UNIVERSIDAD ANHUAC OAXACA

VINCE IN BONO MALUM

ESCUELA DE INGENIERA
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
1ER. PARCIAL
CATEDRTICO: VCTOR ARMANDO
BOLAOS RODRGUEZ

PRCTICA: CARACTERIZACIN DEL

DIODO

ALUMNOS:
MNICA ITZEL GOPAR MENDEZ
ROGELIO ESTEVA PEA
JOS ALEJANDRO SILVA MEDINA

CICLO ESCOLAR: ENERO- JUNIO 2016

OAXACA DE JUREZ, OAXACA, A 22 DE
FEBRERO DE 2016
INTRODUCCION
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han

atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin

que ha resultado, nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la actualidad se
encuentran sistemas completos en una oblea, miles de veces menor que el ms sencillo
elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas
semiconductores en comparacin con las redes con tubos de los aos anteriores son , en
su mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se
producen prdidas trmicas (lo que s sucede en el caso de los tubos), una construccin
ms resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan
pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente
algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones
permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los
lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica del
diseo de la red y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo
de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas
electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo
interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde
las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construccin y
caractersticas, los datos y grficas muy importantes que se encontrarn en las hojas de
especificaciones tambin se estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa
empleada y para poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo
general se dispone y que proviene de los fabricantes.
En la siguiente prctica obtendremos la caracterizacin el diodo partiendo de un circuito
elctrico, con lo cual obtendremos una serie de datos relacionados con la tensin,
corriente y resistencia del mismo circuito, para poder entender el comportamiento y los
cambios que se presentan cuando se le aplica mayor o menor tensin al circuito.

MARCO TERICO

Electrn:
Partcula que se encuentra alrededor del ncleo del tomo y que tiene carga
elctrica negativa.
Electrones de Valencia:
Son aquellos que se encuentran en los mayores niveles de energa de
determinado tomo. Son los que posibilitan la reaccin de un tomo con otro, del
mismo elemento o de elementos diferentes, ya que tienen facilidad o
predisposicin para participar en los enlaces.
Material Tipo N:
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen
cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsenico y el
fosforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica en la Figura 1.1 (con
antimonio como la impureza en una base de silicio).

Figura 1.1

Material Tipo P:
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con
tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms
utilizados para este propsito son boro, galio e indio. El efecto de uno de estos
elementos, el boro, en una base de silicio se indica en la figura 1.2.

Figura 1.2

Diodo:

Se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, slo la unin de un material

con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de
huecos. Tiene la propiedad de conducir la corriente con una polaridad en el
sentido de la flecha (polarizacin directa) y no conducir en la polaridad contraria
(polarizacin inversa). A continuacin, se muestra la simbologa de un diodo en la
figura 1.3.

Figura 1.3

La polaridad del diodo rectificador se expresa con una franja oscura dibujada junto a uno de
los terminales del elemento (Figura 1.3.1) y que indica el lado por el cual no entra la
corriente.

Figura 1.3.1

Condicindepolarizacineninversa(VD<0V)
SiseaplicaunpotencialexternodeVvoltsatravsdelauninpnconlaterminalpositiva
conectadaalmaterialtiponylanegativaconectadaalmaterialtipopcomosemuestraen
lafigura1.4,elnmerodeionespositivosreveladosenlaregindeempobrecimientodel
materialtipo n seincrementarporlagrancantidaddeelectroneslibresatradosporel
potencialpositivodelvoltajeaplicado. Lacorrienteencondicionesdepolarizacinen
inversasellamacorrientedesaturacineninversayestrepresentadaporIs.

Figura 1.4

Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V)

La condicin de polarizacion en directa o encendido se establece aplicando el
potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se
muestra en la figura 1.5. La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa
VD presionar a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material
tipo p para que se recombinen con los iones prximos al lmite y reducir el ancho
de la regin de empobrecimiento como se muestra en la figura 1.5.

