TEMA1

TOMOS Y LUZ
El fotn es la partcula elemental responsable de las manifestaciones cunticas
del fenmeno electromagntico, es decir, es la partcula portadora de todas las formas
de radiacin de la energa. En cada tomo hay protones y electrones. Los electrones se
distribuyen en diferentes niveles con diferente energa cada uno, medida en
electronvoltios (eV). La energa propia de cada nivel es por campos. Los niveles o
campos inferiores tienen mayor energa que los superiores.
El espectro electromagntico es la distribucin energtica del conjunto de
ondas electromagnticas. Referido a un objeto, sta es la radiacin que emite o absorbe
una sustancia. Dicha radiacin sirve para identificar la sustancia de manera anloga a
una huella dactilar.
Las radiaciones electromagnticas se pueden clasificar en rayos gamma, rayos
X, rayos ultravioleta, visible, infrarrojo, microondas y ondas de radio. Todas estas
responden a la formula de Plank, la cual dice que a mayor energa de la onda tiene una
longitud de onda menor. Los rayos gamma son los rayos con mayor energa y, por lo
tanto, tienen reducida longitud de onda. En las ondas de radio ocurre de manera inversa,
tiene reducida energa con gran longitud de onda. La radiacin de un cuerpo negro es
una frmula en la cual se emplea la constante de Plank. En dicha frmula, la intensidad
mxima se desplaza hacia longitudes de onda mas cortas cuando la temperatura del
cuerpo negro aumenta. La luz se puede desplazar en el vaco porque es una onda la cual
se desplaza tridimensionalmente. La luz tambin tiene fenmenos de onda como la
refraccin, teniendo ndices de refraccin de permeabilidad y permitividad. Hay varios
experimentos en los que se explica el porque la luz tiene naturaleza corpuscular, por
ejemplo, Young; Broglie, Thomson y Davisson, entre otros.
FUNCIN DE ONDA DE LA MATERIA
Los orbitales muestran el espacio entre los cuales puede encontrarse los
electrones del tomo. Se deducen por la ecuacin de Schrdinger. Segn sta las ondas
se pueden encontrarse en estado estacionario, el normal y el no estacionario, que es
cuando la onda tiene forma rara.
El efecto tnel es un efecto nanoscpico por el que una partcula viola los
principios de la mecnica clsica penetrando una barrera de potencial o impedancia
mayor que la energa cintica de la propia partcula. Otra forma de explicarlo es que un
electrn, puede salvar un potencial (nivel energtico) mediante un tnel el cual no
supone gasto energtico. Esto no ocurre siempre, slo ocurre en una pequea parte de
los fotones incidentes que no son reflejados.

BANDAS DE ENERGA EN SLIDOS

La teora de las bandas de energa se basa en el hecho de que en una molcula,
los orbitales de cada tomo, se solapan produciendo un nmero discreto de orbitales
moleculares. La configuracin de las bandas puede tener diferentes formas. Cuando una
gran cantidad de tomos se unen, el nmero de orbitales de valencia es tan grande y la
diferencia de energa entre cada uno es tan pequea que se puede considerar como si los
niveles de energa conjunta formaran bandas continuas; y no niveles de energa como
ocurre en los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos intervalos de energa
que no contienen orbitales, se crean ciertas brechas energticas entre las diferentes
bandas.
Hay diferentes tipos de bandas de energa, la banda de valencia y la banda de
conduccin. La banda de valencia esta ocupada por los electrones de valencia, es decir,
aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel energtico de los tomos.
El otro tipo es la banda de conduccin la cual est ocupada por los electrones libres, es
decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. stos
ltimos son los responsables de conducir la corriente elctrica. La distancia entre
bandas se llama banda prohibida, la cual es la diferencia de energa entre la parte
superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. sta se
encuentra en mayor grado en los aislantes y en menor grado en los semiconductores.
En consecuencia de las bandas de energa se puede clasificar a los materiales
en conductores, semiconductores y aislantes. En los conductores no hay separacin, o
muy poca entre la banda de valencia y la banda de conduccin. En los aislantes, la
separacin de las bandas de valencia y las de conduccin es mayor y los electrones no
pueden saltar. En los semiconductores, la distancia entre las bandas es menor y, en
ocasiones, los electrones pueden salvar el espacio entre las bandas. Para que este salto
ocurra se deben dar algunas de las siguientes situaciones, que el material se encuentre a
altas presiones, a temperatura elevada o que se le aadan impurezas, las cuales aporten
ms electrones. El nivel fermi es el nivel de energa de equilibrio de los electrones en
los materiales, el cual es equivalente al potencial electroqumico en la electroqumica y
fsico-qumica. ste permite estimar el nmero de electrones en la banda de conduccin
y los huecos en la banda de valencia. En los materiales los electrones se desplazan por
los huecos de electrones. Un hueco es la ausencia de un electrn en la banda de valencia.
Entonces se puede afirmar que el hueco de electrn es uno de los portadores de carga
que contribuyen al paso de corriente elctrica en los semiconductores.
El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un material
cuando se hace incidir sobre l una radiacin electromagntica. El campo de afinidad
electrnica es la energa que hay entre el potencial de vacio y el potencial de la banda de
conduccin.
Un semiconductor intrnseco consiste en un semiconductor que a cierta
temperatura pierde electrones de la banda de valencia saltando stos a la banda de
conduccin, dejando un hueco libre en la banda de valencia. El fenmeno contrario
2

tambin se da, los electrones liberan energa y este fenmeno se llama recombinacin.
La formacin de pares electrones-huecos se puede igualar y ser constate, de manera que
la n significa la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos. Los
semiconductores extrnsecos son como los intrnsecos slo que se le aade cierto
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes; estos
semiconductores se dice que estn dopados.
Un semiconductor tipo n se obtiene aadiendo cierto nmero de tomos al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres. El
propsito del dopaje tipo n es producir abundancia de electrones portadores en el
material. El semiconductor tipo p se obtiene aadiendo cierto nmero de tomos al
semiconductor para aumentar el nmero de portadores de cargas libres o huecos. El
propsito del dopaje tipo p es el de crear abundancia de huecos.
La polarizacin de los semiconductores ocurre porque se pueden distinguir dos
zonas, las n y las p. La zona n contiene portadores de carga negativa (electrones) y; la
zona p contiene portadores de carga positiva (huecos). Segn esto se pueden dar dos
polarizaciones, la directa y la indirecta. Al establecerse las corrientes aparecen cargas
fijas, las cuales reciben el nombre de barrera interna de potencial o zona de carga o de
agotamiento. A medida que fluye la intensidad, dicha zona va incrementando su anchura
tomando terreno de ambas zonas. La acumulacin de iones positivos de la zona n y la de
negativos en la zona p, crean un campo elctrico el cual crea un campo elctrico sobre
los electrones libres, el cual los detendr.
En la polarizacin directa, se debe conectar el polo positivo de una batera al
nodo y el polo negativo al ctodo. La corriente, en este caso, fluye de la zona n hacia la
zona p. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres de la zona n
adquieren energa suficiente para saltar a los huecos de p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la p,
atravesando la carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p,
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto, el electrn es atrado por
el polo positivo de la batera y; se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final de la
zona p.
En la polarizacin indirecta, se conecta el polo negativo de la batera a la zona
p y; el polo positivo a la zona n, los cuales hacen aumentar la zona de carga espacial y,
consecuentemente, la tensin necesaria para salvar dicha zona. El polo positivo de la
batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen de la zona n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A
medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad y
una carga neta positiva, los cuales pasan a ser iones positivos. El polo negativo de la
batera cede electrones libres a los tomos de la zona p. Estos electrones caen dentro de
los huecos con los cuales, adquieren estabilidad, y pasan a formar iones negativos. En
3

esta situacin el diodo no debera de conducir la corriente, si embargo, debido al efecto

de la temperatura, se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente.

