ALUMNO: Javier Oswaldo Rojas Antn

CODIGO:14190144
Tema 2. Teora del Diodo.
1.- En un diodo polarizado, casi toda la tensin externa aplicada aparece en
a) nicamente en los contactos metlicos
b) en los contactos metlicos y en las zonas p y n
c) la zona de vaciamiento o deplexin
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que
el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. Un
diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin
en el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El
lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es
donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una
corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin
opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al
ctodo (opuesto al flujo de los electrones).

2.- En los diodos LED

a) se convierte la energa luminosa en energa elctrica
b) se genera radiacin electromagntica visible debida a las
recombinaciones de los
pares electrn/hueco
c) se produce radiacin electromagntica cuando se supera la tensin
inversa de
ruptura
El diodo emisor de luz (Light Emitter Diode) es, como su propio nombre
indica, un diodo que produce luz visible cuando se encuentra en conduccin.
En cualquier unin p-n polarizada en directa, dentro de la estructura y,
principalmente, cerca de la unin se producen recombinaciones de h+ y e-.
Esta recombinacin requiere que la energa que posee el e- libre se
transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n parte de esta energa se
convierte en calor y otra parte se emite en forma de fotones. En el Si y el Ge
la mayor parte de esta energa liberada se transforma en calor y la luz
emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de
galio (GaAsP) o el fosfuro de galio (GaP) el nmero de fotones de la energa
luminosa emitida es suficiente para crear una fuente luminosa muy visible.
Esta radiacin puede tener distintas longitudes de onda, radindose luz roja,
verde, amarilla o incluso en el espectro infrarrojo. Los leds que emiten en
infrarrojos se suelen utilizar en aplicaciones de alarmas, telemandos, etc. O
como optoacopladores.

3.- En un diodo con polarizacin inversa

a) no existe barrera de potencial en la zona de deplexin
b) existe una corriente inversa de saturacin (Is) debida a la inyeccin de
portadores
mayoritarios
c) existe una corriente inversa de saturacin (Is) dependiente de la
temperatura

La distancia que la zona de carga espacial penetre en cada una de las zonas
depender del nivel de dopado de las mismas. Cuanto ms dopada est una
zona menosse adentrar en la misma la zona de deplexin. Por lo tanto, en
principio resultar una corriente nula. Sin embargo, debemos de tener en
cuenta a los portadores minoritarios (e - en la zona p y h + en la zona n
provenientes de la formacin de pares e - - h+ debida a la rotura trmica de
enlaces). As,el campo elctrico aplicado tender a llevar a los e - de la zona p
hacia la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone una
corriente resultante que se denomina corriente inversa de saturacin o
corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y no de pende
de la tensin inversa aplicada.

4.- Los diodos zener

a) no conducen con polarizacin directa
b) presentan una resistencia muy baja en la regin de conduccin
inversa
c) pueden regular la tensin sin consumir energa
Los diodos zener estn diseados para funcionar en la zona de ruptura y
disipar las potencias que se producen. Este tipo de diodos se utilizan
polarizados en inversa. La ubicacin de la zona zener se puede controlar
variando los niveles de dopado. Una aplicacin tpica es el empleo de los
zener en circuitos reguladores de tensin.

5.- En una unin pn, el equivalente de circuito abierto en la regin de

polarizacin
inversa, se logra mejor
a) a altas temperaturas
b) a bajas temperaturas
c) a temperaturas intermedias
Debemos detener en cuenta a los portadores minoritarios (e- en la zona p y
h+ en la zona n provenientes de la formacin de pares e- - h+ debida a la
rotura trmica de enlaces). As, el campo elctrico aplicado tender a llevar a
los e- de la zona p hacia la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona p.
Esto supone una corriente resultante que se denomina corriente inversa de
saturacin o corriente de fugas. Esta corriente depende directamente de la
temperatura y no de pende de la tensin inversa aplicada.

