UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDAS

TEMA: PROYECTO AMPLIFICADOR DE POTENCIA

ELECTRNICA II

DOCENTE: Ing. JOSE HUGO CASTELLANOS

PRESENTADO POR:
WILSON LANCHEROS

Cdigo: 20131005087

DAVID FELIPE TORRES

Cdigo: 20131005092

DAVID TUNAROSA

Cdigo: 20131005046

BOGOT D.C.
17 DE NOVIEMBRE DE 2015

INTRODUCCIN
Con lo visto en el curso se disea un amplificador de potencia orientado a la
aplicacin de audio, as mismo con lo visto en todo el curso y con las distintas
clases de amplificadores de potencia, se disear el amplificador clase AB, con
sus respectivas etapas.
MARCO TERICO
Amplificador de potencia (audio): La funcin del amplificador es aumentar
el nivel de una seal, incrementando para ello la amplitud de la seal de entrada
mediante corrientes de polarizacin (voltaje negativo, voltaje positivo) en
el transistor de salida.
Sonido: El odo humano es sensible nicamente a aquellas ondas sonoras cuya
frecuencia est comprendida entre los 20 Hz y los 20 KHz, lo que se denomina
espectro audible. Los sonidos inferiores a 20 Hz se llaman infrasonidos y a los
que estn por encima de 20 KHz se les llama ultrasonidos. Este espectro vara
segn cada persona y se altera con la edad. Los sonidos graves van desde 20 a
300 Hz, los medios de 300 a 2 KHz y los agudos de 2 hasta 20 KHz.
Estructura de una etapa amplificadora
La etapa de potencia es la encargada de suministrar la potencia a los altavoces al
ritmo de la seal de entrada. Los altavoces son los que transforman la potencia
elctrica en potencia acstica. La estructura global de una etapa de potencia es la
siguiente (Por amplificador o etapa de potencia se entiende todo el conjunto
exceptuando el altavoz de la derecha):

Control de entrada: es el punto a donde llega la seal de entrada. Esta seccin

define la impedancia de entrada del aparato y es donde se selecciona el nivel de
amplificacin deseado. Aumenta un poco la tensin de la seal de entrada antes

de pasarla al driver. Los mandos que controlan la potencia de salida trabajan

sobre esta etapa.
Driver: es la encargada de excitar la etapa de potencia. Para ello amplifica
mucho la seal que recibe del control de entrada para elevar mucho su voltaje
antes de pasarla a la etapa de amplificacin.
Etapa de potencia o de salida: Es la encargada de dar la potencia necesaria a
la seal. La seal que recibe tiene mucho voltaje, pero muy poca intensidad. Esta
etapa es la que proporciona varios amperios de intensidad de corriente elctrica
a la seal, sin embargo, apenas aumenta el voltaje que traa desde el driver.
Maneja tensiones y corrientes muy elevadas y es la que ms recursos energticos
demanda de la fuente de alimentacin, es decir la que ms consume. Esta es la
etapa que se conecta al altavoz, donde se consume la energa elctrica,
transformndose en movimiento que genera ondas acsticas y calor
Fuente de alimentacin: es un dispositivo que adapta la electricidad de la red
elctrica general, para que pueda ser usada por las distintas etapas. Estas fuentes
de alimentacin suelen ser simtricas. Tiene que ser suficientemente grande para
poder abastecer a la etapa de salida de toda la energa que necesita en el caso de
estar emplendose el aparato a plena potencia. Un punto dbil de las etapas de
potencia suele ser la fuente de alimentacin, que no puede abastecer
correctamente a la etapa de salida. Por ejemplo: una etapa de potencia estreo
tiene que duplicar las tres etapas (entrada, driver y salida) y puede usar una
fuente de alimentacin para todos. Los equipos de calidad estreo incorporan dos
fuentes de alimentacin, una por canal.
Protecciones: las etapas de potencia actuales incorporan diversas medidas de
proteccin contra avera, que son ms o menos sofisticados en funcin de la
calidad y coste del equipo. Pueden ir desde el tpico fusible a dispositivos activos
de control de potencia. Las protecciones que se pueden encontrar normalmente
son:
- Proteccin electrnica frente a cortocircuito y circuito abierto.
- Proteccin trmica para transistores de salida y transformador.
- Proteccin contra tensin contina.
- Proteccin contra sobrecarga.
- Proteccin contra transitorio de encendido.
Clase AB
Los amplificadores de clase AB reciben una pequea polarizacin constante en su
entrada, independiente de la existencia de seal. Es la clase ms comn en audio,

