivos semelhantes s estruturas antes mencionadas mas
alteradas de forma a manter a absoro da imagem e feixe de prova em junes diferentes.
A forma bvia e mais simples de atingir este fim a introduo de uma blindagem ptica
entre as duas estruturas p-i-n. Esta camada deve ser opaca luz mas dever permitir a
passagem da carga elctrica no sentido transversal e bloquear a corrente no sentido lateral.
Foram consideradas diversas aproximaes, todas elas baseadas na utilizao de uma pelcula
metlica fina, no caso um filme de crmio com espessura de 90 nm. Nas subseces seguintes
ssero apresentados detalhes das estruturas utilizadas e dos resultados obtidos.
5.2.1. Estrutura
A primeira aproximao consistiu em utilizar uma pelcula metlica de crmio
suficientemente espessa a separar as duas estruturas p-i-n como indicado na Figura 5.1 para
bloquear a passagem de luz. A tcnica utilizada para o fabrico das pelculas de crmio foi a
evaporao trmica. Para tentar reduzir as correntes laterais nesta camada foi utilizado um
processo litogrfico para padronizar a superfcie, seguido de ataque das regies expostas por
RIE (Reactive Ion Etching). O padro utilizado composto por uma matriz de quadrados com
uma rea de 290x290 m2 separados de 40 m segundo cada direco. A este dispositivo foi
atribuda a referncia #Y02. Para efeitos de comparao foi fabricada uma estrutura sem a
camada intermdia de Cr com a referncia #Y01.
138

Todas as camadas de semicondutor foram fabricadas por PE-CVD num sistema de UHV com
pr-cmara para a introduo dos substratos de vidro previamente cobertos com uma pelcula
de ITO. Durante a deposio das camadas p de ambos os dodos foi introduzido metano na
cmara por forma a reduzir a condutividade do material e aumentar o seu hiato ptico. O
contacto elctrico superior constitudo por uma pelcula fina de Cr (6 nm), que funciona
tambm como filtro ptico, reduzindo a intensidade do feixe laser.
laser
6 nm Cr
290 m
a-Si:H
30 nm
500 nm
a-SiC:H
a-Si:H
30 nm
30 nm
500 nm
a-SiC:H
40 nm
n
i
p
n
i
p
40 m
20 nm ITO
90 nm Cr
Vidro
imagem
Figura 5.1 Estrutura p-i-n-p-i-n com camada intermdia para isolamento ptico.
5.2.2. Princpio de operao

O processo de captura de imagem funciona pelo mesmo princpio de funcionamento do sensor
LSP, com a imagem e o feixe de prova incidentes em lados opostos do dispositivo. Esta
aproximao simplifica o sistema ptico, uma vez que a imagem e o feixe de prova tm
caminhos pticos diferentes, e permite que o substrato de vidro seja utilizado como superfcie
de entrada da imagem, funcionado como barreira de proteco fsica do prprio sensor.
Nos testes cujos resultados se apresentam de seguida foram utilizados ambos os sistemas de
varrimento indicados no Captulo 4. A Figura 5.2 apresenta uma sinopse do sistema, tendo
sido utilizados para gerar o feixe de prova dispositivos laser de estado slido ou He-Ne com
diferentes comprimentos de onda (633 nm, 635 nm e 532 nm). Sendo neste caso o esquema de
ligaes referente ao sistema de varrimento lento.
139
Figura 5.2 Diagrama de blocos do sistema de varrimento para sensores de estrutura

empilhada com blindagem ptica.
5.2.3. Resultados
As estruturas em estudo foram caracterizadas determinando a responsividade espectral para
diferentes comprimentos de onda do feixe de prova. Estes dados no sero aqui apresentados
por razes de espao e relevncia para a explicao mas podero ser encontrados na
bibliografia [1]. A Figura 5.3 a) e b) apresenta as responsividades espectrais para a imagem
normalizadas para as duas estruturas em estudo. Estas medidas foram efectuadas medindo a
corrente de curto circuito gerada pelo feixe de prova (s = 550 nm) quando a amostra era
iluminada com luz de fundo proveniente de um monocromador com comprimento de onda na
gama entre 400nm e 800nm. O nvel de escuro foi considerado como o sinal medido a 400 nm
(abaixo do limite espectral da fonte de luz). Como se pode observar, para comprimentos de
onda da imagem abaixo de cerca de 600 nm os dois dispositivos apresentam respostas
semelhantes, com uma elevada responsividade. Acima deste comprimento de onda, no
dispositivo com camada de bloqueio ptico a responsividade mantm-se elevada, enquanto
que na amostra de controlo (sem camada de bloqueio ptico) a responsividade decresce
anulando-se para um comprimento de onda da imagem prximo de 650 nm. Para
comprimentos de onda mais elevados a responsividade torna-se negativa, como j tinha sido
observado nas estruturas apresentadas na seco 4.2.
O facto de a responsividade da amostra #Y02 ser sempre positiva indica claramente que para
qualquer comprimento de onda da luz da imagem estes fotes so sempre absorvidos na
clula frontal e os do feixe de prova na posterior. Na prtica, como se ver mais adiante, ainda
existe alguma interpenetrao de luz entre as duas clulas devido descontinuidade da
camada de bloqueio ptico. Este facto no evidente na medida da responsividade pois a rea
da zona iluminada ultrapassava largamente a das estruturas desta camada.
140

Na Figura 5.3 c) e d) so apresentadas imagens capturadas com os sensores #Y01 e #Y02
respectivamente. Como imagem foi novamente utilizado o algarismo 5 iluminado a azul,
verde ou vermelho. Como podemos observar as caractersticas das imagens esto em
concordncia com as curvas da responsividade.
1,2
1,0
Responsividade
Responsividade
1,2 #Y01
=550 nm
0,8 s
0,4
0,0
-0,4
-0,8
-1,2
-1,6
400
a)
500
600
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
400
700
#Y02
s=550 nm
b)
500
600
700
d)
c)
Figura 5.3 resposta variao do comprimento de onda da imagem para a amostra #Y01 a)
e #Y02 b), c) e d) imagens a diferentes comprimentos de onda capturadas com os dois
sensores.
Para verificar o funcionamento com imagens complexas foi projectado na superfcie do sensor
#Y02 o logtipo de uma conferencia internacional onde parte deste trabalho foi apresentado
[2], Figura 5.4 a). Na imagem capturada (Figura 5.4 b)) visvel o rudo de padro fixo
causado por interferncia como descrito no captulo anterior. Este um efeito indesejado
causado pela reflexo da luz na camada de bloqueio ptico. De notar que no foi efectuada a
correco por subtraco de fundo o que permitiria anular o efeito observado.
ICAMS 20
a)
b)
Figura 5.4 a)logotipo da conferncia ICAMS20, b)imagem capturada com o sensor #Y02.
141

Pela anlise das caractersticas I-V AC podemos obter mais alguma informao acerca da
efectividade da camada de bloqueio ptico apresentada, como forma de manter a absoro da
imagem e do feixe de prova em zonas diferentes do sensor. Estas curvas foram obtidas
medindo a fotocorrente gerada pelo feixe de prova (s=650nm) com um amplificador lock-in
no escuro e com iluminao de 470nm, 550nm e 650nm. Para tenses acima de 1V os sinais
apresentam algum rudo devido elevada corrente directa atravs do dispositivo. Como se
pode observar, a curva sob iluminao vermelha segue uma andamento significativamente
diferente das sob iluminao azul ou verde. A diminuio acentuada da fotocorrente, face
observada em polarizao inversa, para tenses de polarizao baixas causada pela absoro
dos fotes relativos imagem e ao feixe de prova na mesma zona activa. Este efeito mais
pronunciado com iluminao vermelha uma vez que neste caso ambos, imagem e feixe de
prova, ultrapassam a camada central. Nos outros dois casos, a luz relativa imagem
absorvida quase na totalidade na camada frontal, continua ainda assim a existir uma parte da
luz proveniente do feixe de prova que ultrapassa a camada central sendo tambm absorvida na
clula frontal.
-7
#Y02 (pin/metal/pin)
s=650 nm
1,4x10
-7
Fotocorrente (A)
1,2x10
l=470 nm
l=550 nm
l=650 nm
-7
1,0x10
-8
8,0x10
Escuro
-8
6,0x10
-8
4,0x10
-8
2,0x10
0,0
-2
-1
Tenso (V)
funo da tenso de polarizao para o sensor #Y02 (I =2 mWcm-2).
A descontinuidade da camada de bloqueio ptico revelou-se assim como uma fonte de rudo
adicional, uma vez que a passagem do feixe de prova para a camada frontal provoca
flutuaes na fotocorrente gerada por este. Este efeito pode ser bastante pronunciado como
visvel na Figura 5.6. Esta figura representa a fotocorrente medida durante o varrimento de
uma linha da imagem utilizando o sistema de varrimento rpido e feixes de prova de
diferentes comprimentos de onda. A imagem foi gerada por uma mscara com trs fendas,
142

como indicado na figura. As subidas e descidas abruptas do sinal no incio e no final da linha
indicam os pontos de entrada e sada do feixe de prova na zona activa do sensor, definida pela
geometria do contacto posterior. Estes pontos no coincidem nas duas linhas uma vez que
estas foram obtidas em zonas diferentes do sensor.
Observando os flancos do sinal, j nas zonas fora da rea activa do sensor, identificamos
claramente dois declives sendo o mais pronunciado no flanco descendente (onde o feixe deixa
a zona activa). Esta diferena entre declives pode ser utilizada para determinao do
comprimento de difuso ambipolar e do tempo de vida efectivo dos portadores atravs de uma
tcnica conhecida por FST (Flying Spot Technique) [3].
Analisando a curva obtida com o feixe de prova vermelho (s=650 nm), verifica-se que o
sinal apresenta uma oscilao quando o feixe percorre a zona activa do sensor. Como a
frequncia de oscilao se mantm constante ao longo de toda a zona activa do sensor, fica
partida excluda a hiptese de este efeito ser causado por interferncia. Tambm no pode ser
atribudo a rudo de padro fixo, uma vez que no observado na curva obtida com o feixe de
prova verde (s=550 nm). Excludas estas duas hipteses, fica claro que a origem deste efeito
ter de estar relacionada com uma caracterstica de frequncia espacial fixa, o que nos conduz
camada de bloqueio ptico uma vez que esta apresenta uma forma de matriz de quadrados
opacos separados por zonas transparentes. Quando o feixe de prova atinge uma destas zonas a
sua absoro deixa de ficar restrita clula posterior. Assim, no caso de feixe de prova
vermelho de esperar um aumento da fotocorrente dado ambas as clulas ficarem iluminadas.
No caso do feixe de prova verde este efeito no observado uma vez que o comprimento de
penetrao dos fotes para este comprimento de onda inferior ao comprimento total do
dispositivo, sendo assim praticamente todos absorvidos na clula posterior.
0 ,1 0
0 ,0 9
M s c a ra
#Y02
s= 5 5 0 n m
s= 6 5 0 n m
0 ,0 8
Sinal (u.a.)
0 ,0 7
0 ,0 6
0 ,0 5
0 ,0 4
0 ,0 3
0 ,0 2
0 ,0 1
0 ,0 0
0 ,0 0 0
0 ,0 0 2
0 ,0 0 4
0 ,0 0 6
0 ,0 0 8
P o s i o (u .a .)
Figura 5.6 Sinal obtido para varrimentos de uma linha com feixe de prova verde ou
vermelho.
143

Uma abordagem possvel para eliminar o efeito da descontinuidade da camada de bloqueio
ptico no sinal consiste em utilizar um feixe de prova cujo comprimento de penetrao no
material seja aproximadamente igual ou inferior espessura da camada i posterior.
Infelizmente os laser de estado slido com estas caractersticas, disponveis comercialmente,
apresentam ainda alguns inconvenientes que podem ser de ordem econmica, no caso do laser
azul (500), ou tcnica para os restantes comprimentos de onda (verde, amarelo), uma vez
que para estes comprimentos de onda os laser disponveis so do tipo DPSS (Diode Pumped
Solid State) com estrutura mais complexa e custo consideravelmente mais elevado do que os
emissores na regio do vermelho. Por estes motivos foi decidido proceder optimizao da
estrutura do prprio sensor introduzindo duas novas camadas opacas de metal para manter a
absoro do feixe de prova e da imagem em clulas diferentes. A nova estrutura do
dispositivo apresentada na Figura 5.7.
Figura 5.7 Estrutura com blindagem ptica melhorada (#Y03).