6.- La zona de carga de espacio

a) su anchura depende del dopaje del semiconductor
b) est constituida por portadores de electricidad
c) en directa disminuye hasta desaparecer y quemarse
La distancia que la zona de carga espacial penetre en cada una de las zonas
depender del nivel de dopado de las mismas. Cuanto ms dopada est una
zona menos se adentrar en la misma la zona de deplexin.

7.- En una unin pn sin polarizar y en equilibrio termodinmico

a) aparece una zona de deplexin en donde la concentracin de cargas
libres (e- y
h+) es muy alta
b) la suma de corrientes de difusin y arrastre es cero tanto para ecomo para h+
c) la concentracin de e- y h+ es constante en todo el volumen
En la zona de carga espacial aparecer un campo elctrico que tiende a
alejar tanto a los e- de la zona n como a los h+ de la zona p de la unin. Por

tanto la difusin de portadores seguir hasta que el campo elctrico

generado en el interior de la zona de carga sea lo suficientemente grande
como para impedir el paso de los mismos.

8.- Si comparamos las caractersticas de los semiconductores Si y Ge a

temperatura
ambiente,
a) en el Ge la concentracin intrnseca (ni) y la corriente inversa de
saturacin (Is)
son menores que en el Si
b) en el Ge la tensin umbral de conduccin (V) es mayor que en el Si
c) en el Ge la concentracin intrnseca (ni) y la corriente inversa de
saturacin (Is)
son mayores que en el Si
PROPIEDAD
Ni a 300K

Ge
2.5x1013

Si
1.5x1010

9.- En una unin pn, el efecto de la tensin inversa de ruptura debida al

efecto zener
a) aparece nicamente en diodos con zonas p y n muy poco dopadas
b) se debe a la ionizacin de tomos, causada por los choques entre los
portadores
que se mueven a alta velocidad y los tomos
c) se puede utilizar para regular o estabilizar tensiones
Los diodos zener estn diseados para funcionar en la zona de ruptura y
disipar las potencias que se producen. Este tipo de diodos se utilizan
polarizados en inversa. La ubicacin de la zona zener se puede controlar
variando los niveles de dopado. Una aplicacin tpica es el empleo de los
zener en circuitos reguladores de tensin.

10.- En una unin pn en rgimen permanente

a) Existe una zona intermedia de portadores elctricos
b) Aparecen unas corrientes de difusin
c) Existe una zona de carga descubierta
d) Aparece un campo elctrico creciente
Al unir ambos cristales (P-N), se manifiesta una difusin de electrones del
cristal n al p (Je).Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones
como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o
empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de
la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de
iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre
los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar
detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en
el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio,

suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est
mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

11.- Si en un diodo el voltaje inverso aumenta de 5 a 10 V, la zona de carga

de espacio
a) se hace ms pequea
b) se hace ms grande
c) no le pasa nada
d) se rompe
Debemos de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e- en la zona p y
h+ en la zona n provenientes de la formacin de pares e- - h+ debida a la
rotura trmica de enlaces). As, el campo elctrico aplicado tender a llevar a
los e- de la zona p hacia la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona
p. Esto supone una corriente resultante que se denomina corriente inversa
de saturacin o corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura
y no de pende de la tensin inversa aplicada.

12.- Cuando un diodo tiene polarizacin directa, la recombinacin de

electrones libres
y huecos puede producir
a) calor
b) luz
c) radiacin
d) todas las anteriores
Cuando un diodo convencional o led se polariza en directa, los huecos de la
zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona
p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por
el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden
recombinarse cayendo el electrn al hueco y emitiendo un fotn con la
energa correspondiente a la banda prohibida.
Esta emisin espontnea se produce normalmente en los diodos
semiconductores, pero slo es visible en algunos de ellos (como los ledes),
que tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar
que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y
habitualmente una energa de la banda prohibida coincidente con la
correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energa se libera
principalmente
en
forma
de calor, radiacin
infrarroja o radiacin
ultravioleta. En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden
coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes de
recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por
casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada,
es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual
frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn.