TEMA2
TCNICAS DE MEDIDA
Existen diferentes tcnicas de medidas. Algunos ejemplos de medidas
elctricas son las medidas de 2, 3 y 4 electrodos. El mtodo de dos electrodos puede
mide el potencial de reduccin-oxidacin (redox). La tcnica de los cuatro electrodos
sirve para el estudio de lquido con su interfaz. Otro experimento con cuatro electrodos
es el de Van der Pauw, el cual sirve para medir la resistividad y el coeficiente de Hall de
una muestra. La tcnica de los tres electrodos se utiliza en la caracterizacin del
almacenamiento de la energa y la conversin de sta. Las tcnicas electroqumicas de
dos, tres y cuatro electrodos, necesitan de material un ordenador, un potenciostato o un
analizador de frecuencia y una celda electroqumica. La tcnica de los dos electrodos
tiene conectados el CE y el RE conectados en un polo, y el S y el WE en el otro. El
control exacto de la configuracin del potencial interfacial no es crtico. sta
configuracin se utiliza a menudo en la caracterizacin de almacenamiento de energa y
dispositivos de conversin de energa. La configuracin de tres electrodos es que en un
polo nicamente CE y; en el otro tiene el S y WE conectados y el RE los controla con
precisin para evitar que se producen cadas de potencial. Esta es la configuracin ms
usada en las medidas electroqumicas. Por ltimo, la configuracin de los cuatro
electrodos es la siguiente. El material se divide en dos zonas, en las cuales se conectan
dos cables en cada una. En los polos se conectan CE y WE, y en mitad de las zonas se
conectan RE y S, respectivamente.
Una impedancia es la medida de oposicin que presenta un circuito a una
corriente cuando se aplica un voltaje. La impedancia puede ser una resistencia, una
inductancia o un condensador. La principal ventaja de las impedancias es que se puede
realizar mltiples operaciones con ellas y; ponerlas en diferentes posiciones. Un
potenciostato es un dispositivo electrnico requerido para ejecutar la mayora de los
experimentos electroanalticos. Su funcionamiento es que mantiene el potencial del
electrodo de trabajo a un nivel constante, respecto al potencial del electrodo de
referencia mediante el ajuste de la corriente en un electrodo auxiliar.
Cuando la luz incide sobre un material, parte de la radiacin incidente es
reflejada, parte transmitida y parte absorbida. En los materiales que son opacos no hay
transmitancia. La parte que traspasa al objeto, es la luz transmitida. Hay veces que la
energa reflejada es despreciable. La energa absorbida por el material desde del
coeficiente de absorcin y por el grosor del material. El aparato que permite medir la
cantidad de energa radiante que absorbe o transmite un sistema qumico en funcin de
la longitud de onda es el espectrmetro y su tcnica se denomina espectrometra. Para
realizar esto, se emplea una fuente de radiacin, cristales monocromados, muestras a
leer y de referencia, varios, sensores, polmetro y un ordenador.
El espectrmetro rpido es la combinacin del espectrgrafo y de CCD. Un
Charge-coupled device (depsito de carga acoplada) es un circuito integrado que
5

contiene un nmero determinado de condensadores enlazados o acoplados. La

combinacin de los espectrgrafos y de los CCD permite evitar aberraciones cromticas
como pticas.
La fosforescencia es el fenmeno en el cual ciertas sustancias tienen la
propiedad de absorber energa y almacenarla, para emitirla posteriormente en forma de
radiacin. Los materiales que permiten la fluorescencia se les llama foto-reactivos, los
cuales almacenan la energa radiante recibida, para despus exponerla. La fluorescencia
es un tipo particular de luminiscencia, que caracteriza a las sustancias que son capaces
de absorber energa en forma de radiaciones electromagnticas y luego emitir parte de
esa energa en forma de radiacin electromagntica de longitud de onda diferente. La
energa recibida es la suma de la energa emitida ms las prdidas en forma de calor. La
diferencia entre la fosforescencia y la fluorescencia es que en la primera las sustancias
continan emitido luz durante un tiempo mucho ms prolongado, an despus del corte
del estmulo que la provoca, ya que la energa absorbida se libera lenta y de manera
continuada. Los pasos normales son los siguientes absorcin, disipacin no radiativa y
emisin.
Los componentes optoelectrnicos, como puede ser IPC (Incident Photon to
Current Efficiency), son el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas
electrnicos. El IPCE es el cociente entre los electrones generados entre los fotones
incidentes. Su montaje consta de una fuente de luz, de un cristal monocromado, de un
sensor, de la muestra, de un polmetro y del ordenador.
Un microscopio ptico es un microscopio basado en lentes pticas. Tiene
diferentes partes que permiten sujetar la pieza, iluminarla y enfocarla con facilidad. La
imagen pertenece a un microscopio ptico polarizado.

MICROSCOPIO
PTICO
POLARIZADO

Otro microscopio es el SEM (scanning electron microscopy o microscopio

electrnico de barrido) utiliza un haz de electrones en lugar de un haz de luz para formar
una imagen. Tiene una gran profundidad de campo lo que le permite que se enfoque a la
vez gran parte de la muestra y; tambin posee alta resolucin. Su funcionamiento es el
siguiente, durante el barrido es necesario acelerar lo electrones en un campo elctrico,
para aprovechar de sta manera su comportamiento ondulatorio, lo cual se lleva a cabo
en la columna del microscopio, donde se aceleran mediante un elevado potencial. Los
electrones acelerados por un voltaje pequeo se utilizan para muestras muy sensibles
(bilgicas), los voltajes elevados se utilizan para muestras duras (metlicas). Los
electrones acelerados salen del can, y se enfocan mediante las lentes convergentes y
6

objetivas, cuya funcin es reducir la imagen del filamento, de manera que incida en la
muestra un haz de electrones lo ms pequeo posible (mejor resolucin). Con las
bobinas deflectoras se barre este fino haz de electrones sobre la muestra, punto a punto
y lnea por lnea. La energa que pierden los electrones al chocar contra la muestra
puede hacer que otros electrones salgan despedidos y producir rayos X.