A camada de metal presente do lado do feixe de prova apresenta pequenas aberturas alinhadas
com a camada interior, tendo assim a dupla funo de diminuir a potncia ptica do laser e
impedir a sua passagem atravs das aberturas na camada de metal interior. Adicionalmente s
camadas j referidas, foi tambm introduzida uma camada de material isolante (a-SiN) entre
as duas clulas, de modo a reduzir as correntes laterais nesta regio.
Com as alteraes indicadas obteve-se um aumento da responsividade e da resoluo para
todos os comprimentos de onda da imagem como pode ser visto na Figura 5.8.
144
6,0
#Y03
S=550 nm
5,0
Rlight/Rdark
4,0
3,0
2,0
1,0
Azul
Verde
Vermelho
0,0
-1,0
400 450 500 550 600 650 700 750
imagem (nm)
Figura 5.8 Responsividade da amostra #Y03, (insero) imagem capturada.
5.3. Sensor LSP em substrato flexvel

Actualmente existe uma elevada apetncia por dispositivos de grande rea fabricados em
substrato flexvel, nomeadamente TFTs [4, 5], devido a vrias vantagens inerentes a esta
abordagem, como sendo a portabilidade, leveza, resistncia a choques, etc. Muito embora nos
ltimos anos se tenha assistido a um esforo considervel no desenvolvimento desta
tecnologia, ainda poucos dispositivos, nomeadamente clulas solares, atingiram um grau de
maturao tecnolgica que permita a sua comercializao. Ainda assim estes dispositivos so
interessantes para diversas aplicaes como sensores curvos, crans flexveis, etc.
Um dos materiais de eleio para utilizao em substratos flexveis o a-Si:H uma vez que
pode ser depositado a baixa temperatura, aspecto essencial para os substratos plsticos mais
comuns, mantendo caractersticas optoelectrnicas aceitveis.
Motivados por estas questes decidimos estudar a aplicabilidade desta tcnica aos sensores do
tipo LSP [6] desenvolvidos no grupo, fabricando e caracterizando um sensor de imagem em
substrato flexvel.
5.3.1. Estrutura
Muito embora se tenham desenvolvido dispositivos relativamente complexos, como os
apresentados anteriormente, para o primeiro prottipo em substrato flexvel decidiu utilizar-se
uma estrutura p-i-n simples. Para efeitos de comparao foram fabricados simultaneamente
dois dispositivos com a estrutura indicada na Figura 5.25, um em substrato de vidro, outro
145

num filme de PET (Polyethylene terephthalate). As camadas de material semicondutor foram
fabricadas por PE-CVD [7] a baixa temperatura (110 C) sobre substrato de vidro Corning
(#M0031212-G), ou pelcula de cpia Tektronix (#M0031212-F), previamente cobertos com
uma pelcula transparente de ZnO:Al depositado tambm a baixa temperatura, que serve como
contacto frontal. O contacto posterior em alumnio foi fabricado por evaporao trmica
definindo a rea activa do dispositivo (22 cm2).
Figura 5.9 Estrutura dos dispositivos com referncias (#M0031212-G) e (#M0031212-G).

O contacto frontal ZnO:Al com uma espessura de 300nm apresentava uma transmissividade
superior a 80% para comprimentos de onda na gama entre 425 nm e 700 nm. No entanto,
devido baixa temperatura utilizada, a sua resistncia bastante elevada (cerca de 200 k no
sensor #M0031212-F), no formando um bom contacto hmico. As camadas intrnsecas
foram optimizadas para aplicaes optoelectrnicas (fotosensibilidade na ordem de 7.1104),
ao passo que as dopadas so baseadas em material de baixa condutividade e elevado hiato
ptico de acordo com a estrutura do LSP, sendo as suas caractersticas optoelectrnicas
apresentadas na Tabela 5.1.
Tabela 5.1 Caractersticas optoelectrnicas das camadas de semicondutor.
Camada p (a-SiC:H)
Eop
(eV)
2.1
d,300K
(-1cm-1)
2.510-9
Camada i (a-Si:H)
1.8
7.610-11
Camada n (a-SiC:H)
2.1
1.910-12

O princpio de operao o tpico do sensor LSP apresentado no Captulo 4 deste trabalho.
Como o dispositivo fabricado em substrato flexvel se apresentava ligeiramente curvado, este
foi planarizado introduzindo-o entre duas placas de vidro para evitar problemas de distoro
146

durante a captao de imagem, e possibilitar a comparao com as caractersticas do
dispositivo em substrato de vidro.
5.3.3. Resultados
Os dispositivos foram caracterizados atravs da anlise da fotocorrente e da resposta espectral
sob diferentes condies de polarizao ptica e elctrica. Mais detalhes podem ser
encontrados na bibliografia [8].
Como feixe de prova foi utilizado um laser de estado slido verde (S= 550 nm; S=200
W/cm2) sendo utilizada para a imagem luz filtrada proveniente de uma lmpada de
halogneo. A Figura 5.10 apresenta os grficos da responsividade para as duas amostras
obtidas com e sem luz de fundo para diferentes tenses. Estas caractersticas so
consideravelmente diferentes das obtidas para as estruturas p-i-n anteriormente estudadas,
uma vez que apresentam uma variao da responsividade com a tenso na ausncia de
polarizao ptica, mais acentuada na regio verde/vermelho do espectro.
A origem deste comportamento no est totalmente identificada. No estar no entanto
relacionada com o substrato, uma vez que as curvas apresentadas por ambas as amostras so
10
9 #M0031212-G
8 sem polarizao ptica
7
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
400
500
600
V=-1.0V
V=-0.8V
V=-0.6V
V=-0.4V
V=-0.2V
V=0.0V
V=0.2V
V=0.4V
V=0.6V
V=0.8V
700
800
#M031212-F
sem polarizao ptica
1,0
semelhantes.
0,5
0,0
400
900
V=-0.75 V
V=-0.50 V
V=-0.25 V
V=0.00 V
V=0.25 V
V=0.50 V
V=0.75 V
V=1 V
500
600
700
#M0031212-G
8 I=650 nm
V=-1,0 V
V=-0.8 V
V=-0.6 V
V=-0.4 V
V=-0.2 V
V=-0.0 V
V=0.2 V
V=0.4 V
V=0.6 V
V=0.8 V
V=1.0 V
6
4
2
0
500
600
700
800
900
10
-2
400
800
900
(nm)
(nm)
1,0
V=-1.00 V
V=-0.75 V
V=-0.50 V
V=-0.25 V
V=0.00 V
V=0.25 V
V=0.50 V
V=0.75 V
V=1.00 V
#M031212-F
I=650 nm
0,5
0,0
400
(nm)
500
600
700
800
900
(nm)
a)
b)
Figura 5.10 Responsividade com (baixo) e sem (topo) polarizao ptica (=650nm) para o
sensor depositado sobre substrato de vidro a) ou PET b).
147

Para avaliar a resposta dos dispositivos a luz de diferentes comprimentos de onda a
fotocorrente gerada pelo feixe de prova (S=550nm, L=200 Wcm-2) foi medida com um
amplificador lock-in com iluminao de fundo (I) azul, verde e vermelha. Os resultados so
apresentados na Figura 5.11 para a amostra em substrato de vidro a) e flexvel b). Mais uma
vez foi observada uma diferena significativa em relao s amostras estudadas
anteriormente. No entanto as imagens capturadas com iluminao a vermelho so
comparveis, em termos de resoluo e razo claro/escuro, com as obtidas para a estrutura
#M007192. Uma vez que as amostras foram fabricadas simultaneamente podemos ainda
assim afirmar que a utilizao do substrato flexvel degrada as caractersticas do dispositivo.
Para identificar a origem das diferenas observadas, deveriam ser fabricados novos
dispositivos, o que no foi feito porque entretanto esta linha de investigao foi abandonada.
Fotocorrente (nA)
10
1,2
#M0031212-G
s =550 nm
escuro
I=550 nm
I=650 nm
I=450 nm
8
6
4
2
0
0,4
0,2
0,0
-4
-0,4
0,0
Tenso (V)
0,5
1,0
escuro
I=450 nm
I=550 nm
I=650 nm
0,6
-0,2
-0,5
S=550 nm
0,8
-2
-1,0
#M0031212-F
1,0
Fotocorrente (nA)
12
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
Tenso (V)
Figura 5.11 Fotocorrente gerada pelo feixe de prova em funo da tenso de polarizao.
Inseres- imagens capturadas a -1V, 0V e 1V com imagem vermelha.
5.4. CLSP (Colour Laser Scanned Photodiode)

De acordo com o exposto em captulos anteriores uma estrutura p-i-n com uma ou ambas as
camadas dopadas com resistividade aumentada, pela incorporao de carbono, quando
utilizada em conjunto com a tcnica apresentada nesta tese apresenta uma elevada
selectividade espectral, podendo portanto ser utilizada como sensor de cor [9]. Como descrito
na seco 4.2.4 a selectividade ao comprimento de onda pode ser conseguida por duas
tcnicas alternativas: Alterando a tenso de polarizao do dispositivo, ou variando o
comprimento de onda do feixe de prova. A primeira soluo de implementao claramente
mais simples, uma vez que no envolve a alterao do sistema ptico, pelo que ser a
utilizada neste tipo de sensor.
148
5.4.1. Estrutura
A estrutura utilizada para este estudo foi a amostra #M007192 cuja constituio e condies
de deposio foram j indicadas no Captulo 3. A amostra em causa foi fabricada num
substrato de vidro e apresentava um contacto frontal transparente (ZnO:Al) e trs contactos
posteriores opacos (metalizao de Al), ver Figura 5.12 b), sendo que cada um destes
contactos representa um sensor independente. Devido existncia do contacto opaco a
imagem e o feixe de varrimento so incidentes pelo mesmo lado do dispositivo (Figura 5.12
a)) segundo a tcnica apresentada anteriormente.
a)
Figura 5.12 a) estrutura e b)foto do dispositivo com a referncia #M007192.
b)