13.- El voltaje de codo de un diodo es aproximadamente igual a

a) el voltaje aplicado
b) la barrera de potencial
c) el voltaje de ruptura

d) el voltaje de polarizacin directa

Tensin Umbral V.
Tambin es conocida como tensin de codo. Para valores de tensin
inferiores a V la corriente es muy pequea (an en polarizacin directa). El
diodo no conduce bien hasta que la tensin aplicada sobrepasa la barrera de
potencial. Por esto, para las primeras decenas de voltio la corriente es muy
pequea. A medida que nos acercamos al valor de V los portadores
mayoritarios de las respectivas zonas (e- de la zona n y h+ de la zona p)
comienzan a atravesar la unin en grandes cantidades, por lo que la
corriente crece rpidamente (de forma exponencial,
como ya se ha
comentado). Para tensiones superiores a la tensin umbral, pequeos
aumentos de tensin producen grandes aumentos de corriente. El valor de
esta tensin de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.

14.- Cul de las siguientes afirmaciones es cierta con respecto a la tensin

de ruptura
de un diodo Zener?
a) disminuye al aumentar la corriente
b) destruye el diodo
c) es igual a la corriente por la resistencia
d) es aproximadamente constante
Cuando en un diodo aplicamos una tensin inversa, a su travs circula la
corriente inversa de saturacin (IS) y en la zona de carga aparece una
tensin igual a la tensin inversa aplicada. Sin embargo, esta tensin no
puede aumentarse todo lo que se desee ya que existe un valor de tensin
(tensin de ruptura) a partir del cual el diodo comienza a conducir
intensamente. Para pequeos aumentos de tensin inversa se tienen
grandes incrementos de corriente.

15.- El diodo bajo polarizacin inversa:

a) Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y
los portadores
mayoritarios no consiguen superarla y pasar a la otra regin.
Por tanto, solamente
tendremos la corriente de minoritarios.
b) Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y
solamente los
portadores mayoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos
una corriente
baja, la corriente de saturacin.
c) Disminuye la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los
portadores
minoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos una corriente
baja, la
corriente de saturacin.
d) Ninguna afirmacin es vlida.
Al aumentar la zona de deplexin aumentar el potencial de la
barrera. Este aumento continuar hasta que el potencial que aparece
en la zona de carga espacial se iguale con la tensin aplicada. La
distancia que la zona de carga espacial penetre en cada una de las
zonas depender del nivel de dopado de las mismas. Cuanto ms

dopada est una zona menos se adentrar en la misma la zona de

deplexin.
Por lo tanto, en principio resultar una corriente nula. Sin embargo,
debemos de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e - en la
zona p y h+ en la zona n provenientes de la formacin de pares e - - h+
debida a la rotura trmica de enlaces). As, el campo elctrico
aplicado tender a llevar a los e - de la zona p hacia la zona n y a los
huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone una corriente
resultante que se denomina corriente inversa de saturacin o
corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y no de
pende de la tensin inversa aplicada.

16.- En la zona de carga de espacio de una unin pn:

a) A mayor polarizacin inversa, ms iones
b) Los iones originados en ausencia de polarizacin no se pueden
mover
c) A mayor polarizacin directa, menos iones
d) Todas las anteriores son ciertas
En polarizacin inversa, el polo negativo de la batera se conecta a la
zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de
carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera (con los cual se originan ms iones
positivos en el polo positivo y ms iones negativos en el polo
negativo).
En directa, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de
carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a
travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce
la electricidad.

17.- El efecto Zener en un diodo:

a) Se produce por las grandes velocidades de los portadores
minoritarios
b) Requiere polarizacin inversa superior a las del efecto avalancha
c) Se produce en diodos muy dopados
d) Se produce debido a campos elctricos muy dbiles
Cuando un diodo est muy dopado la zona de deplexin es muy estrecha. A
causa de ello, el campo elctrico en esta zona es muy intenso. Cuando el
campo elctrico es muy elevado ( 300 000 V/cm) el campo puede extraer
los e- de sus rbitas de valencia. La creacin de e- libres de esta manera
recibe el nombre de efecto zener (tambin conocido como emisin de
campo intenso).