MICROSCOPIO
ELECTRNICO
DE BARRIDO
(SEM)

El microscopio electrnico de transmisin o transmission electron microscopy

(TEM) es un microscopio que utiliza un haz de electrones para visualizar un objeto
debido a que la potencia amplificadora de un microscopio ptico sta limitada por la
longitud de onda de la luz visible. Lo caracterstico es que se emplean muestras muy
finas y la imagen se obtiene de los electrones que la atraviesan. Los electrones
interaccionan por potencial elctrico y por campo magntico, todo esto permite que
puedan ser manipulados por electroimanes. Este microscopio permite la formacin de
una lente magntica de distancia focal variable y permite deflectar la trayectoria de los
electrones en un ngulo fijo. Mediante dos deflexiones seguidas pueden desplazarse
lateralmente las trayectorias de los electrones. En el fondo, final del haz, hay una
cmara y pantalla fluorescente, la cual sirve para registrar la imagen aumentada.

MICROSCOPIO
ELECTRNICO
DE TRANSMISIN
(TEM)

Existe toda una familia de microscopios por escaneo. Todos stos son muy
sensibles a vibraciones y tienen que estar amortiguados para que trabajen correctamente.
Tambin, tienen una alta frecuencia de resonancia. Las imgenes que producen de la
superficie son de la rugosidad de sta. Permite medir gases, lquidos, slidos, vaco y en
diferentes variables atmosfricas.

En la cima de dicha familia se encuentra el microscopio de efecto tnel o

scanning tunnel microscopy (STM) el cual se emplea para tomar imgenes de
superficies a nivel atmico. Para este microscopio se toma una buena resolucin de
0.1nm de resolucin lateral y 0.01nm de resolucin de profundidad. El principio de
funcionamiento de este microscopio se basa en el efecto tnel. Cuando una punta
conductora es colocada muy cerca de la superficie a ser examinada, una corriente de
polarizacin aplicada entre las dos puede permitir a los electrones pasar al otro lado
mediante efecto tnel a travs del vaco entre ellas. La corriente resultante de
tunelizacin es una funcin de la posicin de la punta, el voltaje aplicado y la densidad
local de estados. La informacin es adquirida monitoreando la corriente conforme la
posicin de la punta escanea a travs de la superficie, y es usualmente desplegada en
forma de imagen. Este microscopio tiene dos modos de lectura, modo de altura
constante y modo de corriente constante. En el modo de corriente constate vara la
altura del cabezal del microscopio en funcin del voltaje producido por el piezoelctrico,
para que haya densidad de carga constante. En el modo de altura constante, el voltaje y
la altura se mantienen ambos constantes mientras que la corriente cambia para impedir
que el voltaje cambie, es decir, la imagen se crea por los cambios de corriente sobre la
superficie. Cabe decir que el modo de altura constante es ms rpido debido a los
movimientos del piezoelctrico son menores que en el otro modo.

MICROSCOPIO
DE EFECTO
TNEL
(STM)

Tras el microscopio anterior se encuentra el microscopio de fuerza atmica o

atomic forc microscopy (AFM). Dicho microscopio es un instrumento mecnicoptico el cual es capaz de registrar continuamente la topografa de una muestra
mediante una sonda o punta afilada de forma piramidal o cnica y; permite detectar
fuerzas del orden de nN (nano Newton). Las interacciones que ocurren entre la punta y
la muestra pueden ser sin contacto, como las fuerzas electrostticas y magnticas; en
casi contacto, las fuerzas de Van Der Walls y; en contacto, la capilaridad y las fuerzas
de contacto. Su funcionamiento es que cuando la punta se encuentra prxima a la
superficie de la muestra, se registra una pequea flexin del listn mediante un haz
reflejado en su parte posterior. Un sistema auxiliar piezoelctrico desplaza la muestra
tridimensionalmente, mientras que la punta recorre ordenadamente la superficie. Hay
8

varios modos de funcionamiento los cuales depende de las zonas que se usen del
fotodiodo, en el funcionamiento normal se mide la desviacin del fondo, es decir, la
rugosidad. En el modo de lectura lateral o modo de fuerza de friccin se obtiene la
torsin o giro. La palanca tiene tres movimientos posibles, el modo de contacto, en el
cual durante el barrido, la fuerza entre la punta y la muestra se mantiene constante
manteniendo una constante de deflexin. Los otros dos mtodos son el modo de no
contacto o de frecuencia no modulada, la cual mantiene constante la frecuencia de
resonancia, sta suele operar en vaco extremo. El ltimo modo es el de repiqueteo o de
amplitud modulada, en el que se mantiene constante la amplitud, se usa, principalmente,
para medir lquidos.

MICROSCOPIO
DE FUERZA
ATMICA
(AFM)

El microscopio de fuerza lateral o lateral forc microscopy (LFM) y el

microscopio de fuerza friccional o frictional forc microscopy (FFM), operan de
manera similar al microscopio de fuerza atmica, es decir, barren la superficie mediante
su palanca. Se usa para mejorar los cambios en el material, contraste de los bordes
afilados, lmites de grano, imgenes de fuerza lateral, tiene los anteriores modos de la
palanca, la fuerza repulsiva es la lateral y su voladizo es suave.
MICROSCOPIO DE FUERZA LATERAL
(AFM)
MICROSCOPIO DE FUERZA FRICCIONAL
(FFM)

Los requisitos de los microscopios de electrones y SPM son sensibles a la

vibracin, a las interferencias electromagnticas y a los cambios de temperatura en el
ambiente.
Los perfilmetros constan de un palpador el cual es como una palanca del
microscopio de fuerza atmica. Dicho palpador, en este caso, recorre toda la superficie
subiendo en las montaas y bajando en los valles, mientras barre toda la superficie. Las
imgenes se muestran por el grosor que muestra la rugosidad de un perfil en las
9

ordenadas, y, en las abcisas se encuentra la distancia recorrida para la medicin. En vez

de ser una tabla, muestra el perfil del objeto medido directamente. En los perfilmetros
confocales, slo detectan una luz en su foco.

PERFILMETROS

Una tabla resumen con todos los tipos de microscopios se muestran a

continuacin.

PUNTOS CUNTICOS
Un punto cuntico es una nanoestructura semiconductora que confina el
movimiento, en las tres direcciones espaciales, de los electrones de la banda de
conduccin, los huecos de la banda de valencia.
Los puntos cunticos tienen muchas aplicaciones como saber el tamao de los
tomos, en la optoelectrnica, para fabricar diodos, lseres, paneles solares y nuevos
sistemas de iluminacin con un rendimiento muy superior.

