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Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 5 Settembre 2014
Esercizio 1: giunzione p-n e resistore integrato

Su un substrato di drogaggio NA=3x1016cm-3
(spessore 500
m) si realizza una impiantazione di
fosforo ND=5x1017cm-3 per definire una giunzione
di profondit tn=1.5
m dalla superficie.
Si
realizza cos un resistore integrato di larghezza
W=10
m e lunghezza L=100
m.
a. Stimare la resistenza R del resistore
considerando la giunzione n+-p al built-in.
b. Stimare la variazione percentuale di R indotta
dalla variabilit del potenziale medio, VD, dei
terminali che, a seconda della configurazione
in cui il componente impiegato, pu
assumere valori tra 0V e 5V.
c. Trascurando gli effetti di bordo, stimare la
capacit parassita, Cp, presente tra il resistore
e il substrato per VD=0V e VD=5V.
d. Pensando di ripartire CP a met tra i due

terminali disegnare il circuito equivalente del
resistore e stimare la massima frequenza per
cui possibile ragionevolmente trascurare il
ritardo di propagazione introdotto da Cp sul
segnale.
e. Stimare la massima corrente inversa che
attraversa la giunzione e rappresentarne gli
effetti completando opportunamente il circuito
equivalente trovato al punto (d).
f. Ricordando che la corrente inversa di una
giunzione raddoppia ogni T=10C, che
incremento di temperatura necessario per
giungere a 1pA?
Figura 1. Resistore integrato.
Mobilit elettroni maggioritari:

Mobilit elettroni minoritari:
Mobilit lacune maggioritarie:
Mobilit lacune minoritarie:
Vita media elettroni minoritari:
Vita media lacune minoritarie:
n = 400 cm2/Vs
n = 1000 cm2/Vs
p = 400 cm2/Vs
p = 200 cm2/Vs
n = 1 s
p = 0.1 s
Esercizio 2: MOSFET
Si consideri i sistemi MOS in Figura 3. Si tratta di due
pixel di una fotocamera. Essi sono realizzati su un
substrato in silicio drogato p (NA= 5x1016 cm-3). Lo
spessore dellossido di 10nm. Lelettrodo di gate
realizzato con uno strato metallico trasparente (ITO) con
funzione lavoro q
=4.8eV.
a) Valutare la tensione di banda piatta, VFB, e la tensione
di soglia, VT, dei sistemi MOS.
b) Durante la fase 1, VG2=0V mentre VG1 passa
repentinamente da 0V a 5V. Tuttavia i tempi di
permanenza a 5V sono troppo brevi per permettere la
formazione del canale conduttivo. Determinare, in
queste condizioni, lo spessore raggiunto dalla zona
svuotata sotto il pixel 1 e la differenza di potenziale ai
suoi morsetti.
Figura 3. MOS su substrato p
Si supponga ora che, a seguito dellesposizione

allilluminazione, allinterfaccia del pixel 1 si generino
cariche minoritarie.
c) Considerando che il pixel ha dimensioni 10mx10m
quante cariche, Ns, devono essere fotogenerate per
formare il canale conduttivo stazionario allinterfaccia?
d) Durante la fase 2, VG1 ritorna a 0V, mentre VG2=+5V.
Che fine fanno le Ns cariche minoritarie che si erano
accumulate allinterfaccia del pixel 1? Giustificare la
risposta.
Parametri fisici di uso generale

Costante dielettrica del vuoto:
Costante di Boltzmann [eV/K]:
Costante di Boltzmann [J/K]:
Massa dellelettrone a riposo [kg]:
Tensione termica (T=300K):
Carica dellelettrone [C]:
Affinit elettronica Silicio:
0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
4.05eV
Gap di Energia Silicio:

Concentrazione intrinseca (300K):
Densita` equiv. lacune in BV:
Densita` equiv. elettroni in BC:
Costante dielettrica relativa (Si):
Costante dielettrica relativa (SiO2):
Velocit saturata elettroni
1.12eV
1.45 1010 cm-3
1.81019 cm-3
3.21019 cm-3
11.7
3.9
107 cm/s
Esercizio 1: semiconduttori
Un substrato di silicio di drogaggio NA=5x1016cm-3
e spessore t=500
m (Figura 1).
a. Dal grafico in Figura 2 ricavare la stima della
mobilit delle lacune e degli elettroni
b. Stimare la velocit di agitazione termica degli
elettroni (per la loro massa si assuma degli
elettroni m=0.26m0) e la distanza media coperta
da ogni carica prima che il moto sia perturbato da
un urto (scattering).
c. Supponendo che nel processo di fabbricazione si
sia generata una densit di stati intrappolanti pari
a NT=10-5NA con sezione durto =10-13cm2,
ricavare la vita media di ricombinazione dei
minoritari.
Figura 1. Substrato.
Si supponga ora di sottoporre il substrato a