al tener alto rendimiento y calidad. Estos amplificadores reciben su nombre

porque con seales grandes se comportan como una clase B, pero con seales
pequeas no presentan la distorsin de cruce por cero de la clase B.
Tienen dos transistores de salida, como los de clase B, pero a diferencia de estos,
tienen una grande corriente de polarizacin fluyendo entre los terminales de base
y la fuente de alimentacin, que sin embargo no es tan elevada como en los de
clase A. Esta corriente libre se limita al mximo valor necesario para corregir la
falta de linealidad asociada con la distorsin de cruce, con apenas el nivel justo
para situar a los transistores al borde de la conduccin. Este recurso obliga a
ubicar el punto Q en el lmite entre la zona de corte y de conduccin.
Disipador
Es un instrumento que se utiliza para bajar la temperatura de algunos
componentes electrnicos. Su funcionamiento se basa en la ley cero de la
termodinmica, transfiriendo el calor de la parte caliente que se desea disipar
al aire. Este proceso se propicia aumentando la superficie de contacto con el aire
permitiendo una eliminacin ms rpida del calor excedente.
Calculo:
Al igual que en los circuitos elctricos, se puede definir una Ley de Ohm en los
circuitos de flujo de calor. Pero antes identifiquemos los elementos trmicos
equivalentes a sus anlogos elctricos. As, el papel de la fuente de tensin
elctrica (por ejemplo una batera) lo cumple el componente que genera el calor
que se desea evacuar. El papel de masa de un circuito elctrico lo tiene el aire, que
supondremos a una temperatura de unos 25C. La diferencia de tensin elctrica
encuentra su homlogo en la diferencia de temperatura. La potencia generada en
forma de calor en el componente tiene su equivalente en la corriente elctrica
entregada por la fuente de tensin. Por ltimo, la resistencia elctrica tiene su
reflejo en la resistencia trmica medida en C/W (grados centgrados por vatio).
Con estos elementos podemos ya formular la Ley de Ohm trmica:

= ( )
Donde:
Tj= Temperatura mxima de la unin del elemento semiconductor.
Ta=temperatura del ambiente.
P= potencia consumida por el componente.
Rth t = resistencia trmica total entre el elemento y el ambiente.

Llegados a la conclusin de que el disipador es necesario tendremos que realizar

un clculo que nos oriente sobre el disipador que debemos usar. Este montaje
tiene el siguiente circuito trmico, o de flujo de calor, asociado:

Por la analoga con los circuitos elctricos se puede ver que:

= + +
Con lo que la Ley de Ohm trmica podr expresarse as:
= ( + + )

Lo que se pretende hallar es Rth d-amb, debiendo de ser conocidos el resto de

parmetros (por el data sheet del componente y por un clculo de la potencia que
deba disipar dicho componente). As, despejando de la Ley de Ohm trmica el
valor de Rth d-amb tendremos que:
=

( + )

Por regla general, Rth c-d se puede tomar entre 0.5 y 1C/W siempre y cuando la
unin que se haga entre el componente y el disipador sea directa (sin mica
aislante) y con silicona termo-conductora. Si esta unin se efecta con mica y sin
silicona estaremos hablando de resistencias trmicas de contacto entre 1 y
2C/W. Si necesitamos usar mica para aislar tambin podemos aplicar silicona
termo-conductora, en cuyo caso la resistencia estara comprendida entre 1 y
1.5C/W.

COMPONENTES UTILIZADOS: Los componentes usados para el desarrollo

de la prctica fueron:
Transistor 2N2222A (Metlico baja potencia)
Diodos de alta velocidad 1N4148
Transistor 2N2905
Resistencias comerciales
Transistores IGBT GT20D101 (Similar)
Transistor TI31 / 32 o similar
Condensadores de 0.1uF, 10 uF, 530uF, 1000 uF, electrolticos para
el respectivo acople y desacople.
Carga de 8 ohm a 20W (Parlante)
Disipadores para TO220
DISEO
Se procede a disear un amplificador de potencia (aplicacin audio) en contrafase
y funcionando en clase AB (por espejo de corriente y simetra complementaria) y
una pequea etapa amplificador compuesta por un transistor.
Potencia escogida: Se escoge 30 watts como potencia mxima (en la prctica
esta potencia es menor, pero se procura un incremento para tener asegurado la
potencia requerida de 20 watts)
Frecuencia Inferior de corte: Se elige 20 Hz como frecuencia mnima.
El diseo se da de derecha a izquierda. Suponiendo una potencia de 30W sobre
un parlante de 8
Pasos
1. Clculo de la fuente de alimentacin:
Como P VL IL por ser carga resistiva, adems