10

TEMA3
CRECIMIENTO DE LOS CRISTALES
El crecimiento de los cristales de materiales a granel se puede producir con
poca temperatura, desde fase de vapor y fase de lquido. El crecimiento de los cristales
de pelculas muy finas se produce por la evaporacin estando en el vaco y por mtodos
qumicos desde fase de vapor. Por ltimo los cristales pueden crecer de puntos
cunticos en soluciones coloidales de stos y; crecimiento directo de los anteriores en
un sustrato.
El crecimiento de cristales a baja temperatura por materiales a granel consiste
en una solucin, generalmente acuosa, en condiciones de saturacin que evoluciona a
supersaturacin, en la cual se deposita el slido; por el control de la temperatura o por el
control de la concentracin. Si se quiere realizar por el control de la temperatura, la
temperatura disminuye, y si se quiere realizar por el control de la concentracin se
realiza mediante evaporacin constante. Otra tcnica es Sol-Gel, en la cual el gel acta
como medio viscoso o poroso para permitir el control de ambos componentes. Cuando
el punto de solubilidad es alcanzado se produce precipitacin del compuesto de ambos
lquidos. El grado de crecimiento de los granos depende de la difusin del material en el
medio gel.
El crecimiento de cristales por materiales a granel tambin se puede producir
desde la fase de vapor, por ejemplo, el transporte qumico de vapor o chemical vapor
transport (CVT). En una ampolla sellada la fuente del material se encuentra sujeta a un
gradiente de temperatura. Adems, en la ampolla hay gas el cual tiene la funcin como
medio de transporte. Cuando la temperatura se incrementa, el gas reacciona con el
material produciendo un compuesto el cual pasa a estar en la fase de vapor. En la zona
de deposicin, con una temperatura ms baja, se produce la reaccin opuesta. Otro
mtodo es el transporte de vapor fsico o physical vapor transport (PVT), el cual es
similar al anterior, pero sin reaccin qumica, as que el gas que sirve de transporte no
est. El material sublima y pasa a depositarse en la parte ms fra de la ampolla.
El ltimo mtodo decrecimiento de cristales por materiales a granel es desde
fase lquida. Un modo es de zona flotante sin filtro. La idea bsica es que los cristales
crezcan en la zona flotante mientras el lquido se mueve a travs de ste. Si se produce
adecuadamente, puede dar como resultado un nico cristal. Esta tcnica tambin se usa
para la purificacin de ciertas impurezas para que sean segregadas a la zona fundida. La
zona fundida se queda aislada, aunque si se emplea vaco, no hay impurezas. Los
cristales producidos por este mtodo son pequeos (20-150mm). Otro mtodo es el de
Brigman, con movimiento relativo del crisol. Una ampolla sellada o un crisol se mueve
a lo largo de un perfil de temperaturas en el cual ocurre la una nucleacin inicial en el
fondo de la ampolla. De esta primera nucleacin se forman monocristales de la
solidificacin de la fase lquida cuando la temperatura desciende. Este mtodo se puede
hacer en vertical y en horizontal. En horizontal se emplea para formar cristales de
11

mayor tamao. El ltimo mtodo de crecimiento de cristales desde fase lquida se llama
Czochralaski, el cual no implica movimiento del crisol. sta es la tcnica ms empleada
en la industria, para formar especialmente cristales de Si. Los materiales necesitan para
fundirse de manera natural, ya que su composicin es similar a la del slido. Para
realizar este procedimiento se necesita una atmsfera apropiada con un crisol a elevada
temperatura.
Para crear pelculas finas en vaco se emplea la sublimacin entre otras. La
sublimacin consiste en que el material se encuentra en sublimacin climatizada y se va
depositando en un sustrato, regulada por temperatura o no. Un caso particular es el
espacio cerrado con transporte de vapor donde el material y el sustrato se encuentran
muy cerca, esto se emplea sobre las clulas solares. Existen diferentes mtodos para la
sublimacin, aunque todos funcionan bajo este mecanismo. Otro mtodo es el
chisporroteo o sputering en el cual se emplea plasma de un gas inerte que es acelerado
hacia el ctodo bombardeando el material. La fuente emite partculas, por el bombardeo
de iones, los cuales son depositados en el sustrato. Este no necesita fuente de calor y,
por lo tanto, sirve para materiales con alto punto de fundicin. Los tomos tiene mayor
energa que en la sublimacin y son mejor depositados en el sustrato, los cuales pueden
ser usados como aleantes. Otro mtodo es la separacin por lser, en la cual un laser con
elevada energa mediante pulsos es usado para evaporar la materia de la superficie
objetivo de tal manera que la estequiometra del material es mantenida durante la
interaccin. En el proceso de separacin se realiza en una cmara de vaco o con un gas
inerte. En el caso de los films de oxidacin, el oxgeno es el gas ms comn, aunque
tambin se utiliza nitrgeno y nitruros. Otro mtodo es la epitaxia molecular de haces, la
cual se tiene que hacer en vaco. El aspecto ms importante de este mtodo es el grado
de deposicin que permite los films epitaxialmente. Los slidos empleados en este
mtodo tiene que ser de gran pureza, y se tiene que fundir las celdas hasta que empiecen
lentamente a sublimarse. Los elementos gaseosos condensar la muestra mientras
reaccionan entre ellos.
Las pelculas finas tambin se pueden fabricar por deposicin qumica de vapor.
Esta tcnica consiste en que uno o varios gases reaccionen en una cmara de reaccin
para dar como resultado un film sobre cierto sustrato. Otro modo de creacin es la
deposicin qumica de vapor de metal orgnico, los iniciadores usados en el film de
deposicin son metales orgnicos y transportados por un gas inerte. En la cmara de
reaccin el metal orgnico compuesto se polariza en el sustrato caliente depositando los
tomos metlicos. La mayora de los iniciadores son controlados por el flujo de gas de
transporte y la temperatura del bao de los iniciadores. Este mtodo presenta un
complicado control del flujo. Otro mtodo es la capa atmica de deposicin, la cual son
dos reacciones complementarias. Por ambas reacciones, los films pueden crecer
formando cristales de poco tomos de grosor en un superficies desiguales o speras. Sin
embargo, hay que tener en cuenta la eliminacin de las impurezas y el control de la
morfologa del film para que puedan ser usados en elementos de precisin
microelectrnica. El siguiente mtodo se denomina spray de pirolisis, en la cual una
12

solucin se vierte en forma de spray sobre un sustrato. Este mtodo es empleado para la
deposicin del xido.
En la creacin de pelculas finas mediante mtodos electroqumicos se
encuentra la electrodeposicin. sta consta de un depsito con una fina capa que
permite el paso de la corriente por electrolitos. Este mtodo depende de varios factores
como la disolucin, temperatura, acidez, entre otros; para determinar el crecimiento de
los cristales. La anodizacin es un caso particular de electrodeposicin. Cuando un
cido es usado en lugar de una sal, el hidrgeno se forma en el ctodo, mientras que en
el nodo reacciona con la produccin de oxgeno.
Para la creacin de cristales se utilizan, tambin, puntos cunticos en
soluciones coloidales. El primer mtodo es la inyeccin en caliente, la cual consiste en
que un iniciador metlico es calentado junto con molculas orgnicas que controlan el
crecimiento. El crecimiento de los cristales empieza cuando se inyecta el segundo
precursor. El segundo mtodo es el de ncleo corteza de los puntos cunticos, el cual es
un mtodo que puede producir estructuras ms sofisticadas. Estos permiten controlar las
propiedades de los cristales.
Tambin se pueden formar cristales directamente de puntos cunticos sobre un
sustrato mediante el bao qumico por deposicin y mediante la adsorcin y reaccin de
la capa inica.