18.- En la zona de carga espacial que aparece en una unin pn sin polarizar.

a) Los electrones que provienen de la zona n (mayoritarios) se

recombinan con los
huecos que provienen de la zona p (mayoritarios).
b) Los electrones que provienen de la zona p (minoritarios) se
recombinan con los
huecos que provienen de la zona n (minoritarios)
c) No existen cargas libres.

En la zona p existen gran cantidad de huecos (en una primera aproximacin

tantos como impurezas aceptadoras, ya que suponemos que a temperatura
ambiente todas ellas estn ionizadas). Por el contrario, en la zona n el
nmero de huecos que tendremos sern muy pocos (debidos a la formacin
de pares e- - h+ por rotura trmica de enlaces). Por tanto se establecer una
corriente difusin de h+ de la zona p hacia la zona n.

19.- Si una unin pn se polariza en directa:

a) Los huecos de la zona n (minoritarios) desaparecen por completo
debido al
arrastre del campo elctrico que los lleva hacia la zona p (su lugar
natural).
b) Aparece una corriente elctrica en el sentido de la zona n a la zona
p debida al
movimiento de los electrones.
c) Aparece una corriente elctrica en el mismo sentido que el
campo elctrico
aplicado.
Para valores pequeos de la tensin de polarizacin (valores de tensin
menores que la barrera de potencial) la circulacin de corriente no ser
apreciable. Esto se debe a que el campo elctrico que aparece en la zona de
carga es ms fuerte que el campo exterior aplicado, por lo tanto los
portadores mayoritarios no podrn atravesar la zona de carga.A medida que
la tensin exterior aplicada aumenta y superamos el valor de la barrera de
potencial, los portadores mayoritarios atravesarn la unin. Los h+ de la
zona p se vern arrastrados hacia la zona n y los e- de la zona n hacia la
zona p rendose una corriente grande (debida a los mayoritarios) en el
sentido de la zona p hacia la zona n.

20.- En un diodo polarizado en inversa:

a) Los electrones de la zona n tienden a acercarse a la zona de la
unin.
b) Aparece una corriente tan pequea que es despreciable a efectos
prcticos y que
depende de la concentracin de los mayoritarios de cada una de las
zonas.
c) Si la tensin aplicada es lo suficientemente grande la
corriente puede ser tan
intensa que se queme el dispositivo.
debemos de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e- en la zona p y
h+ en la zona n
provenientes de la formacin de pares e- - h+ debida a la rotura trmica de
enlaces). As, el campo elctrico aplicado tender a llevar a los e- de la zona
p hacia la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone
una corriente resultante que se denomina corriente inversa de saturacin o
corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y no de pende
de la tensin inversa aplicada.

21.- En la zona de deplexin o vaciamiento de una unin pn:

a) A mayor polarizacin inversa aparece ms carga

b) A mayor polarizacin directa aparece ms carga

c) La zona no tiene carga, o lo que es lo mismo, es elctricamente
neutra
En las proximidades de la unin aparecer una zona donde no existirn cargas
libres. Esta zona se denomina regin de carga espacial, zona de deplexin,
zona de vaciado
.