O princpio de operao do sensor CLSP difere apenas do seu congnere monocromtico
quanto ao facto de a aquisio de uma imagem em cor ser composta por vrios varrimentos a
tenses de polarizao diferentes. A Figura 5.13 mostra de forma esquematizada o princpio
de operao do sensor posto em aco. A imagem a cores mapeada atravs de um sistema
ptico sobre a rea activa do sensor. Para a aquisio de uma imagem a cores so ento
efectuados trs varrimentos pela tcnica do LSP e os dados armazenados para futuro
processamento. As tenses escolhidas para cada um dos varrimentos dependem das
caractersticas da estrutura em causa e correspondem obteno da informao relativa s
diferentes componentes do espao RGB da imagem. Por fim, os dados so combinados dando
origem representao em imagem a cores da cena em causa [10].
149
Imagem em niveis
de cinzento
0V
CLSP
0.4 V
Imagem
Componente verde
Da imagem
0.7 V
Sistema de varrimento
Imagem a cor
Componente
Vermelha da imagem
Figura 5.13 Esquema do princpio de funcionamento de um sensor do tipo CLSP de

estrutura simples.
5.4.3. Resultados
Para testar o princpio atrs enunciado foi projectada sobre a rea activa do sensor uma
imagem composta pelas letras do acrnimo do sensor (CC L S P) em vermelho e verde como
indicado na Figura 5.13. De seguida foram capturadas imagens polarizando o sensor com 0V,
0.4V e 0.7 V.
Na primeira medida, efectuada em curto circuito, o dispositivo sensvel em toda a gama
visvel do espectro, pelo pode ser obtida uma imagem em tons de cinzento. A Figura 5.14 a)
mostra a representao do sinal obtido em tons de cinzento e na parte b) uma visualizao dos
mesmos dados num grfico tridimensional com cor artificial, onde se nota a diminuio do
sinal nas zonas iluminadas da imagem. Aumentando a polarizao para 0.4V apenas visvel
a parte da imagem de cor verde, enquanto a 0.7 V apenas a parte de cor vermelha da imagem
observada, ver Figura 5.14 c). A imagem a cor pode depois ser obtida no formato RGB,
Figura 5.14 d), considerando que cada uma das imagens anteriores representa a componente
verde e vermelha do espectro respectivamente.
a)
c)
b)
d)
Figura 5.14 a)imagem capturada a 0V, b) Visualizao dos dados em 3D e cor artificial, c)
imagens capturadas a 0.4V e 0.7V, d) imagem em cor reconstruda a partir dos dados de c).
150

O funcionamento do dispositivo pode ser melhor compreendido analisando o sinal obtido em
funo da tenso de polarizao com iluminao monocromtica de diferentes comprimentos
de onda (Figura 5.15 a)). O sinal indicado na figura representa a parcela da fotocorrente
gerada pelo feixe de prova, normalizado em relao ao medido em polarizao inversa sem
luz de fundo. Desta forma o grfico representa a eficincia de coleco relativa aos portadores
gerados pelo feixe de prova.
Analisando a curva relativa ao escuro (sem luz de fundo) observamos dois comportamentos
distintos para polarizao inversa e directa. Para tenses positivas a eficincia de coleco
diminui com a tenso aplicada de forma linear. Para tenses negativas observa-se um
comportamento sublinear at atingir a saturao. Nesta situao o campo elctrico interno
atravs da zona activa elevado, levando a que todos os portadores gerados pelo feixe de
prova sejam colectados dando origem a uma eficincia de coleco interna unitria.
Quando a iluminao de fundo est presente a caracterstica regista diversas alteraes. Em
polarizao inversa a eficincia de coleco decresce, uma vez que a iluminao de fundo
provoca uma diminuio do campo elctrico no interior da regio intrnseca. Para tenses
positivas o declive das curvas altera-se fazendo com que estas cruzem a curva relativa ao
escuro. Nestes pontos de cruzamento, que acontecem a tenses dependentes do comprimento
de onda da radiao de fundo, como o sinal medido igual ao observado no escuro o sensor
torna-se insensvel radiao com comprimento de onda correspondente. Aplicando
diferentes tenses podemos assim rejeitar os diferentes comprimentos de onda. A Figura 5.15
apresenta a resposta espectral do dispositivo onde se pode observar o efeito atrs descrito.
-8
1,0
1,5x10
#M007192
0,8
-8
1,0x10
fotocorrente ac (A)
Sinal (u.a.)
0,6
0,4
0,2
0,0
-0,2
S=633 nm
Escuro
L=650 nm
L=550 nm
-9
5,0x10
0,0
Polarizao
-0.5 V
0.4 V
0.5 V
0.6 V
0.7 V
0.8 V
0.9 V
-9
-5,0x10
-8
-1,0x10
-0,4
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
Tenso (V)
-8
-1,5x10
400
450
500
550
600
650
700
750
800
a)
b)
Figura 5.15 a)Sinal em funo da tenso de polarizao para iluminao de fundo vermelha
e verde, b)resposta espectral a diferentes tenses de polarizao.
151

Este tipo de sensor de cor opera segundo o princpio rejeita banda (a responsividade
reduzida numa banda de comprimentos de onda) que o oposto dos sensores de cor comuns,
que funcionam segundo o princpio passa banda (a responsividade aumentada numa banda
de comprimentos de onda).
A Figura 5.16 apresenta a resposta espectral do dispositivo para diferentes tenses de
polarizao. Como se pode observar a resposta do sensor pode ser decomposta em dois picos
Gaussianos centrados volta de 660 nm (vermelho) e 550 nm (verde) cuja amplitude varia de
forma oposta com a tenso de polarizao. Conhecendo a responsividade do dispositivo para
diferentes tenses podemos assim utilizar uma transformao recorrendo a uma matriz que
relaciona a magnitude da responsividade observada para os referidos comprimentos de onda
com a tenso aplicada. O aprofundamento deste tpico estava fora do mbito deste trabalho,
no entanto, os resultados obtidos permitem afirmar que com esta tcnica pode obter-se ento a
|fotocorrente ac| (A)
informao de cor com um nico sensor e sem recorrer a filtros pticos.

1x10
-8
9x10
-9
8x10
-9
7x10
-9
6x10
-9
5x10
-9
4x10
-9
3x10
-9
2x10
-9
1x10
-9
Polarizao
0.4 V
0.5 V
0.6 V
0.7 V
0.8 V
0.9 V
0
400
450
500
550
600
650
700
750
800
com primento de onda (nm)

Figura 5.16 Mdulo da fotocorrente gerada pelo feixe de prova para diferentes tenses de
polarizao.
5.5. D/CLSP
Photodiode)
(Double/Colour
Laser
Scanned
No sensor LSP os fotes que compem o feixe de prova e a imagem so absorvidos na mesma
camada activa, o que faz com que a eficincia de coleco relativa aos primeiros decresa nas
zonas iluminadas da imagem, face ao que observado nas zonas no iluminadas. Quando o
152

dispositivo polarizado inversamente a zona de depleco estende-se por toda a camada
intrnseca pelo que a resposta espectral do dispositivo no afectada pela variao da tenso
aplicada, logo o dispositivo no sensvel cor. Como apresentado na subseco anterior,
apenas para tenses prximas da tenso de bandas planas se observa a alterao da resposta
espectral com a tenso. Desafortunadamente, nesta zona de funcionamento a corrente directa
atravs da juno pode tornar-se vrias ordens de grandeza superior fotocorrente, o que tem
efeitos muito acentuados na relao sinal/rudo dificultando a medida da fotocorrente gerada
pelo feixe de prova. Para reduzir este efeito investigou-se a possibilidade de manter a
absoro do feixe de prova e da imagem em camadas separadas, pelo menos para alguns
comprimentos de onda, recorrendo a uma estrutura empilhada. Mais detalhes podem ser
encontrados na bibliografia [11, 12].
5.5.1. Estrutura
Os dispositivos apresentados de seguida foram fabricados pela tcnica PE-CVD em substrato
de vidro. Por forma a permitir a passagem de luz foram utilizados contactos elctricos
transparentes de ITO. Informao detalhada acerca das condies de deposio dos filmes
podem ser encontradas na literatura [13].
A Figura 5.17 apresenta um esboo das estruturas utilizadas. Estas so compostas por duas
junes p-i-n empilhadas, em que a estrutura frontal formada por camadas de a-SiC:H e
mantm a mesma espessura em todas as amostras. Para a juno posterior, baseada em a-Si:H,
foram escolhidas trs espessuras diferentes para a camada intrnseca. A variao da espessura
do fotododo posterior permitir aferir a variao da resposta espectral do dispositivo com o
intuito de optimizar o sensor para a resposta cor.
Figura 5.17 Estrutura utilizada para sensores de cor do tipo LSP.

Simultaneamente com o fabrico dos dispositivos foram tambm depositadas pelculas
individuais correspondentes s camadas intrnsecas utilizadas nos diversos sensores. Estas
pelculas foram caracterizadas para aferir as suas propriedades pticas e elctricas. Os
153

resultados obtidos esto sumariados na tabela seguinte. Informao detalhada acerca das
tcnicas utilizadas pode ser encontrada na bibliografia [14].
Tabela 5.2 Caractersticas optoelectrnicas e composicionais das camadas intrnsecas.
Camadas de a-Si:H
Eop
(eV)
1.77
d,300K
(-1cm-1)
3.410-10
E
(eV)
0.87
CH
(%)
8
CSi
(%)
92
CC
(%)
0
Camadas de a-SiC:H
2.03
210-12
0.94
29
66

O princpio bsico de funcionamento do sensor D/CLSP semelhante ao do sensor CLSP.
Um feixe laser de baixa intensidade varre a rea activa do dispositivo, enquanto a fotocorrente
gerada por este medida, para diversas tenses de polarizao, e armazenada sob a forma de
uma matriz. A diferena mais significativa resulta da prpria estrutura do dispositivo.
Enquanto no dispositivo de juno simples os fotes que compem a imagem e o feixe de
prova so absorvidos na mesma camada activa, no D/CLSP, e uma vez que as camadas de aSiC:H tm um hiato ptico mais elevado que as de a-Si:H (ver Tabela 5.2), os fotes do feixe
de prova (s=650nm) so absorvidos apenas na juno posterior e os da imagem ao longo do
dispositivo, em funo do comprimento de onda em causa. De uma forma geral, considerando
a topologia indicada na figura anterior, os fotes do feixe de prova sero absorvidos apenas na
juno posterior, independentemente do comprimento de onda, uma vez que para os altos
comprimentos de onda a energia dos fotes inferior do hiato da camada i frontal e para os
baixos comprimentos de onda praticamente toda a radiao absorvida na camada i posterior.
Este dispositivo apresenta assim regimes diferentes de funcionamento em funo do
comprimento de onda da radiao da imagem, facto que pode ser utilizado como tcnica de
deteco de cor. Para comprimentos de onda da imagem elevados no existe gerao na clula
frontal, pelo que o campo elctrico interno se distribui fazendo com que esta fique em
polarizao inversa. Nesta situao a corrente acoplada capacitivamente atravs desta
juno, sendo o princpio de funcionamento idntico ao do sensor LSP (diminuio da
fotocorrente gerada pelo feixe de prova com a iluminao de fundo). Para a regio dos baixos
comprimentos de onda a radiao da imagem praticamente toda absorvida atravs da clula
frontal o que faz balancear o campo elctrico interno de forma oposta indicada
anteriormente. O campo elctrico elevado atravs da juno posterior faz assim aumentar a
coleco dos portadores gerados pelo feixe de prova, observando-se um incremento no sinal
154

em relao ao observado no escuro. Nos comprimentos de onda intermdios (verde) os dois
processos coexistem, uma vez que a radiao absorvida nas duas junes.
A informao de cor pode ser obtida polarizando o dispositivo com diferentes tenses, de uma
forma similar que utilizada com o sensor CLSP. A diferena principal est na melhoria
acentuada da relao sinal/rudo, uma vez que as tenses a aplicar, como se ver na seco
seguinte, se afastam da regio de polarizao directa.
5.5.3. Resultados
A interpretao dos resultados experimentais directa, se tivermos em considerao os perfis
de gerao no dispositivo, e a distribuio interna do potencial para diferentes comprimentos
de onda apresentados na Figura 5.18 para uma estrutura com as mesmas caracterstica que a
amostra #NC5. Como se v pela Figura 5.18 a) no escuro o potencial distribui-se pelas duas
clulas, enquanto que sob iluminao a maior variao ocorre atravs da clula frontal ou da
posterior para os altos ou baixos comprimentos de onda respectivamente. De uma forma geral
o que acontece que estando as duas clulas em srie, se existir gerao apenas numa delas
esta ficar em polarizao directa, obrigando a outra a polarizao inversa. Este efeito de
auto-polarizao responsvel pelos diferentes regimes observados sob iluminao com
-1
Taxas de Gerao/Recombinao(cm s )
baixos ou altos comprimentos de onda, discutidos de seguida.
1,4
Vermelho
Potencial (V)
1,2
1,0
Verde
0,8
Escuro
0,6
0,4
0,2
#NC5
Azul
0,0
-0,2
0,0
10
22
10
21
10
20
10
19
10
18
10
17
10
16
10
15
-3
1,6
0,2
0,4
0,6
0,8
Posio (m)
1,0
1,2
1,4
Gerao
R
G
Recombinao
R
G
#NC5
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
B
B
1,2
1,4
Posio (m)
Figura 5.18 a) Distribuio interna do potencial e b) perfis de gerao e recombinao