TIPOS DE CMOS
Los procesos de escala del silicio tienen cambios en el mbito de su litografa,
transistores, puerta dielctrica, interconexiones y su poder de disipacin. Por los
mbitos anteriores naci el mosfet.
Un condensador de estructura metal
xido, semiconductor tradicional se obtiene
haciendo crecer una capa de un semiconductor y
luego depositando una capa de metal. Debido a
que se emplean materiales dielctricos, esta
estructura es equivalente a la de un condensador plano, en donde uno de los electrodos
ha sido reemplazado por un semiconductor. Cuando se aplica un potencial a travs de la
estructura CMOS, se modifica la distribucin de cargas en el semiconductor.
El mosfet o transistor de efecto de campo
metalxido-semiconductor es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar seales electrnicas.
Tambin es un interruptor que se puede controlar
por el mando de su compuerta. Como ahora su uso
es muy extendido su precio ha disminuido, aunque
sus prestaciones han avanzado. stas son que
13

consume menos energa y permite trabajar con mayor velocidad a los

microprocesadores. El tamao de los mosfet ya oscila por los nanmetros. En un futuro,
los mosfet permitirn crear dispositivos cunticos, electrnica basada en spines,
electrnica molecular y ordenadores cunticos.
La capacidad total del mosfet es la suma
de la capacidad de carga y descarga (dinmica),
ms las prdidas (estticas). La capacidad de
carga y descarga introduce alta movilidad al
reducir la VDD. El caso de configuracin ideal es el
que se muestra a continuacin, en el cual es una
integracin monoltica de alto poder de oxidacin con elevados porcentaje de movilidad
de electrones o huecos, sobre un sustrato de silicio.
El funcionamiento del mosfet es el siguiente. ste se basa en controlar la
concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada encima del sustrato
y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de dielctrico. El
mosfet tambin incluye dos terminales adicionales, el surtidor y el drenador, cada uno
est conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del
sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo,
y del tipo opuesto al sustrato.
Si el mosfet es de canal n (nMOS) entonces las regiones de dopado para el
surtidor y el drenador son regiones n+ y el sustrato es una regin de tipo p. De manera
contraria, si el mosfet es de canal p (pMOS) entonces las regiones de dopado para el
surtidor y el drenador son regiones p+ y el sustrato es una regin de tipo n.
El surtidor se denomina as porque es la fuente de los portadores de carga
(electrones en n y huecos en p) que fluyen a travs del canal. De manera similar, el
drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada
por la posicin de nivel de fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del
semiconductor. Cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la
banda de valencia se aleja del nivel de fermi, y los huecos presentes en el sustrato son
repelidos de la compuerta. Cuando la puerta se polariza todava ms, el borde de la
banda de conduccin se acerca al nivel de fermi en la regin cercana a la superficie del
semiconductor, y esta regin se llena de electrones de en una regin de inversin o un
canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido.
La corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el
drenador y el surtidor. Al aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la
densidad de electrones en la regin de inversin y; por lo tanto, se incrementa el flujo de
corriente entre el drenador y el surtidor. Para tensiones de compuerta inferiores a la
tensin de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la zona
14

de inversin, y de esta forma slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre
el drenador y el surtidor. Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta y
surtidor, se crea un canal tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al
canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una
tensin menos negativa, que la tensin de umbral es aplicada el canal desaparece y slo
puede fluir una pequea corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor.
Un transistor puede encontrarse en corte, en la regin lineal y en saturacin. El
corte se da cuando VGS<Vth. La zona lineal se da en el siguiente rango: VGS > Vth y VDS
< (VGS-Vth). Por ltimo, la saturacin ocurre cuando VGS > Vth y VDS > (VGS-Vth).
El encalamiento del mosfet conlleva el reducir su tamao, principalmente, para
poder poner ms transistores en menos espacio, aumentando la densidad de integracin
y la potencia de clculo de los microprocesadores. Las dimensiones ms importantes en
un mosfet son la longitud del canal (L) y el ancho de la compuerta (W). En un proceso
de fabricacin se pueden modificar dichos parmetros para cambiar el comportamiento
elctrico del dispositivo. La longitud del canal tambin indica la longitud de onda con la
cual se cre. El tamao de los transistores oscila entre las decenas de nanmetros.
LITOGRAFA
La litografa a la escala del nanmetro o nanolitografa se refiere a la
fabricacin de microestructuras con un tamao de escala que ronda los nanmetros.
Esto implica la existencia de patrones litografiados en los que sus longitudes son del
tamao de tomos individuales y de orden aproximado de 10nm. Principalmente se
emplea en la fabricacin de circuitos integrados de semiconductores o sistemas
nanoelectromecnicos conocidos como NEMS.
El procedimiento empleado en la litografa es el siguiente. Un lser escribe el
patrn de un circuito para un microchip en una capa de un polmero sensible a la luz, el
cual tiene debajo una capa de cromo
sobre un sustrato transparente. Las
zonas afectadas del polmero pueden
ser eliminadas de forma selectiva. Las
secciones expuestas de cromo pueden
ser eliminadas por ataque qumico, y as
el polmero se disuelve y; el resultado
una mscara, como si fuera una foto en
negativo. Cuando un haz monocromtico de luz ultravioleta se dirige a la mscara
anterior, la luz pasa a travs de los huecos del cromo. Tras sta, una lente contrae el
patrn enfocando la luz hacia una capa de material fotorresistente sobre una oblea de
silicio. Las partes expuestas de la resina fotosensible son retiradas, lo que permite
repetir el patrn en miniatura sobre los chips de silicio. Se pueden emplear luces de
diferentes longitudes de onda, aunque se suelen emplear actualmente las de 13nm.

15

Las estructuras creadas por litografa son de muy alta calidad, permitiendo unir
diferentes materiales con estructuras diferentes, mediante enlaces atmicos.
Los problemas de las pelculas ultrafinas de dixido de silicio con puertas de
capas de xido es que en 1-1.2nm se produce excesivo efecto tnel y las prdidas de
corriente son excesivas. Otro problema es la penetracin del boro a travs de la capa del
dixido de silicio desde el silicio en el canal p del canal, despus de que este se caliente
durante el proceso. El ltimo problema es que el silicio dopado se degenera en puertas
de electrones.
La solucin para esos problemas es utilizar puertas de dielctricos (oxidados)
con alta constante dielctrica. Si el material tiene ms permitividad, se puede disminuir
el ancho. Tambin se reemplazan los electrodos por electrodos de metal. Los requisitos
para que un material pueda ser buen dielctrico, son que tenga buena estequiometra,
que tenga estructura amorfa, que permita pelculas finas continuas con reducida
rugosidad, que sea lo ms fina posible, trmicamente estable respecto al silicio y que
tenga baja concentracin de impurezas. Los requisitos elctricos del nuevo dielctrico
son, que tenga una elevada constante dielctrica, pocas prdidas de densidad de
corriente, que sea de grosor menos a 1.2nm, que tenga una banda de conduccin amplia,
un valor de la banda adecuado, que tenga baja concentracin de imperfecciones a granel,
que tenga un precio competitivo comparado con el dixido de silicio, y que tenga un
reducido interface de densidad. Los materiales que tienen baja constante dielctrica son
ms dbiles y se est empezando a plantear cuestiones de su procesado y de su
ensamblaje.