IL

VL
VL2
Resulta que PL
RL
RL

VL representa valor eficaz. Al estar el amplificador con alimentacin

simtrica, la Vmx en la carga es Vcc. Entonces:

VL

V max Vcc
2

De donde se tiene que PL

Vcc 2
y despejando Vcc se
2RL

llega a Vcc 2 PL RL , sustituyendo se tiene que:

Vcc 2 30 8 23v
La fuente de alimentacin a usar es de (+/- 23v).
La corriente mxima que suministra cada fuente es: Ic

Vcc 22

2.75A
RL 8

2. Transistores de potencia:
Los transistores Q5 y Q6

tienen las siguientes caractersticas (Ver

datasheet)

Vds 23V , Id 2.75A

Son transistores de potencia.
**Al solo poseer un IGBT para el diseo GP30NC60K (30A-600v), para la
etapa amplificadora se usa en el diseo, como la clase AB se escogi para
este diseo se hace uso TIP 31 en reemplazo del IGBT canal P.
3. R9 y R11
Las resistencias se escogen pequeas como medida de proteccin el valor
escogido para el diseo fue de 0.47 . Al estar en el rea de potencia, se es
necesario calcular la potencia disipada:

PR 9 R I 2 0.47(2.75)2 3.55w
Entonces R9 y R11 son resistencias de 0.47 y con capacidad de
disipacin superior a 3.55w.
4. R8
Se requiere conocer la corriente y la diferencia de potencial en los
extremos. Despreciando la cada de tensin en la resistencia de 0.47 , la
tensin en la base de Q6 es 1.4v
Se toma para R4 una corriente ligeramente superior para garantizar la
conduccin de los diodos y el transistor Q2. En este caso se toma 5mA

R8
5. Calculo de C4

Vcc 2Vbe 23v 1.4v

4120
I
5mA

Este condensador est garantizando la unin de los transistores en la

transmisin de la seal alterna. El clculo se hace aproximado, ya que no
es crtico su clculo exacto. Donde rd

C4

25mv

25mV
5 . Entonces:
5mA

1
1

530uF
2 fl (3 rd ) 2 20hz (3 5)

6. Diodos D1, D2 y D3
Para este caso como la corriente que circula es pequea 5mA. Se usa
cualquier referencia de Diodos de velocidad rpida 1N4148
7. Transistores Q1, Q2
Como la corriente es muy pequea se puede usar transistores de tensin y
corriente reducida, transistor escogido NPN 2N2222 (con 100 )
8. R5, R6 y R7
R5: Se calcula para una corriente superior a la de la base de Q2

Ib 2

Ic 2 5mA

0.05mA
2 100

Se toma una corriente de 1mA (para despreciar la de la base)

R5

Vcc 2.2v 0.7v

2.9k
Ic
1mA

R6: La corriente es de 1mA, por ende la diferencia de potencial en los

extremos es:
V=23-(-19.1)=42.1V

R6

41.1v
41100
1mA

R7: Se calcula para un correcto funcionamiento de este transistor Q2,

para la variacin de cualquier seal de entrada, en donde se escoge una
cada de Vcc/10, es decir 2.2v

R7

Vcc 2.2v

440
Ic 5mA

9. R3 y R4
Se toma una corriente de colector de 10mA, un punto de funcionamiento
para la clase A y una tensin de 1.2v, con estos datos se proceden a calcular
las resistencias

R3

Ve 1.2v

220
Ic 10mA

Usando Realimentacin en serie para obtener mejores resultados y al tener

unja seal de entrada muy pequea se escoge una ganancia de 44,

44

R l'
Re

Rl'=Rc=880

Entonces re

880
20
44

Ahora en el Colector de Q1 se tiene la siguiente tensin:

Vc Ve Vce Ve

Vcc
2

1.2

23
13.2v
2

Por ende tenemos la R4

R3

Vcc Vc 22v 13.2v

880
Ic
10mA

La ganancia de la etapa considerando el diseo es de 44 aproximadamente

Donde la impedancia est dada por:

Ze 2 R 5|| R 6|| (rd 2 R 7) 2553

10. Clculo de R1 y R2
La corriente de base de Q1 es ib1=ic/100= 0.1mA, al tomar una corriente
por R2 diez veces superior para aproximar I0=1mA. Donde la tensin de
Base de Q1 es:

Vb1 Ve1 Vbe1 2.2 0.7 1.9v

R1

2.9
Vcc Vb1 22v 2.9v
2900 Y R 2

19100
1mA
Io
1mA

11. Impedancia de entrada

Usando lo visto en el curso de electrnica I se tiene que

Z In R 1|| R 2|| (rd 1 R 3) 1092

12. Clculo de C1, C3 y c9
Este se realiza a partir de la impedancia de entrada y de la frecuencia que
se estableci inferior de corte

C1: C 1
C3: C 3

1
2 fl Ze

1
8uF 10uF
2 20hz (1092)

1
1

2.3uF 10uF
2 fl (R 4 Ze 2) 2 20hz (880 2553)

C9: Como es de desacople se escoge un valor muy grande para este caso
100uF, en este caso solo se toma el criterio de realimentacin
13. Clculo de ltima etapa
R15 tiene el mismo valor de la impedancia 1
= 14 ( + 1)
= 0.1 14
= 1014
= 1014 14 ( + 1)
=

10 101
14 = 9.0914
111

15 = = 1.1 Que es la impedancia de entrada de la otra etapa

10 =

15

(
)(
)
14 + +

14 = 55; = 550
13 =

; 13 = 12.75

13 =

= 1.2

1
13

14. Clculo de disipadores

Para el caso del TIP 31 a 30W y con temperatura ambiente de 25C.
Entonces:

TJ 150 C mx , por ende se toma, T J 100 C (por seguridad), Ahora

tenemos

T T 150 C 75 C
RTHJ C = j C
2.5 C /W
PD
30W

Donde se toma: RTHC D 1 C /W . Ahora en la frmula para saber si

tenemos que usar disipador reemplazamos.

RTH d amb

RTH d amb

Tj Ta
RTH J C RTH C d
p

100 c 25 c
2.5 c / W 1 c / W 1 c / W
30w

Ahora para el IGBT se tiene lo siguiente haciendo igual en relacin al BJT

TJ 150 C mx TJ 150 C mx , por ende se toma, T J 100 C (por

seguridad), Ahora tenemos:
R thj-case 0.675 c /W Y R thj-amb 62.5 c /W

RTH d amb

100 c 25 c
0.675 c / W 1 c / W 0.825 c / W
30w

Lo que nos dice que toca poner un disipador a este componente

Figura 1 Amplificador de Audio

SIMULACIN DEL AMPLIFICADOR RESPUESTA TEMPORAL

Figura 2 Amplificador de potencia diseo

Resultados obtenidos para una seal de entrada de 100mVp

Figura 3 Seal en extremos del altavoz

Sin embargo no se puede alcanzar la potencia deseada, como se ve se dise para

una potencia de 30 w conociendo que est disminuira, menos de 25 watts, sin
embargo las limitaciones impuestas por R7 y R8 afectan el transistor Q2 y debido

a que no se tuvo en cuenta las prdidas en las resistencias de 0.74 . Una posible
solucin en el caso que se desee alcanzar la potencia de diseo es aumentando el
valor de las fuentes de alimentacin y comprobar los resultados mediante
pruebas o simulaciones, para alcanzar la potencia realizando ajustes y para llegar
a 30w se deben colocar fuentes de alimentacin de 35v. Para reducir las prdidas
y hacer que la mxima tensin este en el altavoz se recomienda ajustar en la
prctica la resistencia R7, o sustituir por un potencimetro.

Figura 4 Seal en extremos del altavoz reajustado amplificador

SIMULACIN POTENCIA ALTAVOZ

Figura 5 Corriente RMS en el altavoz

Figura 6 Voltaje RMS en el altavoz

Como se puede ver en RL la corriente es de 7.5A y el

voltaje es de 3.4V (**Aclarando que los valores son
eficaces)

PL VRMS I RMS 7.5A 3.4V 25.5watts

Las variaciones de las corrientes de polarizacin no
afectan el circuito. El circuito se ha ajustado al valor
de potencia requerido 20 watts, minimizando las
prdidas generadas en los componentes. El nico cambio es aumentar la fuente
de alimentacin que debe ser simtrica si se maneja a dos fuentes.
SIMULACIN DEL AMPLIFICADOR RESPUESTA TEMPORAL
La respuesta en frecuencia del amplificador (Diagrama de Bode) es: Como se
puede observar abarca el espectro audible para el cual fue diseado

Figura 7 Respuesta en frecuencia del amplificador

Figura 8 Frecuencia inferior de corte

Se puede ver que la frecuencia inferior de corte est por debajo de los 20Hz, lo
cual es bueno para un amplificador de audio.