22.- En un diodo en polarizacin inversa la ruptura por efecto zener

a) Se debe a la alta energa que tienen los electrones, parte
de esta energa se
transforma en calor produciendo la ruptura del dispositivo
b) El campo elctrico es tan intenso que es capaz de arrancar
electrones de sus
enlaces de forma que cada vez hay ms corriente
c) Los electrones en su movimiento chocan contra otros fijos en sus
enlaces
arrancndolos de los mismos, as, cada vez hay ms electrones libres
y, por tanto,
mayor corriente
Cuando un diodo est muy dopado la zona de deplexin es muy estrecha. A
causa de ello, el campo elctrico en esta zona es muy intenso. Cuando el
campo elctrico es muy elevado ( 300 000 V/cm) el campo puede extraer
los e- de sus rbitas de valencia. La creacin de e- libres de esta manera
recibe el nombre de efecto zener (tambin conocido como emisin de
campo intenso). Este efecto es diferente del efecto avalancha que requiere
que los portadores
minoritarios con grandes velocidades desliguen e- de valencia mediante
choques. El efecto zener depende solamente de la intensidad del campo
elctrico. El efecto zener ocurre para valores de tensin inferiores a 4 V,
mientras que el efecto avalancha requiere tensiones superiores a 6 V. Para
valores de tensin comprendidos entre los 4 y los 6 V pueden coexistir
ambos efectos sin prevalecer uno sobre otro. A la mayora de los diodos no
se les permite llegar a la ruptura (usualmente > 50 V ). Sin embargo, en
otros casos, se busca trabajar en la zona inversa (diodos zener.)

23.- En una unin pn sin polarizar

a) Aparece una zona de carga espacial con cargas positivas en el lado
de la zona p y
cargas negativas en el lado de la zona n
b) La zona de carga que aparece no tiene cargas elctricas, por eso
se la llama
tambin de vaciamiento
c) Aparece una barrera de potencial que se opone al flujo de
electrones de la zona n
hacia la zona p
Anlogamente, en la zona n tendremos gran cantidad de e- (tantos como
tomos de impurezas donadoras). En la zona p tambin existirn e- pero en
un nmero muy bajo (como en el caso anterior debidos a la rotura trmica
de enlaces). Esto originar una corriente de difusin de e- de la zona n hacia
la zona p. Es importante remarcar que los iones originados por la ionizacin

de los tomos de impurezas estn fijos en la red cristalina, es decir, no se

pueden mover, por lo que no intervienen en la corriente elctrica.
Debido a esta difusin los huecos al abandonar la zona p y pasar a la zona n
(donde son portadores minoritarios) tienen una gran probabilidad de
recombinarse con un e- aniquilndose ambos. Igualmente los e- que
proceden de la zona n al pasar a la zona p y en las proximidades de la unin
se recombinarn. As, en las proximidades de la unin aparecer una zona
donde no existirn cargas libres. Esta zona se denomina regin de carga
espacial, zona de deplexin, zona de vaciado.

24.- En una unin pn polarizada en directa, cada zona semiconductora

se comporta
como:
a) Sumidero de sus portadores minoritarios
b) Inyector de sus portadores mayoritarios
c) Inyector de sus portadores minoritarios
Para valores pequeos de la tensin de polarizacin (valores de tensin
menores que la barrera de potencial) la circulacin de corriente no ser
apreciable. Esto se debe a que el campo elctrico que aparece en la zona de
carga es ms fuerte que el campo exterior aplicado, por lo tanto los
portadores mayoritarios no podrn atravesar la zona de carga. A medida que
la tensin exterior aplicada aumenta y superamos el valor de la barrera de
potencial, los portadores mayoritarios atravesarn la unin. Los h+ de la
zona p se vern arrastrados hacia la zona n y los e- de la zona n hacia la
zona p crendose una corriente grande (debida a los mayoritarios) en el
sentido de la zona p hacia la zona n.

25.- Sean las curvas A y B de la figura 2.1 pertenecientes a un mismo

diodo a
diferentes temperaturas.
a) La curva A corresponde a la temperatura ms alta, porque la
recombinacin de
portadores es menor y se puede extraer mayor corriente a la misma
tensin
b) La curva A corresponde a la temperatura ms alta, porque
la densidad de corriente
de saturacin del diodo aumenta con la temperatura
c) La curva B corresponde a la temperatura ms alta, porque la
densidad de corriente
de saturacin del diodo disminuye con la temperatura

Corriente inversa de saturacin o corriente de fugas. Esta corriente depende

de la temperatura y no de pende de la tensin inversa aplicada.