obtidos por simulao para um dispositivo com a mesma estrutura da amostra #NC5.
A Figura 5.19 apresenta as curvas da fotocorrente gerada pelo feixe de prova (s = 650 nm)
em funo da tenso de polarizao do sensor, com iluminao de fundo de diferentes
comprimentos de onda para a amostra #NC5. Para melhor compreender o comportamento do
dispositivo, estas foram medidas em regime AC e DC, para os mesmos fluxos luminosos do
155

feixe de prova e da iluminao de fundo. No regime AC o feixe foi modulado a 1 kHz com
um modulador mecnico e a corrente medida com um amplificador lock-in. No regime DC,
foram efectuadas duas medidas da corrente total no dispositivo, uma s com a iluminao de
fundo, de diferentes comprimentos de onda, e outra em simultneo com o feixe de prova. A
fotocorrente gerada pelo feixe de prova foi ento obtida pela diferena entre os dois sinais, o
que anula tambm a corrente de escuro, uma vez que esta constante nas duas medidas.
Analisando o grfico da Figura 5.19 a) vemos que em polarizao directa, para qualquer
comprimento de onda, a fotocorrente (do feixe) prxima de zero aparentando no existir
transio do regime primrio para o secundrio. Na realidade, observando a curva da
fotocorrente com iluminao frontal azul e posterior vermelha (gerao nas duas camadas i)
Figura 5.19 c) verifica-se que a transio para o regime secundrio se d para polarizaes
directas mais elevadas, sendo que na gama entre 0V e 2V a fotocorrente se aproxima de zero
devido a um aumento da recombinao causada pelo baixo campo elctrico nas camadas i.
Este efeito foi tambm observado nas estruturas simples com camadas dopadas com
incorporao de carbono. Para tenses directas elevadas a corrente total atravs do dispositivo
aumenta, levando a uma diminuio considervel da relao sinal/rudo, pelo que esta tcnica
deixa de fornecer resultados fiveis.
Em polarizao inversa so observadas caractersticas diferentes dependendo do comprimento
de onda da iluminao de fundo. Para comprimentos de onda acima do hiato da camada i
frontal no existe gerao nesta camada, o que faz com que a fotocorrente seja nula.
Efectivamente, como a estrutura composta por dois dodos em srie a corrente total ser
limitada pelo dodo com a menor corrente, o que justifica o observado. Para os baixos
comprimentos de onda, como existe gerao na juno frontal, os portadores gerados na
juno posterior podem atravessar esta juno e ser colectados externamente. A variao da
corrente com a tenso de polarizao o resultado da variao do campo elctrico interno na
juno posterior com a tenso aplicada, com a consequente alterao da eficincia de
coleco. Para tenses inversas elevadas a corrente tende a saturar indicando coleco
mxima das cargas geradas pelo feixe de prova.
Observando agora as caractersticas AC (Figura 5.19 b)), vemos que a corrente medida sem
iluminao de fundo no nula como no caso anterior. Na prtica a fotocorrente gerada no
fotododo posterior acoplada para o exterior pela capacidade da juno frontal (polarizada
inversamente). Em polarizao inversa o comportamento para baixos comprimentos de onda
semelhante ao observado em DC. Para os altos comprimentos de onda, como a luz de fundo
passa a ser absorvida na mesma zona activa que a do feixe de prova, observado o mesmo
156

efeito de reduo da eficincia de coleco anteriormente descrito em relao estrutura
simples. De uma forma geral estes dados podem ser interpretados de forma simples
considerando a existncia de dois regimes diferenciados para altos e baixos comprimentos de
onda da luz de fundo (imagem). Nos comprimentos de onda intermdios assiste-se a uma
combinao dos dois regimes sendo a transio de regime dependente da tenso de
3x10
escuro; s= 5.5 Wcm
-7
Fotocorrente do scanner -AC [A]
Fotocorrente scanner- DC [A]
polarizao.
-2
450 nm; L= 11.5 Wcm
-2
-2
500 nm; L= 22 Wcm

2x10
-2
-7
550 nm; L= 41 Wcm
-2
650 nm; L= 76 Wcm

1x10
-7
0
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-2
escuro; s= 5.5 Wcm
8x10
-2
-2
500 nm; L= 22 Wcm
-2
550 nm; L= 41 Wcm
-8
6x10
-2
600 nm; L= 38 Wcm
-2
650 nm; L= 76 Wcm
-8
4x10
-8
2x10
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1
Tenso [V]
450 nm; L= 11.5 Wcm
-8
Tenso[V]
a)
-7
6,0x10
b)
s=650nm, i=450nm
-7
Fotocorrente (A)
4,0x10
-7
2,0x10
0,0
-7
-2,0x10
-7
-4,0x10
-7
-6,0x10
-6
-4
-2
Tenso (V)
c)
Figura 5.19 Fotocorrente gerada pelo feixe de prova para diferentes comprimentos de onda
da luz de polarizao para a amostra #NC5 a) medida em dc, b) medida em ac, c) fotocorrente
com iluminao frontal azul e posterior vermelha.
De acordo com o exposto anteriormente, e uma vez que o comprimento de penetrao da
radiao depende do comprimento de onda desta, as trs amostras com espessuras diferentes
da camada i posterior foram caracterizadas por forma a aferir a influncia deste factor no
funcionamento do dispositivo. Para tal, a fotocorrente gerada pelo feixe de prova foi medida
pelo mtodo ac descrito anteriormente. Foram efectuadas medidas sob iluminao com os trs
comprimentos de onda principais e no escuro. Como se pode observar na Figura 5.20 a, b, c) a
variao da espessura da camada i posterior afecta de forma mais significativa o
comportamento nos comprimentos de onda intermdios (verde). As curvas relativas aos altos
(vermelho) e baixos (azul) comprimentos de onda seguem, de forma geral, a mesma tendncia
157

nas trs amostras. O esquema apresentado na Figura 5.20 d) permite compreender as
diferenas observadas nos dados para os comprimentos de onda intermdios (regio do
verde). Na amostra mais fina (#NC4) a penetrao dos fotes com comprimento onda na
regio do verde estende-se por toda a clula posterior, o que justifica o comportamento
semelhante radiao vermelha, mesmo sob polarizao inversa. Na amostra de espessura
intermdia (#NC5), devido ao aumento da espessura da clula posterior, os fotes (da
imagem) so agora absorvidos quase na totalidade numa parcela frontal desta. Com
polarizao inversa a distribuio de potencial altera-se, fazendo aumentar o campo elctrico
na zona final da camada i posterior, onde a gerao fotoelctrica mais baixa. Isto faz com
que a fotocorrente devida ao feixe de prova aumente sob polarizao inversa, como se observa
na figura. Na amostra mais espessa (#NC7) observa-se o mesmo efeito descrito anteriormente,
diminuindo o valor da tenso necessria para fazer a fotocorrente gerada pelo feixe de prova
ultrapassar a medida no escuro.
1,0
1,0
#NC5
#NC4
S = 650 nm
0,8
escuro
L= 650 nm
L= 550 nm
L= 450 nm
0,6
Sinal (u.a.)
Sinal (u.a.)
0,8
0,4
0,2
S=650 nm
escuro
L=650 nm
0,6
L=550 nm
L=450 nm
0,4
0,2
0,0
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0,0
-6
-4
-2
a)
b)
1,0
#NC7
Sinal (u.a.)
0,8
S=650 nm
escuro
L=650 nm
L=550 nm
L=450 nm
0,6
0,4
Imagem
0,2
0,0
-6
#NC4
-4
-2
np
#NC5
#NC7
n Feixe de prova
c)
d)
funo da tenso de polarizao para os sensores a)#NC4, b)#NC5 e c)#NC7 d) Esboo da
intensidade da radiao ao longo das amostras, para diferentes comprimentos de onda.
158

Para que o dispositivo possa ser utilizado como sensor de cor necessrio que a sua resposta
espectral mostre selectividade de acordo com os parmetros de operao. Como se pode
observar na Figura 5.21 a variao da tenso de polarizao afecta de forma diferenciada a
resposta do dispositivo aos altos e baixos comprimentos de onda. Para comprimentos de onda
acima de ~600nm o sinal no afectado pela tenso de polarizao. Abaixo deste valor o sinal
apresenta um mximo para ~500nm sob polarizao inversa. Para tenses positivas a resposta
aos baixos comprimentos de onda prxima de zero pelo que o dispositivo ser apenas
Fotocorrente do scanner(A)
sensvel radiao de comprimento de onda na regio do vermelho.

1,5x10
-7
1,0x10
-7
5,0x10
-8
V=-6 V
V=-4 V
V=-2 V
V=0 V
V=+2 V
0,0
#NC5
400
450
s=650 nm
500
550
600
650
700
750
Comprimento de onda da imagem (nm)
Figura 5.21 . resposta variao do comprimento de onda da imagem para a amostra #NC5.
Utilizando a variao da resposta espectral com a tenso aplicada podemos assim obter a
informao de cor de uma imagem recorrendo captura de imagens sob diferentes tenses de
polarizao e aplicando posteriormente um algoritmo para combinao destas. Na Figura 5.22
podemos observar vrias imagens capturadas com o sensor #NC5 polarizado a -6V, -2V e 1V.
Como imagem foi utilizado o caracter 5 iluminado com luz de diferentes comprimentos de
onda. Como se pode observar com a imagem a vermelho a mesma resposta foi obtida para as
diferentes tenses. Para a imagem a verde a resposta anula-se para uma tenso prxima de 2V e para a azul a cerca de 1V.
Amostra #NC5
Tenso
-6V
-2V
Cor
1V
Vermelho
Verde
Azul
Figura 5.22 Imagens obtidas com a amostra #NC5 sob diferentes condies de iluminao.
159
Uma vez que a resposta cor fica algo fora do mbito deste trabalho mais detalhes podem ser
encontrados na bibliografia [15,16,17]. O princpio do LSP foi ainda utilizado com sucesso
em estruturas do tipo p-i-n-i-p para deteco de cor [18].
5.6. Estruturas MIS (Metal Isolante Semicondutor)