Figura 9 Diagrama de Fase

Se puede ver que la frecuencia superior de corte est por encima de 1MHz, lo cual
es bueno para un amplificador de audio y el FT mayor a 10MHz.

ANLISIS ESPECTRAL

Tabla 1 Anlisis espectral con respecto a la salida

Figura 10 Anlisis espectral

ANALISIS
En el diseo de este amplificador se pens en uno de los factores ms importantes
como el intentar abarcar el espectro audible (20Hz 20kHz), as mismo, los
requisitos que debe cumplir es poder dar una potencia mayor o igual a 20W, es
importante a la hora de realizar un diseo, calcular un incremento de esta
potencia, como bien se sabe, la potencia se disminuye por efectos de prdidas en
materiales, sin embargo al conocer esto se us la potencia de 30w, en el diseo,
el clculo de las etapas previas a la de potencia, se calcularon con valores que
puedan abarcar seales grandes para evitar la distorsin de esta, por otra parte
es importante aclarar que las fuentes son importantes de tener en cuenta para la
potencia estimada como se conoce disminuye por distintos factores, la
realimentacin se us para evitar distorsin al momento de recibir la seal, se
pens tambin en los condensadores ya que estos juegan un papel muy
importante para fijar la frecuencia inferior de corte, que se fij como 20Hz, por
otra parte la simulacin dio viabilidad para el diseo propuesto, este modelo se
puede implementar con BJT, JFET, IGBT y MOSFETS (etapa de potencia)

depende la referencia del voltaje a manejar, y de la corriente que vaya a manejar.

Es importante el uso de disipadores para la etapa de potencia, no es obligatorio
pero se recomienda. Finalmente como se puede observar se tiene un anlisis
espectral de casi 1 voltio en la fundamental, mientras que los otros armnicos son
muy bajos. Presenta una buena definicin de la seal de entrada amplificada.

CONCLUSIONES
Para el diseo de amplificador de potencia es importante tener en cuenta
los diversos requisitos, las etapas en donde se amplifica la seal de entrada.
As mismo, se evidencio por perdidas en los elementos la disminucin de
potencia, el diseo se realiz a dos fuentes sin embargo lo esperado, se cae
ms de un 10 por ciento, en las pruebas se efectuaron ajustes a estas
medidas como el aumento de la tensin de manera simtrica y tambin
algunos detalles de precisin en las resistencias.
La importancia de calcular y de examinar la correspondiente temperatura
de los elementos de alta potencia, es necesario verificar si se es necesario
usar disipadores para este transistor ya que en caso de no hacerlo el
transistor se daa, debido a sus caractersticas.
Es importante determinar la etapa preamplificadora sin distorsin es por
eso que se us realimentacin en serie para generar una gran ganancia y
as ingrese al drive con un muy buen voltaje y una corriente adecuada.
El uso de la clase AB es una de las ms comunes, sin embargo esta nos
consume un poco de energa y las prdidas generadas por estas son
grandes en comparaciones con otras clases.
Verificar el espectro del amplificador es importante, ya que entre menos
armnicos se presenten nos genera una buena calidad de sonido.
El diseo al hacer un amplificador de potencia y ms en la aplicacin de
audio es recomendable tener en cuenta que abarque seales mucho ms
grande para evitar distorsin o recortes, una de los factores ms
importantes es estudiar y verificar las referencias respecto a corriente y
voltajes que se manejan, para evitar daos en el circuito.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

Louis Nashelsky, Electrnica: teora de circuitos y dispositivos

electrnicos; Octava Edicin; Pearson

Tomasi; Sistemas de comunicaciones electrnicas; Prentice Hall

Circuitos Microelectrnicos; Rashid

Douglas Self, Audio Power amplifier Design Handbook; Tercera

edicin; Newnes

www.learnabout-electronics.org/Amplifiers/amplifiers55.php

Apuntes de Clase