Chvez Daz Rodrigo, Vzquez Alcaraz

Guillermo Grupo: 09
FACULTAD DE INGENIERA

Lab.
Dispositivos de
Almacenamient
o E/S
Reporte Prctica 2 Memorias de
slo lectura semiconductoras
(ROMs).
Principio de funcionamiento.

OBJETIVO DE LA PRCTICA
Conocer el principio de funcionamiento de las memorias de slo lectura, las partes
integrales de las mismas, as como los diferentes tipos de memorias ROM que existen.
Que el alumno conozca e identifique una memoria comercial EPROM y/o EEPROM, as
como la configuracin de sus pines y las aplicaciones que puede tener en el campo de la
ingeniera computacional.
INTRODUCCIN
Las memorias de slo lectura ROMs (Read Only Memories), son aquellas memorias que
nicamente permiten la operacin de lectura en uso normal, sin embargo cabe sealar
que existen algunos tipos de ROMs en las cuales se puede llevar a cabo la operacin de
escritura, pero el tiempo que requiere para realizarla es mucho mayor que el tiempo
necesario para la operacin de lectura, por consiguiente no son consideradas como
memorias de lectura y escritura.
Una caracterstica de las memorias ROMs es que son del tipo de memorias no voltiles
por lo que son muy importantes en los sistemas computacionales, esto es debido a que
son utilizadas para almacenar informacin que solamente queremos leer, como por
ejemplo para guardar el conjunto de instrucciones que tienen que ser ejecutadas para
arrancar un sistema computacional cuando ste es encendido. Otras aplicaciones seran:
guardar el sistema operativo, macroinstrucciones, cdigos, funciones trigonomtricas,
logartmicas, generadores de caracteres, microprogramas, etc. De esta forma las ROMs
son integradas como componentes de una computadora, a esto se le conoce con el
nombre de firmware (software contenido en hardware).
Existen varios tipos de memorias de slo lectura (ROMs):
Memoria ROM de mscara (MROM)
Memoria ROM programable (PROM)
Memoria ROM programable y borrable con luz ultravioleta (EPROM)
Memoria ROM programable y borrable elctricamente (EEPROM)
Y dos tipos de tecnologas de fabricacin bsicas en las ROMs, la bipolar y la MOS (figura
1). Como puede observarse, en la bipolar slo hay ROMs de mscara y PROMs, mientras
que en la MOS existen adems de las anteriores las EPROMs y las EEPROMs.

La principal diferencia entre estas dos tecnologas es el tiempo de acceso. Las ROMs
bipolares tienen un tiempo de acceso menor que las ROMs de tecnologa MOS. Por
consiguiente, las bipolares tienen una disipacin de potencia mayor que las MOS. Por otro
lado, las bipolares se fabrican principalmente con una capacidad menor que las MOS.
Como ya dijimos las memorias ROM son no voltiles y de lectura no destructiva, esto
ltimo quiere decir que la informacin no se pierde cuando se lee una localidad o registro
de la memoria.
Los dispositivos de almacenamiento tienen como propsito guardar informacin y
proporcionarla cuando sta se necesite, por tal motivo estos dispositivos requieren de una
estructura para poder realizar sus operaciones de lectura o escritura, a continuacin se
muestra el diagrama de bloques de la estructura bsica de estos dispositivos.

La arquitectura (estructura) de un circuito integrado (CI) ROM es muy compleja, y no

necesitamos conocer todos sus detalles. Sin embargo, es ilustrativo observar un diagrama
simplificado de la estructura interna, como el que se muestra en la figura 3 para una ROM
de 16 x 8. Los cuatro bloques bsicos mostrados, funcionan de la siguiente manera:
Almacenamiento. Este bloque est integrado por una matriz de registros que almacena
los datos que han sido programados en la ROM. Cada registro contiene un nmero de
celdas de memoria que es igual al tamao de la palabra. En el caso de la figura, cada
registro almacena una palabra de 8 bits. Los registros se disponen en un arreglo de matriz
cuadrada que es comn a muchos circuitos. Podemos especificar la posicin de cada
registro como una ubicada en un rengln y una columna especficos. Por ejemplo, el
registro 0 se encuentra en el rengln 0 / columna 0, el registro 9 se encuentra en el
rengln 1 / columna 2 y el registro 15 se encuentra en el rengln 3 / columna 3.
Las ocho salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos interno que
corre a travs de todo el circuito (bus de datos). Cada registro tiene dos entradas de
habilitacin (E); en este caso, ambas tienen que ser altas a fin de que los datos del
registro sean colocados en el canal y sean almacenados en el buffer de entrada/salida.