A arquitectura tpica de um pixel num sensor de imagem de estado slido composta por um
transstor (TFT) a funcionar como comutador e um dodo como sensor de luz. A carga gerada
durante o tempo de exposio armazenada na capacidade do prprio sensor e
subsequentemente transferida para um amplificador atravs do transstor. Utilizando a tcnica
LSP possvel redefinir a arquitectura do pixel, substituindo a comutao elctrica por
optoelectrnica. As principais vantagens associadas a este novo tipo de sensor so o aumento
do factor de preenchimento do pixel, uma vez que o elemento de comutao fabricado por
baixo do elemento sensor e no ao lado deste, e uma diminuio da complexidade da matriz,
resultado da simplificao da interconexo dos vrios pixels. Uma das reas em que a
tecnologia de filmes finos pode competir com a de silcio cristalino a dos sensores de grande
rea para raios-X onde, alm desta caracterstica essencial, uma vez que a utilizao de lentes
para a focagem da radiao X extremamente complexa, os dispositivos devem tambm
apresentar elevada responsividade radiao. Uma outra vantagem muito importante do
silcio amorfo face ao seu congnere cristalino a sua elevada resistncia radiao, fazendo
com que esta seja a tecnologia ideal para substituir a velha pelcula fotogrfica, ou at mesmo
outras tecnologias que entretanto apareceram.
Existem dois tipos de sensores de raios-X de estado slido, os de converso directa, onde os
fotes so absorvidos e convertidos em pares electro lacuna dentro do material
semicondutor, e os de converso indirecta, onde a radiao X convertida para a regio do
visvel por um material cintilador sendo depois utilizado um sensor ptico para a regio do
visvel. Devido ao baixo coeficiente de absoro do a-Si:H para as energias envolvidas, os
sensores de converso directa tm de apresentar uma espessura da camada activa
considervel. Por esta razo decidimos optar pela tcnica de converso indirecta para
desenvolver um sensor de raios-X de grande rea utilizando a tcnica LSP.
160

5.6.1. Estrutura
A Figura 5.23 a) mostra um esquema da estrutura do sensor de imagem de raios-X proposto.
O dispositivo composto pela sequncia vidro/ZnO:Al/(a-Si:H)p-i-n-i-p/a-SiNx:H/ITO
fabricada por PE-CVD a uma temperatura do substrato de 220C, sobre a qual
posteriormente depositado um material fosforescente para converso da radiao-X em luz
visvel. A estrutura de pixels definida pela padronizao da camada p superior. O prottipo
fabricado possui uma matriz de 42x42 pixels com um espaamento de 250m, com uma rea
do elctrodo superior de 1.2x1.2 cm2. A camada n foi fabricada com uma espessura de 30 nm
introduzindo metano durante o processo de deposio por forma a diminuir a sua
condutividade. Este passo de especial importncia uma vez que correntes laterais elevadas
nesta camada degradariam a performance do sensor, assim como acontece no sensor LSP
[19]. As espessuras das camadas intrnsecas so de 600 nm e 200 nm para o dodo superior e
inferior respectivamente. Mais detalhes acerca das condies de deposio podem ser
encontrados em trabalhos publicados [20]. Para fins de teste e caracterizao optoelectrnica
foram fabricados num mesmo substrato dispositivos com diferentes reas e outras estruturas
de teste, como dodos p-i-n, necessrias para efeitos de calibrao. A Figura 5.23 mostra uma
fotografia do conjunto. Note-se que o encapsulamento apenas foi utilizado para aumentar a
robustez dos dispositivos evitando que estes se danificassem facilmente durante a fase de
caracterizao optoelectrnica. Numa aplicao prtica, a tcnica de encapsulamento teria de
ser diferente para permitir a iluminao do sensor pela parte de baixo.
a)
b)
Figura 5.23 a)Estrutura do sensor de raios-X com endereamento ptico, b)fotografia do
dispositivo de testes encapsulado.

Para melhor compreender o princpio de funcionamento deste sensor vamos recorrer ao seu
circuito elctrico equivalente, apresentado na Figura 5.24 a). O circuito equivalente de cada
161

pixel pode ser descrito por uma capacidade C na qual ser armazenada a carga gerada e dois
dodos ligados costas com costas. O condensador formado entre o contacto superior de
ITO e um dos segmentos da camada p, sendo o dielctrico formado pela camada de SiNx. Um
amplificador externo encarrega-se de converter a carga armazenada numa tenso, que depois
ser registada por um osciloscpio digital ou por outro sistema de aquisio de sinal.
A estrutura p-i-n-i-p apresenta duas funes distintas, dependendo da polarizao elctrica
aplicada, sendo utilizada como elemento de converso fotoelctrica durante a fase de
converso, e elemento comutador na fase de leitura. Na etapa de converso aplicada uma
tenso positiva (ver Figura 5.24 b)) ao elctrodo inferior causando uma redistribuio do
potencial elctrico entre a capacidade C e a prpria capacidade da estrutura n-i-p superior,
definida pela relao entre as capacidades dos dois elementos. Como a camada de SiNx mais
fina do que a estrutura de aSi:H a queda de tenso atravs da estrutura p-i-n-i-p superior
quela atravs da camada de SiNx. Aps a aplicao da tenso de polarizao e depois de
decorrido o tempo necessrio para ultrapassar o transiente inicial ligada a fonte de radiaoX, sendo esta convertida para radiao na banda do visvel pela camada de material cintilador.
A luz emitida pelo fsforo ento absorvida no dodo n-i-p superior que se encontra
inversamente polarizado. O campo elctrico encarrega-se ento de separar as cargas geradas
carregando o condensador. Aps desligar a fonte de radiao, a tenso de polarizao
reposta a zero e d-se inicio fase de leitura. Durante esta fase o feixe laser (=633 nm) vai
percorrer toda a superfcie activa do sensor, polarizando os diversos comutadores p-i-n-i-p de
modo a transferir a carga acumulada em cada pixel para o amplificador de carga externo. O
sistema de varrimento utilizado foi j descrito num capitulo anterior.
Figura 5.24 a)Circuito equivalente do sensor e b) diagramas temporais da operao do

mesmo.
5.6.3. Resultados
Para comprovar o funcionamento do dispositivo foi montado um prottipo para teste,
utilizando a tcnica de varrimento rpido descrita anteriormente. A parte de converso de
162

raios-X em luz visvel no foi includa uma vez que se trata de uma tcnica standard bastante
utilizada e no indispensvel para o teste do sensor dado que este sensvel a radiao visvel.
Foi ento utilizada uma mscara com trs fendas para projectar uma imagem composta por
trs riscas iluminadas sobre a superfcie frontal do sensor. A Figura 5.25 mostra o sinal obtido
para uma linha utilizando impulsos de polarizao com 5 V de amplitude a uma taxa de
aquisio de 400 linhas por segundo. Como pode ser observado, o sinal obtido no apresenta
a caracterstica ideal de degrau na transio entre zonas iluminadas e escuras. Este efeito pode
ter diversas origens, de entre as quais se podem destacar: desfocagem do feixe de varrimento
(o dimetro do feixe dever ser inferior dimenso de um pixel); Correntes laterais
provocando interferncia entre pixels adjacentes. O referido dispositivo encontra-se ainda em
estudo por forma a optimizar o seu funcionamento, sendo ainda necessrio efectuar diversos
testes, nomeadamente utilizando raios-X aps a deposio da camada cintiladora. Mais
informao relativa ao funcionamento do dispositivo pode ser encontrada em trabalhos
publicados [21].
1.0
Signal (V)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
Position (mm)
Figura 5.25 Sinal obtido durante o varrimento de uma linha com uma tenso de 5V.
5.7. Trabalho em curso

Aps um esforo considervel para o desenvolvimento dos sensores de imagem do tipo LSP
baseados exclusivamente em estruturas p-i-n, apresentados nos sub-captulos 5.2 a 5.5, os
primeiros resultados obtidos com a introduo de estruturas MIS (sub-captulo 5.6)
mostraram-se promissores. Aliando a simplicidade compatibilidade com o processo
comercial de fabrico de TFTs foi proposta a utilizao de uma estrutura MIS com camada
activa de a-Si:H como sensor de imagem para raios-X, ver Figura 5.26.
163
Figura 5.26 Estrutura do dispositivo proposto para sensor de raios-X.

O principio de funcionamento do dispositivo semelhante ao apresentado na seco 5.6, pelo
que tambm neste caso necessrio polarizar o dispositivo de forma sequencial por forma a
transferir a carga gerada opticamente no dispositivo para o exterior.
A Figura 5.27 a) apresenta um diagrama de blocos do sistema de medida utilizado para a
caracterizao do dispositivo. O amplificador de carga e o interruptor S1 so implementados
por um integrador comutado de baixo rudo da Texas Instruments (Ref: ACF2101). Este
circuito integrado dispe internamente de condensadores de 100pF de preciso para
integrao. No entanto, o seu valor baixo limita a quantidade de carga que pode ser
armazenada, o que levou a que se utilizasse um condensador externo com um valor de 1 nF. O
aumento do valor da capacidade permite a caracterizao de estruturas com maior rea e a
utilizao de fluxos luminosos mais elevados sem que o amplificador sature. Dependendo do
tipo de caracterizao a efectuar, o sinal de sada do integrador pode depois ser medido por
um amplificador lock-in ou por um osciloscpio digital e armazenado num computador para
processamento posterior.
Figura 5.27 a) Diagrama de blocos do sistema de caracterizao e medida utilizado, b)

temporizao dos diversos sinais.
164

Dependendo da tenso de polarizao, o dispositivo opera em dois modos (1) refrescamento e
(2) converso. Como indicado na Figura 5.27 b) Voffset e Vc so as tenses aplicadas ao ctodo
durante os perodos de refrescamento e converso respectivamente, enquanto o nodo
permanece ao potencial da massa, imposto pelo integrador. No modo de converso o
amplificador de carga integra a corrente proveniente da estrutura MIS durante um perodo de
tempo Tint. O atraso T1 entre a polarizao e o comeo da integrao permite a carga da
capacidade de origem geomtrica da estrutura MIS, que de outra forma influenciaria o sinal
de sada.
A Figura 5.28 apresenta a resposta espectral do dispositivo medida com o amplificador lockin com Vpulse = 4 V e Voffset = 2 V. As franjas de interferncia observadas para altos
comprimentos de onda provm da reflexo da luz na interface SiNx/Mo. A eficincia quntica
externa atinge um valor mximo de 71% a cerca de 575 nm, diminuindo para os baixos
comprimentos de onda. A resposta obtida particularmente apropriada para a utilizao em
conjunto com materiais cintiladores para deteco de raios-X, uma vez que o pico de emisso
destes se situa tipicamente na regio do verde.
0.8
QE(el./ph.)
0.6
0.4
0.2
0.0
400
500
600
700
800
Wavelength (nm)
Figura 5.28 Resposta espectral da estrutura MIS com uma amplitude do impulso de
refrescamento de 4V.
Adicionalmente caracterstica de resposta espectral, foram ainda determinadas a
dependncia do sinal com as tenses de polarizao no escuro e sob iluminao de diferentes
comprimentos de onda, estando estes resultados publicados [22]. A investigao das
caractersticas deste tipo de estrutura continua em curso, tendo os ltimos resultados
publicados [23, 24] indiciado que este dispositivo um promissor candidato substituio
dos dodos p-i-n como sensores de luz, nomeadamente em sensores de matriz activa. A
165

ausncia da camada dopada tipo p faz com que a sequncia das camadas que compem o
comutador (TFT) e o sensor (MIS) seja a mesma (ver Figura 5.29), o que uma vantagem
importante em termos de processo de fabrico, uma vez que diminui o nmero de etapas do
mesmo, baixando o custo de produo e aumentando o rendimento.
Figura 5.29 Estrutura tpica para dispositivos p-i-n, TFT e MIS.