26.- El efecto zener en la zona de ruptura de una unin pn.

a) Se da cuando la zona p est mucho ms dopada que la zona n
b) Se debe a la alta energa cintica que adquieren los electrones
libres
c) Se origina cuando hay campos elctricos muy intensos en la
zona de carga
espacial.
Este efecto es diferente del efecto avalancha que requiere que los
portadores minoritarios con grandes velocidades desliguen e- de valencia
mediante choques. El efecto zener depende solamente de la intensidad del
campo elctrico.

27.- En una unin pn polarizada en inversa

a) Si aumentamos la temperatura aumentar la corriente
elctrica
b) Si aumentamos la temperatura la unin se calentar, pero la
corriente slo
aumentar si aumentamos la tensin
c) La barrera de potencial que aparece en la zona de carga de espacio
impide el paso
de cualquier tipo de portador a su travs
Esto supone una corriente resultante que se denomina corriente inversa de
saturacin o corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y
no de pende de la tensin inversa aplicada.

28.- En una unin pn polarizada en directa

a) Si no ponemos una resistencia exterior para limitar la corriente la
unin se
quemar.
b) Podemos tener corrientes prcticamente nulas.
c) El sentido de la corriente depender de cul de las dos zonas es la
que est ms

dopada, es decir, de si los mayoritarios son los huecos o los

electrones.
En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque sino
el diodo se estropeara fcilmente.

Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo las intensidades que salen, que
a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es de silicio) aumentan mucho
como se ve claramente en la grfica de la caracterstica del diodo.

Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el
diodo, como se ve en la figura:

Se calcula la resistencia para limitar la corriente, para que no aumente a

partir de 1 A por ejemplo.

29.- En una unin pn polarizada en directa, la corriente

a) es debida al arrastre de los portadores minoritarios a lo largo de las
zonas neutras
b) La corriente se puede calcular como corriente de
recombinacin de los portadores
minoritarios en cada una de las zonas neutras
c) Se debe nicamente a la difusin de los portadores minoritarios de
cada una de las
zonas neutras a travs de la unin.
A medida que la tensin exterior aplicada aumenta y superamos el valor de
la barrera de potencial, los portadores mayoritarios atravesarn la unin. Los
h+ de la zona p se vern arrastrados hacia la zona n y los e- de la zona n
hacia la zona p crendose una corriente grande (debida a los mayoritarios)
en el sentido de la zona p hacia la zona n.

30.- La corriente inversa de saturacin en un diodo polarizado en

inversa
a) Aumenta al aumentar la polarizacin inversa
b) Disminuye, ya con la polarizacin inversa aumenta la zona de
carga de espacio
c) Es constante
Al aumentar la zona de deplexin aumentar el potencial de la barrera. Este
aumento continuar hasta que el potencial que aparece en la zona de carga
espacial se iguale con la tensin aplicada. La distancia que la zona de carga
espacial penetre en cada una de las zonas depender del nivel de dopado de
las mismas. Cuanto ms dopada est una zona menos se adentrar en la
misma la zona de deplexin.
Por lo tanto, en principio resultar una corriente nula. Sin embargo, debemos
de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e- en la zona p y h+ en la
zona n provenientes de la formacin de pares e- - h+ debida a la rotura
trmica de enlaces). As, el campo elctrico aplicado tender a llevar a los ede la zona p hacia la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona p. Esto
supone una corriente resultante que se denomina corriente inversa de
saturacin o corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y
no de pende de la tensin inversa aplicada.

31.- El tiempo de recuperacin en el diodo

a) es despreciable en circuitos que conmutan a alta frecuencia
b) limita la frecuencia de trabajo en circuitos digitales
c) es instantneo cuando se pasa del estado de conduccin al estado
de corte
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente. Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es
despreciable:

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin

inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin

rpida.