MEMORIAS EPROM y EEPROM

Las EPROM, son memorias de slo lectura, programables y borrables, se programan
mediante pulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta, por
lo que stas tambin son conocidas como UVEPROM (por sus siglas en Ingls Ultra Violet
Erasable Read Only Memory). Una caracterstica que presentan estas memorias es que el
circuito integrado presenta una ventanita.
La programacin de una celda consistira en introducir electrones en forma de avalancha
a la compuerta flotante del transistor seleccionado, quedando stos atrapados en la
misma, dicha carga aumenta la conductividad entre las terminales del gate y el source del
transistor, hacindolo conductor (el transistor enciende), en ese caso podramos decir que
la celda tiene almacenado un uno. Si la compuerta flotante del transistor seleccionado
est vaca, este transistor no enciende, por lo que podramos decir que la celda tiene
guardado un cero.
El borrado consistira en colocar el circuito integrado con la ventanita descubierta en un
dispositivo borrador, aplicndose los rayos de luz ultravioleta al mismo, con lo cual se
eliminaran por efecto fotoelctrico los electrones que estuvieran atrapados en las
compuertas flotantes correspondientes, con lo cual se volvera al estado inicial, es decir
ningn transistor podra encender, (el borrado sera en todas las celdas de la memoria),
por lo que podramos decir que la memoria tendra almacenados puros ceros. Las
memorias EPROM solamente se pueden borrar un nmero limitado de veces (entre 6 y
10).
Las memorias EEPROMs son memorias de slo lectura, programables y borrables
elctricamente (su nombre proviene de las siglas en ingls Electrically Erasable
Programmable Read Only Memory).
Las celdas de memorias EEPROM son similares a las celdas EPROM algunas diferencias
se encuentran en la capa aislante alrededor de cada compuerta flotante, la cual es ms
delgada y no es fotosensible, adems cada celda de las memorias EEPROM est
integrada por dos transistores, uno de direccionamiento y el otro de almacenamiento, ste
ltimo es el que posee la compuerta flotante.
Las memorias EEPROM son programables y borrables a travs de pulsos elctricos, se
puede borrar totalmente una memoria en un solo instante, o localidades individuales de
almacenamiento pueden ser borradas y reprogramadas por medio de pulsos elctricos,
sin necesidad de retirar el circuito integrado de su lugar, con lo cual se logra una gran
flexibilidad. Las memorias EEPROM son ms caras que las EPROM, adems se pueden
borrar y reprogramar miles de veces y la informacin almacenada puede perdurar
aproximadamente 100 aos. La programacin de una memoria EEPROM es muy similar a
la EPROM.
En la figura 5 se muestran los circuitos integrados 27C64 y 28C64 que corresponden a las
memorias EPROM y EEPROM respectivamente, ambas con una capacidad de 64 Kbits,
en ellos podemos apreciar que casi son idnticos, las diferencias seran que en el pin
nmero 1 de la EPROM aparece el voltaje para programacin (Vpp), mientras que en la
EEPROM no hay conexin (NC), en el pin 27 en la primera est el pulso de programacin

(PGM), mientras que en la segunda est el habilitador de escritura (WE). Como se puede
observar son casi idnticos.

Figura 5. Circuito Integrado de Memorias EPROM y EEPROM con capacidad de 64 Kbits

DESARROLLO
i) Implemente la memoria ROM de la figura 6. Nota: Encuentre la forma de utilizar el CI
74LS139 para poder obtener un decodificador 3 x 8 que se necesita para la
implementacin.
Verifique su funcionamiento y escriba la tabla de informacin que tiene guardada, llame al
instructor para la verificacin.
A

0
0
0
0
1
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1
1

0
1
0
1
0
1
0
1

S
1
0
0
1
1
0
1
1
0

S2
0
1
1
0
0
1
0
0

En qu momento se guard la informacin?

Cuando pasa por el diodo, ya que este representaba un uno en una memoria.
A qu tipo de memoria ROM pertenece?
EPROM CMOS
4

Qu pasar con la informacin guardada en la memoria si se quita inesperadamente la

alimentacin?
La informacin queda guardada.

Por qu sucede esto?

Porque estn conectados a las lneas de voltaje y los diodos conectados a la salida activa
del deco cambian el valor en memoria a uno y esto refleja el valor almacenado.
Qu implica que haya un diodo o no? Explique cul es el principio de funcionamiento
de esta memoria?
El deco se encarga de recibir la direccin de los bits de la rom y traducirla a una lnea
para la seleccin de uno de los ocho valores posibles contenidos en la memoria. Debido a
que la fuente de alimentacin de las lneas verticales es 5 V, este voltaje llegar
directamente hasta la salida a menos que se active un diodo que impida su llegada.
Identifique en la figura 6, los bloques bsicos que integran una memoria.

Bloque de
direccionamiento
Bloque de
almacenamiento

Bloque de entrada/salida

Conclusiones:
Rodrigo Chvez Daz
Con esta prctica se pudo repasar lo visto en teora, tambin pude repasar el alambrado,
puedo decir que con esta prctica volv a recordar mis tcnicas de alambrar as como el
uso de los circuitos integrados.
Vzquez Alcaraz Guillermo
Esta prctica nos ayud mucho a comprender como funcionan las memorias rom y que
tipos de memorias hay y como alambrar un decodificador con los diodos y comprender su
funcionamiento.