illuminazione con radiazione ultravioletta (193nm h=6,42eV) esponendo una superficie di 1cm2 ad
una potenza di 6mW (Figura 1). I fotoni incidenti
sono assorbiti in nelle immediate vicinanze della
superficie e determinano la generazione di coppie
elettrone/lacuna.
d. Ricavare il flusso di elettroni minoritari
(particelle/cm2) iniettati nel substrato a causa della
illuminazione a cui esso sottoposto
e. Scrivere la equazione di continuit e ricavare il
profilo di minoritari che si stabilizza nel substrato
in condizioni di illuminazione stazionarie.
f. Quotare leccesso di portatori minoritari presenti
nel substrato (portatori/cm2) e verificare
lesistenza di una relazione a controllo di carica
tra flusso ed eccesso di portatori.
Figura 2. Mobilit e drogaggio.
Esercizio 2: MOSFET
Si consideri il sistema MOS in Figura 3. Esso
realizzato su un substrato in silicio drogato p (NA=
1x1017 cm-3) con spessore di ossido di 6nm.
a) Determinare la funzione lavoro dello strato metallico
di gate che permette di ottenere una tensione di soglia,
VT, di 2.0V.
b) A valle della fabbricazione, la tensione di soglia dei
dispositivi realizzati ha un valor medio di VT=1.9V.
Lo scostamento pu essere determinato da una
variazione, tox, dello spessore dellossido deposto
rispetto al valore nominale, o da cariche intrappolate
allinterfaccia
con
il
semiconduttore,
Ns
(cariche/cm2). Stimare i valori di tox, e Ns (e relativo
segno di queste ultime) che giustificherebbero
separatamente lo scostamento sperimentale di VT.
c) Lo spessore dellossido deposto pu essere stimato
misurando la risposta capacitiva del sistema MOS.
Determinare le condizioni di polarizzazione pi
opportune per realizzare la misura di tox.
Figura 3. Sistema MOS su substrato p
Il processo di fabbricazione del dispositivo modificato,

inserendo un passo di impiantazione di ioni fosforo, con
dose 5x1011cm-2. Lenergia di impianto scelta in modo
da distribuire il drogante fino a tm=100
0nm dalla
superficie (Figura 4).
d) Supponendo che la distribuzione degli ioni sia
pressocch uniforme nella zona di impianto, stimare il
drogaggio netto, N0, che si ottiene.
Studiare lelettrostatica del nuovo sistema a soglia,
considerando lo spessore di ossido nominale e assenza di
cariche nellossido.
e) Qual la caduta di tensione ai capi della zona
svuotata?
f) Determinare le espressioni che permettono di ricavare
il valore del campo elettrico massimo allinterfaccia,
Fmax, e lestensione della zona svuotata, Wd.
Ricavarne i valori.
Figura 4

0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
4.05eV

1.12eV
1.45 1010 cm-3
1.81019 cm-3
3.21019 cm-3
11.7
3.9
107 cm/s
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 18 Luglio 2014

Esercizio 1: giunzione pn
Si consideri la giunzione p-n in silicio in Figura 1.
Le relative resistivit sono = 2 cm per la zona
n e = 20 mcm per la zona p.
a. Utilizzando il grafico in Figura 2, stimare i
drogaggi di entrambe le regioni NA e ND.
b. Calcolare la tensione di built-in della
giunzione, VBI, allequilibrio.
Si polarizzi la giunzione in inversa con tensione
VR = 12V.
c. Valutare lestensione della zona di carica
spaziale, quotando le estensioni nella zona
n, xn, e nella zona p, xp.
d. Disegnare e quotare landamento del
campo elettrico.
e. Quotare landamento del profilo di
portatori minoritari in entrambe le regioni
neutre.
Figura 1. Giunzione p-n.

Estensione totale zona p:
Estensione totale zona n:
Mobilita` elettroni minoritari in zona p:
Mobilita` lacune minoritarie in zona n:
Tempi di vita medi (n e p):
tp = 500m
tn = 5m
n = 170 cm2/Vs
p = 380 cm2/Vs
n = p = 500 ns
Si consideri la giunzione in diretta con tensione VD

= 0,62V.
f. Rappresentare il profilo dei portatori
minoritari, quotando i valori alliniezione.
g. Calcolare la densit di corrente di
saturazione, JS, della giunzione.
h. Valutare la quantit di lacune minoritarie in
eccesso accumulate nella zona n.
Esprimerne il valore in termini di
portatori/m2.
Figura 2. Resistivit e drogaggio.
Esercizio 2: MOSFET
Si consideri il sistema MOS in Figura 3. Esso
realizzato su un substrato in silicio drogato n (ND=
5x1017 cm-3), ed dimensionato per realizzare transistori
a canale p. Lo spessore dellossido di 5nm. Lelettrodo
di gate realizzato con uno strato conduttivo (MA) con
funzione lavoro q
=5.15eV, il contatto di substrato con
uno strato conduttivo (MB) con funzione lavoro
q
=4.45eV, i conduttori afferenti al generatore di
polarizzazione sono di rame (MC con q
C=4.61eV).
a) Indicare valore e verso delle cadute di potenziale alle
diverse giunzioni metalliche e dimostrare che la
tensione di banda piatta, VFB, dipende solo dalla
funzione lavoro q
. Determinarne il valore.
b) Lo strato (MA) realizzato con polisilicio drogato p.
Stimare il drogaggio necessario per ottenere la
funzione lavoro desiderata.
c) Determinare la tensione di soglia, VT0, del sistema
MOS.
Figura 3. MOS su substrato n
Il sistema MOS precedente utilizzato per realizzare un

MOSFET a canale p con W=2m, L=0.25m
impiegato in un invertitore CMOS alimentato con
VDD=2.5V.
d) Si consideri luscita dellinverter allo stato alto.
Identificare il punto di lavoro del p-MOS, disegnare
e quotare il profilo del campo elettrico, F(x), e della
densit di carica, (x), lungo la sezione mediana del
dispositivo, indicando lestensione, Wn, della
regione svuotata.
e) Si valuti la massima corrente erogabile dal
componente in commutazione, tenendo conto che la
mobilit superficiale delle lacune pari a h=100
cm2/Vs.
Figura 4. Invertitore CMOS