Esta linha de investigao revelou resultados promissores pelo que a opo pelo seu
prosseguimento parece evidente. O relativamente complexo esquema de polarizao utilizado
faz com que seja necessrio continuar o estudo da variao das caractersticas dos dispositivos
em funo dos diferentes parmetros.
5.8. Concluses
Neste captulo foram apresentados os resultados experimentais obtidos para diferentes
estruturas utilizando a tcnica LSP. Os resultados obtidos demonstram que a tcnica proposta
muito verstil, permitindo a deteco de imagem em tons de cinzento ou a cores, sem a
utilizao de filtros pticos. A evoluo da estrutura p-i-n simples para estruturas mais
complexas permitiu melhorar as prestaes do sensor, nomeadamente a nvel da resoluo,
sensibilidade e relao sinal rudo.
Os resultados preliminares apresentados mostram que a tcnica pode tambm ser utilizada
com sucesso em estruturas MIS baseadas em a-Si:H. Este tipo de estrutura aparece como forte
candidato para aplicaes em sensores de imagem de grande rea, nomeadamente ao nvel da
deteco de raios-X, e como tal surgiu como uma linha de investigao natural.
166
5.9. Referncias
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Technology, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 989 (2007) A12.06.
168
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Tredwell, Arokia Nathan, Transient current in a-Si:H-based MIS photosensors,
Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology, Mat. Res.
Soc. Symp. Proc., 1066 (2008) A18.06.
169
170
Captulo 6 Concluses e perspectivas futuras
Imagens capturadas com diferentes sensores
Captulo 6
6.
Concluses e perspectivas futuras

6.1. Concluses
A tese aqui apresentada reflecte o trabalho de investigao desenvolvido ao longo de um

perodo de tempo relativamente alargado, que conduziu ao desenvolvimento de um conceito
inovador de sensor de imagem de grande rea baseado na tecnologia de silcio amorfo
hidrogenado.
Actualmente o mercado dos sensores de imagem dominado pelos sensores em tecnologia
CMOS, em parte devido ao grande impulso dado pelo desenvolvimento desta tecnologia no
fabrico de circuitos integrados digitais. No entanto, o facto de esta ser uma tecnologia de
silcio cristalino faz com que a rea til do sensor esteja limitada dimenso dos substratos
disponveis comercialmente (na prtica a uma pequena fraco desta). Esta divergncia entre
a rea do sensor e o tamanho da cena faz com que para a captao de imagens seja necessrio
recorrer a um sistema ptico, mais ou menos complexo, que permite mapear a imagem na
superfcie activa do sensor. Este sistema contribui de forma significativa para a diminuio
171

das prestaes do sensor, uma vez que introduz distores cromticas e geomtricas, alm de
tornar o sistema mais volumoso. Existem ainda situaes em que os elementos que compem
este sistema, nomeadamente as lentes, so de obteno difcil, nomeadamente para aplicaes
com raios-X. Impelidos pelas limitaes apresentadas, em termos de rea, pelos sensores
cristalinos, e aps alguns resultados encorajadores obtidos com sensores pticos em
tecnologia de silcio amorfo, surgiu a ideia de investigar a possibilidade de construir sensores
de grande rea nesta tecnologia.
Uma imagem tpica contm uma quantidade de informao muito elevada (cor, contraste, ...)
o que faz com que a sua deteco no possa ser feita com um sensor ptico simples, uma vez
que estes do um sinal proporcional mdia das condies de iluminao da sua rea activa.
A abordagem tpica para a resoluo deste problema consiste em discretizar a imagem em
parcelas muito mais pequenas, chamadas pixels, por forma a que a informao presente em
cada uma destas parcelas possa ser captada com um sensor ptico simples. A obteno da
imagem completa passa assim pela combinao da informao captada em cada um dos pixels
sob a forma de uma matriz. Na prtica, a forma trivial de implementar esta tcnica consiste
em utilizar um grande nmero de fotododos dispostos em forma de matriz. A carga
fotogerada em cada pixel transformada numa tenso e conduzida periferia do circuito por
intermdio de transstores que so ligados ou desligados sequencialmente. Esta abordagem
consiste assim em fazer um endereamento elctrico de cada pixel, e conduz a uma soluo
que, embora funcional, aumenta bastante a complexidade do circuito, uma vez que
tipicamente por cada pixel so necessrios trs transstores MOS. O elevado nmero de
transstores que compem o pixel provoca uma diminuio da rea activa efectiva disponvel
para a deteco da radiao, diminuindo a sensibilidade do sensor.
Neste trabalho foi proposto um novo tipo de sensor de imagem que permite em grande medida
evitar o inconveniente atrs descrito, e ao mesmo tempo simplificar bastante o processo de
fabrico. Em substituio do endereamento elctrico utilizado endereamento ptico. Esta
abordagem permite simplificar a estrutura do pixel ao extremo, sendo mesmo desnecessria a
sua individualizao. O sensor de imagem assim composto por uma estrutura nica (p-i-n)
de grande rea, como permitido pela tecnologia de silcio amorfo. No entanto, alguma da
complexidade eliminada na estrutura do pixel transferida para o sistema de endereamento
ptico, considerando-se ainda assim o balano total positivo, j que o componente mais
importante do sistema a estrutura de silcio amorfo.
O trabalho de investigao desenrolou-se em duas grandes linhas que no final convergiram
para a realizao do prottipo do sensor de imagem, a saber designadamente:
172

Desenvolvimento da estrutura p-i-n do sensor de imagem; E o desenvolvimento do sistema de
endereamento ptico.
Desenvolvimento da estrutura p-i-n

Partindo da ideia base que a componente activa do sensor de imagem podia ser composta
apenas por uma estrutura p-i-n de grande rea comeou por investigar-se as caractersticas
optoelectrnicas dos materiais que iriam formar a estrutura. Esta etapa foi de especial
importncia uma vez que devido no existncia de isolamento fsico entre os pixels, era
necessrio encontrar um material semicondutor que minimizasse as correntes elctricas entre
as zonas iluminadas e escuras do sensor. Estas correntes, tambm existentes nos sensores de
matriz activa, conduzem a uma degradao das caractersticas do sensor de imagem dando
origem a um efeito de borro na imagem.
Um dos processos fundamentais do sensor de imagem apresentado consiste na modulao do
potencial interno na juno pelas condies locais de iluminao, permitindo a utilizao de
um feixe de luz de baixa intensidade para sondar as condies de iluminao em toda a rea
do sensor. Os dois factores atrs indicados levaram a que se inclussem tambm no estudo
heteroestruturas baseadas em a-Si:H/a-SiC:H. Estes materiais foram estudados recorrendo a
diferentes ferramentas de diagnstico por forma a determinar as suas caractersticas
optoelectrnicas. O estudo recaiu inicialmente sobre os materiais isolados, evoluindo depois
para estruturas p-i-n formadas com estes materiais.
Caracterizao das camadas individuais

Para a caracterizao dos materiais que viriam a compor a estrutura do sensor, estes foram
depositados em substratos de vidro ou de silcio cristalino. As amostras obtidas foram depois
intensivamente analisadas para determinao das suas caractersticas estruturais, pticas e
elctricas.
As caractersticas estruturais foram obtidas por espectroscopia de infravermelhos. Esta tcnica
permite a identificao dos diferentes grupos moleculares presentes no material, pela anlise
dos seus modos vibracionais, permitindo nomeadamente determinar a forma como os tomos
de carbono e hidrognio se ligam na matriz de silcio.
A caracterizao elctrica foi efectuada atravs da medida experimental da dependncia da
condutividade no escuro com a temperatura para uma gama de temperaturas entre a
temperatura ambiente e aquela a que o filme foi fabricado. Estas medidas permitiram aferir a
173

energia de activao dos diversos materiais. A fotocondutividade dos materiais foi tambm
determinada temperatura ambiente sob condies de iluminao AM1.5.
A tcnica de espectrometria de transmisso na gama UV/VIS/NIR e o mtodo de fotocorrente
constante (CPM) foram utilizados para analisar as caractersticas pticas dos materiais para as
diferentes energias da radiao. A primeira til na zona de forte absoro ptica enquanto o
segundo utilizado para a zona de fraca absoro. A existncia de uma zona de sobreposio
da aplicabilidade dos dois mtodos permite a comparao dos resultados obtidos e a
caracterizao num espectro de energias mais alargado.
A espessura dos diferentes filmes foi obtida pelas medidas de transmisso e confirmada em
alguns casos com recurso a um perfilmetro. Destas medidas foi ainda obtida a dependncia
do coeficiente de absoro com o comprimento de onda da radiao e o diagrama de Tauc,
permitindo a determinao do hiato ptico.
As medidas de CPM forneceram informao sobre a desordem estrutural dos materiais e sobre
a densidade de defeitos que so indicadores da qualidade do material.
Os resultados obtidos permitiram compreender diversas caractersticas dos diferentes filmes,
nomeadamente o efeito da incorporao de carbono nas camadas dopadas.
Para o fabrico do material intrnseco foram consideradas as condies de deposio tpicas
utilizadas no fabrico de clulas solares, pelo que as suas caractersticas no se afastaram muito
dos valores tpicos. As amostras apresentavam uma fotosensibilidade elevada (da ordem de
7104) e condutividades no escuro baixas (da ordem de 710-11 -1cm-1). O hiato ptico de
1.79 eV est tambm de acordo com o previsto, sendo que a energia de Urbach observada
indica que a desordem estrutural do material no muito acentuada, sendo baixa a densidade
de defeitos. Estes valores comprovam as boas propriedades optoelectrnicas do material.
A espectroscopia de infravermelhos mostrou ainda que o hidrognio presente no material se
apresentava maioritariamente na forma de grupos SiH, no sendo evidente a existncia de
grupos SiH3, porosidades ou cadeias polimricas. O espectro indicava ainda a presena de
grupos SiH2, o que caracterstico do material fabricado por PE-CVD.
No fabrico dos filmes de tipo p foram utilizados diferentes nveis de dopagem e diferentes
composies do material por incorporao de carbono. A incorporao de carbono foi
conseguida introduzindo metano no reactor durante o crescimento do filme. Os resultados
mostram que para a gama considerada a proporo de carbono incorporado est directamente
relacionada com o fluxo de CH4, uma vez que com o aumento do fluxo de metano se
observou um aumento do numero de grupos Si-CH3. Adicionalmente, observou-se ainda um
174

aumento da energia de activao e do hiato ptico, e uma diminuio da condutividade no
escuro.
Nas amostras sem carbono, como era de esperar, a condutividade no escuro temperatura
ambiente superior observada para o filme intrnseco, devido presena de portadores extra
causada pela dopagem.
O baixo valor da condutividade no escuro observado nas amostras com carbono, na gama
10-8 - 10-12 -1cm-1, est de acordo com o pretendido para a reduo das correntes laterais na
camada p. Esta diminuio, bem como o aumento da energia de activao, podem ser
explicadas pela incorporao de carbono no material, que resulta numa diminuio do nmero
de portadores e no aumento da densidade de defeitos. Estes filmes apresentaram
caractersticas elctricas prximas do material intrnseco, mantendo-se no entanto baixa a
fotosensibilidade. A incorporao de carbono apresenta ainda efeito a nvel do hiato ptico,
observando-se um aumento com a percentagem de carbono incorporado. No entanto, este
aumento pode ter diversas origens, dependendo da quantidade de carbono incorporado. Para
baixas concentraes o hiato principalmente influenciado pela incorporao substitucional
de tomos de carbono, formando ligaes Si-C. Com o aumento da quantidade de carbono
aparecem grupos CHn funcionando como terminadores e fazendo com que o hiato aumente
ainda mais. Esta concluso pode ser extrada da anlise dos espectros de infravermelhos, que
confirmam a presena de grupos CHn e Si-CH3 cuja abundncia proporcional ao fluxo de
metano utilizado durante o depsito do material.
Os filmes tipo n foram fabricados de uma forma similar ao tipo p apresentados anteriormente.
No entanto a diferena de algumas caractersticas observadas sugere que a incorporao de
carbono se faz de forma algo diferente. Os valores da condutividade no escuro so da mesma
ordem de grandeza, diminuindo com a incorporao de carbono e tendendo para o observado
nos filmes intrnsecos. No entanto, a energia de activao segue um andamento inesperado,
aumentando para um fluxo de metano baixo a moderado, e diminuindo para elevados fluxos.
No que diz respeito ao hiato ptico os valores observados so similares aos obtidos para o
material de tipo p, indicando idntica incorporao de carbono. Este facto foi comprovado
pela anlise estrutural uma vez que os espectros de infravermelhos mostram que a magnitude
dos picos atribudos aos estados vibracionais dos grupos S-CH3 no depende do fluxo de
metano. Deve portanto ser assinalado que para a gama de fluxos utilizada se observa uma
saturao da incorporao de carbono, no observada no caso do material tipo p.
175

