RESUMO P1

Aula 2
- Nmeros Qunticos

Orbital (l) s, p e d
Magntico (m) inclui o f
Magntico Spin (Ms) - +1/2 e -1/2

- Eltrons de Valncia

Estabilidade eletrnica

- Ligaes:

Inica forte e no direcional. Grande diferena de eletronegatividade

Metlica fraca e no direcional. No h diferena de eletronegatividade
Covalente Muito forte e direcional. Pouca diferena de eletronegativdade.

- METAIS

1 a 3 eltrons de valncia
Ligao no direcional
Eltrons de valncia livres
Nuvem eletrnica

- POLMEROS

Compartilhamento de eltrons
Ligao altamente direcional
Menor diferena de eletronegatividade do que os metais
Forte carter covalente (primria)
Mas podem ocorrer ligaes de Van de Walls (secundria)

- CERMICA

Transferncia de eltrons
Ligao no direcional
Grande diferena de eletronegatividade (atrao eletrosttica)
Ligao inica e/ou covalente

Aula 3
- Raio Atmico: distncia do centro do tomo at seu orbital mais externo
- Reticulado cristalino tomos (esferas) agrupadas de forma peridica nas trs
dimenses
- Clula unitria agrupamento de tomos que representam uma estrutura cristalina
- Parmetros de rede arestas e ngulos entre arestas
- Nmero de Coordenao

Nmero de vizinhos mais prximos na rede tridimesional.

Aumenta conforme aumenta a possibilidade de se organizar um nmero maior

de nions ao redor do ction.
Dependem dos raios atmicos

- Policristais constituem vrios cristais ou gros com diferentes orientaes. A

separao dessas orientaes chama-se CONTORNO DE GRO
- Polimorfismo Slido pode apresentar mais de uma estrutura cristalina; difere da
ALOTROPIA, que envolve apenas um elemento puro com diferentes estruturas (ex:
carbono)
METAIS
- NC igual
- Fator de Empacotamento (FEA) frao do volume de uma clula unitria
- Cbica Simples (CS)

Mais rara
NC = 6
1 tomo por clula unitria
FEA

- Cbica Corpo Centrado (CCC)

Comum em metais com um pouco de carter covalente

NC = 8
2 tomos por clula unitria
FEA = 0,68

- Cbica Face Centrada

Comum em metais (mais compacta)

NC = 12
4 tomos por clula unitria
FEA = 0,74 (maior possvel para esferas iguais)

- Hexagonal compacta (HC)

Comum em metais
NC = 12
2 tomos por clula unitria
FEA = 0,74

Aula 4
- Cermicas so materiais inorgnicos, geralmente constitudos de elementos
metlicos e elementos no metlicos, ligados por ligaes de carter misto, inicocovalente.
- nions ocupam posies da rede e Ctions ocupam posies intersticiais
- Estruturas CFC e HC
- Estrutura afeta propriedades, alm de difuso e deformao por escorregamento
- Pode ter NC valendo, 3, 4, 6, 8 e 12
- O tipo de estrutura tambm determinado pela estequiometria. Exemplos:

Tipo NaCl (halita): Rede CFC; compostos AX, MX; NC = 6; ctions octadricos
Tipo ZnS (Blenda de Zinco): Rede CFC; AX, MX; NC = 4; Ctions
tetradricos
Tipo ZnS (Wurzita): Rede HC; AX, MX; NC = 4; Ctions tetradricos
Tipo CaF2 (Fluorita): Rede CFC do tipo CS; AmXp; NC = 8; Ctions
octadricos
Tipo BaTiO2 (Perovskita): Rede CFC; AmBnXp; Anion + Ctions na rede maior e
Ctions octadricos
Tipo MgAl2O4 (Espinlio): Rede CFC; AB2O4; Ctions 1/8 tetra e octadricos

Aula 5
- Difrao de Raios-X para caracterizar estruturas cristalinas
Usa a Lei de Bragg para calculo da distncia entre tomos e uma frmula para
calcular a distncia interplanar:

Inclui os ndices de Miller (h, k, l), onde se trabalha com o parmetro S = h + k

+ l
Ver aula 6 para exemplo de clculo

- Direes cristalogrficas
Direo = Vetor
Translada-se o vetor e o projeta em x, y e z. Essas sero as coordenadas
Direo quebrada, multiplica-se por um inteiro comum.
Representao: [abc]

Famlias de direes so representadas por <abc>

- Planos
Desenhar o plano
Inverter as coordenadas (1/x; 1/y; 1/z)
Multiplicar caso necessrio para se obter inteiros
Representao: (abc)

Famlia de planos: {abc}

- Densidade Linear

- Densidade Planar

Aula 7
- Classificao dos Defeitos Cristalinos
PUNTIFORMES
LINEARES
PLANARES
VOLUMTRICOS
- Puntiformes
Autointersticiais tomo que se localiza em uma posio onde originalmente
no estaria. Assim, falta um tomo onde deveria ter
Em cristais inicos, ocorre o Defeito de Schottky (2 lacunas) ou de Frenkel
(lacuna catinica)
No existem metais 100% puros
Impurezas podem formar substncias slidas ou de segunda fase. Tambm
podem ser acrescentadas de propsito para aumentar propriedades.
As solues slidas podem ser substitucionais ou intersticiais.

Pode haver formao de solues slidas, envolvendo dois tomos diferentes.

Para isso, usam-se as Regras de Hume-Rothery para saber se haver, ou no,
formao de substncia slida Tamanho do tomo, estrutura e
eletronegatividade.

- Lineares
Discordncia em aresta ou cunha (distoro)
Magnitude e direo dadas pelo VETOR DE BURGUERS (Perpendicular
linha de discordncia)
Pode haver discordncia em cunha (caso acima), discordncia em hlice (Vetor
de Burguers paralelo linha de discordncia e discordncias mistas (ngulo
entre o Vetor de Burguer e a linha de discordncia entre 0 e 90
Todos os cristais tm discordncia
Fora de discordncia geralmente baixa, exceto em cermicas.
Aumentando a temperatura, aumenta-se a velocidade do deslocamento
Discordncias geram lacunas e influem nos processos de difuso
-Planares
Tm alguns tipos principais:
- Superfcie externa: causa maior distrbio na estrutura e ocorre entre o cristal
e o meio que o circunda. Importante para materiais particulados.
- Contorno de Gro: lembrando que so as fronteiras que separam duas
orientaes diferentes.
- Contorno de Macla: Macla a fonteira entre duas regies do cristal que so
imagens ESPELHADAS uma da outra (maclas de deformao). Geralmente
tem forma lenticular.
- Empilhamento: encontrados geralmente nas estruturas CFC e HC, so
delimitados por discordncias parciais. Medidos em EDE (Energia de Defeito
de Empilhamento)
- Interface: Fronteiras entre duas fase diferentes que podem ser coerentes
(menor energia), semicoerentes e incoerentes (maior energia)
- Volumtricos
Normalmente so introduzidos nos processos de fabricao, afetando
fortemente as propriedades dos produtos. Ex.: Trincas
Aulas 8 e 9 ler Slides.