0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
4.05eV

1.12eV
1.45 1010 cm-3
1.81019 cm-3
3.21019 cm-3
11.7
3.9
107 cm/s

Esercizio 1: giunzione p-n
Si consideri la giunzione in silicio (Si)
rappresentata in Figura 1, con regioni n+ e p
drogate rispettivamente ND= 1018cm-3 e NA =
m e tp=500
m.
1016cm-3. Inoltre tn=0.5
a. Calcolare il potenziale di built-in della
giunzione, lestensione della zona di carica
spaziale allequilibrio e lo spessore, Wn, della
residua zona neutra n+.
b. Considerando landamento del campo di
breakdown riportato in Figura 2, determinare la
tensione di breakdown del dispositivo e
lestensione delle regioni svuotate xn ed xp.
c. In polarizzazione diretta, la densit di corrente
segue il noto andamento J=JS(eqV/kT-1). Scrivere
lespressione della densit di corrente di
saturazione JS e quotarne il valore. Si usi per
Wn il valore trovato al punto (a)
Si supponga ora di rimuovere la zona n+ e di
realizzare una giunzione rettificante ponendo
direttamente un contatto metallico (q
=4.1eV)
sul substrato p. Il contatto inferiore sempre
ohmico.
d. Disegnare e quotare il diagramma a bande del
contatto superiore, allequilibrio. Si valuti
laltezza della barriera vista da elettroni e
lacune e la tensione di built-in del dispositivo.
e. Rappresentare in un grafico quotato il profilo
del campo elettrico F(x), ricavando il campo
massimo e lestensione della regione svuotata
xp.
f. Quali condizioni dovrebbe soddisfare la
funzione lavoro del metallo per dar luogo ad un
contatto ohmico?
Figura 1. Giunzione n+-p.
Figura 2. Campo di breakdown

Coefficiente diffusione elettroni in
zona p:
Coefficiente diffusione lacune in
zona n:
Tempi di vita medi (n e p):
Dn = 32 cm2/ s
Dp = 4 cm2/ s
n = p = 1 s
Tabella 1. Parametri fisici.
Esercizio 2: MOSFET
Si consideri il MOSFET in Figura 2,
realizzato crescendo 5nm di ossido SiO2 su
un substrato in silicio drogato p (NA= 1017
cm-3) su cui deposto un elettrodo con
funzione lavoro q
=4.5eV.
a) Calcolare la tensione di soglia, VT0 del
sistema MOS.
b) Determinare la massima tensione che
pu essere applicata al gate perch il
campo elettrico nellossido non superi
5MV/cm.
c) Disegnare e quotare in queste condizioni
di polarizzazione il profilo del campo
elettrico, F(x), e della densit di carica,
(x), lungo la sezione verticale del
dispositivo, indicando lestensione della
regione svuotata Wp.
Figura 2. MOSFET
Il dispositivo ha W=2m, L=0.25m

impiegato come transistore di ingresso di
una coppia differenziale, con VB =0V e
VS=0.9V.
d) Valutare se e quanto cambia la tensione
di soglia rispetto al valore VT0 trovato
al punto (a).
e) Si valuti corrente erogata in saturazione
per VG=2.0V tenendo conto che la
mobilit superficiale degli elettroni
pari a n=350 cm2/Vs.
f) Stimare la velocit media di moto delle
cariche lungo il canale e la
corrispondente frequenza di taglio del
componente.
Costante dielettrica del
vuoto:
Costante di Boltzmann
[eV/K]:
Costante di Boltzmann
[J/K]:
Massa dellelettrone a
riposo [kg]:
Tensione termica
(T=300K):
0 = 8.85 10-14 F/cm
1.12eV
k = 8.6210-5 eV/K
Concentrazione intrinseca
(300K):
1.45 1010 cm-3
3.21019 cm-3
q = 1.610-19 C
4.01eV
Densita` equiv. elettroni in

BC:
Costante dielettrica relativa
(Si):
Costante dielettrica relativa
(SiO2):
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
1.81019 cm-3
11.7
3.9
107 cm/s
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 24 Febbraio 2014

Costanti
0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
Esercizio 1: resistore integrato

Si consideri il resistore in Figura 1, realizzato con
silicio non drogato.
a) Valutare la conducibilit del materiale a
temperatura ambiente (T=300K) e la
corrispondente resistenza del componente.
b) Ai capi del resistore si applica una tensione
VA=1V. Valutare la corrente che attraversa il
componente e il tempo medio impiegato da
elettroni e lacune ad attraversare tutto il
componente.
c) Stimare la corrente che fluirebbe nel
componente se la temperatura aumentasse di
T=10C. Chiarire le approssimazioni adottate
nella stima.
Figura 1. Resistore Integrato
Il componente, termostatato a T=300K, sottoposto ad

illuminazione uniforme da parte di un fascio laser. A
partire dallistante t=0 di attivazione del laser, si rileva
landamento in Figura 2.
d) Scrivere lequazione che governa landamento
della concentrazione di portatori (elettroni o
lacune) nel tempo e ricavare la relazione
analitica che esprime landamento temporale in
Figura 2.
e) Stimare il tasso di generazione di portatori
indotto dal laser nellunit di volume del
resistore.
f) Tracciare in un grafico quotato il transitorio di
corrente che ci si attende allo spegnimento del
laser.
Figura 2. Transitorio di corrente
Lunghezza:
Spessore:
Larghezza:
Gap di energia (Silicio):
Concentrazione intrinseca Silicio:
Mobilit elettroni (300K):
L = 40 m
t = 500 nm
W = 10 m
EGAP = 1.12 eV
ni=1,45 1010 cm-3
n=1450 cm2/Vs
Mobilit lacune (300K):
p=480 cm2/Vs
Tabella 1. Parametri.
Esercizio 2:
Si consideri la struttura di un transistore
MOSFET riportata in Figura 3, i cui parametri
sono riportati in Tabella 3.
a) Calcolare la tensione di banda piatta VFB e
la tensione di soglia VT del sistema MOS.
b) Valutare, nella condizione di polarizzazione
VGS = VT e VD =VS=VB =0V la dimensione
della zona svuotata.
c) Valutare, nella stessa condizione di
funzionamento, il rapporto m tra la capacit
specifica dellossido e la capacit specifica
della zona svuotata.
Figura 3. Transistore MOSFET a canale n
Dopo 1000h di funzionamento polarizzato con