16

TEMA4
CLULAS SOLARES SENSIBILIZADAS CON COLORANTE
Los dispositivos fotovoltaicos convierten la luz en electricidad los cuales suelen
ser, generalmente, diodos. El funcionamiento de los dispositivos fotovoltaicos es que al
recibir radiacin solar, se excitan

y provocan saltos electrnicos, generando una

pequea diferencia de potencial en sus extremos. Estas clulas tienen mayor eficiencia
con la luz visible, es decir, con una longitud de onda alrededor de 500nm. Otra manera
de explicar el funcionamiento es que los fotones de la luz incidente en el panel solar son
absorbidos por los materiales semiconductores para crear pares electrn-hueco. Los
electrones son forzados a perder sus tomos, a travs de la corriente que pasa por el
material para producir electricidad.
Hay algunas especies qumicas que poseen la propiedad electrocrmica. Esta
propiedad consiste en el cambio de color de forma reversible cuando se les aplica una
carga elctrica.
La clula solar sensibilizada con colorante posee la propiedad anterior y trabaja
de la siguiente manera. La luz solar pasa a travs del electrodo simple, y el colorante
impregnado en el electrodo compuesto absorbe la luz. Cuando una molcula del
colorante absorbe la luz, un electrn pasa a tener un estado excitado y puede saltar
desde el colorante hasta la banda de conduccin del dixido de titanio. En el electrodo
compuesto, el electrn se difunde desde el dixido de titanio hacia el vidrio conductor.
Desde all, el electrn es llevado mediante un cable conductor hacia el electrodo simple.
Despus de haber perdido un electrn, la molcula de colorante se encuentra oxidada, es
decir, tiene un electrn menos que antes. La molcula del colorante recupera su estado
inicial cuando el electrn es reinyectado a travs del electrodo simple. De esta manera el
proceso se transforma en un ciclo que genera una corriente elctrica. Cada vez se
utilizan ms los colorantes basados en rutenio.
Dichas clulas contienen varios elementos, los cuales por orden de posicin
final son, pelcula tranparente conductora (electrodo directo), film de dixido de titanio,
colorante, electrolito, tapn, platino y otra pelcula transparente conductora
(contraelectrodo). Primero se va a explicar el proceso de los electrodos de trabajo. En
primer lugar, se limpian las pelculas transparentes conductoras con los procesos

17

qumicos convenientes. En segundo ligar se realiza el tratamiento del tetracloruro de

titanio en la capa posterior, la que conduce, para que se quede correctamente adherido la
pelcula de titanio. Estas lminas se someten al primer tratamiento trmico en el cual se
alcanzan los 600C. En cuarto lugar una mquina, crea las placas de dixido de titanio
sobre las lminas limpiadas anteriormente, las cuales son las conductoras. Tras la
creacin de stas se efecta otro tratamiento trmico menos brusco que el anterior que
alcanza los 500C. En sexto lugar se produce la dispersin de la pelcula de dixido de
titanio. En el cual se reduce su tamao y hace que se vuelve opaco. Posteriormente se
produce el tercer tratamiento trmico el cual es igual que el anterior. El octavo paso
consiste en el segundo tratamiento con el tetracloruro de titanio, el cual limpia la lmina
con los productos qumicos apropiados. Por ltimo se vuelve a realizar el primer
tratamiento trmico y; ya estn acabadas las lminas de dixido de titanio. Si se va a
usar alguno como electrodo de trabajo, se debe calentar hasta los 450C, antes de
sensibilizarlo con colorante. A continuacin se va a explicar los procesos de la creacin
de los contraelectrodos. En primer lugar se crea un agujero y; consecuentemente, se
limpia una pelcula transparente conductora. En el tercer paso se baa la superficie
conductora con cido cloroplatnico para crear un film semiconductor. A continuacin
se somete a un tratamiento trmico para calcinar. En ltimo lugar se sintetiza y se
ensambla. Para sensibilizarlo con colorante tiene que estar en una atmsfera aislada y
sin luz. La muestra extrada se limpia en la misma solucin con colorante y se seca con
aire forzado. Para ensamblar los diferentes electrodos de utiliza electrolito como de
pegamento.
La ventaja de estas clulas es su elevada eficiencia, respecto a otros materiales;
y reducido coste de fabricacin. Los inconvenientes es que an se esta lejos de tener una
buena eficiencia. Las aplicaciones son muy variadas, como ponerse en ropa, poner
dispositivos para recargar cualquier aparato electrnico, etc.
Otro tipo de clulas solares son las de puntos cunticos, las cuales un estn
formadas por un semiconductor cuyos electrones excitados estn confinados en las tres
dimensiones espaciales. Como resultado de ello, tienen propiedades que se encuentran
por encima de sus competidores. Las propiedades de las clulas solares de puntos
cunticos son que producen el efecto tnel en la banda de conduccin y se puede
controlar. Necesitan componentes con coeficientes molares elevados y con momentos
dipolares elevados y permitan la generacin de excitacin mltiple. Sus aplicaciones
18

son las mismas que las de los componentes fotovoltaicos. stos se pueden formar con
polmeros.
Otro tipo de clulas solares son las de Perovskite las cuales tienen la solucin
procesada por amoniaco trihalogenado por plumbatos. Sus caractersticas son que tienen
coste reducido y fcil procesado. Tienen fuertes excitaciones y tienen una buena
eficiencia como los transistores y los leds. Tambin se emplea almina como aislante
trmico.
FOTOSNTESIS ARTIFICIAL
El propsito de esta tecnologa es lograr un dispositivo eficiente que permita
transformas la radiacin solar en combustible. El principio bsico se basa en el uso de
materiales semiconductores los cuales al recibir luz se favorecen reacciones como la
oxidacin del agua y la reduccin del hidrgeno.
Los requisitos que deben de cumplir los materiales para que sean
semiconductores son los siguientes. Tener una banda de conduccin adecuada para la
mxima absorcin ptica (1.9eV). Los bordes de la banda tiene que soportar los
potencias de H2O/O2 y H+/H2. Tienen que tener un transporte de la carga eficiente
dentro del material semiconductor. Tener baja resistencia al paso de la carga entre el
semiconductor y la solucin en el cual se encuentre sumergido. Por ltimo, conforme
ms reducido sea el coste, mayores beneficios.
La clula fotoelectroqumica o clula de Grzel es un dispositivo que permite la
generacin de manera simultnea o independiente tanto de energa elctrica como de
una sustancia qumica de inters, mediante una reaccin electroqumica inducida por
efecto fotoelctrico. Esta clula est basada en semiconductores nanoestructurados
sensibilizados con colorante. El semiconductor de la clula es una unin semiconductorlquido que contiene una zona de carga espacial en la superficie, con un intenso campo
elctrico el cual permite separar los pares electrn hueco fotogenerados y convertirlos
en una fotocorriente. As pues, un electrodo semiconductor se puede emplear para
aprovechar la energa de la radiacin. Los electrones fotogenerados se extraen por la
conexin entre los dos electrodos. El circuito se cierra mediante superficies disueltas e
la fase lquida que se reducen y oxidan con electrones o huecos fotogenerados, los
cuales estados de ocupacin en una superficie del electrolito constituyen un par redox.