Figura 1.5

DESARROLLO
Para obtener la caracterstica tensin- intensidad del diodo, montaremos el circuito
que se muestra en la figura 1.5:

Figura 1.5

Materiales:

1 Protoboard
1 Diodo 0.7 V
1 Resistencia 120 k
1 Fuente de Voltaje
1 Voltmetro
Cables

Dado que se quiere medir la diferencia de potencial entre las terminales del diodo
y la intensidad que lo atraviesa, colocaremos el voltmetro en los extremos del
diodo y, para medir la intensidad, colocaremos nuevamente el voltmetro en los
extremos de la resistencia (de tal manera que al aplicar la ley de Ohm I= V(R)
conoceremos la intensidad). El diodo, tal como aparece en el circuito de la Figura
1.6, est polarizado en forma directa y por lo tanto deja pasar la corriente. Para
medir los valores de tensin e intensidad en polarizacin inversa, no tenemos que
hacer ms que darle la vuelta al diodo (circuito de abajo). Utilizaremos una fuente
de corriente continua porque se trata de aplicar diferentes valores de la tensin a
una polaridad determinada.
Una vez montado el circuito con el diodo en polarizacin directa primero y en
polarizacin inversa despus, medimos los valores de tensin e intensidad,
variando los valores de la tensin de la fuente, tal como aparecen en la siguiente
tabla (los valores de la fuente son aproximados, los qu tendremos en cuenta son
los valores medidos con el voltmetro).

Fuente
0
0.7

Voltaje en el
Diodo

Intensidad
0
0.347

0
0.001577273

Voltaje en
Resistor
0
0.266
6

1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
18.5
19
19.5
20
20.5

0.37
0.388
0.404
0.415
0.423
0.43
0.435
0.441
0.445
0.449
0.451
0.456
0.46
0.463
0.466
0.468
0.471
0.473
0.474
0.478
0.479
0.481
0.483
0.484
0.487
0.488
0.489
0.491
0.492
0.494
0.495
0.496
0.498
0.499
0.501
0.501
0.503
0.504
0.505
0.506

0.001681818
0.001763636
0.001836364
0.001886364
0.001922727
0.001954545
0.001977273
0.002004545
0.002022727
0.002040909
0.00205
0.002072727
0.002090909
0.002104545
0.002118182
0.002127273
0.002140909
0.00215
0.002154545
0.002172727
0.002177273
0.002186364
0.002195455
0.0022
0.002213636
0.002218182
0.002222727
0.002231818
0.002236364
0.002245455
0.00225
0.002254545
0.002263636
0.002268182
0.002277273
0.002277273
0.002286364
0.002290909
0.002295455
0.0023

0.597
0.998
1.507
2.061
2.499
2.97
3.538
3.99
4.459
4.955
5.468
6.015
6.478
7.01
7.49
7.93
8.47
8.97
9.48
9.99
10.46
10.98
11.4
11.9
12.45
12.97
13.44
13.92
14.47
14.93
15.47
15.88
16.41
16.91
17.43
17.93
18.45
18.89
19.41
19.86

21
21.5
22
22.5
23
23.5
24
24.5
25
25.5
26
26.5
27
27.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
31.5
32

0.507
0.509
0.51
0.511
0.511
0.512
0.514
0.514
0.516
0.516
0.518
0.518
0.518
0.519
0.52
0.521
0.521
0.522
0.524
0.525
0.525
0.526
0.527

0.002304545
0.002313636
0.002318182
0.002322727
0.002322727
0.002327273
0.002336364
0.002336364
0.002345455
0.002345455
0.002354545
0.002354545
0.002354545
0.002359091
0.002363636
0.002368182
0.002368182
0.002372727
0.002381818
0.002386364
0.002386364
0.002390909
0.002395455

20.36
20.92
21.4
21.91
22.41
22.89
23.43
23.88
24.4
24.89
25.39
25.9
26.44
26.85
27.39
27.85
28.36
28.88
29.34
29.86
30.37
30.92
31.35

A continuacin se muestra una grfica con el comportamiento de los datos que se

obtuvieron y se registraron en la tabla:

Caracterizacin del diodo

40
30
20
10
0
Fuente

Voltaje en el Diodo

Intensidad

Voltaje en Resistor

ONCLUSIN
En esta entrega estudiamos al diodo en un circuito elctrico y sus caractersticas

como un previo a su utilizacin en circuitos ms complejos.

Los diodos son elementos importantes en la electrnica que nos rodea hoy en da,
que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos
a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con
el propsito de resolver algn problema.
Es importante saber que el comportamiento del diodo cambiar dependiendo del
tipo de polarizacin que se le suministre.

BIBLIOGRAFA
Boylestad L., Robert. Electronica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electronicos .
Dcima Edicin. Editorial Pearson, Mxico, 2009. 912 p.
http://quimica.laguia2000.com/general/electron-de-valencia#ixzz40jh8oMVC