VGS=VDS=1.2V (VB=0V),
il dispositivo
manifesta un aumento della tensione di soglia
pari a VT=0.2V. Supponendo che questo
effetto sia determinato dallintrappolamento di
carica che si posiziona nel mezzo dello spessore
dellossido:
d) Valutare segno e densit della carica
(portatori per unit di area) responsabile
della degradazione.
e) Determinare la variazione percentuale
subita dopo 1000h dalla corrente erogata dal
transistore.
f) Ipotizzando che la carica che si accumula
nellossido sia una frazione costante, , della
carica che determina la corrente IDS,
ricavare lequazione differenziale che
descrive la dipendenza temporale della
soglia, ricavare landamento temporale della
variazione di corrente erogata e stimare .
Lunghezza di canale
Larghezza
Spessore dellossido di silicio:
Drogaggio di substrato:
Funzione lavoro gate
Costante dielettrica Silicio:
Costante dielettrica ossido:
Mobilit elettroni liberi di canale:
Velocit massima elettroni:
Tabella 2.
L = 130nm
W=10 L=1.3m
tox=60
A = 51017cm-3
q = 4.1eV
q = 4.05eV
EGAP = 1.12eV
ni=1,45 1010 cm-3
r = 11.7
r = 3.9
n=350 cm2/Vs
vsat_n=107 cm/s
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 6 Febbraio 2014

Costanti
0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
Esercizio 1: resistore integrato

Si consideri il resistore integrato rappresentato in
Figura 1: esso realizzato in Silicio (Si) drogato; ha
lunghezza L, spessore t e larghezza W. E` noto che la
distanza energetica tra il bordo inferiore della banda di
conduzione e il livello di Fermi e` EC-EF=131.24meV.
a) Dopo avere specificato se il silicio e` drogato n
oppure p calcolare la concentrazione di droganti
N nella condizione di ionizzazione completa.
b) Calcolare la concentrazione di portatori
minoritari.
c) In seguito allapplicazione di una differenza di
potenziale ai capi del resistore VA=150 mV, tra
i morsetti del dispositivo scorre una corrente di
IA=2,5
A. Calcolare la mobilita` dei portatori
maggioritari, , e la loro velocit media di
deriva, vd.
d) In seguito allesposizione del dispositivo a
radiazione ionizzante, la mobilit subisce un
degrado che la porta al 45% del suo valore
originario. Calcolare il tempo medio di
collisione dei portatori, , in questa condizione
(si mantenga costante la massa efficace).
Osservando la corrente che fluisce nel componente si
rileva che la resistenza R del resistore e` funzione del
tempo secondo la legge: R/R0 = (t/t0)g, dove R(t0)=R0
e` il valore calcolato al punto d), t0 e g sono parametri
riportati in tabella 2. Supponendo che questo
comportamento sia associato esclusivamente ad una
variazione della distanza tra il livello di Fermi e il
bordo delle bande.
e) Ricavare analiticamente la legge temporale di
variazione della distanza tra il bordo inferiore
della banda di conduzione e il livello di Fermi.
f) Calcolare il tempo necessario, esprimendolo in
anni, affinch la distanza energetica EC-EF
eguagli EGAP/2.
t
W
Figura 1. Resistore Integrato
Lunghezza:
Spessore:
Larghezza:
L = 400 nm
t = 50 nm
W = 70 nm
Tabella 1. Dimensioni resistore integrato.
Massa efficace elettroni:

Massa efficace lacune:
Gap di energia (Silicio):
Velocita` di saturazione elettroni:
ni=1.45 1010 cm-3

NV =1.81019 cm-3
NC =3.21019 cm-3
mn* = 0.26 m0
mp* = 0.48 m0
= 11.7
EGAP = 1.12 eV
vsat = 107 cm/s
Tempo iniziale deriva di resistenza:

Esponente legge temporale per R:
t0 = 1 s
g = 0.9

Tabella 2. Parametri.
Esercizio 2:
Si consideri la struttura di un transistore
MOSFET verticale riportata in Figura 2, i cui
parametri sono riportati in Tabella 3.
a) Calcolare la tensione di banda piatta VGS =
VFB della struttura (VS = VD = 0V). Qual
la differenza di potenziale tra il substrato p e
il terminale di source?
b) Si supponga ora VGS = VFB, VD = 1 V e VS
= 0V e si quotino le dimensioni delle zone
svuotate sul lato di source e di drain e
lestensione della zona neutra residua di
substrato p.
c) Stimare,
adottando
una
semplice
approssimazione planare per il sistema
MOS laterale, la tensione VGS = VQ per cui
si ha il completo svuotamento del substrato
p. Si noti che la differenza di potenziale tra
la zona neutra di substrato e il terminale di
source resta pari al valore ricavato al punto
(a).
d) Tracciare per VGS = VQ, VD = 1V e VS = 0 V

landamento della energia di potenziale per
gli elettroni secondo le sezioni A-A e B-B.
e) Stimare la tensione si soglia, VGS = VT della
struttura.
f) Stimare la corrente erogata dal transistore
per unit di larghezza (W=1m) quando
VG= VD =1V e VS = 0 V.
Figura 2. Transistore MOSFET verticale