19

Los electrones son transferidos a travs de la superficie del electrodo y reaccionan con
las especies redox. En conclusin, las clulas fotoelectroqumicas pueden convertir la
luz solar en electricidad, mediante energa qumica (H2). Fujishima y Honda,
consiguieron producir pequeas cantidades de hidrgeno iluminando una clula
electroltica con luz solar. El elemento primordial de esta clula es un fotonodo
semiconductor de dixido de titanio donde el agua reacciona con los huecos
fotogenerados y se oxida a oxgeno, mientras que se reduce a hidrgeno con los
electrones que llegan al contraelectrodo. De esta forma se puede descomponer el agua
usando la potencia solar sin voltaje auxiliar. El principal inconveniente es que, por su
amplia banda prohibida, el dixido de titanio slo absorbe la parte ultravioleta de la
emisin solar y por lo tanto se consigue muy poca eficiencia de conversin. Las
aplicaciones suelen ser crear elementos normales con dicho dispositivo para aprovechar
su funcionamiento.
La hematita (Fe2O3) es un material con futuro como fotonodo de clulas
electroqumicas para la disolucin del agua. Las ventajas que tiene es que es un
material abundante, tiene amplia longitud de onda de luz visible que puede absorber y
gran estabilidad en disoluciones alcalinas y neutras. Como problemas tiene que sus
bandas prohibidas semiconductoras son amplias, lo cual ocasiona poca absorcin. Su
medio de transporte tiene limitada vida til y poca movilidad de las cargas. Su
comportamiento fotoelctrico se da entre pH de 7 y de 13.2. Su funcionamiento es el
mismo que las clulas fotoelectroqumicas, junto con el descubrimiento de Honda y
Fujishima. Se esta diseando nuevos materiales de hematita variadas como
nanopartculas, nanocables, nanotubos, y nanorboles. Tambin se pueden hacer
estructuras heterogneas de disiliciuro de titanio, xidos de iridio y compuestos de
cobalto, juntados todos con hematita.
El dixido de titanio es un material es cual ha sido ampliamente estudiado
como elemento fotocataltico. Sus inconvenientes
es que su banda prohibida es amplia y repercute en
la eficiencia de los dispositivos de disociacin del
agua. Su disposicin de funcionamiento es que el
dixido de titanio est conectado a un electrodo y
el platino a otro. Los fotones de luz los recibe un
material con puntos cunticos, en el cual se excita un electrn el cual lo transmite al
20

titanio. El titanio hace posible que se haga una reaccin de reduccin redox. La otra
reaccin ocurre en el contraelectrodo, en el cual hay platino, y, tras recibir el electrodo
del titanio, este la produce formando hidrgeno. Las densidades de corriente
conseguidas son de 4mA por cm2.
APLICACIONES CON MATERIAL ORGNICO, INORGNICO E HBRIDO.
Los semiconductores orgnicos son PPv, PPy, Benceno, PEDOT y PSS. Los
transistores orgnicos se llaman OFET y estn formados por TSA. Los led orgnicos se
llaman OLED y estn constituidos por PDOT-PSS. Los semiconductores orgnicos se
pueden dopar con cido perclrico, cido clorhdrico con fragmentos de TSA.
Los OFET son transistores orgnicos de efecto de campo los cuales utilizan un
semiconductor orgnico en su canal. stos se pueden preparar en el vaco mediante la
evaporacin de pequeas partculas, por disolucin de de polmeros en pequeas
molculas y por transferencia mecnica. Sus aplicaciones pueden ser tanto como para
iluminar, mediante el principio de electroluminiscencia y; servir como un transistor, con
propiedades diferentes a los otros, tales como flexibilidad, entre otras. Las ventajas son
que su precio es reducido debido a que su campo se est ampliando a gran velocidad.
Otra ventaja es que puede ser diseado con cualquier geometra y tambin, en algunos
casos se pueden comportar como dielctricos. La principal ventaja de estos transistores
es su reducida probabilidad de error y su rpida velocidad en comparacin con los
transistores de silicio. Los inconvenientes son que estos transistores tienen una vida ms
reducida, no se pueden medir con tanta precisin sus propiedades. Tambin reaccionan
con ms atmsferas y se pueden quemar ms fcilmente. Se podra decir que son mucho
ms sensibles que los de silicio, aunque sus propiedades sean superiores.
Las siglas OLED significan
diodo orgnico de emisin de lux el
cual es un diodo que se basa en una
capa electroluminiscente formada por
una pelcula de componentes orgnicos
que reaccionan, a una determinada
estimulacin elctrica, generando y
emitiendo luz por s mismos. Podr ser
usado en todo tipo de aplicaciones sobre
todo en pantallas, permitiendo crearlas
en tejidos o en medios curvos. Las
ventajas son: fabricacin econmica y ms eficiente que el LCD, relacin de contraste
21

muy alta (alta definicin), gran ngulo de visin, baja energa de consumo y el tiempo
de respuesta es mnimo. La gran ventaja reside en que los OLED emiten luz
directamente, por este motivo, respecto a los LCD, posibilitan un rango ms grande de
colores y contraste. Los inconvenientes son: el consumo de energa depende del color de
la alta definicin, coste del capital para generarlo, pobre lectura en luz ambiente
brillante, no es resistente al agua y la vida til es muy reducida.
Las OSC son clulas solares orgnicas en las que la capa activa de stas se
compone de molculas orgnicas. stas emplean semiconductores orgnicos. Presenta
las mismas propiedades de flexibilidad entre otras, de la misma forma que los
componentes anteriores. Todas sus aplicaciones tienen el fin de transformar energa
solar en electricidad para conectar cualquier aparato que pueda cumplir los requisitos
que de la clula. Las ventajas son que es un proceso de fabricacin fcil, bajo coste e
bandas de absorcin buenas. Los inconvenientes son que las bandas son inestables en
contacto con el oxgeno y con el agua y la difusin por excitacin es reducida, del orden
de nanmetros.
Otros dispositivos seran las pantallas de cristal lquido, en el cual, segn la
disposicin del cristal fundido se deja pasar o no a la luz. La disposicin del cristal
cambia por el voltaje que recibe. Una variante de sta son las pantallas de LCD o
pantallas de funcionamiento de cristal lquido. En stas hay tres colores primario, con
los cuales segn su brillo e intensidad se pueden crear todos los colores. Otro tipo de
pantalla son las PDLC o cristal lquido de polmeros dispersos, en los cual se ordenan
perpendicularmente para dejar el paso de la luz, nicamente cuando reciben un voltaje.
El trixido de wolframio es un elemento
muy similar al dixido de titanio viologenado o
sensibilizado con colorante. Ambos son materiales
electrocrmicos y su nica diferencia es que el
trixido de wolframio es ms empleado que el
dixido de titanio.
Otro dispositivo electrocrmica es el de partculas suspendidas, en el cual, si no
pasa corriente por el las partculas del material no se encuentran ordenadas y no dejan
pasar la luz de forma directa. Si pasa corriente, las partculas se ordenan y dejan pasar a
la luz, de esta manera se consigue cambiar la opacidad de algunos materiales. Una
aplicacin actual es en los cristales retrovisores, en el cual cuando recibe mucha luz,
ste se oscurece y no la refleja.
SENSORES.
Las partes de un sensor son la encima, el anticuerpo, el receptor, el DNA y el
microorganismo el cual tiene la funcin de reconocimiento biolgico. Todas las partes
se encuentras conectadas al sensor y ste al traductor de seal. Las encimas se conectan
al sensor, el cual suele ser oro, y; la enzina que se conecta es la glucosa oxidasa. sta es
una enzina oxidorreductasa que cataliza la oxidacin de la glucosa para formar perxido
22