Em resumo, a incorporao de carbono nas camadas dopadas permite obter valores do hiato
ptico e da condutividade no escuro apropriados para a utilizao nos sensores de imagem de
grande rea do tipo LSP.
Caracterizao das estruturas p-i-n

Para melhor compreender a influncia da incorporao de carbono nas camadas dopadas,
foram fabricadas diversas estruturas p-i-n utilizando os materiais previamente apresentados.
Estes dispositivos foram depois estudados recorrendo a diversas tcnicas, nomeadamente a
medida de caractersticas I/V e C/V no escuro e sob iluminao e resposta espectral. Os dados
experimentais obtidos, juntamente com os resultados de simulao numrica de estruturas
similares, permitiram perceber os mecanismos de transporte de carga no dispositivos, e de que
forma so influenciados pelas condies de iluminao. A simulao numrica mostrou ser
um auxiliar importante para a investigao, uma vez que permite obter de forma rpida os
perfis de gerao/recombinao, campo elctrico, densidade de corrente, etc..., atravs dos
dispositivos.
Para clarificar o funcionamento do dispositivo a anlise foi apresentada em duas partes,
primeiro de forma unidimensional segundo o eixo perpendicular juno, e depois de forma
bidimensional, relativa superfcie activa do sensor.
Relativamente anlise 1D nas diversas medidas experimentais, a rea activa do dispositivo
foi iluminada homogeneamente sob diferentes condies de intensidade e polarizao
elctrica, sendo a corrente registada para posterior tratamento. Dado o elevado nmero de
amostras e medidas a efectuar, foram desenvolvidos diferentes programas em linguagem C ou
BASIC por forma a automatizar as diferentes medidas.
Como demonstrado, o princpio bsico que suporta a tcnica do LSP, consiste na modulao
da distribuio do campo elctrico interno pelas condies de iluminao. Numa estrutura p-in tpica, com camadas p e n fortemente dopadas, sob polarizao inversa o campo elctrico
nulo atravs das zonas dopadas, e elevado na zona intrnseca. Esta distribuio do campo
elctrico permanece inalterada mesmo sob iluminao intensa, uma vez que os portadores
gerados na zona i so prontamente acelerados pelo campo em direco aos contactos e
colectados. Desta forma a responsividade mantm-se praticamente constante com a
intensidade da luz incidente. Por outro lado, se uma ou ambas as camadas dopadas
apresentarem
uma
condutividade
no
escuro
baixa,
mantendo
tambm
baixa
fotocondutividade, como acontece caso sejam baseadas em a-SiC:H e com teor de dopagem
inferior, este comportamento altera-se radicalmente. Nestes dispositivos, para tenses de
176

polarizao prximas de zero, a distribuio do campo elctrico interno observada no escuro
semelhante ao tpico No entanto, quando este iluminado o campo elctrico redistribui-se,
deixando de ser nulo na camada ou camadas baseadas em a-SiC:H, e diminui no volume da
zona i. Esta diminuio provoca uma diminuio da eficincia de coleco, resultando numa
mais baixa responsividade. Esta dependncia da responsividade com a intensidade de
iluminao pode ser determinada utilizando um feixe de luz de baixa intensidade como sonda.
Mantendo constante a intensidade do feixe de prova, a fotocorrente gerada por este e medida
externamente depende das condies de iluminao (princpio do LSP).
Os dispositivos analisados apresentavam diferentes composies das camadas dopadas,
verificando-se que com o aumento da incorporao de carbono a magnitude da fotocorrente
diminu. No entanto observa-se uma maior variao com a intensidade da luz de fundo
saturando para valores mais baixos desta. Baseado neste facto, o dispositivo pode ser
dimensionado para apresentar uma maior sensibilidade ou um maior alcance dinmico
aumentando ou reduzindo a incorporao de carbono, respectivamente. Contrariamente aos
sensores pticos comuns, que apresentam uma relao entre o sinal e a intensidade da luz
aproximadamente linear, neste tipo de sensor existe uma relao logartmica, muito prxima
da que apresentada pelo olho humano. Esta caracterstica pode ser utilizada para construir
sensores com resposta semelhante do olho humano.
Com base nos resultados experimentais foi proposto um modelo elctrico para o dispositivo a
uma dimenso que modela a diminuio da coleco observada para baixos valores da tenso
de polarizao com um fotododo de barreira modulada. Os resultados de simulao obtidos
comprovaram a aplicabilidade do modelo.
A aplicao do conceito atrs apresentado para um sensor de imagem directa, bastando
diminuir o dimetro do feixe de prova e faz-lo percorrer a superfcie activa do sensor de uma
forma sequencial registando a fotocorrente gerada em cada ponto (pixel). Como o sinal
medido para cada ponto depende das condies de iluminao de fundo (imagem) obtemos
assim uma representao bidimensional das condies de iluminao da superfcie do sensor,
ou seja a imagem. De notar que, muito embora no exista uma discretizao espacial do
sensor (pixels), na prtica estes so criados artificialmente movendo o feixe de prova para
uma determinada posio do espao. Para que este princpio funcione correctamente,
necessrio limitar as correntes laterais nas camadas dopadas. Esta exigncia tambm
cumprida pela utilizao de uma ou ambas as camadas dopadas baseadas em a-SiC:H de baixa
condutividade.
177

Tambm neste caso foi proposto um modelo elctrico em que o sensor representado por uma
matriz de fotododos interligados por uma rede de resistncias a modelar a resistividade das
camadas baseadas em a-SiC:H. Os resultados obtidos foram concordantes com os
experimentais. No entanto, uma vez que se trata de um modelo discreto, no caso de um sensor
com um elevado nmero de pixels a simulao pode tornar-se fastidiosa devido ao elevado
nmero de componentes utilizados.
A resoluo do dispositivo determinou-se estar relacionada com factores como a dimenso do
feixe de prova e as caractersticas da estrutura, nomeadamente a incorporao de carbono.
No que diz respeito s fontes de rudo, num sistema desta complexidade elas podem ser da
responsabilidade de diversos componentes do sistema. As fontes mais importantes foram
indicadas e estudadas, propondo formas de diminuir a sua influncia no sinal. Um dos tipos
de rudo com maior peso no resultado final mostrou ser o chamado rudo de padro fixo, que
pode ter origem na estrutura p-i-n ou no sistema de varrimento ptico. No entanto, o efeito
deste pode ser minimizado subtraindo a cada imagem o sinal captado com o sensor no escuro.
Uma caracterstica de especial importncia para os sensores pticos a sua resposta espectral,
uma vez que define o seu comportamento com os diferentes comprimentos de onda do
espectro visvel. O trabalho experimental mostrou que em curto-circuito a resposta espectral
do sensor se aproxima bastante de uma estrutura p-i-n de silcio amorfo tpica, apresentando
um mximo aproximadamente a 600 nm. No entanto, a resposta espectral neste dispositivo
bastante dependente da tenso de polarizao, podendo o mximo deslocar-se para a zona
baixa do espectro (450nm) para tenses de polarizao directas. Este efeito permite, como foi
demonstrado, utilizar o sensor LSP como sensor de cor sem a utilizao de filtros de cor.
Neste caso a informao de cor obtida captando vrias imagens a tenses de polarizao
diferentes, sendo a imagem a cor obtida a partir destas por um algoritmo simples.
Desenvolvimento do sistema de endereamento ptico

Um bloco fundamental do sensor do tipo LSP o sistema de varrimento ptico. Este
responsvel por criar o feixe de luz de prova com dimenso, intensidade e comprimento de
onda definidos, e por fazer com que este incida num ponto conhecido da superfcie activa do
sensor. Este sistema composto por dois blocos distintos: a fonte de luz e o deflector x/y.
A fonte de luz engloba uma fonte de radiao e a ptica de focagem e controlo de intensidade
do feixe. Na prtica, qualquer fonte de radiao visvel poderia ser utilizada, nomeadamente
uma lmpada de filamento ou um LED. No entanto, a opo pela utilizao de um laser
permite simplificar bastante o restante sistema ptico, uma vez que a luz j se encontra
178

colimada e apresenta uma baixa flutuao de intensidade. Durante os trabalhos de
investigao foram utilizadas diversas fontes laser, nomeadamente um laser gasoso de HeNe
(=633 nm; P<5 mW), diversos mdulos de estado slido (=650 nm; P<1 mW) e um
mdulo DPSS (=532 nm; P<5 mW). O laser de gs foi utilizado na maior parte do trabalho
experimental de caracterizao mas no o mais adequado para a implementao do
prottipo, devido sua dimenso, fragilidade e impossibilidade de controlo da potncia de
emisso. Os mdulos de estado slido mostraram ser os mais indicados uma vez que a
intensidade do feixe pode ser controlada electricamente, no sendo necessrio recorrer a
filtros neutros que aumentam a dimenso do sistema.
O bloco de deflexo x/y do feixe, como o nome indica, est encarregue de orientar o feixe de
prova para determinado ponto da superfcie activa do sensor. Este pode ser implementado
seguindo diferentes tcnicas, nomeadamente utilizando deflectores acusto-pticos ou
espelhos. A primeira abordagem foi imediatamente posta de parte pois, muito embora no
apresente partes mveis, o que uma vantagem evidente, apresenta um ngulo de deflexo
limitado a alguns graus, e de construo e alinhamento bastante complexos. Optou-se assim
pela soluo mecnica de utilizar dois espelhos que rodam sobre eixos orientados
perpendicularmente. Uma soluo lgica seria recorrer utilizao de galvanmetros
acoplados a espelhos, que apresentam a vantagem de estar disponveis comercialmente. No
entanto, optou-se por construir um deflector X/Y de raiz recorrendo a motores de passo. Esta
soluo de baixo custo permite ainda uma estabilidade muito mais elevada para baixas
velocidades de varrimento. O inconveniente principal foi a necessidade de desenvolver e
construir, alm da parte mecnica, o sistema electrnico de controlo dos motores de passo e a
integrao no software de medida.
O deflector X/Y desenvolvido para a caracterizao dos sensores apresenta uma velocidade de
varrimento bastante baixa, o que levou ao desenvolvimento de um outro prottipo para
varrimento rpido. Neste mdulo manteve-se a ideia bsica de utilizar dois espelhos, no
entanto o tipo de motores foi alterado para permitir velocidades mais elevadas. Para o motor
do eixo X foi utilizado um motor de corrente contnua sem escovas (BLDC) e para o Y um
motor do tipo voice coil. A performance deste sistema limitada pelas caractersticas do
motor X uma vez que este define o nmero de linhas de imagem que podem ser adquiridas
por segundo, o que, em ltima anlise limita o nmero de quadros por segundo que se pode
atingir. O motor BLDC utilizado permite atingir uma velocidade de rotao bastante elevada
~20 krpm e, uma vez que est acoplado a um espelho poligonal com seis faces, permite
atingir cerca de 2000 linhas por segundo. Desta forma existe um compromisso entre o nmero
179

de linhas da imagem e o nmero de quadros por segundo. O sistema de varrimento fornece
dois sinais de nvel TTL ao hardware de aquisio para efectuar o sincronismo de linha e de
quadro. Este tipo de sistema de varrimento introduz no entanto uma distoro geomtrica que
pode todavia ser corrigida utilizando lentes especiais designadas por F-Theta.
O sistema de aquisio de sinal do prottipo composto por um conversor corrente tenso
(SR570) e uma placa de aquisio (KPCI2101). Como esta placa de aquisio tem uma taxa
de amostragem limitada a 200 ksps, o nmero de imagens por segundo e a resoluo ficam
bastante limitados. No entanto, o prottipo serve apenas de prova conceptual. O software
desenvolvido para a aquisio de imagem com este sistema limitou ainda mais as prestaes
do sistema fazendo com que para uma imagem com uma dimenso de 100x100 pixels se
atingisse apenas uma razo de 2 imagens por segundo.
O prottipo construdo permitiu confirmar a possibilidade de aquisio de imagem em tempo
real com sensores do tipo LSP. O ponto fraco do conjunto est, no entanto, no sistema
mecnico, uma vez que a limitao do sistema de aquisio facilmente ultrapassvel
utilizando uma placa de aquisio com uma taxa de amostragem mais elevada. Uma soluo
possvel seria utilizar um micro-espelho accionvel electronicamente, infelizmente esta
soluo ainda se encontra em desenvolvimento, no estando disponvel comercialmente.
Optimizao da estrutura do sensor