Lunghezza di canale
Spessore dellossido di silicio:
Drogaggio di Source/Drain:
Spessore dello strato
Drogaggio di substrato:
Funzione lavoro metallo
L = 130nm
tox=50
D = 11019cm-3
T = 50nm
A = 51017cm-3
q = 4.5eV

Mobilit elettroni liberi di canale:
Velocit massima elettroni:
q = 4.05eV
EGAP = 1.12eV
ni=1,45 1010 cm-3
r = 11.7
r = 3.9
n=250 cm2/Vs
vsat_n=107 cm/s
Tabella 3.

Costanti
0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
Esercizio 1: giunzione
Si consideri la giunzione riportata in Figura 1 di
area WxL=100mx100m. Essa realizzata con
una impiantazione di superficiale di atomi di
fosforo (tn=0.2 m ND=1018cm-3) in un epistrato
di spessore =1.5m di drogaggio nominale
NA=5x1015cm-3 cresciuto su substrato p+ di
drogaggio nominale NA=1018cm-3. Supponendo
che i drogaggi delle varie zone siano pari ai loro
valori nominali.
a) Calcolare il potenziale di built-in e
lestensione della zona di carica spaziale
allequilibrio. Commentare il risultato
b) Valutare la tensione inversa che deve
essere
applicata
per
svuotare
completamente la regione p di epistrato.
c) Valutare in questultima condizione di
polarizzazione il valore della capacit, C,
della giunzione.
La Figura 2 riporta landamento della funzione

1/C2, in funzione della tensione di polarizzazione
inversa ai capi della giunzione. La curva
tratteggiata landamento che ci si attenderebbe
se tutta la zona p, sia epistrato che substrato, fosse
uniformemente drogata con NA=5x1015cm-3.
d) Ricavare lespressione formale della curva
tratteggiata legandola ai parametri fisici e
geometrici della giunzione.
e) A cosa corrisponde il valore di tensione
che
si
legge
in
corrispondenza
dellintercetta della curva con lasse delle
ascisse?
f) Sulla base dei risultati precedenti
identificare i motivi pi probabili per cui
la curva sperimentale si
scosta
dallandamento rettilineo giungendo a
saturare per V<-11V.
Figura 1
Dimensioni:
Drogaggio regione n+
Spessore zone n+:
Spessore epistrato:
Drogaggio epistrato p:
Spessore substrato:
Drogaggio substrato p+:
W = L = 100 m
ND = 1018 cm-3
tn = 0.2 m
= 1.5 m
NA = 5x1015 cm-3
500 m
NA = 1018 cm-3
ni=1.45 1010 cm-3
= 11.7
Figura 2
Esercizio 2:
Si consideri il condensatore MOS rappresentato in
Figura 2 in cui il substrato e` silicio lievemente
drogato con atomi accettori, NA=1014cm-3. Il
metallo di gate e` alluminio e la differenza di
funzioni lavoro metallo-semiconduttore e` ms= 0.83V Lo spessore dellossido (SiO2) tOX=500
. A causa di un processo di fabbricazione non
ancora maturo, nellossido e` intrappolata una
quantita` di carica positiva con densit pari a Nss
= 1010 cm-2.
a) Calcolare la tensione di banda piatta.
b) Calcolare la tensione di soglia, VTH e la
corrispondente estensione della zona di carica
spaziale nel semiconduttore.
c) Quali controindicazioni ci sarebbero alluso
del sistema MOS nella realizzazione di
transistori MOSFET?
d) Determinare il drogaggio di substrato da
impiegare per garantire una tensione di soglia
VTH=0.56V.
e) Calcolare la larghezza di canale W del
transistore, tale da avere una corrente di
saturazione ID(sat) = 500A nel punto di lavoro
VGS=8V.
f) Stimare la massima frequenza di lavoro del
componente nel punto di lavoro VGS=8V.
Figura 2. Condensatore MOS

Densit di carica positiva
nellossido:
Differenza funzioni lavoro
Alluminio-Silicio:
Nss = 1010 cm-2

ms = - 0.83 V
Funzione lavoro Alluminio:

Mobilita` portatori liberi di canale:
Lunghezza di canale:
Tabella 2.
q = 4.0 eV
q = 4.05eV
EGAP = 1.12eV
r = 11.7
r = 3.9
ch=650 cm2/Vs
L=1.25 m
Soluzione Tema desame 6/09/2013