de hidrgeno y glucolactona. La glucosa oxidasa cataliza la oxidacin de -D-glucosa

en D-glucono-1,5-lactona, que es hidrolizada a cido glucnico.
Los sensores de osmio basados en glucosa son iguales que los anteriores con la
diferencia de que se producen reacciones redox por el osmio, el cual efecta dos
funciones, es la parte activa y la parte encargada de reconocer al compuesto a tratar.
Las reacciones que ocurren en el ctodo es que el osmio va cambiando a tener
valencia dos o tres. A su vez, la encima se reduce y se
oxida a continuacin. Estas reacciones provocan que se
tome de la solucin media molcula de agua junto con
dos protones y se forme agua. En el nodo, el osmio
comienza teniendo valencia tres y despus dos.
Despus se oxida la enzima y, consecuentemente, se
reduce. Por ltimo, el nodo toma glucosa de la solucin y la devuelve como
gluconolactona ms dos protones.
Otro tipo de elementos de los sensores son los basados en la bilirrubina oxidasa
la cual es fruto de la reaccin de la bilirrubina ms media molcula de oxgeno y; a su
vez, producto del compuesto anterior, se denomina
biliverdina, ms agua. La estructura es la misma que
anteriormente, pese a que sta permite crear una clula
enzimtica de combustible. La glucosa se encuentra en
el nodo y la bilirrubina en el ctodo. Como fuel para
dicha reaccin puede emplear hidrgeno, metanol,
glucosa, entre otros. Su principal aplicacin es en
seres vivos los cuales tienen glucosa, y de esta manera
crear corriente de forma continua sin mantenimiento.
La estructura de los sensores es un sistema de
electrodos y una capa hidrofbica. Otro tipo de estructura
puede ser depsito de residuos, canal de reaccin y entrada de
la muestra. En el canal de reaccin se encuentran los
determinados elementos de reaccin. Las muestras reaccionan
porque son capturadas por lneas especficas en un proceso
acelerado de hibridacin.
El reconocimiento de la muestra se realiza por antgenos y anticuerpos. La
estructura del anticuerpo est dividida entre el fragmento
vinculante del antgeno (FAB) y por el fragmento
cristalizable (FC). El anticuerpo es la Y y el antgeno es
lo que se le une en la parte superior. Cuando se juntan el
anticuerpo y el antgeno se pueden juntar por protenas
por redox. Otro proceso en el cual no est presenta la
protena del redox, se producen las etiquetas redox.
23

Cuando se producen las reacciones redox se libera energa en forma de voltaje. Otro
mtodo de trabajo de los sensores es el mtodo ELISA (ensayo por inmuno absorcin
ligado a enzimas). Es una tcnica de inmuno ensayo en la que un antgeno inmovilizado
se detecta mediante un anticuerpo enlazado a una enzima capaz de generar un producto
detectable. Se emplea un anticuerpo que reconoce un antgeno y que a su vez es
reconocido por otro anticuerpo que lleva enlazado la enzima mencionada.
Bajo su funcionamiento se puede hacer chips con muchos anticuerpos los
cuales detectan variedad de elementos con una sola muestra.
BATERIAS Y SUPERCONDENSADORES
Las bateras plomo-azufre estn compuestas por dos electrodos de plomo en un
bao de cido sulfrico. Las reacciones que ocurren cuando la batera se carga son las
siguientes. En el nodo, el sulfato de plomo ms dos molculas de agua dan como
resultado dixido de plomo (II), dos protones y cido sulfrico. En el ctodo el sulfato
de plomo (II) da un in sulfato. Cuando la batera se descarga, las reacciones ocurridas
en

cada

electrodo

son

las

mismas pero de sentido opuesto.

Otro tipo de bateras son las de
litio-cobalto, la cual tiene mayor
capacidad de almacenar energa
debido a que los potenciales de
la reaccin mayores.
Las bateras de litio-silicio son bateras iones de litio con un nodo de
nanocables de silicio, agrupados en nanocables. El silicio es capaz de almacenar gran
cantidad de litio y, por lo tanto, puede ofrecer un gran potencial para aumentar la
densidad de energa, reduciendo el peso de la batera. El rea de superficie aumenta diez
veces la densidad de carga del nodo, lo que permite la carga rpida y la entrega de
corriente. En comparacin con otras bateras, sta ofrece un largo proceso de vida til.
Otro tipo diferentes bateras son las de litio-cobre con tetraxido de hierro, en las cuales
hay una sola placa son muchos nanocables que permiten el almacenamiento de gran
cantidad de energa. Una batera de titanato de litio es un tipo de batera de litio-in
modificada, la cual es ms rpida que otras bateras parecidas. Como desventaja tiene
que tienen una tensin y capacidad menor. stas emplean nanocristales de titanato de
litio en la superficie de su nodo. Cabe decir, que alcanzan su rendimiento mximo tras
realizar una gran cantidad de ciclos.
24

Los supercondensadores son dispositivos electroqumicos capaces de sustentar

una densidad de energa inusualmente alta en comparacin con los condensadores
normales, presentando una capacitancia miles de veces superior que la de los
condensadores electrolticos de alta capacidad.
Cuando se cargan los tomos se ordenan en el
polo positivo las positivas y en el negativo las
negativas. Cuando se descarga stas se mezclan
liberando al electrn para producir corriente.
La siguiente tabla compara los diferentes procesos de obtencin de corriente
elctrica.

PIEZOELCTRICOS
La piezoelectricidad es un fenmeno que ocurre en determinados cristales que,
al ser sometido a tensiones mecnicas, en su masa adquieren una polarizacin elctrica
y aparece una diferencia de potencial por las cargas elctricas en su superficie. Este
fenmeno tambin ocurre de manera inversa, se deforman bajo la accin de fuerzas
internas al ser sometidos a un campo elctrico. Este efecto es reversible. Esta propiedad
la tienen cristales naturales o sintticos que carecen de centro de simetra. Una
compresin o un cizallamiento provoca la disociacin de los centro de gravedad de las
cargas elctricas, tanto positivas como negativas. Como consecuencia, en la masa
25

aparecen dipolos elementales y, por influencia, en las superficies enfrentadas surgen

cargas de signo opuesto. Los materiales ms comunes son titanato de bario, circonio
cargado con titanatos, sodio-potasio-niobatio, polivinilidano fluorido y nanotubos de
difenanilina pptida.
Las aplicaciones son: generacin y deteccin de los ultrasonidos, manejar
boquilla ultrasnica, generacin de voltajes elevados, producir frecuencia electrnica,
microbalanzas e impresoras.

26