Alm da estrutura p-i-n original foram estudadas outras estruturas e tcnicas de operao do
sensor LSP. Aproveitando a variao da resposta espectral com a tenso de polarizao foi
demonstrada a possibilidade de aquisio de imagens a cores com o sensor LSP, sendo neste
caso denominado CLSP (color laser scanned photodiode). O conceito foi provado utilizando
uma imagem composta por componentes verde e vermelha apenas, sendo que aplicando
diferentes tenses as respostas a estes comprimentos de onda se anulam, permitindo assim
obter a imagem em cor pela combinao das imagens captadas s diferentes tenses. Numa
tentativa de optimizar a resposta cor foram testadas outras estruturas mais complexas
compostas por dois dodos p-i-n. Numa primeira fase foi testada uma estrutura p-i-n-p-i-n
com a camada i frontal baseada em a-SiC:H. O hiato ptico mais elevado desta camada faz
com que apenas os baixos comprimentos de onda sejam absorvidos. Desta forma os altos e
baixos comprimentos de onda so absorvidos em regies activas diferentes. Este dispositivo
denominado D/CLSP apresenta tambm uma resposta espectral dependente da tenso
aplicada, possibilitando portanto a deteco da informao de cor. A adopo deste tipo de
estrutura permite ainda um aumento da relao sinal rudo uma vez que para os baixos
180

comprimentos de onda a amplitude do o sinal aumenta. Foram efectuados testes de captura de
imagens a cores que comprovaram o funcionamento do dispositivo.
Um dos principais inconvenientes do sensor LSP face a um sensor ptico normal a reduo
da relao sinal/rudo, uma vez que o sinal que contm a informao da imagem apenas uma
parcela da corrente total na estrutura. Com o intuito de melhorar a relao sinal/rudo foram
fabricadas novas estruturas empilhadas do tipo p-i-n-p-i-n com uma blindagem ptica
intermdia. Desta forma o feixe de prova e a imagem so absorvidos em regies activas
diferentes. O resultado aps algumas optimizaes da estrutura original foi uma melhoria
significativa das caractersticas do sensor obtendo-se um aumento da responsividade e da
resoluo para todos os comprimentos de onda da imagem.
Alm de vidro, outros tipos de substrato foram testados, nomeadamente substratos flexveis
de PET. O fabrico de sensores de imagem em substratos tem algum interesse uma vez que
podendo controlar-se a curvatura da rea activa do sensor o sistema ptico pode ser
simplificado. Um exemplo disto seria a utilizao de um sensor com a forma de uma calote
esfrica, o que permitiria eliminar a lente F-Theta do sistema de varrimento. Os dispositivos
fabricados em substrato flexvel foram caracterizados utilizando as mesmas tcnicas que os
fabricados em substrato de vidro. As caractersticas observadas nos dois tipos de dispositivos
diferiram bastante, nomeadamente a nvel da resposta espectral. No entanto as imagens
capturadas com iluminao a vermelho so comparveis em termos de resoluo e razo
claro/escuro com as obtidas para a estrutura #M007192. Quando comparadas com as amostras
em substrato de vidro fabricadas em simultneo, verificou-se que a utilizao do substrato
flexvel degrada as caractersticas do dispositivo. A origem das diferenas observadas no
pode ser determinada uma vez que no foram fabricados mais dispositivos. No entanto, as
imagens capturadas permitem confirmar a possibilidade de utilizao da tcnica LSP em
dispositivos de substrato flexvel.
Uma nova linha de investigao surgiu recentemente utilizando estruturas MIS. Os resultados
de caracterizao preliminares confirmam a possibilidade de utilizao de endereamento
ptico (tcnica LSP) em substituio do endereamento elctrico tpico. Esta abordagem
permite simplificar a construo do painel de deteco de imagem, ao mesmo tempo que
permite aumentar a sensibilidade do dispositivo, uma vez que o espao ocupado pelos
transstores de comutao fica disponvel para a deteco de radiao.
181

Aplicaes
Uma tecnologia s interessante em termos prticos se puder ser utilizada em aplicaes
comerciais. Durante o desenvolvimento dos trabalhos de investigao algumas ideias para
aplicao prtica foram surgindo. Destas algumas foram implementadas e testadas, outras,
por diferentes razes permaneceram apenas no papel.
Uma vez que a tecnologia utilizada permite fabricar dispositivos de grande rea uma das
aplicaes a de sensor de imagem por contacto. Esta tcnica pode por exemplo ser utilizada
para digitalizao de documentos. O sensor neste caso ter a dimenso do documento a
digitalizar, o qual posto em contacto com o sensor (tipicamente no lado do substrato). O
feixe de prova varre ento a superfcie activa do sensor proveniente do lado oposto, sendo
registado o sinal da imagem. Esta tcnica foi testada com os sensores disponveis em pequena
escala. Uma das aplicaes implementada foi a captura de impresses digitais, tendo os
resultados obtidos provado o conceito.
Uma aplicao de excelncia da tecnologia de silcio amorfo est na deteco de radiao de
alta energia, devido sua robustez intrnseca. Contrariamente aos seus congneres cristalinos,
as caractersticas dos materiais amorfos no so muito alteradas quando estes so submetidos
a radiao de alta energia. Como este tipo de radiao, nomeadamente os raios-X, no
simples de focar necessrio que o sensor tenha uma rea comparvel ao tamanho da cena, ou
ter que se utilizar um sistema de converso indirecta com uma ptica complexa. O tipo de
sensor apresentado, uma vez que pode ser construdo com uma rea suficientemente grande,
pode ser utilizado para substituir as ainda comuns chapas fotogrficas para a deteco deste
tipo de radiao. Este tipo de tecnologia tem ainda a vantagem de permitir a aquisio de
imagem em tempo real, possibilitando novas tcnicas de diagnstico.
6.2. Perspectivas futuras

Durante a ltima fase de investigao conducente ao trabalho aqui apresentado a ateno foi
devotada principalmente ao estudo de estruturas MIS. Os resultados preliminares obtidos
permitem afirmar que este tipo de estruturas pode ser utilizado com a tcnica LSP. Desta
forma, surgiu naturalmente a ideia de prosseguir esta linha de investigao, uma vez que as
estruturas em causa apresentam alguns desafios, nomeadamente ao nvel do sistema
electrnico de medida associado.
182

Uma linha de investigao tambm possvel ser ao nvel do desenvolvimento do sistema de
varrimento. As solues descritas apresentam uma dimenso fsica e resistncia a choque e
vibrao no compatveis com a integrao num sistema comercial. Como tal existe a
necessidade de desenvolver um novo sistema de varrimento. O campo da microelectrnica,
mais especificamente da microfabricao, fornece uma soluo elegante para este problema,
demonstrada por diversos trabalhos de investigao ou mesmo dispositivos comerciais, a
implementao de um micro espelho oscilante controlado electricamente. Esta tcnica
utilizada, por exemplo, nos projectores de vdeo de ultima gerao tipo DLP (Digital Light
Processor). Esta uma tecnologia proprietria da Texas Instruments e consiste num circuito
integrado que contm uma matriz de micro-espelhos controlados electricamente que
funcionam como microinterruptores para a luz permitindo a projeco de uma determinada
imagem sobre uma superfcie plana. No caso do dispositivo a desenvolver, o nmero de
espelhos a utilizar poder ser reduzido a um nico, com a diferena de que o ngulo de
deflexo deste espelho dever poder ser variado continuamente e no de forma biestvel como
no caso do DLP. Com o correcto desenho do dispositivo poder ser possvel movimentar o
espelho segundo dois eixos, simplificando de forma significativa o sistema de varrimento.
Uma vez que o espelho (ou espelhos) possuiro dimenses bastante reduzidas, logo massa
muito pequena, a baixa inrcia permitir atingir velocidades de varrimento bastante elevadas,
necessrias para capturar um nmero elevado de imagens por segundo. Esta linha de
investigao permitir desenvolver um sistema suficientemente robusto e compacto para
integrao em sistemas comerciais.
----FIM----
183

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Faculdade de Cincias e Tecnologia

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Sensores de Imagem de Grande rea em Tecnologia de

Dissertao apresentada para a obteno do

EF, EFn, EFp

Energia do hiato ptico

Corrente de curto circuito

Condutividade sob iluminao

Tenso de circuito aberto

Tempo de vida dos portadores

Constante de Boltzmann 1.380658(12) 1023

Air Mass 1.5

Aplication Specific Integrated Circuit

Charge Coupled Device

Complementary Metal Oxide Semiconductor

Chemical Vapor Deposition

Constant Photocurrent Method

Diode Pumped Solid State

Deep Level Transient Spectroscopy

Field Effect Transistor

Full Width at Half Maximum

Flying Spot Technique

General Purpose Interface Bus

Internal Quantum Efficiency

Indium Tin Oxide

Photothermal Deflection Spectroscopy

Light Beam Induced Current

line scan rate

Laser Scanned Photodiode

Modulated Barrier Photodiode

Metal Insulator Semiconductor

Noise Equivalent Power

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Root Mean Square

Reactive Ion Etching

Standard Cubic Centimeters per Minute

Ligao de comunicao srie com equipamentos

Source Measure Unit

Thin Film Transistor

Transistor Transistor Logic

Captao de imagem passado, presente e futuro ........................................................1

A revoluo dos materiais semicondutores ................................................................6

Silcio amorfo: passado, presente e futuro..................................................................7

Motivao deste trabalho.......................................................................................... 11

Silcio amorfo hidrogenado ...................................................................................... 16

Fabrico dos sensores p-i-n ........................................................................................ 17

Caractersticas do silcio amorfo .............................................................................. 21

Absoro e gerao de portadores de carga..............................................................25

Fotoconduo no silcio amorfo ...............................................................................33

Modelao de sensores pticos de a-Si:H ................................................................ 35

Caractersticas estacionrias dos sensores p-i-n ....................................................... 41

Caractersticas transientes dos sensores p-i-n........................................................... 43

Caracterizao de pelculas e dispositivos........................................................................ 53

Caractersticas optoelectrnicas dos filmes.............................................................. 54

Espectroscopia ptica de reflexo e transmisso..............................................56

Mtodo da fotocorrente constante (CPM) ........................................................ 59

Caractersticas optolectrnicas dos dispositivos ...................................................... 63

Caracterstica corrente-tenso .......................................................................... 64

Resposta espectral ............................................................................................ 73

Modelo elctrico ............................................................................................... 86

Sistema sensor LSP (Laser Scanned Photodiode)............................................................ 93

Tcnica de varrimento lento............................................................................. 98