Esercizio 1
a) Il lato p della giunzione ha un drogaggio variabile. Supponiamo che allequilibrio la zona di carica spaziale
si estenda nel solo epistrato di drogaggio NA=5x1015cm-3. In questo caso la caduta di tensione di built in
sarebbe :
bi =
kT ND NA
ln
q ni2
= 0.795V
In questa ipotesi, data la differenza di oltre due ordini di grandezza tra il drogaggio della zona n e quello
dellepistrato, per ricavare lestensione della zona svuotata si pu utilizzare lapprossimazione unilatera :
2bi
W=
= 0.45 m
qNA
Questo valore ben inferiore allo spessore di 1.3m dello strato p debolmente drogato. Lipotesi iniziale,
quindi, secondo cui la zona di svuotamento interamente contenuta nellepistrato, resta verificata.
b) Per svuotare completamente la zona a basso drogaggio, p, di spessore (-tn), necessaria una tensione
inversa tale da verificare la condizione :
( tn ) =
2 (bi + VR )
qNA
Da cui :
qN ( t )2
A
n
= 5.73V
VR =
bi
2
c) la capacit di giunzione in questa condizione di polarizzazione pari alla sola capacit di transizione,
dovuta alla modulazione della carica spaziale. Quindi :
C=
A
= 0.8pF
( tn )
d) Supponendo il drogaggio della zona p uniforme e molto inferiore a quello della zona n, la capacit di
transizione della giunzione data da (approssimazione unilatera) :
q NA
A
C=
=A
W
2 (bi V )
Da cui si ricava :
1
C
1 2 (bi V )
A 2 q NA
Se il drogaggio p costante, la relazione si riduce a una retta, il cui coefficiente angolare dipende da NA. Ci
in accordo con la linea tratteggiata riportata in figura 2.
e) Lintercetta della retta con lasse delle tensioni corrisponde alla tensione di built-in. Questa osservazione
permette quindi di ricavare sperimentalmente, da misure di capacit, il valore della tensione di built-in.
f) La curva sperimentale, allaumentare della polarizzazione inversa aumenta meno di quanto ci si
attenderebbe se il drogaggio restasse costante (retta tratteggiata). Probabilmente, quindi, il drogaggio
dellepistrato p non costante, ma tende progressivamente ad aumentare mano a mano che ci sia avvicina
allinterfaccia con il substrato p+. Per tensione inversa pari a 11V, la zona di carica spaziale raggiunge
linterfaccia con il substrato fortemente drogato e qui, sostanzialmente, si blocca a causa dellalto
drogaggio. Ci giustifica la saturazione della curva capacitiva per V<-11V.
Pagina 1 di 3
Esercizio 2
a) A seguito della presenza della carica interfacciale positiva, la tensione di banda piatta non determinata
dal solo potenziale di contatto ms. Si ha:
VFB = ms
qN'ss
C'ox
La carica di interfaccia qNss=1.6 nC/cm2, mentre la capacit specifica dellossido :

C'ox = ox t ox = 69nF / cm2
e quindi VFB=-0,853V
b) La tensione di soglia data dalla relazione:
VT = VFB + sth +
Q'd
C'ox
Dove il potenziale superficiale a soglia :

sth = 2
kT NA
ln
q ni
Corrispondente al valore 0.456 V. La densit di carica nella zona svuotata invece:

Q'd = 2q NA sth = 3.9nC / cm2
Sostituendo i valori numerici si ottiene:

VT = 0.853 + 0.456 +
3.9
= 0.341V
69
c) se questo sistema fosse impiegato per la realizzazione di transistori MOS a canale n, i dispositivi
polarizzati con VG=0V sarebbero gi in conduzione. Per evitare la conduzione, sarebbe quindi necessario
applicare delle tensioni di gate negative. Questi componenti sono detti, normally-on.
d) La tensione di soglia dipende dal drogaggio. In particolare, esplicitando le dipendenze si ha:
VT = ms
qN'ss
C'ox
+ sth +
Q'd
C'ox
( )
2 qNA 2p
Eg
qN'ss
= M +
+ p
+ 2p +
'
'
2
Cox
C ox
Ovvero:
VT = V0 + p +
( )
2 qNA 2p
C'ox
Dove si indicato con V0, il termine indipendente dal drogaggio:
Eg qN'ss
V0 = M +
+
= 0, 63V
2
C'ox
Si noti che p ha una dipendenza debole, logaritmica, dal drogaggio:

p =
kT NA
ln
q ni
(*)
ci d quindi modo di impostare una procedura di soluzione iterativa. Dallespressione della soglia si ricava:
C'ox VT V0 p
NA =
4 qp
(**)
Nel procedimento iterativo, si parte da una stima iniziale di NA, dalla (*) si ricava il corrispondente valore di
p, che si inserisce nel secondo membro della (**), ricavando cos una nuova stima di NA. Dopo qualche
iterazione si converge a NA=1.42 1016 cm-3.
Pagina 2 di 3

e) La corrente di un MOSFET realizzato con questa tecnologia sarebbe:
IDS =
1
W
2
n C'ox ( VGS VT )
2
L
Da cui si ricava:
W=
2IDS
n C'ox
( VGS VT )2
Che numericamente porta a W=0.5m.

f) La massima frequenza di lavoro legata al tempo di transito del dispositivo. La velocit media di deriva
delle cariche pu essere stimata da:
v d = n
( VGS VT )
L
Tuttavia, sostituendo nellespressione i valori corrispondenti al punto di lavoro si ha vd=3.8x107 cm/s, che
maggiore della velocit massima raggiunta dagli elettroni in silicio. Pertanto una miglior stima del tempo di
transito :
tT =
L
v sat
e la corrispondente stima della frequenza di funzionamento :

fT =
1
2 t T
Numericamente pari a 12.7GHz.
Pagina 3 di 3
Costanti
0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
Esercizio 1: giunzione
Si consideri la giunzione riportata in Figura 1 di area
WxL=100mx100m. Tra le due regioni drogate
interposto uno strato di drogaggio trascurabile.
a) Calcolare il potenziale di built-in.
La giunzione polarizzata direttamente con V=0.7V.
Riferendosi a questo punto di lavoro:
b) Disegnare landamento della carica spaziale
alla giunzione e il profilo di campo elettrico,
quotando lestensione della zona svuotata e il
campo elettrico massimo.
c) Quotare landamento delle cariche minoritarie
nelle zone neutre adiacenti determinando
leccesso di carica minoritaria presente in
ciascuna di esse.
d) Valutare la corrente che attraversa la

giunzione.
e) Valutare la capacit di transizione e la capacit
di diffusione.
f) Disegnare il circuito equivalente per piccoli
segnali del dispositivo nel punto di lavoro
considerato, completo degli elementi reattivi.
Figura1
Dimensioni:
Drogaggio regione n+
Spessore zone n+:
Spessore sona intrinseca:
Drogaggio regione p:
W = L = 100 m
ND = 1018 cm-3
tn = 0.3 m
= 0.3 m
NA = 1016 cm-3

ni=1.45 1010 cm-3

= 11.7
Vita media delle lacune un zona n :
p = 10 ns
Vita media degli elettroni in zona p:
n = 1 s
Coefficiente di diffusione elettroni :
Dn = 30 cm2/s
Coefficiente di diffusione lacune :
Dp = 5 cm2/s
Esercizio 2:
Si consideri il sistema MOS rappresentato in
Figura 2 in cui il substrato e` silicio drogato con
atomi accettori. Nella condizione di soglia la
carica di svuotamento massima nel silicio e`:
|QD(max)|=48 nC/cm2. Lo spessore dellossido
(SiO2) tOX=550 .
a) Calcolare la concentrazione di droganti
accettori nel silicio, NA.
b) Calcolare la tensione di soglia VTH.
c) Calcolare il rapporto r tra la capacita` minima
per unita` di area Cmin che si ottiene poco prima
di giungere a soglia e la capacita` dellossido per
unita` di area COX.

Carica nellossido:
Differenza funzioni lavoro
metallo-semiconduttore:
Il sistema MOS impiegato per fabbricare un

transistore MOSFET di larghezza W=9m. Il
dispositivo opera in zona satura, con VGS =3.5V
e VDS(sat)=VGS-VTH. La sua frequenza di taglio
e` fT = 1GHz.
d) Stimare la lunghezza di canale L.
e) Calcolare la velocita` media di deriva del
portatore libero di canale, vD, e il campo
elettrico lungo il canale, Ech.
Qss = 0
ms = - 0.83 V

Mobilita` portatori liberi di canale:
Tabella 2.
q = 4.05eV
EGAP = 1.12eV
r = 11.7
r = 3.9
ch=550 cm2/Vs

Esercizio 2
a) Nella condizione di soglia si ha:
'
QD,max
= 2q NA p
(*)
Dove, la tensione
kT NA
ln
q ni
p =
(**)
Ha anchessa una dipendenza dal drogaggio. Questa dipendenza tuttavia debole. La soluzione pu quindi
essere ricavata con un procedimento iterativo in cui si parte da una stima iniziale di NA. Sulla base di questa
si ricava p dalla (**). Il valore poi utilizzato per ricavare una nuova stima di NA utilizzando:
p =
'
2
QD,max
2q NA
Ricavata invertendo la (*). Dopo qualche passo si giunge a NA=1.03 1016 cm-3.
b) la tensione di soglia quindi:
VT = ms + 2p +
'
QD,max
C'ox
Dove:
kT NA
ln
= 0.694V
q ni
= ox = 60.6nF / cm2
t ox
2p = 2
C'ox
E quindi VT=0,629V
c) A soglia, lestensione della zona di carica spaziale, nel silicio :
W=
( ) = 29.5 nm
2 2p
qNA
La capacit associata quindi:

C'd =
Si
W
= 34nF / cm2
La capacit minima si misura ai morsetti del sistema MOS appena prima della soglia. Essa pari alla
composizione in serie della capacit dovuta allossido e della capacit della zona svuotata. Numericamente:
'
Cmin
= C'ox C'd = 22.1nF / cm2
La massima capacit, si ottiene invece quando il canale si formato. Essa pari alla capacit del solo strato
di ossido. Il rapporto richiesto quindi:
r=
'
Cmin
C'ox
= 0.35
Ovvero, la capacit del sistema MOS varia, a seconda del punto di lavoro da Cox a 35% Cox.
d) La frequenza di taglio del componente legata al tempo di transito nel canale dalla relazione:
fT =
1
2 t T
Per fT=1GHz, il tempo di transito 159ps. Daltro canto, il tempo di transito legato alla lunghezza del
canale e al campo elettrico medio di deriva da:
tT =
L
L2
=
vd
n ( VGS VT )
Da cui si ricava L=5m.
Pagina 3 di 4

e) Si tratta ora di verificare che la velocit media stimata precedentemente non superi la massima velocit
di deriva degli elettroni in silicio. Il campo elettrico medio di deriva lungo il canale :
F=
( VGS
VT )
L
= 5.72 kV/cm
e la velocit di deriva media stimata :

v d = nF = 3.14 106 cm/s < v sat
Pagina 4 di 4
Costanti
0 = 8.85 10-14 F/cm

k = 8.6210-5 eV/K
k = 1.3810-23 J/K
m0 = 9.1 10-31 kg
Vth = 25.8 mV
q = 1.610-19 C
Esercizio 1: giunzione pn e resistore integrato

Si
consideri
la
doppia
giunzione
rappresentata in Figura 1: essa costituita da
una prima giunzione pn (a sinistra) e da una
seconda giunzione np (a destra). Le tre
regioni sono poste a contatto e non
applicata tensione alcuna.
a) Calcolare,
separatamente
per
entrambe le giunzioni, il potenziale di
built-in.
b) Calcolare lestensione delle zone di
carica spaziale allequilibrio nella
sola regione n.
c) Calcolare allequilibrio i campi
elettrici massimi alle giunzioni
metallurgiche e rappresentare in un
grafico quotato landamento del
profilo di campo lungo le tre regioni.
Il sistema di Figura 1 viene ora polarizzato in
modo che entrambe le giunzioni siano
polarizzate inversamente (Figura 2) con VR
= 10V.
d) Calcolare lestensione totale tn che
deve avere la regione n (considerando
sia la zona neutra sia le zone
svuotate), affinch la resistenza
elettrica della regione n che resta
neutra abbia una resistenza R = 30k,
quando attraversata da correnti ungo
lasse y .
e) Calcolare, per il resistore in zona n, la
distanza energetica tra la banda di
conduzione e il livello di Fermi, ECE F.
Lunghezza:
Spessore zone p:
Larghezza:
Drogaggio regione p (sinistra):

Drogaggio regione n:
Drogaggio regione p (destra):
L = 100 m
tp = 40 m
W = 4.2 m
NA1 = 1014 cm-3

ND = 1016 cm-3
NA2 = 21018 cm-3
Figura 1
Figura 2. Giunzioni polarizzate

Mobilita` elettroni zona n:
Gap di energia (Silicio) :
ni=1.45 1010 cm-3

NV =1.831019 cm-3
NC =3.221019 cm-3
n = 1350 cm2/Vs
= 11.7
EGAP = 1.12 eV
Esercizio 2:
Si consideri il sistema MOS rappresentato in
Figura 2. Il drogaggio di substrato
NA=5x1016cm-3 e la tensione di banda piatta
VFB=0.5 V. Lo spessore dellossido 10nm.
a) Determinare la tensione di soglia VTH e
lestensione della zona di carica spaziale a
soglia.
b) Sapendo che il metallo di gate Cromo
(funzione lavoro qM=4.5eV) determinare
segno e densit della carica fissa presente
allinterfaccia ossido-silicio eventualmente
compatibile con la tensione VFB misurata.
c) Determinare la tensione massima di
polarizzazione del gate perch, nellossido,
il campo elettrico non superi 5MV/cm.
Il sistema MOS impiegato per realizzare un
transistore MOSFET di lunghezza L=1m e
larghezza W=10m. Il dispositivo per VGS =5V e
VDS=0V (VB =VS= 0) ha una resistenza di canale
pari a 250Ohm.
d) Stimare la mobilit dei portatori liberi di
canale.
e) Stimare,
nella
condizione
di
polarizzazione VGS=VDS=5V il campo
elettrico medio lungo il canale e la
massima velocit di deriva raggiunta
dalle cariche.

Concentrazione intrinseca
Densit di stati equivalenti in
banda di conduzione
Densit di stati equivalenti in
banda di valenza
q = 4.05eV
EGAP = 1.12eV
ni= 1.451010 cm-3
r = 11.7
r = 3.9
NC=3.22 1019cm-3
NV=1.83 1019cm-3

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Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 5 Settembre 2014

Esercizio 1: giunzione p-n e resistore integrato

d. Pensando di ripartire CP a met tra i due

Figura 1. Resistore integrato.

Mobilit elettroni maggioritari:

Si supponga ora che, a seguito dellesposizione

Parametri fisici di uso generale

0 = 8.85 10-14 F/cm

Gap di Energia Silicio:

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 19 Settembre 2014

Si supponga ora di sottoporre il substrato a

Figura 2. Mobilit e drogaggio.

Figura 3. Sistema MOS su substrato p

Il processo di fabbricazione del dispositivo modificato,

Parametri fisici di uso generale

0 = 8.85 10-14 F/cm

Gap di Energia Silicio:

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 18 Luglio 2014

Figura 1. Giunzione p-n.

Si consideri la giunzione in diretta con tensione VD

Figura 2. Resistivit e drogaggio.

Figura 3. MOS su substrato n

Il sistema MOS precedente utilizzato per realizzare un

Figura 4. Invertitore CMOS

Parametri fisici di uso generale

0 = 8.85 10-14 F/cm

Gap di Energia Silicio:

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 4 Luglio 2014

Figura 1. Giunzione n+-p.

Figura 2. Campo di breakdown

Il dispositivo ha W=2m, L=0.25m

0 = 8.85 10-14 F/cm

Gap di Energia Silicio:

1.45 1010 cm-3

Carica dellelettrone [C]:

Affinit elettronica Silicio:

Densita` equiv. elettroni in

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 24 Febbraio 2014

0 = 8.85 10-14 F/cm

Esercizio 1: resistore integrato

Figura 1. Resistore Integrato

Il componente, termostatato a T=300K, sottoposto ad

Figura 3. Transistore MOSFET a canale n

Dopo 1000h di funzionamento polarizzato con

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2013/2014 6 Febbraio 2014

0 = 8.85 10-14 F/cm

Esercizio 1: resistore integrato

Tabella 1. Dimensioni resistore integrato.

Massa efficace elettroni:

ni=1.45 1010 cm-3

Tempo iniziale deriva di resistenza:

Concentrazione intrinseca (300K):

d) Tracciare per VGS = VQ, VD = 1V e VS = 0 V

Figura 2. Transistore MOSFET verticale

Affinit elettronica Silicio:

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2012/2013 6 Settembre 2013

0 = 8.85 10-14 F/cm

La Figura 2 riporta landamento della funzione

Figura 2. Condensatore MOS

Nss = 1010 cm-2

Funzione lavoro Alluminio:

Soluzione Tema desame 6/09/2013

Soluzione Tema desame 6/09/2013